JPH07192973A - チップ状固体電解コンデンサ - Google Patents
チップ状固体電解コンデンサInfo
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- JPH07192973A JPH07192973A JP33262093A JP33262093A JPH07192973A JP H07192973 A JPH07192973 A JP H07192973A JP 33262093 A JP33262093 A JP 33262093A JP 33262093 A JP33262093 A JP 33262093A JP H07192973 A JPH07192973 A JP H07192973A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐湿性能が良好なチップ状固体電解コンデン
サを提供する。 【構成】 平板状の陽極基体の表面に誘電体酸化皮膜
層、半導体層及び導電体層が形成されたコンデンサ素子
の陽極部と導電体層形成部が、一対の凸部を有するリー
ドフレームに各々金属線を介して接続されている。
サを提供する。 【構成】 平板状の陽極基体の表面に誘電体酸化皮膜
層、半導体層及び導電体層が形成されたコンデンサ素子
の陽極部と導電体層形成部が、一対の凸部を有するリー
ドフレームに各々金属線を介して接続されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ状固体電解コン
デンサに関する。
デンサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のチップ状固体電解コンデンサは、
図4及び図5に示すように表面に誘電体酸化皮膜層2を
有するアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用金属
からなる平板状の陽極基体1の表面に陽極部となる一部
を除いて半導体層3及び導電体層4を順次積層した固体
電解コンデンサ素子5(以下、コンデンサ素子と称す
る)を形成し、次いでこのコンデンサ素子5をリードフ
レーム6に接続するが、リードフレーム6の2ヶ所の凸
部6a、6bを間隔をおいて対向させ、それぞれの凸部
6a、6bに前記コンデンサ素子5の陽極部7と導電体
層形成部8を載置している。
図4及び図5に示すように表面に誘電体酸化皮膜層2を
有するアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用金属
からなる平板状の陽極基体1の表面に陽極部となる一部
を除いて半導体層3及び導電体層4を順次積層した固体
電解コンデンサ素子5(以下、コンデンサ素子と称す
る)を形成し、次いでこのコンデンサ素子5をリードフ
レーム6に接続するが、リードフレーム6の2ヶ所の凸
部6a、6bを間隔をおいて対向させ、それぞれの凸部
6a、6bに前記コンデンサ素子5の陽極部7と導電体
層形成部8を載置している。
【0003】そして前者は熔接9などで、後者は銀ペー
スト等の導電材10でリードフレーム6の凸部6a、6
bに電気的、かつ機械的に接続した後、外装樹脂11で
封止して、チップ状固体電解コンデンサ12が構成され
ている。そしてこの封口した固体電解コンデンサは、容
量等の電気性能を満たすことが要求され、さらに負荷テ
スト、耐湿テスト等の抜き取り検査に合格したものを製
品としている。
スト等の導電材10でリードフレーム6の凸部6a、6
bに電気的、かつ機械的に接続した後、外装樹脂11で
封止して、チップ状固体電解コンデンサ12が構成され
ている。そしてこの封口した固体電解コンデンサは、容
量等の電気性能を満たすことが要求され、さらに負荷テ
スト、耐湿テスト等の抜き取り検査に合格したものを製
品としている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述したコンデンサ素
子は、耐湿テスト時、湿気がリードフレームから進入
し、コンデンサ素子の誘電体酸化皮膜層近くまで接近
