JPH0817032A

JPH0817032A - 磁気記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0817032A
Application number: JP26908294A
Authority: JP
Inventors: Junichi Nakai; 淳一中井; Shigenori Kusumoto; 栄典楠本; Kazuo Yoshikawa; 一男吉川
Original assignee: Kobe Steel Ltd
Current assignee: Kobe Steel Ltd
Priority date: 1994-04-28
Filing date: 1994-11-01
Publication date: 1996-01-19

Abstract

(57)【要約】【目的】高磁束密度、高保磁力および高耐食性等の要
求特性のいずれも兼ね備えた磁気記録媒体を製造するた
めの有用な方法を提供する。【構成】非磁性材料からなる基板上に、非磁性金属下
地層、金属薄膜磁性層および保護潤滑層を順次形成して
なる磁気記録媒体を製造するに当たり、少なくとも前記
金属薄膜磁性層を形成する際に、Ｋｒガスおよび／また
はＸｅガスをスパッタガスとして用いてスパッタ法を適
用して成膜する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンピュターやデータ
プロセッサ等における各種磁気記録用として有用な強磁
性体金属薄膜型磁気記録媒体およびその製造方法に関す
るものであり、殊に高保磁力、高耐食性および低ノイズ
特性を兼ね備えた磁気記録媒体、およびその様な磁気記
録媒体を製造するための有用な方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体
としては、従来から、有機樹脂結合剤と強磁性酸化粉末
からなる混合組成物を、非磁性基板上に塗布して磁性層
を形成したいわゆる塗布型磁気記録媒体が使用されてき
た。しかしながら、近年では、磁気記録媒体の高密度化
への要求から、スパッタリング等の薄膜形成法による強
磁性金属薄膜を磁性層とする強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体へと移行しつつある。そして強磁性金属薄膜の組成
は、磁気的性質、記録再生特性および耐候性等を総合的
に評価して決定されている。こうした観点から、上記強
磁性金属薄膜としては、Ｃｏ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｎｉ系、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系、或はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系等のＣｏ
基合金が一般的に使用され、更にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系等
のＣｏ基合金も提案されている。尚上記の様な強磁性金
属薄膜を磁性層として基板上に形成する場合には、磁性
膜の配向性制御や基板との密着性向上という観点から、
非磁性基板上にＣｒ膜等の金属下地層が形成されると共
に、磁性膜の保護、耐候性や耐摩耗性向上という観点か
ら、磁性層の表面にＣ等の保護潤滑層が形成されるのが
一般である。また上記のような強磁性金属薄膜型磁気記
録媒体の製造にあたっては、Ａｒガスをスパッタリング
ガスとして用いたスパッタリング法が一般に採用されて
いる。

【０００３】ところで、Ｃｏ基合金磁性層の面内方向保
磁力は、結晶粒間の磁気的相互作用の低減、磁性層の結
晶磁気異方性および結晶Ｃ軸の面内配向度の向上等によ
っても増大することが知られている。これらのなかで、
特に結晶粒間の磁気的相互作用低減による高保磁力化を
目的とした磁気記録媒体やその製造方法が提案されてい
る。

【０００４】例えば、特開昭６３−９８８２４号には、
成膜時に酸素または酸素プラズマを混入して結晶粒界面
に酸化相を形成することによって、結晶粒を分離した磁
気記録媒体が提案されている。しかしながらこの技術で
は、酸素原子が磁性相内にも混入し、酸化物生成に伴う
飽和磁束密度の低下が十分予想される。また金属下地層
であるＣｒ膜の表面に酸化物を形成して、Ｃｏ基合金磁
性層のエピタキシャル成長を阻害し、結晶配向度の低下
を招くことによって、保磁力の低下が生じるという欠点
がある。

【０００５】一方、特開平３−６３９１９号には、スパ
ッタリング時のＡｒガス圧を高めることによって、結晶
粒間の物理的分離を高めることができ、高保磁力化に有
効であることが報告されている。しかしながら、ここで
の物理的分離とは、実質的には間隙のことを意味してお
り、磁気記録媒体として要求される特性の一つである耐
食性を却って低下させるという欠点がある。

【０００６】上記のように、従来の製造方法では、高磁
束密度、高保磁力および高耐食性の要求特性のいずれも
兼ね備えた磁気記録媒体を製造することはできなかっ
た。こうしたことから、磁束密度および耐食性について
は少なくとも低下させることなく、高保磁力を有する磁
気記録媒体を製造することのできる方法の実現が望まれ
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこの様な事情
に鑑みてなされたものであって、その目的は、高磁束密
度、高保磁力および高耐食性等の要求特性のいずれも兼
ね備えた磁気記録媒体、およびその様な磁気記録媒体を
製造するための有用な方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成した本発
明方法とは、非磁性材料からなる基板上に、非磁性金属
下地層、金属薄膜磁性層および保護潤滑層を順次形成し
てなる磁気記録媒体を製造するに当たり、少なくとも前
記金属薄膜磁性層を形成する際に、Ｋｒガスおよび／ま
たはＸｅガスをスパッタガスとして用いてスパッタ法を
適用して成膜する点に要旨を有する磁気記録媒体の製造
方法である。

【０００９】また本発明方法は、金属薄膜磁性層が前記
した様なＣｏ基合金であるときにその効果が最大限に発
揮される。更に、本発明を実施するに当たり、前記非磁
性金属下地層を形成する際に、Ｋｒガスおよび／または
Ｘｅガスをスパッタガスとして用いてスパッタ法を適用
して成膜するような構成を採用することも有用であり、
こうした構成を採用することによって、磁気記録媒体の
特性の更なる向上を達成することができる。

【００１０】一方、上記目的を達成した本発明の磁気記
録媒体とは、非磁性材料からなる基板上に、非磁性金属
下地層、金属薄膜磁性層および保護潤滑層を順次形成し
てなる磁気記録媒体において、前記金属薄膜磁性層は、
Ａｒ，ＫｒおよびＸｅよりなる群から選ばれる１種以上
の元素を０．０１〜１．１原子％含有したものである点
に要旨を有するものである。

【００１１】また上記の様な磁気記録媒体を製造するに
当たっては、前記金属薄膜磁性層を形成する際に、Ａ
ｒ，ＫｒおよびＸｅよりなる群から選ばれる１種以上の
元素からなるガスをスパッタガスとして用いると共に、
非磁性材料からなる基板に負の電圧を印加してスパッタ
法を適用して成膜する構成を採用することによって、或
は金属薄膜磁性層を形成した後、Ａｒ，ＫｒおよびＸｅ
よりなる群から選ばれる１種以上の元素を金属薄膜磁性
層にイオン注入する構成を採用することによって達成さ
れる。

【００１２】

【作用】本発明者らは、磁気記録媒体の特性の向上を図
るべく、特にその製造条件と磁気特性の関係について、
実験および検討を重ねた。その結果、少なくとも前記金
属薄膜磁性層を形成する際に、これまでスパッタリング
ガスとして用いられてきたＡｒガスの代わりに、Ｋｒガ
スおよび／またはＸｅガスをスパッタガスとして用いて
スパッタ法を適用して成膜すれば、磁気記録媒体の飽和
磁束密度や耐食性を損なうことなく、高い保磁力を有す
る磁気記録媒体が得られることを見いだし、本発明を完
成した。

【００１３】本発明において、Ｋｒガスおよび／または
Ｘｅガスをスパッタガスとして選んだ理由の一つは、Ａ
ｒガスと同様にこれらのガスが不活性ガスであることに
よる。不活性ガス元素は、化学的に安定で他の元素と化
合物を形成することなく、且つ常温で単原子分子気体と
なり、物理的な吸着も起こり難い。またＣｏ基合金磁性
膜中に固溶しない過剰の原子は、すべて気体として散逸
するので、飽和磁束密度Ｂｓの減少をもたらすＣｏとの
化合物を生成することなく、且つ磁性膜中のＣｏ原子の
体積率の減少も少ないために、飽和磁束密度Ｂｓの低下
を生じることなく、良好なＣｏ基合金磁性膜を得ること
ができる。

【００１４】気相成長膜は、膜の堆積方向に特定の優先
成長方位を有するのが一般である。このような傾向は、
スパッタ膜においても同様であるが、堆積膜最表面がタ
ーゲットからの反跳スパッタガス原子およびスパッタガ
スイオンの衝撃に晒され、最表面原子が運動エネルギー
を得て再度移動する現象（表面マイグレーション現象）
によって、優先成長方位への成長が促進されることが知
られている。

【００１５】ここで非磁性金属下地層としてＣｒ膜を用
いると、Ｃｒ膜はその優先成長方位〈２００〉に配向
し、引き続き成膜されるＣｏ基合金磁性層は、そのｈｃ
ｐ（１１０）面がＣｒ（２００）面と最も格子不整が小
さいために、ｈｃｐ〈１１０〉方位に配向してエピタキ
シャル成長することが一般に知られている。即ち、ｈｃ
ｐ構造のＣｏ基合金の磁化容易軸であるＣ軸が面内に配
向することによって、面内に高い保磁力が得られると考
えられる。

【００１６】このとき、ＫｒやＸｅ等をスパッタリング
ガスとして用いると、これらの原子の質量がＡｒよりも
大きいので、ターゲットからの反跳スパッタガス原子お
よびスパッタガスイオンから表面原子が得る運動エネル
ギーが増加し、膜堆積方向への優先方位結晶成長が促進
される。従って、Ｃｏ基合金磁性層の厚さ方向のｈｃｐ
〈１１０〉方位へのエピタキシャル成長が促進され、ｈ
ｃｐ〈１１０〉方位と直交するＣ軸の面内配向度が改善
されて面内保磁力向上効果を達成した膜が得られること
になる。

【００１７】本発明は上述したように、少なくとも前記
金属薄膜磁性層を形成する際に、Ｋｒガスおよび／また
はＸｅガスをスパッタガスとして用いてスパッタ法を適
用して成膜する点に最大の特徴を有するものであるが、
非磁性金属下地層として例えばＣｒを用いた場合にも、
Ｋｒガスおよび／またはＸｅガスをスパッタガスとして
用いてスパッタ法を適用して成膜することによって優先
成長方位〈２００〉への配向が増加するので好ましい。
即ち、エピタキシャル成長に適した非磁性金属下地層の
配向が増加することによって、Ｃｏ基合金磁性層のＣ軸
面内配向度もより一層改善され、更に高い面内保磁力を
有する膜を得ることができる。尚このような観点からし
て、上記のようにして形成されるの非磁性金属下地層
は、Ｃｒであることが好ましいが、非磁性金属下地層は
Ｃｒに限らず、ＣｒにＭｏ，Ｔａ，Ｖ，Ｗ，Ｔｉ等を添
加したＣｒ合金、或はＭｏ，Ｔａ，Ｖ，Ｗ，Ｔｉ等も用
いることができる。

【００１８】本発明は上述の如く、金属薄膜磁性層や非
磁性金属下地層（即ち、金属薄膜磁性層単独、または金
属薄膜磁性層と非磁性金属下地層）を形成する際に、Ｋ
ｒガスおよび／またはＸｅガスをスパッタガスとして用
いてスパッタ法を適用して成膜するものであるが、本発
明者らが更に検討したところによると、前記金属薄膜磁
性層にＫｒやＸｅ等の元素を強制的に固溶させることに
よって、保磁力を更に向上させ得ることがわかった。ま
たこうした効果は、強制固溶させる元素が上記ＫｒやＸ
ｅに限らず、従来からスパッタガスとして用いられてい
るＡｒにおいても同様に達成されることがわかった。即
ち、前記金属薄膜磁性層にＡｒ，ＫｒおよびＸｅよりな
る群から選ばれる１種以上の元素を強制的に固溶させる
ことによって、保磁力を更に向上させることができたの
である。

【００１９】上記元素の強制固溶による保磁力向上効果
は、金属薄膜磁性層への強制固溶による結晶磁気異方性
が向上することによるものと考えることができる。こう
した効果は、金属薄膜磁性層がＣｏ基合金からなるとき
に特に有効である。即ち、Ｋｒ，Ｘｅ等の原子半径はＣ
ｏの原子半径に比べて大きく、或はＡｒの原子半径はＣ
ｏの原子半径よりも小さいが格子間元素となるため、Ａ
ｒ，Ｋｒ，Ｘｅ等をＣｏ基合金に強制的に固溶させる
と、Ｃｏ基合金の格子定数が増加して稠密六方格子（ｈ
ｃｐ）のＣ軸が延び、結晶磁気異方性が増大する。

【００２０】金属薄膜磁性層へ強制固溶させる上記元素
の固溶量（含有量）は、単独または合計で０．０１〜
１．１原子％とする必要がある。即ち、上記含有量が
０．０１原子％未満であると、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ等を強
制固溶させる効果が発揮されず、１．１原子％を超える
と飽和磁束密度Ｂｓや保磁力が急激に低下する。

【００２１】金属薄膜磁性層に、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ等を
強制固溶させるに当たっては、前記金属薄膜磁性層を形
成する際に、Ａｒ，ＫｒおよびＸｅよりなる群から選ば
れる１種以上の元素からなるガスをスパッタガスとして
用いると共に、非磁性材料からなる基板に負の電圧を印
加しててスパッタ法を適用して成膜する構成を採用する
ことによって、或は金属薄膜磁性層を形成した後、Ａ
ｒ，ＫｒおよびＸｅよりなる群から選ばれる１種以上の
元素を金属薄膜磁性層にイオン注入する構成を採用する
ことによって達成される。特に前者の方法、即ちスパッ
タリング成膜時に基板に負の電圧を印加した所謂バイア
ススパッタリングを行なえば、スパッタガスイオンによ
る表面衝撃の増加によって、表面原子が得る運動エネル
ギーが増大し、配向度がより一層向上するという効果も
得られる。またこのバイアススパッタリング法では、金
属薄膜磁性層に強制固溶される上記元素の上限はほぼ
１．１原子％となり、強制固溶されない過剰の原子は、
すべて気体として散逸することになり、過剰に固溶させ
たときの不都合が発生することは殆どない。

【００２２】本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性材料
からなる基板上に、非磁性金属下地層、金属薄膜磁性層
および保護潤滑層を順次形成してなるものであるが、上
記基板としては、後記実施例に示すＡｌ合金の他、例え
ばカーボン、ガラス等が採用できる。また本発明で用い
る金属薄膜磁性層としては、前記した様な各種のＣｏ基
合金が採用できる。

【００２３】以下本発明を実施例によって更に詳細に説
明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもので
はなく、前・後記の趣旨に徴して設計変更することはい
ずれも本発明の技術的範囲に含まれるものである。

【００２４】

【実施例】図１は、磁気記録媒体の一構成例を示す概略
説明図（一部破断斜視図、および要部拡大断面図）であ
り、図中１はＮｉＰめっきを施しテクスチャー処理を行
なっていない円盤状のＡｌ基板、２はＣｒ下地膜（非磁
性金属下地層）、３はＣｏ−１２原子％Ｃｒ−２原子％
Ｔａ合金磁性膜（金属薄膜磁性層）、４はＣ保護膜（保
護潤滑層）を夫々示す。

【００２５】本発明者らは、直径６インチのＣｒターゲ
ット、Ｃｏ−１２原子％Ｃｒ−２原子％Ｔａ合金ターゲ
ットおよびＣターゲットの夫々を用い、ＤＣマグネトロ
ンスパッタ法を適用し、下記実施例１〜４および比較例
１に示す条件（スパッタガスおよびバイアス電圧）に
て、非磁性金属下地層、金属薄膜磁性層および保護潤滑
層を前記ＮｉＰめっきＡｌ基板上に順次積層して成膜
し、図１に示した磁気記録媒体を製造した。このとき各
膜厚は、非磁性金属下地層：１０００Å、金属薄膜磁性
層：５００Å、Ｃ膜（保護潤滑層）：３００Åとした。

【００２６】得られた各磁気記録媒体について、保磁力
Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ、配向度、磁性層中のスパッタ
ガスの含有量（ガス含有量）、および格子定数の変化の
指標であるｈｃｐ（００２）面の面間隔（Ｃｏ合金膜／
純Ｃｏ膜）等の測定を行なった。尚保磁力Ｈｃおよび飽
和磁束密度Ｂｓについては、振動試料型磁力計（ＶＳ
Ｍ）を用いて測定し、組成分析についてはＸ線光電子分
光法（ＸＰＳ法）によって測定した。また配向度および
面間隔の測定には、Ｘ線回折法を適用し、このうち配向
度については下記（１）式に示すように、ｈｃｐ（００
２）面の回折強度Ｉ₁ （００２）とｈｃｐ（１１０）面
の回折強度Ｉ₂(１１０）の強度比Ｋ［Ｉ₂（１１０）／
Ｉ₁ （００２）］を規格化した値で評価し、ｈｃｐ（０
０２）面の面間隔については純Ｃｏとの比（Ｃｏ合金膜
／純Ｃｏ膜）で評価した。配向度＝（磁性合金膜のＫ）／（０バイアスＡｒスパッタ磁性膜のＫ） …（１）

【００２７】実施例１Ｃｏ合金磁性膜作成時にスパッタガスとしてＫｒガスま
たはＸｅガスを用い、それ以外の膜（Ｃｒ下地膜および
Ｃ保護膜）の作成時にスパッタガスとしてＡｒを用い、
図１に示した磁気記録媒体を作成した。この磁気記録媒
体について、保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ、配向度、
ガス含有量および面間隔の測定結果を、製造条件（スパ
ッタガスおよびバイアス電圧）と共に表１に示す。尚表
１において、「ガス含有量」の項の［ＮＤ］とは、検出
限界以下で測定不能であったことを示している。

【００２８】

【表１】

【００２９】実施例２Ｃｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜作成時に、スパッタガスと
してＫｒガスまたはＸｅガスを用い、それ以外の膜（Ｃ
保護膜）の作成時にスパッタガスとしてＡｒを用い、図
１に示した磁気記録媒体を作成した。この磁気記録媒体
について、保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ、配向度、ガ
ス含有量および面間隔の測定結果を、製造条件（スパッ
タガスおよびバイアス電圧）と共に表２に示す。

【００３０】

【表２】

【００３１】比較例１スパッタガスとしてＡｒを用い、Ａｌ基板上にＣｒ下地
膜、Ｃｏ合金磁性膜およびＣ保護膜を順次成膜し、図１
に示した磁気記録媒体を作成した。この磁気記録媒体に
ついて、保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ、配向度、ガス
含有量および面間隔の測定結果を、製造条件（スパッタ
ガスおよびバイアス電圧）と共に表３に示す

【００３２】

【表３】

【００３３】実施例３Ｃｒ下地膜，Ｃｏ合金磁性膜およびＣ保護膜作成時に、
スパッタガスとしてＡｒ，ＫｒガスまたはＸｅガスを用
いると共に、１００Ｖ，２００Ｖの負の電圧を基板に印
加し、図１に示した磁気記録媒体を作成した。これらの
磁気記録媒体について、保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂ
ｓ、配向度、ガス含有量および面間隔の測定結果を、製
造条件（スパッタガスおよびバイアス電圧）と共に表４
に示す

【００３４】

【表４】

【００３５】実施例４スパッタガスとしてＡｒガスを用い、通常のスパッタ法
によって（即ち、負の電圧を基板に印加せずに）、Ｃｒ
下地膜とＣｏ合金磁性膜を作成した。作成したＣｏ合金
磁性膜に、イオン注入法によってＡｒ，Ｋｒ，Ｘｅの各
イオンを様々な量で強制固溶させた。その後、上記のス
パッタ法によってＣ保護膜を成膜し、図１に示した磁気
記録媒体を作成した。この磁気記録媒体について、保磁
力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓおよび面間隔の測定結果を、
Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ等の含有量と共に夫々表５〜７に示
す。尚表５〜７において、「面間隔」の項の「−」と
は、磁気特性が低下していることが明らかであったので
面間隔を測定しなかったことを示している。

【００３６】

【表５】

【００３７】

【表６】

【００３８】

【表７】

【００３９】以上の結果から、次のように考察できる。
まず実施例１と比較例１を比較しても明らかなように、
Ｃｏ合金磁性膜の成膜時にスパッタガスとしてＫｒガス
やＸｅガスを用いることによって、飽和磁束密度Ｂｓを
低下させることなく、保磁力Ｈｃに優れた磁気記録媒体
が得られている。このような保磁力向上の効果は、磁性
膜中のガス含有量が検出限界以下で、且つ格子定数の変
化の度合が同程度であるので、Ｃｏ合金磁性膜のＣ軸の
面内配向度が改善されることによって達成されたものと
考えられる。

【００４０】また実施例２と実施例１を比較しても明ら
かなように、Ｃｏ合金磁性膜の成膜時と共にＣｒ下地膜
の成膜時においても、スパッタガスとしてＫｒやＸｅを
用いることによって、保磁力を実施例１よりも更に向上
させた磁気記録媒体が得られている。このような保磁力
向上の効果は、実施例１以上にＣｏ合金磁性膜のＣ軸の
膜面内配向度が改善されることによって達成されてお
り、Ｃｒ下地膜の配向度向上に伴うＣｏ合金磁性膜の配
向度向上効果に起因しているものと考えられる。

【００４１】更に、実施例１，２と実施例３を比較して
も明らかなように、基板に負のバイアス電圧を印加する
ことによって、一層高保磁力の磁気記録媒体が得られて
いる。また比較例１と実施例３を比較しても明らかな様
に、基板に負のバイアス電圧を印加するときは、スパッ
タガスとしてＡｒを用いることも有効であることが分か
る。このような保磁力向上の効果は、Ｃｏ合金磁性膜の
Ｃ軸の膜面内配向度向上と、Ｃｏ合金磁性膜中のスパッ
タガス含有量の増加によるｈｃｐ（０００２）面の面間
隔増加に伴った磁気異方性改善効果に起因していると考
えられる。

【００４２】一方、実施例４から明らかなように、Ｃｏ
合金磁性膜中にＡｒ，Ｋｒ，Ｘｅ等を強制的に固溶させ
るときは、その含有量は０．０１〜１．１原子％とする
必要があることがわかる。

【００４３】

【発明の効果】本発明は上記の様に構成されており、成
膜時の膜衝撃効果増大に伴う磁性層配向度向上、膜中へ
の強制固溶による格子定数の増加による結晶磁気異方性
増大の効果向が達成され、高い保磁力を有する磁気記録
媒体の作成が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体の一構成例を示す概略説明図であ
る。

【符号の説明】

１ＮｉＰめっきＡｌ基板２Ｃｒ下地膜（非磁性金属下地層）３Ｃｏ基合金磁性膜（金属薄膜磁性層）４Ｃ保護膜（保護潤滑層）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性材料からなる基板上に、非磁性金
属下地層、金属薄膜磁性層および保護潤滑層を順次形成
してなる磁気記録媒体を製造するに当たり、少なくとも
前記金属薄膜磁性層を形成する際に、Ｋｒガスおよび／
またはＸｅガスをスパッタガスとして用いてスパッタ法
を適用して成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。
【請求項２】前記金属薄膜磁性層が、Ｃｏ基合金であ
る請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】前記非磁性金属下地層を形成する際に、
Ｋｒガスおよび／またはＸｅガスをスパッタガスとして
用いてスパッタ法を適用して成膜する請求項１または２
に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】非磁性材料からなる基板上に、非磁性金
属下地層、金属薄膜磁性層および保護潤滑層を順次形成
してなる磁気記録媒体において、前記金属薄膜磁性層
は、Ａｒ，ＫｒおよびＸｅよりなる群から選ばれる１種
以上の元素を０．０１〜１．１原子％含有したものであ
ることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】前記金属薄膜磁性層が、Ｃｏ基合金であ
る請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】請求項４または５に記載の磁気記録媒体
を製造するに当たり、前記金属薄膜磁性層を形成する際
に、Ａｒ，ＫｒおよびＸｅよりなる群から選ばれる１種
以上の元素からなるガスをスパッタガスとして用いると
共に、非磁性材料からなる基板に負の電圧を印加してス
パッタ法を適用して成膜することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
【請求項７】請求項４または５に記載の磁気記録媒体
を製造するに当たり、金属薄膜磁性層を形成した後、Ａ
ｒ，ＫｒおよびＸｅよりなる群から選ばれる１種以上の
元素を金属薄膜磁性層にイオン注入することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。