JPH0719870B2 - リードフレーム - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置を製造する際に使用するリードフレ
ームに関するものである。

〔従来の技術〕 従来のリードフレームは第３図（ａ），（ｂ）に示すよ
うに構成されていた。

第３図（ａ），（ｂ）は従来のリードフレームを示す平
面図で、同図（ａ）は半導体装置形成部を拡大して示す
図、同図（ｂ）はリードフレーム全体を示す図である。
これらの図において、１はリードフレーム、２はこのリ
ードフレーム１のインナーリード、３は同じくアウター
リード、４は半導体素子（図示せず）を搭載するための
ダイパッド、５はリードフレーム１の外枠部、６は前記
ダイパッド４とリードフレーム１の外枠部５とを接続す
るための吊りリード、７は前記インナーリード2,アウタ
ーリード３が位置ずれを起こすのを抑えると共に、封止
樹脂のモールド成形工程において封止を行わないアウタ
ーリード部へ樹脂が流出するのを防ぐためのタイバーで
ある。８は封止樹脂をモールド成形する工程，タイバー
７の切断工程およびアウターリード部の成形工程におい
てモールド金型，タイバーカット金型およびリード成形
金型等とリードフレーム１とを位置合せを行なうための
位置決め穴で、この位置決め穴８はリードフレーム１の
外枠部５に等間隔おいて穿設されている。また、この位
置決め穴８は、通常は円形または長円形に形成されてい
る。９はモールド金型（図示せず）における封止樹脂の
流路となるサブランナーおよびゲートと対応する部分
で、この部分はリードフレーム１の丁度外枠部５と対応
する位置に設けられている。10はリードフレーム１に封
止樹脂をモールド成形した際の樹脂の外形を示すモール
ドラインである。なお、第３図（ａ）中二点鎖線Ａはイ
ンナーリード2,アウターリード3,ダイパッド4,吊りリー
ド６およびタイバー７等からなる半導体装置形成部を示
す。この半導体装置形成部Ａは、同図（ｂ）に示すよう
に一つのリードフレーム１に複数並設されている。

このように構成された従来のリードフレーム１を使用し
て半導体装置を組立てるには、先ず、ダイパッド４上に
樹脂ダイボンド剤や半田等を用いて半導体素子（チッ
プ，ダイ）を搭載する。そして、半導体素子のAlパッド
電極とインナーリード２とを金，銅あるいはアルミニウ
ム等からなる金属細線（図示せず）によって接続する。
次いで、このリードフレーム１をモールド金型（図示せ
ず）内に型締めし、封止樹脂をモールド成形する。封止
樹脂が硬化された後、金型を用いてタイバー７を切断
し、アウターリード３を所定形状に曲げ加工すると同時
にアウターリード３の先端とリードフレーム１の外枠部
５とを切り離す。なお、アウターリード３の曲げ加工
は、切り離し加工の前、あるいは後に行なうこともあ
る。このようにアウターリード３の加工工程を経て半導
体装置が完成されることになる。

ところが、このように構成された従来のリードフレーム
においては、フレーム材料と封止樹脂との熱膨張係数に
差がある関係から、半導体装置が大型化されるにつれて
樹脂成形後に成形部分（以下、この成形部分をパッケー
ジという。）が反ってしまうという不具合があった。そ
こで、最近、封止後のパッケージの反りを抑えるため
に、リードフレーム１を部分的に分断するようなスリッ
トを設けるという手法が採られるようになってきた。

第４図（ａ），（ｂ）はスリットが設けられた従来のリ
ードフレームを示す平面図で、同図（ａ）は半導体装置
形成部を拡大して示す図、同図（ｂ）は全体を示す図で
ある。これらの図において前記第３図（ａ），（ｂ）で
説明したものと同一もしくは同等部材については同一符
号を付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。第４図
（ａ），（ｂ）において、11は樹脂封止後に封止時の金
型温度から室温まで冷却される際にリードフレーム１と
樹脂との熱膨張係数の違いにより生じる歪を抑え、歪に
より半導体装置が反るのを緩和するためのスリットで、
このスリット11は、リードフレーム１における半導体装
置形成部（同図中二点鎖線Ａで示す。）の側部に設けら
れており、半導体装置形成部Ａの４方を囲むように４箇
所に設けられている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかるに、近年、半導体装置がより一層大型化されるに
したがって、フレーム材料と樹脂との熱膨張係数の違い
により生じる歪も大きくなり、上述したようにリードフ
レーム１にスリット11を設けただけではこの歪を吸収す
ることができなくなってきた。このため、大型の半導体
装置を製造するにあたってはスリット11を設けたリード
フレームを使用してもパッケージの反りが大きくなって
しまうという問題があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係るリードフレームは、リードフレーム本体に
おけるモールド金型の樹脂注入用ゲート部と対応する部
分を除く部分に、半導体装置形成部の略４方を囲む連続
したスリットを設けたものである。

〔作用〕

半導体装置形成部は、リードフレーム本体におけるモー
ルド金型の樹脂注入用ゲート部と対応する部分だけでリ
ードフレーム本体に連結されることになるから、樹脂封
止後の冷却過程で生じる熱応力がリードフレーム本体に
おけるスリットより外側の部分から半導体装置形成部に
伝えられるのを防ぐことができる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図によって詳細に説明す
る。

第１図は本発明に係るリードフレームの要部を拡大して
示す平面図で、同図において前記第３図（ａ），（ｂ）
で説明したものと同一もしくは同等部材については同一
符号を付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。第１
図において、21は半導体装置形成部Ａをリードフレーム
１から隔てて設けるためのディッチ・スリットである。
このディッチ・スリット21は、リードフレーム１の外枠
部５であって、モールド金型のサブランナーおよびゲー
トと対応する部分９を除く部分に、半導体装置形成部Ａ
の略４方を囲むように連続して設けられている。また、
このディッチ・スリット21の両端開口部分とモールド金
型のサブランナーおよびゲートと対応する部分９との間
隔は0.3mm以上開けられており、このリードフレーム１
がモールド金型内に確実に型締めされるように構成され
ている。

このようにディッチ・スリット21が設けられたリードフ
レーム１を使用して半導体装置を組立てるには、先ず、
ダイパッド４上に半導体素子を搭載し、金属細線等によ
り半導体素子とインナーリード２とを電気的に接続す
る。次いで、このリードフレーム１をモールド金型内に
型締めし、半導体素子，インナーリード２等モールドラ
イン10内を樹脂封止する。この封止工程では、リードフ
レーム１および樹脂の温度は金型温度に相当する例えば
180℃程度の高温に達する。そして、樹脂封止後のリー
ドフレーム１をモールド金型から取り出し、室温程度ま
で冷却する。リードフレーム１が冷却される際には、リ
ードフレーム１におけるディッチ・スリット21より内側
の部分のみが樹脂の収縮と作用することとなるため、フ
レーム材料と樹脂との熱膨張係数の違いにより生じる歪
は小さくなる。このため、封止樹脂の反り量は従来のも
のに較べて小さくなる。

したがって、このようにリードフレーム１にディッチ・
スリット21を設けると、樹脂封止後の冷却過程で生じる
熱応力がリードフレームにおけるスリットより外側の部
分から半導体装置形成部分に伝えられるのを防ぐことが
できるから、リードフレーム１の収縮量と封止樹脂の収
縮量との差によってパッケージが反るのをきわめて小さ
い寸法に抑えることができる。

なお、前記実施例ではリードフレーム１にディッチ・ス
リット21のみを設けた例を示したが、第２図に示すよう
に位置決め用穴をディッチ・スリット21によって囲まれ
た部分に設けることもできる。

第２図は本発明に係るリードフレームの他の実施例を示
す平面図で、同図において前記第１図で説明したものと
同一部材について同一符号を付し、詳細な説明は省略す
る。第２図において、31はリードフレーム１におけるデ
ィッチ・スリット21で囲まれた部分を、換言すれば半導
体装置形成部Ａをモールド金型，タイバーカット金型お
よびリード成形金型等と位置合せを行なうための位置決
め穴で、この位置決め穴31は半導体装置形成部Ａの角部
に穿設されており、一つの半導体装置形成部Ａに対して
複数設けられている。この位置決め穴31を使用して半導
体装置形成部Ａを上述した各装置に位置決めすることに
よって、リード１の外枠部５に対して半導体装置形成部
Ａが位置ずれを起こしたとしても、リードの加工等を高
い精度をもって行なうことができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明に係るリードフレームは、リ
ードフレーム本体におけるモールド金型の樹脂注入用ゲ
ート部と対応する部分を除く部分に、半導体装置形成部
の略４方を囲む連続したスリットを設けたため、樹脂封
止後の冷却過程で生じる熱応力がリードフレーム本体に
おけるスリットより外側の部分から半導体装置形成部分
に伝えられるのを防ぐことができる。したがって、本発
明に係るリードフレームを使用して大型の半導体装置を
製造しても、封止樹脂部分が反るのを確実に抑えること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るリードフレームの要部を拡大して
示す平面図、第２図は半導体装置形成部に位置決め穴が
設けられた他の実施例を示す平面図、第３図（ａ），
（ｂ）は従来のリードフレームを示す平面図で、同図
（ａ）は半導体装置形成部を拡大して示す図、同図
（ｂ）はリードフレーム全体を示す図である。第４図
（ａ），（ｂ）はスリットが設けられた従来のリードフ
レームを示す平面図で、同図（ａ）は半導体装置形成部
を拡大して示す図、同図（ｂ）は全体を示す図である。 １……リードフレーム、２……インナーリード、３……
アウターリード、４……ダイパッド、21……ディッチ・
スリット、31……位置決め穴。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体素子が搭載されるダイパッドと、こ
   のダイパッドの側方に配置されたインナーリードおよび
   アウターリードとからなる半導体装置形成部がリードフ
   レーム本体に形成され、この半導体装置形成部に封止樹
   脂がモールド成形されるリードフレームにおいて、前記
   リードフレーム本体におけるモールド金型の樹脂注入用
   ゲート部と対応する部分を除く部分に、半導体装置形成
   部の略４方を囲む連続したスリットを設けたことを特徴
   とするリードフレーム。