し、作製したコンデンサの容量並びにtanδ値を上昇
させるという欠点があった。このような欠点を防ぐため
に、コンデンサ素子を耐水性の樹脂で覆うことが考えら
れているが、作業性が悪く、またコスト上の問題があっ
た。
子は、耐湿テスト時、湿気がリードフレームから進入
し、コンデンサ素子の誘電体酸化皮膜層近くまで接近
し、作製したコンデンサの容量並びにtanδ値を上昇
させるという欠点があった。このような欠点を防ぐため
に、コンデンサ素子を耐水性の樹脂で覆うことが考えら
れているが、作業性が悪く、またコスト上の問題があっ
た。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した問題
点を解決するためになされたものであって、その要旨は
表面に誘電体酸化皮膜層を有する平板状の弁作用金属か
らなる陽極基体の端部を陽極部とし、この陽極基体の残
部の前記誘電体酸化皮膜層上に半導体層、その上に導電
体層が形成された導電体層形成部を有する固体電解コン
デンサ素子であって、前記陽極部と前記導電体層形成部
は、一対の対向して配置された凸部を有するリードフレ
ームの各凸部に各々金属線を介して接続されており、前
記リードフレームの一部を残して封口されているチップ
状固体電解コンデンサにある。
点を解決するためになされたものであって、その要旨は
表面に誘電体酸化皮膜層を有する平板状の弁作用金属か
らなる陽極基体の端部を陽極部とし、この陽極基体の残
部の前記誘電体酸化皮膜層上に半導体層、その上に導電
体層が形成された導電体層形成部を有する固体電解コン
デンサ素子であって、前記陽極部と前記導電体層形成部
は、一対の対向して配置された凸部を有するリードフレ
ームの各凸部に各々金属線を介して接続されており、前
記リードフレームの一部を残して封口されているチップ
状固体電解コンデンサにある。
【0006】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明において固体電解コンデンサの陽極として用いられ
る弁作用を有する陽極基体としては、例えばアルミニウ
ム、タンタル、及びこれらを基質とする合金等、弁作用
を有する金属がいずれも使用できる。そして陽極基体の
形状としては平板状のアルミニウムの箔や板があげられ
る。陽極基体の表面に設けられる誘電体酸化皮膜層は、
弁作用金属の表面部分に設けられた弁作用金属自体の酸
化物層であってもよく、或は、弁作用金属の表面上に設
けられた他の誘電体酸化物の層であってもよいが、特に
弁作用金属自体の酸化物からなる層であることが望まし
い。
発明において固体電解コンデンサの陽極として用いられ
る弁作用を有する陽極基体としては、例えばアルミニウ
ム、タンタル、及びこれらを基質とする合金等、弁作用
を有する金属がいずれも使用できる。そして陽極基体の
形状としては平板状のアルミニウムの箔や板があげられ
る。陽極基体の表面に設けられる誘電体酸化皮膜層は、
弁作用金属の表面部分に設けられた弁作用金属自体の酸
化物層であってもよく、或は、弁作用金属の表面上に設
けられた他の誘電体酸化物の層であってもよいが、特に
弁作用金属自体の酸化物からなる層であることが望まし
い。
【0007】本発明では、表面に誘電体酸化皮膜層が形
成された平板状の陽極基体の端部の一区画に陽極部を設
けており、陽極部とした以外の残りの誘電体酸化皮膜層
上に半導体層を形成させているが、半導体層の種類には
特に制限はなく、従来公知の半導体層が使用できる。こ
の中で、とりわけ本願出願人の出願による二酸化鉛と硫
酸鉛からなる半導体層(特開昭62−256423号公
報、特開昭63−51621号公報)が、作製した固体
電解コンデンサの高周波性能が良好なために好ましい。
成された平板状の陽極基体の端部の一区画に陽極部を設
けており、陽極部とした以外の残りの誘電体酸化皮膜層
上に半導体層を形成させているが、半導体層の種類には
特に制限はなく、従来公知の半導体層が使用できる。こ
の中で、とりわけ本願出願人の出願による二酸化鉛と硫
酸鉛からなる半導体層(特開昭62−256423号公
