JPH07193032A - 半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウエハ裏面を研削している間は強い粘
着力を有し、紫外線照射により粘着力が低下し、且つ、
半導体ウエハ表面を汚染することのない半導体ウエハ裏
面研削用粘着フィルムの製造方法を提供する。 【構成】 光透過性の基材フィルムの片面に紫外線硬化
型粘着剤を塗布、乾燥する半導体ウエハ裏面研削用フィ
ルムの製造方法であって、該紫外線硬化型粘着剤が、分
子中に光重合性炭素−炭素二重結合が導入されたアクリ
ル酸エステル系共重合体１００重量部、分子内に光重合
性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物
０．１〜２０重量部および光開始剤５〜１５重量部を含
むことを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用フィルムの
製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，半導体ウエハ裏面研削
用フィルムの製造方法に関する。詳しくは、シリコンウ
エハ等の半導体集積回路が組み込まれていない側の面
（以下、半導体ウエハ裏面という）を研削加工する際
に、半導体集積回路が組み込まれた側の面（以下、半導
体ウエハの表面という）に貼付して、該ウエハの破損お
よび汚染防止のために用いられる半導体ウエハ裏面研削
用フィルムの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、半導体ウエハは、高純度シリコン
単結晶等をスライスしてウエハとした後、エッチング等
により集積回路を組み込み、更に、ウエハの裏面を研削
機を用いて研削し、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ
程度まで薄くしてから、ダイシングしてチップ化する方
法で製造されている。これらの工程のうち、半導体ウエ
ハ裏面の研削工程において、研削中にシリコン等の屑お
よび潤滑、冷却水、シリコン屑除去のために噴射される
純水から半導体ウエハ表面を保護し、且つ、ウエハの破
損を防止するため半導体ウエハ裏面研削用フィルムが用
いられている。そして、半導体ウエハ裏面研削用フィル
ムに塗布する粘着剤として水系エマルジョン型粘着剤や
溶剤型粘着剤が用いられてきた。

【０００３】近年、半導体チップの小型化に伴い、半導
体ウエハを薄型化する傾向が進み、従来研削後の半導体
ウエハの厚さは２５０〜４００μｍ程度であったものが
２００μｍ以下になりつつあり、また一方ではウエハの
大口径化が進み、８インチ以上になりつつある。そのた
め、従来公知のウエハ裏面研削用フィルムを用いた場
合、半導体ウエハの表面からウエハ裏面研削用フィルム
を剥離する際、ウエハ裏面研削用フィルムの粘着力が強
過ぎて半導体ウエハが破損するという問題点が生じてい
る。一方、半導体ウエハ裏面研削用フィルムの粘着力を
弱くすると裏面の研削時に水が半導体ウエハとウエハ裏
面研削用フィルムの間に浸入し、該フィルムが剥離し、
やはり半導体ウエハが破損するという問題が生じる。

【０００４】これらの問題を解決するため、ウエハ裏面
研削用フィルムの粘着剤として光硬化型粘着剤を用いる
方法が提案されている。例えば、特開昭６０−１８９９
３８号公報には、半導体ウエハの裏面を研削するにあた
り、このウエハの表面に感圧性接着フィルムを貼り付
け、上記の研削後この接着フィルムを剥離する半導体ウ
エハの保護方法において、上記の感圧性接着フィルムが
光透過性の支持体とこの支持体上に設けられた光照射に
より硬化し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤
層とからなり、研削後この接着フィルムを剥離する前に
この接着フィルムに光照射することを特徴とする半導体
ウエハの保護方法が記載されている。

【０００５】そして、上記光照射により硬化し三次元網
状化する性質を有する感圧性接着剤として、アクリル系
ポリマー等のベースポリマーにポリイソシアネート化合
物、アルキルエーテル化メラミン化合物等の架橋剤を配
合したものが使用されること、および、上記ベースポリ
マーが分子中に光重合性炭素−炭素二重結合を有するも
のであってもよいことが記載され、該光重合性化合物と
して分子量が１０，０００以下のトリメチロールプロパ
ントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラア
クリレート等が例示されている。また、上記感圧性接着
剤には、イソプロピルベンゾインエーテル、ベッゾフェ
ノン等の光開始剤がベースポリマー１００重量部に対し
０．１〜５重量部含むことが好ましいことが記載されて
いる。

【０００６】しかし、この方法に用いられる光硬化型粘
着剤は、光照射によりある程度粘着力が低下するが、光
重合開始剤の添加量が少ないため光照射による上記感圧
性接着剤の硬化速度が遅く、しかも粘着力の低下が不充
分である欠点がある。この欠点を解決する方法として、
上記の分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を有する化
合物の添加量を増加させる方法が考えられるが、上記光
重合性化合物の添加量を増加させると粘着剤の凝集力が
低下し凝集破壊による半導体ウエハ表面の汚染を引き起
こすので好ましい方法とはいえない。

【０００７】また、特開平５−３２９４６号公報には、
ポリマーの側鎖または主鎖が、放射線重合性官能基を有
する多官能性モノマーまたはオリゴマーと結合されてな
り、該放射線重合性官能基が炭素−炭素二重結合を２個
以上有し、放射線照射による体積収縮率が０．５％以上
であることを特徴とする再剥離型粘着性ポリマーが開示
されている。

【０００８】そして、上記主鎖となるポリマーとして、
アクリル酸エステルを主たる構成単量体単位とする単独
重合体および共重合体等のアクリル系重合体が例示さ
れ、且つ、該アクリル系重合体の側鎖または主鎖中に導
入されて放射線重合性官能基を誘導する多官能性モノマ
ーまたはオリゴマーとして、ペンタエリスリトールジア
クリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート等
が例示されている。また、放射線が紫外線である場合に
は、上記再剥離型粘着性ポリマーにベンゾイン、ベンゾ
インメチルエーテル等の紫外線開始剤を添加することに
より紫外線照射による重合硬化時間ならびに紫外線照射
量を少なくし得ることが記載されている。さらに、該再
剥離型粘着性ポリマーは、半導体ウエハを素子小片に切
断（ダイシング）分離し、素子小片をピックアップする
際に用いるウエハダイシング用粘着シートの接着剤層に
用いられることが記載されている。しかし、該再剥離型
粘着性ポリマーの具体的組成ついては実施例に単なる一
例が記載されるに止まり、半導体ウエハのダイシング用
または裏面研削用粘着シートの粘着剤として用いる場合
の適切な組成は明記されていない。

【０００９】半導体ウエハの裏面研削用フィルムに使用
される紫外線硬化型粘着剤の性能は、光重合性官能基の
量、熱架橋剤の量、光開始剤の量等の粘着剤組成に影響
され、ウエハ裏面の研削中の粘着力、紫外線照射の際の
粘着剤の硬化速度、紫外線照射後の粘着力、ウエハ表面
からの剥離性、ウエハ表面の非汚染性等に微妙に関係す
る。特に、光重合性官能基の量と光開始剤の量は紫外線
照射時の硬化速度、紫外線照射後の粘着力に影響を及ぼ
し、さらに、半導体ウエハ表面の非汚染性にも影響を及
ぼす。

【００１０】半導体ウエハの裏面研削用フィルムは、半
導体ウエハの裏面を研削する際に該ウエハの破損と汚染
を防止するために用いられるものであり、また、該フィ
ルムを剥離する際にも該ウエハの破損があってはならな
いものであることを考慮すると、半導体ウエハの裏面研
削時には強い粘着力を有し、剥離する際には粘着力が低
下していることが望ましい。さらに、半導体ウエハ表面
を汚染しないものであることが望ましい。かかる状況か
ら、粘着剤組成が適切に制御された半導体ウエハの裏面
研削用フィルムの製造方法が強く望まれている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためになされたものであり、その目的とす
るところは、半導体ウエハ裏面を研削している間は強い
粘着力を有し、剥離する際には紫外線照射により粘着力
が低下し、且つ、半導体ウエハ表面を汚染することのな
い半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法を提供す
ることにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
を解決するために鋭意検討を行った結果、粘着剤の主剤
ポリマーであるアクリル酸エステル共重合体に予め光重
合性炭素−炭素二重結合を導入し、光重合性炭素−炭素
二重結合を２個以上有する低分子量化合物および光開始
剤の添加量を特定の範囲に設定することにより上記目的
が達成し得ることを見出し、本発明に到った。

【００１３】即ち、本発明の要旨は、光透過性の基材フ
ィルムの片面に紫外線硬化型粘着剤を塗布、乾燥する半
導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法であって、該
紫外線硬化型粘着剤が、分子中に光重合性炭素−炭素二
重結合が導入されたアクリル酸エステル系共重合体１０
０重量部、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を２個
以上有する低分子量化合物０．１〜２０重量部および光
開始剤５〜１５重量部を含むことを特徴とする半導体ウ
エハ裏面研削用フィルムの製造方法である。

【００１４】本発明の特徴は、（１）紫外線硬化型粘着
剤の主剤ポリマーが、予め光重合性炭素−炭素二重結合
が導入されたアクリル酸エステル共重合体である点、ま
た、（２）紫外線硬化型粘着剤中の光重合性炭素−炭素
二重結合を２個以上有する低分子量化合物の量および光
開始剤の量が、特定の範囲に設定されている点にある。
特に、上記（１）および（２）を組み合わせた点にあ
る。

【００１５】上記（１）の構成を採用することにより、
分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する
低分子量化合物の添加量を少なくすることができ、粘着
剤の凝集力の低下を防止することができる。また、上記
（２）の構成を採用することにより、分子内に光重合性
炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物の
添加量の低減に伴う紫外線硬化速度の低下を防止するこ
とができる。そして、上記（１）および（２）の相乗効
果として、半導体ウエハの裏面を研削する際には適度の
強い粘着力を有し、紫外線照射後に剥離する際には粘着
力が低下し、剥離性が良好であり、且つ、半導体ウエハ
表面を汚染することのない半導体ウエハ裏面研削用フィ
ルムが得られるものである。

【００１６】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明により製造される放射線硬化型粘着剤層を有する半
導体ウエハ裏面研削用フィルムの使用対象となるウエハ
として、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウム、ガ
リウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アル
ミニウム等のウエハが挙げられる。

【００１７】本発明により製造される紫外線硬化型粘着
剤層を有する半導体ウエハ裏面研削用フィルムは、上記
ウエハに集積回路が組み込まれた半導体ウエハ表面に貼
付され、該半導体ウエハ裏面を研削機を用いて研削する
際に、半導体ウエハの破損および半導体ウエハ表面の汚
染を防止するために使用される。このような半導体ウエ
ハ裏面研削用フィルムは、光透過性の基材フィルムの片
表面に紫外線硬化型粘着剤を塗布、乾燥することにより
製造され、通常、粘着剤層を保護するために該粘着剤層
の表面に剥離フィルムが貼付される。

【００１８】本発明に用いる光透過性の基材フィルムと
して、エチレンー酢酸ビニル共重合体フィルム、ポリブ
タジエン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のプラスチック
フィルム、天然ゴムフィルム等が挙げられる。これらの
内、好ましくはエチレンー酢酸ビニル共重合体フィルム
およびポリブタジエンフィルムである。

【００１９】基材フィルムの厚さは、保護する半導体ウ
エハの形状、表面状態および半導体ウエハ裏面の研削方
法により適宜決められるが、通常１０〜２０００μｍが
好ましい。さらに好ましくは１００〜３００μｍであ
る。

【００２０】基材フィルムは半導体ウエハ表面への貼付
作業性、剥離時の作業性を改善するために、他のフィル
ムと積層することができる。積層するフィルムも紫外線
を透過する必要があり、その厚さは保護する半導体ウエ
ハの形状、表面状態、半導体ウエハ裏面の研削方法およ
び被積層基材フィルムの厚さにより適宜決められるが、
通常１０〜１０００μｍが好ましい。さらに好ましくは
１０〜１００μｍである。本発明において、基材フィル
ムが、光透過性を有するとは、全光線透過率が３０％以
上、好ましくは７０％以上であることを意味する。

【００２１】積層方法としては、接着剤による貼り合わ
せ、共押出、コロナ放電処理をかけて圧着する方法等、
公知の方法が適宜用いられる。

【００２２】半導体ウエハ裏面を研削する際の半導体ウ
エハの破損防止を考慮すると、基材フィルムは柔軟性に
富むものが好ましい。具体的には、ＡＳＴＭ−Ｄ−２２
４０に規定されるショアＤ型硬度が４０以下のフィルム
が好ましい。さらに、半導体ウエハ表面への貼付作業
性、半導体ウエハ表面からの剥離作業性等を考慮する
と、基材フィルムに積層するフィルムはショアＤ型硬度
が４０を超える固いフィルムが好ましい。

