JPH07199246A - 導波路の作製方法 - Google Patents
導波路の作製方法Info
- Publication number
- JPH07199246A JPH07199246A JP5350709A JP35070993A JPH07199246A JP H07199246 A JPH07199246 A JP H07199246A JP 5350709 A JP5350709 A JP 5350709A JP 35070993 A JP35070993 A JP 35070993A JP H07199246 A JPH07199246 A JP H07199246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- rubidium
- salt
- nitrate
- ktp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ＫＴＰ単結晶Ｚ板に、導波路モー
ド数が１〜３個と少ない導波路を作製する方法を提供す
る。 【構成】 セシウム、ルビジウム、タリウムのうち、少
なくとも１種類を含む主成分の塩と、主成分に対して１
ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下のアルカリ土類金属の塩と、
５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下のカリウムの塩からなる副
成分を含むことを特徴とする溶融したイオン交換源を用
いて導波路を作製する。 【効果】 イオン交換源にカリウムイオンが入ることに
より、ＫＴＰ表面のセシウム、ルビジウム、タリウム、
およびアルカリ土類金属の濃度が減少し、屈折率増加量
が小さくなるため、導波モード数の小さい導波路ができ
る。
ド数が１〜３個と少ない導波路を作製する方法を提供す
る。 【構成】 セシウム、ルビジウム、タリウムのうち、少
なくとも１種類を含む主成分の塩と、主成分に対して１
ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下のアルカリ土類金属の塩と、
５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下のカリウムの塩からなる副
成分を含むことを特徴とする溶融したイオン交換源を用
いて導波路を作製する。 【効果】 イオン交換源にカリウムイオンが入ることに
より、ＫＴＰ表面のセシウム、ルビジウム、タリウム、
およびアルカリ土類金属の濃度が減少し、屈折率増加量
が小さくなるため、導波モード数の小さい導波路ができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光変調器、光スイッ
チ、ＳＨＧ素子などの各種の導波路型デバイスを実現す
るための導波路の作製方法に関するものである。
チ、ＳＨＧ素子などの各種の導波路型デバイスを実現す
るための導波路の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＫＴＰは非線形光学効果、電気光学効果
がともに大きく、光損傷にも強い結晶であるため、各種
の導波路型デバイスを作製するための基板として有望視
されている。
がともに大きく、光損傷にも強い結晶であるため、各種
の導波路型デバイスを作製するための基板として有望視
されている。
【０００３】ＫＴＰのＺ板のイオン交換導波路は、硝酸
ルビジウム、硝酸セシウム、硝酸タリウムそれぞれ単独
の溶融塩中で作製されていた〔Appl. Phys. Lett. 50,
1216(1987)〕。しかし、作製される導波路の深さと導波
路表面の屈折率増加量に、ばらつきが大きかった。その
原因として、結晶のイオン伝導度の違いが、ルビジウ
ム、セシウム、タリウム等の拡散速度に影響を及ぼして
いると考えられていた。
ルビジウム、硝酸セシウム、硝酸タリウムそれぞれ単独
の溶融塩中で作製されていた〔Appl. Phys. Lett. 50,
1216(1987)〕。しかし、作製される導波路の深さと導波
路表面の屈折率増加量に、ばらつきが大きかった。その
原因として、結晶のイオン伝導度の違いが、ルビジウ
ム、セシウム、タリウム等の拡散速度に影響を及ぼして
いると考えられていた。
【０００４】この問題を解決するために、硝酸ルビジウ
ムに、２価のアルカリ土類金属の硝酸塩（硝酸カルシウ
ム、硝酸バリウムなど）を加えた混合塩中で導波路を作
製することが提案され、再現性よく導波路を作製できる
ようになった。〔J. Opt. Soc. Am. B6, 622(1989)〕。
この場合、２価のアルカリ土類金属の硝酸塩を加えるこ
とによって、Ｋ+ の空孔が結晶中に導入されるために、
ルビジウムの拡散が効果的に進む。しかし、硝酸バリウ
ム／硝酸ルビジウム系では、バリウムを含むことによ
り、導波路表面の屈折率増加量が大きくなりすぎるた
め、モード数が非常に多い多モードの導波路になるとい
う欠点が生じた。
ムに、２価のアルカリ土類金属の硝酸塩（硝酸カルシウ
ム、硝酸バリウムなど）を加えた混合塩中で導波路を作
製することが提案され、再現性よく導波路を作製できる
ようになった。〔J. Opt. Soc. Am. B6, 622(1989)〕。
この場合、２価のアルカリ土類金属の硝酸塩を加えるこ
とによって、Ｋ+ の空孔が結晶中に導入されるために、
ルビジウムの拡散が効果的に進む。しかし、硝酸バリウ
ム／硝酸ルビジウム系では、バリウムを含むことによ
り、導波路表面の屈折率増加量が大きくなりすぎるた
め、モード数が非常に多い多モードの導波路になるとい
う欠点が生じた。
【０００５】たとえば、ＫＴＰのＺ板を、硝酸ルビジウ
ムと硝酸バリウムが８０対２０で混合されている塩を用
いて３５０°Ｃでイオン交換して作製した平面導波路の
場合、イオン交換時間の増加とともに、導波路表面の屈
折率増加量、導波路深さ、導波モード数は、図１のよう
に変化する。なお、屈折率や導波モード数は入射する光
の波長によって変わるが、以下６３３ｎｍの波長の光で
説明する。また、ＫＴＰのＺ板の場合、入射波がＴＭモ
ードでもＴＥモードでも、導波モードの数は殆ど変わら
ないので、ＴＭモードについて説明する。
ムと硝酸バリウムが８０対２０で混合されている塩を用
いて３５０°Ｃでイオン交換して作製した平面導波路の
場合、イオン交換時間の増加とともに、導波路表面の屈
折率増加量、導波路深さ、導波モード数は、図１のよう
に変化する。なお、屈折率や導波モード数は入射する光
の波長によって変わるが、以下６３３ｎｍの波長の光で
説明する。また、ＫＴＰのＺ板の場合、入射波がＴＭモ
ードでもＴＥモードでも、導波モードの数は殆ど変わら
ないので、ＴＭモードについて説明する。
【０００６】導波路のモードの数を減らすためには、一
般に、導波路表面の屈折率増加量と導波路深さの両方あ
るいはどちらか１つを減少させればよい。実際のデバイ
スでは、光ファイバあるいは対物レンズから導波路に光
を結合させる時、導波路が浅過ぎると結合効率が低下す
るという問題が生じるので、少なくとも１μｍ以上の導
波路深さが必要である。ＫＴＰの導波路の深さは、図１
に示したように、イオン交換時間が２分から５分の範囲
で５μｍ程度あり、光結合に適した深さになっている。
したがって、モードの数を減らすためには、屈折率増加
量を抑制すればよい。ＫＴＰの導波路の屈折率増加は、
カリウムイオンとルビジウムおよびバリウムイオンの置
換によって引きおこされているので、屈折率増加を抑制
するためには、ルビジウムとバリウムの表面濃度を下げ
ることが必要である。
般に、導波路表面の屈折率増加量と導波路深さの両方あ
るいはどちらか１つを減少させればよい。実際のデバイ
スでは、光ファイバあるいは対物レンズから導波路に光
を結合させる時、導波路が浅過ぎると結合効率が低下す
るという問題が生じるので、少なくとも１μｍ以上の導
波路深さが必要である。ＫＴＰの導波路の深さは、図１
に示したように、イオン交換時間が２分から５分の範囲
で５μｍ程度あり、光結合に適した深さになっている。
したがって、モードの数を減らすためには、屈折率増加
量を抑制すればよい。ＫＴＰの導波路の屈折率増加は、
カリウムイオンとルビジウムおよびバリウムイオンの置
換によって引きおこされているので、屈折率増加を抑制
するためには、ルビジウムとバリウムの表面濃度を下げ
ることが必要である。
【０００７】そのための対策として、イオン交換時間を
短くすること、イオン交換温度を下げることが容易に考
えられる。
短くすること、イオン交換温度を下げることが容易に考
えられる。
【０００８】まず、イオン交換時間を短くする場合であ
るが、１分のイオン交換でもすでに４つのモードがあ
り、さらにモード数を減らすには、秒単位でイオン交換
時間を制御する必要が生じる。このような短時間の熱処
理で再現性のよい導波路を作製することは工業的に大変
難しい。
るが、１分のイオン交換でもすでに４つのモードがあ
り、さらにモード数を減らすには、秒単位でイオン交換
時間を制御する必要が生じる。このような短時間の熱処
理で再現性のよい導波路を作製することは工業的に大変
難しい。
【０００９】次に、イオン交換温度を下げる場合である
が、硝酸バリウムの融点が５９２°Ｃと高いために、硝
酸ルビジウム／硝酸バリウム系では３５０°Ｃより低温
では完全に塩を溶融することができない。
が、硝酸バリウムの融点が５９２°Ｃと高いために、硝
酸ルビジウム／硝酸バリウム系では３５０°Ｃより低温
では完全に塩を溶融することができない。
【００１０】また、Ｋ+ を置換する１価のイオンとし
て、ルビジウムイオンのほかに、タリウムイオン、ある
いはセシウムイオンを用いることも可能であるが、これ
らのイオンの場合にはルビジウムよりさらに大きな屈折
率変化を起こし、多モード導波路になりやすい。
て、ルビジウムイオンのほかに、タリウムイオン、ある
いはセシウムイオンを用いることも可能であるが、これ
らのイオンの場合にはルビジウムよりさらに大きな屈折
率変化を起こし、多モード導波路になりやすい。
【００１１】特にセシウムの場合、カリウムとのイオン
半径の差が大きいため、セシウムとバリウムの混合塩で
イオン交換を行うと、結晶にクラックが入るという問題
もある。
半径の差が大きいため、セシウムとバリウムの混合塩で
イオン交換を行うと、結晶にクラックが入るという問題
もある。
【００１２】従って、これらのイオンでイオン交換した
導波路についても、再現性よくシングルモード導波路、
および導波モードが２〜３個の導波路を作製する方法が
望まれる。
導波路についても、再現性よくシングルモード導波路、
および導波モードが２〜３個の導波路を作製する方法が
望まれる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、ＫＴＰの
Ｚ板上にシングルモード導波路あるいは導波モードが２
〜３個の導波路の作製方法を提供することを目的とす
る。
Ｚ板上にシングルモード導波路あるいは導波モードが２
〜３個の導波路の作製方法を提供することを目的とす
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段および作用】本発明では、
ルビジウム、セシウム、タリウムイオンのうち少なくと
も１種類を含む主成分の塩と、主成分に対して１ｗｔ％
以上３０ｗｔ％以下のアルカリ土類金属の塩の混合塩
に、５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下のカリウムの塩を加え
ることにより、再現性よく、シングルモード導波路ある
いは導波モードが２〜３個の導波路の作製が可能になる
ことを見いだした。
ルビジウム、セシウム、タリウムイオンのうち少なくと
も１種類を含む主成分の塩と、主成分に対して１ｗｔ％
以上３０ｗｔ％以下のアルカリ土類金属の塩の混合塩
に、５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下のカリウムの塩を加え
ることにより、再現性よく、シングルモード導波路ある
いは導波モードが２〜３個の導波路の作製が可能になる
ことを見いだした。
【００１５】範囲の限定理由について説明する。主成分
に対して、アルカリ土類金属の塩が１ｗｔ％未満の場
合、添加した効果が見られず、ルビジウムの拡散にばら
つきが生じるため、できた導波路の導波モード数と屈折
率増加量のばらつきも大きい。３０ｗｔ％より多い場
合、バリウムとカリウムの置換にともなって、ＫＴＰの
結晶中に空孔が数多く導入されることになり、結晶が非
常に脆くなる。
に対して、アルカリ土類金属の塩が１ｗｔ％未満の場
合、添加した効果が見られず、ルビジウムの拡散にばら
つきが生じるため、できた導波路の導波モード数と屈折
率増加量のばらつきも大きい。３０ｗｔ％より多い場
合、バリウムとカリウムの置換にともなって、ＫＴＰの
結晶中に空孔が数多く導入されることになり、結晶が非
常に脆くなる。
【００１６】また、主成分に対してカリウム塩の添加が
５ｗｔ％未満の場合、添加効果がみられず、屈折率増加
量を抑制することができない。２０ｗｔ％より多い場
合、イオン交換源の主成分となるルビジウム、セシウ
ム、あるいはタリウムと、ＫＴＰ中のカリウムの置換の
割合が著しく減少するため、表面の屈折率増加量が小さ
くなりすぎ、導波路の形成ができない。
５ｗｔ％未満の場合、添加効果がみられず、屈折率増加
量を抑制することができない。２０ｗｔ％より多い場
合、イオン交換源の主成分となるルビジウム、セシウ
ム、あるいはタリウムと、ＫＴＰ中のカリウムの置換の
割合が著しく減少するため、表面の屈折率増加量が小さ
くなりすぎ、導波路の形成ができない。
【００１７】ルビジウム、セシウム、タリウムのうち少
なくとも１種類以上を含む塩と、アルカリ土類金属の塩
の混合塩に、カリウム塩を加えることによって、屈折率
増加量が抑えられ望ましい導波路ができる理由を、硝酸
ルビジウムと硝酸バリウムの混合塩を例にとって、説明
する。
なくとも１種類以上を含む塩と、アルカリ土類金属の塩
の混合塩に、カリウム塩を加えることによって、屈折率
増加量が抑えられ望ましい導波路ができる理由を、硝酸
ルビジウムと硝酸バリウムの混合塩を例にとって、説明
する。
【００１８】硝酸ルビジウムと硝酸バリウムの混合塩
に、硝酸カリウムを加えた系において、３５０°Ｃでイ
オン交換を行うと、溶融塩中にＫＴＰの主構成元素であ
るカリウムが存在するために、結晶表面のルビジウムお
よびバリウムの濃度が低くなり、屈折率増加量が抑制で
きる。ＫＴＰのＺ板を３５０°Ｃで１０分イオン交換し
た場合、８０対２０の硝酸ルビジウムおよび硝酸バリウ
ムの混合塩では０．０３９の屈折率増加量となるが、そ
の混合塩に１００に対して１０の割合で硝酸カリウムを
加えると、屈折率増加量は０．０２３と３分の２以下に
小さくできる。
に、硝酸カリウムを加えた系において、３５０°Ｃでイ
オン交換を行うと、溶融塩中にＫＴＰの主構成元素であ
るカリウムが存在するために、結晶表面のルビジウムお
よびバリウムの濃度が低くなり、屈折率増加量が抑制で
きる。ＫＴＰのＺ板を３５０°Ｃで１０分イオン交換し
た場合、８０対２０の硝酸ルビジウムおよび硝酸バリウ
ムの混合塩では０．０３９の屈折率増加量となるが、そ
の混合塩に１００に対して１０の割合で硝酸カリウムを
加えると、屈折率増加量は０．０２３と３分の２以下に
小さくできる。
【００１９】一方、硝酸カリウムを加えたことによる導
波路深さへの影響であるが、バリウムが少量でもＫＴＰ
中に取り込まれると、結晶中に空孔が生じルビジウムイ
オンおよびバリウムイオンの拡散が促進されるので、拡
散速度はイオン交換源に硝酸カリウムを加えなかった場
合と比べて、それほど遅くならない。したがって、ルビ
ジウムとバリウムは十分結晶の内部まで拡散することが
でき、効率の高い光結合が可能な導波路深さを確保する
ことができる。
波路深さへの影響であるが、バリウムが少量でもＫＴＰ
中に取り込まれると、結晶中に空孔が生じルビジウムイ
オンおよびバリウムイオンの拡散が促進されるので、拡
散速度はイオン交換源に硝酸カリウムを加えなかった場
合と比べて、それほど遅くならない。したがって、ルビ
ジウムとバリウムは十分結晶の内部まで拡散することが
でき、効率の高い光結合が可能な導波路深さを確保する
ことができる。
【００２０】また、硝酸セシウムと硝酸バリウムの混合
塩に硝酸カリウムを加えることにより、クラックの入ら
ない導波路が形成できるが、この理由は、イオン交換源
にカリウムが存在するために、結晶表面のセシウムの濃
度が下がったためである。セシウム量が減少すると、イ
オン半径の違いによる結晶の歪量も減少し、クラックが
制御できるのである。
塩に硝酸カリウムを加えることにより、クラックの入ら
ない導波路が形成できるが、この理由は、イオン交換源
にカリウムが存在するために、結晶表面のセシウムの濃
度が下がったためである。セシウム量が減少すると、イ
オン半径の違いによる結晶の歪量も減少し、クラックが
制御できるのである。
【００２１】これらの効果が硝酸塩以外の塩、すなわ
ち、酢酸塩、炭酸塩、亜硝酸塩、燐酸塩、硫酸塩につい
ても、成立することは明らかである。また、アルカリ土
類金属としては、バリウム、カルシウム、ストロンチウ
ムが挙げられるが、特にバリウムのとき、拡散促進の効
果が大きい。
ち、酢酸塩、炭酸塩、亜硝酸塩、燐酸塩、硫酸塩につい
ても、成立することは明らかである。また、アルカリ土
類金属としては、バリウム、カルシウム、ストロンチウ
ムが挙げられるが、特にバリウムのとき、拡散促進の効
果が大きい。
【００２２】以上、平面導波路のモード数と屈折率増加
量について述べてきたが、実際のデバイスは、チャンネ
ル導波路を使って作製することが多い。チャンネル導波
路は、チタンなどの金属を成膜した上に、フォトリソグ
ラフィで導波路パターンを転写して作製する。チャンネ
ル導波路の導波モードについては、導波路の深さ方向の
モードと、幅方向のモードを考える必要がある。幅方向
については、チャンネル導波路の幅を狭くすることによ
って簡単にモードの数を減らすことができるので、問題
になるのは作製条件に依存する深さ方向のモードであ
る。深さ方向のモードについては、平面導波路で考えて
も同じなので、本発明による作製方法をそのまま当ては
めることができる。
量について述べてきたが、実際のデバイスは、チャンネ
ル導波路を使って作製することが多い。チャンネル導波
路は、チタンなどの金属を成膜した上に、フォトリソグ
ラフィで導波路パターンを転写して作製する。チャンネ
ル導波路の導波モードについては、導波路の深さ方向の
モードと、幅方向のモードを考える必要がある。幅方向
については、チャンネル導波路の幅を狭くすることによ
って簡単にモードの数を減らすことができるので、問題
になるのは作製条件に依存する深さ方向のモードであ
る。深さ方向のモードについては、平面導波路で考えて
も同じなので、本発明による作製方法をそのまま当ては
めることができる。
【００２３】
（実施例１）硝酸ルビジウム１００に対して、硝酸バリ
ウムを２５、硝酸カリウムを１３の割合で混合した塩を
用いて、３００°ＣでＫＴＰのＺ板を１０分間、イオン
交換したところ、ＴＭ、ＴＥ両モードについてシングル
モードの平面導波路を作製することができた。この時の
屈折率増加量０．００８、導波路の深さは１．７μｍで
あった。
ウムを２５、硝酸カリウムを１３の割合で混合した塩を
用いて、３００°ＣでＫＴＰのＺ板を１０分間、イオン
交換したところ、ＴＭ、ＴＥ両モードについてシングル
モードの平面導波路を作製することができた。この時の
屈折率増加量０．００８、導波路の深さは１．７μｍで
あった。
【００２４】（実施例２）硝酸セシウム１００に対し
て、硝酸バリウムを２０、硝酸カリウムを７の割合での
混合した塩を用いて、３５０°ＣでＫＴＰのＺ板を３分
間、イオン交換したところ、ＴＭ、ＴＥ両モードについ
てシングルモードの平面導波路を作製することができ
た。導波路にクラックは入らなかった。
て、硝酸バリウムを２０、硝酸カリウムを７の割合での
混合した塩を用いて、３５０°ＣでＫＴＰのＺ板を３分
間、イオン交換したところ、ＴＭ、ＴＥ両モードについ
てシングルモードの平面導波路を作製することができ
た。導波路にクラックは入らなかった。
【００２５】（実施例３）ＫＴＰのＺ板上に、幅３ミク
ロンのチャンネル導波路をパターニンクしたチタン膜を
付与する。硝酸ルビジウム１００に対して、硝酸バリウ
ムを１２、硝酸カリウムを１２の割合で混合した塩を用
いて、３５０°Ｃで５分間、イオン交換したところ、Ｔ
Ｍ、ＴＥ両モードについて、シングルモードのチャンネ
ル導波路を作製することができた。
ロンのチャンネル導波路をパターニンクしたチタン膜を
付与する。硝酸ルビジウム１００に対して、硝酸バリウ
ムを１２、硝酸カリウムを１２の割合で混合した塩を用
いて、３５０°Ｃで５分間、イオン交換したところ、Ｔ
Ｍ、ＴＥ両モードについて、シングルモードのチャンネ
ル導波路を作製することができた。
【００２６】
【発明の効果】上述したように、本発明の作製方法によ
れば、ＫＴＰのＺ板上に光結合効率の高いシングルモー
ド導波路あるいはシングルモードに近い導波路を作製す
ることができ、ＫＴＰを用いた各種デバイスの特性を向
上させることができる。
れば、ＫＴＰのＺ板上に光結合効率の高いシングルモー
ド導波路あるいはシングルモードに近い導波路を作製す
ることができ、ＫＴＰを用いた各種デバイスの特性を向
上させることができる。
【図１】ＫＴＰ結晶を硝酸ルビジウムと硝酸バリウムの
混合塩を用いて、３５０°Ｃで１分〜３０分イオン交換
した平面導波路のモード数、屈折率増加量、導波路深さ
を表したものである。測定は、波長が６３３ｎｍのHe-N
e レーザ、TMモードでおこなった。
混合塩を用いて、３５０°Ｃで１分〜３０分イオン交換
した平面導波路のモード数、屈折率増加量、導波路深さ
を表したものである。測定は、波長が６３３ｎｍのHe-N
e レーザ、TMモードでおこなった。
Claims (1)
- 【請求項１】 セシウム、ルビジウム、タリウムのう
ち、少なくとも１種類を含む主成分の塩と、主成分に対
して１ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下のアルカリ土類金属の
塩と、５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下のカリウムの塩から
なる副成分を含む溶融したイオン交換源を用いて、ＫＴ
ＰのＺ板に導波路を作製することを特徴とする導波路の
作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5350709A JPH07199246A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 導波路の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5350709A JPH07199246A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 導波路の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07199246A true JPH07199246A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18412322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5350709A Withdrawn JPH07199246A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 導波路の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07199246A (ja) |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP5350709A patent/JPH07199246A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Jackel et al. | Proton exchange for high‐index waveguides in LiNbO3 | |
| US4766954A (en) | Process for producing an optical waveguide | |
| US4740265A (en) | Process for producing an optical waveguide and the product therefrom | |
| Kip | Photorefractive waveguides in oxide crystals: fabrication, properties, and applications. | |
| Thomas et al. | Laser direct writing: Enabling monolithic and hybrid integrated solutions on the lithium niobate platform | |
| Huo et al. | The femtosecond laser fabrication of waveguide structures in transparent crystals | |
| US6519077B1 (en) | Optical waveguide, optical wavelength conversion device, method for producing the same, short wavelength light generation apparatus using the same, optical information processing apparatus using the same, coherent light generation apparatus using the same, and optical system using the same | |
| JPH063546A (ja) | シングルモード光導波路 | |
| JP3518604B2 (ja) | Ｉｉ型位相整合に適した高い複屈折率を示すドーパント添加ｋｔｐおよびそれの同類形態 | |
| Veng et al. | Ion Exchange Model for\alpha Phase Proton Exchange Waveguides in LiNbO3 | |
| Pun et al. | Proton-exchanged optical waveguides in Z-cut LiNbO/sub 3/using phosphoric acid | |
| US5146533A (en) | Ion exchanged crystalline waveguides and processes for their preparation | |
| JPH07199246A (ja) | 導波路の作製方法 | |
| US5266092A (en) | Processes for preparation of ion exchanged crystalline waveguides | |
| JPH05313033A (ja) | 光導波路、製造方法、および光素子 | |
| JP2002258340A (ja) | 光波長変換素子、その製造方法、短波長光源及び光学システム | |
| Shi et al. | Properties of ion exchanged planar and channel optical waveguides fabricated in Cu doped KTiOPO 4 substrates | |
| Nikonorov et al. | Combining three technologies in photo-thermo-refractive glass: photo-thermo-induced crystallization, chemical etching, and ion exchange | |
| JP2860800B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 | |
| Pun et al. | Ion‐exchanged Fe doped KTiOPO4 optical waveguides | |
| JPH0412095A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 | |
| Zhuo et al. | Formation and anisotropic properties of ion-exchanged KTiOPO4 crystal waveguides | |
| EP0922793A2 (en) | A method of processing a substrate made of a ferroelectric crystalline material | |
| Suhara et al. | Waveguide fabrication and Characteristics | |
| JPH0664996A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |