JPH07199202A - 強誘電性液晶または反強誘電性液晶表示素子とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、ジグザグ欠陥の無い強誘電性液晶の
カイラルスメクチックＣ相、もしくは反強誘電性液晶の
カイラルスメクチックＣ_A 相を簡便でかつ確実に形成で
き、長期にわたって駆動しても高画質で安定な表示能力
を保持できることを最も主要な目的としている。 【構成】本発明は、強誘電性液晶または反強誘電性液晶
を用いた液晶表示素子を製造する際に、ストライプ状電
極がほぼ直交するように相対して配置された少なくとも
一方が透明な一対の基板の片方または両方に配向膜を設
け、当該配向膜のラビング方向とほぼ平行になるように
また少なくとも１個の開口部を有するように一方の基板
のストライプ状電極間にストライプ状の隔壁部材を設
け、一対の基板を接着してセル容器を形成し、開口部を
介して強誘電性液晶または反強誘電性液晶を毛細管現象
により液晶表示素子本体に封入することを特徴としてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶または反
強誘電性液晶を用いる液晶表示素子とその製造方法に係
り、特にジグザグ欠陥の無い強誘電性液晶のカイラルス
メクチックＣ相、もしくは反強誘電性液晶のカイラルス
メクチックＣ_A 相を簡便でかつ確実に形成でき、長期に
わたって駆動しても高画質で安定な表示能力を保持し得
るようにした強誘電性液晶または反強誘電性液晶表示素
子とその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、強誘電性液晶（ＦＬＣ：Ferroele
ctric Liquid Crystal）のカイラルスメクチックＣ相、
あるいは反強誘電性液晶（ＡＦＬＣ：Anti-Ferroelectr
ic Liquid Crystal Display ）のカイラルスメクチック
Ｃ_A 相を用いた液晶表示素子（Liquid Crystal Displa
y：以下一括してＦＬＣＤと称する）が、ＳＴＮ(Super-
Twisted Nematic）、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）
等に代わる次世代の液晶表示素子として期待されてきて
おり、特に前者のものは、過去１０年以上にわたる研究
と技術開発歴がある。

【０００３】これらの表示原理、製造技術、材料、およ
びそれらに付随した種々の問題点等は、成書（例えば、
“次世代液晶デイスプレイと液晶材料”：福田敦夫監
修：シーエムシー：１９９２年刊、“強誘電性液晶の構
造と物性”：福田・竹添共著、コロナ社：１９９２年
刊）に詳述されている。

【０００４】これらによれば、ＦＬＣＤパネルのセルギ
ャップは、２μｍ程度で均一でなければならない。

【０００５】さらに、ＦＬＣＤで使用されるスメクチッ
ク相は、ＳＴＮ、ＴＦＴに使われるネマチック相と異な
り、層構造の可逆的な自己回復力がない。

【０００６】このため、例えばパネルに加えられる様々
な衝撃や振動等においては、パネルは耐震耐衝撃性に優
れた構造であることが要請される。

【０００７】これらの要請を満足するＦＬＣＤ用パネル
としては、例えば“特開昭６３−１１０４２５号公
報”、“特開昭６４−５１７号公報”において提案され
てきている。

【０００８】その概要を簡単に説明すると、以下のよう
である。

【０００９】すなわち、まず、ストライプ状電極の各電
極の間に、易接着性部材によりストライプ状でセルギャ
ップ程度の厚みの壁（隔壁部材）が形成される。

【００１０】次いで、この隔壁部材により、上下の基板
が接着されてなるものである。

【００１１】この種のものは、完全に接着しているの
で、外部からの圧力に対してパネル自体が変形すること
がなく、それに対応する液晶層の変形流動が生じないも
のである。また、ギャップは隔壁の高さで決まり、数ミ
クロン程度で任意に制御が可能である。

