JPH07201225A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH07201225A JPH07201225A JP5335844A JP33584493A JPH07201225A JP H07201225 A JPH07201225 A JP H07201225A JP 5335844 A JP5335844 A JP 5335844A JP 33584493 A JP33584493 A JP 33584493A JP H07201225 A JPH07201225 A JP H07201225A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- dielectric
- dielectric ceramic
- capacitance
- ceramic composition
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抗折強度、絶縁耐圧に優れ、静電容量温度特
性の焼成温度依存性を緩和した誘電体磁器組成物を提供
することを目的とする。 【構成】 （ＳｒxＣａyＢａz）ＴｉＯ3で表され、かつ
ｘ，ｙおよびｚはモル比でｘ＋ｙ＋ｚ＝１で０．５５≦
ｘ≦０．８５、０．４５≦ｙ≦０．１５、０≦ｚ≦５．
０で、添加剤としてＢｉ2Ｏ3が０．５〜８．０ｍｏｌ％
さらにＭｇＯが０．５〜２．０ｍｏｌ％から構成されて
いる。
性の焼成温度依存性を緩和した誘電体磁器組成物を提供
することを目的とする。 【構成】 （ＳｒxＣａyＢａz）ＴｉＯ3で表され、かつ
ｘ，ｙおよびｚはモル比でｘ＋ｙ＋ｚ＝１で０．５５≦
ｘ≦０．８５、０．４５≦ｙ≦０．１５、０≦ｚ≦５．
０で、添加剤としてＢｉ2Ｏ3が０．５〜８．０ｍｏｌ％
さらにＭｇＯが０．５〜２．０ｍｏｌ％から構成されて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は温度補償用の誘電体磁器
組成物に関するものであり、例えば円板コンデンサやト
リマコンデンサに用いる誘電体磁器組成物に関するもの
である。
組成物に関するものであり、例えば円板コンデンサやト
リマコンデンサに用いる誘電体磁器組成物に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】トリマコンデンサは、片面に電極を施し
た誘電体素子（ステータ）とその対極としての金属ロー
タとの接触面積を変化させることによって、静電容量を
任意に調節できる可変コンデンサである。しかし、接触
面積はドライバーにより調整ピンを回転させることによ
り変化させるため誘電体素子（ステータ）にかなりのス
トレスがかかってくる。また技術動向として、今後益々
トリマコンデンサの低背化が進み誘電体素子（ステー
タ）の薄型化が要求されることになる。
た誘電体素子（ステータ）とその対極としての金属ロー
タとの接触面積を変化させることによって、静電容量を
任意に調節できる可変コンデンサである。しかし、接触
面積はドライバーにより調整ピンを回転させることによ
り変化させるため誘電体素子（ステータ）にかなりのス
トレスがかかってくる。また技術動向として、今後益々
トリマコンデンサの低背化が進み誘電体素子（ステー
タ）の薄型化が要求されることになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、（Ｓｒ
ＣａＢａ）ＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3系の組成だけでは誘電体
素子（ステータ）の曲げ強度が弱く、厚みを薄くすると
容量の調節中に割れてしまうという課題があった。ま
た、誘電体素子を薄くすることにより、絶縁耐圧の低下
も起こるようになった。
ＣａＢａ）ＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3系の組成だけでは誘電体
素子（ステータ）の曲げ強度が弱く、厚みを薄くすると
容量の調節中に割れてしまうという課題があった。ま
た、誘電体素子を薄くすることにより、絶縁耐圧の低下
も起こるようになった。
【０００４】さらに厚みとは別に（ＳｒxＣａyＢａz）
ＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3は静電容量温度特性の焼成温度依存
性が著しいという課題もあった。
ＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3は静電容量温度特性の焼成温度依存
性が著しいという課題もあった。
【０００５】本発明は以上のような従来の欠点を除去
し、抗折強度の向上、絶縁耐圧の向上、静電容量温度特
性の焼成温度依存性を緩和した誘電体磁器組成物を提供
することを目的とする。
し、抗折強度の向上、絶縁耐圧の向上、静電容量温度特
性の焼成温度依存性を緩和した誘電体磁器組成物を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ために本発明では、一般式として（ＳｒxＣａyＢａz）
ＴｉＯ3で表され、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が０．５５≦ｘ≦
０．８５、０．４５≦ｙ≦０．１５、０≦ｚ≦０．５で
あり、添加剤としてＢｉ2Ｏ3が０．５〜８．０ｍｏｌ％
さらにＭｇＯが０．５〜２．０ｍｏｌ％からなる誘電体
磁器組成物、添加剤としてＢｉ2Ｏ3とＮｂ 2Ｏ5を０．０
２〜０．５ｍｏｌ％からなる誘電体磁器組成物および添
加剤としてＢｉ2Ｏ3とＺｒＯ2を０．０１〜０．２ｍｏ
ｌ％からなる誘電体磁器組成物を提供する。
ために本発明では、一般式として（ＳｒxＣａyＢａz）
ＴｉＯ3で表され、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が０．５５≦ｘ≦
０．８５、０．４５≦ｙ≦０．１５、０≦ｚ≦０．５で
あり、添加剤としてＢｉ2Ｏ3が０．５〜８．０ｍｏｌ％
さらにＭｇＯが０．５〜２．０ｍｏｌ％からなる誘電体
磁器組成物、添加剤としてＢｉ2Ｏ3とＮｂ 2Ｏ5を０．０
２〜０．５ｍｏｌ％からなる誘電体磁器組成物および添
加剤としてＢｉ2Ｏ3とＺｒＯ2を０．０１〜０．２ｍｏ
ｌ％からなる誘電体磁器組成物を提供する。
【０００７】
【作用】一般式として（ＳｒxＣａyＢａz）ＴｉＯ3で表
され、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１でｘ，ｙ，ｚの値が０．５５≦ｘ≦０．８５、０．
４５≦ｙ≦０．１５、０≦ｚ≦０．５であり、添加剤と
してＢｉ2Ｏ3が０．５〜８．０ｍｏｌ％の誘電体磁器組
成物にさらにＭｇＯを０．５〜２．０ｍｏｌ％添加する
ことにより、結晶粒径が均一に且つ小さくなり抗折強度
が向上するものである。またＮｂ2Ｏ5を添加することに
より絶縁耐圧が２０（ｋｖ／mm）から３０（ｋｖ／mm）
にすることができる。そしてＺｒＯ2を添加することに
より、静電容量温度特性の焼成温度依存性を緩和するこ
とができる。
され、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１でｘ，ｙ，ｚの値が０．５５≦ｘ≦０．８５、０．
４５≦ｙ≦０．１５、０≦ｚ≦０．５であり、添加剤と
してＢｉ2Ｏ3が０．５〜８．０ｍｏｌ％の誘電体磁器組
成物にさらにＭｇＯを０．５〜２．０ｍｏｌ％添加する
ことにより、結晶粒径が均一に且つ小さくなり抗折強度
が向上するものである。またＮｂ2Ｏ5を添加することに
より絶縁耐圧が２０（ｋｖ／mm）から３０（ｋｖ／mm）
にすることができる。そしてＺｒＯ2を添加することに
より、静電容量温度特性の焼成温度依存性を緩和するこ
とができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【０００９】本発明における誘電体磁器組成物はトリマ
コンデンサなどに用いられる。すなわち、図１に示すよ
うに表面近くの内部に半円状のステータ電極１を内蔵し
た誘電体磁器板２からなるステータ上に、下面に半円状
の凹部３を形成した金属ロータ４を載置し、この金属ロ
ータ４の上面に形成した調整凹部５内にスプリング６を
組込み、このスプリング６の中央の筒状部７を金属ロー
タ４、ステータの中心に貫通させてステータの下面でか
しめてトリマコンデンサを構成している。
コンデンサなどに用いられる。すなわち、図１に示すよ
うに表面近くの内部に半円状のステータ電極１を内蔵し
た誘電体磁器板２からなるステータ上に、下面に半円状
の凹部３を形成した金属ロータ４を載置し、この金属ロ
ータ４の上面に形成した調整凹部５内にスプリング６を
組込み、このスプリング６の中央の筒状部７を金属ロー
タ４、ステータの中心に貫通させてステータの下面でか
しめてトリマコンデンサを構成している。
【００１０】本発明はこのようなトリマコンデンサのス
テータとしての誘電体磁器板２を構成する誘電体磁器組
成物として、抗折強度に優れ、絶縁耐圧に優れ、静電容
量温度特性の焼成依存性を緩和したものを提供するもの
である。
テータとしての誘電体磁器板２を構成する誘電体磁器組
成物として、抗折強度に優れ、絶縁耐圧に優れ、静電容
量温度特性の焼成依存性を緩和したものを提供するもの
である。
【００１１】以下、本発明の誘電体磁器組成物の具体的
実施例を説明する。 （実施例１）出発原料としてＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉ
Ｏ3、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3及びＭｇＯを（表１）に示
す組成比になるように秤量し、部分安定化ジルコニアボ
ールを用いて湿式混合後、脱水乾燥を行った。次に１１
００℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉末を、湿式混合
と同じ条件で湿式粉砕し、脱水乾燥した。この粉砕粉末
に、有機バインダーを加え、均質とした後、３２メッシ
ュのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて
成形圧力１ｔｏｎ／cm2で直径１５mm、厚み０．４mmに
成形した。次いで、成形円板をジルコニア粉末を敷いた
アルミナ質のさやに入れ、空気中にて昇降温速度４００
℃／ｈ、保持温度１３００〜１４００℃、保持時間１〜
４ｈ焼成し、（表１）の試料番号１〜３０に示す組成比
の誘電体磁器円板を得た。
実施例を説明する。 （実施例１）出発原料としてＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉ
Ｏ3、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3及びＭｇＯを（表１）に示
す組成比になるように秤量し、部分安定化ジルコニアボ
ールを用いて湿式混合後、脱水乾燥を行った。次に１１
００℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉末を、湿式混合
と同じ条件で湿式粉砕し、脱水乾燥した。この粉砕粉末
に、有機バインダーを加え、均質とした後、３２メッシ
ュのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて
成形圧力１ｔｏｎ／cm2で直径１５mm、厚み０．４mmに
成形した。次いで、成形円板をジルコニア粉末を敷いた
アルミナ質のさやに入れ、空気中にて昇降温速度４００
℃／ｈ、保持温度１３００〜１４００℃、保持時間１〜
４ｈ焼成し、（表１）の試料番号１〜３０に示す組成比
の誘電体磁器円板を得た。
【００１２】このようにして得られた誘電体磁器円板
は、厚みと直径と重量を測定し、誘電率、良好度Ｑ、静
電容量温度係数測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全
体に銀電極を焼き付けた。そして、誘電率、良好度Ｑ、
静電容量温度係数は、デジタルＬＣＲメータのモデル４
２７５Ａ〔横河ヒューレット・パッカード（株）製〕を
使用し、測定温度２０℃、測定電圧０．５Ｖｒｍｓ、測
定周波数１ＭHzでの測定より求めた。なお、静電容量温
度係数は、−２５℃と８５℃の静電容量を測定し、下記
式により求めた。
は、厚みと直径と重量を測定し、誘電率、良好度Ｑ、静
電容量温度係数測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全
体に銀電極を焼き付けた。そして、誘電率、良好度Ｑ、
静電容量温度係数は、デジタルＬＣＲメータのモデル４
２７５Ａ〔横河ヒューレット・パッカード（株）製〕を
使用し、測定温度２０℃、測定電圧０．５Ｖｒｍｓ、測
定周波数１ＭHzでの測定より求めた。なお、静電容量温
度係数は、−２５℃と８５℃の静電容量を測定し、下記
式により求めた。
【００１３】ＴＣ＝（Ｃ−Ｃｏ）／Ｃｏ×１／１１０×
１０6 ＴＣ：静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃） Ｃｏ：−２５℃での静電容量（ｐＦ） Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は下記式により求めた。
１０6 ＴＣ：静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃） Ｃｏ：−２５℃での静電容量（ｐＦ） Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は下記式により求めた。
【００１４】Ｋ＝１４３．８×Ｃｏ×ｔ／（Ｄ／２）2
／π Ｋ ：誘電率 Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｄ ：誘電体磁器円板の直径（mm） ｔ ：誘電体磁器円板の厚み（mm） 更に、曲げ強度は図２に示すように、ＪＩＳに従って３
点曲げ強さを測定した。２つの支点８の上に試験片９を
置き、荷重点が一定の曲率半径をもつダイヤルゲージ１
０により試験片９に荷重を加えた。試験片９が破壊した
ときの最大荷重を読み取り下記式により求めた。
／π Ｋ ：誘電率 Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｄ ：誘電体磁器円板の直径（mm） ｔ ：誘電体磁器円板の厚み（mm） 更に、曲げ強度は図２に示すように、ＪＩＳに従って３
点曲げ強さを測定した。２つの支点８の上に試験片９を
置き、荷重点が一定の曲率半径をもつダイヤルゲージ１
０により試験片９に荷重を加えた。試験片９が破壊した
ときの最大荷重を読み取り下記式により求めた。
【００１５】曲げ強度＝３ＰＬ／（２ｗｔ2） Ｐ ：試験片が破壊したときの最大荷重（kgf／mm2） Ｌ ：支点間距離（mm） ｗ ：試験片の幅（mm) ｔ ：試験片の厚さ（mm） 上記測定結果を試料番号１〜３０別に（表１）に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】（表１）でわかるように、ＳｒＴｉＯ3が
０．５５未満だとＱの低下がおこり、０．８０を越える
と素体が還元されて半導体コンデンサのようになって、
容量が大きくなり、Ｑが著しく小さくなる。更にマイナ
ス側の温度特性も大きくなってしまう。
０．５５未満だとＱの低下がおこり、０．８０を越える
と素体が還元されて半導体コンデンサのようになって、
容量が大きくなり、Ｑが著しく小さくなる。更にマイナ
ス側の温度特性も大きくなってしまう。
【００１８】そしてＢａＴｉＯ3の添加量が０．０８を
越えるとＱの低下とマイナス側の温度特性が大きくなっ
て実用的でなくなる。
越えるとＱの低下とマイナス側の温度特性が大きくなっ
て実用的でなくなる。
【００１９】次にＢｉ2Ｏ3が０．１ｍｏｌ％未満だと、
焼結せず誘電率やＱが低い。また８．０ｍｏｌ％を越え
ると焼結性が悪くなり、Ｑが低下してくる。更にＭｇＯ
が０．５ｍｏｌ％未満だと曲げ強度の改善が見られず、
２．０ｍｏｌ％を越えるとＱの低下が見られる。ＭｇＯ
が曲げ強度を向上させる原因として、ＭｇＯを添加する
と粒成長を抑制して均質な結晶粒を形成するためと考え
る。
焼結せず誘電率やＱが低い。また８．０ｍｏｌ％を越え
ると焼結性が悪くなり、Ｑが低下してくる。更にＭｇＯ
が０．５ｍｏｌ％未満だと曲げ強度の改善が見られず、
２．０ｍｏｌ％を越えるとＱの低下が見られる。ＭｇＯ
が曲げ強度を向上させる原因として、ＭｇＯを添加する
と粒成長を抑制して均質な結晶粒を形成するためと考え
る。
【００２０】本実施例ではＳｒ、Ｃａ、Ｂａの出発原料
をチタン酸化合物で行ったが酸化物または炭酸化物と酸
化チタンで行っても特性に大きな差は無い。その際、１
０００℃〜１２００℃で仮焼を行うと、バラツキの小さ
い安定した特性を得ることができる。
をチタン酸化合物で行ったが酸化物または炭酸化物と酸
化チタンで行っても特性に大きな差は無い。その際、１
０００℃〜１２００℃で仮焼を行うと、バラツキの小さ
い安定した特性を得ることができる。
【００２１】（実施例２）Ｎｂ2Ｏ5を（表２）に示す組
成比になるように秤量し、（実施例１）と同じ製造方法
で試料を作成した。
成比になるように秤量し、（実施例１）と同じ製造方法
で試料を作成した。
【００２２】誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度特性に関
しては（実施例１）と同じ方法で行った。そして、絶縁
破壊強度は、高電圧電源ＰＨＳ３５Ｋ−３形〔菊水電子
工業（株）製〕を使用し、試料をシリコンオイル中に入
れ、昇圧速度５０Ｖ／secにより求めた絶縁破壊電圧を
誘電体厚みで除算し、１mm当りの絶縁破壊強度とした。
しては（実施例１）と同じ方法で行った。そして、絶縁
破壊強度は、高電圧電源ＰＨＳ３５Ｋ−３形〔菊水電子
工業（株）製〕を使用し、試料をシリコンオイル中に入
れ、昇圧速度５０Ｖ／secにより求めた絶縁破壊電圧を
誘電体厚みで除算し、１mm当りの絶縁破壊強度とした。
【００２３】上記測定結果を試料番号３１〜３５別に
（表２）に示す。
（表２）に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】（表２）からもわかるようにＮｂ2Ｏ5を入
れない試料の絶縁耐圧が２０（ｋｖ／mm）に対して、Ｎ
ｂ2Ｏ5の添加した試料は絶縁耐圧が向上している。しか
し０．５ｍｏｌ％を越えると静電容量温度特性がマイナ
ス側に大きくなってしまい、実用的でなくなる。
れない試料の絶縁耐圧が２０（ｋｖ／mm）に対して、Ｎ
ｂ2Ｏ5の添加した試料は絶縁耐圧が向上している。しか
し０．５ｍｏｌ％を越えると静電容量温度特性がマイナ
ス側に大きくなってしまい、実用的でなくなる。
【００２６】（実施例３）ＺｒＯ2を（表３）に示す組
成比になるように秤量し、（実施例１）と同じ製造方法
で試料を作成した。電気特性は（実施例１）の測定方法
と同じである。
成比になるように秤量し、（実施例１）と同じ製造方法
で試料を作成した。電気特性は（実施例１）の測定方法
と同じである。
【００２７】上記測定結果を試料番号３６〜４０別に
（表３）に示す。
（表３）に示す。
【００２８】
【表３】
【００２９】（表３）からもわかるようにＺｒＯ2を入
れない試料の焼成温度依存性は非常に大きいが０．０１
ｍｏｌ％を越えると焼成温度依存性が小さくなってく
る。そして０．２ｍｏｌ％を越えると焼結阻害を起こし
てしまう。
れない試料の焼成温度依存性は非常に大きいが０．０１
ｍｏｌ％を越えると焼成温度依存性が小さくなってく
る。そして０．２ｍｏｌ％を越えると焼結阻害を起こし
てしまう。
【００３０】また実施例ではＭｇＯとＮｂ2Ｏ5、ＺｒＯ
2を別々に添加しているが、少なくとも２つの元素を同
時に添加してもそれぞれの特徴を損なうことなく効果を
発揮することも確認している。
2を別々に添加しているが、少なくとも２つの元素を同
時に添加してもそれぞれの特徴を損なうことなく効果を
発揮することも確認している。
【００３１】
【発明の効果】以上の実施例の説明からも明らかなよう
に本発明は、一般式として（ＳｒxＣａyＢａz）ＴｉＯ3
で表され、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が０．５５≦ｘ≦０．８５、
０．４５≦ｙ≦０．１５、０≦ｚ≦５．０であり、（Ｓ
ｒxＣａyＢａz）ＴｉＯ3に対して添加剤としてＢｉ2Ｏ3
が０．５〜８．０ｍｏｌ％さらにＭｇＯが０．５〜２．
０ｍｏｌ％からなる曲げ強度の大きい誘電体磁器組成物
を、また添加剤としてＢｉ2Ｏ3とＮｂ2Ｏ5を０．０２〜
０．５ｍｏｌ％からなる絶縁耐圧の大きい誘電体磁器組
成物を、そして添加剤としてＢｉ2Ｏ3とＺｒＯ2を０．
０１〜０．２ｍｏｌ％からなる静電容量焼成温度依存性
の小さい誘電体磁器組成物を提供するものである。
に本発明は、一般式として（ＳｒxＣａyＢａz）ＴｉＯ3
で表され、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が０．５５≦ｘ≦０．８５、
０．４５≦ｙ≦０．１５、０≦ｚ≦５．０であり、（Ｓ
ｒxＣａyＢａz）ＴｉＯ3に対して添加剤としてＢｉ2Ｏ3
が０．５〜８．０ｍｏｌ％さらにＭｇＯが０．５〜２．
０ｍｏｌ％からなる曲げ強度の大きい誘電体磁器組成物
を、また添加剤としてＢｉ2Ｏ3とＮｂ2Ｏ5を０．０２〜
０．５ｍｏｌ％からなる絶縁耐圧の大きい誘電体磁器組
成物を、そして添加剤としてＢｉ2Ｏ3とＺｒＯ2を０．
０１〜０．２ｍｏｌ％からなる静電容量焼成温度依存性
の小さい誘電体磁器組成物を提供するものである。
【図１】本発明の誘電体磁器組成物を用いたトリマコン
