JPH07192244A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH07192244A JPH07192244A JP13785392A JP13785392A JPH07192244A JP H07192244 A JPH07192244 A JP H07192244A JP 13785392 A JP13785392 A JP 13785392A JP 13785392 A JP13785392 A JP 13785392A JP H07192244 A JPH07192244 A JP H07192244A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 Ｃｏ−Ｃｒ合金膜３を磁性層とする垂直磁気
記録媒体において、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜３の下地膜として
白金膜２を設ける。上記白金膜２は例えばスパッタリン
グ法によって成膜される。 【効果】 良好な垂直磁化特性が得られるとともに磁気
特性が安定であり、しかも量産性に優れた垂直磁気記録
媒体を得ることができる。
記録媒体において、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜３の下地膜として
白金膜２を設ける。上記白金膜２は例えばスパッタリン
グ法によって成膜される。 【効果】 良好な垂直磁化特性が得られるとともに磁気
特性が安定であり、しかも量産性に優れた垂直磁気記録
媒体を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｃｏ−Ｃｒ系合金を磁
性層とする垂直磁気記録媒体に関する。
性層とする垂直磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録分野では、更なる高密度
記録化が進められており、記録方式においても面内に磁
化容易軸を持った磁気記録媒体を用いる面内磁気記録方
式から、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する磁
気記録媒体を用いる垂直磁気記録方式へ移行しつつあ
る。
記録化が進められており、記録方式においても面内に磁
化容易軸を持った磁気記録媒体を用いる面内磁気記録方
式から、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する磁
気記録媒体を用いる垂直磁気記録方式へ移行しつつあ
る。
【０００３】すなわち、面内磁気記録媒体では、高密度
記録化に伴って反磁界が大きくなるため、高密度記録化
に限界があるのに対して、垂直磁気記録媒体は、高密度
記録化すると却って磁気記録媒体の反磁界が小さくなっ
て磁化が安定化するという特徴を有し、このような垂直
磁気記録媒体を使用することで記録密度を飛躍的に増大
させることが可能となる。
記録化に伴って反磁界が大きくなるため、高密度記録化
に限界があるのに対して、垂直磁気記録媒体は、高密度
記録化すると却って磁気記録媒体の反磁界が小さくなっ
て磁化が安定化するという特徴を有し、このような垂直
磁気記録媒体を使用することで記録密度を飛躍的に増大
させることが可能となる。
【０００４】上記垂直磁気記録媒体の磁性層としては、
ｈｃｐ構造を有するＣｏ基合金をその磁化容易軸である
Ｃ軸が膜面に対して垂直となるように配向させた合金薄
膜が使用されており、例えばＣｏ−Ｃｒ合金薄膜が一般
的である。
ｈｃｐ構造を有するＣｏ基合金をその磁化容易軸である
Ｃ軸が膜面に対して垂直となるように配向させた合金薄
膜が使用されており、例えばＣｏ−Ｃｒ合金薄膜が一般
的である。
【０００５】ところで、上述のような合金薄膜を使用す
る垂直磁気記録媒体においては、合金薄膜の結晶性・配
向性が良好であることが重要であり、合金薄膜は結晶性
・配向性を向上させることにより、膜厚方向の反磁界に
打ち勝つのに十分な垂直磁気異方性磁界を示すようにな
る。
る垂直磁気記録媒体においては、合金薄膜の結晶性・配
向性が良好であることが重要であり、合金薄膜は結晶性
・配向性を向上させることにより、膜厚方向の反磁界に
打ち勝つのに十分な垂直磁気異方性磁界を示すようにな
る。
【０００６】ここで、非磁性支持体上に直接合金薄膜を
形成すると、合金薄膜の微細構造が支持体材料によって
