JPH07211138A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH07211138A JPH07211138A JP6002407A JP240794A JPH07211138A JP H07211138 A JPH07211138 A JP H07211138A JP 6002407 A JP6002407 A JP 6002407A JP 240794 A JP240794 A JP 240794A JP H07211138 A JPH07211138 A JP H07211138A
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- weight
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁破壊強度が大きい誘電体磁器組成物を提
供することを目的とするものである。 【構成】 本発明の誘電体磁器組成物は一般式としてｘ
ＣａＯ−ｙＴｉＯ2−ｚＬａ2Ｏ3で表わされ、ｘ，ｙ，
ｚはモル比を表わし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値
が 【表１】 に表わす各点ａ，ｂ，ｃを直線で囲むモル比の範囲にあ
る組成物を主成分とし、この主成分１００重量部に対
し、Ｎｂ2Ｏ5を０．５〜１０．０重量部添加するもので
ある。
供することを目的とするものである。 【構成】 本発明の誘電体磁器組成物は一般式としてｘ
ＣａＯ−ｙＴｉＯ2−ｚＬａ2Ｏ3で表わされ、ｘ，ｙ，
ｚはモル比を表わし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値
が 【表１】 に表わす各点ａ，ｂ，ｃを直線で囲むモル比の範囲にあ
る組成物を主成分とし、この主成分１００重量部に対
し、Ｎｂ2Ｏ5を０．５〜１０．０重量部添加するもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器用固定磁器コ
ンデンサに用いる誘電体磁器組成物に関するものであ
る。
ンデンサに用いる誘電体磁器組成物に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層セラミックコンデンサに用い
る温度補償用誘電体材料の中で、一般に温度係数が小さ
く高周波回路などにも使用可能な材料の一つとして、Ｍ
ｇＯ−ＴｉＯ2−Ｌａ2Ｏ3系の誘電体磁器組成物が知ら
れている。
る温度補償用誘電体材料の中で、一般に温度係数が小さ
く高周波回路などにも使用可能な材料の一つとして、Ｍ
ｇＯ−ＴｉＯ2−Ｌａ2Ｏ3系の誘電体磁器組成物が知ら
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成では、大容量化、薄層化、小型化を進めた場合、絶縁
破壊強度が小さいという問題点を有していた。本発明
は、絶縁破壊強度の大きい誘電体磁器組成物を提供する
ことを目的とするものである。
成では、大容量化、薄層化、小型化を進めた場合、絶縁
破壊強度が小さいという問題点を有していた。本発明
は、絶縁破壊強度の大きい誘電体磁器組成物を提供する
ことを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の誘電体磁器組成物は、一般式としてｘＣａＯ
−ｙＴｉＯ2−ｚＬａ2Ｏ3で表わされ、ｘ，ｙ，ｚはモ
ル比を表わし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が（表
２）に表わす各点ａ，ｂ，ｃを直線で囲むモル比の範囲
にある組成物に対し、Ｎｂ2Ｏ5を０．５〜１０．０重量
部添加するものである。
に本発明の誘電体磁器組成物は、一般式としてｘＣａＯ
−ｙＴｉＯ2−ｚＬａ2Ｏ3で表わされ、ｘ，ｙ，ｚはモ
ル比を表わし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が（表
２）に表わす各点ａ，ｂ，ｃを直線で囲むモル比の範囲
にある組成物に対し、Ｎｂ2Ｏ5を０．５〜１０．０重量
部添加するものである。
【０００５】
【表２】
【０００６】
【作用】上記構成により絶縁破壊強度が大きい誘電体磁
器組成物を得ることができる。その上、この誘電体磁器
組成物は、高周波Ｑに優れ、誘電率絶縁抵抗が共に高い
ものである。
器組成物を得ることができる。その上、この誘電体磁器
組成物は、高周波Ｑに優れ、誘電率絶縁抵抗が共に高い
ものである。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。
【０００８】（実施例１）まず、出発原料として、化学
的高純度のＮｂ2Ｏ5，ＣａＯ，ＴｉＯ2，Ｌａ2Ｏ 3粉末
を（表３）に示す組成比になるように秤量し、ジルコニ
アボールを備えたゴム内張りのボールミルの中に純水と
共に入れ、湿式混合後、脱水乾燥し、解砕後高純度アル
ミナ質のルツボに入れ、１１００℃で２時間仮焼した。
的高純度のＮｂ2Ｏ5，ＣａＯ，ＴｉＯ2，Ｌａ2Ｏ 3粉末
を（表３）に示す組成比になるように秤量し、ジルコニ
アボールを備えたゴム内張りのボールミルの中に純水と
共に入れ、湿式混合後、脱水乾燥し、解砕後高純度アル
ミナ質のルツボに入れ、１１００℃で２時間仮焼した。
【０００９】
【表３】
【００１０】次に、この仮焼粉末をジルコニアボールを
備えたゴム内張りのボールミルの中に純水と共に入れ、
湿式粉砕後、脱水乾燥し、有機バインダーを加え、均質
