JPH0627471A - 液晶パネルの製法 - Google Patents

液晶パネルの製法

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JPH0627471A
JPH0627471A JP4063011A JP6301192A JPH0627471A JP H0627471 A JPH0627471 A JP H0627471A JP 4063011 A JP4063011 A JP 4063011A JP 6301192 A JP6301192 A JP 6301192A JP H0627471 A JPH0627471 A JP H0627471A
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JP
Japan
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liquid crystal
substrates
phase
crystal panel
static magnetic
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Pending
Application number
JP4063011A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Yamazoe
博司 山添
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 キラル・スメクティックC液晶の配向性を向
上させること。 【構成】 ラビング処理した配向膜2を有する空液晶セ
ル内に、キラル・スメクティックC液晶5を充填した
後、そのキラル・スメクティックC液晶5をスメクティ
ックA相になるまで加温し、かつ平行静磁場をラビング
方向であって、基板1面とのなす角度が若干(数゜以
内)である液晶パネルの製法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置等に用い
られる、液晶分子の配向法と液晶パネルの製法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】図1は、一般の液晶パネルの断面図であ
る。透明電極(ITO)10が形成された基板1a、1
bの間に液晶5が封止材3により封入されている。この
基板1a、1bはスペーサー11により一定の間隔に保
たれており、一般には5〜10μmである。また、この
スペーサー11は、ポリスチレン系樹脂ボール(例え
ば、ミクロパール(積水化学工業製))のような白色の
ものを用いている。2は配向膜である。
【0003】従来、その液晶の分子を配向する方法とし
ては、基板上にポリイミド等の膜を印刷方法で塗布し、
その後、熱硬化して膜を形成し、更にその膜を布などで
所定方向にラビング処理(擦る)を行い、そのまま、そ
の配向膜にキラル・スメクティックC液晶を接触させ
て、その液晶分子を配向させている。
【0004】あるいは、酸化硅素(SiO)を斜めから
蒸着した(いやゆる斜方蒸着)基板を用い、それに液晶
を接触させて分子を配向させる方法もある。
【0005】これらの液晶分子の配向方法に付いては、
「液晶デバイスハンドブック」、日本学術振興会第14
2委員会編、日刊工業新聞刊に詳しく紹介されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記斜
方蒸着法は、真空を使うこと等装置への投資額が大き
く、また配向処理速度に難がある。
【0007】また、上記ポリイミド膜等をラビングして
配向膜を得る方法は、均一な配向がなかなか難しく、そ
の結果、例えば液晶表示装置の表示において、不均一な
配向に起因する表示欠陥がかなりの不良率で起こるとい
う課題がある。
【0008】すなわち、例えば、キラル・スメクティッ
クC相においては、液晶分子は層構造を有している。従
って、これらの従来の配向法によれば、キラル・スメク
ティックC相を用いた表面安定化強誘電性液晶(SSF
LC)パネルにおいては、層が乱れていることが多く、
これは液晶パネルの光学特性に悪影響を与えている。
【0009】本発明は、この様な従来の液晶分子の配向
法の課題を考慮し、投資額が大きくなく、配向処理速度
も優れ、さらに均一配向が可能な液晶パネルの製法を提
供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、ラビングされ
た膜で被覆された基板の主面を対向させ、所望の間隙を
保って貼り合わせて、この間隙にキラル・スメクティッ
クC相を示す液晶を充填して液晶セルを得、更に、スメ
クティックA相を示す温度に液晶セルを保ち、平行静磁
場を印加する液晶パネルの製法を提供するものである。
【0011】また、本発明は、上記膜が、有機物質また
は無機物質からなる液晶パネルの製法である。
【0012】また、本発明は、上記静磁場の印加方向
が、ラビングの方向で、かつ基板面とのなす角度が若干
(数゜以内)である液晶パネルの製法である。
【0013】
【作用】本発明では、キラル・スメクティックC相を使
った表面安定化強誘電性液晶パネルにおいて、層の乱れ
を、この液晶セルを昇温して、スメクティックA相と
し、かつ平行静磁場を印加することにより、極小化して
いると思われる。それによって液晶の配向性が向上す
る。ここで、スメクティックA相は、層構造を有する
が、液晶分子が螺旋構造を持たずに、乱れはあるもの
の、局所的には、空間的に同一方向を向いている。そこ
で、静磁場により、大局的にも、液晶分子を同一方向に
規制し、これにより、層構造の乱れの極小化を実現して
いるものである。
【0014】その静磁場の効果は、静磁場の印加方向が
ラビングの方向で、かつ基板面とのなす角度が若干(数
゜以内)である場合が大きい。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【0016】ストライプ状の複数の透明電極(ITO)
を有する4枚の基板を用意した。この上に、東燃化学
製、ポリパラバン酸樹脂(溶媒NMP、ノーマル・メテ
ィル・2ピロリドン)を、スピナーで塗布し、その後、
溶媒を揮発させた。
【0017】その膜に対するラビング処理はレーヨン・
バフ材で行った。この様にして、配向処理した基板2枚
を、そのITOが対向するように、約1.5ミクロンの
間隙を保って、貼り合わせて空セルを得た。各空セルと
しては、上下の基板のラビング方向が平行のものと、反
平行のものと2種類のものを製作した。
【0018】次に、常温でキラル・スメクティックC相
を示す液晶を、前記基板の間隙に充填し、封孔した。そ
の充填作業では、液晶の粘度を下げたほうが容易であ
り、通常、加温して等方的液体相にしてなされる。もち
ろん、液晶充填時には空セルも加温される。なお、たい
ていのキラル・スメクティックC相を示す液晶は、より
高温領域において、スメクティックA相状態を持つ。も
ちろん、この使用した液晶もこの例に当てはまる。
【0019】次に、液晶を充填された液晶セルを、加温
して、液晶がスメクティックA相に保たれ、平行な約3
0キロガウスの静的な磁力線に、約3分間晒した。その
磁力線の方向は、概ね、基板内でかつラビングの方向で
あるのが望ましい。特に望ましくは、この方向はラビン
グの方向で、かつ基板面とのなす角度を、若干(数゜以
内)もたせた方が、結果は好ましい。
【0020】このような、液晶パネルを観察したとこ
ろ、層構造は整っており、ジグザグ欠陥も僅少となっ
た。表示のコントラストも約30%向上した。これは、
液晶の配向性の向上に起因すると考える。
【0021】なお、本発明の配向膜は、無機物質で構成
されていてもかまわない。
【0022】また、本発明の平行静磁場の印加は、その
大きさ、方向は上記実施例で述べたものに限られないこ
とはいうまでもない。
【0023】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、少なくとも一方がラビングされた有機物質ま
たは無機物質で被覆された基板の主面を対向させ、所望
の間隙を保って貼り合わせて、この間隙にキラル・スメ
クティックC相を示す液晶を充填して液晶セルを得、更
に、スメクティックA相を示す温度にその液晶セルを保
ち、平行静磁場を印加するものであるので、投資額が大
きくなく、配向処理速度も優れ、さらに均一配向が可能
な液晶パネルの製法を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般の液晶パネルの断面図である。
【符号の説明】
1 基板 1a、1b 上下基板 2 配向膜 3 封止材 5 液晶 10 透明電極(ITO) 11 スペーサー

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一方がラビングされた膜で被
    覆された基板の主面を対向させ、所望の間隙を保って貼
    り合わせて、この間隙にキラル・スメクティックC相を
    示す液晶を充填して液晶セルを得、更に、スメクティッ
    クA相を示す温度にその液晶セルを保ち、平行静磁場を
    印加することを特徴とする液晶パネルの製法。
  2. 【請求項2】 膜は、有機物質または無機物質からなる
    ことを特徴とする請求項1記載の液晶パネルの製法。
  3. 【請求項3】 静磁場の印加方向は、前記ラビングの方
    向で、かつ前記基板面とのなす角度が若干(数゜以内)
    であることを特徴とする請求項1記載の液晶パネルの製
    法。
JP4063011A 1992-03-19 1992-03-19 液晶パネルの製法 Pending JPH0627471A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0662354A1 (en) * 1993-12-03 1995-07-12 International Business Machines Corporation Non contact fluid applicator apparatus and method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63280221A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Fujitsu Ltd 強誘電性液晶表示素子の製造方法
JPH02151832A (ja) * 1988-12-05 1990-06-11 Nec Corp 液晶素子

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