悪影響を受け、結晶性・配向性が劣化する。このため、
上記垂直磁気記録媒体では、非磁性支持体上に下地膜を
設け、この下地膜上に合金薄膜を形成することが行われ
ている。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜を磁性層とする場
合には、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜と同様にｈｃｐ構造を有する
Ｔｉ膜が下地膜として設けられる。
形成すると、合金薄膜の微細構造が支持体材料によって
悪影響を受け、結晶性・配向性が劣化する。このため、
上記垂直磁気記録媒体では、非磁性支持体上に下地膜を
設け、この下地膜上に合金薄膜を形成することが行われ
ている。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜を磁性層とする場
合には、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜と同様にｈｃｐ構造を有する
Ｔｉ膜が下地膜として設けられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、Ｃｏ−Ｃｒ
合金薄膜の下地膜としてＴｉ膜を設けた場合、Ｃｏ−Ｃ
ｒ合金薄膜は、膜組織変化によって垂直保磁力は向上す
るものの結晶性，配向性はほとんど向上しない。垂直磁
気記録媒体においては、保磁力が適正であることも求め
られるが、合金薄膜の結晶性・配向性が良好であること
が重要である。特に高密度記録領域の特性は、合金薄膜
の結晶性・配向性に大きく依存する。
合金薄膜の下地膜としてＴｉ膜を設けた場合、Ｃｏ−Ｃ
ｒ合金薄膜は、膜組織変化によって垂直保磁力は向上す
るものの結晶性，配向性はほとんど向上しない。垂直磁
気記録媒体においては、保磁力が適正であることも求め
られるが、合金薄膜の結晶性・配向性が良好であること
が重要である。特に高密度記録領域の特性は、合金薄膜
の結晶性・配向性に大きく依存する。
【０００８】また、Ｔｉ膜は、通常スパッタリングによ
って成膜されるが、Ｔｉが化学的に高活性であり、スパ
ッタリングに際して真空槽中の残留ガスと容易に結合す
るため、微細構造が変化し易い。このため、Ｔｉ膜を下
地膜とした場合には、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の磁気特性が不
安定なものとなる。さらに、Ｔｉ下地膜は、Ｔｉがスパ
ッタ率が低いため、成膜に時間がかかり、量産化を図る
上でも障害となる。
って成膜されるが、Ｔｉが化学的に高活性であり、スパ
ッタリングに際して真空槽中の残留ガスと容易に結合す
るため、微細構造が変化し易い。このため、Ｔｉ膜を下
地膜とした場合には、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の磁気特性が不
安定なものとなる。さらに、Ｔｉ下地膜は、Ｔｉがスパ
ッタ率が低いため、成膜に時間がかかり、量産化を図る
上でも障害となる。
【０００９】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、高密度記録領域での記録
再生特性に優れるとともに安定な磁気特性を示し、量産
性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
鑑みて提案されたものであり、高密度記録領域での記録
再生特性に優れるとともに安定な磁気特性を示し、量産
性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、Ｃｏ−Ｃｒ
合金膜の下地膜としては、ｈｃｐ構造であるというよ
り、むしろ配向方向の格子面がＣｏ−Ｃｒ合金膜の（０
００２）格子面に対してミスフィットが少ないことが重
要であるとの考えに至った。この考えに基づいて配向方
向の格子面がＣｏ−Ｃｒ合金膜の（０００２）格子面に
対してミスフィットが少ないＰｔ膜〔ｆｃｃ構造，（１
１１）配向〕を下地膜として形成したところ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ合金膜の結晶性・配向性が向上し、高密度領域での記
録再生特性が優れたものとなった。
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、Ｃｏ−Ｃｒ
合金膜の下地膜としては、ｈｃｐ構造であるというよ
り、むしろ配向方向の格子面がＣｏ−Ｃｒ合金膜の（０
００２）格子面に対してミスフィットが少ないことが重
要であるとの考えに至った。この考えに基づいて配向方
向の格子面がＣｏ−Ｃｒ合金膜の（０００２）格子面に
対してミスフィットが少ないＰｔ膜〔ｆｃｃ構造，（１
１１）配向〕を下地膜として形成したところ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ合金膜の結晶性・配向性が向上し、高密度領域での記
録再生特性が優れたものとなった。
【００１１】本発明は、前記知見に基づいて完成された
ものであって、非磁性支持体上に下地膜、Ｃｏ及びＣｒ
を主成分とする合金膜を積層してなる垂直磁気記録媒体
において、上記下地膜が白金膜であることを特徴とする
ものである。また、上記白金膜の厚さが１００Å以上で
あることを特徴とするものである。さらに、本発明の製
造方法は、非磁性支持体上に白金膜、Ｃｏ及びＣｒを主
成分とする合金膜を成膜して垂直磁気記録媒体を製造す
るに際し、上記白金膜をスパッタリングによって成膜す
ることを特徴とするものである。
ものであって、非磁性支持体上に下地膜、Ｃｏ及びＣｒ
を主成分とする合金膜を積層してなる垂直磁気記録媒体
において、上記下地膜が白金膜であることを特徴とする
ものである。また、上記白金膜の厚さが１００Å以上で
あることを特徴とするものである。さらに、本発明の製
造方法は、非磁性支持体上に白金膜、Ｃｏ及びＣｒを主
成分とする合金膜を成膜して垂直磁気記録媒体を製造す
るに際し、上記白金膜をスパッタリングによって成膜す
ることを特徴とするものである。
【００１２】本発明の垂直磁気記録媒体は、図１に示す
ように、非磁性支持体１上に白金下地膜２，Ｃｏ−Ｃｒ
系合金膜３が形成されてなるものである。上記Ｃｏ−Ｃ
ｒ系合金膜３は、Ｃｏ及びＣｒを主体とする合金をスパ
ッタリング等により成膜してなるものであり、上記合金
としては例えばＣｏx Ｃｒy Ｍz（但し、ＭはＴａ，
Ｗ，Ｒｅ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖであり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
原子％）で表される合金が使用され、特にＣｏx Ｃｒy
Ｔａz 合金は保磁力が大きく適している。
ように、非磁性支持体１上に白金下地膜２，Ｃｏ−Ｃｒ
系合金膜３が形成されてなるものである。上記Ｃｏ−Ｃ
ｒ系合金膜３は、Ｃｏ及びＣｒを主体とする合金をスパ
ッタリング等により成膜してなるものであり、上記合金
としては例えばＣｏx Ｃｒy Ｍz（但し、ＭはＴａ，
Ｗ，Ｒｅ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖであり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
原子％）で表される合金が使用され、特にＣｏx Ｃｒy
Ｔａz 合金は保磁力が大きく適している。
【００１３】Ｃｏx Ｃｒy Ｍz において、Ｃｏの組成比
ｘ（原子％）は７５≦ｘ≦８５であることが好ましい。
Ｃｏの組成比ｘが７５原子％よりも小さい場合には、磁
性が小さく、磁性層としての機能が不足し、ｘが８５原
子％よりも大きい場合には、垂直磁気記録方式に適さな
いものとなる。また、Ｍの組成比ｚ（原子％）は０≦ｚ
＜５であることが好ましい。Ｍの組成比ｚが５原子％を
越える場合には垂直磁気異方性の劣化、磁化の低下が生
じ、やはり磁性層として不十分なものとなる。
ｘ（原子％）は７５≦ｘ≦８５であることが好ましい。
Ｃｏの組成比ｘが７５原子％よりも小さい場合には、磁
性が小さく、磁性層としての機能が不足し、ｘが８５原
子％よりも大きい場合には、垂直磁気記録方式に適さな
いものとなる。また、Ｍの組成比ｚ（原子％）は０≦ｚ
＜５であることが好ましい。Ｍの組成比ｚが５原子％を
越える場合には垂直磁気異方性の劣化、磁化の低下が生
じ、やはり磁性層として不十分なものとなる。
【００１４】本発明では、このようなＣｏ−Ｃｒ系合金
膜３の下地膜として白金膜２を設ける。Ｃｏ−Ｃｒ系合
金膜３は、下地膜として白金膜２が設けられることによ
って結晶性・配向性が向上し、垂直磁気異方性磁界が大
なるものとなる。
膜３の下地膜として白金膜２を設ける。Ｃｏ−Ｃｒ系合
金膜３は、下地膜として白金膜２が設けられることによ
って結晶性・配向性が向上し、垂直磁気異方性磁界が大
なるものとなる。
【００１５】上記白金膜２の層厚は１００Å以上とする
ことが好ましい。白金膜２の層厚が１００Å未満の場合
には、白金膜の効果が十分に発揮されず、基板の影響に
よってＣｏ−Ｃｒ系合金膜の微細構造が劣化する虞れが
ある。
ことが好ましい。白金膜２の層厚が１００Å未満の場合
には、白金膜の効果が十分に発揮されず、基板の影響に
よってＣｏ−Ｃｒ系合金膜の微細構造が劣化する虞れが
ある。
【００１６】なお、以上が本発明の基本的な構成である
が、本発明は、磁性層が軟磁性膜とＣｏ−Ｃｒ系合金膜
の２層よりなる垂直磁気記録媒体に適用してもよい。こ
の場合、白金膜は、軟磁性膜とＣｏ−Ｃｒ合金膜の間に
設けられ、非磁性支持体、軟磁性膜、白金膜、Ｃｏ−Ｃ
ｒ合金膜が順次積層された構成とされる。
が、本発明は、磁性層が軟磁性膜とＣｏ−Ｃｒ系合金膜
の２層よりなる垂直磁気記録媒体に適用してもよい。こ
の場合、白金膜は、軟磁性膜とＣｏ−Ｃｒ合金膜の間に
設けられ、非磁性支持体、軟磁性膜、白金膜、Ｃｏ−Ｃ
ｒ合金膜が順次積層された構成とされる。
【００１７】
【作用】Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜を磁性層とする垂直磁気記
録媒体において、Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の下地膜として白
金膜を設けると、Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の結晶性・配向性
が向上し、垂直磁化特性が良好なものとなる。白金膜が
ｆｃｃ構造であるにもかかわらずｈｃｐ構造のＣｏ−Ｃ
ｒ系合金膜の結晶性・配向性を改善できるのは、ｆｃｃ
構造の白金膜の（１１１）格子面とｈｃｐ構造のＣｏ−
Ｃｒ合金膜の（０００２）格子面のミスフィットが小さ
いからと考えられる。
録媒体において、Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の下地膜として白
金膜を設けると、Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の結晶性・配向性
が向上し、垂直磁化特性が良好なものとなる。白金膜が
ｆｃｃ構造であるにもかかわらずｈｃｐ構造のＣｏ−Ｃ
ｒ系合金膜の結晶性・配向性を改善できるのは、ｆｃｃ
構造の白金膜の（１１１）格子面とｈｃｐ構造のＣｏ−
Ｃｒ合金膜の（０００２）格子面のミスフィットが小さ
いからと考えられる。
【００１８】さらに、白金膜は有機材料系支持体からの
放出ガスを遮断する効果が高く、このこともＣｏ−Ｃｒ
系合金膜の結晶性，配向性の向上に大きく寄与する。
放出ガスを遮断する効果が高く、このこともＣｏ−Ｃｒ
系合金膜の結晶性，配向性の向上に大きく寄与する。
【００１９】また、白金膜は、Ｐｔが化学的に安定であ
るため、スパッタリングによって成膜するに際して、真
空槽中の残留ガスによって影響を受け難く、安定な構造
で成膜される。したがって、白金膜を下地膜とすること
により、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の磁気特性も安定化する。し
かも、白金膜は、Ｐｔのスパッタ率が比較的高いため、
成膜にそれほど時間を要さず、垂直磁気記録媒体の量産
化を図る上でも有利である。
るため、スパッタリングによって成膜するに際して、真
空槽中の残留ガスによって影響を受け難く、安定な構造
で成膜される。したがって、白金膜を下地膜とすること
により、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の磁気特性も安定化する。し
かも、白金膜は、Ｐｔのスパッタ率が比較的高いため、
成膜にそれほど時間を要さず、垂直磁気記録媒体の量産
化を図る上でも有利である。
【００２０】
【実施例】本発明の好適な実施例について実験結果に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００２１】Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の結晶性・配向性の検討 スライドガラス上に、膜厚３０ｎｍの下地膜、膜厚１０
ｎｍのＣｏ−Ｃｒ合金膜を順次成膜してサンプル合金膜
を作製した。なお、サンプル合金膜としては、下地膜が
