JPS6310162A - フオトマスク - Google Patents
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- JPS6310162A JPS6310162A JP61154564A JP15456486A JPS6310162A JP S6310162 A JPS6310162 A JP S6310162A JP 61154564 A JP61154564 A JP 61154564A JP 15456486 A JP15456486 A JP 15456486A JP S6310162 A JPS6310162 A JP S6310162A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子製・造工程や
、薄膜ＥＬ素子の透明電極製造工程等で用いられるフォ
トマスクに関するものである。
、薄膜ＥＬ素子の透明電極製造工程等で用いられるフォ
トマスクに関するものである。
従来、この種のフォトマスクとしては、第８図又は第９
図に示すものがあった。すなわち、第８図に示すフォト
マスク１は、透光性基板２の一主表面に凸部３及び凹部
４を形成し、その凸部３の上面に、クロム膜からなる遮
光性膜５を被着したものである（特開昭５２−１１７５
５５Ｍ公報）。また、第９図に示すフォトマスク６は、
透光性基板２の一主表面に第８図に示したフォトマスク
１と同様に凸部３及び凹部４を形成し、その凹部４の底
面に遮光性膜５を被着したものである（特開昭５２−１
１６１７１号公報）。
図に示すものがあった。すなわち、第８図に示すフォト
マスク１は、透光性基板２の一主表面に凸部３及び凹部
４を形成し、その凸部３の上面に、クロム膜からなる遮
光性膜５を被着したものである（特開昭５２−１１７５
５５Ｍ公報）。また、第９図に示すフォトマスク６は、
透光性基板２の一主表面に第８図に示したフォトマスク
１と同様に凸部３及び凹部４を形成し、その凹部４の底
面に遮光性膜５を被着したものである（特開昭５２−１
１６１７１号公報）。
これらフォトマスク１及び６は、それぞれ凸部３又は凹
部４に被着された遮光性膜５が、被転写基板（例えば、
レジスト膜が塗布されたシリコンウェハである。）に転
写される転写パターンとなる。したがって凸部３の幅Ｗ
＋（凹部４の幅Ｗ２ ）は、その転写パターンの線幅を
規定している。なお、フォトマスク１の一主表面を凹凸
状態にしている目的は、密着露光法により被転写基板に
転写パターンを転写するとき、レジスト膜から発生する
Ｎ２ガスを排出することであり、一方フオドマスク６の
凹凸状態の目的は、フォトマスクの使用回数の増大であ
る。
部４に被着された遮光性膜５が、被転写基板（例えば、
レジスト膜が塗布されたシリコンウェハである。）に転
写される転写パターンとなる。したがって凸部３の幅Ｗ
＋（凹部４の幅Ｗ２ ）は、その転写パターンの線幅を
規定している。なお、フォトマスク１の一主表面を凹凸
状態にしている目的は、密着露光法により被転写基板に
転写パターンを転写するとき、レジスト膜から発生する
Ｎ２ガスを排出することであり、一方フオドマスク６の
凹凸状態の目的は、フォトマスクの使用回数の増大であ
る。
しかしながら、従来のフォトマスクは、凹部又は凸部に
遮光性膜を被着し、転写パターンとしていることから、
密着露光法により繰り返しの密着露光やフォトマスクの
繰り返しの洗浄により遮光性膜が剥離してしまう問題点
、すなわちフォトマスクの耐久性に問題があった。
遮光性膜を被着し、転写パターンとしていることから、
密着露光法により繰り返しの密着露光やフォトマスクの
繰り返しの洗浄により遮光性膜が剥離してしまう問題点
、すなわちフォトマスクの耐久性に問題があった。
本発明は、前述した問題点を除去するためになされたも
ので、その特徴は、透光性基板の−１表面に凹部又は凸
部を形成し、この凹部又は凸部の側面が、被転写基板に
所望するパターンを形成するための転写パターンである
フォトマスクである。
ので、その特徴は、透光性基板の−１表面に凹部又は凸
部を形成し、この凹部又は凸部の側面が、被転写基板に
所望するパターンを形成するための転写パターンである
フォトマスクである。
そして、本発明の実施態様とじ−では、前述した透光性
基板がガラスからなることである。
基板がガラスからなることである。
なお、前記側面とは、凹部又は凸部の側面もしくはその
角を意味するものである。
角を意味するものである。
本発明のフォトマスクの一実施例を第１図及び第２図に
基づき詳細に説明する。
基づき詳細に説明する。
本例のフォトマスク１０は、石英ガラスからなる透光性
基板１１（主表面の大きさは５インチ×５インチ）の−
主表面に形成された断面矩形状の凹部１２（深さ［）
＝ １０００人２幅Ｗ＝１０μｍ）を有し、かつこの凹
部１２の底面１２ｂに対して垂直な側面１２ａが、所望
するパターンを形成する遮光部、すなわち転写パターン
となる。なお、凹部１２の底面１２ｂは透光性であり、
転写パターンを所望する間隔（本例では１０μｍである
。）に配設するためのものである。
基板１１（主表面の大きさは５インチ×５インチ）の−
主表面に形成された断面矩形状の凹部１２（深さ［）
＝ １０００人２幅Ｗ＝１０μｍ）を有し、かつこの凹
部１２の底面１２ｂに対して垂直な側面１２ａが、所望
するパターンを形成する遮光部、すなわち転写パターン
となる。なお、凹部１２の底面１２ｂは透光性であり、
転写パターンを所望する間隔（本例では１０μｍである
。）に配設するためのものである。
次に、本例のフォトマスク１０の製造方法を、第２図に
基づき次に述べる。先ず、石英ガラスからなる透光性基
板１１の一主表面上に、スパッタリング法でクロムから
なる遮光性膜１３（膜厚ニア００人）を被着し、この遮
光性膜１３上に、スピンコード法により、膜厚６０００
人のレジスト膜１４（ヘキスト社製のポジ型レジストＡ
Ｚ−１３５０）を塗布する。次に、このレジスト膜１４
を、遮光性膜（例えばクロム膜）の一部をエツチングし
て形成した断面矩形状の透光部（幅１０μｍ）を有する
フォトマスク（図示せず。）を通して紫外光１５により
露光する（同図（ａ））。次に、露光されたレジスト膜
１４を専用現像液で現像し、レジストパターン１６を形
成する（同図（ｂ））。次に、レジストパターン１６を
マスクとして、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇ
と過塩素酸（７０％ ＞ ４２−に純水を加えて１００
０Ｉ１１にしたエツチング液で、遮光性膜１３をエツチ
ングし、次にレジストパターン１６を硫酸により除去し
、遮光性膜パターン１７を形成する（同図（Ｃ））。次
に、同図（Ｃ）で示した、透光性基板１１上に遮光性膜
パターン１１を有するものを、平行平板型のりアクティ
ブイオンエツチング装置内に配置する。次に、ＣＦａ
カス（流ｉｉｉ １００ ＳＣＣＭ） ト０２ ｊｊ
ス（Ｉ量４０３ＣＣＨ）との混合ガス（ガス圧３０Ｐａ
）を装置内に導入し、高周波出力４００Ｗ／ｃｍ２で１
５分間、遮光性膜パターン１７をマスクとして、透光性
基板１１の−１表面を異方性エツチングをする。このエ
ツチングにより、深さ１０００人で幅１０μｍの凹部１
２を形成する（同図（ｄ））。次に、硫酸で洗浄し、遮
光性膜パターン１７を前述したエツチング液で除去し、
本例のフォトマスク１０を製作する（同図（ｅ））。
基づき次に述べる。先ず、石英ガラスからなる透光性基
板１１の一主表面上に、スパッタリング法でクロムから
なる遮光性膜１３（膜厚ニア００人）を被着し、この遮
光性膜１３上に、スピンコード法により、膜厚６０００
人のレジスト膜１４（ヘキスト社製のポジ型レジストＡ
Ｚ−１３５０）を塗布する。次に、このレジスト膜１４
を、遮光性膜（例えばクロム膜）の一部をエツチングし
て形成した断面矩形状の透光部（幅１０μｍ）を有する
フォトマスク（図示せず。）を通して紫外光１５により
露光する（同図（ａ））。次に、露光されたレジスト膜
１４を専用現像液で現像し、レジストパターン１６を形
成する（同図（ｂ））。次に、レジストパターン１６を
マスクとして、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇ
と過塩素酸（７０％ ＞ ４２−に純水を加えて１００
０Ｉ１１にしたエツチング液で、遮光性膜１３をエツチ
ングし、次にレジストパターン１６を硫酸により除去し
、遮光性膜パターン１７を形成する（同図（Ｃ））。次
に、同図（Ｃ）で示した、透光性基板１１上に遮光性膜
パターン１１を有するものを、平行平板型のりアクティ
ブイオンエツチング装置内に配置する。次に、ＣＦａ
カス（流ｉｉｉ １００ ＳＣＣＭ） ト０２ ｊｊ
ス（Ｉ量４０３ＣＣＨ）との混合ガス（ガス圧３０Ｐａ
）を装置内に導入し、高周波出力４００Ｗ／ｃｍ２で１
５分間、遮光性膜パターン１７をマスクとして、透光性
基板１１の−１表面を異方性エツチングをする。このエ
ツチングにより、深さ１０００人で幅１０μｍの凹部１
２を形成する（同図（ｄ））。次に、硫酸で洗浄し、遮
光性膜パターン１７を前述したエツチング液で除去し、
本例のフォトマスク１０を製作する（同図（ｅ））。
次に、このフォトマスク１０を用いてシリコンウェハ、
ヒに膜厚１００００人のレジスト膜（東京応化工業■製
のポジ型のフォトレジスト０ＦＰＲ８００）を塗布した
被転写基板のレジスト膜に所望するパターンを転写する
方法を述べる。
ヒに膜厚１００００人のレジスト膜（東京応化工業■製
のポジ型のフォトレジスト０ＦＰＲ８００）を塗布した
被転写基板のレジスト膜に所望するパターンを転写する
方法を述べる。
先ず、シリコンウェハ上に前述したレジスト膜をスピン
コード法により塗布する。次に、本例のフォトマスク１
０を通して紫外光により露光し、転写パターンを転写す
る。このとき、凹部１２の底面１２ｂは透光性であるこ
とから、その側面１２ａが転写パターンとなって転写さ
れる。なお、側面１２ａが遮光性を有することは、明確
にその理由を述べることはできないが、前述したりアク
ティブイオンエツチング法により、側面１２ａが底面１
２ｂよりも面粗度が粗いこと又は側面１２ａを垂直にエ
ツチングしても正確に垂直とはならず、傾斜してしまう
ことからと推測する。次に、露光されたレジスト膜を専
用現像液で現像し、第３図に示すようにシリコンウェハ
１８上に幅Ｗ３ ＝約１μｍのレジストパターン１９が
形成される。
コード法により塗布する。次に、本例のフォトマスク１
０を通して紫外光により露光し、転写パターンを転写す
る。このとき、凹部１２の底面１２ｂは透光性であるこ
とから、その側面１２ａが転写パターンとなって転写さ
れる。なお、側面１２ａが遮光性を有することは、明確
にその理由を述べることはできないが、前述したりアク
ティブイオンエツチング法により、側面１２ａが底面１
２ｂよりも面粗度が粗いこと又は側面１２ａを垂直にエ
ツチングしても正確に垂直とはならず、傾斜してしまう
ことからと推測する。次に、露光されたレジスト膜を専
用現像液で現像し、第３図に示すようにシリコンウェハ
１８上に幅Ｗ３ ＝約１μｍのレジストパターン１９が
形成される。
本発明は、前記実施例に限らず次のものであってもよい
。
。
先ず、前記実施例のフォトマスク１０における凹部１２
の深さＤは１０００人であったが、前記実施例と同様な
方法（ただし、エツチング時間は長くする。
の深さＤは１０００人であったが、前記実施例と同様な
方法（ただし、エツチング時間は長くする。
）により製作した、第４図に示すフォトマスク２０のよ
うに、透光性基板１１の主表面に形成された断面矩形状
の凹部２１の深さＤを例えば３０００人にしてもよい。
うに、透光性基板１１の主表面に形成された断面矩形状
の凹部２１の深さＤを例えば３０００人にしてもよい。
すなわち、凹部２１の深さＤを変化させることにより、
被転写基板へ形成される所望パターンの線幅をコントロ
ールすることができる。また、凹部の形状は第５図に示
すような形状であってもよい。すなわち、このフォトマ
スク２２の凹部２３は、透光性基板１１を、バレルプラ
ズマエツチング法（等方性エツチング方法）によりエツ
チングし、断面が台形状の凹部である。そしてこの凹部
２３は、側面２３ａの傾斜角θを制御すること、すなわ
ち等方性エツチングの条件を変えることにより傾斜角θ
を制御し、被転写基板の所望パターンの線幅をコントロ
ールできる。また、第６図（ａ）のようなフォトマスク
２４を用いれば、同図（１））に示すような所望のパタ
ーンが得られる。すなわち、透光性基板１１の−１表面
に、前記実施例と同様の深さく１０００人）を有し、幅
Ｗ４−１μｍの断面矩形状の凹部２５をピッチＰ＝１μ
ｍで複数（例えば８個）形成し、凹部群２６としたフォ
トマスク２４である。
被転写基板へ形成される所望パターンの線幅をコントロ