【００２３】本発明に用いる紫外線硬化型粘着剤は、光
重合性炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル酸エス
テル共重合体に、特定量の光重合性炭素−炭素二重結合
を分子内に２個以上有する低分子量化合物、および特定
量の光重合開始剤を配合したものである。上記の光重合
性炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル酸エステル
共重合体は、エチレン性二重結合を有するモノマーと官
能基を有する共重合性モノマーを混合、共重合させ、こ
の共重合体に含まれるカルボキシル基、ヒドロキシル
基、グリシジル基などの官能基と反応し得る基を有する
光重合性炭素−炭素二重結合を含むモノマーと反応させ
たものである。

【００２４】具体的には、上記エチレン性二重結合を有
するモノマーとして、例えば、メタクリル酸メチル、ア
クリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸ブチル、ア
クリル酸エチル等のアクリル酸エステルモノマー、酢酸
ビニルのごときビニルエステル、アクリロニトリル、ア
クリアミド、スチレン等が挙げられる。これらは１種で
もよく、２種以上組み合わせて使用してもよい。また、
上記官能基を有する共重合性モノマーとして、（メタ）
アクリル酸、マレイン酸、２ーヒドロキシエチル（メ
タ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、
Ｎーメチロール（メタ）アクリルアミド等が挙げられ
る。これらは１種でもよく、２種以上組み合わせて使用
してもよい。

【００２５】上記エチレン性二重結合を有するモノマー
と官能基を有する共重合性モノマーの割合は、前者７０
〜９９重量部に対し、後者３０〜１重量部が好ましい。
さらに好ましくは、前者８０〜９５重量部に対し、後者
２０〜５重量部である。この範囲内であればアクリル酸
エステル共重合体に光重合性炭素−炭素二重結合の導入
が容易となる。

【００２６】エチレン性二重結合を有するモノマーと官
能基を有する共重合性モノマーとの共重合体中に光重合
性炭素−炭素二重結合を導入する方法としては、上記共
重合体中に存在するカルボキシル基、ヒドロキシル基、
グリシジル基などの官能基と反応し得る基を有する光重
合性炭素−炭素二重結合を含む光反応性モノマーを共重
合させればよく、例えば、これらの官能基の組み合わせ
として、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基
とアジリジル基、水酸基とイソシアネート基等、容易に
付加反応が起こる組み合わせが望ましい。また、付加反
応に限らずカルボン酸基と水酸基との縮合反応等、光重
合性炭素−炭素２重結合が容易に導入できる反応であれ
ば如何なる反応を用いてもよい。

【００２７】本発明に用いる分子中に光重合性炭素−炭
素二重結合を２個以上有する低分子量化合物としては、
トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ト
リメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テト
ラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリス
リトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリス
リトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、
ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等
が挙げられる。これらは１種または２種以上を用いても
よい。これらの分子量は、１０，０００以下のものが好
ましい。さらに好ましくは５，０００以下である。

【００２８】上記低分子量化合物の添加量は、得られる
紫外線硬化型粘着剤の凝集力、紫外線照射による硬化
度、硬化速度等に影響を及ぼし、ひいては半導体ウエハ
表面の非汚染性にも影響を及ぼすのでできるだけ低減す
ることが望ましい。かかる観点から、上記低分子量化合
物の添加量は、上記共重合体１００重量部に対して０．
１〜２０重量部が好ましい。さらに、好ましくは０．１
〜１０重量部である。

【００２９】本発明に用いる光開始剤として、ベンゾイ
ン、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベン
ゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラー氏ケトン、
クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメ
チルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、アセト
フェノンジエチルケタール、ベンジルジメチルケター
ル、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２
−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１
−オン等が挙げられる。これらは１種または２種以上用
いてもよい。

【００３０】光開始剤の添加量は、上記共重合体１００
重量部に対して、５〜１５重量部であり、好ましくは５
〜１０重量部である。５重量部未満であると紫外線照射
による粘着力の低下が充分に達成されない。また、１５
重量部を超えると、硬化前の凝集力が低下し半導体ウエ
ハ表面の汚染の原因となる。さらに、半導体ウエハ表面
の汚染防止等を考慮すると、分子中に光重合性炭素−炭
素二重結合を２個以上有する低分子量化合物および光開
始剤の添加量の総量は、２５重量部以下であることが好
ましい。

【００３１】本発明に用る紫外線硬化型粘着剤には架橋
剤を添加してもよい。架橋剤として、ソルビトールポリ
グリシジルエーテル、ポリーグリセロールポリグリシジ
ルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエー
テル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル等のエポ
キシ系化合物、テトラメチロールメタン−トリ−β−ア
ジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−
トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカル
ボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−
ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）等のアジリジ
ン系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサ
メチレンジイソシアネート、ポリイソシアネート等のイ
ソシアネート系化合物等が挙げられる。

【００３２】本発明に用いる紫外線硬化型粘着剤は、以
上の化合物を配合して得られるが、濃度または粘度調整
のために溶剤または水を添加したり、あるいは、熱重合
禁止剤等の添加剤を添加することもできる。

【００３３】上記紫外線硬化型粘着剤は、トルエン、酢
酸エチル等の有機溶剤の存在下における溶液重合、また
は、水系エマルジョン重合の何れによっても製造するこ
とができる。

【００３４】基材フィルムに紫外線硬化型粘着剤を塗布
する方法として、リバースロールコーター、グラビヤコ
ーター、バーコーター、ダイコーター、コンマコーター
等の公知のコーティング方法が挙げられる。基材フィル
ムの全面もしくは部分的に塗布してもよい。乾燥条件に
は特に制限はないが、８０〜２００℃において１０秒〜
１０分間乾燥することが好ましい。紫外線硬化型粘着剤
の塗布厚さは、乾燥後で通常１〜１００μｍ程度であ
る。好ましくは５〜５０μｍ程度である。

【００３５】又、必要に応じて粘着剤層を保護するため
にセパレーター（剥離フィルム）と称する合成樹脂フィ
ルムを粘着剤層表面に貼付しておくことが好ましい。

【００３６】

【実施例】以下、実施例を示して本発明を更に詳細に説
明する。尚、実施例における粘着力および半導体ウエハ
表面の汚染度の評価は下記の方法で行なった。 紫外線照射条件 照射機：オーク製作所製、ＯＨＤ−３２０Ｍ型 照射条件：距離；２０ｃｍ、時間；１０秒間

【００３７】異物付着量 異物が付着していない４インチのシリコンミラーウエハ
の表面に紫外線硬化型粘着剤層を有する半導体ウエハ研
削用フィルムを貼付した状態で、温度が２３±２℃、相
対湿度が５０±５％に調整された雰囲気中に１時間放置
した後、背面からの条件の紫外線を照射したのち、該
ミラーウエハの表面からフィルムを剥離する。フィルム
剥離後のシリコンミラーウエハについて、レーザー表面
検査装置（日立電子エンジニアリング（株）製、ＬＳ−
６０００）を用いて剥離面に残存する０．１μｍ以上の
異物を計則する。

【００３８】粘着力の測定方法 ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に紫外線硬化型粘着剤層を有する
半導体ウエハ研削用フィルムを貼付した状態で、温度が
２３±２℃、相対湿度が５０±５％に調整された雰囲気
中に１時間放置し、背面から上記の条件で紫外線を照
射する。紫外線照射前後の粘着力（ｇ／２５ｍｍ）を下
記条件にて測定し、フィルム幅２５ｍｍの粘着力に換算
する。 剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ． 剥離角度：１８０度 被着体：ＳＵＳ３０４−ＢＡ板 試料フィルムの幅：５０ｍｍ

【００３９】半導体ウエハ表面の残存粘着剤量 紫外線硬化型粘着剤層を有する半導体ウエハ研削用フィ
ルムを粘着剤層を介して、パターンが印刷されており実
際に凹凸のあるＩＣシリコン半導体ウエハ（４インチウ
エハ）の表面に貼付する。貼付した状態で、紫外線が照
射されない状態で、温度が２３±２℃、相対湿度が５０
±５％に調整された雰囲気中に１日放置した後、半導体
ウエハ研削用フィルムを剥離する。他の試料は上記の
条件の紫外線を照射した後、半導体ウエハ研削用フィル
ムを剥離する。紫外線照射有り、無しの試料について、
フィルム剥離後のＩＣシリコン半導体ウエハ表面を光学
顕微鏡（倍率４００倍）を用いて観察し、直径５０μｍ
以上の残存粘着剤の有無を観察する。評価基準は下記の
通り。 残存粘着剤なし：直径５０μｍ以上の粘着剤が全く観察
されない。 残存粘着剤あり：直径５０μｍ以上の粘着剤が１個以上
観察される。

【００４０】実施例１ アクリル酸エチル４８重量部、アクリル酸２−エチルヘ
キシル２７重量部、アクリル酸メチル２０重量部、メタ
クリル酸グリシジル５重量部および重合開始剤としてベ
ンゾイルパーオキサイド０．５重量部を混合し、トルエ
ン６５重量部、酢酸エチル５０重量部が入った窒素置換
フラスコ中に撹拌しながら８０℃で５時間かけて滴下
し、さらに５時間撹拌して反応させた。反応終了後、冷
却し、これにキシレン２５重量部、アクリル酸２．５重
量部およびテトラデシルベンジルアンモニウムクロライ
ド１．５重量部を加え、空気を吹き込みながら８０℃で
１０時間反応させ光重合性炭素−炭素二重結合が導入さ
れたアクリル酸エステル共重合体溶液を得た。この溶液
に共重合体（固形分）１００重量部に対して光開始剤と
してベンゾイン７重量部、イソシアナート系架橋剤（三
井東圧化学（株）製、オレスターＰ６０−ＳＸ）を２重
量部、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上
有する低分子量化合物としてジペンタエリスリトールヘ
キサアクリレート１５重量部を添加し紫外線硬化型粘着
剤溶液を得た。この粘着剤溶液をロールコーターにより
ポリプロピレンフィルムの表面に塗布し、１１０℃にお
いて２分間乾燥し、厚さ１５μｍの粘着剤祖を設け、次
いで、得られた粘着剤層表面に、コロナ放電処理を施し
た厚さ２００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合樹脂フ
ィルムの該処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転
写させることにより紫外線硬化型粘着剤層を有する半導
体ウエハ研削用フィルムを作製した。この半導体ウエハ
研削用フィルムについて、粘着力およびウエハ表面の汚
染性を上記方法で評価した。得られた結果を〔表１〕に
示す。

【００４１】実施例２ アクリル酸エチル４２重量部、アクリル酸２−エチルヘ
キシル２５重量部、アクリル酸メチル１８重量部、メタ
クリル酸グリシジルの添加量を１５重量部、アクリル酸
の添加量を７．５重量部、そしてジペンタエリスリトー
ルヘキサアクリレートの添加量を０．５重量部とした以
外は、実施例１と同様にして紫外線硬化型粘着剤層を有
する半導体ウエハ研削用フィルムを作製した。得られた
半導体ウエハ研削用フィルムを実施例１と同様にして評
価した。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００４２】実施例３ 分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する
低分子量化合物としてペンタエリスリトールテトラアク
リレート５重量部を用い、光開始剤を１０重量部とした
以外は、実施例１と同様にして紫外線硬化型粘着剤層を
有する半導体ウエハ研削用フィルムを作製した。得られ
た半導体ウエハ研削用フィルムを実施例１と同様にして
評価した。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００４３】実施例４ 温度計、還流冷却機、滴下ロート、窒素導入口および撹
拌機を付けたフラスコに、脱イオン水１５０重量部、ア
ニオン系界面活性剤１．５重量部を入れ、窒素雰囲気下
で撹拌しながら７０℃まで昇温した後、過硫酸アンモニ
ウム（重合開始剤）０．５重量部を添加し溶解させ、次
いで、アクリル酸メチル２５．５重量部、アクリル酸−
２−エチルヘキシル２０重量部、アクリル酸エチル４
６．５重量部メタクリル酸８重量部からなるモノマー混
合物を４時間で連続滴下し、滴下終了後も３時間撹拌を
続けて重合し、固形分約４０重量％のアクリル系樹脂エ
マルジョン溶液を得た。この溶液を脱イオン水で希釈し
固形分を１３重量％としたのち、８％アンモニア水でｐ
Ｈ７に中和したのちメタクリル酸グリシジルを固形分１
００重量部に対して１０重量部、ジメチルエタノールア
ミン０．５重量部を添加し、空気を吹き込みながら６０
℃において１０時間反応させて光重合性炭素−炭素二重
結合が導入されたアクリル酸エステル共重合体溶液を得
た。この溶液に光重合開始剤としてベンゾフェノンを粘
着剤固形分１００重量部に対して７重量部、アジリジン
系架橋剤としてトリメチロールプロパン−トリ−β−ア
ジリジニルプロピオネート２重量部、および、分子内に
光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量
化合物としてペンタエリスリトールトリアクリレート１
５重量部を混合して紫外線硬化型粘着剤溶液を得た。以
下、実施例１と同様にして紫外線硬化型粘着剤層を有す
る半導体ウエハ研削用フィルムを作製した。得られた半
導体ウエハ研削用フィルムを実施例１と同様にして評価
した。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００４４】比較例１ 光開始剤の添加量を１重量部とした以外は、実施例１と
同様にして紫外線硬化型粘着剤層を有する半導体ウエハ
研削用フィルムを作製した。得られた半導体ウエハ研削
用フィルムを実施例１と同様にして評価した。得られた
結果を〔表１〕に示す。

【００４５】比較例２ 光開始剤の添加量を２重量部とした以外は、実施例２と
同様にして紫外線硬化型粘着剤層を有する半導体ウエハ
研削用フィルムを作製した。得られた半導体ウエハ研削
用フィルムを実施例１と同様にして評価した。得られた
結果を〔表１〕に示す。

【００４６】比較例３ 光開始剤の添加量を２０ 重量部とした以外は、実施例
１と同様にして紫外線硬化型粘着剤層を有する半導体ウ
エハ研削用フィルムを作製した。得られた半導体ウエハ
研削用フィルムを実施例１と同様にして評価した。得ら
れた結果を〔表１〕に示す。

【００４７】比較例４ ペンタエリスリトールヘキサアクリレートの添加量を３
０重量部、光開始剤の添加量を５重量部とした以外は、
実施例１と同様にして紫外線硬化型粘着剤層を有する半
導体ウエハ研削用フィルムを作製した。得られた半導体
ウエハ研削用フィルムを実施例１と同様にして評価し
た。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００４８】比較例５ 光開始剤の添加量を１重量部とした以外は、実施例４と
同様にして紫外線硬化型粘着剤層を有する半導体ウエハ
研削用フィルムを作製した。得られた半導体ウエハ研削
用フィルムを実施例１と同様にして評価した。得られた
結果を〔表１〕に示す。

【００４９】

【表１】

【００５０】

【発明の効果】本発明の方法により製造された半導体ウ
エハ裏面研削用フィルムは、半導体ウエハ表面を粘着剤
に起因する異物付着、残存粘着剤等により汚染すること
がない。また、従来の紫外線硬化型粘着剤層を有する粘
着フィルムと同程度の初期粘着力と紫外線照射による粘
着力低下性を有するので、これを薄肉化された半導体ウ
エハに適用すれば、研削応力による半導体ウエハの破
損、および剥離応力による半導体ウエハの破損を防止し
得る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｊ 7/02 ＪＬＦ // Ｃ０８Ｊ 5/14 9267−4Ｆ (72)発明者 武内 洋子 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光透過性の基材フィルムの片面に紫外線
   硬化型粘着剤を塗布、乾燥する半導体ウエハ裏面研削用
   フィルムの製造方法であって、該紫外線硬化型粘着剤
   が、分子中に光重合性炭素−炭素二重結合が導入された
   アクリル酸エステル系共重合体１００重量部、分子内に
   光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量
   化合物０．１〜２０重量部および光開始剤５〜１５重量
   部を含むことを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用フィ
   ルムの製造方法。
2. 【請求項２】 分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を
   ２個以上有する低分子量化合物と光重合開始剤の総量が
   ２５重量部以下であることを特徴とする請求項１記載の
   半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法。