報、特開昭63−51621号公報)が、作製した固体
電解コンデンサの高周波性能が良好なために好ましい。
【0008】また、テトラチオテトラセンとクロラニル
の錯体を半導体層として形成させる方法(特開昭62−
29123号公報)、複素5員環高分子化合物にドーパ
ントをドープした電導性高分子化合物からなる半導体層
(特開昭60−37114号公報)もその一例である。
そしてこのような半導体層上には、例えばカーボンペー
スト及び/又は銀ペースト等の従来公知の導電ペースト
を積層して導電体層形成部を構成している。また本発明
においては、前述した陽極部と導電体層形成部との界面
に絶縁性樹脂によってはち巻き状に樹脂層部をあらかじ
め形成しておくと、半導体層を形成するときに半導体層
の形成面積が一定しバラツキの少ない容量のものが得ら
れる。次に、このように導電体層まで形成されたコンデ
ンサ素子を一対の対向して配置されたリードフレームに
接続する方法を説明する。図1は、コンデンサ素子5を
金属線13で接合した状態を示す断面図である。
の錯体を半導体層として形成させる方法(特開昭62−
29123号公報)、複素5員環高分子化合物にドーパ
ントをドープした電導性高分子化合物からなる半導体層
(特開昭60−37114号公報)もその一例である。
そしてこのような半導体層上には、例えばカーボンペー
スト及び/又は銀ペースト等の従来公知の導電ペースト
を積層して導電体層形成部を構成している。また本発明
においては、前述した陽極部と導電体層形成部との界面
に絶縁性樹脂によってはち巻き状に樹脂層部をあらかじ
め形成しておくと、半導体層を形成するときに半導体層
の形成面積が一定しバラツキの少ない容量のものが得ら
れる。次に、このように導電体層まで形成されたコンデ
ンサ素子を一対の対向して配置されたリードフレームに
接続する方法を説明する。図1は、コンデンサ素子5を
金属線13で接合した状態を示す断面図である。
【0009】図1において、陽極基体1の表面に誘電体
酸化皮膜層2が形成されており、その上に半導体層3、
さらにその上に導電体層4が形成されたコンデンサ素子
5の陽極部7と導電体層形成部8とが、リードフレーム
6の各凸部6a、6bに各々金属線13で接合されてい
る。図2は、図1の平面図である。図2では、金属線を
リードフレームの中心と陽極部の中心を接続した図を例
示したが、リードフレームのどの部所と、陽極部のどの
部所を接続してもよい。また、金属線13の材質として
は、鉄、ニッケル、銅、アルミ、タンタル及びこれらの
合金等公知のものがあげられ、金属線には半田等のメッ
キが施されていれば、接続のときに好都合である。金属
線の太さは、数ミクロンないし数ミリメートルのものが
適用され、リードフレームとの接続の容易さ、コンデン
サ素子の形状等によって選定される。金属線の長さは通
常、数ミリメートルであるが、後述する外装形状、固体
電解コンデンサの大きさによって決定される。一般に金
属線は、後述する外装時の応力を緩和するために、遊び
を持たせてリードフレームと陽極部間を接続することが
好ましい。金属線とリードフレーム及び陽極部とは熔
接、導電ペースト、半田等で接続される。
酸化皮膜層2が形成されており、その上に半導体層3、
さらにその上に導電体層4が形成されたコンデンサ素子
5の陽極部7と導電体層形成部8とが、リードフレーム
6の各凸部6a、6bに各々金属線13で接合されてい
る。図2は、図1の平面図である。図2では、金属線を
リードフレームの中心と陽極部の中心を接続した図を例
示したが、リードフレームのどの部所と、陽極部のどの
部所を接続してもよい。また、金属線13の材質として
は、鉄、ニッケル、銅、アルミ、タンタル及びこれらの
合金等公知のものがあげられ、金属線には半田等のメッ
キが施されていれば、接続のときに好都合である。金属
線の太さは、数ミクロンないし数ミリメートルのものが
適用され、リードフレームとの接続の容易さ、コンデン
サ素子の形状等によって選定される。金属線の長さは通
常、数ミリメートルであるが、後述する外装形状、固体
電解コンデンサの大きさによって決定される。一般に金
属線は、後述する外装時の応力を緩和するために、遊び
を持たせてリードフレームと陽極部間を接続することが
好ましい。金属線とリードフレーム及び陽極部とは熔
接、導電ペースト、半田等で接続される。
【0010】図1及び図2では、金属線13の本数を各
1本で示したが、接続を強固にするために複数本接続し
てもよい。また、金属線の接続順序として、あらかじめ
リードフレーム6の各凸部6aと6bに金属線13が接
続したリードフレームを使用して、コンデンサ素子の陽
極部7と導電体層形成部8とに各々接続してもよい。或
いは、あらかじめ陽極部7と導電体層形成部8とに金属
線13を接続しておきリードフレーム6の各凸部6a、
6bとに各々接続してもよい。又は、リードフレーム6
の凸部6aか6bの一方に、或いはコンデンサ素子の陽
極部7か導電体層形成部8の一方のみに、あらかじめ金
属線を接続しておいてもよい。本発明においては、図3
に例示したように、コンデンサ素子5の導電体層形成部
8の下面を、金属箔14に導電材10で接続しておいて
もよい。
1本で示したが、接続を強固にするために複数本接続し
てもよい。また、金属線の接続順序として、あらかじめ
リードフレーム6の各凸部6aと6bに金属線13が接
続したリードフレームを使用して、コンデンサ素子の陽
極部7と導電体層形成部8とに各々接続してもよい。或
いは、あらかじめ陽極部7と導電体層形成部8とに金属
線13を接続しておきリードフレーム6の各凸部6a、
6bとに各々接続してもよい。又は、リードフレーム6
の凸部6aか6bの一方に、或いはコンデンサ素子の陽
極部7か導電体層形成部8の一方のみに、あらかじめ金
属線を接続しておいてもよい。本発明においては、図3
に例示したように、コンデンサ素子5の導電体層形成部
8の下面を、金属箔14に導電材10で接続しておいて
もよい。
【0011】この場合、金属箔14をあらかじめリード
フレーム6の凸部6aもしくは6bの延長部として一体
のものとしておき、コンデンサ素子5の導電体層形成部
8を載置接続した後、リードフレームの他方の凸部6a
もしくは6bと金属線13で接続し、つづいてリードフ
レームの凸部6aもしくは6bの所定の所2カ所で切断
することにより、金属箔14とリードフレームの凸部6
aもしくは6bとを分離し、さらにコンデンサ素子5を
リードフレームの凸部6aもしくは6bと金属線13で
接続すると、コンデンサ素子5とリードフレーム6との
金属線13による接続が容易に行われて好都合である。
フレーム6の凸部6aもしくは6bの延長部として一体
のものとしておき、コンデンサ素子5の導電体層形成部
8を載置接続した後、リードフレームの他方の凸部6a
もしくは6bと金属線13で接続し、つづいてリードフ
レームの凸部6aもしくは6bの所定の所2カ所で切断
することにより、金属箔14とリードフレームの凸部6
aもしくは6bとを分離し、さらにコンデンサ素子5を
リードフレームの凸部6aもしくは6bと金属線13で
接続すると、コンデンサ素子5とリードフレーム6との
金属線13による接続が容易に行われて好都合である。
【0012】導電材10としては、銀ペースト等の公知
の導電ペースト、クリーム半田等の溶融可能金属があげ
られる。又、金属箔14および前述したリードフレーム
6の材質としては、鉄、銅、ニッケルやこれらの合金等
公知のものがあげられる。金属箔14およびリードフレ
ーム6には半田等のメッキが施されていてもよい。金属
箔14およびリードフレーム6の厚さは、数10ミクロ
ンから数100ミクロンのものが適用され、幅はコンデ
ンサ素子5の形状等によって決定される。
の導電ペースト、クリーム半田等の溶融可能金属があげ
られる。又、金属箔14および前述したリードフレーム
6の材質としては、鉄、銅、ニッケルやこれらの合金等
公知のものがあげられる。金属箔14およびリードフレ
ーム6には半田等のメッキが施されていてもよい。金属
箔14およびリードフレーム6の厚さは、数10ミクロ
ンから数100ミクロンのものが適用され、幅はコンデ
ンサ素子5の形状等によって決定される。
【0013】このようにしてリードフレームに接続され
たコンデンサ素子は、リードフレームの一部を残してエ
ポキシ樹脂等の外装樹脂11により、トランスファー成
形機などで封止成形を行った後、リードフレームの凸部
をコンデンサ素子の近辺で切断してチップ状の固体電解
コンデンサとしている。
たコンデンサ素子は、リードフレームの一部を残してエ
ポキシ樹脂等の外装樹脂11により、トランスファー成
形機などで封止成形を行った後、リードフレームの凸部
をコンデンサ素子の近辺で切断してチップ状の固体電解
コンデンサとしている。
【0014】
【作用】コンデンサ素子とリードフレームの凸部との接
続を金属線で行っているので、リードフレームを介し
て、湿気が誘電体酸化皮膜層に進入することが緩和され
る。
続を金属線で行っているので、リードフレームを介し
て、湿気が誘電体酸化皮膜層に進入することが緩和され
る。
【0015】
【実施例】以下、実施例および比較例を示して本発明を
さらに詳しく説明する。 実施例1 りん酸とりん酸アンモニウム水溶液中で化成処理して表
面に誘電体酸化皮膜層を形成した45μF/cm2 のア
ルミニウムエッチング箔(以下、化成箔と称する。)の
小片4mm×3mmを用意した。この化成箔の端から1
mm×3mmの部分を陽極部とし、残り3mm×3mm
の部分を酢酸鉛三水和物2.4モル/l水溶液と過硫酸
アンモニウム4.0モル/l水溶液の混合液に浸漬し、
60℃で20分放置し、二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導
体層を形成した。
さらに詳しく説明する。 実施例1 りん酸とりん酸アンモニウム水溶液中で化成処理して表
面に誘電体酸化皮膜層を形成した45μF/cm2 のア
ルミニウムエッチング箔(以下、化成箔と称する。)の
小片4mm×3mmを用意した。この化成箔の端から1
mm×3mmの部分を陽極部とし、残り3mm×3mm
の部分を酢酸鉛三水和物2.4モル/l水溶液と過硫酸
アンモニウム4.0モル/l水溶液の混合液に浸漬し、
60℃で20分放置し、二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導
体層を形成した。
【0016】このような操作を3回行った後、半導体層
上にカーボンペースト及び銀ペーストを順に積層して導
電体層を形成し、コンデンサ素子を作製した。一方、別
に用意したリードフレーム(材質42アロイ、半田メッ
キ、厚み0.1mm、凸部の寸法:幅3mm、凸部の先
端間隙5.0mm)を用い、陽極部の先端中央部と一方
の凸部の先端中央部に0.25mmφ、長さ4mmのア
ルミ線を渡し、両端をそれぞれ熔接で接続すると共に、
導電体層形成部の先端中央部と他方の凸部の先端中央部
に0.25mmφ、長さ4mmのアルミ線を渡し、両端
をそれぞれ銀ペーストで接続した。その後、エポキシ樹
脂を用いてトランスファー成形して外形寸法7mm×4
mm×3mmのチップ状固体電解コンデンサを作製し
た。
上にカーボンペースト及び銀ペーストを順に積層して導
電体層を形成し、コンデンサ素子を作製した。一方、別
に用意したリードフレーム(材質42アロイ、半田メッ
キ、厚み0.1mm、凸部の寸法:幅3mm、凸部の先
端間隙5.0mm)を用い、陽極部の先端中央部と一方
の凸部の先端中央部に0.25mmφ、長さ4mmのア
ルミ線を渡し、両端をそれぞれ熔接で接続すると共に、
導電体層形成部の先端中央部と他方の凸部の先端中央部
に0.25mmφ、長さ4mmのアルミ線を渡し、両端
をそれぞれ銀ペーストで接続した。その後、エポキシ樹
脂を用いてトランスファー成形して外形寸法7mm×4
mm×3mmのチップ状固体電解コンデンサを作製し
た。
【0017】実施例2 実施例1で、化成箔のかわりに、りん酸水溶液中で化成
処理して表面に誘電体酸化皮膜層を形成したタンタル焼
結体(陽極棒は無い)の小片4mm×3mm(厚さ0.
6mm)を使用した以外は実施例1と同様にしてチップ
状固体電解コンデンサを作製した。
処理して表面に誘電体酸化皮膜層を形成したタンタル焼
結体(陽極棒は無い)の小片4mm×3mm(厚さ0.
6mm)を使用した以外は実施例1と同様にしてチップ
状固体電解コンデンサを作製した。
【0018】実施例3,4 実施例1,2で半導体層を酢酸鉛三水和物2.4モル/
l水溶液に化成箔を浸漬して、別に用意した白金陰極と
の間で電気化学的に形成した二酸化鉛にした以外は、実
施例1,2と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを
作製した。
l水溶液に化成箔を浸漬して、別に用意した白金陰極と
の間で電気化学的に形成した二酸化鉛にした以外は、実
施例1,2と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを
作製した。
【0019】比較例1,2 リードフレームの先端間隔を0.5mmにして、コンデ
ンサ素子の陽極部をリードフレームの一方の凸部に載置
し、導電体層形成部を他方の凸部に載置し、前者は熔接
で、後者は銀ペーストで接続した以外は実施例1,2と
同様にしてチップ状固体電解コンデンサを作製した。以
上のように作製した直後の固体電解コンデンサの状態及
び85℃、85%RHの耐湿テストを200時間行った
後のコンデンサの性能を表1に示した。なお、各実施例
又は比較例は全数値n=50点の平均値である。
ンサ素子の陽極部をリードフレームの一方の凸部に載置
し、導電体層形成部を他方の凸部に載置し、前者は熔接
で、後者は銀ペーストで接続した以外は実施例1,2と
同様にしてチップ状固体電解コンデンサを作製した。以
上のように作製した直後の固体電解コンデンサの状態及
び85℃、85%RHの耐湿テストを200時間行った
後のコンデンサの性能を表1に示した。なお、各実施例
又は比較例は全数値n=50点の平均値である。
【0020】
【表1】
【0021】尚、本発明について、単層の固体電解コン
デンサを例に説明してきたが、積層の固体電解コンデン
サにも適用できることはいうまでもない。
デンサを例に説明してきたが、積層の固体電解コンデン
サにも適用できることはいうまでもない。
【0022】
【発明の効果】本発明のチップ状固体電解コンデンサ
は、コンデンサ素子とリードフレームとの接続を金属線
を介して行っているため、耐湿テスト後の容量とtan
δ値の上昇が緩和される。
は、コンデンサ素子とリードフレームとの接続を金属線
を介して行っているため、耐湿テスト後の容量とtan
δ値の上昇が緩和される。
【図1】コンデンサ素子を金属線によりリードフレーム
に接続した状態を示す断面図である。
に接続した状態を示す断面図である。
【図2】コンデンサ素子を金属線によりリードフレーム
に接続した状態を示す平面図である。
に接続した状態を示す平面図である。
【図3】コンデンサ素子を金属線によりリードフレーム
に接続した状態を示す他例の断面図である。
に接続した状態を示す他例の断面図である。
【図4】従来のチップ状固体電解コンデンサをリードフ
レームに載置した状態を示す断面図である。
レームに載置した状態を示す断面図である。
【図5】従来のチップ状固体電解コンデンサをリードフ
レームに載置した状態を示す平面図である。
レームに載置した状態を示す平面図である。
1 陽極基体 2 誘電体酸化皮膜層 3 半導体層 4 導電体層 5 固体電解コンデンサ素子 6a リードフレームの一方の凸部 6b リードフレームの他方の凸部 7 陽極部 8 導電体層形成部 9 熔接 10 導電材 11 外装樹脂 12 チップ状固体電解コンデンサ 13 金属線 14 金属箔
Claims (1)
- 【請求項1】 表面に誘電体酸化皮膜層を有する平板状
の弁作用金属からなる陽極基体の端部を陽極部とし、こ
の陽極基体の残部の前記誘電体酸化皮膜層上に半導体
層、その上に導電体層が形成された導電体層形成部を有
する固体電解コンデンサ素子であって、前記陽極部と前
記導電体層形成部は、一対の対向して配置された凸部を
有するリードフレームの各凸部に各々金属線を介して接
続されており、前記リードフレームの一部を残して封口
されていることを特徴とするチップ状固体電解コンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33262093A JPH07192973A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | チップ状固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33262093A JPH07192973A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | チップ状固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192973A true JPH07192973A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18256990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33262093A Pending JPH07192973A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | チップ状固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07192973A (ja) |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33262093A patent/JPH07192973A/ja active Pending
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