JPH0720085A - 限界電流式酸素センサ - Google Patents
限界電流式酸素センサInfo
- Publication number
- JPH0720085A JPH0720085A JP5191753A JP19175393A JPH0720085A JP H0720085 A JPH0720085 A JP H0720085A JP 5191753 A JP5191753 A JP 5191753A JP 19175393 A JP19175393 A JP 19175393A JP H0720085 A JPH0720085 A JP H0720085A
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- Japan
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- thin film
- electrode thin
- porous
- limiting current
- ion conductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 限界電流特性が揃ったものとして製造するこ
とが容易で、しかも大量生産に向いた構造とする。 【構成】 ポーラスなアルミナなどにより構成された気
体透過性基板1と、該基板の一表面上に、ポーラス性を
持つようにして一様に形成された櫛形パターンのアノー
ド電極薄膜2と、このアノード電極薄膜2上に形成され
た安定化ジルコニアなどのイオン伝導体薄膜3と、さら
にこのイオン伝導体薄膜3上に形成された櫛形パターン
のカソード電極薄膜4と、このカソード電極薄膜4及び
イオン伝導体薄膜3上に形成されたポーラス層5と、さ
らにこのポーラス層5を、その一部である拡散律速層6
を除いて、すべて覆ってしまう、結晶化ガラスなどによ
り形成された封止層7とを有する。
とが容易で、しかも大量生産に向いた構造とする。 【構成】 ポーラスなアルミナなどにより構成された気
体透過性基板1と、該基板の一表面上に、ポーラス性を
持つようにして一様に形成された櫛形パターンのアノー
ド電極薄膜2と、このアノード電極薄膜2上に形成され
た安定化ジルコニアなどのイオン伝導体薄膜3と、さら
にこのイオン伝導体薄膜3上に形成された櫛形パターン
のカソード電極薄膜4と、このカソード電極薄膜4及び
イオン伝導体薄膜3上に形成されたポーラス層5と、さ
らにこのポーラス層5を、その一部である拡散律速層6
を除いて、すべて覆ってしまう、結晶化ガラスなどによ
り形成された封止層7とを有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、イオン伝導体を用い
た限界電流式酸素センサに関する。
た限界電流式酸素センサに関する。
【0002】
【従来の技術】限界電流式酸素センサは、イオン伝導体
に導入される酸素量と、イオン伝導体中の酸素イオンを
キャリアとする電流とが対応することを利用して酸素濃
度を検出するものである。すなわち、イオン伝導体の両
面に電極を設けて、それら電極間に電圧を印加すると、
イオン伝導体中の酸素イオンをキャリアとする電流が流
れる。イオン伝導体に導入される時間当たりの酸素量を
絞っておくと、上記の電極間に印加する電圧を上げても
電流は一定値以上に増えない。この電流値は限界電流と
呼ばれ、イオン伝導体に導入される時間当たりの酸素量
に対応したものとなり、この電流値から周囲の雰囲気中
の酸素濃度を知ることができる。
に導入される酸素量と、イオン伝導体中の酸素イオンを
キャリアとする電流とが対応することを利用して酸素濃
度を検出するものである。すなわち、イオン伝導体の両
面に電極を設けて、それら電極間に電圧を印加すると、
イオン伝導体中の酸素イオンをキャリアとする電流が流
れる。イオン伝導体に導入される時間当たりの酸素量を
絞っておくと、上記の電極間に印加する電圧を上げても
電流は一定値以上に増えない。この電流値は限界電流と
呼ばれ、イオン伝導体に導入される時間当たりの酸素量
に対応したものとなり、この電流値から周囲の雰囲気中
の酸素濃度を知ることができる。
【0003】このイオン伝導体に導入する時間当たりの
酸素量を絞る構造としては、イオン伝導体の一面を気密
に覆うキャップを設け、このキャップに小孔を設けると
いうものが一般的であるが、センサの薄膜化、製造の容
易化などを図るため、ポーラスな基板を用い、その基板
の気体透過性を利用したものも考えられている。
酸素量を絞る構造としては、イオン伝導体の一面を気密
に覆うキャップを設け、このキャップに小孔を設けると
いうものが一般的であるが、センサの薄膜化、製造の容
易化などを図るため、ポーラスな基板を用い、その基板
の気体透過性を利用したものも考えられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
の、薄膜化を図った構造の限界電流式酸素センサでは、
電極における気体透過性に問題があったり、限界電流特
性が揃ったものを大量に製造することが容易でないなど
の問題があった。
の、薄膜化を図った構造の限界電流式酸素センサでは、
電極における気体透過性に問題があったり、限界電流特
性が揃ったものを大量に製造することが容易でないなど
の問題があった。
【0005】この発明は、上記に鑑み、限界電流特性が
揃ったものとして製造することが容易で、大量生産に適
した構造の、限界電流式酸素センサを提供することを目
的とする。
揃ったものとして製造することが容易で、大量生産に適
した構造の、限界電流式酸素センサを提供することを目
的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明による限界電流式酸素センサにおいては、
気体透過性を持つポーラスな基板と、該基板の一表面上
にポーラス性を持つようにして一様に形成されたアノー
ド電極薄膜と、このアノード電極薄膜上に形成されたイ
オン伝導体薄膜と、さらにこのイオン伝導体薄膜上に形
成された櫛形パターンのカソード電極薄膜と、このカソ
ード電極薄膜及びイオン伝導体薄膜上に形成されたポー
ラス層と、さらにこのポーラス層を、その一部を除いて
覆う封止層とを有することが特徴となっている。
め、この発明による限界電流式酸素センサにおいては、
気体透過性を持つポーラスな基板と、該基板の一表面上
にポーラス性を持つようにして一様に形成されたアノー
ド電極薄膜と、このアノード電極薄膜上に形成されたイ
オン伝導体薄膜と、さらにこのイオン伝導体薄膜上に形
成された櫛形パターンのカソード電極薄膜と、このカソ
ード電極薄膜及びイオン伝導体薄膜上に形成されたポー
ラス層と、さらにこのポーラス層を、その一部を除いて
覆う封止層とを有することが特徴となっている。
【0007】
【作用】イオン伝導体薄膜は、アノード電極薄膜とカソ
ード電極薄膜とにより挾まれる構造となっているが、ア
ノード電極薄膜はポーラスな基板の上に形成されてお
り、その基板の表面状態を反映させてポーラスなものと
し、気体透過性を持たせることは容易である。他方、カ
ソード電極薄膜は緻密な表面となっているイオン伝導体
薄膜上に形成されるため、ポーラスなものとすることは
できない。そこで、カソード電極薄膜については櫛形パ
ターンとして、そのパターンの隙間において気体の流通
を確保する。カソード電極薄膜及びイオン伝導体薄膜上
に形成されたポーラス層は、その一部を除いて封止層に
より覆われているが、その覆われていない部分(つまり
露出部)から酸素が入り込んでポーラス層の全体に拡散
し、イオン伝導体中に導かれる。そのため、この露出部
が拡散律速層として機能することになり、この露出部の
形状等により時間当りのイオン伝導体への導入酸素量を
定めることができる。ポーラス層のポーラス度つまり空
気透過度はコントロール容易であり、露出部の形状等は
再現性高く製造できるので、限界電流特性を揃えること
は容易である。
ード電極薄膜とにより挾まれる構造となっているが、ア
ノード電極薄膜はポーラスな基板の上に形成されてお
り、その基板の表面状態を反映させてポーラスなものと
し、気体透過性を持たせることは容易である。他方、カ
ソード電極薄膜は緻密な表面となっているイオン伝導体
薄膜上に形成されるため、ポーラスなものとすることは
できない。そこで、カソード電極薄膜については櫛形パ
ターンとして、そのパターンの隙間において気体の流通
を確保する。カソード電極薄膜及びイオン伝導体薄膜上
に形成されたポーラス層は、その一部を除いて封止層に
より覆われているが、その覆われていない部分(つまり
露出部)から酸素が入り込んでポーラス層の全体に拡散
し、イオン伝導体中に導かれる。そのため、この露出部
が拡散律速層として機能することになり、この露出部の
形状等により時間当りのイオン伝導体への導入酸素量を
定めることができる。ポーラス層のポーラス度つまり空
気透過度はコントロール容易であり、露出部の形状等は
再現性高く製造できるので、限界電流特性を揃えること
は容易である。
【0008】
【実施例】以下、この発明の好ましい一実施例について
図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、この発明
にかかる限界電流式酸素センサのチップの平面図であ
り、図2は図1のAA線断面図である。これらの図に示
すように、気体透過性の基板1上に、アノード電極薄膜
2がポーラス性を持つようにして一様に形成されてい
る。その上にイオン伝導体薄膜3が形成され、さらにそ
のイオン伝導体薄膜3の上に、上記のアノード電極薄膜
2と同様に、櫛形パターンのカソード電極薄膜4が形成
されている。このイオン伝導体薄膜3はたとえばスパッ
タあるいは蒸着により形成される。そして、このカソー
ド電極薄膜4及びイオン伝導体薄膜3を覆うように、気
体透過性を有するポーラス層5が形成されている。この
ポーラス層5は細い引き出し部6を有するようなパター
ンに形成されている。この引き出し部6は後に述べるよ
うに拡散律速層として機能する。さらにこの拡散律速層
(引き出し部)6の先端を除いてポーラス層5のすべて
を覆うように結晶化ガラス等からなる封止層7が形成さ
れている。
図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、この発明
にかかる限界電流式酸素センサのチップの平面図であ
り、図2は図1のAA線断面図である。これらの図に示
すように、気体透過性の基板1上に、アノード電極薄膜
2がポーラス性を持つようにして一様に形成されてい
る。その上にイオン伝導体薄膜3が形成され、さらにそ
のイオン伝導体薄膜3の上に、上記のアノード電極薄膜
2と同様に、櫛形パターンのカソード電極薄膜4が形成
されている。このイオン伝導体薄膜3はたとえばスパッ
タあるいは蒸着により形成される。そして、このカソー
ド電極薄膜4及びイオン伝導体薄膜3を覆うように、気
体透過性を有するポーラス層5が形成されている。この
ポーラス層5は細い引き出し部6を有するようなパター
ンに形成されている。この引き出し部6は後に述べるよ
うに拡散律速層として機能する。さらにこの拡散律速層
(引き出し部)6の先端を除いてポーラス層5のすべて
を覆うように結晶化ガラス等からなる封止層7が形成さ
れている。
【0009】このような構造の限界電流式酸素センサは
具体的には、たとえばつぎのようにして製造される。ま
ず、気体透過性基板1として、たとえばアルミナ(Al
2O3)材料などで構成されたポーラス性の基板の表面を
機械加工して平坦にしたものを用いる。そしてその上
に、白金をターゲットとしてスパッタリングしてアノー
ド電極薄膜2を形成する。こうして基板1の表面のほぼ
全面を覆うような一様なアノード電極薄膜2を作る。つ
ぎに安定化ジルコニア(ZrO2−8mol%Y2O3)
のターゲットを用いてイオン伝導体薄膜3を設け、さら
にその上に、アノード電極薄膜2と同様にしてスパッタ
リングにより櫛形パターンのカソード電極薄膜4を形成
する。このカソード電極薄膜4及びイオン伝導体薄膜3
の上のポーラス層5は、ステアタイトセラミック粉を5
0wt%添加した結晶化ガラスペーストを印刷(塗布)
することにより形成している。その印刷の際に引き出し
部6が図示のようなパターンに形成されるようにしてい
る。さらにそのポーラス層5を引き出し部6を除いて覆
う封止層7は、結晶化ガラスを印刷(塗布)した後10
00℃の温度で10分間焼成することによって形成す
る。最後に、図示しないが、白金ペーストを印刷するこ
とにより封止層7上にヒーターを形成して完成する。な
おこのヒーターは基板1の裏面側に設けてもよいが、イ
オン伝導体薄膜3に近くて加熱効率が高いという点か
ら、封止層7上の方が好ましい。
具体的には、たとえばつぎのようにして製造される。ま
ず、気体透過性基板1として、たとえばアルミナ(Al
2O3)材料などで構成されたポーラス性の基板の表面を
機械加工して平坦にしたものを用いる。そしてその上
に、白金をターゲットとしてスパッタリングしてアノー
ド電極薄膜2を形成する。こうして基板1の表面のほぼ
全面を覆うような一様なアノード電極薄膜2を作る。つ
ぎに安定化ジルコニア(ZrO2−8mol%Y2O3)
のターゲットを用いてイオン伝導体薄膜3を設け、さら
にその上に、アノード電極薄膜2と同様にしてスパッタ
リングにより櫛形パターンのカソード電極薄膜4を形成
する。このカソード電極薄膜4及びイオン伝導体薄膜3
の上のポーラス層5は、ステアタイトセラミック粉を5
0wt%添加した結晶化ガラスペーストを印刷(塗布)
することにより形成している。その印刷の際に引き出し
部6が図示のようなパターンに形成されるようにしてい
る。さらにそのポーラス層5を引き出し部6を除いて覆
う封止層7は、結晶化ガラスを印刷(塗布)した後10
00℃の温度で10分間焼成することによって形成す
る。最後に、図示しないが、白金ペーストを印刷するこ
とにより封止層7上にヒーターを形成して完成する。な
おこのヒーターは基板1の裏面側に設けてもよいが、イ
オン伝導体薄膜3に近くて加熱効率が高いという点か
ら、封止層7上の方が好ましい。
【0010】こうして得られた限界電流式酸素センサを
実際に測定してみたところ、図3に示すような電圧−電
流特性を得ることができた。この測定は200℃の大気
雰囲気中で行なったが、図3に示すように非常に良好な
限界電流特性が得られたことが判明した。
実際に測定してみたところ、図3に示すような電圧−電
流特性を得ることができた。この測定は200℃の大気
雰囲気中で行なったが、図3に示すように非常に良好な
限界電流特性が得られたことが判明した。
【0011】一般的には、上記のようにスパッタ等によ
り電極薄膜2、4を形成すると、形成された電極薄膜
2、4は緻密な構造となり易く、ガス交換のための気体
透過性という点では難点があるのであるが、アノード電
極薄膜2については、それがポーラス性基板1の表面に
形成されていることからポーラスなものとすることがで
きる。すなわち、ポーラス性の基板1上にスパッタによ
ってアノード電極薄膜2を形成すると、その基板1の表
面状態を反映してポーラス状となっている電極薄膜2を
得ることができ、全面に一様に形成されたものとなって
いても気体の透過性を確保できる。
り電極薄膜2、4を形成すると、形成された電極薄膜
2、4は緻密な構造となり易く、ガス交換のための気体
透過性という点では難点があるのであるが、アノード電
極薄膜2については、それがポーラス性基板1の表面に
形成されていることからポーラスなものとすることがで
きる。すなわち、ポーラス性の基板1上にスパッタによ
ってアノード電極薄膜2を形成すると、その基板1の表
面状態を反映してポーラス状となっている電極薄膜2を
得ることができ、全面に一様に形成されたものとなって
いても気体の透過性を確保できる。
【0012】これに対して、カソード電極薄膜4はイオ
ン伝導体薄膜3上に設けられ、このイオン伝導体薄膜3
の表面は非常に密な状態になっているため、電極薄膜4
は非常に緻密な膜となり気体透過性は得られない。そこ
で、この電極薄膜4については上記の通り櫛形パターン
とすることにより表面積を少なくし、イオン伝導体薄膜
3に対する空気の出入りを確保するようにしている。
ン伝導体薄膜3上に設けられ、このイオン伝導体薄膜3
の表面は非常に密な状態になっているため、電極薄膜4
は非常に緻密な膜となり気体透過性は得られない。そこ
で、この電極薄膜4については上記の通り櫛形パターン
とすることにより表面積を少なくし、イオン伝導体薄膜
3に対する空気の出入りを確保するようにしている。
【0013】酸素はポーラス層5の引き出し部6の先端
の、封止層7から露出している部分より流入し、ポーラ
ス層5の全体に広がり、イオン伝導体薄膜3の表面に導
入されて酸素イオンとなる。この酸素イオンはアノード
電極薄膜2側に移動してアノード電極薄膜2とカソード
電極薄膜4との間に電流が流れる。そしてイオン伝導体
薄膜3の裏面で発生した酸素はポーラスな基板1を透過
して裏面側に出ていく。
の、封止層7から露出している部分より流入し、ポーラ
ス層5の全体に広がり、イオン伝導体薄膜3の表面に導
入されて酸素イオンとなる。この酸素イオンはアノード
電極薄膜2側に移動してアノード電極薄膜2とカソード
電極薄膜4との間に電流が流れる。そしてイオン伝導体
薄膜3の裏面で発生した酸素はポーラスな基板1を透過
して裏面側に出ていく。
【0014】したがって、イオン伝導体薄膜3に導入さ
れる酸素量は、ポーラス層5の単位面積当りの透過空気
量と、細い引き出し部6の断面積と、その長さとによっ
て定められることになる。すなわち、この引き出し部6
が拡散律速層として機能させられる。このポーラス層5
におけるポーラス度つまり空気の透過性のコントロール
は容易であるため、限界電流特性が揃った限界電流式酸
素センサを容易に製造できる。これに対して基板1の気
体透過性を拡散律速性として利用した場合には、その気
体透過性はコントロールが難しいため限界電流特性を揃
えることが困難である。そのため、この限界電流式酸素
センサは特性の揃ったものを大量生産するのに適した構
造であると言える。
れる酸素量は、ポーラス層5の単位面積当りの透過空気
量と、細い引き出し部6の断面積と、その長さとによっ
て定められることになる。すなわち、この引き出し部6
が拡散律速層として機能させられる。このポーラス層5
におけるポーラス度つまり空気の透過性のコントロール
は容易であるため、限界電流特性が揃った限界電流式酸
素センサを容易に製造できる。これに対して基板1の気
体透過性を拡散律速性として利用した場合には、その気
体透過性はコントロールが難しいため限界電流特性を揃
えることが困難である。そのため、この限界電流式酸素
センサは特性の揃ったものを大量生産するのに適した構
造であると言える。
【0015】
【発明の効果】以上実施例について説明したように、こ
の発明の限界電流式酸素センサによれば、大量生産して
も限界電流特性の揃ったものを容易に得ることができ
る。
の発明の限界電流式酸素センサによれば、大量生産して
も限界電流特性の揃ったものを容易に得ることができ
る。
【図1】この発明の一実施例にかかる限界電流式酸素セ
ンサの平面図。
ンサの平面図。
【図2】図1のAA線断面図。
【図3】同実施例の電圧−電流特性を表わすグラフ。
1 気体透過性基板 2 一様なアノード電極薄膜 3 イオン伝導体薄膜 4 櫛形パターンのカソード電極薄膜 5 ポーラス層 6 拡散律速層 7 封止層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石橋 功成 東京都江東区木場1丁目5番1号株式会社 フジクラ内 (72)発明者 加藤 嘉則 東京都江東区木場1丁目5番1号株式会社 フジクラ内
Claims (1)
- 【請求項1】 気体透過性を持つポーラスな基板と、該
基板の一表面上にポーラス性を持つようにして一様に形
成されたアノード電極薄膜と、このアノード電極薄膜上
に形成されたイオン伝導体薄膜と、さらにこのイオン伝
導体薄膜上に形成された櫛形パターンのカソード電極薄
膜と、このカソード電極薄膜及びイオン伝導体薄膜上に
形成されたポーラス層と、さらにこのポーラス層を、そ
の一部を除いて覆う封止層とを有することを特徴とする
限界電流式酸素センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5191753A JPH0720085A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 限界電流式酸素センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5191753A JPH0720085A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 限界電流式酸素センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0720085A true JPH0720085A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=16279936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5191753A Pending JPH0720085A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 限界電流式酸素センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720085A (ja) |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP5191753A patent/JPH0720085A/ja active Pending
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