JPH07201730A - レチクルマスキングシステムを有する光学系の照明手段 - Google Patents
レチクルマスキングシステムを有する光学系の照明手段Info
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- 230000000873 masking effect Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 39
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 241000022563 Rema Species 0.000 abstract 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 品質がよくかつコスト増を少なく抑えたレチ
クルマスキングシステムを提供すること。 【構成】 光を集中させるガラス棒（５）を有し、レチ
クルマスキングシステム（ＲＥＭＡ）（５１）はそのガ
ラス棒（５）の射出端に配置されている。
クルマスキングシステムを提供すること。 【構成】 光を集中させるガラス棒（５）を有し、レチ
クルマスキングシステム（ＲＥＭＡ）（５１）はそのガ
ラス棒（５）の射出端に配置されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本出願の対象は、レチクルマスキ
ングシステムを有する光学系、特にマイクロリソグラフ
ィ用投影露光装置の照明手段である。
ングシステムを有する光学系、特にマイクロリソグラフ
ィ用投影露光装置の照明手段である。
【０００２】
【従来の技術】様々に異なる顕微鏡を投影露光装置と組
合せて製造することができ、その場合、レチクルにかか
るマスクの形状を変化させることができる。従って、露
光時の誤差が発生しないように、レチクル上の照明光点
を可変性をもって厳密に限定することが不可欠である。
レチクルのできる限り近くに構造を配置すると、その操
作が妨げられ、高分解能の構造に課せられるようなダイ
アフラム作用のエッジコントラストに関わる必要条件を
満たすことができない。そこで、照明光路の中に追加の
中間視野平面を設け、その平面にレチクルマスキングシ
ステムを厳密に位置決めすることが知られている。鏡像
力場、アパーチャ、均質性及び色消しに関する所定の条
件に対して必要な追加レンズによって、コストは高くな
り且つ追加スペースも必要になる。
合せて製造することができ、その場合、レチクルにかか
るマスクの形状を変化させることができる。従って、露
光時の誤差が発生しないように、レチクル上の照明光点
を可変性をもって厳密に限定することが不可欠である。
レチクルのできる限り近くに構造を配置すると、その操
作が妨げられ、高分解能の構造に課せられるようなダイ
アフラム作用のエッジコントラストに関わる必要条件を
満たすことができない。そこで、照明光路の中に追加の
中間視野平面を設け、その平面にレチクルマスキングシ
ステムを厳密に位置決めすることが知られている。鏡像
力場、アパーチャ、均質性及び色消しに関する所定の条
件に対して必要な追加レンズによって、コストは高くな
り且つ追加スペースも必要になる。
【０００３】照明光路中に光導体ガラス棒を有する投影
露光装置に関する欧州特許第０，２９７，１６１Ａ１号
は、ガラス棒の背後にブレンドフィルタを配置できるこ
とを提示している。このフィルタが減光ではなく、均質
性の向上に役立つことは明らかである。
露光装置に関する欧州特許第０，２９７，１６１Ａ１号
は、ガラス棒の背後にブレンドフィルタを配置できるこ
とを提示している。このフィルタが減光ではなく、均質
性の向上に役立つことは明らかである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は品質が良く且つコスト増を少なく抑えたレチクルマス
キングシステムを提供することである。
は品質が良く且つコスト増を少なく抑えたレチクルマス
キングシステムを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は、特許請求の
範囲第１項の特徴を備えた先に挙げた種類の照明構造に
よって達成される。特許請求の範囲第１項によれば、光
を集中させるためのガラス棒が設けられており且つレチ
クルマスキングシステムはガラス棒の射出端に配置され
ている。先に挙げた種類の照明構造では、光の分布を均
一にするためのハニコム集光レンズが通常使用される。
あるいは、ガラス棒が集光レンズの機能を果たしても良
い。これにより、ガラス棒の射出端に、レチクルマスキ
ングに適する中間視野平面が存在するということにな
る。そのため、中間視野平面を形成する手段は不要であ
る。
範囲第１項の特徴を備えた先に挙げた種類の照明構造に
よって達成される。特許請求の範囲第１項によれば、光
を集中させるためのガラス棒が設けられており且つレチ
クルマスキングシステムはガラス棒の射出端に配置され
ている。先に挙げた種類の照明構造では、光の分布を均
一にするためのハニコム集光レンズが通常使用される。
あるいは、ガラス棒が集光レンズの機能を果たしても良
い。これにより、ガラス棒の射出端に、レチクルマスキ
ングに適する中間視野平面が存在するということにな
る。そのため、中間視野平面を形成する手段は不要であ
る。
【０００６】有利な実施形態は特許請求の範囲第２項か
ら第２０項の対象である。特許請求の範囲第２項、第３
項及び第１３項から第１９項の対象は、出願日、出願人
及び発明者が同一である特許出願「照明手段」ＤＥ４４
２１０５３．１の中にも含まれている。特許請求の範囲
第４項から第１２項の対象は、優先権が主張された１９
９３年１２月１３日付の特許出願ＤＥ４３４２４２４の