にした後、３２メッシュのふるいで整粒し、金型と油圧
プレスを用い成形圧力を１ｔｏｎ／cm2で直径１５mm、
厚み０．４mmの円板状に成形した。次に成形した円板を
ジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、（表
３）に示す焼成温度で２時間焼成し、（表３）の試料番
号１〜１０の組成比の誘電体磁器円板を得た。
備えたゴム内張りのボールミルの中に純水と共に入れ、
湿式粉砕後、脱水乾燥し、有機バインダーを加え、均質
にした後、３２メッシュのふるいで整粒し、金型と油圧
プレスを用い成形圧力を１ｔｏｎ／cm2で直径１５mm、
厚み０．４mmの円板状に成形した。次に成形した円板を
ジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、（表
３）に示す焼成温度で２時間焼成し、（表３）の試料番
号１〜１０の組成比の誘電体磁器円板を得た。
【００１１】このようにして得られた円板の厚みと直径
を測定した。次に、誘電率、Ｑ、静電容量温度係数を誘
電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付けたもので測
定した。また、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧を誘電体磁器円
板の両面に外周から内側に１mmの幅で銀電極のない部分
を設け、銀電極を焼き付けたもので測定した。ここで、
誘電率、Ｑ、静電容量温度係数は、横河ヒューレット・
パッカード（株）製デジタルＬＣＲメータのモデル４２
７５Ａを使用し、測定温度２０℃、測定電圧１．０Ｖｒ
ｍｓ、測定周波数１ＭHzでの測定より求めた。なお、静
電容量温度係数は、２０℃と８５℃の静電容量を測定
し、次式より求めた。
を測定した。次に、誘電率、Ｑ、静電容量温度係数を誘
電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付けたもので測
定した。また、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧を誘電体磁器円
板の両面に外周から内側に１mmの幅で銀電極のない部分
を設け、銀電極を焼き付けたもので測定した。ここで、
誘電率、Ｑ、静電容量温度係数は、横河ヒューレット・
パッカード（株）製デジタルＬＣＲメータのモデル４２
７５Ａを使用し、測定温度２０℃、測定電圧１．０Ｖｒ
ｍｓ、測定周波数１ＭHzでの測定より求めた。なお、静
電容量温度係数は、２０℃と８５℃の静電容量を測定
し、次式より求めた。
【００１２】 ＴＣ＝（Ｃ−Ｃｏ）／Ｃｏ×１／６５×１０6 ＴＣ：静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃） Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
【００１３】Ｋ＝１４３．８×Ｃｏ×ｔ／Ｄ2 Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｄ ：誘電体磁器の直径（mm） ｔ ：誘電体磁器の厚み（mm） さらに、絶縁抵抗は、横河ヒューレット・パッカード
（株）製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測定
電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定時間１分間による測定より
求めた。
（株）製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測定
電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定時間１分間による測定より
求めた。
【００１４】そして絶縁破壊強度は、菊水電子工業
（株）製高電圧電源ＰＨＳ３５Ｋ−３型を使用し、試料
をシリコンオイルの中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃ
により求めた破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１mmあた
りの絶縁破壊電圧とした。
（株）製高電圧電源ＰＨＳ３５Ｋ−３型を使用し、試料
をシリコンオイルの中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃ
により求めた破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１mmあた
りの絶縁破壊電圧とした。
【００１５】上記の測定結果を試料番号１〜１０別に
（表４）に示す。
（表４）に示す。
【００１６】
【表４】
【００１７】図１は本発明にかかわる組成物の主成分の
組成範囲を示すものであり、図のように組成範囲を限定
した理由は、Ａの領域になると焼結が著しく困難になる
ためである。また、主成分に対し副成分Ｎｂ2Ｏ5を添加
することにより、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大
きくする効果を有すると共に、特に良好度Ｑを向上させ
る。しかし主成分１００重量部に対し、Ｎｂ2Ｏ5の添加
量が０．５重量部未満であると効果がなく、１０．０重
量部を越えると、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗および、
絶縁破壊強度が小さくなり実用的でなくなるため発明の
範囲から除外した。
組成範囲を示すものであり、図のように組成範囲を限定
した理由は、Ａの領域になると焼結が著しく困難になる
ためである。また、主成分に対し副成分Ｎｂ2Ｏ5を添加
することにより、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大
きくする効果を有すると共に、特に良好度Ｑを向上させ
る。しかし主成分１００重量部に対し、Ｎｂ2Ｏ5の添加
量が０．５重量部未満であると効果がなく、１０．０重
量部を越えると、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗および、
絶縁破壊強度が小さくなり実用的でなくなるため発明の
範囲から除外した。
【００１８】（実施例２）実施例１の高純度のＮｂ2Ｏ5
に代えて高純度のＴａ2Ｏ5粉末を（表５）に示す組成比
になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処
理して（表５）の試料番号１１〜２０の組成比の誘電体
磁器円板を得た。
に代えて高純度のＴａ2Ｏ5粉末を（表５）に示す組成比
になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様に処
理して（表５）の試料番号１１〜２０の組成比の誘電体
磁器円板を得た。
【００１９】
【表５】
【００２０】次に、実施例１と同様に処理をして特性を
測定し、測定結果を試料番号１１〜２０別に（表６）に
示す。
測定し、測定結果を試料番号１１〜２０別に（表６）に
示す。
【００２１】
【表６】
【００２２】主成分の組成範囲を限定した理由は実施例
１と同様であるので説明は省略する。また、主成分に対
し副成分Ｔａ2Ｏ5を添加することにより、良好度Ｑを向
上させ、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくする
効果を有すると共に、特に温度係数を小さくする効果を
有する。しかし、主成分１００重量部に対し、Ｔａ2Ｏ5
の添加量が０．８重量部未満であると効果がなく、１
６．０重量部を越えると、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗
および、絶縁破壊強度が小さくなり実用的でなくなるた
め発明の範囲から除外した。
１と同様であるので説明は省略する。また、主成分に対
し副成分Ｔａ2Ｏ5を添加することにより、良好度Ｑを向
上させ、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくする
効果を有すると共に、特に温度係数を小さくする効果を
有する。しかし、主成分１００重量部に対し、Ｔａ2Ｏ5
の添加量が０．８重量部未満であると効果がなく、１
６．０重量部を越えると、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗
および、絶縁破壊強度が小さくなり実用的でなくなるた
め発明の範囲から除外した。
【００２３】（実施例３）まず、実施例１の高純度のＮ
ｂ2Ｏ5に加えて高純度のＶ2Ｏ5粉末を（表７）に示す組
成比になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様
に処理して（表７）の試料番号２１〜３０の組成比の誘
電体磁器円板を得た。
ｂ2Ｏ5に加えて高純度のＶ2Ｏ5粉末を（表７）に示す組
成比になるように秤量し、以降の工程を実施例１と同様
に処理して（表７）の試料番号２１〜３０の組成比の誘
電体磁器円板を得た。
【００２４】
【表７】
【００２５】次に、実施例１と同様に処理をして特性を
測定し、測定結果を試料番号２１〜３０別に（表８）に
示す。
測定し、測定結果を試料番号２１〜３０別に（表８）に
示す。
【００２６】
【表８】
【００２７】主成分の組成範囲を限定した理由は実施例
１と同様であるので説明は省略する。また、主成分に対
し副成分Ｖ2Ｏ5を添加することにより、良好度Ｑを向上
させ、特に絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくす
る効果を有する。しかし主成分１００重量部に対し、Ｖ
2Ｏ5の添加量が０．３重量部未満であると効果がなく、
６．０重量部を越えると、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗
および、絶縁破壊強度が小さくなり実用的でなくなるた
め発明の範囲から除外した。
１と同様であるので説明は省略する。また、主成分に対
し副成分Ｖ2Ｏ5を添加することにより、良好度Ｑを向上
させ、特に絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度を大きくす
る効果を有する。しかし主成分１００重量部に対し、Ｖ
2Ｏ5の添加量が０．３重量部未満であると効果がなく、
６．０重量部を越えると、良好度Ｑが劣化し、絶縁抵抗
および、絶縁破壊強度が小さくなり実用的でなくなるた
め発明の範囲から除外した。
【００２８】（実施例４）まず、実施例１の高純度のＮ
ｂ2Ｏ5に代えて高純度のＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ 2Ｏ5粉
末を（表９）に示す組成比になるように秤量し、以降の
工程を実施例１と同様に処理して（表９）の試料番号３
１〜４０の組成比の誘電体磁器円板を得た。
ｂ2Ｏ5に代えて高純度のＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ 2Ｏ5粉
末を（表９）に示す組成比になるように秤量し、以降の
工程を実施例１と同様に処理して（表９）の試料番号３
１〜４０の組成比の誘電体磁器円板を得た。
【００２９】
【表９】
【００３０】次に、実施例１と同様に処理をして特性を
測定し、測定結果を試料番号３１〜４０別に（表１０）
に示す。
測定し、測定結果を試料番号３１〜４０別に（表１０）
に示す。
【００３１】
【表１０】
【００３２】主成分の組成範囲を限定した理由は実施例
１と同様であるので省略する。また、主成分に対し副成
分Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5を添加することにより、
良好度Ｑを向上させ、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度
を大きくする効果を有する。しかし、主成分１００重量
部に対し、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5の少なくとも二
種以上の添加量の合計が０．００１モル部未満であると
効果がなく、０．０２０モル部を越えると、良好度Ｑが
劣化し、絶縁抵抗および、絶縁破壊強度が小さくなり実
用的でなくなるため発明の範囲から除外した。また、Ｎ
ｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5から選ばれる二種以上成分を
添加することにより、各成分の一種を添加するものに比
べて、誘電率、良好度Ｑが高く、絶縁抵抗および、絶縁
破壊強度が大きい、かつ静電容量温度係数の小さい誘電
体磁器組成物を得ることができる。
１と同様であるので省略する。また、主成分に対し副成
分Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5を添加することにより、
良好度Ｑを向上させ、絶縁抵抗を高くし、絶縁破壊強度
を大きくする効果を有する。しかし、主成分１００重量
部に対し、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5の少なくとも二
種以上の添加量の合計が０．００１モル部未満であると
効果がなく、０．０２０モル部を越えると、良好度Ｑが
劣化し、絶縁抵抗および、絶縁破壊強度が小さくなり実
用的でなくなるため発明の範囲から除外した。また、Ｎ
ｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5から選ばれる二種以上成分を
添加することにより、各成分の一種を添加するものに比
べて、誘電率、良好度Ｑが高く、絶縁抵抗および、絶縁
破壊強度が大きい、かつ静電容量温度係数の小さい誘電
体磁器組成物を得ることができる。
【００３３】なお、実施例１〜４における誘電体磁器円
板の作製はＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ 2Ｏ5，ＣａＯ，Ｔｉ
Ｏ2，Ｌａ2Ｏ3を原料として使用したが、この原料に限
定されるものではなく、所望の組成比になるようにＣａ
ＴｉＯ3などの化合物、あるいは酸化物など空気中の加
熱によりＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5，ＣａＯ，ＴｉＯ
2，Ｌａ2Ｏ3となる化合物を使用しても同様の特性を得
ることができる。また、主成分をあらかじめ仮焼した後
に副成分を添加しても同様の特性を得ることができる。
さらに、誘電体磁器用として一般に使用される工業用原
料の二酸化チタン、例えばチタン工業のＫＡ−１０Ｃ、
古河鉱業（株）製二酸化チタンＦＡ−５５Ｗには、最大
０．４５重量％のＮｂ2Ｏ5が含まれている。
板の作製はＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ 2Ｏ5，ＣａＯ，Ｔｉ
Ｏ2，Ｌａ2Ｏ3を原料として使用したが、この原料に限
定されるものではなく、所望の組成比になるようにＣａ
ＴｉＯ3などの化合物、あるいは酸化物など空気中の加
熱によりＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5，ＣａＯ，ＴｉＯ
2，Ｌａ2Ｏ3となる化合物を使用しても同様の特性を得
ることができる。また、主成分をあらかじめ仮焼した後
に副成分を添加しても同様の特性を得ることができる。
さらに、誘電体磁器用として一般に使用される工業用原
料の二酸化チタン、例えばチタン工業のＫＡ−１０Ｃ、
古河鉱業（株）製二酸化チタンＦＡ−５５Ｗには、最大
０．４５重量％のＮｂ2Ｏ5が含まれている。
【００３４】これらの二酸化チタンを使用して主成分の
誘電体磁器を作製しても主成分１００重量部に対してＮ
ｂ2Ｏ5の含有量は、最大で０．４４重量部であり、この
発明の範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中の
Ｎｂ2Ｏ5を考慮して不足分のＮｂ2Ｏ5を添加することに
より、実施例と同様の特性を得ることができる。
誘電体磁器を作製しても主成分１００重量部に対してＮ
ｂ2Ｏ5の含有量は、最大で０．４４重量部であり、この
発明の範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中の
Ｎｂ2Ｏ5を考慮して不足分のＮｂ2Ｏ5を添加することに
より、実施例と同様の特性を得ることができる。
【００３５】また、上述の基本組成のほかにフラックス
と考えるられているＺｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎ
ｉ等の酸化物などを特性を損なわない範囲で加えること
もできる。
と考えるられているＺｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎ
ｉ等の酸化物などを特性を損なわない範囲で加えること
もできる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明により、絶縁破壊
強度が大きく、その上良好度Ｑに優れ、誘電率と絶縁抵
抗が共に高い誘電体磁器組成物を得ることができる。ま
た本発明により、例えば積層セラミックコンデンサにお
いて、大容量化、薄層化、小型化をさらに進めることが
できる。
強度が大きく、その上良好度Ｑに優れ、誘電率と絶縁抵
抗が共に高い誘電体磁器組成物を得ることができる。ま
た本発明により、例えば積層セラミックコンデンサにお
いて、大容量化、薄層化、小型化をさらに進めることが
できる。
【図１】本発明の誘電体磁器の主成分の組成範囲を説明
する三元図
する三元図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/12 ３５８
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式としてｘＣａＯ−ｙＴｉＯ2−ｚ
Ｌａ2Ｏ3で表わされ、ｘ，ｙ，ｚはモル比を表わし、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が 【表１】 に表わす各点ａ，ｂ，ｃを直線で囲むモル比の範囲にあ
る組成物を主成分とし、前記主成分１００重量部に対
し、副成分として、Ｎｂ2Ｏ5を０．５〜１０．０重量部
添加させることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 請求項１記載のＮｂ2Ｏ5に代えて、Ｔａ
2Ｏ5を０．８〜１６．０重量部添加させることを特徴と
する請求項１記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 請求項１記載のＮｂ2Ｏ5に代えて、Ｖ2
Ｏ5を０．３〜６．０重量部添加させることを特徴とす
る請求項１記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 主成分１００モル部に対し、請求項１記
載のＮｂ2Ｏ5に代えて、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，Ｖ2Ｏ5の
なかから選ばれる二種以上を合計０．００１〜０．０２
０モル部添加させることを特徴とする請求項１記載の誘
電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6002407A JPH07211138A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6002407A JPH07211138A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211138A true JPH07211138A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11528397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6002407A Pending JPH07211138A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211138A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| US6645895B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-11-11 | Tdk Corporation | Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device |
| US6656863B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
-
1994
- 1994-01-14 JP JP6002407A patent/JPH07211138A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| US6656863B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| US6933256B2 (en) | 2000-02-09 | 2005-08-23 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing same |
| US6645895B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-11-11 | Tdk Corporation | Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device |
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