JPH07201731A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07201731A JPH07201731A JP5334434A JP33443493A JPH07201731A JP H07201731 A JPH07201731 A JP H07201731A JP 5334434 A JP5334434 A JP 5334434A JP 33443493 A JP33443493 A JP 33443493A JP H07201731 A JPH07201731 A JP H07201731A
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- sealing material
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置１の気密性を高める。
【構成】 ベース基板２のペレット塔載面の封止領域２
Ａと封止用キャップ３の封止領域３Ａとを封止材で固着
し、このベース基板２及び封止用キャップ３で形成され
るキャビティ４内に半導体ペレット５及び不活性ガスを
気密封止する半導体装置１の製造方法において、ベース
基板２のペレット塔載面上に半導体ペレット５を塔載す
る工程と、ベース基板２のペレット塔載面の封止領域２
Ａに第１封止材７Ａ及びこの第１封止材７Ａに比べて融
点が高い第２封止材７Ｂを介在して封止用キャップ３の
封止領域３Ａを不活性ガスの雰囲気中で載置し、その
後、第１封止材７Ａが溶融するまで熱処理を施す工程
と、第１封止材７Ａを凝固し、この第１封止材７Ａでベ
ース基板２の封止領域２Ａと封止用キャップ３の封止領
域３Ａとを固着する工程とを備える。
Ａと封止用キャップ３の封止領域３Ａとを封止材で固着
し、このベース基板２及び封止用キャップ３で形成され
るキャビティ４内に半導体ペレット５及び不活性ガスを
気密封止する半導体装置１の製造方法において、ベース
基板２のペレット塔載面上に半導体ペレット５を塔載す
る工程と、ベース基板２のペレット塔載面の封止領域２
Ａに第１封止材７Ａ及びこの第１封止材７Ａに比べて融
点が高い第２封止材７Ｂを介在して封止用キャップ３の
封止領域３Ａを不活性ガスの雰囲気中で載置し、その
後、第１封止材７Ａが溶融するまで熱処理を施す工程
と、第１封止材７Ａを凝固し、この第１封止材７Ａでベ
ース基板２の封止領域２Ａと封止用キャップ３の封止領
域３Ａとを固着する工程とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、ベース基板のペレット塔載面の封止領域と封止用キ
ャップの封止領域とを封止材で固着し、このベース基板
及び封止用キャップで形成されるキャビティ内に半導体
ペレット及び不活性ガスを気密封止する半導体装置に適
用して有効な技術に関するものである。
に、ベース基板のペレット塔載面の封止領域と封止用キ
ャップの封止領域とを封止材で固着し、このベース基板
及び封止用キャップで形成されるキャビティ内に半導体
ペレット及び不活性ガスを気密封止する半導体装置に適
用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ベース基板のペレット塔載面上に塔載さ
れた半導体ペレットを封止用キャップで封止する半導体
装置がある。この種の半導体装置は、ベース基板のペレ
ット塔載面の封止領域と封止用キャップの封止領域とを
封止材(例えばろう材)で固着し、このベース基板及び封
止用キャップで形成されるキャビティ内に半導体ペレッ
ト及び不活性ガスを気密封止する。この半導体装置の一
般的な組立プロセスは下記の通りである。
れた半導体ペレットを封止用キャップで封止する半導体
装置がある。この種の半導体装置は、ベース基板のペレ
ット塔載面の封止領域と封止用キャップの封止領域とを
封止材(例えばろう材)で固着し、このベース基板及び封
止用キャップで形成されるキャビティ内に半導体ペレッ
ト及び不活性ガスを気密封止する。この半導体装置の一
般的な組立プロセスは下記の通りである。
【０００３】まず、ベース基板のペレット塔載面上に半
導体ペレットを塔載する。この半導体ペレットの塔載
は、フェースダウン方式若しくはワイヤボンディング方
式で行なわれる。次に、不活性ガス(例えば窒素ガス)の
雰囲気中において、ベース基板のペレット塔載面の封止
領域に封止材を介在して封止用キャップの封止領域を載
置し、その後、前記封止材が溶融するまで熱処理を施
す。次に、前記封止材を凝固し、この封止材でベース基
板の封止領域と封止用キャップの封止領域とを固着す
る。これにより、ベース基板及び封止用キャップで形成
されるキャビティ内に半導体ペレット及び不活性ガスが
気密封止される。
導体ペレットを塔載する。この半導体ペレットの塔載
は、フェースダウン方式若しくはワイヤボンディング方
式で行なわれる。次に、不活性ガス(例えば窒素ガス)の
雰囲気中において、ベース基板のペレット塔載面の封止
領域に封止材を介在して封止用キャップの封止領域を載
置し、その後、前記封止材が溶融するまで熱処理を施
す。次に、前記封止材を凝固し、この封止材でベース基
板の封止領域と封止用キャップの封止領域とを固着す
る。これにより、ベース基板及び封止用キャップで形成
されるキャビティ内に半導体ペレット及び不活性ガスが
気密封止される。
【０００４】なお、前記半導体装置については、例えば
特開昭６２−２４９４２９号公報に記載されている。
特開昭６２−２４９４２９号公報に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の半
導体装置について以下の問題点を見出した。
導体装置について以下の問題点を見出した。
【０００６】前記半導体装置の組立プロセスにおいて、
ベース基板の封止領域と封止用キャップの封止領域との
間に介在された封止材を熱処理で溶融する際、溶融によ
る封止材の形状変化で封止用キャップがベース基板側に
向って沈み込み、キャビティ内の内圧がキャビティ外の
外圧に比べて高くなる。このため、キャビティ内の不活
性ガスがキャビティ外に向って移動し(流れ出し)、この
不活性ガスの移動により封止材にボイドが発生する。こ
の封止材に発生するボイドは半導体装置の気密性を低下
させる。
ベース基板の封止領域と封止用キャップの封止領域との
間に介在された封止材を熱処理で溶融する際、溶融によ
る封止材の形状変化で封止用キャップがベース基板側に
向って沈み込み、キャビティ内の内圧がキャビティ外の
外圧に比べて高くなる。このため、キャビティ内の不活
性ガスがキャビティ外に向って移動し(流れ出し)、この
不活性ガスの移動により封止材にボイドが発生する。こ
の封止材に発生するボイドは半導体装置の気密性を低下
させる。
【０００７】本発明の目的は、半導体装置の気密性を高
めることが可能な技術を提供することにある。
めることが可能な技術を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１０】ベース基板のペレット塔載面の封止領域と
封止用キャップの封止領域とを封止材で固着し、このベ
ース基板及び封止用キャップで形成されるキャビティ内
に半導体ペレット及び不活性ガスを気密封止する半導体
装置の製造方法において、前記ベース基板のペレット塔
載面上に半導体ペレットを塔載する工程と、前記ベース
基板のペレット塔載面の封止領域に第１封止材及びこの
第１封止材に比べて融点が高い第２封止材を介在して前
記封止用キャップの封止領域を不活性ガスの雰囲気中で
載置し、その後、前記第１封止材が溶融するまで熱処理
を施す工程と、前記第１封止材を凝固し、この第１封止
材で前記ベース基板の封止領域と封止用キャップの封止
領域とを固着する工程とを備える。
封止用キャップの封止領域とを封止材で固着し、このベ
ース基板及び封止用キャップで形成されるキャビティ内
に半導体ペレット及び不活性ガスを気密封止する半導体
装置の製造方法において、前記ベース基板のペレット塔
載面上に半導体ペレットを塔載する工程と、前記ベース
基板のペレット塔載面の封止領域に第１封止材及びこの
第１封止材に比べて融点が高い第２封止材を介在して前
記封止用キャップの封止領域を不活性ガスの雰囲気中で
載置し、その後、前記第１封止材が溶融するまで熱処理
を施す工程と、前記第１封止材を凝固し、この第１封止
材で前記ベース基板の封止領域と封止用キャップの封止
領域とを固着する工程とを備える。
【００１１】
【作用】上述した手段によれば、ベース基板の封止部と
封止用キャップの封止部との間の間隙を第２封止材で保
持しながらベース基板の封止領域と封止用キャップの封
止領域とを第１封止材で固着することができるので、封
止用キャップのベース基板側への沈み込みによるキャビ
ティ内とキャビティ外との圧力差の発生を防止すること
ができる。この結果、圧力差による不活性ガスの移動
（キャビティ内からキャビティ外に向う不活性ガスの流
れ）が生じないので、封止材に生じるボイドの発生を防
止でき、半導体装置の気密性を高めることができる。
封止用キャップの封止部との間の間隙を第２封止材で保
持しながらベース基板の封止領域と封止用キャップの封
止領域とを第１封止材で固着することができるので、封
止用キャップのベース基板側への沈み込みによるキャビ
ティ内とキャビティ外との圧力差の発生を防止すること
ができる。この結果、圧力差による不活性ガスの移動
（キャビティ内からキャビティ外に向う不活性ガスの流
れ）が生じないので、封止材に生じるボイドの発生を防
止でき、半導体装置の気密性を高めることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の構成について、フェースダウ
ン方式を採用する半導体装置に本発明を適用した一実施
例とともに説明する。
ン方式を採用する半導体装置に本発明を適用した一実施
例とともに説明する。
【００１３】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００１４】本発明の一実施例であるフェースダウン方
式を採用する半導体装置の概略構成を図１(斜視図)及び
図２(図１に示すＡ−Ａ切断線で切った断面図)に示す。
式を採用する半導体装置の概略構成を図１(斜視図)及び
図２(図１に示すＡ−Ａ切断線で切った断面図)に示す。
【００１５】図１及び図２に示すように、本実施例のフ
ェースダウン方式を採用する半導体装置１は、ベース基
板２のペレット塔載面の封止領域２Ａと封止用キャップ
３の封止領域３Ａとを封止材７で固着し、このベース基
板２及び封止用キャップ３で形成されるキャビティ４内
に半導体ペレット５及び不活性ガスを気密封止する。
ェースダウン方式を採用する半導体装置１は、ベース基
板２のペレット塔載面の封止領域２Ａと封止用キャップ
３の封止領域３Ａとを封止材７で固着し、このベース基
板２及び封止用キャップ３で形成されるキャビティ４内
に半導体ペレット５及び不活性ガスを気密封止する。
【００１６】前記ベース基板２は、例えばムライトで形
成され、図示していないが、多層配線構造で構成され
る。ベース基板２のペレット塔載面には電極２Ｂが複数
配列され、ベース基板２のペレット塔載面と対向する裏
面には電極２Ｃが複数配列される。この電極２Ｂ、電極
２Ｃの夫々は前記多層配線構造の配線を介して電気的に
接続される。
成され、図示していないが、多層配線構造で構成され
る。ベース基板２のペレット塔載面には電極２Ｂが複数
配列され、ベース基板２のペレット塔載面と対向する裏
面には電極２Ｃが複数配列される。この電極２Ｂ、電極
２Ｃの夫々は前記多層配線構造の配線を介して電気的に
接続される。
【００１７】前記半導体ペレット５はベース基板２のペ
レット塔載面上に塔載される。この半導体ペレット５の
素子形成面(図２中、下面)には論理回路システム、記憶
回路システム或はそれらの混合回路システムが塔載され
る。また、半導体ペレット５の素子形成面上には複数の
外部端子(ボンディングパッド)５Ａが配列される。
レット塔載面上に塔載される。この半導体ペレット５の
素子形成面(図２中、下面)には論理回路システム、記憶
回路システム或はそれらの混合回路システムが塔載され
る。また、半導体ペレット５の素子形成面上には複数の
外部端子(ボンディングパッド)５Ａが配列される。
【００１８】前記ベース基板２の電極２Ｂ、半導体ペレ