中にも記載されている。それら２つの出願の開示内容は
本出願の一部でもある。添付の図面はさらに詳細な説明
に有用である。
ら第２０項の対象である。特許請求の範囲第２項、第３
項及び第１３項から第１９項の対象は、出願日、出願人
及び発明者が同一である特許出願「照明手段」ＤＥ４４
２１０５３．１の中にも含まれている。特許請求の範囲
第４項から第１２項の対象は、優先権が主張された１９
９３年１２月１３日付の特許出願ＤＥ４３４２４２４の
中にも記載されている。それら２つの出願の開示内容は
本出願の一部でもある。添付の図面はさらに詳細な説明
に有用である。
【０００７】
【実施例】図１は先に挙げた同時係属特許出願の中にも
含まれており、そこで説明もされている。図１は、たと
えば、集積回路の製造に使用するための分解能が１μｍ
以下の投影・リソグラフィ用の本発明による照明手段の
一実施例を示す。
含まれており、そこで説明もされている。図１は、たと
えば、集積回路の製造に使用するための分解能が１μｍ
以下の投影・リソグラフィ用の本発明による照明手段の
一実施例を示す。
【０００８】波長３６５ｎｍのｉ線の水銀アークランプ
であるランプ１は楕円ミラー１２の焦点に配置されてお
り、楕円ミラー１２は放射された光を第２の焦点１２１
に集める。
であるランプ１は楕円ミラー１２の焦点に配置されてお
り、楕円ミラー１２は放射された光を第２の焦点１２１
に集める。
【０００９】法則からは外れるが、シャッタ１３は焦点
１２１の外側に位置しており、しかも、楕円ミラー１２
の頂点までの距離は焦点１２１から頂点までの距離より
約５％から２０％、好ましくは１０％長い。これによ
り、そこで形成される二次光源はより均質になり、照明
が光学結像に及ぼす部分干渉作用は改善される。従っ
て、この目的のための余分の混合光学系を省略すること
ができる。この方法は従来の照明手段についても理にか
なっている。あるいは、光源としてのＵＶレーザーも目
的にかなっている。
１２１の外側に位置しており、しかも、楕円ミラー１２
の頂点までの距離は焦点１２１から頂点までの距離より
約５％から２０％、好ましくは１０％長い。これによ
り、そこで形成される二次光源はより均質になり、照明
が光学結像に及ぼす部分干渉作用は改善される。従っ
て、この目的のための余分の混合光学系を省略すること
ができる。この方法は従来の照明手段についても理にか
なっている。あるいは、光源としてのＵＶレーザーも目
的にかなっている。
【００１０】続く対物レンズ２は第１のレンズ群２１
と、第１の凹面アクシコン２２と、第２の凸面アクシコ
ン２３と、第２のレンズ群２４とから構成されている。
調整手段２３１及び２４１によって、アクシコン２３と
第２のレンズ群２４の１つの素子を軸方向に摺動させる
ことができる。それに伴って、アクシコン２２，２３の
相互間隔を調整し、その結果、環状アパーチャ特性を変
化させることができると共に、照明される瞳の直径、す
なわち、干渉度（σ）を変化させるためのズーム効果を
得ることもできる。
と、第１の凹面アクシコン２２と、第２の凸面アクシコ
ン２３と、第２のレンズ群２４とから構成されている。
調整手段２３１及び２４１によって、アクシコン２３と
第２のレンズ群２４の１つの素子を軸方向に摺動させる
ことができる。それに伴って、アクシコン２２，２３の
相互間隔を調整し、その結果、環状アパーチャ特性を変
化させることができると共に、照明される瞳の直径、す
なわち、干渉度（σ）を変化させるためのズーム効果を
得ることもできる。
【００１１】この２つのアクシコン２２，２３は光路中
にすぐ隣接して続いており且つそれらの間隔は調整自在
であり、一方のアクシコン２２は凹面、第２のアクシコ
ン２３は凸面であり且つ双方のアクシコン２２，２３の
尖端は同じ方向に向いている。このアクシコン２２，２
３は製造技術上製造可能であり且つ有効な機能をもたら
す等しい尖端角度（α）を有し、相互の間隔（ｄ２３）
を接触するまで短縮できる。このアクシコン２２，２３
は円錐形又は角錐形であることが望ましい。瞳中間平面
３の後に第２の対物レンズ４が続いており、この対物レ
ンズ３は光を長さ約０．５ｍのガラス棒５へと入射させ
る。ガラス棒５の射出側には、従来のＲＥＭＡ（レチク
ルマスキング）システムの代わりに挿入されるマスキン
グシステム５１が配置されている中間視野平面がある。
高価なレンズ群を使用する従来のＲＥＭＡシステム用追
加中間視野平面を設ける必要はない。
にすぐ隣接して続いており且つそれらの間隔は調整自在
であり、一方のアクシコン２２は凹面、第２のアクシコ
ン２３は凸面であり且つ双方のアクシコン２２，２３の
尖端は同じ方向に向いている。このアクシコン２２，２
３は製造技術上製造可能であり且つ有効な機能をもたら
す等しい尖端角度（α）を有し、相互の間隔（ｄ２３）
を接触するまで短縮できる。このアクシコン２２，２３
は円錐形又は角錐形であることが望ましい。瞳中間平面
３の後に第２の対物レンズ４が続いており、この対物レ
ンズ３は光を長さ約０．５ｍのガラス棒５へと入射させ
る。ガラス棒５の射出側には、従来のＲＥＭＡ（レチク
ルマスキング）システムの代わりに挿入されるマスキン
グシステム５１が配置されている中間視野平面がある。
高価なレンズ群を使用する従来のＲＥＭＡシステム用追
加中間視野平面を設ける必要はない。
【００１２】その他の点については、レチクルマスキン
グシステム５１の構成は従来の精密機械製造に対応する
ものである。しかしながら、境界線が厳密に１つの平面
に位置するように注意すべきである。光軸に対して傾斜
して位置するダイアフラムウェッジを含む構成にする
と、それらの面からの反射を照明手段の光路から有効に
除去できるので、有利である。
グシステム５１の構成は従来の精密機械製造に対応する
ものである。しかしながら、境界線が厳密に１つの平面
に位置するように注意すべきである。光軸に対して傾斜
して位置するダイアフラムウェッジを含む構成にする
と、それらの面からの反射を照明手段の光路から有効に
除去できるので、有利である。
【００１３】マスキングシステム５１と共にレチクル７
（マスク、リソグラフィ用マスター）の上に中間視野平
面を結像する次の対物レンズ６は、第１のレンズ群６１
と、フィルタ又はダイアフラムを挿入することができる
瞳中間平面６２と、第２のレンズ群及び第３のレンズ群
（６３及び６５）と、それらのレンズ群の間にあり、大
きな照明手段（長さ約３ｍ）を水平に設置し且つそれに
よりレチクル７を水平に配置することを可能にする偏向
ミラー６４とを含む。
（マスク、リソグラフィ用マスター）の上に中間視野平
面を結像する次の対物レンズ６は、第１のレンズ群６１
と、フィルタ又はダイアフラムを挿入することができる
瞳中間平面６２と、第２のレンズ群及び第３のレンズ群
（６３及び６５）と、それらのレンズ群の間にあり、大
きな照明手段（長さ約３ｍ）を水平に設置し且つそれに
よりレチクル７を水平に配置することを可能にする偏向
ミラー６４とを含む。
【００１４】図２及び図３には、光源１′としての水銀
アークランプが示されている。４つの集光器２１′〜２
４′は光源１′からの光束をそれぞれ大きな立体角範囲
をもって捕えるので、光の大部分は４本の光導体３１′
〜３４′に供給される。光導体３１′〜３４′は横断面
変換器として構成されており、その射出面は弓形であ
る。射出面を経て光の強さを十分に均一にするために、
光導体３１′〜３４′は、たとえば、統計的に十分に混
ぜ合わせた個別のファイバから構成されている。また、
その入射横断面を光の分布に適合させることもできる。
アークランプが示されている。４つの集光器２１′〜２
４′は光源１′からの光束をそれぞれ大きな立体角範囲
をもって捕えるので、光の大部分は４本の光導体３１′
〜３４′に供給される。光導体３１′〜３４′は横断面
変換器として構成されており、その射出面は弓形であ
る。射出面を経て光の強さを十分に均一にするために、
光導体３１′〜３４′は、たとえば、統計的に十分に混
ぜ合わせた個別のファイバから構成されている。また、
その入射横断面を光の分布に適合させることもできる。
【００１５】あるいは、ビーム拡張光学系と、幾何学的
ビームスプリッタとしての角錐形ミラーとを有するレー
ザーによって、光導体３１′〜３４′を実現することも
可能である。その場合、レーザーは、たとえば、ＵＶ放
射エキシマレーザーである。
ビームスプリッタとしての角錐形ミラーとを有するレー
ザーによって、光導体３１′〜３４′を実現することも
可能である。その場合、レーザーは、たとえば、ＵＶ放
射エキシマレーザーである。
【００１６】４本の光導体３１′〜３４′の射出面に
は、中継光学系４１′〜４４′と、第１の偏向ミラー５
１１′〜５１４′と、第２の偏向ミラー５２１′〜５２
４′とから成るユニットが接続している。それらのユニ
ットは、可撓性をもって形成された光導体３１′〜３
４′の接続端部を含めて、調整駆動装置５４１′〜５４
４′により半径方向位置及び方位角を調整自在、すなわ
ち、走査自在である。制御装置１００′は調整駆動装置
５４１′〜５４４′を制御する。
は、中継光学系４１′〜４４′と、第１の偏向ミラー５
１１′〜５１４′と、第２の偏向ミラー５２１′〜５２
４′とから成るユニットが接続している。それらのユニ
ットは、可撓性をもって形成された光導体３１′〜３
４′の接続端部を含めて、調整駆動装置５４１′〜５４
４′により半径方向位置及び方位角を調整自在、すなわ
ち、走査自在である。制御装置１００′は調整駆動装置
５４１′〜５４４′を制御する。
【００１７】４つの偏向ミラー５２１′〜５２４′から
来た光は入射ミラー６′を経てガラス棒７′の入射面７
１′へと結像される。この入射面７１′は照明構造の瞳
平面Ｐに位置しており、４つのユニットの各々は、調整
装置５４１′〜５４４′の位置に応じて、それらの入射
面の１つの象限の各部分を照明することができる。従っ
て、集光器２１′〜２４′によって捕えられた４本の光
の流れは、ここで、幾何学的に複合されて、１つの有効
二次光源を形成する。
来た光は入射ミラー６′を経てガラス棒７′の入射面７
１′へと結像される。この入射面７１′は照明構造の瞳
平面Ｐに位置しており、４つのユニットの各々は、調整
装置５４１′〜５４４′の位置に応じて、それらの入射
面の１つの象限の各部分を照明することができる。従っ
て、集光器２１′〜２４′によって捕えられた４本の光
の流れは、ここで、幾何学的に複合されて、１つの有効
二次光源を形成する。
【００１８】ガラス棒７′の射出面７２′には視野平面
Ｆがあり、本発明によれば、この視野平面にレチクルマ
スキングシステム８′、すなわち、調整自在のダイアフ
ラムが配置されている。レチクルマスキングシステム
（ＲＥＭＡ）は調整手段８１′により必要に応じて調整
される。
Ｆがあり、本発明によれば、この視野平面にレチクルマ
スキングシステム８′、すなわち、調整自在のダイアフ
ラムが配置されている。レチクルマスキングシステム
（ＲＥＭＡ）は調整手段８１′により必要に応じて調整
される。
【００１９】レチクルマスキングシステム８′をこの場
所に置くと、周知の構成と比べて、レチクルマスキング
システム専用の追加の視野平面を準備するための負担は
排除される。
所に置くと、周知の構成と比べて、レチクルマスキング
システム専用の追加の視野平面を準備するための負担は
排除される。
【００２０】続く中間結象光学系９′は、瞳平面Ｐ９
３′と、その前方の内側マスキングシステム９１′と、
その後方にごく概略的に示されており、周知のようにコ
ンパクトな全体構造を可能にする平面鏡から構成される
ビーム偏向構造９３′とを有する対物レンズである。そ
の後の視野平面Ｆに、照明すべきレチクル１０′が続い
ている。
３′と、その前方の内側マスキングシステム９１′と、
その後方にごく概略的に示されており、周知のようにコ
ンパクトな全体構造を可能にする平面鏡から構成される
ビーム偏向構造９３′とを有する対物レンズである。そ
の後の視野平面Ｆに、照明すべきレチクル１０′が続い
ている。
【００２１】特許出願ＤＥ−Ｐ４３４２４２４の中に、
これらの図２及び図３は含まれており、その説明もあ
る。その後に続く投影対物レンズと照明すべきウェハは
既に知られているので、図からは省かれている。
これらの図２及び図３は含まれており、その説明もあ
る。その後に続く投影対物レンズと照明すべきウェハは
既に知られているので、図からは省かれている。
【図１】 ズーム用アクシコンを有する実施形態を概略
的に示す図。
的に示す図。
【図２】 照明モードを選択するための調整自在のミラ
ー構造を有する実施形態を概略的に示す側面図。
ー構造を有する実施形態を概略的に示す側面図。
【図３】 同じ構造を示す平面図。
１…ランプ、２…対物レンズ、５…ガラス棒、１２…楕
円ミラー、１３…シャッタ、２１…第１のレンズ群、２
２…第１の凹面アクシコン、２３…第２の凸面アクシコ
ン、２４…第２のレンズ群、５１…レチクルマスキング
システム、１′…光源、６′…入射ミラー、７′…ガラ
ス棒、８′…レチクルマスキングシステム、１０′…レ
チクル、２１′〜２４′…集光器、３１′〜３４′…光
導体、９３′…瞳平面Ｐ、５１１′〜５１４′…第１の
偏向ミラー、５２１′〜５２４′…第２の偏向ミラー、
５４１′〜５４４′…調整駆動装置。
円ミラー、１３…シャッタ、２１…第１のレンズ群、２
２…第１の凹面アクシコン、２３…第２の凸面アクシコ
ン、２４…第２のレンズ群、５１…レチクルマスキング
システム、１′…光源、６′…入射ミラー、７′…ガラ
ス棒、８′…レチクルマスキングシステム、１０′…レ
チクル、２１′〜２４′…集光器、３１′〜３４′…光
導体、９３′…瞳平面Ｐ、５１１′〜５１４′…第１の
偏向ミラー、５２１′〜５２４′…第２の偏向ミラー、
５４１′〜５４４′…調整駆動装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２７
Claims (20)
- 【請求項１】 レチクルマスキングシステム（５１）を
有する光学系、特にマイクロリソグラフィ用投影露光装
置の照明手段において、光を集中させるためのガラス棒
（５）が設けられており且つガラス棒（５）の射出端に
レチクルマスキングシステム（５１）が配置されている
ことを特徴とする照明手段。 - 【請求項２】 光源（１）とガラス棒（５）との間にア
クシコン（２２，２３）を有する対物レンズ（２）が配
置されていることを特徴とする請求項１記載の照明手
段。 - 【請求項３】 ２つのアクシコン（２２，２３）を有す
る請求項２記載の照明手段において、２つのアクシコン
（２２，２３）の間隔の調整により、従来通りの照明並
びに環状アパーチャ照明及び様々に異なる幾何学形状の
多極照明を段階なく調整できることを特徴とする照明手
段。 - 【請求項４】 光源（１′）とガラス棒（７′）との間
に、 −光源（１′）から放射される光束の２つ又は４つの立
体角領域からの光束を個別に捕える手段（２１′〜２
４′）と、 −捕えられた光束を整形又は遮蔽する手段（３１′〜３
４′）と、 −結像すべきレチクル（１０′）のレチクル平面に対し
て共役関係にある瞳平面（９３′）の複数のセクタに光
束を結像するミラー構造（５１１′〜５１４′，５２
１′〜５２４′，５３１′，５３３′；６′）と、 −瞳平面（９３′）における光束の像の半径方向位置及
び方位角を摺動させることができる調整手段（５４１′
〜５４４′）とを有し、調整自在の干渉係数（σ）を伴
う従来通りの照明、環状アパーチャ照明及び二方向又は
四方向からの対称傾斜照明を含めた様々に異なる照明モ
ードを選択的に準備する構造が設けられていることを特
徴とする請求項１記載の照明手段。 - 【請求項５】 光束を捕える手段（２１′〜２４′）、
又は捕えられた光束を整形又は遮蔽する手段（３１′〜
３４′）は光導体（３１′〜３４′）を含むことを特徴
とする請求項４記載の照明手段。 - 【請求項６】 調整手段（５４１′〜５４４′）は光導
体（３１′〜３４′）の射出端の位置を調整することを
特徴とする請求項５記載の照明手段。 - 【請求項７】 調整手段（５４１′〜５４４′）はミラ
ー構造（５１１′〜５３３′）の部品を調整することを
特徴とする請求項４記載の照明手段。 - 【請求項８】 瞳平面（９３′）における光束の像の大
きさは、走査運動を伴わないときに対称傾斜照明又は従
来通りの照明に適するように定められていることを特徴
とする請求項４から７の少なくとも１項に記載の照明手
段。 - 【請求項９】 瞳平面における光束の像の大きさを変化
させる手段が設けられていることを特徴とする請求項４
から８の少なくとも１項に記載の照明手段。 - 【請求項１０】 光束の形状を変化させる手段が設けら
れていることを特徴とする請求項４から９の少なくとも
１項に記載の照明手段。 - 【請求項１１】 光束は弓形の形状をとるようにされる
ことを特徴とする請求項４から１０の少なくとも１項に
記載の照明手段。 - 【請求項１２】 光源はレーザーであることを特徴とす
る請求項１から１２の少なくとも１項に記載の照明。 - 【請求項１３】 ２つのアクシコン（２２，２３）を有
する請求項１，２又は３に記載の光学系、特にマイクロ
リソグラフィ用投影露光装置の照明手段において、２つ
のアクシコン（２２，２３）は光路中にすぐ隣接して続
いており且つそれらの間隔は調整自在であり、一方のア
クシコン（２２）は凹面、第２のアクシコン（２３）は
凸面であり且つ双方のアクシコン（２２，２３）の尖端
は同じ方向に向いていることを特徴とする照明手段。 - 【請求項１４】 アクシコン（２２，２３）は製造技術
上製造可能であり且つ有効な機能をもたらす等しい尖端
角度（α）を有することを特徴とする請求項１３記載の
照明手段。 - 【請求項１５】 ２つのアクシコン（２２，２３）の間
隔（ｄ２３）を接触するまで短縮できることを特徴とす
る請求項１３又は１４記載の照明手段。 - 【請求項１６】 アクシコン（２２，２３）は円錐形で
あることを特徴とする請求項１３から１５の少なくとも
１項に記載の照明手段。 - 【請求項１７】 アクシコン（２２，２３）は角錐形で
あることを特徴とする請求項１３から１５の少なくとも
１項に記載の照明手段。 - 【請求項１８】 ズーム機能を目的とする対物レンズ
（２）を含むことを特徴とする請求項１から１７の少な
くとも１項に記載の照明手段。 - 【請求項１９】 ランプミラーの焦点に光源（１）を有
する請求項１から１８の少なくとも１項に記載の照明手
段において、二次光源を形成するダイアフラム（１３）
はランプミラー（１２）の焦点（１２１）に配置されて
いることを特徴とする照明手段。 - 【請求項２０】 レチクルマスキングシステム（５１）
は傾斜して設置されたダイアフラム板を有することを特
徴とする請求項１から１９の少なくとも１項に記載の照
明手段。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4342424.4 | 1993-12-13 | ||
| DE4342424A DE4342424A1 (de) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | Beleuchtungseinrichtung für eine Projektions-Mikrolithographie- Belichtungsanlage |
| DE9409744.5 | 1994-06-17 | ||
| DE9409744U DE9409744U1 (de) | 1993-12-13 | 1994-06-17 | Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System mit einem Reticle-Markierungssystem |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201730A true JPH07201730A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3559330B2 JP3559330B2 (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=25932019
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33225494A Expired - Fee Related JP3485660B2 (ja) | 1993-12-13 | 1994-12-13 | マイクロリソグラフィ用投影露光装置の照明手段 |
| JP33225594A Expired - Lifetime JP3559330B2 (ja) | 1993-12-13 | 1994-12-13 | レチクルマスキングシステムを有する光学系の照明手段 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33225494A Expired - Fee Related JP3485660B2 (ja) | 1993-12-13 | 1994-12-13 | マイクロリソグラフィ用投影露光装置の照明手段 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5646715A (ja) |
| EP (2) | EP0658810B1 (ja) |
| JP (2) | JP3485660B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041540A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Carl Zeiss Smt Ag | マイクロリソグラフィ用投影露光装置のための照明システム |
| US9733571B2 (en) | 2014-09-22 | 2017-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical device, exposure apparatus, and method of manufacturing article |
| US9946056B2 (en) | 2015-03-10 | 2018-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system, exposure apparatus, and method of manufacturing article |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285443B1 (en) | 1993-12-13 | 2001-09-04 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus |
| JP3711586B2 (ja) | 1995-06-02 | 2005-11-02 | 株式会社ニコン | 走査露光装置 |
| DE19548805A1 (de) * | 1995-12-27 | 1997-07-03 | Zeiss Carl Fa | REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen |
| KR100500768B1 (ko) | 1996-04-10 | 2006-01-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 포토리소그라픽장치 |
| US7130129B2 (en) | 1996-12-21 | 2006-10-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Reticle-masking objective with aspherical lenses |
| DE69738762D1 (de) * | 1996-12-24 | 2008-07-24 | Asml Netherlands Bv | Optische prüfvorrichtung und mit einer solchen versehene lithographische vorrichtung |
| JP4310816B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2009-08-12 | 株式会社ニコン | 照明装置、投影露光装置、デバイスの製造方法、及び投影露光装置の調整方法 |
| TW367407B (en) * | 1997-12-22 | 1999-08-21 | Asml Netherlands Bv | Interferometer system with two wavelengths, and lithographic apparatus provided with such a system |
| DE69931690T2 (de) * | 1998-04-08 | 2007-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
| US6248486B1 (en) * | 1998-11-23 | 2001-06-19 | U.S. Philips Corporation | Method of detecting aberrations of an optical imaging system |
| US6368763B2 (en) | 1998-11-23 | 2002-04-09 | U.S. Philips Corporation | Method of detecting aberrations of an optical imaging system |
| US6445442B2 (en) * | 1998-12-08 | 2002-09-03 | Carl-Zeiss-Stiftung | Projection-microlithographic device |
| US6563567B1 (en) * | 1998-12-17 | 2003-05-13 | Nikon Corporation | Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus |
| US6281967B1 (en) | 2000-03-15 | 2001-08-28 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, exposure apparatus and exposure method |
| US6396567B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-05-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Method and apparatus for controlling the dose of radiations applied to a semiconductor wafer during photolithography |
| US6600550B1 (en) | 1999-06-03 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, a photolithography method, and a device manufactured by the same |
| US6544694B2 (en) | 2000-03-03 | 2003-04-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a device by means of a mask phase-shifting mask for use in said method |
| JP4188537B2 (ja) * | 2000-04-12 | 2008-11-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 免疫クロマト試験片の測定装置 |
| TW498408B (en) * | 2000-07-05 | 2002-08-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| JP2002231619A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
| DE10117025A1 (de) | 2001-04-05 | 2002-10-10 | Zeiss Carl | Teilchenoptische Vorrichtung,Beleuchtungsvorrichtung und Projektionssystem sowie Verfahren unter Verwendung derselben |
| DE10132988B4 (de) * | 2001-07-06 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage |
| DE10246828A1 (de) * | 2002-10-08 | 2004-04-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Objektiv, insbesondere Projektionsobjektiv in der Mikrolithographie |
| US7408616B2 (en) * | 2003-09-26 | 2008-08-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method |
| US7542217B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-06-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Beam reshaping unit for an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
| WO2005076083A1 (en) * | 2004-02-07 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus |
| JP2005294840A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Asml Holding Nv | フィールド高さ及び瞳の変更を許容する照明システム及び方法 |
| DE102004017082A1 (de) * | 2004-04-07 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungsvorrichtung |
| DE102004017694B3 (de) * | 2004-04-10 | 2005-09-15 | Schott Ag | Durchlicht-Hellfeld-Beleuchtungseinrichtung |
| WO2006021419A2 (en) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system of a microlithographic exposure apparatus |
| US20080192224A1 (en) | 2005-02-12 | 2008-08-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic Projection Exposure Apparatus |
| KR20090115712A (ko) * | 2007-02-20 | 2009-11-05 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 다수의 일차 광원을 갖는 광학 소자 |
| WO2013013947A2 (en) | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, and microlithographic exposure method |
| DE102011079837A1 (de) | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
| CN111399204B (zh) * | 2020-02-17 | 2021-06-15 | 浙江大学 | 一种基于后瞳面成像的环状扫描成像系统校正方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2708388A (en) * | 1955-05-17 | capstaff | ||
| US3770340A (en) * | 1972-08-21 | 1973-11-06 | Technical Operations Inc | Coherent optical system with expanded bandwidth and noise suppression |
| US4474463A (en) * | 1982-08-30 | 1984-10-02 | Tre Semiconductor Equipment Corporation | Mixer coupling lens subassembly for photolithographic system |
| DE3750174T2 (de) * | 1986-10-30 | 1994-11-17 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungseinrichtung. |
| EP0297161A1 (de) * | 1987-07-02 | 1989-01-04 | Mercotrust Aktiengesellschaft | Projektionsbelichtungssystem |
| JPS6461716A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Canon Kk | Illuminator |
| NL8801348A (nl) * | 1988-05-26 | 1989-12-18 | Philips Nv | Belichtingsstelsel. |
| JP2995820B2 (ja) * | 1990-08-21 | 1999-12-27 | 株式会社ニコン | 露光方法及び方法，並びにデバイス製造方法 |
| DE69132120T2 (de) * | 1990-11-15 | 2000-09-21 | Nikon Corp., Tokio/Tokyo | Verfahren und Vorrichtung zur Projektionsbelichtung |
| US5305054A (en) * | 1991-02-22 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging method for manufacture of microdevices |
| US5357311A (en) * | 1991-02-25 | 1994-10-18 | Nikon Corporation | Projection type light exposure apparatus and light exposure method |
| EP0507487B1 (en) * | 1991-04-05 | 1996-12-18 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical projection exposure method and system using the same |
| JP3304378B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2002-07-22 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び素子製造方法 |
| JP2917704B2 (ja) * | 1992-10-01 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | 露光装置 |
| US5359388A (en) * | 1993-04-02 | 1994-10-25 | General Signal Corporation | Microlithographic projection system |
-
1994
- 1994-10-22 EP EP94116702A patent/EP0658810B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-22 EP EP94116703A patent/EP0658811B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-08 US US08/355,157 patent/US5646715A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-08 US US08/355,177 patent/US5572287A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-13 JP JP33225494A patent/JP3485660B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-13 JP JP33225594A patent/JP3559330B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041540A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Carl Zeiss Smt Ag | マイクロリソグラフィ用投影露光装置のための照明システム |
| US9733571B2 (en) | 2014-09-22 | 2017-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical device, exposure apparatus, and method of manufacturing article |
| US9946056B2 (en) | 2015-03-10 | 2018-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system, exposure apparatus, and method of manufacturing article |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0658811A1 (de) | 1995-06-21 |
| JPH07201729A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3559330B2 (ja) | 2004-09-02 |
| EP0658811B1 (de) | 1998-06-17 |
| JP3485660B2 (ja) | 2004-01-13 |
| EP0658810B1 (de) | 1998-11-25 |
| EP0658810A1 (de) | 1995-06-21 |
| US5572287A (en) | 1996-11-05 |
| US5646715A (en) | 1997-07-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20040113 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040518 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040521 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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