【００１２】ところで、ＦＬＣＤにおいてもう一つ問題
とされているのは、いかにジグザグ欠陥（樹状欠陥とも
呼ばれる）のない配向状態を得るかということである。

【００１３】すなわち、層構造がシェブロン構造と呼ば
れるスメクチック相固有の層構造をとることに起因する
ジグザグ欠陥の発生が、殆ど不可避であることである。

【００１４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、表示部に
おいて偏光顕微鏡にて観察されるジグザグ欠陥の様子の
一例を示す図である。

【００１５】図４（ａ）および図４（ｂ）において、４
０１はストライプ状スペーサー、４０２はくさび状ジグ
ザグ欠陥、４０３は線状ジグザグ欠陥、４０４は液晶を
それぞれ示している。

【００１６】また、図５はシェブロン構造とジグザグ欠
陥の様子の一例を示す図である。

【００１７】図５において、５０１は液晶分子、５０２
は基板、５０３はスメクチックＣ層面、５０４はジグザ
グ欠陥のできる箇所をそれぞれ示している。

【００１８】すなわち、図５に示すように、層の「く」
の字の方向を、大面積では確実に一つの向きに制御する
のが難しく、向きの異なるドメインが混在せざるを得な
い。この境界の「く」の字が向かい合った箇所５０４
が、ジグザグ欠陥といわれる状態である。そして、これ
を上から見ると、直線状４０３、ループ状（くさび状）
４０２のように見える。

【００１９】これらのジグザグ欠陥４０２、４０３は、
表示ムラの根本原因であり、駆動した場合には輝線とし
て輝いてコントラストを低下させ、新たなジグザグ欠陥
発生の温床となることから、ＦＬＣＤ実用化のためには
除去することが絶対に必要である。

【００２０】しかしながら、これを実現するための技術
的に容易な方法については、今までのところ、まだ提案
されてはいない。

【００２１】なお、前記文献には、酸化物の斜方蒸着膜
により、液晶に高いプレチルト角を持たせる方法が開示
されているが、大面積のパネルでは全く実用的でない。

【００２２】また、「く」の字の発現が原理的に期待し
難い液晶として、ナフタレン系液晶が開示されている
が、応答速度、コントラスト等、総合特性的に満足でき
る材料ではない。

【００２３】これは、ナフタレン系液晶が偶然示す性質
であって、類似の特性を示す材料を合成する指針等につ
いては全く知られていない。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
液晶表示素子においては、ジグザグ欠陥の無い強誘電性
液晶のカイラルスメクチックＣ相、もしくは反強誘電性
液晶のカイラルスメクチックＣ_A 相を形成することが困
難であるという問題があった。

【００２５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ために成されたもので、ジグザグ欠陥の無い強誘電性液
晶のカイラルスメクチックＣ相、もしくは反強誘電性液
晶のカイラルスメクチックＣ_A 相を簡便でかつ確実に形
成でき、長期にわたって駆動しても高画質で安定な表示
能力を保持することが可能な極めて信頼性の高い強誘電
性液晶または反強誘電性液晶表示素子とその製造方法を
提供することを目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、まず、請求項１に係る発明では、強誘電性液晶ま
たは反強誘電性液晶を用いた液晶表示素子を製造する方
法において、ストライプ状電極がほぼ直交するように相
対して配置された少なくとも一方が透明な一対の基板の
片方または両方に配向膜を設け、当該配向膜のラビング
方向とほぼ平行になるようにまた少なくとも１個の開口
部を有するように一方の基板のストライプ状電極間にス
トライプ状の隔壁部材を設け、一対の基板を接着してセ
ル容器を形成し、開口部を介して強誘電性液晶または反
強誘電性液晶を毛細管現象によりセル容器に封入するよ
うにしている。

【００２７】ここで、特に上記セル容器として１個の開
口部を有するセル容器を用い、セル容器の内側領域と外
部を等減圧状態のまま等方相転移温度に加熱することに
より、強誘電性液晶または反強誘電性液晶を毛細管現象
によってセル容器の内部へ封入するようにしている。

【００２８】また、上記セル容器内外の雰囲気を１０^-1
Ｔｏｒｒ以下の減圧状態に保ったまま強誘電性液晶また
は反強誘電性液晶を封入するようにしている。

【００２９】さらに、上記セル容器として少なくとも１
個の開口部を有するセル容器を用い、強誘電性液晶また
は反強誘電性液晶の等方相温度域で封入するようにして
いる。

【００３０】一方、請求項５に係る発明の強誘電性液晶
または反強誘電性液晶表示素子は、上記請求項１ないし
請求項４のいずれか１項に記載の製造方法により製造さ
れて成る。

【００３１】

【作用】従って、本発明の強誘電性液晶または反強誘電
性液晶表示素子とその製造方法においては、セル容器の
内側領域と外部を等減圧状態のまま等方相転移温度に加
熱することにより、液晶封入口の強誘電性液晶または反
強誘電性液晶は、セル容器の内外に差圧がなくとも、毛
細管現象によってセル容器の内部へ浸透する。

【００３２】この時、差圧を利用して強制的に液晶を浸
透させる場合と異なり、毛細管現象による液晶の自発的
な浸透であるため、液晶分子の配向膜上への配座は極め
て自然な形で行なわれ、スメクチック相温度に下げても
層の歪みの原因になることがない。

【００３３】また、ストライプ状の隔壁部材で浸透方向
をラビング方向と揃えていることにより、浸透中の液晶
の流れに乱流や蛇行が発生しないため、歪みの原因はさ
らに少なくなる。

【００３４】よって、等方相から冷却しても、液晶層内
部の干渉が相互に独立したトンネル内部に限定され、大
局的に悪影響を及ぼすことがないため、ジグザグ欠陥の
発生は著しく減少する。

【００３５】これにより、ジグザグ欠陥の無い強誘電性
液晶のカイラルスメクチックＣ相、もしくは反強誘電性
液晶のカイラルスメクチックＣ_A を簡便でかつ確実に形
成することができ、長期にわたって駆動しても高画質で
安定な表示能力を保持する強誘電性液晶または反強誘電
性液晶表示素子を得ることができる。

【００３６】

【実施例】本発明は、前述した構造の液晶表示素子にお
いて、強誘電性液晶または反強誘電性液晶を封入する際
に、封入温度（相状態）および封入速度と、ジグザグ欠
陥発現の相関を調べる中で見出したものである。

【００３７】すなわち、本発明では、強誘電性液晶また
は反強誘電性液晶を用いた液晶表示素子を製造する際
に、ストライプ状電極がほぼ直交するように相対して配
置された少なくとも一方が透明な一対の基板の片方また
は両方に配向膜を設け、当該配向膜のラビング方向とほ
ぼ平行になるようにまた少なくとも１個の開口部を有す
るように一方の基板のストライプ状電極間にストライプ
状の隔壁部材を設け、一対の基板を接着してセル容器を
形成し、開口部を介して強誘電性液晶または反強誘電性
液晶を毛細管現象によりセル容器に封入するものであ
る。

【００３８】より具体的には、セル容器の内側領域と外
部を等減圧状態のまま（セル容器内外の雰囲気を１０^-1
Ｔｏｒｒ以下の減圧状態に保ったまま）、等方相転移温
度に加熱することによって、強誘電性液晶または反強誘
電性液晶を封入することを特徴とするものであって、封
入動作がされる相状態として等方相であることを特徴と
する封入方法であり、この方法で強誘電性液晶または反
強誘電性液晶を封入して成る液晶表示素子である。

【００３９】以下、上記のような考え方に基づく本発明
の一実施例について、図面を参照して詳細に説明する。

【００４０】図１は、本発明による強誘電性液晶または
反強誘電性液晶表示素子の構成例を示す断面図である。

【００４１】すなわち、本実施例の強誘電性液晶または
反強誘電性液晶表示素子は、図１に示すように、ストラ
イプ状のＩＴＯ電極１０１がほぼ直交するように相対し
て配置された少なくとも一方が透明な一対のガラス基板
１０２の両方に配向膜１０５を設け、この配向膜１０５
のラビング方向とほぼ平行になるように１個の開口部を
有するように一方のガラス基板１０２のストライプ状の
ＩＴＯ電極１０１間に、ストライプ状の隔壁部材である
レジストスペーサー１０３を設け、一対のガラス基板１
０２を接着してセル容器を形成し、開口部を介して強誘
電性液晶または反強誘電性液晶１０４を毛細管現象によ
りセル容器に封入して成っている。

【００４２】ここで、隔壁部材であるレジストスペーサ
ー１０３の形成方法としては、例えばフォトリソ法、印
刷法の中から、適宜選択する。

【００４３】また、材料としては、例えばパタニングが
可能な各種のレジスト材を用いることができる。

【００４４】さらに、外側のシール部の一部には、液晶
封入口となる開口部が設けており、ここから強誘電性液
晶または反強誘電性液晶１０４を内部に浸透させるよう
にしている。

【００４５】次に、本実施例の強誘電性液晶または反強
誘電性液晶表示素子の製造方法について、図２を用いて
説明する。

【００４６】通常、強誘電性液晶または反強誘電性液晶
の封入は、セル容器を排気装置内に設置して、セル容器
の開口部より内部を充分に排気し、その後開口部を強誘
電性液晶または反強誘電性液晶で塞ぐ。

【００４７】次いで、セル容器の外部の圧力を高めて、
差圧が液晶にかかるようにする。こうすると、液晶がセ
ル容器内部に浸透するが、この時に差圧と温度を加減す
ることによって、浸透速度を制御することができる。

【００４８】すなわち、まず、図２に示すように、スト
ライプ状のＩＴＯ電極１０１がほぼ直交するように相対
して配置された少なくとも一方が透明な一対のガラス基
板１０２の両方に配向膜１０５を設ける。

【００４９】次に、この配向膜１０５のラビング方向と
ほぼ平行になるように１個の開口部２０１を有するよう
に一方のガラス基板１０２のストライプ状のＩＴＯ電極
１０１間にストライプ状の隔壁部材であるレジストスペ
ーサー１０３を設け、一対のガラス基板１０２を接着し
てセル容器２０２を形成する。

【００５０】しかる後に、セル容器２０２の内側領域と
外部を等減圧状態のまま等方相転移温度に加熱すること
により、開口部２０１を介して強誘電性液晶または反強
誘電性液晶１０４を、毛細管現象によってセル容器２０
２の内部へ封入する。

【００５１】なお、図２中、２０３は端部封止部、２０
４は表示領域をそれぞれ示している。

【００５２】この場合、図２に示すような構造では、強
誘電性液晶または反強誘電性液晶１０４は、ストライプ
状のＩＴＯ電極１０１間に形成された隔壁であるレジス
トスペーサー１０３のため、液晶１０４の通路が直線状
のトンネルになっており、液晶１０４はこの中を直進す
る。

【００５３】そして、このトンネルの内部を、封入温度
で決まるある臨界の速度Ｖｃで浸透させることにより、
ジグザグ欠陥を素子全面から完全に除去することができ
る。

【００５４】すなわち、ラビング方向と液晶１０４の浸
透方向が同じであると、液晶流が乱流となったり、蛇行
斜行することによる歪みの蓄積と、その履歴の配向膜１
０５への記憶がないからである。

【００５５】ここで、臨界浸透速度Ｖｃは、概ね液晶１
０４に差圧を印加しないで、純粋に毛細管現象で浸透さ
せる平衡速度に等しい。この臨界浸透速度Ｖｃは、用い
る配向膜１０５にも依存するが、等方相−カイラルネマ
チック相転移温度Ｔｃより摂氏数度高温では、概ね１．
５ｃｍ／時間程度であった。

【００５６】一方、逆に、温度を下げて、カイラルネマ
チック相で浸透させても、臨界浸透速度Ｖｃであればジ
グザグ欠陥は発生しないが、臨界浸透速度Ｖｃは数倍遅
くなり、時間がかかるだけで格段の効果はなかった。

【００５７】また、ガラス基板１０２内側を１０^-3Ｔｏ
ｒｒ、外部を大気圧とした場合の臨界浸透速度は、３ｃ
ｍ／時間程度であった。

【００５８】さらに、差圧を与え、浸透速度を臨界浸透
速度Ｖｃよりも速めると、ジグザグ欠陥が発生し始め
た。

【００５９】なお、毛細管現象で浸透させる場合には、
液晶１０４が封入されるべきエリアと外部とが連結され
ている必要があり、封入口以外の別の開口部が必要であ
る。すなわち、これは、内外の圧力を等減圧状態に保た
ない場合、内部の残留空気が浸透の邪魔にならないよう
にするためである。しかし、ここから液晶が漏出した
り、シールが完全でないと水分等の浸透の機会を増すこ
とになるので、開口部はできるだけ封入口だけにするの
が望ましい。

【００６０】この場合には、排気槽でセル容器２０２内
部を排気して、液晶１０４で封入口となる開口部２０１
を覆うことが必要だが、ここでセル容器２０２外部の圧
力を高めずに、内外の圧力を１０^-1Ｔｏｒｒ以下の等減
圧状態に保って、温度を等方相−カイラルネマチック相
転移温度Ｔｃ以上近傍に保つことにより、毛細管現象の
みによりＡ３サイズの表示素子に封入が可能であった。

【００６１】以上のように、セル容器２０２の内側領域
と外部を等減圧状態のまま等方相転移温度に加熱する
と、開口部２０１の液晶１０４は、セル容器２０２の内
外に差圧がなくとも、毛細管現象によってセル容器２０
２の内部へ浸透する。

【００６２】そして、かかる封入方法では、差圧を利用
して強制的に浸透させる場合と異なり、毛細管現象によ
る液晶１０４の自発的な浸透であるので、液晶分子の配
向膜１０５上への配座は極めて自然な形で行なわれ、ス
メクチック相温度に下げても層の歪みの原因になること
がない。

【００６３】また、ストライプ状の隔壁であるレジスト
スペーサー１０３で浸透方向をラビング方向と揃える
と、浸透中の液晶１０４の流れに乱流や蛇行が発生しな
いため、歪みの原因はさらに少なくなる。

【００６４】従って、等方相から冷却しても、液晶層内
部の干渉が相互に独立したトンネル内部に限定され、大
局的に悪影響を及ぼすことがないため、ジグザグ欠陥の
発生は著しく減少する。

【００６５】次に、本実施例の強誘電性液晶または反強
誘電性液晶表示素子の製造方法のより具体的な例につい
て説明する。

【００６６】（具体例１）配向膜１０５材料として、日
立化成（株）ＨＬ１１１０、強誘電性液晶１０４とし
て、チッソ（株）ＣＳ１０１３（等方相←摂氏８０度→
カイラルネマチック←摂氏７０度→スメクチックＡ←摂
氏６３度→カイラルスメクチックＣ）を使用した。

【００６７】配向膜１０５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）付ガラス基板１０２にＨＬ１１１０をスピンコート
し、摂氏１８０度で１時間焼成することによって得た。
そして、これにラビングを行なって液晶配向性を付与し
た。

【００６８】また、レジストスペーサー１０３は、配向
膜１０５の上にシプレイファーイースト（株）ＭＰ−Ｓ
１４００−２５ポジレジストをガラス基板上にスピンコ
ートし、フォトリソグラフィ法で厚さ２μｍのストライ
プパターンを形成することによって得た。ストライプの
方向は、ラビング方向とほぼ平行にした。

【００６９】配向膜１０５の上に、レジストスペーサー
１０３を設けた。ＩＴＯ付ガラス基板１０２と、配向膜
１０５のみを設けたＩＴＯ付ガラス基板１０２とを、ラ
ビング方向がほぼ平行になるように対向させた。

【００７０】そして、これを大気圧を利用して密着さ
せ、その状態で摂氏１７０度で１時間ほど加熱し、ガラ
ス基板１０２同士を接着した。

【００７１】接着の後、開口部２０１を除くガラス基板
１０２端部を、エポキシ系接着剤チッソ（株）ＬＩＸＯ
Ｎ ＢＯＮＤで封止して、図１に示すような構成の液晶
表示素子を得た。

【００７２】ＣＳ１０１３を開口部２０１に盛り、真空
オーブン中で１０^-3Ｔｏｒｒまで減圧して１時間ほど放
置した。

【００７３】そして、これを等方相温度である摂氏８０
度に加熱して、液晶１０４をセル容器２０２内へ毛細管
現象により浸透させた。この場合、液晶１０４がセル容
器２０２内部へ浸透する速さは、１時間当り１〜１．５
ｃｍであった。

【００７４】液晶１０４がセル容器２０２の末端まで浸
透した後、圧力を常圧に戻し、その温度から徐々に室温
まで冷却した。

【００７５】このようにして、出来上がった液晶表示素
子を観察したところ、ジグザグ欠陥がない均一な配向状
態を実現していた。

【００７６】（具体例２）上述の具体例１の方法に倣
い、強誘電性液晶１０４として、チッソ（株）ＣＳ１０
１４（等方相←摂氏８０度→カイラルネマチック←摂氏
７０度→スメクチックＡ←摂氏５４度→カイラルスメク
チックＣ）を使用して液晶表示素子を作製した。この場
合、封入温度は、等方相温度である摂氏８０度で行なっ
た。

【００７７】このようにして、出来上がった液晶表示素
子を観察したところ、ジグザグ欠陥がない均一な配向状
態を実現していた。

【００７８】（具体例３）上述の具体例１の方法に倣
い、反強誘電性液晶１０４として、ＭＨＰＯＢＣを使用
して液晶表示素子を作製した。反強誘電性液晶ＭＨＰＯ
ＢＣの構造式を図３に示した。

【００７９】この場合、封入温度は、ＭＨＰＯＢＣの等
方相温度である摂氏１５０度で行なった。

【００８０】このようにして、出来上がった液晶表示素
子を観察したところ、ジグザグ欠陥がない均一な配向状
態を実現していた。

【００８１】（比較例１）上述の具体例１の方法に倣
い、強誘電性液晶１０４として、チッソ（株）ＣＳ１０
１３を使用して液晶表示素子を作製した。

【００８２】ただし、強誘電性液晶１０４を封入する際
に、真空オーブン中に大気を導入し、液晶表示素子本体
の内外の圧力差を利用した。圧力差は、約１気圧であ
る。液晶１０４が封入される速さは、１時間当り約３ｃ
ｍであった。

【００８３】このようにして、出来上がった液晶表示素
子を観察したところ、各所にジグザグ欠陥が見られた。

【００８４】（比較例２）上述の具体例２の方法に倣
い、強誘電性液晶１０４として、チッソ（株）ＣＳ１０
１４を使用して液晶表示素子を作製した。

【００８５】ただし、強誘電性液晶１０４を封入する際
に、真空オーブン中に大気を導入し、セル容器２０２の
内外の圧力差を利用した。圧力差は、約１気圧である。

【００８６】このようにして、出来上がった液晶表示素
子を観察したところ、各所にジグザグ欠陥が見られた。

【００８７】（比較例３）上述の具体例３の方法に倣
い、反強誘電性液晶１０４として、ＭＨＰＯＢＣを使用
して液晶表示素子を作製した。

【００８８】この場合、封入する温度は、ＭＨＰＯＢＣ
の等方相温度である摂氏１５０度とし、封入する際に、
真空オーブン中に大気を導入し、セル容器２０２の内外
の圧力差を利用した。圧力差は、約１気圧である。

【００８９】このようにして、出来上がった液晶表示素
子を観察したところ、各所にジグザグ欠陥が見られた。

【００９０】上述したように、本実施例では、強誘電性
液晶または反強誘電性液晶を用いた液晶表示素子を製造
するに際して、強誘電性液晶または反強誘電性液晶を用
いた液晶表示素子を製造する際に、ストライプ状のＩＴ
Ｏ電極１０１がほぼ直交するように相対して配置された
少なくとも一方が透明な一対のガラス基板１０２の両方
に配向膜１０５を設け、次に配向膜１０５のラビング方
向とほぼ平行になるようにまた１個の開口部２０１を有
するように一方のガラス基板１０２のストライプ状のＩ
ＴＯ電極１０１間にストライプ状の隔壁部材であるレジ
ストスペーサ１０３を設け、一対のガラス基板１０２を
接着してセル容器２０２を形成し、開口部２０１を介し
て強誘電性液晶または反強誘電性液晶１０４を毛細管現
象によりセル容器２０２に封入するようにしたものであ
る。

【００９１】従って、セル容器２０２の内側領域と外部
を等減圧状態のまま等方相転移温度に加熱するため、開
口部２０１の強誘電性液晶または反強誘電性液晶１０４
は、セル容器２０２の内外に差圧がなくとも、毛細管現
象によって液晶表示素子本体の内部へ浸透する。

【００９２】この時、差圧を利用して強制的に液晶を浸
透させる場合と異なり、毛細管現象による液晶の自発的
な浸透であるため、液晶分子の配向膜上への配座は極め
て自然な形で行なわれ、スメクチック相温度に下げても
層の歪みの原因になることがない。

【００９３】また、ストライプ状の隔壁であるレジスト
スペーサー１０３で浸透方向をラビング方向と揃えてい
るため、浸透中の液晶の流れに乱流や蛇行が発生せず、
歪みの原因はさらに少なくなる。

【００９４】よって、等方相から冷却しても、液晶層内
部の干渉が相互に独立したトンネル内部に限定され、大
局的に悪影響を及ぼすことがないため、ジグザグ欠陥の
発生は著しく減少する。

【００９５】これにより、ジグザグ欠陥のほとんどない
強誘電性液晶のカイラルスメクチックＣ相、もしくは反
強誘電性液晶のカイラルスメクチックＣ_A 相を形成する
ことが可能となる。

【００９６】よって、長期にわたって駆動しても高画質
で安定な表示能力を保持することが可能な、極めて信頼
性の高い強誘電性、反強誘電性液晶表示素子を得ること
ができる。

【００９７】一方、セル容器２０２内外の雰囲気を１０
^-1Ｔｏｒｒ以下の減圧状態に保ったまま強誘電性液晶ま
たは反強誘電性液晶１０４を封入するようにしているた
め、セル容器２０２内の空気を完全に脱気することが可
能となる。

【００９８】また、強誘電性液晶または反強誘電性液晶
１０４の等方相温度域で、強誘電性液晶または反強誘電
性液晶１０４を封入するようにしているため、液晶１０
４の粘性を下げることが可能となる。

【００９９】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、次のようにしても同様に実施できるものであ
る。

【０１００】（ａ）上記実施例では、セル容器として、
１個の開口部を有するセル容器２０２を用いる場合につ
いて説明したが、これに限らず、セル容器として、２個
以上の開口部を有するセル容器を用いるようにしてもよ
い。

【０１０１】この場合には、セル容器内外の雰囲気を１
０^-1Ｔｏｒｒ以下の減圧状態に保つことなく、強誘電性
液晶または反強誘電性液晶を封入することが可能とな
る。

【０１０２】（ｂ）上記実施例では、セル容器２０２が
ガラスからなる場合について説明したが、これに限ら
ず、セル容器２０２を例えば透明プラスチック等により
成形するようにしてもよい。

【０１０３】（ｃ）上記実施例では、一対のガラス基板
１０２の両方に配向膜１０５を設ける場合について説明
したが、これに限らず、一対のガラス基板１０２のうち
の片方にのみ配向膜１０５を設けるようにしてもよい。

【０１０４】その他、本発明はその要旨を変更しない範
囲で、種々に変形して実施できるものである。

【０１０５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、強
誘電性液晶または反強誘電性液晶を用いた液晶表示素子
を製造する際に、ストライプ状電極がほぼ直交するよう
に相対して配置された少なくとも一方が透明な一対の基
板の片方または両方に配向膜を設け、当該配向膜のラビ
ング方向とほぼ平行になるようにまた少なくとも１個の
開口部を有するように一方の基板のストライプ状電極間
にストライプ状の隔壁部材を設け、一対の基板を接着し
てセル容器を形成し、開口部を介して強誘電性液晶また
は反強誘電性液晶を毛細管現象によりセル容器に封入す
ることによって、強誘電性液晶または反強誘電性液晶表
示素子を製造するようにしたので、ジグザグ欠陥の無い
強誘電性液晶のカイラルスメクチックＣ相、もしくは反
強誘電性液晶のカイラルスメクチックＣ_A 相を簡便でか
つ確実に形成でき、長期にわたって駆動しても高画質で
安定な表示能力を保持することが可能な極めて信頼性の
高い強誘電性液晶または反強誘電性液晶表示素子とその
製造方法が提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による強誘電性液晶または反強誘電性液
晶表示素子の一実施例を示す断面図。

【図２】同実施例の強誘電性液晶または反強誘電性液晶
表示素子の製造方法を説明するための概要図。

【図３】同実施例の強誘電性液晶または反強誘電性液晶
表示素子に用いる反強誘電性液晶ＭＨＰＯＢＣの構造式
を示す図。

【図４】表示部において偏光顕微鏡にて観察されるジグ
ザグ欠陥の様子の一例を示す図。

【図５】シェブロン構造とジグザグ欠陥の様子の一例を
示す図。

【符号の説明】

１０１…ＩＴＯ電極、１０２…ガラス基板、１０３…レ
ジストスペーサー、１０４…液晶、１０５…配向膜、２
０２…セル容器、２０３…端部封止部、２０４…表示領
域、４０１…ストライプ状スペーサー、４０２…くさび
状ジグザグ欠陥、４０３…線状ジグザグ欠陥、４０４…
液晶、５０１…液晶分子、５０２…基板、５０３…スメ
クチックＣ層面、５０４…ジグザグ欠陥のできる箇所。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 強誘電性液晶または反強誘電性液晶を用
   いた液晶表示素子を製造する方法において、 ストライプ状電極がほぼ直交するように相対して配置さ
   れた少なくとも一方が透明な一対の基板の片方または両
   方に配向膜を設け、当該配向膜のラビング方向とほぼ平
   行になるようにまた少なくとも１個の開口部を有するよ
   うに前記一方の基板のストライプ状電極間にストライプ
   状の隔壁部材を設け、前記一対の基板を接着してセル容
   器を形成し、 前記開口部を介して強誘電性液晶または反強誘電性液晶
   を毛細管現象により前記セル容器に封入するようにした
   ことを特徴とする強誘電性液晶または反強誘電性液晶表
   示素子の製造方法。
2. 【請求項２】 前記セル容器として１個の開口部を有す
   るセル容器を用い、前記セル容器の内側領域と外部を等
   減圧状態のまま等方相転移温度に加熱することにより、
   強誘電性液晶または反強誘電性液晶を毛細管現象によっ
   てセル容器の内部へ封入するようにしたことを特徴とす
   る請求項１に記載の強誘電性液晶または反強誘電性液晶
   表示素子の製造方法。
3. 【請求項３】 前記セル容器内外の雰囲気を１０^-1Ｔｏ
   ｒｒ以下の減圧状態に保ったまま強誘電性液晶または反
   強誘電性液晶を封入するようにしたことを特徴とする請
   求項１または請求項２に記載の強誘電性液晶または反強
   誘電性液晶表示素子の製造方法。
4. 【請求項４】 前記セル容器として少なくとも１個の開
   口部を有するセル容器を用い、強誘電性液晶または反強
   誘電性液晶の等方相温度域で封入するようにしたことを
   特徴とする請求項１に記載の強誘電性液晶または反強誘
   電性液晶表示素子の製造方法。
5. 【請求項５】 前記請求項１ないし請求項４のいずれか
   １項に記載の製造方法により製造されて成ることを特徴
   とする強誘電性液晶または反強誘電性液晶表示素子。