デンサの断面図
デンサの断面図
【図２】同じく曲げ強度測定装着のイメージ図
１ ステータ電極 ２ 誘電体磁器板 ３ 凹部 ４ 金属ロータ ５ 調整用凹部 ６ スプリング ７ 筒部 ８ 支点 ９ 試験片 １０ ダイヤルゲージ
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式として（ＳｒxＣａyＢａz）Ｔｉ
Ｏ3で表され、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が０．５５≦ｘ≦０．８
５、０．４５≦ｙ≦０．１５、０≦ｚ≦５．０であり、
（ＳｒxＣａyＢａ z）ＴｉＯ3に対して添加剤としてＢｉ
2Ｏ3が０．５〜８．０ｍｏｌ％さらにＭｇＯが０．５〜
２．０ｍｏｌ％からなる誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 一般式として（ＳｒxＣａyＢａz）Ｔｉ
Ｏ3で表され、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が０．５５≦ｘ≦０．８
５、０．４５≦ｙ≦０．１５、０≦ｚ≦５．０であり、
（ＳｒxＣａyＢａ z）ＴｉＯ3に対して添加剤としてＢｉ
2Ｏ3が０．５〜８．０ｍｏｌ％さらにＮｂ 2Ｏ5が０．０
２〜０．５ｍｏｌ％からなる誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 一般式として（ＳｒxＣａyＢａz）Ｔｉ
Ｏ3で表され、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が０．５５≦ｘ≦０．８
５、０．４５≦ｙ≦０．１５、０≦ｚ≦５．０であり、
（ＳｒxＣａyＢａ z）ＴｉＯ3に対して添加剤としてＢｉ
2Ｏ3が０．５〜８．０ｍｏｌ％さらにＺｒＯ2が０．０
１〜０．２ｍｏｌ％からなる誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5335844A JPH07201225A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5335844A JPH07201225A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201225A true JPH07201225A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18293030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5335844A Pending JPH07201225A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201225A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001033589A1 (en) * | 1999-11-01 | 2001-05-10 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic electronic component |
| WO2004077565A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器 |
| JP2006327840A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Tdk Corp | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP2010530346A (ja) * | 2007-06-07 | 2010-09-09 | ヴィシェイ インターテクノロジー インコーポレイテッド | 広帯域ｕｈｆアンテナ用セラミック誘電体処方 |
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1993
- 1993-12-28 JP JP5335844A patent/JPH07201225A/ja active Pending
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