JPH07201502A - 基板実装型電子部品 - Google Patents
基板実装型電子部品Info
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- JPH07201502A JPH07201502A JP33715693A JP33715693A JPH07201502A JP H07201502 A JPH07201502 A JP H07201502A JP 33715693 A JP33715693 A JP 33715693A JP 33715693 A JP33715693 A JP 33715693A JP H07201502 A JPH07201502 A JP H07201502A
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- Japan
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- electronic component
- porous
- board
- solvent
- reed switch
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フッ素樹脂を基板実装型電子部品に適用する
に当って、高温処理、長時間繁雑工程をなくす。 【構成】 リードスイッチ、抵抗、コンデンサなどの基
板実装型電子部品において、電子部品の基板との接続部
（端子等）を除く主要部の表面全域を多孔質ＰＴＦＥで
被覆し、必要に応じてさらに溶剤可溶性フッ素樹脂を用
いて電子部品を外気から遮断する。
に当って、高温処理、長時間繁雑工程をなくす。 【構成】 リードスイッチ、抵抗、コンデンサなどの基
板実装型電子部品において、電子部品の基板との接続部
（端子等）を除く主要部の表面全域を多孔質ＰＴＦＥで
被覆し、必要に応じてさらに溶剤可溶性フッ素樹脂を用
いて電子部品を外気から遮断する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板実装型電子部品に係
り、より詳しくはリードスイッチ、抵抗、コンデンサ等
の基板実装型電子部品の絶縁封止構造の改良に関する。
り、より詳しくはリードスイッチ、抵抗、コンデンサ等
の基板実装型電子部品の絶縁封止構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードスイッチ、ダイオード、ＩＣ、な
どの電子部品を電気絶縁性能の向上、機械的、化学的保
護の目的から合成樹脂で絶縁封止することが行なわれて
いる。特に、フッ素樹脂は電気絶縁性、耐熱性、耐食性
等に優れているので、ＦＥＰ，ＰＴＦＥなどのフッ素樹
脂チューブを熱収縮する方法、ＦＥＰ，ＰＴＦＥなどの
フッ素樹脂ディスパージョンを焼付けする方法、溶剤可
溶性フッ素樹脂コーティング方法などにより、フッ素樹
脂を用いて電子部品を絶縁封止する試みがなされてい
る。
どの電子部品を電気絶縁性能の向上、機械的、化学的保
護の目的から合成樹脂で絶縁封止することが行なわれて
いる。特に、フッ素樹脂は電気絶縁性、耐熱性、耐食性
等に優れているので、ＦＥＰ，ＰＴＦＥなどのフッ素樹
脂チューブを熱収縮する方法、ＦＥＰ，ＰＴＦＥなどの
フッ素樹脂ディスパージョンを焼付けする方法、溶剤可
溶性フッ素樹脂コーティング方法などにより、フッ素樹
脂を用いて電子部品を絶縁封止する試みがなされてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の如きフッ素樹脂
を用いて絶縁封止する方法はそれぞれ次の欠点がある。
フッ素樹脂チューブを熱収縮させる方法は、３００℃以
上の高温下での熱収縮工程が必要で、この際素子の破壊
や、金属導線表面の酸化が生じ、又、低温下での収縮工
程では十分な密着が得られない。
を用いて絶縁封止する方法はそれぞれ次の欠点がある。
フッ素樹脂チューブを熱収縮させる方法は、３００℃以
上の高温下での熱収縮工程が必要で、この際素子の破壊
や、金属導線表面の酸化が生じ、又、低温下での収縮工
程では十分な密着が得られない。
【０００４】フッ素樹脂のディスパージョンを焼付する
方法は、密着性は得られるが、３６０℃以上の高温下で
焼付るので素子及び端子の破壊が生じ、また本工程は長
時間（２０時間程度）を必要とし、工程的にも問題とな
る。さらに、１回の塗付量でコートできる厚さが少な
く、通常約６０μｍのコート厚にするには３回程度繰返
す必要がある。
方法は、密着性は得られるが、３６０℃以上の高温下で
焼付るので素子及び端子の破壊が生じ、また本工程は長
時間（２０時間程度）を必要とし、工程的にも問題とな
る。さらに、１回の塗付量でコートできる厚さが少な
く、通常約６０μｍのコート厚にするには３回程度繰返
す必要がある。
【０００５】溶剤可溶性フッ素樹脂コーティング方法
は、１５０℃と比較的低い温度で乾燥でき、素子や端子
に与えるダメージは少いが、１回のコーティングで付着
する厚さが５μｍ程度と少く、通常１０〜１２回ものコ
ーティング→乾燥工程の繰返しが必要である。又、一般
にこのタイプの樹脂は高価で、封止剤全体を形成するに
は適さない。さらに、形状を整えにくく、表面のうねり
や凹凸がその後の工程で問題となる。
は、１５０℃と比較的低い温度で乾燥でき、素子や端子
に与えるダメージは少いが、１回のコーティングで付着
する厚さが５μｍ程度と少く、通常１０〜１２回ものコ
ーティング→乾燥工程の繰返しが必要である。又、一般
にこのタイプの樹脂は高価で、封止剤全体を形成するに
は適さない。さらに、形状を整えにくく、表面のうねり
や凹凸がその後の工程で問題となる。
【０００６】そこで、本発明は、上記の如き従来法にお
ける高絶縁封止工程中に素子や端子を劣化させるという
欠点と、封止後の密着性が低いことに起因する電気特性
（絶縁性）が十分得られないという欠点を解決し、以っ
て絶縁性及び信頼性に優れた電子部品（リードスイッ
チ、抵抗等）を提供することを目的とする。なお、本発
明と関連する発明として、特開平４−１４９２５２号公
報は含フッ素重合体を連続気孔性多孔質四フッ化エチレ
ン樹脂基材の表面部分に含浸して成る多孔質体を開示
し、その用途として電気絶縁材料を記載しているが、具
体的な用途としては電線、プリント基板の絶縁体が挙げ
られるにすぎない。
ける高絶縁封止工程中に素子や端子を劣化させるという
欠点と、封止後の密着性が低いことに起因する電気特性
（絶縁性）が十分得られないという欠点を解決し、以っ
て絶縁性及び信頼性に優れた電子部品（リードスイッ
チ、抵抗等）を提供することを目的とする。なお、本発
明と関連する発明として、特開平４−１４９２５２号公
報は含フッ素重合体を連続気孔性多孔質四フッ化エチレ
ン樹脂基材の表面部分に含浸して成る多孔質体を開示
し、その用途として電気絶縁材料を記載しているが、具
体的な用途としては電線、プリント基板の絶縁体が挙げ
られるにすぎない。
【０００７】また、特開平２−２１６８５４号公報は、
独立気孔を１〜５容積％含むポリアリーレンスルフィド
樹脂組成物で電子部品を封止成形することを開示してい
るが、樹脂がフッ素樹脂ではなく、またその目的も本発
明と異なる。
独立気孔を１〜５容積％含むポリアリーレンスルフィド
樹脂組成物で電子部品を封止成形することを開示してい
るが、樹脂がフッ素樹脂ではなく、またその目的も本発
明と異なる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、リードスイッチ、抵抗、コンデンサ等の
基板実装型電子部品において、その電子部品の基板との
接続部を除く主要部の表面全域が多孔質ポリテトラフル
オロエチレンにより被覆されていることを特徴とする基
板実装型電子部品と、リードスイッチ、抵抗、コンデン
サ等の基板実装型電子部品において、その電子部品の基
板との接続部を除く主要部の表面全域が多孔質ポリテト
ラフルオロエチレンにより被覆されており、且つその電
子部品の基板との接続部を除く主要部は溶剤可溶性フッ
素樹脂により外気との接触が遮断されていることを特徴
とする基板実装型電子部品を提供する。
成するために、リードスイッチ、抵抗、コンデンサ等の
基板実装型電子部品において、その電子部品の基板との
接続部を除く主要部の表面全域が多孔質ポリテトラフル
オロエチレンにより被覆されていることを特徴とする基
板実装型電子部品と、リードスイッチ、抵抗、コンデン
サ等の基板実装型電子部品において、その電子部品の基
板との接続部を除く主要部の表面全域が多孔質ポリテト
ラフルオロエチレンにより被覆されており、且つその電
子部品の基板との接続部を除く主要部は溶剤可溶性フッ
素樹脂により外気との接触が遮断されていることを特徴
とする基板実装型電子部品を提供する。
【０００９】基板実装型電子部品は、基板に搭載して使
用される電子部品、例えば、リードスイッチ、コンデン
サ、抵抗、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩな
どを指称するが、本発明は特に絶縁性を高めるためにガ
ラス封止されたリードスイッチの絶縁性をさらに高める
のに有効である。電子部品の基板との接続部とは、端子
（リード）、ハンダバンプなど電子部品から基板へ電気
的接続を取る部分を指称するが、通常端子の一部も被覆
される。
用される電子部品、例えば、リードスイッチ、コンデン
サ、抵抗、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩな
どを指称するが、本発明は特に絶縁性を高めるためにガ
ラス封止されたリードスイッチの絶縁性をさらに高める
のに有効である。電子部品の基板との接続部とは、端子
（リード）、ハンダバンプなど電子部品から基板へ電気
的接続を取る部分を指称するが、通常端子の一部も被覆
される。
【００１０】本発明では電子部品を多孔質ポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ）で被覆する。多孔質ＰＴＦ
Ｅは実充体のＰＴＦＥチューブに比べ極めて柔軟性に富
みリードスイッチ表面のガラス部分や端子部分に良くな
らい、隙間が生じない。又、特にＧＯＲＥ−ＴＥＸ登録
商標のような延伸多孔質ＰＴＦＥは熱収縮率が大きく、
リードスイッチ等の電子部品の素子部分を劣化させない
ような比較的低い温度（２６０℃以下）でも十分収縮
し、電子部品とＰＴＦＥ部の隙間はさらに生じにくくな
る。図１にその被覆の例を示し、図１（ア）は横断面、
図１（イ）は縦断面であるが、図中１は多孔質ＰＴＦ
Ｅ、２はリードスイッチ（ガラス封止部品）、３は端子
（はんだメッキ、Ｃｕ線）、４は素子部である。そし
て、本発明によればこの図に示すように端子の一部にま
で多孔質ＰＴＦＥが良くカバーするので、さらに絶縁特
性が向上する。
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ）で被覆する。多孔質ＰＴＦ
Ｅは実充体のＰＴＦＥチューブに比べ極めて柔軟性に富
みリードスイッチ表面のガラス部分や端子部分に良くな
らい、隙間が生じない。又、特にＧＯＲＥ−ＴＥＸ登録
商標のような延伸多孔質ＰＴＦＥは熱収縮率が大きく、
リードスイッチ等の電子部品の素子部分を劣化させない
ような比較的低い温度（２６０℃以下）でも十分収縮
し、電子部品とＰＴＦＥ部の隙間はさらに生じにくくな
る。図１にその被覆の例を示し、図１（ア）は横断面、
図１（イ）は縦断面であるが、図中１は多孔質ＰＴＦ
Ｅ、２はリードスイッチ（ガラス封止部品）、３は端子
（はんだメッキ、Ｃｕ線）、４は素子部である。そし
て、本発明によればこの図に示すように端子の一部にま
で多孔質ＰＴＦＥが良くカバーするので、さらに絶縁特
性が向上する。
【００１１】多孔質ＰＴＦＥの被覆はテープ巻きのみ、
又はテープ巻きした後５０〜２６０℃程度で熱収縮させ
る。多孔質ＰＴＦＥチューブを用いる場合には、多孔質
ＰＴＦＥチューブに電子部品を挿入した後５０〜２６０
℃程度で熱収縮させた方が望ましい。電子部品を被覆す
る多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）とし
ては、フィルムやチューブの如き連続多孔質体として製
造されたものを用いる。連続多孔質体の製造は溶出法、
焼結法、延伸法などいずれによってもよいが、延伸法が
好ましく、例えば、特公昭５１−１８９９１号公報およ
び特公昭５６−１７２１６号公報に記載された方法によ
り製造される。即ち約９５％以上の結晶化度を有するポ
リテトラフルオロエチレン樹脂に液状潤滑剤、例えばソ
ルベントナフサ、ホワイトオイルなどの炭化水素油、石
油エーテル等を添加混合して予備成形物を作る。この場
合の混合比は例えばポリテトラフルオロエチレン８０に
対して液状潤滑剤２０である。次にこの予備成形物を押
出機を用いてシート状、チューブ状等の形状に押出して
成形物を得る。得られた成形物は液状潤滑剤を除去する
か除去せずに、３２７℃以下の未焼結状態において毎秒
１０％以上の高速度で延伸される。次にこの延伸物を延
伸状態において２００〜３９０℃で熱処理することによ
り収縮を防止して目的とするポリテトラフルオロエチレ
ン樹脂の連続多孔質体を得る。上記延伸工程の中で延伸
操作を一方向に行うことにより一軸延伸フィルムが得ら
れ、二方向に行うことにより二軸延伸フィルムが得られ
る。
又はテープ巻きした後５０〜２６０℃程度で熱収縮させ
る。多孔質ＰＴＦＥチューブを用いる場合には、多孔質
ＰＴＦＥチューブに電子部品を挿入した後５０〜２６０
℃程度で熱収縮させた方が望ましい。電子部品を被覆す
る多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）とし
ては、フィルムやチューブの如き連続多孔質体として製
造されたものを用いる。連続多孔質体の製造は溶出法、
焼結法、延伸法などいずれによってもよいが、延伸法が
好ましく、例えば、特公昭５１−１８９９１号公報およ
び特公昭５６−１７２１６号公報に記載された方法によ
り製造される。即ち約９５％以上の結晶化度を有するポ
リテトラフルオロエチレン樹脂に液状潤滑剤、例えばソ
ルベントナフサ、ホワイトオイルなどの炭化水素油、石
油エーテル等を添加混合して予備成形物を作る。この場
合の混合比は例えばポリテトラフルオロエチレン８０に
対して液状潤滑剤２０である。次にこの予備成形物を押
出機を用いてシート状、チューブ状等の形状に押出して
成形物を得る。得られた成形物は液状潤滑剤を除去する
か除去せずに、３２７℃以下の未焼結状態において毎秒
１０％以上の高速度で延伸される。次にこの延伸物を延
伸状態において２００〜３９０℃で熱処理することによ
り収縮を防止して目的とするポリテトラフルオロエチレ
ン樹脂の連続多孔質体を得る。上記延伸工程の中で延伸
操作を一方向に行うことにより一軸延伸フィルムが得ら
れ、二方向に行うことにより二軸延伸フィルムが得られ
る。
【００１２】連続多孔質体の厚みは５〜３０μｍが好ま
しい。３０μｍを越えると電子部品に対するなじみが悪
くなり、一方５μｍ未満では巻回数が増えて製造工程が
繁雑になる。多孔質体の孔径は一般的には０．１〜１μ
ｍのものを使用する。これは、溶剤可溶性フッ素樹脂を
容易に多孔性空間に侵入させるためである。また、多孔
質体の空孔率は７０〜９５％が好ましい。７０％未満で
は電子部品の形状に対する追随性（しなやかさ）が不足
し、９５％を越えると強度が弱くなる。
しい。３０μｍを越えると電子部品に対するなじみが悪
くなり、一方５μｍ未満では巻回数が増えて製造工程が
繁雑になる。多孔質体の孔径は一般的には０．１〜１μ
ｍのものを使用する。これは、溶剤可溶性フッ素樹脂を
容易に多孔性空間に侵入させるためである。また、多孔
質体の空孔率は７０〜９５％が好ましい。７０％未満で
は電子部品の形状に対する追随性（しなやかさ）が不足
し、９５％を越えると強度が弱くなる。
【００１３】多孔質ＰＴＦＥを被覆する場合、被覆の総
厚みとして少なくとも６０μｍは必要である。これより
薄いと絶縁性が十分に高くならないからである。ところ
で、１pA以下の特に小さい１fAレベルの超高絶縁性を必
要とする分野で使用する電子部品については、図２に示
すように多孔質体内部を流れる空気によっても電流が流
れてしまうので、このような超高絶縁性を満たすには、
図１に示すリードスイッチについて述べると、端子の一
部を除くリードスイッチに溶剤可溶性フッ素樹脂を付着
させてこの部分と外気との接触を遮断する必要がある。
この態様を図３に示すが、図中１，２，３は図１と同じ
で、６は溶剤可溶性フッ素樹脂を示す。
厚みとして少なくとも６０μｍは必要である。これより
薄いと絶縁性が十分に高くならないからである。ところ
で、１pA以下の特に小さい１fAレベルの超高絶縁性を必
要とする分野で使用する電子部品については、図２に示
すように多孔質体内部を流れる空気によっても電流が流
れてしまうので、このような超高絶縁性を満たすには、
図１に示すリードスイッチについて述べると、端子の一
部を除くリードスイッチに溶剤可溶性フッ素樹脂を付着
させてこの部分と外気との接触を遮断する必要がある。
この態様を図３に示すが、図中１，２，３は図１と同じ
で、６は溶剤可溶性フッ素樹脂を示す。
【００１４】そのほか、多孔質ＰＴＦＥ外表面を溶剤可
溶性フッ素樹脂でコーティングし空気の流れを止める構
造、多孔質ＰＴＦＥ全体（厚さ方向）にわたって孔部の
穴埋めをした構造（溶剤可溶性フッ素樹脂の含浸方法に
よる）をとっても同様の効果が得られる。例えば、図４
は前者の例で、図中７は抵抗素子、８は多孔質ＰＴＦＥ
チューブ、９は溶剤可溶性フッ素樹脂、３は端子であ
る。
溶性フッ素樹脂でコーティングし空気の流れを止める構
造、多孔質ＰＴＦＥ全体（厚さ方向）にわたって孔部の
穴埋めをした構造（溶剤可溶性フッ素樹脂の含浸方法に
よる）をとっても同様の効果が得られる。例えば、図４
は前者の例で、図中７は抵抗素子、８は多孔質ＰＴＦＥ
チューブ、９は溶剤可溶性フッ素樹脂、３は端子であ
る。
【００１５】このような溶剤可溶性フッ素樹脂としては
溶剤に可溶なフッ素樹脂が使用できる。例えば、特開昭
５８−３８７０７号公報、特表平３−５０２５８５号公
報に開示されているパーフルオロ−２，２−ジメチル−
ジオキソールの無定形共重合体（デュポン社製商品名テ
フロンＡＦ１６００、テフロンＡＦ２４００）、あるい
は特開平１−１３１２１５号公報に開示されている含フ
ッ素熱可塑性樹脂状重合体（旭硝子社製商品名サイトッ
プ）があるが、サイトップはガラスとの接着性が良くこ
の点で好ましい。また、特開平４−１４９２５２号公報
にも溶剤可溶性フッ素樹脂、およびそのようなフッ素樹
脂を溶解するフッ素系溶媒の例が含まれている。フッ素
系溶媒としては、例えば、パーフルオロヘキサンなどの
パーフルオロアルカン、パーフルオロシクロアルカン、
パーフルオロアルケン、パーフルオロテトラヒドロフラ
ンなどのパーフルオロ環状エーテル、パーフルオロアル
キルアミンなどが挙げられる。
溶剤に可溶なフッ素樹脂が使用できる。例えば、特開昭
５８−３８７０７号公報、特表平３−５０２５８５号公
報に開示されているパーフルオロ−２，２−ジメチル−
ジオキソールの無定形共重合体（デュポン社製商品名テ
フロンＡＦ１６００、テフロンＡＦ２４００）、あるい
は特開平１−１３１２１５号公報に開示されている含フ
ッ素熱可塑性樹脂状重合体（旭硝子社製商品名サイトッ
プ）があるが、サイトップはガラスとの接着性が良くこ
の点で好ましい。また、特開平４−１４９２５２号公報
にも溶剤可溶性フッ素樹脂、およびそのようなフッ素樹
脂を溶解するフッ素系溶媒の例が含まれている。フッ素
系溶媒としては、例えば、パーフルオロヘキサンなどの
パーフルオロアルカン、パーフルオロシクロアルカン、
パーフルオロアルケン、パーフルオロテトラヒドロフラ
ンなどのパーフルオロ環状エーテル、パーフルオロアル
キルアミンなどが挙げられる。
【００１６】溶剤可溶性フッ素樹脂を用いて電子部品と
外気との接触を遮断する場合、多孔質ポリテトラフルオ
ロエチレンの空孔の全部を埋める必要はなく、電子部品
との接触部のみ、あるいは外周部のみを埋めるようにし
てもよいが、空孔の全部を埋めてもよい。
外気との接触を遮断する場合、多孔質ポリテトラフルオ
ロエチレンの空孔の全部を埋める必要はなく、電子部品
との接触部のみ、あるいは外周部のみを埋めるようにし
てもよいが、空孔の全部を埋めてもよい。
【００１７】
【作用】多孔質ＰＴＦＥを用いて被覆することによっ
て、柔軟性があるので電子部品の外形によくなじみ、か
つ被覆操作が簡単で短時間に終了する。しかも、熱収縮
させる場合にも比較的低温でよいので、電子部品を損傷
することもない。こうして、高絶縁性のＰＴＦＥを用い
て絶縁封止した実用可能な電子部品が提供され、部品の
小型化にも寄与する。超高絶縁性を必要とする場合には
溶剤可溶性フッ素樹脂を用いて電子部品と外気との接触
を遮断させることができる。
て、柔軟性があるので電子部品の外形によくなじみ、か
つ被覆操作が簡単で短時間に終了する。しかも、熱収縮
させる場合にも比較的低温でよいので、電子部品を損傷
することもない。こうして、高絶縁性のＰＴＦＥを用い
て絶縁封止した実用可能な電子部品が提供され、部品の
小型化にも寄与する。超高絶縁性を必要とする場合には
溶剤可溶性フッ素樹脂を用いて電子部品と外気との接触
を遮断させることができる。
【００１８】
【実施例】実施例１ 図１に示した如きガラス封止リードスイッチ（外径２m
m、長さ１３mm）に、厚さ２０μｍ、幅１７mm、空孔率
８０％、平均孔径０．１μｍの延伸多孔質ＰＴＦＥフィ
ルムを３周巻き付けた。このとき延伸多孔質ＰＴＦＥフ
ィルムをリードスイッチの寸法より両側それぞれ１mmほ
ど長く巻いた。これをイソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）に漬けて引き上げ、自然乾燥した後、２６０℃のオ
ーブン中で２０分間さらに熱収縮させた。
m、長さ１３mm）に、厚さ２０μｍ、幅１７mm、空孔率
８０％、平均孔径０．１μｍの延伸多孔質ＰＴＦＥフィ
ルムを３周巻き付けた。このとき延伸多孔質ＰＴＦＥフ
ィルムをリードスイッチの寸法より両側それぞれ１mmほ
ど長く巻いた。これをイソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）に漬けて引き上げ、自然乾燥した後、２６０℃のオ
ーブン中で２０分間さらに熱収縮させた。
【００１９】こうして得られたリードスイッチは図１に
示すごとく、多孔質ＰＴＦＥがガラス管の凹凸にしっく
りとなじみ、かつ両側の端子の一部をもしっかりと封止
した。この延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム封止リードスイ
ッチの絶縁抵抗は１０15Ωと高い値を得た。なお、熱収
縮後にＰＴＦＥの総厚さや空孔率は約１０％低減するだ
けである。
示すごとく、多孔質ＰＴＦＥがガラス管の凹凸にしっく
りとなじみ、かつ両側の端子の一部をもしっかりと封止
した。この延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム封止リードスイ
ッチの絶縁抵抗は１０15Ωと高い値を得た。なお、熱収
縮後にＰＴＦＥの総厚さや空孔率は約１０％低減するだ
けである。
【００２０】実施例２ 実施例１と同様のガラス封止リードスイッチに、厚さ５
μｍ、幅１７mm、空孔率９０％、平均孔径０．２μｍの
延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムを１２周巻きつけて厚さ６
０μｍ程度のカバーを行なった。厚さ５μｍ程度の薄い
多孔質フィルムはしなやかで、端子部とガラス部の凹凸
をうまくなじんでカバーした。
μｍ、幅１７mm、空孔率９０％、平均孔径０．２μｍの
延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムを１２周巻きつけて厚さ６
０μｍ程度のカバーを行なった。厚さ５μｍ程度の薄い
多孔質フィルムはしなやかで、端子部とガラス部の凹凸
をうまくなじんでカバーした。
【００２１】このガラス封止リードスイッチをさらに濃
度２％の溶剤可溶性フッ素樹脂（サイトップＣＴＸ）に
浸漬して、サイトップＣＴＸを多孔質フィルムの孔の一
部と、ガラス−多孔質フィルム界面にしみ込ませてこれ
を付着した。こうして得られたＰＴＦＥフィルム封止リ
ードスイッチは、端子の一部を除いて空気との接触が遮
断されており、空気の流れを止めることができ、また、
絶縁抵抗も１０17Ωとひじょうに高い値を得た。耐電圧
も５００Ｖ以上を得た。
度２％の溶剤可溶性フッ素樹脂（サイトップＣＴＸ）に
浸漬して、サイトップＣＴＸを多孔質フィルムの孔の一
部と、ガラス−多孔質フィルム界面にしみ込ませてこれ
を付着した。こうして得られたＰＴＦＥフィルム封止リ
ードスイッチは、端子の一部を除いて空気との接触が遮
断されており、空気の流れを止めることができ、また、
絶縁抵抗も１０17Ωとひじょうに高い値を得た。耐電圧
も５００Ｖ以上を得た。
【００２２】実施例３ ガラス封止リードスイッチのガラス管部分と端子の一部
に溶剤可溶性フッ素樹脂（サイトップＣＴＸ）５％溶液
をコーティングし、これに溶剤が気化しない内に厚さ２
０μｍ、空孔率８０％、孔径０．２μｍの延伸多孔質Ｐ
ＴＦＥフィルムに３周巻き付けた。このようにして得ら
れたガラス封止リードスイッチは図３に示す如く、ガラ
ス−多孔質フィルム界面の密着性が高く、外気との接触
が遮断されており、絶縁抵抗１０17Ωを得た。
に溶剤可溶性フッ素樹脂（サイトップＣＴＸ）５％溶液
をコーティングし、これに溶剤が気化しない内に厚さ２
０μｍ、空孔率８０％、孔径０．２μｍの延伸多孔質Ｐ
ＴＦＥフィルムに３周巻き付けた。このようにして得ら
れたガラス封止リードスイッチは図３に示す如く、ガラ
ス−多孔質フィルム界面の密着性が高く、外気との接触
が遮断されており、絶縁抵抗１０17Ωを得た。
【００２３】実施例４ 図４の如き抵抗素子（外径１．５mm、長さ７mm）を、内
径１．７mm、長さ１０mm、肉厚０．１mm、空孔率９０％
の延伸多孔質ＰＴＦＥチューブ中に挿入し、２６０℃で
チューブを収縮させた。しなやかなチューブなのでよく
素子表面の凹凸になじんだ。
径１．７mm、長さ１０mm、肉厚０．１mm、空孔率９０％
の延伸多孔質ＰＴＦＥチューブ中に挿入し、２６０℃で
チューブを収縮させた。しなやかなチューブなのでよく
素子表面の凹凸になじんだ。
【００２４】さらに、図４に示す如く、チューブ表面に
５％溶剤可溶性フッ素樹脂（テフロンＡＦ２４００）を
コーティングして、端子の一部と、チューブと端子の境
目を封止して外気との接触を遮断した。テフロンＡＦ２
４００は多孔質ＰＴＦＥチューブの表面近傍にも浸透
し、テフロンＡＦ２４００のコーティング層はアンカー
効果により多孔質ＰＴＦＥチューブに強固に結合した。
５％溶剤可溶性フッ素樹脂（テフロンＡＦ２４００）を
コーティングして、端子の一部と、チューブと端子の境
目を封止して外気との接触を遮断した。テフロンＡＦ２
４００は多孔質ＰＴＦＥチューブの表面近傍にも浸透
し、テフロンＡＦ２４００のコーティング層はアンカー
効果により多孔質ＰＴＦＥチューブに強固に結合した。
【００２５】得られたＰＴＦＥ封止抵抗素子の絶縁抵抗
は高く、１０16Ωを得た。
は高く、１０16Ωを得た。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では電子部
品表面を流れる電流を多孔質ＰＴＦＥを用いてかさばる
ことなく（電子部品外形をひと回り大きくすることな
く）、十分遮断する機能をもたせたので、電子装置の特
性の向上及びコンパクト化に効果がある。
品表面を流れる電流を多孔質ＰＴＦＥを用いてかさばる
ことなく（電子部品外形をひと回り大きくすることな
く）、十分遮断する機能をもたせたので、電子装置の特
性の向上及びコンパクト化に効果がある。
【図１】多孔質ＰＴＦＥ封止リードスイッチを示す。
【図２】多孔質ＰＴＦＥ封止リードスイッチの空気の流
れを示す。
れを示す。
【図３】溶剤可溶性フッ素樹脂を多孔質ＰＴＦＥとガラ
ス管部分の界面近傍に含浸した多孔質ＰＴＦＥ封止リー
ドスイッチを示す。
ス管部分の界面近傍に含浸した多孔質ＰＴＦＥ封止リー
ドスイッチを示す。
【図４】溶剤可溶性フッ素樹脂を多孔質ＰＴＦＥの外面
にコーティングした多孔質ＰＴＦＥ封止抵抗素子を示
す。
にコーティングした多孔質ＰＴＦＥ封止抵抗素子を示
す。
１…多孔質ＰＴＦＥ ２…リードスイッチ（ガラス封止部品） ３…端子 ４…素子部 ５…空気の流れ ６…溶剤可溶性フッ素樹脂 ７…抵抗素子 ８…多孔質ＰＴＦＥチューブ ９…溶剤可溶性フッ素樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｈ 9/02 Ｚ Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 (72)発明者 沖野 浩一 東京都世田谷区赤堤１丁目42番５号 ジャ パンゴアテックス株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 リードスイッチ、抵抗、コンデンサ等の
基板実装型電子部品において、該電子部品の基板との接
続部を除く主要部の表面全域が多孔質ポリテトラフルオ
ロエチレンにより被覆されていることを特徴とする基板
実装型電子部品。 - 【請求項２】 リードスイッチ、抵抗、コンデンサ等の
基板実装型電子部品において、該電子部品の基板との接
続部を除く主要部の表面全域が多孔質ポリテトラフルオ
ロエチレンにより被覆されており、且つ該電子部品の基
板との接続部を除く主要部は溶剤可溶性フッ素樹脂によ
り外気との接触が遮断されていることを特徴とする基板
実装型電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33715693A JPH07201502A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 基板実装型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33715693A JPH07201502A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 基板実装型電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201502A true JPH07201502A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18305975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33715693A Withdrawn JPH07201502A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 基板実装型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201502A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003078108A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体パッケージ用基板、これを用いた半導体パッケージとその積層体、およびこれらの製造方法 |
| GB2462823A (en) * | 2008-08-18 | 2010-02-24 | Crombie 123 Ltd | A switch |
| JP2011223030A (ja) * | 2000-08-30 | 2011-11-04 | Epcos Ag | 電気部品及びその製造方法 |
| US8492898B2 (en) | 2007-02-19 | 2013-07-23 | Semblant Global Limited | Printed circuit boards |
| US11786930B2 (en) | 2016-12-13 | 2023-10-17 | Hzo, Inc. | Protective coating |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33715693A patent/JPH07201502A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011223030A (ja) * | 2000-08-30 | 2011-11-04 | Epcos Ag | 電気部品及びその製造方法 |
| JP2003078108A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体パッケージ用基板、これを用いた半導体パッケージとその積層体、およびこれらの製造方法 |
| US8492898B2 (en) | 2007-02-19 | 2013-07-23 | Semblant Global Limited | Printed circuit boards |
| US9648720B2 (en) | 2007-02-19 | 2017-05-09 | Semblant Global Limited | Method for manufacturing printed circuit boards |
| GB2462823A (en) * | 2008-08-18 | 2010-02-24 | Crombie 123 Ltd | A switch |
| US11786930B2 (en) | 2016-12-13 | 2023-10-17 | Hzo, Inc. | Protective coating |
| US12521756B2 (en) | 2016-12-13 | 2026-01-13 | Hzo, Inc. | Protective coating |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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