JPH07193098A

JPH07193098A - 半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07193098A
Application number: JP6008854A
Authority: JP
Inventors: Toshisane Kawahara; 登志実川原; Mitsuhiro Oosawa; 満洋大澤; Hiroyuki Ishiguro; 宏幸石黒; Shinichiro Taniguchi; 伸一郎谷口; Mayumi Osumi; 真弓大隅; Shinya Nakaseko; 進也中世古; Sadatsugu Katou; 禎胤加藤; Junichi Kasai; 純一河西
Original assignee: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd; Fujitsu Ltd
Current assignee: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd; Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-11-22
Filing date: 1994-01-28
Publication date: 1995-07-28

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は半導体チップとこの半導体チップと接
続される基板とにより構成される半導体装置及びその製
造方法に関し、小型で電気的特性に優れかつ安価な半導
体装置を提供することを目的とする。【構成】基板を配線層８〜１０と絶縁層１１，１２が積
層された多層配線基板７とすると共に、絶縁層１１，１
２の所定位置に孔２０を形成し、複数の配線層８〜１０
を上記孔２０を介して一括的に塑性変形させて外部接続
用バンプとなる第１のメカニカルバンプ１３，チップ接
続用バンプとなる第１のメカニカルバンプ１４〜１６，
積層された配線層間を接続するビア部となるメカニカル
ビア１７，１８を形成する。また、上記複数の配線層８
〜１０の夫々に外部接続端子となるバンプを形成し、か
つこのバンプの基台からの高さを等しく形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法に係り、特に半導体チップとこの半導体チップと接
続される基板とにより構成される半導体装置及びその製
造方法に関する。

【０００２】近年、パーソナルコンピュータを始めとす
る電子機器は小型でしかも高速動作化（100MHz以上）が
指向され、実装基板上のＬＳＩ(Large Scale Integrate
d circuit)等の電子部品の実装密度を向上させる必要があ
る。また同時に、半導体装置自身の電気特性（高速動作
性）も要求されている。

【０００３】一方において、半導体装置の低価格化も近
年特に望まれているところである。

【０００４】そこで、小型で電気的特性に優れ、かつ安
価な半導体装置が望まれている。

【０００５】

【従来の技術】半導体装置内で電気特性を向上させるた
めには、ボンディング部を含む配線長をできるだけ短く
及び太くし、信号線と電源・グランド線を別の層にする
多層化が一般的である。

【０００６】この、電気特性に優れたボンディング法と
して一般的なのはバンプを介して半導体チップを接続す
るいわゆるフリップ・チップ法がある。従来、このフリ
ップ・チップ法を用いる場合、半田を半球状にして半導
体チップ上に形成されている電極バッドに半田バンプを
形成し、半導体チップを実装する実装基板に形成された
電極部と接続する（“ＬＳＩハンドブック”，オーム
社，社団法人電子通信学会1984編， 409頁〜 411頁参
照）か、またはＴＡＢ(Tape Automated Bonding)リード
の先端を金型パンチングして半球状に形成してバンプを
形成する方法（特開平３−２５２１４８号公報参照）等
が知られている。

【０００７】また、多層化においても、各層間の電気的
な接続をとる必要があり、一般的な方法としては接続を
行いたい部分に縦孔を形成し、この縦孔の内部にメッキ
を行い各層間を電気的に接続するいわゆるビア(Via）ホ
ール或いはスルーホールがある（“プリント回路技術便
覧”，日刊工業新聞社，社団法人日本プリント回路工
業会編， 8頁〜10頁参照）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、一般的に用
いられている半田バンプの形成、及びＴＡＢリードの先
端を金型パンチングしてバンプを形成する方法はその形
成工程が複雑で、また形成に際し高い精度を必要とされ
るため製造コストが高くなるという問題点があった。

【０００９】また、多層化を行うために必要なビアホー
ル或いはスルーホールの形成もホール内へのメッキ処理
或いは導電材の充填処理等が必要であり、製造工程が複
雑で製造コストが高くなり、また歩留りが悪いという問
題点がある。更に、ビアホールは基板強度及び形成性の
問題よりその配設ピッチに限界があり、ファインピッチ
化が困難であるという問題点がある。

【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、小型で電気的特性に優れかつ安価な半導体装置及
びその製造方法を提供することを目的とするものであ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、下記の各手段を講じたことを特徴とする
ものである。

【００１２】請求項１の発明では、半導体チップと、こ
の半導体チップと接続される基板とを具備する半導体装
置において、上記基板を配線層と絶縁層が積層された多
層配線基板とすると共に、この多層配線基板を構成する
絶縁層の所定位置に孔を形成し、積層された複数の配線
層を上記孔を介して一括的に塑性変形させて電極部を形
成したことを特徴とするものである。

【００１３】また、請求項２の発明では、上記電極部
を、積層された複数の配線層を上記孔を介して一括的に
塑性変形させて外側に突出させた構成の外部接続用バン
プとしたことを特徴とするものである。

【００１４】また、請求項３の発明では、上記電極部
を、積層された複数の配線層を上記孔を介して一括的に
塑性変形させて半導体チップに向けて突出させ半導体チ
ップと接続させた構成のチップ接続用バンプとしたこと
を特徴とするものである。

【００１５】また、請求項４の発明では、上記電極部
を、積層された複数の配線層を上記孔を介して一括的に
塑性変形させ、上記積層された配線層間を接続した構成
のビア部としたことを特徴とするものである。

【００１６】また、請求項５の発明では、上記電極部の
塑性変形方向に対する外側に、ロー材を配設したことを
特徴とするものである。

【００１７】また、請求項６の発明では、上記電極部の
上記塑性変形方向に対する内側に、補強材を配設したこ
とを特徴とするものである。

【００１８】また、請求項７の発明では、上記電極部
を、この電極部の形成位置において複数の配線層間に金
属層を介装した構成であることを特徴とするものであ
る。

【００１９】また、請求項８の発明では、上記電極部
を、上記塑性変形方向に対する内側に、上記積層された
複数の配線層を係合させる係合凹部を形成したことを特
徴とするものである。

【００２０】また、請求項９の発明方法では、絶縁層の
所定位置に孔を形成し、この孔が形成された絶縁層を配
線層に積層して接合させ多層配線基板を形成する多層配
線基板形成工程と、上記多層配線基板の上記孔の形成位
置に治具を挿入して上記配線層を一括的に塑性変形させ
て突出した電極部を形成する電極部形成工程と、上記電
極部が形成された多層配線基板に半導体チップを配設す
る半導体チップ搭載工程とを少なくとも具備することを
特徴とするものである。

【００２１】また、請求項１０の発明方法では、上記多
層配線基板形成工程において、上記絶縁層を配線層に積
層した後、所定パターンを有するレジストを上記配線層
に配設し、このレジストが配設された絶縁層及び配線層
をエッチング液に浸漬させ、続いてこのレジストを除去
することにより配線層を所定のパターンとなるようパタ
ーン形成したことを特徴とするものである。

【００２２】また、請求項１１の発明方法では、上記電
極部形成工程において、上記治具としてポンチ及び所定
形状のキャビティを有する金型を用い、このキャビティ
と絶縁層に形成された孔とが対向するよう上記多層配線
基板を金型に装着し、上記ポンチにより上記多層配線基
板を金型に向け押圧することにより上記配線層を塑性変
形することを特徴とするものである。

【００２３】また、請求項１２の発明方法では、上記電
極部形成工程において、上記電極部を構成する外部接続
用バンプとチップ接続用バンプとを一括的に同時形成す
ることを特徴とするものである。

【００２４】また、請求項１３の発明方法では、上記電
極部が形成された多層配線基板に半導体チップを配設す
る半導体チップ搭載工程を実施した後、上記半導体チッ
プを封止する樹脂を配設する樹脂封止工程を設けたこと
を特徴とするものである。

【００２５】また、請求項１４の発明では、基台上に、
半導体チップと、この半導体チップと接続される基板と
を具備する半導体装置において、上記基板を複数の配線
層と絶縁層とが積層された多層配線基板とすると共に、
上記複数の配線層の夫々に外部接続端子となるバンプを
形成し、かつ上記バンプの基台からの高さを等しく形成
したことを特徴とするものである。

【００２６】また、請求項１５の発明では、上記請求項
１４記載の半導体装置を製造する方法として、上記多層
配線基板の各配線層に夫々バンプとの接合性の良好な電
極を配設し、この電極の面積を上記配線層の高さに応じ
て変えると共に、この電極にバンプとなるバンプ基材を
配設し、このバンプ基材を加熱して溶融した際、バンプ
基材の高さが電極との接触面積に応じて変化することを
利用してバンプの基台からの高さを等しく形成すること
を特徴とするものである。

【００２７】また、請求項１６の発明では、請求項１４
記載の半導体装置を製造する方法として、上記バンプと
なるバンプ基材を大きさを異ならせて複数種類形成し、
上記複数の配線層の内、基板に対して低い位置に配設さ
れた配線基板層に最も大きなバンプ基材を配設し、また
基板に対して高さ位置が高くなるに従って順次大きさが
小さくなるよう種類を選定してバンプ基材を配線層に配
設した上で、上記バンプ基材に加熱処理を行い配線層に
接合させることを特徴とするものである。

【００２８】更に、請求項１７の発明では、請求項１６
記載の半導体装置の製造方法において、上記配線層にバ
ンプ基材を配設する際、上記多層配線基板と対向するよ
うマスク部材を配設し、このマスク部材に、配線層の高
さ位置に応じて配設されるバンプ基材の大きさに対応し
た孔を形成しておき、大きい該バンプ基材から順にこの
マスク部材を用いて各配線層上に該バンプ基材を配設す
ることを特徴とするものである。

【００２９】

【作用】上記の各手段は下記のように作用する。

【００３０】請求項１乃至４の発明によれば、配線層と
絶縁層とが積層形成された簡単な構成の多層配線基板に
対し、絶縁層に形成されている孔を介して配線層を一括
的に塑性変形させて電極部を形成することにより電極部
（外部接続用バンプ，チップ接続用バンプ，ビア部）を
形成することができる。電極部を形成するために実施さ
れる塑性加工は、治具を用いて平板状の配線層を例えば
半球状に外側に向け、或いは半導体チップに向け突出さ
せる加工であるため、上記電極部は極めて容易にかつ安
価に形成することができる。

【００３１】また、多層配線基板に形成された孔は絶縁
層のみに形成されおり、配線層には孔は形成されていな
い。即ち、多層配線基板にはこれを貫通する孔は形成さ
れず、電極部を高密度に形成しても多層配線基板の強度
が低下するようなことはない。このため、電極部の形成
をファインピッチ化することができ、これに伴い半導体
装置の小型化を図ることができる。

【００３２】更に、多層配線基板を構成する複数の配線
層は電極部において電気的に接続されるため、従来のビ
アホール或いはスルーホールと同一の機能を実現するこ
とができる。また上記のように電極部は塑性加工により
極めて容易にかつ安価に形成することができる。このた
め、電極部により多層間の電気的接続を行うことによ
り、多層間の電気的接続構造を極めて容易にかつ安価に
実現することができる。また、塑性加工による電極形成
は歩留りがよく、これによっても半導体装置の製造コス
トを低減することができる。

【００３３】また、請求項５の発明によれば、電極部の
塑性変形方向に対する外側にロー材を配設することによ
り、電極部の塑性加工時における打ち出し深さ（突出
量）を小さくすることができ、電極となる配線層に印加
される負荷の低減を図ることができると共に、半導体装
置が実装される実装基板に対する接合性の向上を図るこ
とができる。

【００３４】また、請求項６の発明によれば、電極部の
塑性変形方向に対する内側に補強材を配設したことによ
り、形成される電極部の強度を向上させることができる
と共に、塑性加工時における電極部のスプリングバック
を防止することができ、電極部の形状の安定化を図るこ
とができる。

【００３５】また、請求項７の発明によれば、電極部の
形成位置において複数の配線層間に金属層を介装した構
成とすることにより、各配線層間の電気的接続を確実に
行うことができると共に、各配線層間の機械的接合を確
実に行うことができる。

【００３６】また、請求項８の発明によれば、電極部の
塑性変形方向に対する内側に、積層された複数の配線層
を係合させる係合凹部を形成することにより、この係合
凹部により複数の配線層の機械的接合強度は向上し、各
配線層の接合を確実に行うことができる。

【００３７】また、請求項９の発明方法によれば、多層
配線基板形成工程，電極部形成工程，及び半導体チップ
搭載工程共に確立された汎用技術を用いて実施できる工
程であるため、上記のように電気特性に優れかつ小型化
を実現できる半導体装置を容易にかつ安価に製造するこ
とができる。

【００３８】また、請求項１０の発明方法によれば、多
層配線基板形成工程において、いわゆるエッチング法を
用いて配線層のパターニングを行うため、容易にかつ生
産性良く多層配線基板を製造することができる。

【００３９】また、請求項１１の発明方法によれば、電
極部形成工程において、ポンチ及び所定形状のキャビテ
ィを有する金型を用いて電極部の塑性加工を行うことに
より、極めて簡単な製造設備で精度良く電極部を形成す
ることができ、半導体装置を安価に製造することができ
る。

【００４０】また、請求項１２の発明方法によれば、電
極部形成工程において、電極部を構成する外部接続用バ
ンプとチップ接続用バンプとを一括的に同時形成するこ
とにより、極めて生産性よく電極部を形成することがで
きる。

【００４１】また、請求項１３の発明方法によれば、半
導体チップ搭載工程を実施した後、樹脂封止工程を実施
することにより半導体チップは樹脂により封止され、半
導体チップの安定化を図ることができる。

【００４２】また、請求項１４の発明によれば、多層配
線基板上に形成されるバンプの基台からの高さが等しく
なるため、半導体装置を実装する際、バンプの実装基板
からのいわゆる浮きの発生を防止することができ、半導
体装置と実装基板との電気的接続を確実に行うことがで
きる。

【００４３】また、請求項１５乃至請求項１７によれ
ば、半導体装置と実装基板との電気的接続を確実に行う
ことができる請求項１４記載の半導体装置を容易に製造
することができる。

【００４４】

【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。

【００４５】図１は本発明の一実施例である半導体装置
１を示す縦断面図である。本実施例に係る半導体装置１
は、多層ＴＡＢを使用したランナーレスモールドパッケ
ージ構造とされている。

【００４６】同図において、２は半導体チップであり、
その側部をパッケージを構成する基板３に接着剤４によ
り接着されている。上記のように本実施例に係る半導体
装置１はランナーレスモールドパッケージ構造とされて
いるため、基板３には樹脂流入口３５が形成されてお
り、この樹脂流入口３５には封止樹脂５が充填されてい
る。また、封止樹脂５が充填された樹脂流入口３５の上
部には金属板よりなる蓋体６が配設され樹脂流入口３５
を閉蓋している。

【００４７】上記の半導体チップ２及び基板３の下部に
は多層配線基板７が配設されている。この多層配線基板
７は、大略すると配線層８〜１０と絶縁層１１，１２を
交互に積層した構造とされており、所定位置に本発明の
要部となる電極部である第１のメカニカルバンプ１３，
第２のメカニカルバンプ１４〜１６，及びメカニカルビ
ア１７，１８が形成された構造とされている。

【００４８】配線層８〜１０は、例えば金（Ａｕ），銅
（Ｃｕ）等の延展性に富み、かつ導電性の良好な金属に
より形成されている。この配線層８〜１０は、後述する
エッチング処理により所定の形状にパターニングされて
いる。また、絶縁層１１，１２は所定の合成を有した絶
縁性樹脂（例えばエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂、ガラ
スクロスを基材にしたいわゆるプリプレグ等）により形
成されており、電極部１３〜１８の形成位置には孔２０
が形成されている。

【００４９】多層配線基板７に形成される電極部の内、
第１のメカニカルバンプ１３は、半導体装置１が実装さ
れる実装基板（図示せず）と接続される外部接続用バン
プである。

【００５０】この第１のメカニカルバンプ１３は、上記
のように絶縁層１１，１２を介して積層された複数の配
線層８〜１０を絶縁層１１，１２に形成されている孔２
０を介して一括的に塑性変形させて外側方向（図におけ
る下方向）に突出させ、構成されている。図示されるよ
うに本実施例においては、第１のメカニカルバンプ１３
の形成位置において複数の配線層８〜１０は接合され電
気的に接続された構成となっている。

【００５１】また、多層配線基板７に形成される電極部
の内、第２のメカニカルバンプ１４〜１６は、半導体チ
ップ２と接続されるチップ接続用バンプである。

【００５２】この第２のメカニカルバンプ１４〜１６
は、第１のメカニカルバンプ１３と同様に絶縁層１１，
１２を介して積層された複数の配線層８〜１０を絶縁層
１１，１２に形成されている孔２０を介して一括的に塑
性変形させることにより形成されている。但し、その塑
性変形方向は第２のメカニカルバンプ１４〜１６が内側
方向（図における上方向）に突出するよう、換言すれば
半導体チップ２に向かって突出するよう構成されてい
る。

【００５３】本実施例においては、第２のメカニカルバ
ンプ１４は配線層８のみを塑性変形させ半導体チップ２
に向け突出させた構成とされており、第２のメカニカル
バンプ１５は配線層８，９を一括的に塑性変形させ半導
体チップ２に向け突出させた構成とされており、更に第
２のメカニカルバンプ１５は配線層８〜１０の全てを一
括的に塑性変形させ半導体チップ２に向け突出させた構
成とされている。また、複数の配線層を一括的に塑性変
形させた第２のメカニカルバンプ１５，１６では、この
第２のメカニカルバンプ１５，１６の形成位置において
各配線層は電気的に接続されている。

【００５４】この各第２のメカニカルバンプ１４〜１６
は、半導体チップ２の下面に形成されている電極パッド
（図示せず）に電気的に接続されており、よって半導体
チップ２と多層配線基板７は電気的に接続される。ま
た、前記した樹脂流入口３５に充填された封止樹脂５
は、第２のメカニカルバンプ１４〜１６と半導体チップ
２との対向離間部分にも充填され、半導体チップ２と第
２のメカニカルバンプ１４〜１６との接合位置を保護し
ている。

【００５５】また、多層配線基板７に形成される電極部
の内、メカニカルビア１７，１８は、第１及び第２のメ
カニカルバンプ１３〜１６と同様に絶縁層１１，１２を
介して積層された複数の配線層８〜１０を絶縁層１１，
１２に形成されている孔２０を介して一括的に塑性変形
させることにより形成されている。但し、その塑性変形
方向は、本実施例においては第２のメカニカルバンプ１
４〜１６と同様に内側方向（図における上方向）に突出
するよう構成されている。しかるに、メカニカルビア１
７，１８は、多層配線基板７内における各層間の電気的
接続を行うものであり、外部接続基板或いは半導体チッ
プ２と接続するための構成要素ではないため、突出方向
は内側方向（上方向）に限定されるものではなく、外側
方向（下方向）に形成した構成としてもよい。

【００５６】本実施例においては、メカニカルビア１７
は配線層９のみを塑性変形させ配線層８に接続した構成
とされており、メカニカルビア１８は配線層９，１０を
一括的に塑性変形させて配線層８に接続した構成とされ
ている。よって、メカニカルビア１７，１８により多層
配線基板７内における層間接続が可能となり、従来のビ
アホール或いはスルーホールと同等の機能を奏すること
となる。

【００５７】上記の如く半導体装置１を構成することに
より、配線層８〜１０と絶縁層１１，１２とが積層形成
された簡単な構成の多層配線基板７に対し、絶縁層１
１，１２に形成されている孔２０を介して配線層を８〜
１０を単層或いは複数層を一括的に塑性変形させて電極
部である第１のメカニカルバンプ１３，第２のメカニカ
ルバンプ１４〜１６，及びメカニカルビア１７，１８を
形成することができる。

【００５８】また、多層配線基板７に形成された孔２０
は絶縁層１１，１２のみに形成されおり、配線層８〜１
０には孔は形成されていない。即ち、多層配線基板７に
はこれを貫通する孔は形成されず、電極部１３〜１８を
高密度に形成しても多層配線基板７の強度が低下するよ
うなことはない。このため、各電極部１３〜１８の形成
をファインピッチ化することができ、これに伴い半導体
装置１の小型化を図ることができる。

【００５９】更に、多層配線基板７を構成する複数の配
線層８〜１０は各電極部１３〜１８において電気的に接
続されるため、従来のビアホール或いはスルーホールと
同一の機能を実現することができる。これに加えて電極
部１３〜１８は塑性加工により極めて容易にかつ安価に
形成することができる。このため、電極部１３〜１８に
より多層間の電気的接続を行うことにより、多層間の電
気的接続構造を極めて容易にかつ安価に実現することが
でき、また塑性加工による電極形成は歩留りがよく、こ
れによっても半導体装置１の製造コストを低減すること
ができる。

【００６０】続いて、図２を用いて多層配線基板７の製
造方法について説明する。尚、説明の便宜上、以下の説
明においては絶縁層２１と配線層２２を積層した２層の
多層配線基板７の製造方法を例に挙げて説明する。

【００６１】図２（Ａ）及び（Ｂ）は絶縁層２１とパタ
ーニングされる前の配線層２２とを積層する方法を示し
ている。図２（Ａ）は、パターニングされる前の平板状
の配線層２２上に、スクリーン印刷等により絶縁層２２
を塗布することにより各層２１，２２を積層したもので
ある。この絶縁層２２をスクリーン印刷する際、後に電
極が形成される位置に予め孔２０を形成するようマスク
等を用いてスクリーン印刷を行う。一方、図２（Ｂ）
は、パターニングされる前の金属板状の配線層２２と、
予め電極が形成される位置に予め孔２０が形成されたシ
ート状の絶縁層２２とを別個に用意し、これを重ね合わ
せ接合する方法を示している。

【００６２】図２（Ａ）或いは（Ｂ）に示される方法に
より絶縁層２１とパターニングされる前の配線層２２と
が接合されると、続いて図２（Ｃ）に示すように、マス
ク等を用いてパターニングされる前の配線層２２上の所
定位置にレジスト２３ａが配設される。レジスト８４の
配設位置は、多層配線基板７が形成された際、配線層２
２が残ってほしい位置に選定されている。

【００６３】上記のようにレジスト８４が配設される
と、続いて図２（Ｄ）に示されるようにレジスト８４が
配設され絶縁層２１及び配線層２２はエッチング液２４
が装填されているエッチング槽２５に浸漬され、レジス
ト８４が配設されていない部位における配線層２２が除
去される。図２（Ｅ）は上記エッチング処理が終了した
状態の絶縁層２１及び配線層２２を示している。また、
図２（Ｆ）は、前記した図２（Ａ）〜（Ｄ）に示される
工程を経ることにより図２（Ｅ）に示す配線槽パターン
と異なる配線槽パターンが形成された絶縁層２１及び配
線層２２が示されている。尚、上記のエッチング処理に
おいて、絶縁層２１を保護するためにエッチング液２４
に浸漬する前に絶縁層２１上に耐エッチング性のコート
材或いは保護フィルムを配設した上でエッチング処理を
行う構成としてもよい。

【００６４】図２（Ｇ）は、図２（Ｅ）に示された絶縁
層２１及び配線層２２よりなる基材と、図２（Ｆ）に示
された絶縁層２１及び配線層２２よりなる基材とをラミ
ネートロール２６により接合している状態を示してい
る。この際、各基材に形成されている孔２０は夫々位置
合わせして接合される。図２（Ｈ）は上記各基材が接合
された電極部形成前の多層配線基板７ａを示している。

【００６５】このように電極部形成前の多層配線基板７
ａが形成されると、後述する電極形成方法により電極部
が形成され、図２（Ｉ）に示す多層配線基板７が形成さ
れる。尚、図２（Ｉ）には電極部として第１のメカニカ
ルバンプ１３を形成した例を示している。

【００６６】上記してきた多層配線基板形成工程は、確
立された汎用技術であるスクリーン印刷法，メッキ法，
熱圧着法等を用いて実施できる工程であるため、簡単な
製造設備でかつ簡単な処理により多層配線基板７を形成
することができ、多層配線基板７を容易にかつ安価に製
造することができる。尚、上記した実施例ではラミネー
トロール２６により図２（Ｅ）に示された絶縁層２１及
び配線層２２よりなる基材と、図２（Ｆ）に示された絶
縁層２１及び配線層２２よりなる基材とを接合する例を
示したが、ラミネートロール２６に代えて真空プレス装
置等を用いて接合する構成としもよい。

【００６７】続いて、各電極部１３〜１８の形成方法に
ついて説明する。先ず図３乃至図１１を用いて第１のメ
カニカルバンプ１３及び第２のメカニカルバンプ１４〜
１６の形成方法について説明する。尚、第１のメカニカ
ルバンプ１３と第２のメカニカルバンプ１４〜１６と
は、前記したように塑性加工の方向が異なる（第１のメ
カニカルバンプ１３は外側方向，第２のメカニカルバン
プ１４〜１６は内側方向）のみで、基本的な形成方法は
同一であるため、第１のメカニカルバンプ１３の形成方
法を例に挙げて説明するものとする。また、説明及び図
示の便宜上、図３乃至図９においては多層配線基板７は
絶縁層２１と配線層２２，２３とにより構成される３層
構造のものを例に挙げて説明する。

【００６８】図３は、第１のメカニカルバンプ１３（電
極部）の基本的な形成方法を示している。第１のメカニ
カルバンプ１３を形成するには、先ず図３（Ａ）に示す
ように、前記した多層配線基板形成工程により形成され
た電極部形成前の多層配線基板７ａをメカニカルバンプ
金型２７の上部に載置する。このメカニカルバンプ金型
２７には形成しようとする第１のメカニカルバンプ１３
の形状に対応したキャビティ２７ａが形成されている。
電極部形成前の多層配線基板７ａをメカニカルバンプ金
型２７に載置する際、絶縁層２１に形成されている孔２
０の中心がキャビティ２７ａの中心に位置合わせされる
よう載置する。

【００６９】続いて、図３（Ｂ）に示すように、多層配
線基板７ａの上部よりメカニカルバンプ金型２７のキャ
ビティ２７ａに向けポンチ２９を下降させ、孔２０の形
成により露出された状態の配線層２２，２３を一括的に
塑性変形させ半球形状の第１のメカニカルバンプ１３を
形成する。この際、加工性を良好にするため、本実施例
においてはメカニカルバンプ金型２７の下部に、このメ
カニカルバンプ金型２７を加熱するヒータ２８が配設さ
れている。

【００７０】このように、単にメカニカルバンプ金型２
７及びポンチ２９等の治具のみで第１のメカニカルバン
プ１３は形成されるため、容易にかつ簡単な製造設備で
多層配線基板７に第１のメカニカルバンプ１３を形成す
ることができる。よって、半導体装置１を低コストで製
造することができる。

【００７１】尚、配線層２２，２３を一括的に塑性変形
させることにより、各配線層２２，２３は電気的に接続
されるが、より確実に配線層２２，２３を接合させるた
めに、図３（Ｃ）に示すように、メカニカルバンプ金型
２７とポンチ２９の間に電圧を印加し、ポンチ２９を溶
接電極として配線層２２と配線層２３とを溶接する構成
としてもよい。

【００７２】図４は多層配線基板７に複数の第１のメカ
ニカルバンプ１３を形成する方法を示したものである。
多層配線基板７に複数の第１のメカニカルバンプ１３を
形成するには、図４（Ａ）に示すようにポンチ２９を移
動可能な第１の上型３０に配設し、第１の上型３０の移
動に伴い一つずつ第１のメカニカルバンプ１３を形成す
る構成としても良く、また図４（Ｂ）に示すように第１
の上型３０に予め複数のポンチ２９を配設しておき、複
数の第１のメカニカルバンプ１３を一括的に同時に形成
する構成としても良い。

【００７３】図４（Ｃ）及び（Ｄ）は第１の上型３０を
平面的に見た図である。各図に示されるようにポンチ２
９は第１の上型３０に所定の配設パターン（例えばマト
リックス状，千鳥状，その他のパターンでも可）で配設
される。しかるに、複数の第１のメカニカルバンプ１３
を一括的に同時に形成する際、第１のメカニカルバンプ
１３が形成不要な部位が存在する場合には、図４（Ｃ）
に●で示すようにポンチ２９を配設しない抜き部３２を
形成すれば良い。また、長さや太さの異なるポンチ２９
を選択的に配設することができるよう、第１の上型３０
をポンチ２９が交換可能な構成としても良い。尚、図４
（Ｄ）は抜き部３２を設けない構成の第１の上型３０を
示している。

【００７４】図５は、第１のメカニカルバンプ１３と第
２のメカニカルバンプ１４〜１６を一括的に同時に塑性
変形加工する方法を示している。

【００７５】第１及び第２のメカニカルバンプ１３〜１
６を一括的に形成するには、第１のメカニカルバンプ１
３を形成するための第１の上型３０及び第１の下型（メ
カニカルバンプ金型）３１と、第２のメカニカルバンプ
１４〜１６を形成するための第２の上型（メカニカルバ
ンプ金型）３３及び第２の下型３４とを用意する。前記
したように、第１のメカニカルバンプ１３の突出方向と
第２のメカニカルバンプ１４〜１６の逆方向となるた
め、第１の上型３０には第１のメカニカルバンプ１３を
形成するためのポンチ２９が配設されており、また第２
の下型３４に第２のメカニカルバンプ１４〜１６を形成
するためのポンチ３５が配設されている。

【００７６】そして、上記の各金型３０〜３４を同時に
駆動させることができる駆動機構（図示せず）に配設し
駆動させることにより、図５（Ｂ）に示す如く第１及び
第２のメカニカルバンプ１３〜１６を同一の多層配線基
板７に一括的に形成することができる。図５（Ｃ）は上
記の形成方法により第１のメカニカルバンプ１３及び第
２のメカニカルバンプ１４〜１６が一括的に形成された
多層配線基板７を示している。

【００７７】このように、種類の異なる電極部（第１の
メカニカルバンプ１３，第２のメカニカルバンプ１４〜
１６）を同時に形成することも可能である。また、第１
のメカニカルバンプ１３及び第２のメカニカルバンプ１
４〜１６の形成時に、メカニカルビア１７，１８を同時
に一括的に形成することも可能である。よって、上記形
成方法を採用することにより、各電極部１３〜１８の形
成を極めて生産性よく形成することができる。

【００７８】図６は、図３に示した第１のメカニカルバ
ンプ１３の形成方法の第１の変形例を示している。本変
形例における第１のメカニカルバンプ１３の形成方法で
は、図６（Ａ）に示されるように、第１のメカニカルバ
ンプ１３を塑性加工する前に、メカニカルバンプ金型２
７のキャビティ２７ａ内にロー材４０を配設しておくこ
とを特徴とする。

【００７９】従って、ポンチ２９により配線層２２，２
３を塑性加工する際、配線層２３はロー材４０に強く押
圧され、ロー材４０は配線層２３に接合される。従っ
て、形成された多層配線基板７は、図６（Ｃ）に示され
るように、第１のメカニカルバンプ１３の塑性方向に対
する外側（図中、下側）にロー材４０が配設された構成
となる。

【００８０】上記のように第１のメカニカルバンプ１３
の塑性変形方向に対する外側にロー材４０を配設するこ
とにより、第１のメカニカルバンプ１３の塑性加工時に
おける打ち出し深さ（突出量）を小さくすることがで
き、第１のメカニカルバンプ１３となる配線層２２，２
３に印加される負荷の低減を図ることができると共に、
半導体装置１の実装時においては、半導体装置１実装さ
れる実装基板（図示せず）に対する接合性の向上を図る
ことができる。尚、このロー材４０の配設は第１のメカ
ニカルバンプ１３に限定されるものではなく、第２のメ
カニカルバンプ１４〜１６の形成に際しても適用できる
ものである。

【００８１】図７は、図３に示した第１のメカニカルバ
ンプ１３の形成方法の第２の変形例を示している。本変
形例における第１のメカニカルバンプ１３の形成方法で
は、図７（Ｂ）に示されるように、第１のメカニカルバ
ンプ１３を塑性加工する際に、ポンチ２９と配線層２２
との間に補強材４１を配設しておくことを特徴とするも
のである。

【００８２】この補強材４１は、例えばアルミニウム
（Ａｌ）或いは銅（Ｃｕ）等の金属ブロック、或は樹
脂、セラミックス等であり、図７（Ａ）に示すように電
極形成前の多層配線基板７ａをメカニカルバンプ金型２
７に載置した後、配線層２２のキャビティ２７ａの上部
に載置するか、或いはポンチ２９の先端部に仮止めした
状態で図７（Ｂ）に示すように塑性加工を行う。

【００８３】上記の如く補強材４１を介在させて塑性加
工を行うことにより、図７（Ｃ）に示されるように、補
強材４１は半球状に突出した第１のメカニカルバンプ１
３の内側に埋設された構造となる。このように、第１の
メカニカルバンプ１３に補強材４１を配設することによ
り、形成される第１のメカニカルバンプ１３の機械的強
度を向上させることができると共に、塑性加工時におけ
る各配線層２２，２３のスプリングバック（弾性復元）
を防止することができ、第１のメカニカルバンプ１３の
形状の安定化を図ることができる。尚、補強材４１の配
設は第１のメカニカルバンプ１３に限定されるものでは
なく、他の構造の電極部（第２のメカニカルバンプ１４
〜１６，及びメカニカルビア１７，１８）の形成に際し
ても適用することができるものである。

【００８４】図８は、図３に示した第１のメカニカルバ
ンプ１３の形成方法の第３の変形例を示している。本変
形例における第１のメカニカルバンプ１３の形成方法で
は、図８（Ａ）に示されるように、第１のメカニカルバ
ンプ１３を塑性加工する前に、配線層２３の孔２０と対
向する部位に金属メッキ層４２を配設しておくことを特
徴とするものである。

【００８５】この金属メッキ層４２としては、例えば半
田メッキ，アルミニウム（Ａｌ）メッキ，或いは錫（Ｓ
ｎ）メッキ等を採用することができる。この金属メッキ
層４２は、予め配線層２３に形成しておいてもよく、ま
た配線層２３を絶縁層２１に配設する際形成してもよ
い。

【００８６】上記の如く金属メッキ層４２を配線層２３
に形成しておくことにより、図８（Ｂ）に示すようにポ
ンチ２９により配線層２２，２３を塑性加工する際、金
属メッキ層４２は配線層２２と配線層２３との間に挟ま
れ挟持された構成となる。このように、各配線層２２，
２３の間に金属メッキ層４２を配設することにより、図
８（Ｃ）に示されるように金属メッキ層４２は潰されて
配線層２２，２３間に配設されるため、各配線層２２，
２３間の電気的接続を確実に行うことができると共に、
各配線層２２，２３間の機械的接合を確実に行うことが
できる。

【００８７】尚、金属メッキ層４２の配設は第１のメカ
ニカルバンプ１３に限定されるものではなく、他の構造
の電極部（第２のメカニカルバンプ１４〜１６，及びメ
カニカルビア１７，１８）の形成に際しても適用するこ
とができるものである。また、金属メッキ層４２の形成
位置は、配線層２３に限定されるものではなく、配線層
２２に形成する構成としてもよい。また、配線層２２，
２３間に配設させる構成であれば、メッキ層に限定され
ず蒸着，スパッタリング，印刷等の他の形成方法により
金属膜を形成する構成としてもよい。

【００８８】図９は、図３に示した第１のメカニカルバ
ンプ１３の形成方法の第４の変形例を示している。本変
形例における第１のメカニカルバンプ１３の形成方法で
は、図９（Ａ）及び（Ｂ）図３に示した第１のメカニカ
ルバンプ１３の形成方法と同様の方法でポンチ２９を用
いて第１のメカニカルバンプ１３を塑性加工した後、図
９（Ｃ）に示されるように、形成された第１のメカニカ
ルバンプ１３に更に径寸法の小さなポンチ４３を用いて
第１のメカニカルバンプ１３の中央部分に係合凹部４４
を形成（打ち出し加工）したことを特徴とするものであ
る。図９（Ｄ）は、上記の方法により係合凹部４４が形
成された第１のメカニカルバンプ１３を有する多層配線
基板７を示している。

【００８９】上記のように、第１のメカニカルバンプ１
３の塑性変形方向に対する内側に係合凹部４４を形成す
ることにより、この係合凹部４４により複数の配線層２
２，２３の機械的接合強度は向上し、各配線層２２，２
３の接合を確実に行うことができる。

【００９０】尚、係合凹部４４の形成は第１のメカニカ
ルバンプ１３に限定されるものではなく、他の構造の電
極部（第２のメカニカルバンプ１４〜１６，及びメカニ
カルビア１７，１８）の形成に際しても適用することが
できるものである。

【００９１】図１０は、３層の配線層２２，２３，４６
を有した多層配線基板７ａにおける第１のメカニカルバ
ンプ１３の形成方法を示している。本実施例において
は、図１０（Ａ）に示されるように、多層配線基板７ａ
左側位置において前記してきた２層の配線層を接合し、
右側位置において３層の配線層を接合する構成を示して
いる。

【００９２】いま、本実施例においては、３層の配線層
を接合する部位において、電気回路的には配線層２２を
配線層４６に接続したいものとする。しかるに、配線層
２２は最上部の配線層であり、配線層４６は最下部の配
線層であり、両者間の距離は長い。このため、単に配線
層２２及び配線層４６をポンチ２９により塑性変形させ
て突出成形すると、最上部の配線層２２の塑性変形量が
大きくなり大きな負荷が印加されて破断するおそれがあ
る。

【００９３】このため本実施例においては、最上部の配
線層２２と最下部の配線層４６との間に中間配線層３６
を配設することにより、最上部の配線層２２に過大な負
荷が印加されないよう構成されている。よって、図１０
（Ｂ）に示されるようにポンチ２９を用いて第１のメカ
ニカルバンプ１３の形成を行う際、配線層２２に対する
過大な負荷の印加が防止され、配線層２２の破断が生じ
るようなことはない。図１０（Ｃ）は上記のように形成
された第１のメカニカルバンプ１３を有する多層配線基
板７を示している。

【００９４】尚、中間配線層３６の形成は第１のメカニ
カルバンプ１３に限定されるものではなく、他の構造の
電極部（第２のメカニカルバンプ１４〜１６，及びメカ
ニカルビア１７，１８）の形成に際しても適用すること
ができるものである。

【００９５】上記してきた電極部の形成方法の説明にお
ては、多層配線基板７に対して電極部を形成する例を挙
げて説明したが、図１１（Ａ），（Ｂ）に示されるよう
に、配線層２１と絶縁層２２とからのみ構成される単層
の配線基板に対しても応用できることは勿論である。

【００９６】図１２及び図１３はメカニカルビア１７，
１８の形成方法を示している。図１２は二つの配線層２
１，２３を接続する方法を示しており、図１３は三つの
配線層２１，２３，４６を接続する方法を示している。

【００９７】図１２に示す二つの配線層２２，２３を接
続する方法は、図３を用いて説明した第１のメカニカル
バンプ１３の形成方法と略同一であるが、第１のメカニ
カルバンプ１３の形成に際しては第１のメカニカルバン
プ１３は外部接続用のバンプとするため塑性加工方向に
対し外側に大きく突出させた構成としたのに対し、メカ
ニカルビア１７，１８の形成の場合は多層配線基板７内
で電気的に接続されれば足る。このため、図１２（Ｂ）
に示されるように、メカニカルビア１７の形成に際して
は配線層２２のみをポンチ２９により塑性加工して変形
させ配線層２３に電気的に接続する構成とされている。

【００９８】また、図１３に示す三つの配線層２２，２
３，４６を接続する方法は、図１０を用いて説明した第
１のメカニカルバンプ１３の形成方法（同図の右側に形
成される第１のメカニカルバンプ１３の形成方法）と略
同一であり、最上部の配線層２２と最下部の配線層４６
との間に中間配線層３６を配設することにより、最上部
の配線層２２に過大な負荷が印加されないよう構成され
ている。しかるに、メカニカルビア１８の形成の場合に
おいても各配線層２２，３６，４６は多層配線基板７内
で電気的に接続されれば足るため、図１３（Ｂ）に示さ
れるように、メカニカルビア１８の形成に際しては配線
層２２及び中間配線層３６のみをポンチ２９により塑性
加工して変形させ配線層４６に電気的に接続する構成と
されている。

【００９９】上記のように、従来におけるビアホール或
いはスルーホールとして機能するメカニカルビア１７，
１８は、塑性加工のみにより形成することができ、従来
必要とされた基板への孔開け作業，メッキ処理等の面倒
でコストが掛かる作業を用いることなく容易に形成する
ことができるため、半導体装置１を低コストで製造する
ことができる。

【０１００】図１４は、本発明の技術を半導体装置５０
が配設される実装基板５１に適用した例を示している。
同図に示す実装基板５１は、基材５１上に前述してきた
多層配線基板７と同様に配線層２２，２３及び絶縁層２
１が積層された構成とされている。このような実装基板
５１においても、メカニカルビア１７を形成することに
より層間の電気的接続を安価かつ容易に実現することが
できる。

【０１０１】図１５は、図１３を用いて説明した構造を
有する多層配線基板７をランナーレスモールドパッケー
ジ構造の半導体装置５５に採用した例を示している。

【０１０２】同図において５６は基板であり、その底部
には樹脂が充填された樹脂流入部６２が形成されてい
る。この樹脂流入部６２の下部には金属板６３が配設さ
れており樹脂流入部６２が閉蓋された構造となってい
る。また、基板５６の上面部には半導体チップ２，リー
ド６０，及び前記した多層配線基板７等が配設されてい
る。半導体チップ２は、枠体５８及び封止蓋体５９によ
り外部に対して封止された構成とされている。

【０１０３】多層配線基板７は、図中その左端部が段差
状とされて各配線層２２，２３，４６が階段状に露出し
た構成とされており、各配線層２２，２３，４６と半導
体チップ２に形成された電極パッド（図示せず）との間
にはワイヤ６１が配設されている。この構成により、多
層配線基板７は半導体チップ２と電気的に接続される。
また多層配線基板７の図中右端部においては、配線層２
２，２３，４６はリード６０と接続されており（図１５
では配線層４６とリード６０とが導電性接合材８５を介
して接続した例を示している）、よって半導体チップ２
とリード６０は多層配線基板７により電気的に接続され
る。

【０１０４】このような半導体装置５５に用いられ、半
導体チップ２とリード６０を電気的に接続する多層基板
は、従来各配線層の接続をビアホールやスルーホールを
用いて行っていたが、従来の多層基板に代えて多層配線
基板７を用いることにより半導体装置１１の低コスト化
を図ることができる。

【０１０５】図１６乃至図２０は、多層配線基板７への
半導体チップ２の実装構造を示している。

【０１０６】図１６に示す半導体装置７０は、半導体チ
ップ２をダイボンド材層６５を用いて多層配線基板７に
固定すると共に、多層配線基板７と半導体チップ２との
電気的接続をワイヤ６１を用いて行う構成とされてい
る。また、半導体チップ２を封止樹脂６４をポッティン
グすることにより封止した構成とされている。

【０１０７】また、図１７に示す半導体装置７１は、図
１６に示した半導体装置７０と同様に、半導体チップ２
をダイボンド材層６５を用いて多層配線基板７に固定す
ると共に、多層配線基板７と半導体チップ２との電気的
接続をワイヤ６１を用いて行う構成とされている。ま
た、半導体チップ２の樹脂封止は、封止樹脂６４を金型
を用いてモールドすることにより行った構成である。

【０１０８】また、図１８に示す半導体装置７２は、多
層配線基板７と半導体チップ２との電気的接続を、多層
配線基板７に形成された第２のメカニカルバンプ１４〜
１６を用いて行う構成とされており、この第２のメカニ
カルバンプ１４〜１６と半導体チップ２の電気的接続位
置を保護するため封止樹脂６４が配設されている。

【０１０９】また、図１９に示す半導体装置７３は、多
層配線基板７の図中右端部にリードフィンガー６６を形
成し、半導体チップ２上の電極バンプ（図示せず）との
電気的接続を行うよう構成した、いわゆるＴＡＢ構造の
ものである。この構成においてもリードフィンガー６６
と半導体チップ２の電気的接続位置を保護するため封止
樹脂６４が配設されている。

【０１１０】更に、図２０に示す半導体装置７４は、多
層配線基板７に第１のメカニカルバンプを形成する代わ
りにガルウイング状のリード６７を配設したものであ
る。尚、同図において図１に示した構成要素と対応する
構成要素には同一符号を付してその説明を省略した。

【０１１１】上記したように、第１のメカニカルバンプ
１３，第２のメカニカルバンプ１４〜１６，及びメカニ
カルビア１７，１８の形成は、多層配線基板７が組み込
まれる半導体装置１，５５，７０〜７４の構造により適
宜選定して形成することが可能であり、第１のメカニカ
ルバンプ１３，第２のメカニカルバンプ１４〜１６，及
びメカニカルビア１７，１８は種々の構造を有する半導
体装置に対して広範囲に適用することが可能である。

【０１１２】図２１は、多層配線基板７に対する半導体
チップ２のチップ搭載工程及び樹脂封止工程を説明する
ための図である。本実施例においては、図１に示した半
導体装置１のチップ搭載工程及び樹脂封止工程を例に挙
げて説明する。

【０１１３】図２１（Ａ）は、前記した多層配線基板形
成工程及び電極部形成工程により第１のメカニカルバン
プ１３，第２のメカニカルバンプ１４〜１６，及びメカ
ニカルビア１７，１８（図に現れず）が形成された多層
配線基板７を示している。

【０１１４】この多層配線基板７には、先ず半導体チッ
プ２が搭載され、第２のメカニカルバンプ１４〜１６と
半導体チップ２に形成されている電極パッドとの接続処
理が行われる。図２１（Ｂ）は半導体チップ２が搭載さ
れた多層配線基板７を示している。半導体チップ２が搭
載されると、図２１（Ｃ）に示すように、続いて多層配
線基板７には基板３が配設される。この基板３には前記
のように樹脂流入口３５が形成されている。また、基板
３を多層配線基板７に配設する際、半導体チップ２の側
面と基板３は接着材４により接着される。

【０１１５】上記のように多層配線基板７に半導体チッ
プ２及び基板３が配設されると、図２１（Ｄ）に示すよ
うに、多層配線基板７は樹脂封止用上型８０及び樹脂封
止用下型８１とにより構成される金型に装着される。同
図において８２はプランジャであり、このプランジャ８
２の上部には樹脂タブレット８３が配設されている。そ
して、図示しない加熱手段により加熱しつつプランジャ
８２を上昇させることにより溶けた樹脂タブレット８３
は基板３に形成されている樹脂流入口３５に充填されて
ゆき、また第２のメカニカルバンプ１４〜１６と半導体
チップ２との対向離間部分にも流入してゆく。そし
て、封止樹脂５が樹脂流入口３５内に完全に充填された
状態で樹脂流入口３５に蓋体６を配設することにより図
１に示す半導体装置１が完成する。

【０１１６】続いて図２２を用いて第２の発明に係る半
導体装置１００について説明する。尚、前記した各実施
例と対応する構成については同一符号を付してその説明
を省略する。

【０１１７】半導体装置１００は、例えば金属製の基板
３に形成された凹部３ａに半導体チップ２をダイボンド
材層６５により接合されると共に、基板３の上面部には
多層配線基板１５５が配設されている。この多層配線基
板１５５は、配線層１０８〜１１０と絶縁層１１１〜１
１３とにより構成されており、各層が交互に積層された
構成とされている。

【０１１８】また、多層配線基板１５５の図中右端部
（半導体チップ２に近い端部）は、絶縁層１１１〜１１
３が取り除かれ配線層１０８〜１１０が階段状に露出さ
れた状態となっている。そして、この露出された配線層
１０８〜１１０の端部と半導体チップ２との間にはワイ
ヤ６１が配設されている。また、多層配線基板１５５の
上部所定位置には、枠体１１６が配設されており、この
枠体１１６をダムとして封止樹脂５が半導体チップ２を
封止している。

【０１１９】一方、多層配線基板１５５の図中左端部も
絶縁層１１１〜１１３が取り除かれ配線層１０８〜１１
０が階段状に露出された状態となっており、この階段状
に露出された配線層１０８〜１１０には複数のバンプ１
３３ａ〜１３３ｃ（１３１）が形成されている。具体的
には、配線層１０８にバンプ１３３ａ（１３１）が、配
線層１０９にバンプ１３３ｂ（１３１）が、更に配線層
１１０にバンプ１３３ｃ（１３１）が夫々形成されてい
る。ここで、各バンプ１３３ａ〜１３３ｃ（１３１）の
高さに注目して説明する。

【０１２０】半導体装置８０を実装基板（図示せず）に
実装するには、各バンプ１３３ａ〜１３３ｃ（１３１）
の基板３の上面からの高さを等しくする必要がある。こ
れは、各バンプ１３３ａ〜１３３ｃ（１３１）の高さに
バラツキがある場合、高さの高いバンプは実装基板と当
接するが、高さの低いバンプは実装基板から浮いてしま
い、電気的接続が行われないおそれがあるからである。

【０１２１】上記のようにバンプ１３３ａ〜１３３ｃ
（１３１）は階段状とされた多層配線基板１５５の各配
線層１０８〜１１０上に形成されている。従って、仮に
各バンプ１３３ａ〜１３３ｃ（１３１）の大きさを等し
くした場合には上記多層配線基板１５５の階段形状に応
じてバンプの基板３からの高さが異なってしまう。この
高さの差は、絶縁層１１１〜１１３及び配線層１０８〜
１１０の厚さ寸法に対応する。よって、バンプ１３３ａ
〜１３３ｃ（１３１）を多層配線基板１５５に形成する
際、各バンプ１３３ａ〜１３３ｃ（１３１）の基板３の
上面からの高さを一致させる処理が必要となる。

【０１２２】以下、バンプ１３３ａ〜１３３ｃ（１３
１）の基板３の上面からの高さを一致させて形成する方
法について図２３乃至図３２を用いて説明する。図２３
乃至図２６はバンプを基板上面からの高さを一致させて
形成する第１の方法を示しており、また図２７乃至図３
２はバンプを基板上面からの高さを一致させて形成する
第２の方法を示している。尚、各図において（Ａ）で示
す図は側面を示しており、（Ｂ）で示す図は平面を示し
ている。

【０１２３】高さの等しいバンプを形成するには、先ず
図２３に示すように、絶縁層１１２，１１３を介して３
層の配線層１０８〜１１０が配設された多層配線基板１
５５にランド１３０を形成する。多層配線基板１５５
は、同図に示されるように予め階段状に形成されてお
り、また絶縁層１１２，１１３が除去されることにより
各配線層１０８〜１１０は露出した状態とされている。
ランド１３０は、この露出した各配線層１０８〜１１０
上に形成されている。

【０１２４】ランド１３０は半田濡れ性の良好な材質よ
りなり、例えば厚膜形成法，蒸着法，或いはメッキ法等
により所定位置に形成されている。この際、ランド１３
０は配線層１０８〜１１０の高さによってその面積を異
なるよう形成されている。具体的には、最も下部に配設
された配線層１０８（以下、下部配線層という）に形成
されるランド１３０ａはその面積が最も小さくされてお
り、その上部に形成され配線層１０９（以下、中間配線
層という），更にその上部に形成された配線層１１０
（以下、上部配線層という）の順でランド１３０ｂ，１
３０ｃは順次その面積が大きくなるよう構成されてい
る。

【０１２５】上記のように各配線層１０８〜１１０の上
部に所定面積を有するランド１３０ａ〜１３０ｃが形成
されると、続いて図２４に示すように、各ランド１３０
ａ〜１３０ｃの上部に半田ボール１３１が載置される。
この各ランド１３０ａ〜１３０ｃに載置される半田ボー
ル１３１はその大きさ（容積）が等しいものが選定され
ている。図２４に示される段階では、半田ボール１３１
は均一の大きさを有しているため、基板３の上面（同図
においては下部配線層１０８の底面がこれに相当する）
から半田ボール１３１の上端部までの高さ寸法は、下部
配線層１０８，中間配線層１０９，上部配線層１１０の
段差に応じて異なっている。

【０１２６】上記のように各ランド１３０ａ〜１３０ｃ
に半田ボール１３１が載置されると多層配線基板１５５
はリフロー炉に入れられ加熱処理が行われる。これによ
り、図２５に示されるように半田ボール１３１は溶融し
てその下部は各ランド１３０ａ〜１３０ｃの全面と接触
した構造となる。また、ランド１３０ａ〜１３０ｃとの
接触面より上部においては、半田ボール１３１は溶融す
ることにより発生する表面張力により球状の形状とな
る。

【０１２７】上記のようにランド１３０ａ〜１３０ｃの
面積は、形成される下部配線層１０８，中間配線層１０
９，上部配線層１１０に応じて異なるよう（即ち、いわ
ゆる濡れ面積が異なるよう）形成されている。従って、
面積が小さいランド１３０ａに配設された（換言すれば
濡れ面積が小さい下部配線層１０８に配設された）半田
ボール１３１（半田バンプ）は、図２５に示されるよう
に球形状となり、その高さ方向の長さは大きくなる。
尚、図には説明及び図示の便宜上半田ボール１３１は縦
長な断面楕円形状に描かれているが、実際においては重
力の関係上偏平な球形状となる。

【０１２８】また、面積が大きいランド１３０ｃに配設
された（換言すれば濡れ面積が大きい上部配線層１１０
に配設された半田ボール１３１（半田バンプ）は、図２
５に示されるように横長な断面形状となり、その高さ方
向の長さは小さくなる。

【０１２９】更に、中間配線層１０９においてはランド
１３０ｂの面積は下部配線層１０８に形成されたものと
上部配線層１１０に形成されたものとの中間の面積とな
り、よってその高さも下部配線層１０８に形成されたも
のと上部配線層１１０に形成されたものとの中間の高さ
となる。

【０１３０】上記説明から明らかなように、形成される
半田バンプ１３１の高さはランド１３０ａ〜１３０ｃの
面積により制御することが可能であり、各配線層１０８
〜１１０に形成される各ランド１３０ａ〜１３０ｃの面
積を適宜選定することにより、形成される半田バンプの
基板３からの高さを均一にすることができる。

【０１３１】図３２は、ランドの面積とその上部にハン
ダバンプを形成した場合のバンプ高さとの関係を示す図
である。同図では、ランドの面積はランド面積比として
示している。同図に示されるように、比較の基準となる
ランド面積比が１（具体的には、0.06mm²）であるもの
のバンプ高さが約 800μｍであるのに対して、ランド面
積が広いランド面積比が１０（具体的には、0.64mm²）
であるもののバンプ高さは略 400μｍと低くなってい
る。また、両者の中間に位置するランド面積比が３（具
体的には、0.20mm²）であるもののバンプ高さは略 620
μｍと上記したももの間の高さとなっている。同図から
も、半田バンプ１３１の高さをランド１３０ａ〜１３０
ｃの面積により制御することが判る。尚、同図に示す関
係を求めるために本発明者が行った実験の条件は下記の
通りである。

【０１３２】ランド材質：半田メッキ半田ボール材質：Ｐｂ／５Ｓｎ半田ボール直径：0.66mmφ 測定方法：焦点深度法次に、図２６乃至図３１を用いて、複数のバンプを基板
上面からの高さを一致させて形成する第２の方法につい
て説明する。

【０１３３】本方法により高さの等しいバンプを形成す
るには、先ず図２６に示すように、絶縁層１１２，１１
３を介して３層の配線層１０８〜１１０が配設された多
層配線基板１５５にランド１３０を形成する。この際、
ランド１３０の大きさはその形成位置に拘わらず等しい
面積とされている。尚、多層配線基板１５５は、第１の
方法と同様に予め階段状に形成されており、また絶縁層
１１２，１１３が除去されることにより各配線層１０８
〜１１０は露出した状態とされている。ランド１３０
は、この露出した各配線層１０８〜１１０上に形成され
ている。

【０１３４】また、ランド１３０が生成された多層配線
基板１５５の上部にはマスク１３２が配設される。この
マスク１３２は、大きさの異なる大径，中径，小径を有
する複数（本実施例では３種類）の孔１３２ａ〜１３２
ｃが穿設されている。大径の孔３２ａは、下部配線層１
０８に形成されたランド１３０と対向するよう形成され
ており、中径の孔１３２ｂは中間配線層１０９に形成さ
れたランド１３０と対向するよう形成されており、更に
小径の孔１３２ｃは上部配線層１１０に形成されたラン
ド１３０と対向するよう形成されている。上記構成のマ
スク１３２と多層配線基板１５５は、例えば図示しない
治具により相対位置がずれないよう保持される。

【０１３５】続いて、図２７に示されるように、大径の
孔１３２ａを通過するが他の孔１３２ｂ，１３２ｃは通
過しない径寸法を有する多数の大径半田ボール１３３ａ
をマスク１３２の上部に流し込む。これにより、大径半
田ボール１３３ａはマスク１３２に形成された大径の孔
１３２ａ内に進入し、その下端はランド１３０と当接す
る。尚、余った大径半田ボール１３３ａは除去する。

【０１３６】マスク１３２に形成された大径の孔１３２
ａの全てに大径半田ボール１３３ａが装着され埋められ
ると、続いて図２８に示されるように、中径の孔１３２
ｂを通過するが小径の孔１３２ｃは通過しない径寸法を
有する多数の中径半田ボール１３３ｂをマスク１３２の
上部に流し込む。これにより、中径半田ボール１３３ｂ
はマスク１３２に形成された中径の孔１３２ｂ内に進入
し、その下端はランド１３０と当接する。この際、大径
半田ボール１３３ａは大径の孔１３２ａの全てに装填さ
れているため、中径半田ボール１３３ｂが大径の孔１３
２ａ内に入り込むようなことはない。また、余った中径
半田ボール１３３ａは除去される。

【０１３７】マスク１３２に形成された中径の孔１３２
ｂの全てに中径半田ボール１３３ｂが装着され埋められ
ると、続いて図２９に示されるように、小径の孔１３２
ｃを通過する多数の小径半田ボール１３３ｃをマスク１
３２の上部に流し込む。これにより、小径半田ボール１
３３ｃはマスク１３２に形成された小径の孔１３２ｃ内
に進入し、その下端はランド１３０と当接する。この
際、大径半田ボール１３３ａ及び中径半田ボール１３３
ｂは大径の孔１３２ａ及び中径の孔１３２ｂの全てに装
填されているため、小径半田ボール１３３ｃが小径の孔
１３２ｃ以外の孔１３２ａ，１３２ｂに入り込むような
ことはない。

【０１３８】上記のように所定の孔１３２ａ〜１３２に
対する各径寸法を有する半田ボール１３３ａ〜１３３ｃ
の装填が終了すると、図３０に示すようにマスク１３２
が多層配線基板１５５から取り外される。しかるに、各
半田ボール１３３ａ〜１３３ｃは各ランド１３０の上部
に搭載された状態を維持する。

【０１３９】続いて、マスク１３２が取り外された多層
配線基板１５５は、例えばリフロー炉等に入れられ加熱
処理が行われる。これにより、各半田ボール１３３ａ〜
１３３ｃは溶融してランド１３０に接合され半田バンプ
が形成される。本方法においては、前記した第１の方法
と異なり各ランド１３０の面積は同一である。よって、
バンプの各配線層１０８〜１１０からの高さ寸法は、各
半田ボール１３３ａ〜１３３ｃの大きさ（容積）によっ
て決められることとなる。

【０１４０】容積の大なる大径半田ボール１３３ａは、
多層配線基板１５５の最も下部に配設されている下部配
線層１０８に形成されたランド１３０に配設されてお
り、容量が大きいため加熱して形成されるバンプの高さ
は最も高くなる。以下、同様の理由により、中間配線層
１０９に形成されるパンプ，上部配線層１１０に形成さ
れるパンプの順でその高さは低くなる。よって、予め各
半田ボール１３３ａ〜１３３ｃの容積を適宜設定してお
くことにより、図３１に示されるように、形成されるパ
ンプの高さを均一化することができる。

【０１４１】上記のように、第１の方法及び第２の方法
を用いることにより、多層配線基板１５５に形成された
階段状部分にバンプ１３１，１３３ａ〜１３３ｃを形成
する構成としても、ランド１３０ａ〜１３０ｃの面積或
いは半田ボール１３３ａ〜１３３ｃの容積を適宜設定し
ておくことにより、各バンプ１３１，１３３ａ〜１３３
ｃの基板３からの高さ寸法を容易に均一化することがで
きる。尚、上記実施例においては、多層配線基板１５５
として配線層が３層の構成のものを例に挙げて説明した
が、配線層の数はこれに限定されるものではないことは
勿論である。

【０１４２】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下記のよう
な種々の効果を奏するものである。

【０１４３】請求項１乃至４の発明によれば、配線層と
絶縁層とが積層形成された簡単な構成の多層配線基板に
対し、絶縁層に形成されている孔を介して配線層を一括
的に塑性変形させて電極部を形成することにより電極部
（外部接続用バンプ，チップ接続用バンプ，ビア部）を
形成することができる。電極部を形成するために実施さ
れる塑性加工は、治具を用いて平板状の配線層を例えば
半球状に外側に向け、或いは半導体チップに向け突出さ
せる加工であるため、上記電極部は極めて容易にかつ安
価に形成することができる。

【０１４４】また、多層配線基板に形成された孔は絶縁
層のみに形成されおり、配線層には孔は形成されていな
い。即ち、多層配線基板にはこれを貫通する孔は形成さ
れず、電極部を高密度に形成しても多層配線基板の強度
が低下するようなことはない。このため、電極部の形成
をファインピッチ化することができ、これに伴い半導体
装置の小型化を図ることができる。

【０１４５】更に、多層配線基板を構成する複数の配線
層は電極部において電気的に接続されるため、従来のビ
アホール或いはスルーホールと同一の機能を実現するこ
とができる。また上記のように電極部は塑性加工により
極めて容易にかつ安価に形成することができる。このた
め、電極部により多層間の電気的接続を行うことによ
り、多層間の電気的接続構造を極めて容易にかつ安価に
実現することができる。また、塑性加工による電極形成
は歩留りがよく、これによっても半導体装置の製造コス
トを低減することができる。

【０１４６】また、請求項５の発明によれば、電極部の
塑性変形方向に対する外側にロー材を配設することによ
り、電極部の塑性加工時における打ち出し深さ（突出
量）を小さくすることができ、電極となる配線層に印加
される負荷の低減を図ることができると共に、半導体装
置が実装される実装基板に対する接合性の向上を図るこ
とができる。

【０１４７】また、請求項６の発明によれば、電極部の
塑性変形方向に対する内側に補強材を配設したことによ
り、形成される電極部の強度を向上させることができる
と共に、塑性加工時における電極部のスプリングバック
を防止することができ、電極部の形状の安定化を図るこ
とができる。

【０１４８】また、請求項７の発明によれば、電極部の
形成位置において複数の配線層間に金属層を介装した構
成とすることにより、各配線層間の電気的接続を確実に
行うことができると共に、各配線層間の機械的接合を確
実に行うことができる。

【０１４９】また、請求項８の発明によれば、電極部の
塑性変形方向に対する内側に、積層された複数の配線層
を係合させる係合凹部を形成することにより、この係合
凹部により複数の配線層の機械的接合強度は向上し、各
配線層の接合を確実に行うことができる。

【０１５０】また、請求項９の発明方法によれば、多層
配線基板形成工程，電極部形成工程，及び半導体チップ
搭載工程共に確立された汎用技術を用いて実施できる工
程であるため、上記のように電気特性に優れかつ小型化
を実現できる半導体装置を容易にかつ安価に製造するこ
とができる。

【０１５１】また、請求項１０の発明方法によれば、多
層配線基板形成工程において、いわゆるエッチング法を
用いて配線層のパターニングを行うため、容易にかつ生
産性良く多層配線基板を製造することができる。

【０１５２】また、請求項１１の発明方法によれば、電
極部形成工程において、ポンチ及び所定形状のキャビテ
ィを有する金型を用いて電極部の塑性加工を行うことに
より、極めて簡単な製造設備で精度良く電極部を形成す
ることができ、半導体装置を安価に製造することができ
る。

【０１５３】また、請求項１２の発明方法によれば、電
極部形成工程において、電極部を構成する外部接続用バ
ンプとチップ接続用バンプとを一括的に同時形成するこ
とにより、極めて生産性よく電極部を形成することがで
きる。

【０１５４】また、請求項１３の発明方法によれば、半
導体チップ搭載工程を実施した後、樹脂封止工程を実施
することにより半導体チップは樹脂により封止され、半
導体チップの安定化を図ることができる。

【０１５５】また、請求項１４の発明によれば、多層配
線基板上に形成されるバンプの基台からの高さが等しく
なるため、半導体装置を実装する際、バンプの実装基板
からのいわゆる浮きの発生を防止することができ、半導
体装置と実装基板との電気的接続を確実に行うことがで
きる。

【０１５６】更に、請求項１５乃至請求項１７によれ
ば、半導体装置と実装基板との電気的接続を確実に行う
ことができる請求項１４記載の半導体装置を容易に製造
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である半導体装置の断面図で
ある。

【図２】多層配線基板の製造方法を説明するための図で
ある。

【図３】第１のメカニカルバンプの形成方法を説明する
ための図である。

【図４】第１のメカニカルバンプを複数個形成する方法
を説明するための図である。

【図５】第１のメカニカルバンプと第２のメカニカルバ
ンプを一括的に形成する方法を説明するための図であ
る。

【図６】図３に示す第１のメカニカルバンプの形成方法
の第１の変形例を説明するための図である。

【図７】図３に示す第１のメカニカルバンプの形成方法
の第２の変形例を説明するための図である。

【図８】図３に示す第１のメカニカルバンプの形成方法
の第３の変形例を説明するための図である。

【図９】図３に示す第１のメカニカルバンプの形成方法
の第４の変形例を説明するための図である。

【図１０】中間配線層を有した多層配線基板における第
１のメカニカルバンプの形成方法を説明するための図で
ある。

【図１１】配線層及び絶縁層が各１層の多層配線基板に
おける第１のメカニカルバンプの形成方法を説明するた
めの図である。

【図１２】メカニカルビアの形成方法を説明するための
図である。

【図１３】メカニカルビアの形成方法を説明するための
図である。

【図１４】実装配線基板に本発明を適用した例を示す図
である。

【図１５】図１３を用いて説明した構造を有する多層配
線基板をランナーモールドパッケージ構造の半導体装置
に採用した例を示す図である。

【図１６】多層配線基板への半導体チップの実装構造を
示す図である。

【図１７】多層配線基板への半導体チップの実装構造を
示す図である。

【図１８】多層配線基板への半導体チップの実装構造を
示す図である。

【図１９】多層配線基板への半導体チップの実装構造を
示す図である。

【図２０】多層配線基板への半導体チップの実装構造を
示す図である。

【図２１】多層配線基板に対する半導体チップのチップ
搭載工程及び樹脂封止工程を説明するための図である。

【図２２】バンプの高さを均一化させた半導体装置を示
す図である。

【図２３】バンプの高さを均一化させる第１の方法を説
明するための図である。

【図２４】バンプの高さを均一化させる第１の方法を説
明するための図である。

【図２５】バンプの高さを均一化させる第１の方法を説
明するための図である。

【図２６】バンプの高さを均一化させる第２の方法を説
明するための図である。

【図２７】バンプの高さを均一化させる第２の方法を説
明するための図である。

【図２８】バンプの高さを均一化させる第２の方法を説
明するための図である。

【図２９】バンプの高さを均一化させる第２の方法を説
明するための図である。

【図３０】バンプの高さを均一化させる第２の方法を説
明するための図である。

【図３１】バンプの高さを均一化させる第２の方法を説
明するための図である。

【図３２】ランドの面積とバンプの高さとの関係を示す
図である。

【符号の説明】

１，５５，７０〜７４，８０半導体装置２半導体チップ３基板４接着材５，６４封止樹脂６蓋体７，７ａ，１５５多層配線基板８〜１０，２２，２３，４６，１０８〜１１０配線層１１，１２，３１，４５，４７，１１１〜１１３絶縁
層１３第１のメカニカルバンプ１４〜１６第２のメカニカルバンプ１７，１８メカニカルビア２０孔２４エッチング液２５エッチング槽２６ラミネートロール２７メカニカルバンプ金型２７ａ，３１ａ，３３ａキャビティ２８ヒータ２９，３５，４３ポンチ３０第１の上型３１第１の下型３２抜き部３３第２の上型３４第２の下型３５，６２樹脂流入口３６中間配線層４０ロー材４１補強材４２金属メッキ層４４係合凹部５１実装配線基板６０，６７リード６１ワイヤ６５ダイボンド材層６６リードフィンガー８０樹脂封止用上型８１樹脂封止用下型８２プランジャ８３樹脂タブレット８４レジスト８５導電性接合材１３０，１３０ａ〜１３０ｃランド１３１，１３３ａ〜１３３ｃ半田ボール（半田バン
プ）１３２マスク１３２ａ〜１３２ｃ孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者石黒宏幸神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者谷口伸一郎鹿児島県薩摩郡入来町副田5950番地株式会社九州富士通エレクトロニクス内 (72)発明者大隅真弓神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者中世古進也神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者加藤禎胤神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者河西純一神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体チップ（２）と、該半導体チップ
（２）と接続される基板とを具備する半導体装置におい
て、該基板を配線層（８〜１０，２２，２３，４６）と絶縁
層（１１，１２，２１，４５，４７）が積層された多層
配線基板（７）とすると共に、該多層配線基板（７）を
構成する絶縁層（１１，１２，２１，４５，４７）の所
定位置に孔（２０）を形成し、積層された複数の該配線層（８〜１０，２２，２３，４
６）を該孔（２０）を介して一括的に塑性変形させて電
極部（１３〜１８）を形成したことを特徴とする半導体
装置。
【請求項２】該電極部は、積層された複数の該配線層（８〜１０，２２，２３，４
６）を該孔（２０）を介して一括的に塑性変形させて外
側に突出させた構成の外部接続用バンプ（１３）である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】該電極部は、積層された複数の該配線層（８〜１０，２２，２３，４
６）を該孔（２０）を介して一括的に塑性変形させて該
半導体チップ（２）に向けて突出させ、該半導体チップ
（２）と接続させた構成のチップ接続用バンプ（１４〜
１６）であることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。
【請求項４】該電極部は、積層された複数の該配線層（８〜１０，２２，２３，４
６）を該孔（２０）を介して一括的に塑性変形させ、上
記積層された配線層間（８〜１０，２２，２３，４６）
を接続した構成のビア部（１７，１８）であることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】該電極部（１３〜１６）の上記塑性変形
方向に対する外側に、ロー材（４０）を配設したことを
特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装
置。
【請求項６】該電極部（１３〜１８）の上記塑性変形
方向に対する内側に、補強材（４１）を配設したことを
特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装
置。
【請求項７】該電極部（１３〜１８）は、該電極部
（１３〜１８）の形成位置において複数の該配線層間
（８〜１０，２２，２３，４６）に金属層（４２）を介
装した構成であることを特徴とする請求項１乃至６のい
ずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】該電極部（１３〜１８）は、上記塑性変
形方向に対する内側に、上記積層された複数の配線層
（８〜１０，２２，２３，４６）を係合させる係合凹部
（４４）が形成されていることを特徴とする請求項１乃
至７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】絶縁層（１１，１２，２１，４５，４
７）の所定位置に孔（２０）を形成し、該孔（２０）が
形成された絶縁層（１１，１２，２１，４５，４７）を
配線層（８〜１０，２２，２３，４６）に積層して接合
させ多層配線基板（７）を形成する多層配線基板形成工
程と、該多層配線基板（７）の該孔（２０）の形成位置に治具
（２９，３５，４３）を挿入して該配線層を一括的に塑
性変形させて突出した電極部（１３〜１８）を形成する
電極部形成工程と、該電極部（１３〜１８）が形成された多層配線基板
（７）に半導体チップ（２）を配設する半導体チップ搭
載工程とを少なくとも具備することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【請求項１０】該多層配線基板形成工程において、該絶縁層（２１）を該配線層（２２）に積層した後、所
定パターンを有するレジスト（８４）を該配線層（２
２）に配設し、該レジスト（８４）が配設された該絶縁層（２１）及び
該配線層（２２）をエッチング液（２４）に浸漬させ、
続いて該レジスト（８４）を除去することにより該配線
層（２２）を所定のパターンとなるようパターン形成し
たことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項１１】該電極部形成工程において、該治具としてポンチ（２９，３５，４３）及び所定形状
のキャビティ（２７ａ，３１ａ，３３ａ）を有する金型
（２７，３１，３３）を用い、該キャビティ（２７ａ，３１ａ，３３ａ）と該絶縁層
（１１，１２，２１，４５，４７）に形成された該孔
（２０）とが対向するよう該多層配線基板（７）を該金
型（２７，３１，３３）に装着し、該ポンチ（２９，３
５，４３）により該多層配線基板（７）を該金型（２
７，３１，３３）に向け押圧することにより該配線層
（８〜１０，２２，２３，４６）を塑性変形することを
特徴とする請求項９または１０のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項１２】該電極部形成工程において、該電極部を構成する外部接続用バンプ（１３）とチップ
接続用バンプ（１４〜１６）とを一括的に同時形成する
ことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれかに記載の
半導体装置の製造方法。
【請求項１３】該電極部（１３〜１８）が形成された
該多層配線基板（７）に該半導体チップ（２）を配設す
る半導体チップ搭載工程を実施した後、該半導体チップ（２）を封止する樹脂（５，６４）を配
設する樹脂封止工程を設けたことを特徴とする請求項９
乃至１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】基台（３）上に、半導体チップ（２）
と、該半導体チップ（２）と接続される基板とを具備す
る半導体装置において、該基板を複数の配線層（８〜１０）と絶縁層（１１，１
２）とが積層された多層配線基板（７）とすると共に、上記複数の配線層（８〜１０）の夫々に外部接続端子と
なるバンプ（１３１，１３３ａ〜１３３ｃ）を形成し、かつ該バンプ（１３１，１３３ａ〜１３３ｃ）の該基台
（３）からの高さを等しく形成したことを特徴とする半
導体装置。
【請求項１５】請求項１４記載の半導体装置を製造す
る方法として、該多層配線基板（７）の各配線層（１０８〜１１０）に
夫々該バンプ（１３１）との接合性の良好な電極（１３
０）を配設し、該電極（１３０）の面積を該配線層（１０８〜１１０）
の高さに応じて変えると共に、該電極（１３０）に該バ
ンプ（１３１）となるバンプ基材を配設し、該バンプ基材を加熱して溶融した際、該バンプ基材の高
さが該電極（１３０）との接触面積に応じて変化するこ
とを利用して該バンプ（１３１）の該基台（３）からの
高さを等しく形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
【請求項１６】請求項１４記載の半導体装置を製造す
る方法として、該バンプ（１３３ａ〜１３３ｃ）となるバンプ基材を大
きさを異ならせて複数種類形成し、上記複数の配線層（１０８〜１１０）の内、該基板
（３）に対して低い位置に配設された配線基板層（１０
８）に最も大きなバンプ基材を配設し、また該基板（３）に対して高さ位置が高くなるに従って
順次大きさが小さくなるよう種類を選定して該バンプ基
材を該配線層（１０９，１１０）に配設した上で、該バ
ンプ基材に加熱処理を行い該配線層（１０８〜１１０）
に接合させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】請求項１６記載の半導体装置の製造方
法において、該配線層（１０８〜１１０）に該バンプ基材を配設する
際、該多層配線基板（７）と対向するようマスク部材
（１３２）を配設し、該マスク部材（１３２）に、該配線層（１０８〜１１
０）の高さ位置に応じて配設される該バンプ基材の大き
さに対応した孔（１３２ａ〜１３２ｃ）を形成してお
き、大きい該バンプ基材から順に該マスク部材（１３２）を
用いて該配線層（１０８〜１１０）上に該バンプ基材を
配設することを特徴とする半導体装置の製造方法。