ールすることができる。また、凹部の形状は第５図に示
すような形状であってもよい。すなわち、このフォトマ
スク２２の凹部２３は、透光性基板１１を、バレルプラ
ズマエツチング法（等方性エツチング方法）によりエツ
チングし、断面が台形状の凹部である。そしてこの凹部
２３は、側面２３ａの傾斜角θを制御すること、すなわ
ち等方性エツチングの条件を変えることにより傾斜角θ
を制御し、被転写基板の所望パターンの線幅をコントロ
ールできる。また、第６図（ａ）のようなフォトマスク
２４を用いれば、同図（１））に示すような所望のパタ
ーンが得られる。すなわち、透光性基板１１の−１表面
に、前記実施例と同様の深さく１０００人）を有し、幅
Ｗ４−１μｍの断面矩形状の凹部２５をピッチＰ＝１μ
ｍで複数（例えば８個）形成し、凹部群２６としたフォ
トマスク２４である。
このフォトマスク２４を用いて、例えばシリコンウェハ
上に塗布されたネガ型のフォトレジスト膜（例えば、日
立化成工業＠ＪｌＪＲＵ−１１００８） ！、：、それ
ぞれ凹部２５の側面２５ａを転写パターンとして転写す
ると、幅Ｗ４及びピッチＰが小さいことから、露光時に
おいて、露光光の回折又は干渉現像により凹部２５の底
面及び凹部２５間の透光性基板の部分１１ａも遮光され
、そのため露光されたレジストを現像すると、第６図（
ｂ）に示すようにフォトマスク２４の凹部群２６及び凹
部２５間の透光性基板の部分１１ａに対応して遮光され
たレジスト膜は除去され、抜きレジストパターン２γ（
なお、２８はレジスト残部である。）がシリコンウェハ
１８上に形成される。
上に塗布されたネガ型のフォトレジスト膜（例えば、日
立化成工業＠ＪｌＪＲＵ−１１００８） ！、：、それ
ぞれ凹部２５の側面２５ａを転写パターンとして転写す
ると、幅Ｗ４及びピッチＰが小さいことから、露光時に
おいて、露光光の回折又は干渉現像により凹部２５の底
面及び凹部２５間の透光性基板の部分１１ａも遮光され
、そのため露光されたレジストを現像すると、第６図（
ｂ）に示すようにフォトマスク２４の凹部群２６及び凹
部２５間の透光性基板の部分１１ａに対応して遮光され
たレジスト膜は除去され、抜きレジストパターン２γ（
なお、２８はレジスト残部である。）がシリコンウェハ
１８上に形成される。
また、前述したフォトマスク１０．２０．２２．２４に
おいてはそれぞれ、透光性基板１１に凹部１２．２１．
２３゜２５を形成し、その側面により被転写基板に所望
パターンを形成していたが、第７図に示すように、透光
性基板１１の−１表面に凸部２９を形成し、その側面２
９ａにより、被転写基板に所望するパターンを形成する
フォトマスク３０であってもよい。
おいてはそれぞれ、透光性基板１１に凹部１２．２１．
２３゜２５を形成し、その側面により被転写基板に所望
パターンを形成していたが、第７図に示すように、透光
性基板１１の−１表面に凸部２９を形成し、その側面２
９ａにより、被転写基板に所望するパターンを形成する
フォトマスク３０であってもよい。
また、前記実施例では透光性基板が石英ガラスからなる
もの、であったが、アルミノシリケートガラスやソーダ
ライムガラス等の他のガラスからなるものでもよく、ま
たガラス基板の凹部又は凸部を形成する一主表面上に、
鉛等のイオンエツチング法やスパッタエツチング法にお
いてエツチングレートを増加させる成分をドープしたガ
ラス基板であってもよい。また、透光性基板としてガラ
スからなるもの以外に透光性のセラミックであってもよ
い。また、前述したフォトマスクの凹部（又は凸部）を
形成する方法としては、等方性及び異方性のエツチング
方法の何れであってもよく、凹部（又は凸部）の所望す
る断面形状に応じて適宜決定することができ、さらに等
方性エツチング及び異方性エツチングも他のエツチング
方法、例えばスパッタエツチング法（異方性）やケミカ
ルドライエツチング法（等方性）であってもよい。また
、エツチングガスもＣＦ４ ＋ ０２の混合ガスに限ら
ず、他のガス、例えば透光性基板がガラスからなるとぎ
は、ＣＣＩ、２Ｆ２等のフッ素系ガスであってもよい。
もの、であったが、アルミノシリケートガラスやソーダ
ライムガラス等の他のガラスからなるものでもよく、ま
たガラス基板の凹部又は凸部を形成する一主表面上に、
鉛等のイオンエツチング法やスパッタエツチング法にお
いてエツチングレートを増加させる成分をドープしたガ
ラス基板であってもよい。また、透光性基板としてガラ
スからなるもの以外に透光性のセラミックであってもよ
い。また、前述したフォトマスクの凹部（又は凸部）を
形成する方法としては、等方性及び異方性のエツチング
方法の何れであってもよく、凹部（又は凸部）の所望す
る断面形状に応じて適宜決定することができ、さらに等
方性エツチング及び異方性エツチングも他のエツチング
方法、例えばスパッタエツチング法（異方性）やケミカ
ルドライエツチング法（等方性）であってもよい。また
、エツチングガスもＣＦ４ ＋ ０２の混合ガスに限ら
ず、他のガス、例えば透光性基板がガラスからなるとぎ
は、ＣＣＩ、２Ｆ２等のフッ素系ガスであってもよい。
また、本発明のフォトマスクは、被転写基板としてシリ
コンウェハ（レジスト膜付も含む。）のみならず、フォ
トマスクブランク及び透明電極を形成するための透明導
電膜を被着した基板等に所望するパターンを形成すると
きにも使用でき、さらに密着露光法のみならず、プロキ
シミティ露光法や縮小投影露光法等にも利用できるもの
である。
コンウェハ（レジスト膜付も含む。）のみならず、フォ
トマスクブランク及び透明電極を形成するための透明導
電膜を被着した基板等に所望するパターンを形成すると
きにも使用でき、さらに密着露光法のみならず、プロキ
シミティ露光法や縮小投影露光法等にも利用できるもの
である。
本発明は、前述したとおり透光性基板の−１表面を除去
して形成した凹部又は凸部の側面を遮光性の転写パター
ンとし、従来のような遮光性膜を被着することがないこ
とから、膜の剥離がなく、フォトマスクの消耗を防止す
ることができＴＩＪ造コストの低減に著しく効果がある
。
して形成した凹部又は凸部の側面を遮光性の転写パター
ンとし、従来のような遮光性膜を被着することがないこ
とから、膜の剥離がなく、フォトマスクの消耗を防止す
ることができＴＩＪ造コストの低減に著しく効果がある
。
第１図は本発明の一実施例のフォトマスクを示す断面図
、第２図は一実施例のフォトマスクの製造工程を示す断
面図、第３図は一実施例のフォトマスクを使用して形成
したレジストパターン付シリコンウェハを示す断面図で
ある。第４図、第５図、第６図（ａ）及び第７図は、そ
れぞれ本発明の他の実施例のフォトマスクを示す断面図
、第６図（ｂ）は同図（ａ）で示したフォトマスクを使
用して形成した抜きレジストパターン付シリコンウェハ
を示す断面図である。第８図及び第９図は、それぞれ従
来のフォトマスクを示す断面図である。 １０、２０．２２．２４．３０・・・フォトマスク、１
２．２１゜２３、２５・・・凹部、１２ａ 、 ２３ａ
、 ２５ａ・・・側面、１８・・・シリコンウェハ、
１９・・・レジストパターン（所望するパターン）、２
７・・・扱きレジストパターン（所望するパターン）、
２９・・・凸部、２９ａ・・・側面
、第２図は一実施例のフォトマスクの製造工程を示す断
面図、第３図は一実施例のフォトマスクを使用して形成
したレジストパターン付シリコンウェハを示す断面図で
ある。第４図、第５図、第６図（ａ）及び第７図は、そ
れぞれ本発明の他の実施例のフォトマスクを示す断面図
、第６図（ｂ）は同図（ａ）で示したフォトマスクを使
用して形成した抜きレジストパターン付シリコンウェハ
を示す断面図である。第８図及び第９図は、それぞれ従
来のフォトマスクを示す断面図である。 １０、２０．２２．２４．３０・・・フォトマスク、１
２．２１゜２３、２５・・・凹部、１２ａ 、 ２３ａ
、 ２５ａ・・・側面、１８・・・シリコンウェハ、
１９・・・レジストパターン（所望するパターン）、２
７・・・扱きレジストパターン（所望するパターン）、
２９・・・凸部、２９ａ・・・側面
Claims (2)
- （１）透光性基板の一主表面に凹部又は凸部を形成し、
前記凹部又は凸部の側面が、被転写基板に所望するパタ
ーンを形成するための転写パターンであることを特徴と
するフォトマスク。 - （２）透光性基板がガラスからなることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154564A JPS6310162A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154564A JPS6310162A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310162A true JPS6310162A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH0515253B2 JPH0515253B2 (ja) | 1993-03-01 |
Family
ID=15586997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154564A Granted JPS6310162A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6310162A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01158449A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Fujitsu Ltd | 露光方法 |
| JPH03252659A (ja) * | 1990-03-01 | 1991-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク及びその製造方法 |
| JPH03267940A (ja) * | 1989-04-28 | 1991-11-28 | Fujitsu Ltd | マスク及びその製造方法並びにマスクを用いたパターン形成方法 |
| JP2016018187A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-01 | 株式会社ディスコ | 露光マスクの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50902A (ja) * | 1973-05-04 | 1975-01-08 | ||
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
| JPS5984835U (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体ペレツト |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61154564A patent/JPS6310162A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50902A (ja) * | 1973-05-04 | 1975-01-08 | ||
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
| JPS5984835U (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体ペレツト |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01158449A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Fujitsu Ltd | 露光方法 |
| JPH03267940A (ja) * | 1989-04-28 | 1991-11-28 | Fujitsu Ltd | マスク及びその製造方法並びにマスクを用いたパターン形成方法 |
| JPH03252659A (ja) * | 1990-03-01 | 1991-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク及びその製造方法 |
| JP2016018187A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-01 | 株式会社ディスコ | 露光マスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0515253B2 (ja) | 1993-03-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |