JPH07198919A - 反射板の製造方法 - Google Patents
反射板の製造方法Info
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- JPH07198919A JPH07198919A JP5337975A JP33797593A JPH07198919A JP H07198919 A JPH07198919 A JP H07198919A JP 5337975 A JP5337975 A JP 5337975A JP 33797593 A JP33797593 A JP 33797593A JP H07198919 A JPH07198919 A JP H07198919A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトリソプロセスにより、反射板表面の凹
凸断面形状を自由に制御し、所望の反射板を提供するこ
とである。 【構成】 本発明は、マスク材２と遮光材３よりなり、
遮光材３によって光源の透過量を調整した露光マスク１
を用いて、パターンニングすることで、凹凸形成層５の
断面方向の光照射強度の制御ができる。これにより凹凸
断面形状６の自由な形状制御が可能である。さらに、こ
の上部に反射層を積層して反射板とする。
凸断面形状を自由に制御し、所望の反射板を提供するこ
とである。 【構成】 本発明は、マスク材２と遮光材３よりなり、
遮光材３によって光源の透過量を調整した露光マスク１
を用いて、パターンニングすることで、凹凸形成層５の
断面方向の光照射強度の制御ができる。これにより凹凸
断面形状６の自由な形状制御が可能である。さらに、こ
の上部に反射層を積層して反射板とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に反射型液晶表示装
置に用いられるものである。
置に用いられるものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置における反射板の反射性能
は、使用目的に応じて設定するため、その表面凹凸形状
の制御が非常に重要となる。
は、使用目的に応じて設定するため、その表面凹凸形状
の制御が非常に重要となる。
【０００３】反射板表面凹凸形状の製造方法としては、
ポリイミド膜へのフォトリソによる凹凸形成法（例え
ば、特開昭５８−１２５０８４号公報：液晶表示装置お
よびその製造方法）、が既知である。これは、ポリイミ
ド膜にフォトリソ及びエッチング工程を利用して凹凸形
状を作製し、これを凹凸形成層とした。そして、この凹
凸形成層上部に反射効率の高い金属膜（Ａｌ、Ａｇ）を
反射層として形成し、反射板とした。
ポリイミド膜へのフォトリソによる凹凸形成法（例え
ば、特開昭５８−１２５０８４号公報：液晶表示装置お
よびその製造方法）、が既知である。これは、ポリイミ
ド膜にフォトリソ及びエッチング工程を利用して凹凸形
状を作製し、これを凹凸形成層とした。そして、この凹
凸形成層上部に反射効率の高い金属膜（Ａｌ、Ａｇ）を
反射層として形成し、反射板とした。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の反射板製造方法
では、平面凹凸形状はマスクパターンにより正確に制御
できるが、断面形状の直接的な制御までは原理的に困難
である。さらに、前記のフォトリソプロセスは、レジス
ト塗布、現像及び、剥離工程等を含むことから、工程数
が多い。
では、平面凹凸形状はマスクパターンにより正確に制御
できるが、断面形状の直接的な制御までは原理的に困難
である。さらに、前記のフォトリソプロセスは、レジス
ト塗布、現像及び、剥離工程等を含むことから、工程数
が多い。
【０００５】本発明は、上記問題点である断面形状の制
御性とフォトリソプロセス数の低減を解決した製造方法
による反射板の提供を目的とする。
御性とフォトリソプロセス数の低減を解決した製造方法
による反射板の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に凹凸
形成層を有し、その上に反射層を積層した反射板の製造
方法において、光の透過量が制御された露光マスクを用
いて、凹凸の形成を行うことを特徴とする。
形成層を有し、その上に反射層を積層した反射板の製造
方法において、光の透過量が制御された露光マスクを用
いて、凹凸の形成を行うことを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明の詳細について説明する。図１には凹凸
形成層への露光状態図を示した。なお、ここでは凹凸形
成層として、ポジ型感光性膜を使用する。なお、照射光
量が感光に十分ではない場合は、露光部でもエッチング
されない。
形成層への露光状態図を示した。なお、ここでは凹凸形
成層として、ポジ型感光性膜を使用する。なお、照射光
量が感光に十分ではない場合は、露光部でもエッチング
されない。
【０００８】本発明の露光マスク１は、マスク材２と表
面に形成されたパターン（遮光材）部３からなる。但
し、パターン３内部は、光の透過量が変化できるように
制御されている。
面に形成されたパターン（遮光材）部３からなる。但
し、パターン３内部は、光の透過量が変化できるように
制御されている。
【０００９】前記マスクを用いて、基板上４に形成され
た感光性膜５へ露光した場合、露光マスク透過後の光強
度は、パターン内部で制御された透過量に応じた強度で
感光性膜５を露光する。その結果、感光性膜５は、感光
可能な深さ領域６まで、反応が起こる。これによって、
反応部７と未反応部８の領域が形成される。
た感光性膜５へ露光した場合、露光マスク透過後の光強
度は、パターン内部で制御された透過量に応じた強度で
感光性膜５を露光する。その結果、感光性膜５は、感光
可能な深さ領域６まで、反応が起こる。これによって、
反応部７と未反応部８の領域が形成される。
【００１０】さらに、エッチング処理を行うことによ
り、反応部７と未反応部８の境界面９が凹凸断面形状と
して現れる。その後、凹凸形成層の上部に金属膜を積層
して、反射板とする。
り、反応部７と未反応部８の境界面９が凹凸断面形状と
して現れる。その後、凹凸形成層の上部に金属膜を積層
して、反射板とする。
【００１１】以上より、前記露光マスク１と感光性膜５
を用いることで、反応層の光量を感光性膜５の深さ方向
で変化させて凹凸断面形状の制御が可能となる。
を用いることで、反応層の光量を感光性膜５の深さ方向
で変化させて凹凸断面形状の制御が可能となる。
【００１２】
【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。図
２に凹凸製造工程を示した。
２に凹凸製造工程を示した。
【００１３】（実施例１）本発明の露光マスクの遮光材
３には、膜厚により光の透過量を変化できるアモルファ
スシリコン膜を用いた。前記アモルファスシリコン膜の
形成方法として、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ
法）を使用した。マスク基板２には、ガラス基板使用
し、その上部にＰＥＣＶＤ法により０．１５μｍ成膜し
た。なお、この時のアモルファスシリコン膜には光学的
バンドギャップが１．８ｅＶの膜を使用した。前記アモ
ルファスシリコン膜厚を０〜１．５μｍの範囲で調整す
ることで、４３６ｎｍの波長光の透過率を１００〜０．
１％程度まで制御できる。その後、フォトリソ及びエッ
チング工程により所望のマスク形状を形成した。なお、
この時のマスクサイズは、反射板表面に作成するための
所望の凹凸形状、ピッチ２〜３０μｍ、平面形状は円
形、断面は傾斜角度３０度以下に設定した。ただし、こ
れらの凹凸形状に限られるものではない。以上の方法に
より、光透過量を制御した露光マスクの製造ができる。
３には、膜厚により光の透過量を変化できるアモルファ
スシリコン膜を用いた。前記アモルファスシリコン膜の
形成方法として、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ
法）を使用した。マスク基板２には、ガラス基板使用
し、その上部にＰＥＣＶＤ法により０．１５μｍ成膜し
た。なお、この時のアモルファスシリコン膜には光学的
バンドギャップが１．８ｅＶの膜を使用した。前記アモ
ルファスシリコン膜厚を０〜１．５μｍの範囲で調整す
ることで、４３６ｎｍの波長光の透過率を１００〜０．
１％程度まで制御できる。その後、フォトリソ及びエッ
チング工程により所望のマスク形状を形成した。なお、
この時のマスクサイズは、反射板表面に作成するための
所望の凹凸形状、ピッチ２〜３０μｍ、平面形状は円
形、断面は傾斜角度３０度以下に設定した。ただし、こ
れらの凹凸形状に限られるものではない。以上の方法に
より、光透過量を制御した露光マスクの製造ができる。
【００１４】実施例１では、凹凸形成層として、感光部
がエッチングされるポジ型感光性ポリイミド（日産化学
製ＲＮ−９０１）を用いた。ガラス基板上にスピンコー
トし、推奨条件で凹凸形成層を１〜４μｍ形成した。
（図２の（１））その後、前記露光マスクを用いて露光
した。（図２の（２））なお、この時の光源として、高
圧水銀ランプを用い、露光時間は１〜３０分間とした。
エッチング液に弱アルカリ溶液を使用して、未反応層の
除去を行った後、１５０度で焼成した。これにより、ピ
ッチ１〜３０μｍ、高さ１〜２μｍ程度の凹凸形状が形
成できる。（図２の（３））そして、さらに焼成温度を
ガラス転移温度以上の３３０度にすることで、熱による
前記凹凸の溶融が始まる。この方法により、再度変化さ
せることが可能である。その後 凹凸表面にアルミニウ
ム或いは銀等の反射効率の高い金属層を積層して、反射
板ができる。
がエッチングされるポジ型感光性ポリイミド（日産化学
製ＲＮ−９０１）を用いた。ガラス基板上にスピンコー
トし、推奨条件で凹凸形成層を１〜４μｍ形成した。
（図２の（１））その後、前記露光マスクを用いて露光
した。（図２の（２））なお、この時の光源として、高
圧水銀ランプを用い、露光時間は１〜３０分間とした。
エッチング液に弱アルカリ溶液を使用して、未反応層の
除去を行った後、１５０度で焼成した。これにより、ピ
ッチ１〜３０μｍ、高さ１〜２μｍ程度の凹凸形状が形
成できる。（図２の（３））そして、さらに焼成温度を
ガラス転移温度以上の３３０度にすることで、熱による
前記凹凸の溶融が始まる。この方法により、再度変化さ
せることが可能である。その後 凹凸表面にアルミニウ
ム或いは銀等の反射効率の高い金属層を積層して、反射
板ができる。
【００１５】なお、露光マスクの遮光材には、アモルフ
ァスシリコン膜を用いたが、これに限定されない。その
他の材料として、Ｃｒ、Ａｌ或いはこれらの酸化物、酸
化シリコン、窒化シリコン等も同様の効果が期待され
る。また、露光マスクの透過量を遮光材の膜厚で調整し
たが、１μｍ程度のドット状遮光材の形成数、回折パタ
ーンサイズ等の調整でも光の透過量の制御は可能であ
る。
ァスシリコン膜を用いたが、これに限定されない。その
他の材料として、Ｃｒ、Ａｌ或いはこれらの酸化物、酸
化シリコン、窒化シリコン等も同様の効果が期待され
る。また、露光マスクの透過量を遮光材の膜厚で調整し
たが、１μｍ程度のドット状遮光材の形成数、回折パタ
ーンサイズ等の調整でも光の透過量の制御は可能であ
る。
【００１６】（実施例２）凹凸形成層に感光性を有さな
い材料を使用した場合について、以下に示す。この場
合、前記凹凸形成層上部にレジストパターン層１１でマ
スクすることで、前記露光マスクを使用して、凹凸断面
形状の形成ができる。そこで、凹凸形成層にポリイミド
膜１０（日産化学製ＲＮ−８１２）とマスクパターンに
レジスト層１１（ＯＦＰＲ−８００）を使用した場合に
ついても実施した。前記ポリイミド膜をガラス基板上に
スピンコートし、９０度、１０分間の仮焼成温度及び時
間、２５０度、３０分間の本焼成温度及び時間の処理を
行った。（図２の（４））なお、焼成後の膜厚は１〜４
μｍ程度に設定した。その上部にポリイミド膜上にＯＦ
ＰＲ−８００を３μｍ塗布し（図２の（５））、焼成し
た後、前記露光マスクを用いて、露光（図２の
（６））、現像して、レジストパターンの形成を行っ
た。（図２の（７））このパターンの断面形状は所望の
凹凸形状を示している。その後、ドライエッチング処理
（異方性エッチング）を行った。なお、この時の反応ガ
スには四フッ化カルシウムと酸素の混合ガスを使用し
た。エッチング条件として、レジストと前記ポリイミド
膜のエッチング速度が等しい条件を選択した。（但し、
この条件に限定する必要はない。）レジストパターン形
成後エッチング開始により、レジストパターン膜厚の薄
い領域から、レジストがエッチングされ、その後、下層
ポリイミド膜にエッチングが進行する。その結果、レジ
スト形状を反映した凹凸形状がポリイミド上に形成され
る。（図２の（８））その後、レジスト剥離を行う。
（図２の（９））この場合、プロセス数は増加するが、
感光性以外の材質を用いても凹凸断面形状の制御ができ
る。なお、凹凸形成層であるポリイミド膜のエッチング
にはウェットエッチング法（東京応化製ＮＭＤ−３）を
用いてもよい。
い材料を使用した場合について、以下に示す。この場
合、前記凹凸形成層上部にレジストパターン層１１でマ
スクすることで、前記露光マスクを使用して、凹凸断面
形状の形成ができる。そこで、凹凸形成層にポリイミド
膜１０（日産化学製ＲＮ−８１２）とマスクパターンに
レジスト層１１（ＯＦＰＲ−８００）を使用した場合に
ついても実施した。前記ポリイミド膜をガラス基板上に
スピンコートし、９０度、１０分間の仮焼成温度及び時
間、２５０度、３０分間の本焼成温度及び時間の処理を
行った。（図２の（４））なお、焼成後の膜厚は１〜４
μｍ程度に設定した。その上部にポリイミド膜上にＯＦ
ＰＲ−８００を３μｍ塗布し（図２の（５））、焼成し
た後、前記露光マスクを用いて、露光（図２の
（６））、現像して、レジストパターンの形成を行っ
た。（図２の（７））このパターンの断面形状は所望の
凹凸形状を示している。その後、ドライエッチング処理
（異方性エッチング）を行った。なお、この時の反応ガ
スには四フッ化カルシウムと酸素の混合ガスを使用し
た。エッチング条件として、レジストと前記ポリイミド
膜のエッチング速度が等しい条件を選択した。（但し、
この条件に限定する必要はない。）レジストパターン形
成後エッチング開始により、レジストパターン膜厚の薄
い領域から、レジストがエッチングされ、その後、下層
ポリイミド膜にエッチングが進行する。その結果、レジ
スト形状を反映した凹凸形状がポリイミド上に形成され
る。（図２の（８））その後、レジスト剥離を行う。
（図２の（９））この場合、プロセス数は増加するが、
感光性以外の材質を用いても凹凸断面形状の制御ができ
る。なお、凹凸形成層であるポリイミド膜のエッチング
にはウェットエッチング法（東京応化製ＮＭＤ−３）を
用いてもよい。
【００１７】本実施例で示したレジストパターンの使用
の場合、凹凸形成層には感光性以外の様々な材料が使用
できる。前記ポリイミド膜以外の材料として、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｗ等の金属系材料及び金属系酸化物、酸化シ
リコン、窒化シリコン、アモルファスシリコン等の無機
系材料、アクリル系樹脂等の利用が考えられる。
の場合、凹凸形成層には感光性以外の様々な材料が使用
できる。前記ポリイミド膜以外の材料として、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｗ等の金属系材料及び金属系酸化物、酸化シ
リコン、窒化シリコン、アモルファスシリコン等の無機
系材料、アクリル系樹脂等の利用が考えられる。
【００１８】さらに、本発明は反射層に用いる材料の膜
厚及び膜質等の調整により、反射率を低減化し、半透過
・反射兼用の液晶表示装置にも適用できる。
厚及び膜質等の調整により、反射率を低減化し、半透過
・反射兼用の液晶表示装置にも適用できる。
【００１９】
【発明の効果】本発明を適用すれば、従来のフォトリソ
プロセス及びエッチングプロセスを用いて、自由に凹凸
の形状を制御した反射板の製造ができる。また、本反射
板は、液晶表示装置だけではなく、種々の表示装置等に
適用できる。
プロセス及びエッチングプロセスを用いて、自由に凹凸
の形状を制御した反射板の製造ができる。また、本反射
板は、液晶表示装置だけではなく、種々の表示装置等に
適用できる。
【図１】本発明の露光マスクを用いた場合の露光状態を
示した図である。
示した図である。
【図２】感光性膜及び非感光性膜を凹凸形成層に用いた
場合の凹凸製造工程を示した図である。
場合の凹凸製造工程を示した図である。
１ 露光マスク ２ マスク材 ３ 遮光材 ４ 基板 ５ 凹凸形成層 ６ 凹凸面 ７ 感光部 ８ 非感光部 ９ 光 １０ ポリイミド膜 １１ レジスト層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に凹凸形成層を有し、その上に反
射層を積層した反射板の製造方法において、光の透過量
が制御された露光マスクを用いて、凹凸の形成を行うこ
とを特徴とする反射板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5337975A JPH07198919A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 反射板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5337975A JPH07198919A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 反射板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07198919A true JPH07198919A (ja) | 1995-08-01 |
Family
ID=18313764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5337975A Pending JPH07198919A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 反射板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07198919A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000040584A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| US6193898B1 (en) | 1997-10-14 | 2001-02-27 | Alps Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for fabricating reflector |
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