Ｐｔ膜のもの（サンプル合金膜１）、下地膜がＰｔと同
様にｆｃｃ構造を有するＡｕ膜のもの（サンプル合金膜
２）および下地膜がＣｏ−Ｃｒ合金膜と同様にｈｃｐ構
造を有するＴｉ膜のもの（サンプル合金膜３）の３種類
を作製した。
ｎｍのＣｏ−Ｃｒ合金膜を順次成膜してサンプル合金膜
を作製した。なお、サンプル合金膜としては、下地膜が
Ｐｔ膜のもの（サンプル合金膜１）、下地膜がＰｔと同
様にｆｃｃ構造を有するＡｕ膜のもの（サンプル合金膜
２）および下地膜がＣｏ−Ｃｒ合金膜と同様にｈｃｐ構
造を有するＴｉ膜のもの（サンプル合金膜３）の３種類
を作製した。
【００２２】また、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の成膜条件は以下
の通りである。 Ｃｏ−Ｃｒ合金膜成膜条件 成膜法：高周波マグネトロンスパッタ法 ターゲット：Ｃｏ79Ｃｒ21合金ターゲット 投入電力：３００Ｗ 到達真空度：３×１０-3Ｐａ スパッタガス圧：０．８Ｐａ 基板温度：室温（水冷基板ホルダ使用）
の通りである。 Ｃｏ−Ｃｒ合金膜成膜条件 成膜法：高周波マグネトロンスパッタ法 ターゲット：Ｃｏ79Ｃｒ21合金ターゲット 投入電力：３００Ｗ 到達真空度：３×１０-3Ｐａ スパッタガス圧：０．８Ｐａ 基板温度：室温（水冷基板ホルダ使用）
【００２３】そして、このようにして作製した各サンプ
ル合金膜について、Ｘ線回折（Ｃｕ：Ｋα）パターンを
調べることによって結晶性・配向性を評価した。
ル合金膜について、Ｘ線回折（Ｃｕ：Ｋα）パターンを
調べることによって結晶性・配向性を評価した。
【００２４】各サンプル合金膜のＸ線回折パターンを図
２〜図４に、またＸ線回折パターンから求めた下地膜の
配向性、（０００２）ピークの強度および半値幅Δθ50
を表１に示す。
２〜図４に、またＸ線回折パターンから求めた下地膜の
配向性、（０００２）ピークの強度および半値幅Δθ50
を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】まず、図２に示すサンプル合金膜１のＸ線
回折パターンを見ると、サンプル合金膜１においては、
ｆｃｃ構造のＰｔ膜からは（１１１）および（２２２）
ピークのみが観測され、Ｐｔ膜が（１１１）に強く配向
していることがわかる。一方、ｈｃｐ構造のＣｏ−Ｃｒ
合金膜からは、（０００２）ピークが観測される。この
Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の（０００２）ピークは、表１に示す
ように、強度が大きく、半値幅Δθ50が狭い。このこと
は、サンプル合金膜１のＣｏ−Ｃｒ合金膜が結晶性・配
向性に優れていることを示している。
回折パターンを見ると、サンプル合金膜１においては、
ｆｃｃ構造のＰｔ膜からは（１１１）および（２２２）
ピークのみが観測され、Ｐｔ膜が（１１１）に強く配向
していることがわかる。一方、ｈｃｐ構造のＣｏ−Ｃｒ
合金膜からは、（０００２）ピークが観測される。この
Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の（０００２）ピークは、表１に示す
ように、強度が大きく、半値幅Δθ50が狭い。このこと
は、サンプル合金膜１のＣｏ−Ｃｒ合金膜が結晶性・配
向性に優れていることを示している。
【００２７】図３に示すサンプル合金膜２のＸ線回折パ
ターンを見ると、Ａｕ膜からは、（１１１）ピークとと
もに弱い（１１３）ピークが観測され、Ａｕ膜はＰｔ膜
のような強い（１１１）配向を示さないことがわかる。
一方、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜から観測される（０００２）ピ
ークは、表１に示すように、回折強度が弱く、Δθ50も
大きい。このことは、サンプル合金膜２のＣｏ−Ｃｒ合
金膜は結晶性・配向性がサンプル合金膜１のＣｏ−Ｃｒ
合金膜よりも低いことを示している。
ターンを見ると、Ａｕ膜からは、（１１１）ピークとと
もに弱い（１１３）ピークが観測され、Ａｕ膜はＰｔ膜
のような強い（１１１）配向を示さないことがわかる。
一方、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜から観測される（０００２）ピ
ークは、表１に示すように、回折強度が弱く、Δθ50も
大きい。このことは、サンプル合金膜２のＣｏ−Ｃｒ合
金膜は結晶性・配向性がサンプル合金膜１のＣｏ−Ｃｒ
合金膜よりも低いことを示している。
【００２８】図４に示すサンプル合金膜３のＸ線回折パ
ターンを見ると、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜から観測される（０
００２）ピークは、表１に示すように回折強度が小さ
く、Δθ50も大きい。このことから、サンプル合金膜３
のＣｏ−Ｃｒ合金膜は、サンプル合金膜１のＣｏ−Ｃｒ
合金膜よりも結晶性・配向性が低いことがわかる。
ターンを見ると、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜から観測される（０
００２）ピークは、表１に示すように回折強度が小さ
く、Δθ50も大きい。このことから、サンプル合金膜３
のＣｏ−Ｃｒ合金膜は、サンプル合金膜１のＣｏ−Ｃｒ
合金膜よりも結晶性・配向性が低いことがわかる。
【００２９】さらに、Ｐｔ下地膜の（１１１）格子面と
Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の（０００２）格子面、Ａｕ下地膜の
（１１１）格子面とＣｏ−Ｃｒ合金膜の（０００２）格
子面およびＴｉ下地膜の（０００２）格子面とＣｏ−Ｃ
ｒ合金膜の（０００２）格子面のミスフィットを求め
た。なお、図８，図９にｈｃｐ構造の（０００２）格子
面，ｆｃｃ構造の（１１１）格子面の模式図をそれぞれ
示すが、Ｐｔ下地膜の（１１１）格子面とＣｏ−Ｃｒ合
金膜の（０００２）格子面、Ａｕ下地膜の（１１１）格
子面とＣｏ−Ｃｒ合金膜の（０００２）格子面のミスフ
ィットは数１によって求めた。
Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の（０００２）格子面、Ａｕ下地膜の
（１１１）格子面とＣｏ−Ｃｒ合金膜の（０００２）格
子面およびＴｉ下地膜の（０００２）格子面とＣｏ−Ｃ
ｒ合金膜の（０００２）格子面のミスフィットを求め
た。なお、図８，図９にｈｃｐ構造の（０００２）格子
面，ｆｃｃ構造の（１１１）格子面の模式図をそれぞれ
示すが、Ｐｔ下地膜の（１１１）格子面とＣｏ−Ｃｒ合
金膜の（０００２）格子面、Ａｕ下地膜の（１１１）格
子面とＣｏ−Ｃｒ合金膜の（０００２）格子面のミスフ
ィットは数１によって求めた。
【００３０】
【数１】
【００３１】その結果、Ｐｔ下地膜の（１１１）格子面
とＣｏ−Ｃｒ合金膜の（０００２）格子面のミスフィッ
トが１０．７％、Ａｕ下地膜の（１１１）格子面とＣｏ
−Ｃｒ合金膜の（０００２）格子面のミスフィットが１
５．０％、Ｔｉ下地膜の（０００２）格子面とＣｏ−Ｃ
ｒ合金膜の（０００２）格子面のミスフィットは１７．
７％であった。
とＣｏ−Ｃｒ合金膜の（０００２）格子面のミスフィッ
トが１０．７％、Ａｕ下地膜の（１１１）格子面とＣｏ
−Ｃｒ合金膜の（０００２）格子面のミスフィットが１
５．０％、Ｔｉ下地膜の（０００２）格子面とＣｏ−Ｃ
ｒ合金膜の（０００２）格子面のミスフィットは１７．
７％であった。
【００３２】これらの結果から、種々の下地膜の内でＰ
ｔ膜が最もＣｏ−Ｃｒ合金膜の結晶性・配向性を向上さ
せるのに適していることがわかった。
ｔ膜が最もＣｏ−Ｃｒ合金膜の結晶性・配向性を向上さ
せるのに適していることがわかった。
【００３３】Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の磁気特性の検討 次に、Ｐｔ膜を下地膜とするサンプル合金膜について磁
気特性を評価した。
気特性を評価した。
【００３４】まず、スライドガラス上に、膜厚９０ｎｍ
のＰｔ下地膜、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を順次成膜してサンプ
ル合金膜を作製した。なお、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の膜厚
は、１０ｎｍ、２２ｎｍ、８８ｎｍと変化させた。ま
た、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の成膜条件は上述の場合と同様で
ある。そして、作製したサンプル合金膜について、Ｋｅ
ｒｒループトレーサによって垂直磁化曲線を調べた。そ
の結果を図５〜図７に示す。
のＰｔ下地膜、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を順次成膜してサンプ
ル合金膜を作製した。なお、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の膜厚
は、１０ｎｍ、２２ｎｍ、８８ｎｍと変化させた。ま
た、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の成膜条件は上述の場合と同様で
ある。そして、作製したサンプル合金膜について、Ｋｅ
ｒｒループトレーサによって垂直磁化曲線を調べた。そ
の結果を図５〜図７に示す。
【００３５】図５〜図７を見てわかるように、Ｐｔ膜を
下地膜とするサンプル合金膜はいずれも角形性に優れて
いる。
下地膜とするサンプル合金膜はいずれも角形性に優れて
いる。
【００３６】したがって、以上の結果から、Ｃｏ−Ｃｒ
合金膜の下地膜としてＰｔ膜を設けることは、Ｃｏ−Ｃ
ｒ合金膜の結晶性・配向性を向上させ、垂直磁化特性に
優れたものとする上で有効であり、特に、Ｃｏ−Ｃｒ合
金膜が膜厚１０ｎｍ程度の極薄領域においても良好な垂
直磁化特性を示すことから、その効果が絶大であること
がわかった。
合金膜の下地膜としてＰｔ膜を設けることは、Ｃｏ−Ｃ
ｒ合金膜の結晶性・配向性を向上させ、垂直磁化特性に
優れたものとする上で有効であり、特に、Ｃｏ−Ｃｒ合
金膜が膜厚１０ｎｍ程度の極薄領域においても良好な垂
直磁化特性を示すことから、その効果が絶大であること
がわかった。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜を磁性層とする垂直磁気記
録媒体において、Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の下地膜として白
金膜を設けるので、良好な垂直磁化特性が得られるとと
もに磁気特性が安定であり、しかも量産性優れた垂直磁
気記録媒体を得ることができる。
明では、Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜を磁性層とする垂直磁気記
録媒体において、Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の下地膜として白
金膜を設けるので、良好な垂直磁化特性が得られるとと
もに磁気特性が安定であり、しかも量産性優れた垂直磁
気記録媒体を得ることができる。
【００３８】したがって、本発明によれば、垂直磁気記
録媒体の高密度領域における記録再生特性をより良好な
ものとし、さらに実用性を向上させることが可能とな
る。
録媒体の高密度領域における記録再生特性をより良好な
ものとし、さらに実用性を向上させることが可能とな
る。
【図１】本発明を適用した垂直磁気記録媒体の一例を示
す要部概略断面図である。
す要部概略断面図である。
【図２】Ｐｔ膜を下地膜とする垂直磁気記録媒体のＸ線
回折パターンを示す特性図である。
回折パターンを示す特性図である。
【図３】Ａｕ膜を下地膜とする垂直磁気記録媒体のＸ線
回折パターンを示す特性図である。
回折パターンを示す特性図である。
【図４】Ｔｉ膜を下地膜とする垂直磁気記録媒体のＸ線
回折パターンを示す特性図である。
回折パターンを示す特性図である。
【図５】Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の膜厚が１０ｎｍの垂直磁気
記録媒体の垂直磁化曲線である。
記録媒体の垂直磁化曲線である。
【図６】Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の膜厚が２２ｎｍの垂直磁気
記録媒体の垂直磁化曲線である。
記録媒体の垂直磁化曲線である。
【図７】Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の膜厚が８８ｎｍの垂直磁気
記録媒体の垂直磁化曲線である。
記録媒体の垂直磁化曲線である。
【図８】ｈｃｐ構造の（０００２）格子面を示す模式図
である。
である。
【図９】ｆｃｃ構造の（１１１）格子面を示す模式図で
ある。
ある。
１・・・非磁性支持体 ２・・・白金膜 ３・・・Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デズモンド・ジェー・マップス 英国，デボン ピーエル４ ８エイエイ, プリマス，ドレイク サーカス，サウス ウエスト，スクール オブ エレクトロニ ック コミユニケーション アンド エレ クトリカル エンジニアリング ポリテク ニック（番地なし)
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性支持体上に下地膜、Ｃｏ及びＣｒ
を主成分とする合金膜を積層してなる垂直磁気記録媒体
において、 上記下地膜が白金膜であることを特徴とする垂直磁気記
録媒体。 - 【請求項２】 上記白金膜の厚さが１００Å以上である
ことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性支持体上に白金膜、Ｃｏ及びＣｒ
を主成分とする合金膜を成膜して垂直磁気記録媒体を製
造するに際し、 上記白金膜をスパッタリングによって成膜することを特
徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13785392A JPH07192244A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13785392A JPH07192244A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192244A true JPH07192244A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=15208322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13785392A Withdrawn JPH07192244A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07192244A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07244831A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Akita Pref Gov | 磁気記録媒体の製造法 |
| KR100387237B1 (ko) * | 2001-01-10 | 2003-06-12 | 삼성전자주식회사 | 초고밀도기록을 위한 수직 기록용 자성 박막 |
| JP2004063065A (ja) * | 2002-07-27 | 2004-02-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2005353278A (ja) * | 2001-01-03 | 2005-12-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2008276863A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置 |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP13785392A patent/JPH07192244A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07244831A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Akita Pref Gov | 磁気記録媒体の製造法 |
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| KR100387237B1 (ko) * | 2001-01-10 | 2003-06-12 | 삼성전자주식회사 | 초고밀도기록을 위한 수직 기록용 자성 박막 |
| US6777077B2 (en) | 2001-01-10 | 2004-08-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Perpendicular magnetic thin film for ultrahigh density recording |
| JP2004063065A (ja) * | 2002-07-27 | 2004-02-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2008276863A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |