JPH07201718A - 熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents
熱処理装置及び熱処理方法Info
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- JPH07201718A JPH07201718A JP5352985A JP35298593A JPH07201718A JP H07201718 A JPH07201718 A JP H07201718A JP 5352985 A JP5352985 A JP 5352985A JP 35298593 A JP35298593 A JP 35298593A JP H07201718 A JPH07201718 A JP H07201718A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 基板を載置する載置台と基板との接触する面
積を少なくして載置台から基板を搬送する際の剥離帯電
現象を減少させ、微細塵埃の付着を防止しするととも
に、放電による素子の破壊等を防止して、製品歩留りの
向上を図れるようにし、また基板の受渡しの際の基板の
位置ずれ、破損、落下を防止するとともに、均一な熱処
理を行う。 【構成】 基板を載置しこの基板の温度を制御する加熱
処理装置において、基板を載置する載置台６０と、この
載置台６０を介して基板に熱を供給する発熱体６２と、
基板を支持する支持ピン７０とを具備し、載置台６０の
表面に溝７１を設けた。
積を少なくして載置台から基板を搬送する際の剥離帯電
現象を減少させ、微細塵埃の付着を防止しするととも
に、放電による素子の破壊等を防止して、製品歩留りの
向上を図れるようにし、また基板の受渡しの際の基板の
位置ずれ、破損、落下を防止するとともに、均一な熱処
理を行う。 【構成】 基板を載置しこの基板の温度を制御する加熱
処理装置において、基板を載置する載置台６０と、この
載置台６０を介して基板に熱を供給する発熱体６２と、
基板を支持する支持ピン７０とを具備し、載置台６０の
表面に溝７１を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、熱処理装置と熱処理
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスやＬＣＤの製造
工程においては、シリコン基板あるいはＬＣＤ基板（ガ
ラス基板）にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジ
ストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施され
る。
工程においては、シリコン基板あるいはＬＣＤ基板（ガ
ラス基板）にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジ
ストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施され
る。
【０００３】上記の製造工程における処理装置は、上方
から清浄化されたエアをダウンフローするクリーンルー
ム内に設置されて使用されるため、この処理装置を構成
する搬入搬出機構及び処理機構ユニット内は比較的低湿
度の雰囲気となっており、しかも、被処理体であるＬＣ
Ｄ基板（以下単に基板という）は電気伝導率の点からガ
ラスである関係上、基板は処理中に帯電し易い状態にあ
る。
から清浄化されたエアをダウンフローするクリーンルー
ム内に設置されて使用されるため、この処理装置を構成
する搬入搬出機構及び処理機構ユニット内は比較的低湿
度の雰囲気となっており、しかも、被処理体であるＬＣ
Ｄ基板（以下単に基板という）は電気伝導率の点からガ
ラスである関係上、基板は処理中に帯電し易い状態にあ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板が
帯電されて静電気が生じると、基板の表面に微細塵埃が
付着してしまい、製品歩留りの低下をきたすばかりか、
基板汚染（コンタミネーション）が生じるという問題が
あった。また、基板に帯電された静電気により基板の搬
送中に放電が生じ、この放電によって基板表面に形成さ
れた素子が破壊されたり、センサ類の精密機器類が誤動
作するなどの問題もあった。更には、静電気によって基
板が載置台等に吸着して、基板の受渡しの際に基板の位
置がずれたり、割れたり、落下するという虞れもあり、
基板の連続処理に支障をきたすという問題もあった。
帯電されて静電気が生じると、基板の表面に微細塵埃が
付着してしまい、製品歩留りの低下をきたすばかりか、
基板汚染（コンタミネーション）が生じるという問題が
あった。また、基板に帯電された静電気により基板の搬
送中に放電が生じ、この放電によって基板表面に形成さ
れた素子が破壊されたり、センサ類の精密機器類が誤動
作するなどの問題もあった。更には、静電気によって基
板が載置台等に吸着して、基板の受渡しの際に基板の位
置がずれたり、割れたり、落下するという虞れもあり、
基板の連続処理に支障をきたすという問題もあった。
【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、基板を載置する載置台と基板との接
触する面積を少なくして載置台から基板を搬送する際の
剥離帯電現象を減少させ、微細塵埃の付着を防止しする
とともに、放電による素子の破壊等を防止して、製品歩
留りの向上を図れるようにし、また基板の受渡しの際の
基板の位置ずれ、破損、落下を防止するとともに、均一
な熱処理を行うことのできる熱処理装置と熱処理方法を
提供することにある。
あり、その目的は、基板を載置する載置台と基板との接
触する面積を少なくして載置台から基板を搬送する際の
剥離帯電現象を減少させ、微細塵埃の付着を防止しする
とともに、放電による素子の破壊等を防止して、製品歩
留りの向上を図れるようにし、また基板の受渡しの際の
基板の位置ずれ、破損、落下を防止するとともに、均一
な熱処理を行うことのできる熱処理装置と熱処理方法を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、被処
理体を載置しこの被処理体の温度を制御する熱処理装置
において、被処理体を載置する載置台と、この載置台を
介して被処理体に熱を供給する発熱体と、被処理体を支
持する支持手段とを具備し、前記載置台の表面を粗面で
構成したことを特徴とする。
理体を載置しこの被処理体の温度を制御する熱処理装置
において、被処理体を載置する載置台と、この載置台を
介して被処理体に熱を供給する発熱体と、被処理体を支
持する支持手段とを具備し、前記載置台の表面を粗面で
構成したことを特徴とする。
【０００７】請求項２の発明は、被処理体を載置しこの
被処理体の温度を制御する熱処理装置において、被処理
体を載置する載置台と、この載置台を介して被処理体に
熱を供給する発熱体と、被処理体を支持する支持手段と
を具備し、前記載置台の表面にタフラム処理を施したこ
とを特徴とする。
被処理体の温度を制御する熱処理装置において、被処理
体を載置する載置台と、この載置台を介して被処理体に
熱を供給する発熱体と、被処理体を支持する支持手段と
を具備し、前記載置台の表面にタフラム処理を施したこ
とを特徴とする。
【０００８】請求項３の発明は、被処理体を載置しこの
被処理体の温度を制御する熱処理装置において、被処理
体を載置する載置台と、この載置台を介して被処理体に
熱を供給する発熱体と、被処理体を支持する支持手段と
を具備し、前記載置台の表面に溝を設け、前記載置台の
表面と被処理体との接触面積を少なくしたことを特徴と
する。
被処理体の温度を制御する熱処理装置において、被処理
体を載置する載置台と、この載置台を介して被処理体に
熱を供給する発熱体と、被処理体を支持する支持手段と
を具備し、前記載置台の表面に溝を設け、前記載置台の
表面と被処理体との接触面積を少なくしたことを特徴と
する。
【０００９】請求項４の発明は、被処理体を載置しこの
被処理体の温度を制御するに際して、被処理体を載置す
る載置台と、この載置台を介して被処理体に熱を供給す
る発熱体と、被処理体を支持する支持体とによって、前
記載置台の表面と被処理体との接触面積を少なくすると
ともに、均一に熱処理を行うことを特徴とする。
被処理体の温度を制御するに際して、被処理体を載置す
る載置台と、この載置台を介して被処理体に熱を供給す
る発熱体と、被処理体を支持する支持体とによって、前
記載置台の表面と被処理体との接触面積を少なくすると
ともに、均一に熱処理を行うことを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明によれば、載置台の表面を粗面で構成
し、或いはタフラム処理を施し、また或いは溝を設け、
被処理体と載置台との接触面積を減らすことにより、剥
離帯電とによる静電気の発生を防止することができる。
し、或いはタフラム処理を施し、また或いは溝を設け、
被処理体と載置台との接触面積を減らすことにより、剥
離帯電とによる静電気の発生を防止することができる。
【００１１】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面を用いて詳
細に説明する。このような処理を行う場合、図１に示す
処理システムが使用されている。このシステムは、被処
理体としての基板Ｇを搬入・搬出するローダ部４０と、
基板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置４２と、基板Ｇ
を高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗浄装置４４
と、基板Ｇの表面を疎水化処理するアドヒージョン処理
装置４６と、基板Ｇを所定温度に冷却する冷却処理装置
４８と、基板Ｇの表面にレジスト液を塗布するレジスト
塗布装置５０と、レジスト液塗布の前後で基板Ｇを加熱
してプリベーク又はポストベークを行う加熱処理装置５
２及び基板Ｇの周縁部のレジストを除去するレジスト除
去装置５４と、現像装置５５などを集合化して作業効率
の向上を図っている。
細に説明する。このような処理を行う場合、図１に示す
処理システムが使用されている。このシステムは、被処
理体としての基板Ｇを搬入・搬出するローダ部４０と、
基板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置４２と、基板Ｇ
を高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗浄装置４４
と、基板Ｇの表面を疎水化処理するアドヒージョン処理
装置４６と、基板Ｇを所定温度に冷却する冷却処理装置
４８と、基板Ｇの表面にレジスト液を塗布するレジスト
塗布装置５０と、レジスト液塗布の前後で基板Ｇを加熱
してプリベーク又はポストベークを行う加熱処理装置５
２及び基板Ｇの周縁部のレジストを除去するレジスト除
去装置５４と、現像装置５５などを集合化して作業効率
の向上を図っている。
【００１２】また各処理装置を多段に積層して、例えば
レジスト処理装置５０を上下二段に配置して（図示せ
ず）、設置面積を少なくしクリーンルーム内のスペース
の有効利用を図っている。そして処理システムの上部に
はフィルターを設け処理システム内の各処理装置及び基
板Ｇへのパーティクルの付着を防止している。
レジスト処理装置５０を上下二段に配置して（図示せ
ず）、設置面積を少なくしクリーンルーム内のスペース
の有効利用を図っている。そして処理システムの上部に
はフィルターを設け処理システム内の各処理装置及び基
板Ｇへのパーティクルの付着を防止している。
【００１３】上記のように構成される処理システムの中
央部には、長手方向に沿って基板搬送路５６が設けら
れ、この基板搬送路５６は中央のエクステンション部５
７で分割されている。このエクステンション部５７は取
り外し可能で、処理システムの保守を容易にする効果が
ある。前記基板搬送路５６に各装置４０〜５４が正面を
向けて配置され、各装置４０〜５４との間で基板Ｇの受
け渡しを行う基板搬送機構５８が基板搬送路５６に沿っ
て移動自在に設けられている。この基板搬送機構５８
は、真空吸着などによって基板Ｇを保持するためのアー
ム５９を備えている。アーム５９は上下に例えば２本配
設されており、支持基部がコの字形二重構造に設けら
れ、移動機構によりそれぞれ独立に各装置４０〜５４の
基板載置位置まで移動できるようになっている。
央部には、長手方向に沿って基板搬送路５６が設けら
れ、この基板搬送路５６は中央のエクステンション部５
７で分割されている。このエクステンション部５７は取
り外し可能で、処理システムの保守を容易にする効果が
ある。前記基板搬送路５６に各装置４０〜５４が正面を
向けて配置され、各装置４０〜５４との間で基板Ｇの受
け渡しを行う基板搬送機構５８が基板搬送路５６に沿っ
て移動自在に設けられている。この基板搬送機構５８
は、真空吸着などによって基板Ｇを保持するためのアー
ム５９を備えている。アーム５９は上下に例えば２本配
設されており、支持基部がコの字形二重構造に設けら
れ、移動機構によりそれぞれ独立に各装置４０〜５４の
基板載置位置まで移動できるようになっている。
【００１４】上記レジスト塗布現像装置は、例えば、ロ
ーダ部４０に設けられた処理前の基板Ｇを収納した図示
省略のカセットから基板Ｇを１枚ずつ取り出して、順
に、ブラシ洗浄装置４２、ジェット水洗浄装置４４、ア
ドヒージョン処理装置４６、冷却処理装置４８、レジス
ト塗布装置５０、レジスト除去装置５４、プリベークを
行う加熱処理装置５２、図示省略の露光装置、現像装置
５５、ポストベークを行う加熱処理装置５２に搬送して
各処理を行い、処理済みの基板Ｇをローダ部４０に設け
られた図示省略のカセットに収納する。
ーダ部４０に設けられた処理前の基板Ｇを収納した図示
省略のカセットから基板Ｇを１枚ずつ取り出して、順
に、ブラシ洗浄装置４２、ジェット水洗浄装置４４、ア
ドヒージョン処理装置４６、冷却処理装置４８、レジス
ト塗布装置５０、レジスト除去装置５４、プリベークを
行う加熱処理装置５２、図示省略の露光装置、現像装置
５５、ポストベークを行う加熱処理装置５２に搬送して
各処理を行い、処理済みの基板Ｇをローダ部４０に設け
られた図示省略のカセットに収納する。
【００１５】なお上記レジスト塗布現像装置において、
隣り合うブラシ洗浄装置４２とジェット水洗浄装置４
４、及びレジスト塗布装置５０とレジスト除去装置５４
間の基板Ｇの搬送は、基板搬送路５６を移動する基板搬
送機構５８によらず、隣り合った処理装置間で個別に搬
送機構を持つため、スループットを上げ作業効率を高め
るとともに、基板搬送機構５８による搬送途中の基板Ｇ
の破損及び基板搬送路５６等の汚染防止にも著しい効果
がある。
隣り合うブラシ洗浄装置４２とジェット水洗浄装置４
４、及びレジスト塗布装置５０とレジスト除去装置５４
間の基板Ｇの搬送は、基板搬送路５６を移動する基板搬
送機構５８によらず、隣り合った処理装置間で個別に搬
送機構を持つため、スループットを上げ作業効率を高め
るとともに、基板搬送機構５８による搬送途中の基板Ｇ
の破損及び基板搬送路５６等の汚染防止にも著しい効果
がある。
【００１６】次に、この発明の処理装置を図１に示した
ＬＣＤ基板のレジスト塗布現像装置に使用される加熱処
理装置に適用した場合について説明する。図２はこの発
明の一実施例の加熱処理装置の概略斜視図、図３及び図
４は図２の加熱処理装置の断面図、図５は図２の加熱処
理装置の要部断面図が示されている。
ＬＣＤ基板のレジスト塗布現像装置に使用される加熱処
理装置に適用した場合について説明する。図２はこの発
明の一実施例の加熱処理装置の概略斜視図、図３及び図
４は図２の加熱処理装置の断面図、図５は図２の加熱処
理装置の要部断面図が示されている。
【００１７】加熱処理装置５２は、基板搬送路５６側に
面して開口部５２Ａを有する複数の加熱処理装置５２が
多段に積み重なった１つのブロック体として設けられ、
かつ複数のブロックが並設されている。
面して開口部５２Ａを有する複数の加熱処理装置５２が
多段に積み重なった１つのブロック体として設けられ、
かつ複数のブロックが並設されている。
【００１８】そして、各加熱処理装置５２は、例えば図
２、図３及び図４に示すように、基板Ｇを載置する載置
台６０と、この載置台６０を介して基板Ｇに熱を供給す
るヒータを内蔵した発熱体６２と、基板Ｇの上方に処理
空間６４を形成すべく配置されると共に加熱処理時に発
生するガスを排気するカバー部材６６と、載置台６０及
び発熱体６２に形成された複数の貫通口６８を上下方向
に挿通して基板Ｇを載置台６０の上方で受け渡しする支
持ピン７０とで主要部が構成されている。
２、図３及び図４に示すように、基板Ｇを載置する載置
台６０と、この載置台６０を介して基板Ｇに熱を供給す
るヒータを内蔵した発熱体６２と、基板Ｇの上方に処理
空間６４を形成すべく配置されると共に加熱処理時に発
生するガスを排気するカバー部材６６と、載置台６０及
び発熱体６２に形成された複数の貫通口６８を上下方向
に挿通して基板Ｇを載置台６０の上方で受け渡しする支
持ピン７０とで主要部が構成されている。
【００１９】この場合、載置台６０は熱伝導性の良好な
矩形状のアルミニウム合金製の板にて形成されており、
酸化アルミ皮膜によるタフラム処理を施し、溝７１を設
けることによってこの載置台６０の表面は粗面に構成さ
れる。一方、発熱体６２は、載置台６０と大体同じ平面
寸法のアルミニウム合金製の板の内部にヒータを埋設し
て構成されている。
矩形状のアルミニウム合金製の板にて形成されており、
酸化アルミ皮膜によるタフラム処理を施し、溝７１を設
けることによってこの載置台６０の表面は粗面に構成さ
れる。一方、発熱体６２は、載置台６０と大体同じ平面
寸法のアルミニウム合金製の板の内部にヒータを埋設し
て構成されている。
【００２０】図３に示す加熱処理装置５２においては、
支持ピン７０側を固定し、載置台６０及び発熱体６２を
昇降シリンダ７２のピストン７４にて移動可能にして、
支持ピン７０を載置台６０上に出没させるようにしてい
る。一方、図４に示す加熱処理装置５２においては、載
置台６０及び発熱体６２を固定し、支持ピン７０をシリ
ンダ７６のピストン７８に連結して載置台６０上に出没
可能としている。なお、図４において、載置台６０の外
周部には筒状のシャッタ８０が昇降可能に配置されてお
り、このシャッタ８０は、シャッタ昇降用シリンダ８２
のピストン８４に連結されて、昇降移動によって処理空
間６４の容積を調節できるようになっている。
支持ピン７０側を固定し、載置台６０及び発熱体６２を
昇降シリンダ７２のピストン７４にて移動可能にして、
支持ピン７０を載置台６０上に出没させるようにしてい
る。一方、図４に示す加熱処理装置５２においては、載
置台６０及び発熱体６２を固定し、支持ピン７０をシリ
ンダ７６のピストン７８に連結して載置台６０上に出没
可能としている。なお、図４において、載置台６０の外
周部には筒状のシャッタ８０が昇降可能に配置されてお
り、このシャッタ８０は、シャッタ昇降用シリンダ８２
のピストン８４に連結されて、昇降移動によって処理空
間６４の容積を調節できるようになっている。
【００２１】そして図６に示すように、載置台６０の上
面には基板Ｇと載置台６０との接触を避けるためのスペ
ーサ８５が、基板Ｇの載置位置の周縁に沿って設けられ
ている。このスペーサ８５は扁平小判形のセラミックス
製の板片からなり、その一端部に形成した貫通孔に取付
ねじ８６を挿通し、これを載置台６０の上面に刻設され
たねじ孔８７にねじ込むことによって載置台６０上に装
着される。なお図６では第二実施例として、溝７１を同
心円状に設けた例を示した。
面には基板Ｇと載置台６０との接触を避けるためのスペ
ーサ８５が、基板Ｇの載置位置の周縁に沿って設けられ
ている。このスペーサ８５は扁平小判形のセラミックス
製の板片からなり、その一端部に形成した貫通孔に取付
ねじ８６を挿通し、これを載置台６０の上面に刻設され
たねじ孔８７にねじ込むことによって載置台６０上に装
着される。なお図６では第二実施例として、溝７１を同
心円状に設けた例を示した。
【００２２】次に、上記のように構成された加熱処理装
置５２の動作について説明する。まず、図２に示すよう
に、搬送機構５８の搬送アーム５９によって載置台６０
の上方に搬送された基板Ｇは上昇した支持ピン７０に受
け渡され、支持ピン７０の下降によって載置台６０の上
面のスペーサ８５上に載置される。次に、図示省略のシ
ャッタが駆動されて処理部と外部が区画される。処理部
内では、発熱体６２からの熱が載置台６０に伝達され、
載置台６０の上面から基板Ｇに伝達される。この場合の
発熱体６２から載置台６０への熱伝達は、熱伝導性の良
いアルミニウム合金同士の直接接触による熱伝導によっ
て達成されるので極めて熱伝達効率が良く、しかも、そ
れが載置台６０の下面と発熱体６２の上面との接触面全
体を通して成されるので、載置台６０全体が均一に加熱
される。したがって、発熱体６２から載置台６０を介し
て基板Ｇに伝達される熱の温度分布は均一となり、基板
Ｇが均一に加熱処理される。なお、載置台６０を装着す
る際その下面にシリコングリースなどの熱の良導体を塗
るなどして、載置台６０と発熱体６２との間に熱の良導
体を介在させるようにしてもよい。
置５２の動作について説明する。まず、図２に示すよう
に、搬送機構５８の搬送アーム５９によって載置台６０
の上方に搬送された基板Ｇは上昇した支持ピン７０に受
け渡され、支持ピン７０の下降によって載置台６０の上
面のスペーサ８５上に載置される。次に、図示省略のシ
ャッタが駆動されて処理部と外部が区画される。処理部
内では、発熱体６２からの熱が載置台６０に伝達され、
載置台６０の上面から基板Ｇに伝達される。この場合の
発熱体６２から載置台６０への熱伝達は、熱伝導性の良
いアルミニウム合金同士の直接接触による熱伝導によっ
て達成されるので極めて熱伝達効率が良く、しかも、そ
れが載置台６０の下面と発熱体６２の上面との接触面全
体を通して成されるので、載置台６０全体が均一に加熱
される。したがって、発熱体６２から載置台６０を介し
て基板Ｇに伝達される熱の温度分布は均一となり、基板
Ｇが均一に加熱処理される。なお、載置台６０を装着す
る際その下面にシリコングリースなどの熱の良導体を塗
るなどして、載置台６０と発熱体６２との間に熱の良導
体を介在させるようにしてもよい。
【００２３】熱処理の終了した基板Ｇは、支持ピン７０
の上昇によって載置台６０より離間される。この際、載
置台６０の表面が平滑であれば容易に帯電しやすいガラ
スからなる基板Ｇは、載置台６０の表面からの剥離帯電
により静電気をおび、載置台６０の表面に吸着しようと
し、その結果基板Ｇの位置ずれ、破損、落下という可能
性もあるが、載置台６０の表面に温度の均一性を保つ範
囲内で溝７１を設けたことにより、基板Ｇは支持ピン７
０の上昇によって静電気をおびることなく、載置台６０
より離間することができる。
の上昇によって載置台６０より離間される。この際、載
置台６０の表面が平滑であれば容易に帯電しやすいガラ
スからなる基板Ｇは、載置台６０の表面からの剥離帯電
により静電気をおび、載置台６０の表面に吸着しようと
し、その結果基板Ｇの位置ずれ、破損、落下という可能
性もあるが、載置台６０の表面に温度の均一性を保つ範
囲内で溝７１を設けたことにより、基板Ｇは支持ピン７
０の上昇によって静電気をおびることなく、載置台６０
より離間することができる。
【００２４】溝７１は第一実施例及び第二実施例に図示
した平行線状、同心円状に限らず、載置台６０の表面に
温度の均一性を保つ範囲内であれば、螺旋状等どのよう
な形態でもかまわない。また表面を粗面に構成すること
が目的であるため、載置台６０の表面に温度の均一性を
保つ範囲内であれば、表面の形状は穴を設けてもよい
し、突起物を設けても、また他の形状であっても構わな
い。
した平行線状、同心円状に限らず、載置台６０の表面に
温度の均一性を保つ範囲内であれば、螺旋状等どのよう
な形態でもかまわない。また表面を粗面に構成すること
が目的であるため、載置台６０の表面に温度の均一性を
保つ範囲内であれば、表面の形状は穴を設けてもよい
し、突起物を設けても、また他の形状であっても構わな
い。
【００２５】また、貫通口６８と支持ピン７０の隙間よ
り、図示しないガス供給源より例えばＮ２ガス等を供給
することも、剥離帯電による静電気の発生を防止する上
で効果がある。更に加熱処理装置５２にイオン供給源を
設けて、カバー部材６６内に設置された、図示しないエ
ミッターバーの下面に突出する電極から、イオンを載置
台６０上に支持ピン７０によって支持された基板Ｇに照
射するようにしてもよい。特に、このような加熱処理装
置５２の場合、帯電し易くなり、加熱処理後、載置台６
０から支持ピン７０により基板Ｇを支持して持ち上げる
際に、基板Ｇが載置台６０に吸引されていると傾いた
り、また、放電したりので、このように構成することに
より、処理される基板Ｇの処理の前後に帯電される静電
気を除去することも静電気の発生を防止する上で効果が
ある。
り、図示しないガス供給源より例えばＮ２ガス等を供給
することも、剥離帯電による静電気の発生を防止する上
で効果がある。更に加熱処理装置５２にイオン供給源を
設けて、カバー部材６６内に設置された、図示しないエ
ミッターバーの下面に突出する電極から、イオンを載置
台６０上に支持ピン７０によって支持された基板Ｇに照
射するようにしてもよい。特に、このような加熱処理装
置５２の場合、帯電し易くなり、加熱処理後、載置台６
０から支持ピン７０により基板Ｇを支持して持ち上げる
際に、基板Ｇが載置台６０に吸引されていると傾いた
り、また、放電したりので、このように構成することに
より、処理される基板Ｇの処理の前後に帯電される静電
気を除去することも静電気の発生を防止する上で効果が
ある。
【００２６】以上の実施例では被処理体がＬＣＤ基板の
場合について説明したが、被処理体は必ずしもＬＣＤ基
板に限られるものではなく、例えば半導体基板について
同様に加熱処理するものについても適用できるものであ
る。
場合について説明したが、被処理体は必ずしもＬＣＤ基
板に限られるものではなく、例えば半導体基板について
同様に加熱処理するものについても適用できるものであ
る。
【００２７】また、上記実施例では処理装置をレジスト
塗布現像装置に適用した場合について説明したが、これ
以外にも、例えばエッチング液塗布処理や磁性液塗布処
理を行う装置にも適用できることは勿論である。
塗布現像装置に適用した場合について説明したが、これ
以外にも、例えばエッチング液塗布処理や磁性液塗布処
理を行う装置にも適用できることは勿論である。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、載置台の表面を粗面で
構成し、或いはタフラム処理を施し、また或いは溝を設
け、被処理体と載置台との接触面積を減らすことによ
り、静電気の発生を防止し、載置台上に載置されている
被処理体を搬送する際の、剥離帯電現象による被処理体
の破損、破壊を起こさずに、均一に熱処理を行うことが
できる。また被処理体にパーティクルが付着することも
防止することができる。
構成し、或いはタフラム処理を施し、また或いは溝を設
け、被処理体と載置台との接触面積を減らすことによ
り、静電気の発生を防止し、載置台上に載置されている
被処理体を搬送する際の、剥離帯電現象による被処理体
の破損、破壊を起こさずに、均一に熱処理を行うことが
できる。また被処理体にパーティクルが付着することも
防止することができる。
【図１】この発明の処理装置を適用する処理システムを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】この発明の処理装置の一実施例の概略斜視図で
ある。
ある。
【図３】図２の加熱処理装置の断面図である。
【図４】図２の加熱処理装置の断面図である。
【図５】この発明の処理装置の要部断面図である。
【図６】この発明の処理装置の他の実施例を示す要部平
面図である。
面図である。
Ｇ 基板 ５２ 加熱処理装置 ５９ アーム ６０ 載置台 ６２ 発熱体 ６６ カバー部材 ６８ 貫通口 ７０ 支持ピン ７１ 溝 ８５ スペーサ
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体を載置しこの被処理体の温度を
制御する熱処理装置において、被処理体を載置する載置
台と、この載置台を介して被処理体に熱を供給する発熱
体と、被処理体を支持する支持手段とを具備し、前記載
置台の表面を粗面で構成したことを特徴とする熱処理装
置。 - 【請求項２】 被処理体を載置しこの被処理体の温度を
制御する熱処理装置において、被処理体を載置する載置
台と、この載置台を介して被処理体に熱を供給する発熱
体と、被処理体を支持する支持手段とを具備し、前記載
置台の表面にタフラム処理を施したことを特徴とする熱
処理装置。 - 【請求項３】 被処理体を載置しこの被処理体の温度を
制御する熱処理装置において、被処理体を載置する載置
台と、この載置台を介して被処理体に熱を供給する発熱
体と、被処理体を支持する支持手段とを具備し、前記載
置台の表面に溝を設け、前記載置台の表面と被処理体と
の接触面積を少なくしたことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項４】 被処理体を載置しこの被処理体の温度を
制御するに際して、被処理体を載置する載置台と、この
載置台を介して被処理体に熱を供給する発熱体と、被処
理体を支持する支持体とによって、前記載置台の表面と
被処理体との接触面積を少なくするとともに、均一に熱
処理を行うことを特徴とする熱処理方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35298593A JP3158829B2 (ja) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35298593A JP3158829B2 (ja) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201718A true JPH07201718A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3158829B2 JP3158829B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=18427792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35298593A Expired - Fee Related JP3158829B2 (ja) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158829B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11162695A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2000100807A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
| US6051815A (en) * | 1998-03-05 | 2000-04-18 | Nec Corporation | Apparatus for heat-treating substrate and method for separating the substrate from the apparatus |
| WO2001011923A1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-02-15 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| WO2001011922A1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-02-15 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| US6835916B2 (en) | 1999-08-09 | 2004-12-28 | Ibiden, Co., Ltd | Ceramic heater |
| JP2007515077A (ja) * | 2003-12-17 | 2007-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 化学的酸化物除去（ＣｈｅｍｉｃａｌＯｘｉｄｅＲｅｍｏｖａｌ）処理システム及び方法 |
-
1993
- 1993-12-31 JP JP35298593A patent/JP3158829B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US6710307B2 (en) | 1999-08-09 | 2004-03-23 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| US6835916B2 (en) | 1999-08-09 | 2004-12-28 | Ibiden, Co., Ltd | Ceramic heater |
| US6861620B2 (en) | 1999-08-09 | 2005-03-01 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| US8409399B2 (en) | 2003-03-17 | 2013-04-02 | Tokyo Electron Limited | Reduced maintenance chemical oxide removal (COR) processing system |
| JP2007515077A (ja) * | 2003-12-17 | 2007-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 化学的酸化物除去（ＣｈｅｍｉｃａｌＯｘｉｄｅＲｅｍｏｖａｌ）処理システム及び方法 |
| JP2011176365A (ja) * | 2003-12-17 | 2011-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 化学的酸化物除去（ＣｈｅｍｉｃａｌＯｘｉｄｅＲｅｍｏｖａｌ）処理システム及び方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3158829B2 (ja) | 2001-04-23 |
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