JPH07196670A - トリスシリルメタンとその製造方法 - Google Patents
トリスシリルメタンとその製造方法Info
- Publication number
- JPH07196670A JPH07196670A JP31085493A JP31085493A JPH07196670A JP H07196670 A JPH07196670 A JP H07196670A JP 31085493 A JP31085493 A JP 31085493A JP 31085493 A JP31085493 A JP 31085493A JP H07196670 A JPH07196670 A JP H07196670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- general formula
- reaction
- group
- compound
- reacted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 34
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 15
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 11
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 105
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 43
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 31
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 150000001348 alkyl chlorides Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 9
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004772 dichloromethyl group Chemical group [H]C(Cl)(Cl)* 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 239000004927 clay Substances 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000001340 2-chloroethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)C([H])([H])* 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- LMBFAGIMSUYTBN-MPZNNTNKSA-N teixobactin Chemical compound C([C@H](C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@H](CCC(N)=O)C(=O)N[C@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@H]1C(N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](C[C@@H]2NC(=N)NC2)C(=O)N[C@H](C(=O)O[C@H]1C)[C@@H](C)CC)=O)NC)C1=CC=CC=C1 LMBFAGIMSUYTBN-MPZNNTNKSA-N 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 22
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 14
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- OICVMMJHLFRGHF-UHFFFAOYSA-N chloro-(dichloromethyl)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C(Cl)Cl OICVMMJHLFRGHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- -1 dichlorosilyl group Chemical group 0.000 description 11
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 8
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 7
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical group Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XFWVPVPBBDNZTO-UHFFFAOYSA-N disilylmethylsilane Chemical class [SiH3]C([SiH3])[SiH3] XFWVPVPBBDNZTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229940050176 methyl chloride Drugs 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 5
- VFWCMGCRMGJXDK-UHFFFAOYSA-N 1-chlorobutane Chemical compound CCCCCl VFWCMGCRMGJXDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003426 co-catalyst Substances 0.000 description 4
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HVXTXDKAKJVHLF-UHFFFAOYSA-N silylmethylsilane Chemical compound [SiH3]C[SiH3] HVXTXDKAKJVHLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- NBRKLOOSMBRFMH-UHFFFAOYSA-N tert-butyl chloride Chemical compound CC(C)(C)Cl NBRKLOOSMBRFMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CKNVNQHQPPZERM-UHFFFAOYSA-N chloro-bis(chloromethyl)-methylsilane Chemical compound ClC[Si](Cl)(C)CCl CKNVNQHQPPZERM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 3
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 3
- LQUJCRPJNSUWKY-UHFFFAOYSA-N trichloro(dichloromethyl)silane Chemical compound ClC(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LQUJCRPJNSUWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical compound CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- MRFDIGWTTFFMBF-UHFFFAOYSA-N bis(dichlorosilyl)methyl-chloro-dimethylsilane Chemical group C[Si](C)(Cl)C([SiH](Cl)Cl)[SiH](Cl)Cl MRFDIGWTTFFMBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007805 chemical reaction reactant Substances 0.000 description 2
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical class C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNMVRZFUUCLYTO-UHFFFAOYSA-N n-propyl chloride Chemical compound CCCCl SNMVRZFUUCLYTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- VGAMGYVSOJZSSU-UHFFFAOYSA-N trichloro-[dichloro(trichlorosilyl)methyl]silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C(Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl VGAMGYVSOJZSSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 2
- FUZXVBXBMXDOBH-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)(C)C([SiH](Cl)Cl)[SiH](Cl)Cl Chemical compound C[Si](C)(C)C([SiH](Cl)Cl)[SiH](Cl)Cl FUZXVBXBMXDOBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJEILGRWABARPQ-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)(Cl)C([SiH](Cl)Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl Chemical compound C[Si](C)(Cl)C([SiH](Cl)Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl ZJEILGRWABARPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- ITRXFFIPVDYTOL-UHFFFAOYSA-N Cl[SiH](C([SiH2]C)[SiH](C)C)Cl Chemical compound Cl[SiH](C([SiH2]C)[SiH](C)C)Cl ITRXFFIPVDYTOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMSJRAICUOAORO-UHFFFAOYSA-N Cl[Si](C([Si](Cl)(Cl)Cl)[Si](C)(Cl)Cl)(Cl)Cl Chemical compound Cl[Si](C([Si](Cl)(Cl)Cl)[Si](C)(Cl)Cl)(Cl)Cl PMSJRAICUOAORO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEUDUNMTIUSIIW-UHFFFAOYSA-N Cl[Si](Cl)(Cl)[SiH2]C[SiH3] Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[SiH2]C[SiH3] XEUDUNMTIUSIIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAAAFXQMWIVYDL-UHFFFAOYSA-N bis(dichlorosilyl)methyl-dichloro-methylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C([SiH](Cl)Cl)[SiH](Cl)Cl WAAAFXQMWIVYDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYFJVNRFXOGFH-UHFFFAOYSA-N bis(trichlorosilyl)methyl-trichlorosilane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C([Si](Cl)(Cl)Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl JOYFJVNRFXOGFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N chloro(114C)methane Chemical compound [14CH3]Cl NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- ITKVLPYNJQOCPW-UHFFFAOYSA-N chloro-(chloromethyl)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCl ITKVLPYNJQOCPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBZVJUSTKXSFCR-UHFFFAOYSA-N chloro-(dichlorosilylmethyl)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C[SiH](Cl)Cl KBZVJUSTKXSFCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001701 chloroform Drugs 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- LOFPLWQPZAOILI-UHFFFAOYSA-N dichloro-(dichlorosilylmethyl)-methylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C[SiH](Cl)Cl LOFPLWQPZAOILI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJTUNBKAWATELL-UHFFFAOYSA-N dichloromethyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(Cl)Cl XJTUNBKAWATELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQLHOYGYUAMAFN-UHFFFAOYSA-N dimethyl(methylsilylmethyl)silane Chemical compound C[SiH2]C[SiH](C)C JQLHOYGYUAMAFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002896 organic halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- ABDDAHLAEXNYRC-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilylmethyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C[Si](Cl)(Cl)Cl ABDDAHLAEXNYRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJIIJSWYRBEOCZ-UHFFFAOYSA-N trichloro-[[chloro(dimethyl)silyl]methyl]silane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C[Si](Cl)(Cl)Cl GJIIJSWYRBEOCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZIVJIHGCCDJAC-UHFFFAOYSA-N trichloro-[dichlorosilyl(trichlorosilyl)methyl]silane Chemical compound Cl[SiH](Cl)C([Si](Cl)(Cl)Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl VZIVJIHGCCDJAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMHBHVJAVIYSLB-UHFFFAOYSA-N trichloro-[trichlorosilyl(trimethylsilyl)methyl]silane Chemical compound C[Si](C)(C)C([Si](Cl)(Cl)Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl QMHBHVJAVIYSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【構成】 銅触媒の存在下で、ジクロロメチル基を有す
るシラン（Ｉ）と、塩化水素又はアルキルクロリド（I
I）の混合気体を、２５０〜３５０℃の反応温度で、金
属ケイ素と直接反応させ、ジクロロシリル基を２個有す
るトリス（シリル）メタン（IV）とジクロロシリル基１
個とトリクロロシリ基１個を有するトリス（シリル）メ
タン（Ｖ）、そしてトリクロロシリル基を２個有するト
リス（シリル）メタン（VI）を同時に製造する方法。 【化７】 上記式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれメチル又は塩
素であり、Ｒは水素又は炭素数１〜４の低級アルキル又
は−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌである。 【効果】 これらクロロヒドロシリル基を有するトリス
（シリル）メタン類は、不飽和結合を有する有機化合物
に付加反応させて、種々の有機官能基を有するケイ素化
合物を製造するのに有用な出発物質である。
るシラン（Ｉ）と、塩化水素又はアルキルクロリド（I
I）の混合気体を、２５０〜３５０℃の反応温度で、金
属ケイ素と直接反応させ、ジクロロシリル基を２個有す
るトリス（シリル）メタン（IV）とジクロロシリル基１
個とトリクロロシリ基１個を有するトリス（シリル）メ
タン（Ｖ）、そしてトリクロロシリル基を２個有するト
リス（シリル）メタン（VI）を同時に製造する方法。 【化７】 上記式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれメチル又は塩
素であり、Ｒは水素又は炭素数１〜４の低級アルキル又
は−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌである。 【効果】 これらクロロヒドロシリル基を有するトリス
（シリル）メタン類は、不飽和結合を有する有機化合物
に付加反応させて、種々の有機官能基を有するケイ素化
合物を製造するのに有用な出発物質である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トリスシリルメタン類
とその製造方法に関する。
とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属ケイ素と有機ハロゲン化合物を、銅
触媒の存在下で反応させてメチルクロロシラン類を製造
する方法が、米国特許２，３８０，９９５号明細書に紹
介されて以来、今日シリコン工業ではこの技術を基礎と
している。
触媒の存在下で反応させてメチルクロロシラン類を製造
する方法が、米国特許２，３８０，９９５号明細書に紹
介されて以来、今日シリコン工業ではこの技術を基礎と
している。
【０００３】 Ｓｉ＋２ＣＨ3 Ｃｌ→（ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2
【０００４】上記反応では、ジメチルジクロロシランだ
けでなく、メチルトリクロロシラン、トリメチルクロロ
シラン、テトラクロロシラン等の生成物が得られる。こ
れらの外にも少量の沸点の高い物質も得られ、生成物の
組成が反応条件によって異なる複雑な反応であるため、
主生成物であるジメチルジクロロシランを効果的に得る
には、反応条件例えば出発物質の純度、触媒の種類、そ
の使用量、助触媒、反応温度、反応圧力、使用する反応
槽の形態等を考慮しなければならない。
けでなく、メチルトリクロロシラン、トリメチルクロロ
シラン、テトラクロロシラン等の生成物が得られる。こ
れらの外にも少量の沸点の高い物質も得られ、生成物の
組成が反応条件によって異なる複雑な反応であるため、
主生成物であるジメチルジクロロシランを効果的に得る
には、反応条件例えば出発物質の純度、触媒の種類、そ
の使用量、助触媒、反応温度、反応圧力、使用する反応
槽の形態等を考慮しなければならない。
【０００５】金属ケイ素と有機塩化物の直接反応におい
ては、触媒を使用しなければ反応がよく進行しないこと
が知られており、銅が最も良い触媒として知られてい
る。或る場合には、亜鉛、アルミニウム、カドミウム等
の金属を助触媒として使用することもある。助触媒は反
応開始時間を短縮させ、生成物中でジメチルジクロロシ
ラン生成の選択性を高める（E.G. Rachow, J. Am. Che
m. Soc., 67, 963 (1945)）。銅触媒の使用量を増加す
れば反応は速くなるが、生成物中の塩素含量が高くなる
傾向がある。そのため、ケイ素とメチルクロリドとの反
応ではケイ素の重量に対して１０％程度の銅を触媒とし
て使用しなければならない。
ては、触媒を使用しなければ反応がよく進行しないこと
が知られており、銅が最も良い触媒として知られてい
る。或る場合には、亜鉛、アルミニウム、カドミウム等
の金属を助触媒として使用することもある。助触媒は反
応開始時間を短縮させ、生成物中でジメチルジクロロシ
ラン生成の選択性を高める（E.G. Rachow, J. Am. Che
m. Soc., 67, 963 (1945)）。銅触媒の使用量を増加す
れば反応は速くなるが、生成物中の塩素含量が高くなる
傾向がある。そのため、ケイ素とメチルクロリドとの反
応ではケイ素の重量に対して１０％程度の銅を触媒とし
て使用しなければならない。
【０００６】触媒として使用する銅は、金属ケイ素とη
−状のＣｕ3 Ｓｉのケイ素結合を形成し、このη−状の
Ｃｕ3 Ｓｉが有機塩化物と反応することが報告されてい
るが（V.S. Fikhtengolts and A.L. Klebanskii, J. Ge
n. Chem. U.S.S.R, 27, 2535(1957))、η−状のＣｕ3
Ｓｉを形成させる方法としては、不活性気体下で銅とケ
イ素を８００〜１，１００℃に加熱する物理的な方法
〔P. Trambouze, and B.Imelik, J. Chim. Phys., 51,
505 (1954）〕と、塩化第１銅をケイ素と反応させる化
学的な方法〔（R.J.H. Voorhoeve and J.C. Ulugter,
J. Catalysis, 4,129 (1965)〕が知られている。
−状のＣｕ3 Ｓｉのケイ素結合を形成し、このη−状の
Ｃｕ3 Ｓｉが有機塩化物と反応することが報告されてい
るが（V.S. Fikhtengolts and A.L. Klebanskii, J. Ge
n. Chem. U.S.S.R, 27, 2535(1957))、η−状のＣｕ3
Ｓｉを形成させる方法としては、不活性気体下で銅とケ
イ素を８００〜１，１００℃に加熱する物理的な方法
〔P. Trambouze, and B.Imelik, J. Chim. Phys., 51,
505 (1954）〕と、塩化第１銅をケイ素と反応させる化
学的な方法〔（R.J.H. Voorhoeve and J.C. Ulugter,
J. Catalysis, 4,129 (1965)〕が知られている。
【０００７】ｎＳｉ＋ＣｕＣｌ→ＳｉＣｌ4 ＋Ｃｕ3
Ｓｉ＋Ｃｕ＋（ｎ−２）Ｓｉ
Ｓｉ＋Ｃｕ＋（ｎ−２）Ｓｉ
【０００８】ケイ素とメチルクロリドとの反応は、３０
０℃以上の高温で起こる発熱反応であるから、反応熱を
効果的に除去できなければ、反応物質が凝固して部分的
な過熱状態が形成される〔A.L. Klibam Skii and V.S.
Fikhtengolts, J. Gen. Chem. U.S.S.R., 27, 2693 (19
57）〕。反応温度が適正温度より高ければ、所望のジメ
チルジクロロシランの生成量が減少し、副反応が多く起
こり、出発物質であるメチルクロリドや生成物が分解し
てケイ素の表面に炭素が蒸着する。これによりケイ素の
活性は急激に低下する〔J.C. Vlugter, and R.J.H. Voo
rhoeve, Conf.Accad, Lin cei, Alta Tech. Chim. 1961
P.81 (1962）〕。そのため、直接法でジメチルジクロ
ロシランを合成するには、反応温度を調節することが極
めて重要である。
０℃以上の高温で起こる発熱反応であるから、反応熱を
効果的に除去できなければ、反応物質が凝固して部分的
な過熱状態が形成される〔A.L. Klibam Skii and V.S.
Fikhtengolts, J. Gen. Chem. U.S.S.R., 27, 2693 (19
57）〕。反応温度が適正温度より高ければ、所望のジメ
チルジクロロシランの生成量が減少し、副反応が多く起
こり、出発物質であるメチルクロリドや生成物が分解し
てケイ素の表面に炭素が蒸着する。これによりケイ素の
活性は急激に低下する〔J.C. Vlugter, and R.J.H. Voo
rhoeve, Conf.Accad, Lin cei, Alta Tech. Chim. 1961
P.81 (1962）〕。そのため、直接法でジメチルジクロ
ロシランを合成するには、反応温度を調節することが極
めて重要である。
【０００９】直接法で使用する反応槽の形態は、固定
型、撹拌型、流動型反応槽がある。撹拌型反応槽は、固
定型反応槽よりは温度調節が容易で、固体粒子が互いに
衝突しながら表面を新しくする効果があるために反応性
が良い。触媒として使用する銅は、反応物質である金属
ケイ素の密度より約３倍高く、２つの金属を効果的に混
合することが非常に難しい。このような難点を解決する
ために、螺旋型撹拌器を備え、底にある固体を上に汲み
上げながら、有機塩化物を気体状態で下から吹き上げな
がら反応させる方法が紹介されている（J.E. Sellers a
nd J.L. Davis 、米国特許第２，４４９，８２１号）。
しかし、この工程は腐蝕性の強い有機塩化物を高温で反
応させなければならないから、これに適合した耐腐蝕性
撹拌器を求めるのが難しく、大量生産と連続製法にも適
当でない。このような欠点を補完する工程として、メチ
ルクロリドを反応槽の底から吹き上げ、ケイ素と銅触媒
を流動化させながら反応させる流動型反応槽が開発され
た（B.A. Bluestrin、米国特許第２，８８７，５０２
号）。この方法は反応熱を効果的に除去することができ
るのでメチルクロロシラン類の製造に広く使用されてい
る。
型、撹拌型、流動型反応槽がある。撹拌型反応槽は、固
定型反応槽よりは温度調節が容易で、固体粒子が互いに
衝突しながら表面を新しくする効果があるために反応性
が良い。触媒として使用する銅は、反応物質である金属
ケイ素の密度より約３倍高く、２つの金属を効果的に混
合することが非常に難しい。このような難点を解決する
ために、螺旋型撹拌器を備え、底にある固体を上に汲み
上げながら、有機塩化物を気体状態で下から吹き上げな
がら反応させる方法が紹介されている（J.E. Sellers a
nd J.L. Davis 、米国特許第２，４４９，８２１号）。
しかし、この工程は腐蝕性の強い有機塩化物を高温で反
応させなければならないから、これに適合した耐腐蝕性
撹拌器を求めるのが難しく、大量生産と連続製法にも適
当でない。このような欠点を補完する工程として、メチ
ルクロリドを反応槽の底から吹き上げ、ケイ素と銅触媒
を流動化させながら反応させる流動型反応槽が開発され
た（B.A. Bluestrin、米国特許第２，８８７，５０２
号）。この方法は反応熱を効果的に除去することができ
るのでメチルクロロシラン類の製造に広く使用されてい
る。
【００１０】１９５８年にPetrovと彼の共同研究者ら
は、初めてジクロロメチル基を有するシラン類を金属ケ
イ素と直接反応させ、種々のシラアルカン類を合成する
ことができると報告した〔A.D. Petrov, S.I. Sadykh-Z
ade, E.A. Chernyshev, and V.F. Mironov, Zh, Obshe
h. Khim, 26, 1248 (1956）〕。しかし、ジクロロメチ
ルトリクロロシランを３６０℃でケイ素と反応させ、わ
ずか１４％のトリス（トリクロロシリル）メタンを得、
７０％程度が出発物質が分解して生じた副産物であっ
た。しかしビス（トリクロロシリル）ジクロロメタンを
ケイ素と反応させた場合は、予想されるテトラキスシリ
ルメタン化合物は得られなく、出発物質の分解による化
合物等だけが得られると報告している。
は、初めてジクロロメチル基を有するシラン類を金属ケ
イ素と直接反応させ、種々のシラアルカン類を合成する
ことができると報告した〔A.D. Petrov, S.I. Sadykh-Z
ade, E.A. Chernyshev, and V.F. Mironov, Zh, Obshe
h. Khim, 26, 1248 (1956）〕。しかし、ジクロロメチ
ルトリクロロシランを３６０℃でケイ素と反応させ、わ
ずか１４％のトリス（トリクロロシリル）メタンを得、
７０％程度が出発物質が分解して生じた副産物であっ
た。しかしビス（トリクロロシリル）ジクロロメタンを
ケイ素と反応させた場合は、予想されるテトラキスシリ
ルメタン化合物は得られなく、出発物質の分解による化
合物等だけが得られると報告している。
【００１１】その後、Mullerと彼の共同研究者も、ビス
（トリクロロシリル）ジクロロメタンをケイ素と反応さ
せた場合は、予想されたテトラキスシリルメタン化合物
は得られなく、出発物質の分解による化合物等だけが得
られたと報告している〔R. Muller and H. Beyer, Che
m. Ber., 92, 1957 (1959); 96, 2894 (1963)〕。
（トリクロロシリル）ジクロロメタンをケイ素と反応さ
せた場合は、予想されたテトラキスシリルメタン化合物
は得られなく、出発物質の分解による化合物等だけが得
られたと報告している〔R. Muller and H. Beyer, Che
m. Ber., 92, 1957 (1959); 96, 2894 (1963)〕。
【００１２】本発明者らは、クロロメチル基を有するシ
ラン類を、ケイ素と直接反応させるにさいして、流動型
反応槽を使用するか、螺旋型撹拌器を備えた撹拌型反応
槽中で、反応温度を３５０℃以下に調節し、銅触媒を約
１０％、１５％を越えないように維持しながら反応さ
せ、トリスシリルメタン類を主生成物として得、若干の
ビスシリルメタンを副産物として得た。流動化を助ける
ために、ケイ素の使用量に対し５〜５０％の球型の微細
粉末酸性白土を使用した場合は、流動化がより良くで
き、ケイ素の反応性と生成物の選択性もより良い結果を
得た（I.N. Jung, G. -H. Lee, S.H. Yeon and M. -Y.
Suk 、米国特許第５，０７５，４７７号）。
ラン類を、ケイ素と直接反応させるにさいして、流動型
反応槽を使用するか、螺旋型撹拌器を備えた撹拌型反応
槽中で、反応温度を３５０℃以下に調節し、銅触媒を約
１０％、１５％を越えないように維持しながら反応さ
せ、トリスシリルメタン類を主生成物として得、若干の
ビスシリルメタンを副産物として得た。流動化を助ける
ために、ケイ素の使用量に対し５〜５０％の球型の微細
粉末酸性白土を使用した場合は、流動化がより良くで
き、ケイ素の反応性と生成物の選択性もより良い結果を
得た（I.N. Jung, G. -H. Lee, S.H. Yeon and M. -Y.
Suk 、米国特許第５，０７５，４７７号）。
【００１３】
【化３】
【００１４】上記式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は、それぞ
れメチル基を又は塩素原子を示す。
れメチル基を又は塩素原子を示す。
【００１５】本発明者らは、金属ケイ素にクロロメチル
基を有するクロロシラン類（Ｉ）を反応させるのにさい
して、塩化水素を共に使用すれば、ジクロロシリル基を
有するビス（シリル）メタンとトリクロロシリル基を有
するビス（シリル）メタン類が同時に得られることを知
った。この反応で、塩化水素の代りに反応温度で分解し
て塩化水素を生成することのできるアルキルクロリドを
使用しても、同じ結果を得ることができた。このアルキ
ルクロリドの例を挙げれば、１，２−ジクロロエタン、
プロピルクロリド、ｎ−ブチルクロリド、ｔ−ブチルク
ロリド等がある（韓国特許出願番号９１−２４２４
３）。
基を有するクロロシラン類（Ｉ）を反応させるのにさい
して、塩化水素を共に使用すれば、ジクロロシリル基を
有するビス（シリル）メタンとトリクロロシリル基を有
するビス（シリル）メタン類が同時に得られることを知
った。この反応で、塩化水素の代りに反応温度で分解し
て塩化水素を生成することのできるアルキルクロリドを
使用しても、同じ結果を得ることができた。このアルキ
ルクロリドの例を挙げれば、１，２−ジクロロエタン、
プロピルクロリド、ｎ−ブチルクロリド、ｔ−ブチルク
ロリド等がある（韓国特許出願番号９１−２４２４
３）。
【００１６】
【化４】
【００１７】式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は、それぞれメ
チル基又は塩素原子を示す。
チル基又は塩素原子を示す。
【００１８】本発明者らは、上記の反応で、クロロメチ
ル基を有するシラン類を反応させる代りに、メチレンク
ロリドを塩化水素と共に使用すれば、分子の両側にジク
ロロシリル基を有するビス（シリル）メタンとトリクロ
ロシリル基を有するビス（シリル）メタン、そして一方
にトリクロロシリル基を有し、異なる一方にジメチルシ
リル基を有するビス（シリル）メタン類が同時に得られ
ることを知った〔韓国特許出願番号９２−９３５（９
２．１．２３）〕。
ル基を有するシラン類を反応させる代りに、メチレンク
ロリドを塩化水素と共に使用すれば、分子の両側にジク
ロロシリル基を有するビス（シリル）メタンとトリクロ
ロシリル基を有するビス（シリル）メタン、そして一方
にトリクロロシリル基を有し、異なる一方にジメチルシ
リル基を有するビス（シリル）メタン類が同時に得られ
ることを知った〔韓国特許出願番号９２−９３５（９
２．１．２３）〕。
【００１９】
【化５】
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、金属ケイ素
にジクロロメチル基を有する一般式（Ｉ）のシラン化合
物を反応させるにさいして、一般式（II）の化合物を塩
化水素の供給源として共に使用すれば、一般式（IV）、
（Ｖ）及び（VI）のトリス（シリル）メタン類が得られ
ることを知った。
にジクロロメチル基を有する一般式（Ｉ）のシラン化合
物を反応させるにさいして、一般式（II）の化合物を塩
化水素の供給源として共に使用すれば、一般式（IV）、
（Ｖ）及び（VI）のトリス（シリル）メタン類が得られ
ることを知った。
【００２１】すなわち、本発明は、一般式（Ｉ）のジク
ロロメチル基を有するシラン化合物と、一般式（II）の
塩化水素又は反応温度で塩化水素を発生するアルキルク
ロリド等の混合物を、銅触媒の存在下で金属ケイ素と直
接反応させて、一般式（IV）のジクロロシリル基を２個
有するトリス（シリル）メタン、一般式（Ｖ）のジクロ
ロシリル基１個とトリクロロシリル基１個を有するトリ
ス（シリル）メタン及び一般式（VI）のトリクロロシリ
ル基を２個有するトリス（シリル）メタンを同時に製造
する製造方法に関するものである。
ロロメチル基を有するシラン化合物と、一般式（II）の
塩化水素又は反応温度で塩化水素を発生するアルキルク
ロリド等の混合物を、銅触媒の存在下で金属ケイ素と直
接反応させて、一般式（IV）のジクロロシリル基を２個
有するトリス（シリル）メタン、一般式（Ｖ）のジクロ
ロシリル基１個とトリクロロシリル基１個を有するトリ
ス（シリル）メタン及び一般式（VI）のトリクロロシリ
ル基を２個有するトリス（シリル）メタンを同時に製造
する製造方法に関するものである。
【００２２】
【化６】
【００２３】式中、Ｒは水素原子、アルキル基（Ｃ1 −
Ｃ4 ）又は−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌ基であり、Ｒ1 、Ｒ2 及
びＲ3 はそれぞれメチル基又は塩素原子を示す。
Ｃ4 ）又は−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌ基であり、Ｒ1 、Ｒ2 及
びＲ3 はそれぞれメチル基又は塩素原子を示す。
【００２４】一般式（II）の化合物の例を挙げれば、
１，２−ジクロロエタン、プロピルクロリド、ｎ−ブチ
ルクロリド、ｔ−ブチルクロリド等がある。特に塩化水
素を使用するか、反応温度で分解して容易に塩化水素を
生成するブチルクロリドのようなアルキルクロリドを共
に使用すれば、一般式（IV）のジクロロシリル基を２個
有するトリス（シリル）メタンを主生成物として得、
１，２−ジクロロエタンのような分解して塩化水素を容
易に発生するアルキルクロリドを共に使用すれば、一般
式（VI）のトリクロロシリル基を２個有するトリス（シ
リル）メタンを主生成物として得ることができる。
１，２−ジクロロエタン、プロピルクロリド、ｎ−ブチ
ルクロリド、ｔ−ブチルクロリド等がある。特に塩化水
素を使用するか、反応温度で分解して容易に塩化水素を
生成するブチルクロリドのようなアルキルクロリドを共
に使用すれば、一般式（IV）のジクロロシリル基を２個
有するトリス（シリル）メタンを主生成物として得、
１，２−ジクロロエタンのような分解して塩化水素を容
易に発生するアルキルクロリドを共に使用すれば、一般
式（VI）のトリクロロシリル基を２個有するトリス（シ
リル）メタンを主生成物として得ることができる。
【００２５】一般式（Ｉ）のジクロロメチルシラン化合
物と、一般式（II）の塩化水素又はアルキルクロリド
は、金属ケイ素と反応させる前に気体状態で混合する
か、一般式（Ｉ）の化合物を液体状態にある一般式（I
I）の化合物に吹き入れて混ぜることもできる。２つの
化合物の混合は、重量比で又は容量比でどの比率でも混
ぜることができる。しかし一般式（II）の比率が高くな
れば、生成物において一般式（IV）の比率が高くなる。
一般式（IV）のケイ素と水素の結合とを有する化合物の
生成比率を高くしたければ、混合する一般式（II）のモ
ル数を一般式（Ｉ）の１モル当り０．１〜６．０モル使
用することができるが、３〜５モルが適当である。
物と、一般式（II）の塩化水素又はアルキルクロリド
は、金属ケイ素と反応させる前に気体状態で混合する
か、一般式（Ｉ）の化合物を液体状態にある一般式（I
I）の化合物に吹き入れて混ぜることもできる。２つの
化合物の混合は、重量比で又は容量比でどの比率でも混
ぜることができる。しかし一般式（II）の比率が高くな
れば、生成物において一般式（IV）の比率が高くなる。
一般式（IV）のケイ素と水素の結合とを有する化合物の
生成比率を高くしたければ、混合する一般式（II）のモ
ル数を一般式（Ｉ）の１モル当り０．１〜６．０モル使
用することができるが、３〜５モルが適当である。
【００２６】本発明で使用する反応槽は、撹拌型か流動
型反応槽が良く、回分式でも連続的に反応させることが
可能である。
型反応槽が良く、回分式でも連続的に反応させることが
可能である。
【００２７】金属ケイ素は工業用ケイ素を使用しうる
が、その純度が９５％以上であれば使用が可能であり、
望ましくは９８％以上であるものが好ましい。反応に適
合したケイ素粉末の大きさは１から２００ミクロン迄の
粉末が適当であるが、反応槽の大きさと形に従い、適当
なケイ素粉末の大きさと分布の選択は異なることができ
る。流動型反応槽を使用する場合には、２０から２００
ミクロン迄の粉末が適当である。
が、その純度が９５％以上であれば使用が可能であり、
望ましくは９８％以上であるものが好ましい。反応に適
合したケイ素粉末の大きさは１から２００ミクロン迄の
粉末が適当であるが、反応槽の大きさと形に従い、適当
なケイ素粉末の大きさと分布の選択は異なることができ
る。流動型反応槽を使用する場合には、２０から２００
ミクロン迄の粉末が適当である。
【００２８】反応温度は２００℃から３６０℃迄可能で
あるが、好ましくは２５０〜３５０℃、より好ましくは
２６０℃から３２０℃が適当である。反応圧力は常圧か
ら５気圧迄使用することができ、圧力を高めれば反応速
度が速くなる。
あるが、好ましくは２５０〜３５０℃、より好ましくは
２６０℃から３２０℃が適当である。反応圧力は常圧か
ら５気圧迄使用することができ、圧力を高めれば反応速
度が速くなる。
【００２９】触媒は、金属銅又は反応条件で銅を遊離し
うる銅化合物を使用することができる。銅の使用量は１
％から２０％迄使用しうるが、好ましくは５〜１０％が
適当である。銅触媒以外に、銅の重量に対し０．００１
％から５％の間の助触媒を使用すれば、反応が速くなる
か又は特定生成物に対する選択性を高めることができ
る。この反応に適当な助触媒の例を挙げれば次の通りで
あるが、これに制限されるものではない。カルシウム、
亜鉛、カドミウム、マンガン、マグネシウム、銀、クロ
ム等の金属と、反応条件でこの金属を生成することので
きる金属化合物を使用することができる。
うる銅化合物を使用することができる。銅の使用量は１
％から２０％迄使用しうるが、好ましくは５〜１０％が
適当である。銅触媒以外に、銅の重量に対し０．００１
％から５％の間の助触媒を使用すれば、反応が速くなる
か又は特定生成物に対する選択性を高めることができ
る。この反応に適当な助触媒の例を挙げれば次の通りで
あるが、これに制限されるものではない。カルシウム、
亜鉛、カドミウム、マンガン、マグネシウム、銀、クロ
ム等の金属と、反応条件でこの金属を生成することので
きる金属化合物を使用することができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明のクロロヒドロシリル基を有する
トリス（シリル）メタン類は、不飽和結合を有する有機
化合物に付加反応させて、種々の有機官能基を有するケ
イ素化合物を製造するのに有用な原料物質である。
トリス（シリル）メタン類は、不飽和結合を有する有機
化合物に付加反応させて、種々の有機官能基を有するケ
イ素化合物を製造するのに有用な原料物質である。
【００３１】
【実施例】以下の実施例は、本発明をより詳細に説明す
るもので、本発明がこれにより限定されるものではな
い。
るもので、本発明がこれにより限定されるものではな
い。
【００３２】実施例１．Ｓｉ／Ｃｕ接触混合物の製造
（Ｉ） 金属ケイ素３６０g(１００〜３２５mesh）と塩化第１銅
（ＣｕＣｌ）６２．３mgを反応槽に入れ、反応槽の温度
を２５０℃に高めた後、乾燥した窒素を流しながら約２
時間乾燥させた。乾燥後、反応槽の温度を３７０℃迄上
げれば、その反応生成物としてテトラクロロシランが生
成し、その結果、活性の大きいＳｉ／Ｃｕ接触混合物が
生成する。この温度で約３時間維持して接触混合物を生
成させた後に、反応生成物であるテトラクロロシランを
採取した。主触媒である銅以外の助触媒として、カドミ
ウム、錫、亜鉛等を使用する場合には、接触混合物の生
成が完了した後に、反応槽の上部をあけ、必要量の助触
媒を投入し、撹拌して良く混ぜた後反応させた。
（Ｉ） 金属ケイ素３６０g(１００〜３２５mesh）と塩化第１銅
（ＣｕＣｌ）６２．３mgを反応槽に入れ、反応槽の温度
を２５０℃に高めた後、乾燥した窒素を流しながら約２
時間乾燥させた。乾燥後、反応槽の温度を３７０℃迄上
げれば、その反応生成物としてテトラクロロシランが生
成し、その結果、活性の大きいＳｉ／Ｃｕ接触混合物が
生成する。この温度で約３時間維持して接触混合物を生
成させた後に、反応生成物であるテトラクロロシランを
採取した。主触媒である銅以外の助触媒として、カドミ
ウム、錫、亜鉛等を使用する場合には、接触混合物の生
成が完了した後に、反応槽の上部をあけ、必要量の助触
媒を投入し、撹拌して良く混ぜた後反応させた。
【００３３】実施例２．Ｓｉ／Ｃｕ接触混合物の製造
（II） 金属ケイ素３６０g(１００〜３２５mesh）と銅触媒４０
g を反応槽に入れ、実施例１の条件で乾燥させた。乾燥
後、反応槽の温度を３５０℃に上げ、メチルクロリドを
反応槽下部の予熱管を通じて吹き入れてやれば、初期に
は若干の水が生成し、約４０〜７０分後にはそれらの反
応生成物としてジメチルジクロロシランとメチルトリク
ロロシランが生成し始め、受けフラスコに集められる。
これらが生成し始まるのは、即ちＳｉ／Ｃｕ接触混合物
が生成している証拠であり、約２時間メチルクロリドと
反応させた後、メチルクロリドの供給を中断し、受けフ
ラスコの反応生成物を取り出した。反応に助触媒が必要
な場合には、実施例１で述べたような方法で投入し、反
応させた。
（II） 金属ケイ素３６０g(１００〜３２５mesh）と銅触媒４０
g を反応槽に入れ、実施例１の条件で乾燥させた。乾燥
後、反応槽の温度を３５０℃に上げ、メチルクロリドを
反応槽下部の予熱管を通じて吹き入れてやれば、初期に
は若干の水が生成し、約４０〜７０分後にはそれらの反
応生成物としてジメチルジクロロシランとメチルトリク
ロロシランが生成し始め、受けフラスコに集められる。
これらが生成し始まるのは、即ちＳｉ／Ｃｕ接触混合物
が生成している証拠であり、約２時間メチルクロリドと
反応させた後、メチルクロリドの供給を中断し、受けフ
ラスコの反応生成物を取り出した。反応に助触媒が必要
な場合には、実施例１で述べたような方法で投入し、反
応させた。
【００３４】触媒の配合比が異なるＳｉ／Ｃｕ接触混合
物を準備して使用したが、その組成は表１の通りであ
る。
物を準備して使用したが、その組成は表１の通りであ
る。
【００３５】
【表１】
【００３６】実施例３．ジクロロメチルジメチルクロロ
シランと塩化水素の１：４混合気体と金属ケイ素との反
応 本実施例は、実験番号３が典型的な例である。実施例２
で準備した試料番号Ｉ−３のＳｉ／Ｃｕ接触混合物４０
２g を撹拌型反応槽に入れ、反応槽温度を２８０℃に高
めた後、反応槽下部の注射器ポンプにジクロロメチルジ
メチルクロロシランを入れ、窒素気体を２００ml/minの
速度で吹き入れながら、同時に塩化水素を２００ml/min
の速度で反応槽に流入させ、シランは２０．０ml/hr.の
速度で流入させた。反応開始１分後から発熱反応による
温度上昇が観察でき反応生成物が反応槽上部に設置され
た受けフラスコに集まり始めた。このような条件を継続
維持しながら、３０分毎に反応生成物を取り出し、２時
間の間に使用したジクロロメチルジメチルクロロシラン
は４９．５g であり、取り出した反応生成物は７８．６
g であった。ここで生成した反応生成物は気体クロマト
グラフ（packed column, 5%SE-54, 0.9m×1/8 ″O.D.,
SS, TCD)を使用して分析し、各成分を分別蒸溜して核磁
気共鳴分光分析器でその構造を確認した。
シランと塩化水素の１：４混合気体と金属ケイ素との反
応 本実施例は、実験番号３が典型的な例である。実施例２
で準備した試料番号Ｉ−３のＳｉ／Ｃｕ接触混合物４０
２g を撹拌型反応槽に入れ、反応槽温度を２８０℃に高
めた後、反応槽下部の注射器ポンプにジクロロメチルジ
メチルクロロシランを入れ、窒素気体を２００ml/minの
速度で吹き入れながら、同時に塩化水素を２００ml/min
の速度で反応槽に流入させ、シランは２０．０ml/hr.の
速度で流入させた。反応開始１分後から発熱反応による
温度上昇が観察でき反応生成物が反応槽上部に設置され
た受けフラスコに集まり始めた。このような条件を継続
維持しながら、３０分毎に反応生成物を取り出し、２時
間の間に使用したジクロロメチルジメチルクロロシラン
は４９．５g であり、取り出した反応生成物は７８．６
g であった。ここで生成した反応生成物は気体クロマト
グラフ（packed column, 5%SE-54, 0.9m×1/8 ″O.D.,
SS, TCD)を使用して分析し、各成分を分別蒸溜して核磁
気共鳴分光分析器でその構造を確認した。
【００３７】ここで生成した反応生成物の組成は、１，
１，３−トリクロロ−３−メチル−２−（ジクロシリ
ル）−１，３−ジシラブタン（一般式IV）４３．３g(５
５．１％）〔NMR(CDCl3), δ, 5.81(d, 2H, Si-H), 1.2
4(s, 1H, -CH=), 0.75(s, 6H,-CH3) 〕と、１，１，３
−トリクロロ−３−メチル−２−（トリクロロシリル）
−１，３−ジシラブタン（一般式Ｖ）１４．５g(１８．
５％）〔NMR(CDCl3), δ, 5.85(s, 1H, Si-H), 1.53(s,
1H, -CH=), 0.79(s, 6H, -CH3) 〕；そして１，１，
１，３−テトラクロロ−３−メチル−２−（トリクロロ
シリル）−１，３−ジシラブタン（一般式VI）１．４g
(１．８％）〔NMR(CDCl3), δ, 1.74(s, 1H,-CH=), 0.8
3(s, 6H, -CH3)〕が得られた。これらの他の副産物とし
て、出発物質シランが塩化水素により還元されて生成し
たクロロメチルジメチルクロロシランが反応し、１，
１，３−トリクロロ−３−メチル−１，３−ジシラブタ
ンと１，１，１，３−テトラクロロ−３−メチル−１，
３−ジシラブタンも各々１０．７％と１．２％生成し
た。その他の副産物１２．７％中には、トリクロロシラ
ンが５．７％、テトラクロロシランが０．８％、そして
トリメチルクロロシランが１．０％であり、残りは未確
認物質であった。
１，３−トリクロロ−３−メチル−２−（ジクロシリ
ル）−１，３−ジシラブタン（一般式IV）４３．３g(５
５．１％）〔NMR(CDCl3), δ, 5.81(d, 2H, Si-H), 1.2
4(s, 1H, -CH=), 0.75(s, 6H,-CH3) 〕と、１，１，３
−トリクロロ−３−メチル−２−（トリクロロシリル）
−１，３−ジシラブタン（一般式Ｖ）１４．５g(１８．
５％）〔NMR(CDCl3), δ, 5.85(s, 1H, Si-H), 1.53(s,
1H, -CH=), 0.79(s, 6H, -CH3) 〕；そして１，１，
１，３−テトラクロロ−３−メチル−２−（トリクロロ
シリル）−１，３−ジシラブタン（一般式VI）１．４g
(１．８％）〔NMR(CDCl3), δ, 1.74(s, 1H,-CH=), 0.8
3(s, 6H, -CH3)〕が得られた。これらの他の副産物とし
て、出発物質シランが塩化水素により還元されて生成し
たクロロメチルジメチルクロロシランが反応し、１，
１，３−トリクロロ−３−メチル−１，３−ジシラブタ
ンと１，１，１，３−テトラクロロ−３−メチル−１，
３−ジシラブタンも各々１０．７％と１．２％生成し
た。その他の副産物１２．７％中には、トリクロロシラ
ンが５．７％、テトラクロロシランが０．８％、そして
トリメチルクロロシランが１．０％であり、残りは未確
認物質であった。
【００３８】上の実験と同じ反応物質、反応槽、触媒、
助触媒の存在下で、反応温度だけを変化させて得た反応
生成物の組成を表２に示す。
助触媒の存在下で、反応温度だけを変化させて得た反応
生成物の組成を表２に示す。
【００３９】
【表２】
【００４０】実施例４．ジクロロメチルジメチルクロロ
シランと塩化水素の混合気体と金属ケイ素との反応 実施例３の接触混合物を使用し、同じ形態の反応槽、同
じ反応条件、３２０℃の反応温度で反応させたが、塩化
水素とジクロロメチルジメチルクロロシランのモル比を
異なるようにして反応させた。表３にはこれらのモル比
が異なるようにして得た反応生成物の組成を表した。表
３で実験番号１０は、酸性白土を接触混合物に対して５
％である２０．０g を使用して反応させた結果である。
この反応で、接触混合物が約２０％程度消耗された時、
消耗された量だけの活性化した接触混合物を加えて反応
させたときにも同じ結果を得た。
シランと塩化水素の混合気体と金属ケイ素との反応 実施例３の接触混合物を使用し、同じ形態の反応槽、同
じ反応条件、３２０℃の反応温度で反応させたが、塩化
水素とジクロロメチルジメチルクロロシランのモル比を
異なるようにして反応させた。表３にはこれらのモル比
が異なるようにして得た反応生成物の組成を表した。表
３で実験番号１０は、酸性白土を接触混合物に対して５
％である２０．０g を使用して反応させた結果である。
この反応で、接触混合物が約２０％程度消耗された時、
消耗された量だけの活性化した接触混合物を加えて反応
させたときにも同じ結果を得た。
【００４１】
【表３】
【００４２】実施例５．ジクロロメチルジメチルクロロ
シランと塩化水素の混合気体と金属ケイ素との反応 実施例１に示した表２の接触混合物を準備し、実施例３
の実験番号３と接触混合物の種類だけが異なり、他の条
件はすべて同じ反応条件で反応させ、得た反応生成物の
組成を表４に示す。
シランと塩化水素の混合気体と金属ケイ素との反応 実施例１に示した表２の接触混合物を準備し、実施例３
の実験番号３と接触混合物の種類だけが異なり、他の条
件はすべて同じ反応条件で反応させ、得た反応生成物の
組成を表４に示す。
【００４３】
【表４】
【００４４】実施例６．ジクロロメチルジメチルクロロ
シランと塩化アルキルの混合気体と金属ケイ素との反応 本実施例は、表５の実験番号２６の典型的な例である。
実施例２の試料番号Ｉ−３の接触混合物を準備し、反応
出発物質としてジクロロメチルジメチルクロロシラン６
６．６g(０．３７５mole）と塩化水素供給源としてｔ−
ブチルクロリド１３８．７g(１．５００mole）を混ぜ
て、１：４モル比の混合物を製造した。これらの混合物
を反応温度２８０℃の窒素気体下（２００ml/min）で７
４ml/hr の速度で反応槽内に流入させ、２．０時間反応
させた結果８３．８g の反応生成物を得た。
シランと塩化アルキルの混合気体と金属ケイ素との反応 本実施例は、表５の実験番号２６の典型的な例である。
実施例２の試料番号Ｉ−３の接触混合物を準備し、反応
出発物質としてジクロロメチルジメチルクロロシラン６
６．６g(０．３７５mole）と塩化水素供給源としてｔ−
ブチルクロリド１３８．７g(１．５００mole）を混ぜ
て、１：４モル比の混合物を製造した。これらの混合物
を反応温度２８０℃の窒素気体下（２００ml/min）で７
４ml/hr の速度で反応槽内に流入させ、２．０時間反応
させた結果８３．８g の反応生成物を得た。
【００４５】この反応生成物の組成は、１，１，３−ト
リクロロ−３−メチル−２−（ジクロロシリル）−１，
３−ジシラブタン（一般式IV）３６．２g(４３．２
％）；１，１，３−ジクロロ−３−メチル−２−（トリ
クロロシリル）−１，３−ジシラブタン（一般式Ｖ）
９．１g(１０．８％）；そして１，１，１，３−テトラ
クロロ−３−メチル−２−（トリクロロシリル）−１，
３−ジシラブタン（一般式VI）１．８g(２．１％）であ
った。その他の副産物として、１，１，３−トリクロロ
−３−メチル−１，３−ジシラブタン９．８％、１，
１，１，３−テトラクロロ−３−メチル−１，３−ジシ
ラブタン２．１％、トリクロロシラン６．３％及びテト
ラクロロシラン０．８％であり、未反応の出発物質は全
くなかった。
リクロロ−３−メチル−２−（ジクロロシリル）−１，
３−ジシラブタン（一般式IV）３６．２g(４３．２
％）；１，１，３−ジクロロ−３−メチル−２−（トリ
クロロシリル）−１，３−ジシラブタン（一般式Ｖ）
９．１g(１０．８％）；そして１，１，１，３−テトラ
クロロ−３−メチル−２−（トリクロロシリル）−１，
３−ジシラブタン（一般式VI）１．８g(２．１％）であ
った。その他の副産物として、１，１，３−トリクロロ
−３−メチル−１，３−ジシラブタン９．８％、１，
１，１，３−テトラクロロ−３−メチル−１，３−ジシ
ラブタン２．１％、トリクロロシラン６．３％及びテト
ラクロロシラン０．８％であり、未反応の出発物質は全
くなかった。
【００４６】またこの反応では、反応中にコンデンサー
で凝縮されずに外に抜け出た気体の成分は、ｔ−ブチル
クロリドが高温で分解されて塩化水素を発生し、生成し
たイソブテンであった。またｔ−ブチルクロリドの使用
量を半分に減らし、その量だけの塩化水素を使用しても
同じ結果を得た。
で凝縮されずに外に抜け出た気体の成分は、ｔ−ブチル
クロリドが高温で分解されて塩化水素を発生し、生成し
たイソブテンであった。またｔ−ブチルクロリドの使用
量を半分に減らし、その量だけの塩化水素を使用しても
同じ結果を得た。
【００４７】表５は、ジクロロメチルジメチルクロロシ
ランと種々の塩化アルキルの混合気体と金属ケイ素を、
反応条件が異なるようにして反応させ、得た反応生成物
の組成を表わしたものである。
ランと種々の塩化アルキルの混合気体と金属ケイ素を、
反応条件が異なるようにして反応させ、得た反応生成物
の組成を表わしたものである。
【００４８】
【表５】
【００４９】実施例７．流動型反応槽を使用したジクロ
ロメチルジメチルクロロシランと塩化アルキル又は塩化
水素との混合気体と金属ケイ素との反応 前で言及した流動型反応槽を使用し、実施例２の試料番
号Ｉ−３の接触混合物４０２g を反応槽に入れ、反応槽
の温度を２８０℃に高めた後、反応槽の下部に装置した
予熱管を通じて反応出発物シランと塩化水素の１：４モ
ル比の混合物を反応槽内に流入させた。このとき金属ケ
イ素の流動化を助けるために、乾燥した窒素気体を約２
００ml/minの速度で反応物質と共に流してやった。２．
０時間の反応を通じて得られた反応生成物の量は５５．
４g であり、反応に使用したジクロロメチルジメチルク
ロロシランは４９．５g であった。これらの反応生成物
の組成を確認した結果は表６に示した通りであり、出発
物質シランも多く回収されていることが分った。表６の
実験は、すべて流動型反応槽を使用し、同じ反応温度、
同じ接触混合物を使用して反応させ、塩化水素の供給源
とシランとのモル比はすべて１：４で反応させ、実験番
号３３は実験番号３２と同じ条件であるが、反応槽の圧
力を３kg/cm2に高めて反応させた結果である。
ロメチルジメチルクロロシランと塩化アルキル又は塩化
水素との混合気体と金属ケイ素との反応 前で言及した流動型反応槽を使用し、実施例２の試料番
号Ｉ−３の接触混合物４０２g を反応槽に入れ、反応槽
の温度を２８０℃に高めた後、反応槽の下部に装置した
予熱管を通じて反応出発物シランと塩化水素の１：４モ
ル比の混合物を反応槽内に流入させた。このとき金属ケ
イ素の流動化を助けるために、乾燥した窒素気体を約２
００ml/minの速度で反応物質と共に流してやった。２．
０時間の反応を通じて得られた反応生成物の量は５５．
４g であり、反応に使用したジクロロメチルジメチルク
ロロシランは４９．５g であった。これらの反応生成物
の組成を確認した結果は表６に示した通りであり、出発
物質シランも多く回収されていることが分った。表６の
実験は、すべて流動型反応槽を使用し、同じ反応温度、
同じ接触混合物を使用して反応させ、塩化水素の供給源
とシランとのモル比はすべて１：４で反応させ、実験番
号３３は実験番号３２と同じ条件であるが、反応槽の圧
力を３kg/cm2に高めて反応させた結果である。
【００５０】
【表６】
【００５１】実施例８．ジクロロメチルメチルジクロロ
シランと塩化水素の混合気体と金属ケイ素との反応 実施例２の試料番号Ｉ−３の接触混合物を準備し、ジク
ロロメチルメチルジクロロシラン５５．３g と塩化水素
の１：４モル比の混合物を、実施例３の反応条件と２８
０℃の反応温度で２．０時間反応させ、その反応生成物
８１．６g を得た。
シランと塩化水素の混合気体と金属ケイ素との反応 実施例２の試料番号Ｉ−３の接触混合物を準備し、ジク
ロロメチルメチルジクロロシラン５５．３g と塩化水素
の１：４モル比の混合物を、実施例３の反応条件と２８
０℃の反応温度で２．０時間反応させ、その反応生成物
８１．６g を得た。
【００５２】反応生成物の組成を確認した結果、１，
１，３，３−テトラクロロ−２−（ジクロロシリル）−
１，３−ジシラブタン（一般式IV）４５．７g(５６％）
〔NMR(CDCl3), δ, 5.84(s, 2H, Si-H), 1.56(s, 1H, -
CH=), 1.10(s, 3H, -CH3) 〕；１，１，１，３−テトラ
クロロ−２−（トリクロロシリル）−１，３−ジシラブ
タン（一般式Ｖ）１４．３g(１７．５％）〔NMR(CDC
l3), δ, 5.88(s, 1H, Si-H), 1.83(s, 1H, -CH=), 1.1
3(s, 3H, -CH3) 〕；そして１，１，１，３，３−ペン
タクロロ−２−（トリクロロシリル）−１，３−ジシラ
ブタン（一般式VI）１．８g(２．２％）〔NMR(CDCl3),
δ, 2.10(s, 1H, Si-H), 1.16(s, 3H, -CH3)〕が得られ
た。その他の副産物として１，１，３，３−テトラクロ
ロ−１，３−ジシラブタンが１１．０％、そして１，
１，１，３，３−ペンタクロロ−１，３−ジシラブタン
が１．３％生成した。その外にトリクロロシランが２．
２％、そしてテトラクロロシランが０．４％であり、残
りの９．４％が種々の未確認物質であった。
１，３，３−テトラクロロ−２−（ジクロロシリル）−
１，３−ジシラブタン（一般式IV）４５．７g(５６％）
〔NMR(CDCl3), δ, 5.84(s, 2H, Si-H), 1.56(s, 1H, -
CH=), 1.10(s, 3H, -CH3) 〕；１，１，１，３−テトラ
クロロ−２−（トリクロロシリル）−１，３−ジシラブ
タン（一般式Ｖ）１４．３g(１７．５％）〔NMR(CDC
l3), δ, 5.88(s, 1H, Si-H), 1.83(s, 1H, -CH=), 1.1
3(s, 3H, -CH3) 〕；そして１，１，１，３，３−ペン
タクロロ−２−（トリクロロシリル）−１，３−ジシラ
ブタン（一般式VI）１．８g(２．２％）〔NMR(CDCl3),
δ, 2.10(s, 1H, Si-H), 1.16(s, 3H, -CH3)〕が得られ
た。その他の副産物として１，１，３，３−テトラクロ
ロ−１，３−ジシラブタンが１１．０％、そして１，
１，１，３，３−ペンタクロロ−１，３−ジシラブタン
が１．３％生成した。その外にトリクロロシランが２．
２％、そしてテトラクロロシランが０．４％であり、残
りの９．４％が種々の未確認物質であった。
【００５３】実施例９．ジクロロメチルトリクロロシラ
ンと塩化水素の混合気体と金属ケイ素との反応 実施例２の試料番号Ｉ−３の接触混合物を準備し、ジク
ロロメチルトリクロロシラン６０．８g と塩化水素の
１：４モル比の混合物を、実施例８の反応条件で２．０
時間反応させ、その反応生成物を８２．４g 得た。
ンと塩化水素の混合気体と金属ケイ素との反応 実施例２の試料番号Ｉ−３の接触混合物を準備し、ジク
ロロメチルトリクロロシラン６０．８g と塩化水素の
１：４モル比の混合物を、実施例８の反応条件で２．０
時間反応させ、その反応生成物を８２．４g 得た。
【００５４】反応生成物の組成を確認した結果、１，
１，１，３，３−ペンタクロロ−２−（ジクロロシリ
ル）−１，３−ジシラプロパン（一般式VI）３９．６g
(４８．０％）〔NMR(CDCl3), δ, 5.87(s, 2H, Si-H),
1.83(s, 1H, -CH=)〕；１，１，１，３，３−ペンタク
ロロ−２−（トリクロロシリル）−１，３−ジシラプロ
パン（一般式Ｖ）１１．１g(１３．５％）〔NMR(CDC
l3), δ, 5.89(s, 1H, Si-H), 2.10(s, 1H, -CH=)〕；
そして１，１，１，３，３，３−ヘキサクロロ−２−
（トリクロロシリル）−１，３−ジシラプロパン（一般
式VI）２．１g(２．６％）〔NMR(CDCl3), δ, 2.37(s,
1H, -CH=) 〕が得られた。その他の副産物として１，
１，１，３，３−ペンタクロロ−１，３−ジシラプロパ
ンが１３．６％、そして１，１，１，３，３，３−ヘキ
サクロロ−１，３−ジシラプロパンが３．３％生成し
た。その外にトリクロロシランが７．１％、そしてテト
ラクロロシランが０．９％であり、残りの１１．０％が
種々の未確認物質であった。
１，１，３，３−ペンタクロロ−２−（ジクロロシリ
ル）−１，３−ジシラプロパン（一般式VI）３９．６g
(４８．０％）〔NMR(CDCl3), δ, 5.87(s, 2H, Si-H),
1.83(s, 1H, -CH=)〕；１，１，１，３，３−ペンタク
ロロ−２−（トリクロロシリル）−１，３−ジシラプロ
パン（一般式Ｖ）１１．１g(１３．５％）〔NMR(CDC
l3), δ, 5.89(s, 1H, Si-H), 2.10(s, 1H, -CH=)〕；
そして１，１，１，３，３，３−ヘキサクロロ−２−
（トリクロロシリル）−１，３−ジシラプロパン（一般
式VI）２．１g(２．６％）〔NMR(CDCl3), δ, 2.37(s,
1H, -CH=) 〕が得られた。その他の副産物として１，
１，１，３，３−ペンタクロロ−１，３−ジシラプロパ
ンが１３．６％、そして１，１，１，３，３，３−ヘキ
サクロロ−１，３−ジシラプロパンが３．３％生成し
た。その外にトリクロロシランが７．１％、そしてテト
ラクロロシランが０．９％であり、残りの１１．０％が
種々の未確認物質であった。
【００５５】実施例１０．ジクロロメチルトリメチルシ
ランと塩化水素の混合気体と金属ケイ素との反応 実施例２の試料番号Ｉ−３の接触混合物を準備し、ジク
ロロメチルメチルジクロロシラン４１．６g と塩化水素
の１：４モル比の混合物を、実施例８の反応条件で２．
０時間反応させ、その反応生成物を７２．１g 得た。
ランと塩化水素の混合気体と金属ケイ素との反応 実施例２の試料番号Ｉ−３の接触混合物を準備し、ジク
ロロメチルメチルジクロロシラン４１．６g と塩化水素
の１：４モル比の混合物を、実施例８の反応条件で２．
０時間反応させ、その反応生成物を７２．１g 得た。
【００５６】反応生成物の組成を確認した結果、１，１
−ジクロロ−３，３−ジメチル−２−（ジクロロシリ
ル）−１，３−ジシラブタン（一般式VI）３８．３g(５
３．１％）〔NMR(CDCl3)；δ, 5.74(s, 2H, Si-H), 0.8
1(s, 1H, -CH=), 0.35(s, 9H,-CH3) 〕；１，１−ジク
ロロ−３，３−ジメチル−２−（トリクロロシリル）−
１，３−ジラブタン（一般式Ｖ）７．１g(９．９％）
〔NMR(CDCl3), δ, 5.77(s, 1H, Si-H), 1.10(s, 1H, -
CH=), 0.39(s, 9H, -CH3) 〕；そして１，１，１−トリ
クロロ−３，３−ジメチル−２−（トリクロロシリル）
−１，３−ジシラブタン（一般式VI）０．６％〔NMR(CD
Cl3), δ, 1.39(s, -CH=), 0.43(s, 9H, -CH3)〕が得ら
れた。その他の副産物として２，２，４−トリクロロ−
３−（ジクロロシリル）−４−メチル−２，４−ジシラ
ペンタン７．５g(１０．４％）〔NMR(CDCl3), δ, 5.84
(s, 1H, Si-H), 1.22(s, 1H, -CH=), 1.06(s, 3H, -C
H3); 0.76(s, 6H, -CH3)〕；１，１−ジクロロ−３，３
−ジメチル−１，３−ジシラブタンが１２．３％、そし
て１，１，１−トリクロロ−３，３−ジメチル−１，３
−ジシラブタンが１．０％生成した。その外にトリクロ
ロシランが３．０％、そしてテトラクロロシランが０．
３％であり、残りの９．４％が種々の未確認物質であっ
た。
−ジクロロ−３，３−ジメチル−２−（ジクロロシリ
ル）−１，３−ジシラブタン（一般式VI）３８．３g(５
３．１％）〔NMR(CDCl3)；δ, 5.74(s, 2H, Si-H), 0.8
1(s, 1H, -CH=), 0.35(s, 9H,-CH3) 〕；１，１−ジク
ロロ−３，３−ジメチル−２−（トリクロロシリル）−
１，３−ジラブタン（一般式Ｖ）７．１g(９．９％）
〔NMR(CDCl3), δ, 5.77(s, 1H, Si-H), 1.10(s, 1H, -
CH=), 0.39(s, 9H, -CH3) 〕；そして１，１，１−トリ
クロロ−３，３−ジメチル−２−（トリクロロシリル）
−１，３−ジシラブタン（一般式VI）０．６％〔NMR(CD
Cl3), δ, 1.39(s, -CH=), 0.43(s, 9H, -CH3)〕が得ら
れた。その他の副産物として２，２，４−トリクロロ−
３−（ジクロロシリル）−４−メチル−２，４−ジシラ
ペンタン７．５g(１０．４％）〔NMR(CDCl3), δ, 5.84
(s, 1H, Si-H), 1.22(s, 1H, -CH=), 1.06(s, 3H, -C
H3); 0.76(s, 6H, -CH3)〕；１，１−ジクロロ−３，３
−ジメチル−１，３−ジシラブタンが１２．３％、そし
て１，１，１−トリクロロ−３，３−ジメチル−１，３
−ジシラブタンが１．０％生成した。その外にトリクロ
ロシランが３．０％、そしてテトラクロロシランが０．
３％であり、残りの９．４％が種々の未確認物質であっ
た。
Claims (19)
- 【請求項１】 一般式（III)の化合物。 【化１】 上記式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 はすべてメチル基を示す
か；Ｒ1 がメチル基を示し、Ｒ2 及びＲ3 が塩素原子を
示すか；又はＲ1 は塩素原子を示し、Ｒ2 及びＲ3 はメ
チル基を示す。Ｒ4 及びＲ5 は−ＳｉＨＣｌ2 基を示す
か；Ｒ4 は−ＳｉＨＣｌ2 基を示し、Ｒ5 は−ＳｉＣｌ
3 基を示すか、又はＲ4 およびＲ5 は−ＳｉＣｌ3 基を
示す。 - 【請求項２】 一般式（Ｉ）で示される化合物と一般式
（II）で示される化合物の混合気体を、銅触媒の存在下
で、金属ケイ素と反応させて、一般式（IV）、（Ｖ）及
び（VI）で示される化合物を製造する方法。 【化２】 上記式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれメチル基又は
塩素原子を示し、Ｒは水素原子、低級アルキル基又は−
ＣＨ2 ＣＨ2 Ｃｌ基を示す。 - 【請求項３】 一般式（Ｉ）のＲ1 、Ｒ2 及びＲ3 がす
べてメチル基である請求項２の製造方法。 - 【請求項４】 一般式（Ｉ）のＲ1 がメチル基であり、
Ｒ2 及びＲ3 が塩素原子である請求項２の製造方法。 - 【請求項５】 一般式（Ｉ）のＲ2 及びＲ3 がメチル基
であり、Ｒ1 が塩素原子である請求項２の製造方法。 - 【請求項６】 一般式（Ｉ）のＲ1 、Ｒ2 及びＲ3 がす
べて塩素原子である請求項２の製造方法。 - 【請求項７】 一般式（II）の化合物が塩化水素である
請求項２の製造方法。 - 【請求項８】 一般式（II）のＲがプロピル基である請
求項２の製造方法。 - 【請求項９】 一般式（II）のＲがｎ−ブチル基である
請求項２の製造方法。 - 【請求項１０】 一般式（II）のＲがｔ−ブチル基であ
る請求項２の製造方法。 - 【請求項１１】 一般式（II）のＲが２−クロロエチル
基である請求項２の製造方法。 - 【請求項１２】 一般式（II）のアルキルクロリドを、
一般式（Ｉ）のジクロロメチル基を有するシランに対し
モル比で０．５〜６倍になるように混合して反応させる
請求項２の製造方法。 - 【請求項１３】 一般式（II）の化合物が塩化水素と他
の一般式（II）の化合物を１：１のモル比で混合したも
のである請求項２の製造方法。 - 【請求項１４】 流動型反応槽又は螺旋型撹拌器を備え
た反応槽で反応させる請求項２の製造方法。 - 【請求項１５】 反応物質を１気圧から５気圧迄の圧力
下で反応させる請求項２の製造方法。 - 【請求項１６】 球型の微細粉末酸性白土を、金属ケイ
素重量に対して１〜５０％添加して反応させる請求項２
の製造方法。 - 【請求項１７】 触媒として、金属銅又は反応条件で銅
を生成する銅化合物を、反応物質に対して重量比で１〜
２０％添加し、２５０〜３５０℃で反応させる請求項２
の製造方法。 - 【請求項１８】 カルシウム、チタン、カドミウム、
錫、亜鉛、銀、マグネシウム、マンガン、クロム及びそ
れらの金属化合物から選ばれる少なくとも１つの助触媒
を、反応固体全体の０．００１〜５％添加して反応させ
る請求項１７の製造方法。 - 【請求項１９】 Ｓｉ／Ｃｕ接触混合物が、反応してそ
の量が消耗したときに、消耗した量だけのＳｉ／Ｃｕ接
触混合物を追加して連続的に反応させる請求項２の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31085493A JP2951524B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | トリスシリルメタンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31085493A JP2951524B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | トリスシリルメタンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07196670A true JPH07196670A (ja) | 1995-08-01 |
| JP2951524B2 JP2951524B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=18010197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31085493A Expired - Fee Related JP2951524B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | トリスシリルメタンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2951524B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000351785A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-12-19 | Dow Corning Corp | シラメチレン結合を含むケイ素化合物およびその製造法 |
| JP2000351786A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-12-19 | Dow Corning Corp | 有機ケイ素化合物の製造法およびその方法で製造された有機ケイ素化合物 |
| JP2008511711A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | シレクス オサケユキチュア | 新規ポリオルガノシロキサン誘電体 |
| JP2013098028A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Adeka Corp | 非水電解液二次電池及び新規フルオロシラン化合物 |
-
1993
- 1993-12-10 JP JP31085493A patent/JP2951524B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000351785A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-12-19 | Dow Corning Corp | シラメチレン結合を含むケイ素化合物およびその製造法 |
| JP2000351786A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-12-19 | Dow Corning Corp | 有機ケイ素化合物の製造法およびその方法で製造された有機ケイ素化合物 |
| JP2008511711A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | シレクス オサケユキチュア | 新規ポリオルガノシロキサン誘電体 |
| JP2013098028A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Adeka Corp | 非水電解液二次電池及び新規フルオロシラン化合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2951524B2 (ja) | 1999-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2912106B2 (ja) | ビスシリルアルカンの製造方法 | |
| KR950002860B1 (ko) | 클로로알켄닐실란들과그제조방법 | |
| JP2837598B2 (ja) | ビスシリルメタンの製造方法 | |
| US5075477A (en) | Direct synthesis of methylchlorosilaakanes | |
| JP2744106B2 (ja) | アルキルハロゲノシランの製造法 | |
| WO2001081354A2 (en) | Method for preparing a contact mass | |
| JP2511244B2 (ja) | トリス（シリル）アルカンとその製造方法 | |
| US5332849A (en) | Tris(silyl) alkanes and their preparation methods | |
| JP2951524B2 (ja) | トリスシリルメタンの製造方法 | |
| JP2005521745A (ja) | クロロシラン中間体の製造方法 | |
| KR100795317B1 (ko) | 3-위치에서 관능화된 프로필 실란의 제조 방법 | |
| TW200400157A (en) | Method for preparing a contact mass | |
| KR20140093946A (ko) | 다이오가노다이할로실란의 제조 방법 | |
| US2902504A (en) | Process for preparing arylchlorosilanes | |
| JP2008074849A (ja) | メチルクロロシランの製造方法 | |
| KR101121664B1 (ko) | 알릴클로로실란의 제조방법 | |
| US5399740A (en) | Tris(silyl)methanes and their preparation methods | |
| KR950002861B1 (ko) | 트리스실릴메탄들과 그 제조방법 | |
| US6211394B1 (en) | Process for the preparation of organochlorosilanes | |
| KR950004175B1 (ko) | 트리스실릴알칸들과 그 제조방법 | |
| JP3658901B2 (ja) | アルコキシシランの製造方法 | |
| Han et al. | Slurry phase reaction of elemental silicon with methanol in the presence of copper: direct synthesis of trimethoxysilane | |
| Yeon et al. | Effects of hydrogen chloride addition to the direct reaction of methylene chloride with elemental silicon | |
| JPH04297483A (ja) | オルガノハロシラン類の調製方法 | |
| KR100785673B1 (ko) | 알킬할로게노실란의 직접 합성을 위한 촉매 시스템 및 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |