JPH06100679B2 - 放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルの
製造方法に関するものである。

（発明の背景） Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射
し、そのフィルムを現像した、いわゆる放射線写真が利
用されている。しかし、近年銀塩を塗布したフィルムを
使用しないで蛍光体層から直接画像を取り出す方法が工
夫されるようになった。

この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許第3,859,527号及び特開昭55-1214
4号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤外線を輝尽
励起光とした放射線画像変換方法が示されている。この
方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像
変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パネ
ルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて
被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギー
を蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光
体層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄積さ
れた放射線エネルギーを放射させてこれを光に変換し、
この光の強弱による光信号により画像を得るものであ
る。この最終的な画像はハードコピーとして再生しても
良いし、CRT上に再生しても良い。

この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光体層を
有する放射線画像変換パネルにも、前述のスクリーンを
用いる放射線写真法におけるように放射線感度が高くて
画像粒状性が良いこと、および画像の鮮鋭度が高いこと
が要求される。しかし、放射線画像変換パネルと蛍光ス
クリーンとは、放射線画像変換パネルの放射線感度の高
いことは放射線エネルギーを後に励起光で輝尽発光させ
得るように吸収蓄積する効率が高いことであるのに対し
て、蛍光スクリーンの放射線感度が高いことは放射線エ
ネルギーを即刻光に変換する効率が高いことであって、
放射線エネルギーを吸収蓄積すると即刻光に変換する分
が減少するようになるといったように、利用している自
然法則が異なっている。輝尽性蛍光体層を有する放射線
画像変換パネルは粒径１〜30μｍ程度の粒状の輝尽性蛍
光体と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護
層上に塗布、乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の
充填密度が低く（充填率50％）、放射線感度を充分高く
するには輝尽性蛍光体層の層厚を厚くする必要があっ
た。

一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の
層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭性の向上のために
は、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要であった。

また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性
は、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるい
は放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ
（構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光
体層の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される
放射線量子数が減少して量子モトルが増加したり、構造
的乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の
低下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるために
は輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。

即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性
とが輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を
示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する
感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によって
作成されてきた。

また前述の蛍光スクリーンと放射線画像変換パネルの相
違に関して、放射線写真法にける画像の鮮鋭性が蛍光ス
クリーン中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の発光）
の広がりによって決定されるのは周知の通りであるが、
これに対し前述の輝尽性蛍光体を利用した放射線画像変
換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換パネル中
の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決定される
のではなく、すなわち放射線写真法におけるように蛍光
体の発光の広がりによって決定されるのではなく、輝尽
励起光の該パネル内での広がりに依存して決まるという
相違もある。この相違は、放射線画像変換方法において
は、放射線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報
は時系列化されて取り出されるので、ある時間（ti）に
照射された輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て
採光されその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネ
ル上のある画素（xi,yi）からの出力として記録される
が、もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等により広が
り、照射画素（xi,yi）の外側に存在する輝尽性蛍光体
をも励起してしもうと、上記（xi,yi）なる画素からの
出力としてその画素よりも広い領域からの出力が記録さ
れてしまうことによる。従って、ある時間（ti）に照射
された輝尽励起光による輝尽発光が、その時間（ti）に
輝尽励起光が真に照射されていた該パネル状の画素（x
i,yi）からの発光のみであれば、その発光がいかなる広
がりを持つものであろうと得られる画像の鮮鋭性には影
響がないのである。

このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善する
方法がいくつか考案されて来た。例えば特開昭55-14644
7号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層中に
白色粉体を混入する方法、特開昭55-163500号記載の放
射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の輝尽励起波長領域
における平均反射率が前記輝尽性蛍光体の輝尽発光波長
領域における平均反射率よりも小さくなるように着色す
る方法等である。しかし、これらの方法は鮮鋭性を改良
すると必然的に感度が著しく低下してしまい、好ましい
方法とは言えない。

本出願人は、前述のような欠点及び特性間の相反性に鑑
みて、特開昭59-196365号において輝尽性蛍光体層に結
着剤を含有しない放射線画像変換パネル及びその製造方
法を提案している。これによれば、前記放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層が結着剤を含有しないので輝尽
性蛍光体層の充填率が著しく向上すると共に輝尽性蛍光
体層の輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が向上し、放射
線画像変換パネルの放射線に対する感度と画像の粒状性
が改善されると同時に画像の鮮鋭性も改善される。

さて、前記の結着剤を含有しない放射線画像変換パネル
は、スパッタ法、CVD法、蒸着法等種々の気相堆積方法
で製造可能であるが、製造コスト等を考慮すると蒸着法
が最も好ましい方法と言える。

ところが、前記蒸着法において一般的に行われている抵
抗加熱法で輝尽性蛍光体層を形成した場合、ある坩堝温
度に対する輝尽性蛍光体を構成する複数の物質は蒸気圧
が異なるため、蒸気圧の高い物質ほど優先的に蒸発す
る。このため支持体上に形成された輝尽性蛍光体層の組
成は、坩堝中に仕込んだ輝尽性蛍光体の組成と一致せ
ず、放射線画像変換パネルの放射線に対する感度が低下
する重大な欠点のあることが明らかとなった。

すなわち、輝尽性蛍光体を気相堆積させる方法は、前記
したように数々の利点を齎すが、輝尽性蛍光体の層を形
成する場合に該蛍光体の気化条件を蔑ろにすることによ
って大きな陥穽に陥る。

例えばTlを付活剤とするRbBr:Tl輝尽性蛍光体に関する
本発明者らの研究によると、該蛍光体の発光強度は第５
図に示すようにTl含有量が10^-2〜10⁰mol％の範囲にあっ
ては瞬間発光強度は一定でありTl含有量が一定幅に収っ
ている限り一般的蛍光体としてその組成比に関し深く注
意する必要はない。

しかし本発明に係る放射線画像変換パネルの死命を制す
る輝尽発光は３×10^-2mol％付近にピークを有しその前
後で強度は大きく低下する。

従って蒸着法等によって輝尽性蛍光体を気相堆積させる
際に付活剤と輝尽性蛍光体母体の蒸気圧が異なることに
よって、均一に調製した付活輝尽性蛍光体の蒸発源体か
ら付活剤が、蛍光体母体に先行し或いは遅滞してパネル
支持体に蒸着され輝尽性蛍光体層中で厚み方向に付活剤
濃度が異なり最適濃度から逸脱すれば、付活剤の本来の
目的の活性付与は転じて付活剤による中毒症状を呈する
に到る。因にRbBrの蒸気圧は777℃に於て1mmHgを示しTl
Brは522℃に於て10mmHgを呈し蒸気圧に大差を有してい
る。

この点に関心を払った事例はなく、往々にして総体的に
は最適の付活剤濃度であるにも拘らず性能不良の付活輝
尽性蛍光体層の例を見る。

（発明の目的） 本発明は輝尽性蛍光体を用いた前記提案の放射線画像変
換パネルの製造方法に関連し、これをさらに改良するも
のであり、本発明の目的は所望する組成の輝尽性蛍光体
層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法を提供す
ることにある。

更に他の目的は気相堆積法の利点を充分に発揮させた良
好な粒状性と鮮鋭性を有し且つ放射線画像の変換感度の
高い放射線画像変換パネルの製造方法を提供することに
ある。

（発明の構成） 本発明は、支持体上に輝尽性蛍光体層、または更に輝尽
性蛍光体層上に保護層を有して、画像情報を担持した放
射線が入射されると前記輝尽性蛍光体層に画像情報を蓄
積記録し、次いで輝尽励起光が入射されると蓄積画像情
報を担持した輝尽発光を放出する放射線画像変換パネル
の製造方法において、 蒸着装置の真空槽内に前記支持体または保護層の被蒸着
体と輝尽性蛍光体の組成成分を蒸気圧の相違で複数の蒸
発源体に分けて遮蔽板で隔てた各蒸発源体とを所定の間
隔となるように対向させて配置した後、前記真空槽内を
所定の真空度とし、前記各蒸発源体を加熱して蒸発さ
せ、各蒸発源体の蒸発速度を制御して前記被蒸着体上に
タリウム付活ハロゲン化ルビジウム輝尽性蛍光体を蒸着
し、前記輝尽性蛍光体層を形成することを特徴とする放
射線画像変換パネルの製造方法にあり、この構成により
前記目的を達成する。

次に本発明を詳細に説明する。

第１図（ａ）は本発明の実施に用いられる蒸着装置の１
例であり、蒸発源体の加熱を抵抗加熱法で行う場合の装
置の概略図である。図において１はベルジャー（真空
槽）、２は輝尽性蛍光体を蒸着すべき支持体、３は蒸着
膜厚をコントロールするためのシャッター、４及び５は
支持体への蒸着速度をコントロールするための膜厚検出
計、６及び７は抵抗加熱器（坩堝、ボート等）、６′及
び７′蒸発源体である。また12は遮蔽板でありこれは蒸
着量をコントロールする際に４及び５の膜厚検出計にそ
れぞれコントロールしようとする蒸発物のみが入射する
ように必要に応じて図に示すように設けられる。13はメ
インバルブ、14は補助バルブ、15はリークバルブであっ
て排気装置（図示せず）と連動してベルジャー１内の所
定真空度の現出、その保持、調整に用いられる。また第
１図（ａ）は抵抗加熱器が２つの場合の装置図を例とし
てあげたが蒸気圧毎の蒸発源体の数によってその数に対
応した複数の抵抗加熱器及び膜厚検出計を用いて共蒸着
すなわち、各蒸発源体毎に蒸発条件を与え蒸着物の成分
相互濃度を所定組成濃度とする蒸着が行われる。

本発明において前記蒸着装置を用いるに当たって、まず
蒸発源体である輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料
を抵抗加熱器６及び７に仕込む。この際脱ガス処理を行
うことが好ましい。

次に支持体２を蒸発源体に対向させて設置する。その間
隔は蒸発源体の平均飛程に合わせて概ね10〜40cmにとら
れる。次いでメインバルブ13等を操作してベルジャー１
の内部の気体を排除し10^-4〜10^-6Torr程度の真空度とす
る。次いで蒸発源体を抵抗加熱器により加熱蒸発させ、
シャッター３を開いて蒸着を開始する。膜厚検出計４及
び５によって蒸着速度、蒸着厚みをコントロールしなが
ら蒸着を進め、所定の厚みになったらシャッター３を閉
じて蒸着を停止する。本発明における蒸着速度は用いら
れる輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料の種類や蒸
着膜の目的特性によって異なるけれども10²〜10⁷Å/mi
n.であり、より好ましくは10³〜10⁶Å/min.である。10²
Å/min.より遅い場合には輝尽性蛍光体層の製造に時間
がかかりすぎるため好ましくないし、10⁷Å/min.より速
い場合には速度のコントロールが困難となり好ましくな
い。また第１図（ｂ）には蒸発源体の加熱をエレクトロ
ンビーム法で行う場合の装置図を示した。該装置におい
ては同図（ａ）の６及び７に相当するものが同図（ｂ）
においては８及び９の坩堝と10及び11のエレクトロンビ
ームガンに分離して構成されておりそれ以外の機構は同
じであり、蒸発源体８′及び９′の加熱をエレクトロン
ビームを用いて行うこと以外は前記と同様に蒸着が行わ
れる。

さらに第１図（ａ）あるいは（ｂ）を用いた前記蒸着法
においては蒸着時、必要に応じて被蒸着物（支持体ある
いは保護層）を冷却あるいは加熱してもよい。

加熱温度としては被蒸着物（支持体）及び輝尽性蛍光体
層の種類などにもよるが、室温〜600℃の範囲から選ば
れるのが好ましく、50℃〜400℃の範囲から選ばれるの
がより好ましい。

なお被蒸着物を加熱して蒸着した際の蒸着後の処理につ
いては、真空度を保ったまま冷却してもよいし、あるい
はN₂，不活性ガスなどを冷却媒体として装置内に導入し
急冷してもよい。

また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよ
い。

また前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を
形成することも可能である。

蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層に支持体
側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明によ
る放射線画像変換パネルが製造される。尚、保護層上に
輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順をと
ってもよい。

本発明に係る放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光
体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射線が放射さ
れた後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的等
の刺激（輝尽励起）により、際しの光もしくは高エネル
ギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を
言うが、実用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽励
起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発明に係
る放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体は、
タリウム付活ハロゲン化ルビジウムである。この輝尽性
蛍光体は、一価のアルカリ金属であるルビジウム、F,C
l,Brから選ばれるハロゲン及びタリウムを含有する。

本発明に係る放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光
体の少なくとも１種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝
尽性蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群であってもよ
い。また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性
蛍光体は同一であってもよいが異なっていてもよい。

本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の
層厚は放射線画像変換パネルの放射線に対する感度、輝
尽性蛍光体の種類等によって異なるが、10μｍ〜1000μ
ｍの範囲から選ばれるのが好ましく、20μｍ〜800μｍ
の範囲から選ばれるのがより好ましい。

第２図は本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍
光体の層厚および該層厚に対する輝尽性蛍光体の附着量
と放射線感度の関係を表している。本発明に係る放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は従来のパネルの様に
結着剤を含んでいないので輝尽性蛍光体の附着量（充填
率）が従来の放射線画像変換パネルの約２倍あり、輝尽
性蛍光体層単位厚さ当たりの放射線吸収率が向上し従来
の放射線画像変換パネルより放射線に対して高感度とな
るばかりか、画像の粒状性が向上する。

また、本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光
体層は結着剤を含有していないので、輝尽励起光及び輝
尽発光の指向性に優れており、輝尽励起光および輝尽発
光の透過性が高く、従来の放射線画像変換パネルより層
厚を厚くすることが可能である。

さらに、本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍
光体層は前述のように輝尽励起光及び輝尽発光の指向性
に優れているため、輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での
散乱が減少し、画像の鮮鋭性が著しく向上する。

本発明に係る放射線画像変換パネルにおいて用いられる
支持体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用い
られ、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフ
ィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリア
ミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフ
ィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプラスチックフ
ィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート
或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ま
しい。

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍
光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても
よいし、反射層あるいは吸収層を設けてもよい。

また、支持体の表面は第３図（ａ）に示すような凹凸面
31としてもよいし、（ｂ）に示すように隔絶されたタイ
ル状板33を敷きつめた構造でもよい。第３図（ａ）の場
合には輝尽性蛍光体層が第３図（ｃ）の断面図に示すよ
うに凹凸面によって細分化されるので画像の鮮鋭性が一
段と向上する。第３図（ｂ）の場合には輝尽性蛍光体層
が支持体のタイル状板33の輪郭を維持しながら維持する
ので、結果的には輝尽性蛍光体層は第３図（ｄ）の断面
図に示すように亀裂36によって隔絶された輝尽性蛍光体
の柱状ブロック35から成るため、画像の鮮鋭性が一段と
向上する。

さらにこれら支持体は、輝尽性蛍光体層との接着性を向
上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下引層
を設けてもよい。また、これら支持体の層厚は用いる支
持体の材質等によって異なるが、一般的には80μｍ〜20
00μｍであり、取扱い上の点からさらに好ましくは80μ
ｍ〜1000μｍである。

本発明に係る放射線画像変換パネルにおいては、一般的
に前記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層
を物理的にあるいは化学的に保護するための保護層が設
けられてもよい。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽
性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あるい
はあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に
接着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロー
ス、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等の通常
の保護層用材料が用いられる。また、この保護層は蒸着
法、スパッタ法等により、Sic,SiO₂,SiN,Al₂O₃などの無
機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層
厚は一般には0.1μｍ〜100μｍ程度が好ましい。

尚、本発明にかかわる輝尽性蛍光体は、本発明の効果を
妨げない範囲であれば、他の金属を含有してもよい。

本発明に係る放射線画像変換パネルは第４図に概略的に
示される放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた
鮮鋭性、粒状性および感度を与える。すなわち、第４図
において、41は放射線発生装置、42は被写体、43は本発
明の放射線画像変換パネル、44は輝尽励起光源、45は該
放射線画像変換パネルより放射された輝尽蛍光を検出す
る光電変換装置、46は45で検出された信号を画像として
再生する装置、47は再生された画像を表示する装置、48
は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを透
過させるフィルターである。尚45以降は43からの光情報
を何らかの形で画像として再生できるものであればよ
く、上記に限定されるものではない。

第４図に示されるように、放射線発生装置41からの放射
線は被写体42を通して本発明の放射線画像変換パネル43
に入射する。この入射した放射線は放射線画像変換パネ
ル43の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギーが蓄
積され、放射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの
蓄積像を輝尽励起光源44からの輝尽励起光で励起して輝
尽発光として放出せしめる。放射線画像変換パネル43
は、輝尽性蛍光体層中に結着剤が含まれておらず輝尽性
蛍光体層の透明性が高いため上記輝尽励起光による走査
の際に、輝尽励起光が輝尽性蛍光体層中で拡散するのが
抑制される。

放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置45で光電変換し、画像再生装置46によ
って画像として再生し、画像表示装置47によって表示す
ることにより、被写体の放射線透過像を観察することが
できる。

（実施例） 次に本発明を実施例によって説明する。

実施例１ 支持体として1000μｍ厚の石英ガラスを蒸着器中に設置
した。次に、抵抗加熱用のモリブデンボートに目的とす
るアルカリハライド輝尽性蛍光体（RbBr:0.0006Tl）の
原料であるRbBrを入れ、もう一方のタンタルボートには
TlBrを入れ抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着器を
排気して２×10^-6Torrの真空度とした。次に、モリブデ
ン、タンタルそれぞれのボートに電流を流し抵抗加熱法
によってRbBr,TlBrを蒸発させた。目的とする輝尽性蛍
光体層を得るために各々の膜厚検出計によりRbBr,TlBr
の蒸着速度を検出し、それぞれの蒸着速度コントローラ
ーにフィードバックすることによって、RbBrの蒸着速度
を1800Å/S、TlBrの蒸着速度を2.4Å/Sとなるようコン
トロールしながら前記支持体上に層厚が300μｍの厚さ
になるまで堆積させて本発明の製造方法による放射線画
像変換パネルＡを得た。

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルＡに管電圧80KVpのＸ線を10mR照射した後、He-Neレ
ーザ光（633nm）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放
射される輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光電変
換し、この信号を画像再生装置によって画像として再生
し、銀塩フィルム上に記録した。信号の大きさより、放
射線画像変換パネルＡのＸ線に対する感度を調べ第１表
に示す。

第１表において、Ｘ線に対する感度は本発明による放射
線画像変換パネルＡを100として相対値で示してある。

実施例２ 蒸発源の加熱蒸発法として抵抗加熱法のかわりに２基の
エレクトロンビームガンを用いて加熱蒸発させること以
外は実施例１と同様にして本発明による放射線画像変換
パネルＢを得た。

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルＢは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表
に併記する。

比較例１ 支持体として1000μｍ厚の石英ガラスを蒸着器中に設置
した。次に抵抗加熱用のモリブデンボート中にアルカリ
ハライド輝尽性蛍光体（RbBr:0.0006Tl）を入れ、抵抗
加熱用電極にセットし、続いて蒸着器を排気して２×10
^-6Torrの真空度とした。

次にモリブデンボートに電流を流し、抵抗加熱法によっ
てアルカリハライド輝尽性蛍光体を蒸発させ膜厚検出計
により蒸着速度を検出し蒸着速度コントローラーにフィ
ートバックすることによって蒸着速度を1800Å/Sとなる
ようコントロールしながら前記支持体上に層厚が300μ
ｍの厚さになるまで堆積させて比較の製造方法による放
射線画像変換パネルＰを得た。

このようにして得られた比較による放射線画像変換パネ
ルＰは実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。

比較例２ 比較例１において、アルカリハライド輝尽性蛍光体原料
（RbBr1モル、TlBr0.0006モルの混合物）を蒸発源とし
て用いること以外は比較例１と同様にして比較による放
射線画像変換パネルＱを得た。

このようにして得られた比較による放射線画像変換パネ
ルＱは実施例１と同様にして評価し結果を第１表に併記
する。

第１表より明らかなように本発明の製造方法による放射
線画像変換パネルA,Bは比較の製造方法による放射線画
像変換パネルＰに比べて粒状性、鮮鋭性は同等ながらＸ
線感度は約３倍高いものとなった。これは輝尽性蛍光体
層の形成時において付活剤であるTlBrの蒸気圧がRbBrの
蒸気圧と大きく異なるために、比較例においては形成さ
れた輝尽性蛍光体層に目的とする濃度のTlがドープされ
なかったのに対し、実施例においては蒸着時にRbBr,TlB
r各成分の蒸着速度をコントロールしたことにより、目
的とする付活剤濃度の輝尽性蛍光体層が得られたためで
ある。

実施例３ 支持体として1000μｍ厚の石英ガラスを蒸着器中にセッ
トした。抵抗加熱用のモリブデン及びタンタルのボート
を用意し、目的とするアルカリハライド輝尽性蛍光体
（0.9RbBr・0.1CsF:0.001Tl）の原料であるRbBr,CsFは
それぞれモリブデンボートに、TlBrはタンタルボートに
別々に入れてそれぞれを抵抗加熱電極にセットし、続い
て蒸着器を排気して２×10^-6Torrの真空度とした。

次に、それぞれのボートに電流を流し抵抗加熱法によっ
てRbBr,CsF,TlBrを蒸発させた。目的とする輝尽性蛍光
体層を得るために各々の膜厚検出計によりRbBr,CsF,TlB
rの蒸着速度を検出し、それぞれの蒸着速度コントロー
ラーにフィートバックすることによって、RbBrの蒸着速
度を1600Å/S、CsFの蒸着速度を240Å/S TlBrの蒸着速
度を４Å/Sとなるようコントロールしながら前記支持体
上に層厚が300μｍの厚さになるまで堆積させて本発明
による放射線画像変換パネルＣを得た。

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルＣは実施例１と同様にして評価し結果を第２表に示
す。第２表においてＸ線に対する感度は本発明による放
射線画像変換パネルＣを100として相対値で示してあ
る。

比較例３ 比較例１において蒸着する輝尽性蛍光体として0.9RbBr
・0.1CsF:0.001Tlを用いること以外は比較例１と同様に
して比較による放射線画像変換パネルＲを得た。

このようにして得られた比較による放射線画像変換パネ
ルＲは実施例１と同様にして評価し結果を第２表に併記
する。

第２表より明らかなように、本発明による放射線画像変
換パネルＣは、共蒸着により形成される輝尽性蛍光体層
のRbBr,CsF,Tl各成分の蒸着速度をコントロールしたこ
とにより目的とする組成、付活剤濃度の輝尽性蛍光体層
が得られた結果、比較によるパネルＲに比べて粒状性、
鮮鋭性は同等ながらＸ線感度は2.5倍高くなった。

（発明の効果） 以上述べてきたように、本発明によれば蒸着法による所
望とする輝尽性蛍光体層を得る際に、その成分の中に蒸
気圧が他と異なるものが含まれていても、所望する組
成、付活剤濃度の輝尽性蛍光体層が得られるために、粒
状性、鮮鋭性の低下を招くことなく放射線に対する感度
を向上させることが可能である。

本発明は、その効果が極めて大きく、工業的に有用であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いる蒸着装置例の断面概略図であ
る。 第２図は本発明で得られる放射線画像変換パネルの感度
特性を示す。 第３図（ａ），（ｂ）は本発明に用いられる支持体の一
例であり、（ｃ），（ｄ）は前記支持体上に輝尽性蛍光
体層を設けた本発明の製造方法による放射線画像変換パ
ネルの断面図の一例である。 第４図は放射線画像変換方法を説明する図である。 第５図は輝尽性蛍光体（RbBr:Tl）における瞬時発光及
び輝尽発光強度のTl濃度依存性を示す図である。 １……ベルジャー ２……支持体 ３……シャッター 4,5……膜厚検出計 6,7……抵抗加熱器 ６′,7′,8′,9′……蒸発源体 8,9……坩堝 10,11……エレクトロンビームガン 12……遮蔽板 13……メインバルブ 14……補助バルブ 15……リークバルブ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島田 文生 東京都日野市さくら町１番地 小西六写真 工業株式会社内 審査官 田村 爾 (56)参考文献 特開 昭62−75400（ＪＰ，Ａ) 特公 昭52−20818（ＪＰ，Ｂ１)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】支持体上に輝尽性蛍光体層、または更に輝
   尽性蛍光体層上に保護層を有して、画像情報を担持した
   放射線が入射されると前記輝尽性蛍光体層に画像情報を
   蓄積記録し、次いで輝尽励起光が入射されると蓄積画像
   情報を担持した輝尽発光を放出する放射線画像変換パネ
   ルの製造方法において、 蒸着装置の真空槽内に前記支持体または保護層の被蒸着
   体と輝尽性蛍光体の組成成分を蒸気圧の相違で複数の蒸
   発源体に分けて遮蔽板で隔てた各蒸発源体とを所定の間
   隔となるように対向させて配置した後、前記真空槽内を
   所定の真空度とし、前記各蒸発源体を加熱して蒸発さ
   せ、各蒸発源体の蒸発速度を制御して前記被蒸着体上に
   タリウム付活ハロゲン化ルビジウム輝尽性蛍光体を蒸着
   し、前記輝尽性蛍光体層を形成することを特徴とする放
   射線画像変換パネルの製造方法。