ット５の電極５Ａの夫々は半田電極(バンプ電極、ＣＣ
Ｂ電極又は突起電極)６を介在して電気的及び機械的に
接続される。つまり、半導体ペレット５はベース基板２
のペレット塔載面上にフェースダウン方式で塔載され
る。
ット５の電極５Ａの夫々は半田電極(バンプ電極、ＣＣ
Ｂ電極又は突起電極)６を介在して電気的及び機械的に
接続される。つまり、半導体ペレット５はベース基板２
のペレット塔載面上にフェースダウン方式で塔載され
る。
【００１９】前記封止用キャップ３は、断面形状がコの
字形状に形成され、ベース基板２とで半導体ペレット５
及び不活性ガスを気密封止するキャビティ４を構成す
る。封止用キャップ３は例えば窒化アルミニウムで形成
される。
字形状に形成され、ベース基板２とで半導体ペレット５
及び不活性ガスを気密封止するキャビティ４を構成す
る。封止用キャップ３は例えば窒化アルミニウムで形成
される。
【００２０】前記ベース基板２の封止領域２Ａと封止用
キャップ３の封止領域３Ａとは封止材７で固着される。
この封止材７は、キャビティ４内からキャビティ４外に
向って順次配置された封止材(第１封止材)７Ａ及びこの
封止材７Ａに比べて融点が高い封止材(第２封止材)７Ｂ
で構成される。キャビティ４の内側に配置された封止材
７Ａは例えばＰｂ−Ｓｎ系合金(４０［重量％］Ｐｂ−
６０［重量％］Ｓｎ)で形成される。このＰｂ−Ｓｎ系
合金は、１８５〜１９０［℃］程度の融点を有する。キ
ャビティ４の外側に配置された封止材７Ｂは例えばＰｂ
−Ｓｎ系合金（９５［重量％］Ｐｂ−５［重量％］Ｓ
ｎ）で形成される。このＰｂ−Ｓｎ系合金は３１０〜３
１５［℃］程度の融点を有する。
キャップ３の封止領域３Ａとは封止材７で固着される。
この封止材７は、キャビティ４内からキャビティ４外に
向って順次配置された封止材(第１封止材)７Ａ及びこの
封止材７Ａに比べて融点が高い封止材(第２封止材)７Ｂ
で構成される。キャビティ４の内側に配置された封止材
７Ａは例えばＰｂ−Ｓｎ系合金(４０［重量％］Ｐｂ−
６０［重量％］Ｓｎ)で形成される。このＰｂ−Ｓｎ系
合金は、１８５〜１９０［℃］程度の融点を有する。キ
ャビティ４の外側に配置された封止材７Ｂは例えばＰｂ
−Ｓｎ系合金（９５［重量％］Ｐｂ−５［重量％］Ｓ
ｎ）で形成される。このＰｂ−Ｓｎ系合金は３１０〜３
１５［℃］程度の融点を有する。
【００２１】前記ベース基板２の封止領域２Ａ、封止用
キャップ３の封止領域３Ａの夫々には、封止材７のぬれ
性を確保する目的として下地金属層２Ｄ、下地金属層３
Ｂの夫々が形成される。この下地金属層２Ｄ、下地金属
層３Ｂの夫々は、例えばＴｉ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫々
を順次蒸着した複合膜で形成される。
キャップ３の封止領域３Ａの夫々には、封止材７のぬれ
性を確保する目的として下地金属層２Ｄ、下地金属層３
Ｂの夫々が形成される。この下地金属層２Ｄ、下地金属
層３Ｂの夫々は、例えばＴｉ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の夫々
を順次蒸着した複合膜で形成される。
【００２２】次に、前記半導体装置の組立プロセスにつ
いて、図３（組立プロセスの所定の工程での要部断面
図）及び図３(封止材の斜視図)を用いて簡単に説明す
る。
いて、図３（組立プロセスの所定の工程での要部断面
図）及び図３(封止材の斜視図)を用いて簡単に説明す
る。
【００２３】まず、ベース基板２のペレット塔載面上に
フェースダウン方式で半導体ペレット３を塔載する。
フェースダウン方式で半導体ペレット３を塔載する。
【００２４】次に、図３に示すように、不活性ガス(例
えば窒素ガス若しくはアルゴンガス)の雰囲気中におい
て、前記ベース基板２のペレット塔載面の封止領域２Ａ
に封止材７を介在して封止用キャップ３の封止領域３Ａ
を載置する。封止材７は、図４に示すように、封止用キ
ャップ３の封止領域３Ａの形状に沿って平面形状がリン
グ形状で形成される。この封止材７は、そのリング形状
の内側から外側に向って封止材７Ａ及び封止材７Ｂを順
次配置した構成になっている。この後、封止材７の封止
材７Ａが溶融するまで熱処理を施す。この時、封止材７
は融点の異なる封止材７Ａ及び封止材７Ｂで構成されて
いるので、ベース基板２の封止領域２Ａと封止用キャッ
プ３の封止領域３Ａとの間隙を封止材７Ｂで保持でき、
封止用キャップ３のベース基板２側への沈み込みを防止
することができる。
えば窒素ガス若しくはアルゴンガス)の雰囲気中におい
て、前記ベース基板２のペレット塔載面の封止領域２Ａ
に封止材７を介在して封止用キャップ３の封止領域３Ａ
を載置する。封止材７は、図４に示すように、封止用キ
ャップ３の封止領域３Ａの形状に沿って平面形状がリン
グ形状で形成される。この封止材７は、そのリング形状
の内側から外側に向って封止材７Ａ及び封止材７Ｂを順
次配置した構成になっている。この後、封止材７の封止
材７Ａが溶融するまで熱処理を施す。この時、封止材７
は融点の異なる封止材７Ａ及び封止材７Ｂで構成されて
いるので、ベース基板２の封止領域２Ａと封止用キャッ
プ３の封止領域３Ａとの間隙を封止材７Ｂで保持でき、
封止用キャップ３のベース基板２側への沈み込みを防止
することができる。
【００２５】次に、前記封止材７Ａを凝固し、この封止
材７Ａでベース基板２の封止領域２Ａと封止用キャップ
３の封止領域３Ａとを固着する。これにより、ベース基
板２及び封止用キャップ３で形成されるキャビティ４内
に半導体ペレット５及び不活性ガスが気密封止される。
材７Ａでベース基板２の封止領域２Ａと封止用キャップ
３の封止領域３Ａとを固着する。これにより、ベース基
板２及び封止用キャップ３で形成されるキャビティ４内
に半導体ペレット５及び不活性ガスが気密封止される。
【００２６】このように、半導体装置１の製造方法にお
いて、ベース基板２のペレット塔載面上に半導体ペレッ
ト５を塔載する工程と、前記ベース基板２のペレット塔
載面の封止領域２Ａに封止材７Ａ及びこの封止材７Ａに
比べて融点が高い封止材７Ｂを介在して前記封止用キャ
ップ３の封止領域３Ａを不活性ガスの雰囲気中で載置
し、その後、前記封止材７Ａが溶融するまで熱処理を施
す工程と、前記封止材７Ａを凝固し、この封止材７Ａで
前記ベース基板２の封止領域２Ａと封止用キャップ３の
封止領域３Ａとを固着する工程とを備える。これによ
り、ベース基板２の封止領域２Ａと封止用キャップ３の
封止領域３Ａとの間の間隙を封止材７Ｂで保持しながら
ベース基板２の封止領域２Ａと封止用キャップ３の封止
領域３Ａとを封止材７Ａで固着することができるので、
封止用キャップ３のベース基板２側への沈み込みによる
キャビティ４内とキャビティ４外との圧力差の発生を防
止することができる。この結果、圧力差による不活性ガ
スの移動（キャビティ内からキャビティ外に向う不活性
ガスの流れ）が生じないので、封止材７に生じるボイド
の発生を防止でき、半導体装置の気密性を高めることが
できる。
いて、ベース基板２のペレット塔載面上に半導体ペレッ
ト５を塔載する工程と、前記ベース基板２のペレット塔
載面の封止領域２Ａに封止材７Ａ及びこの封止材７Ａに
比べて融点が高い封止材７Ｂを介在して前記封止用キャ
ップ３の封止領域３Ａを不活性ガスの雰囲気中で載置
し、その後、前記封止材７Ａが溶融するまで熱処理を施
す工程と、前記封止材７Ａを凝固し、この封止材７Ａで
前記ベース基板２の封止領域２Ａと封止用キャップ３の
封止領域３Ａとを固着する工程とを備える。これによ
り、ベース基板２の封止領域２Ａと封止用キャップ３の
封止領域３Ａとの間の間隙を封止材７Ｂで保持しながら
ベース基板２の封止領域２Ａと封止用キャップ３の封止
領域３Ａとを封止材７Ａで固着することができるので、
封止用キャップ３のベース基板２側への沈み込みによる
キャビティ４内とキャビティ４外との圧力差の発生を防
止することができる。この結果、圧力差による不活性ガ
スの移動（キャビティ内からキャビティ外に向う不活性
ガスの流れ）が生じないので、封止材７に生じるボイド
の発生を防止でき、半導体装置の気密性を高めることが
できる。
【００２７】なお、封止材７は、封止材７Ａ、封止材７
Ｂの夫々をキャビティ４外からキャビティ４内に向って
順次配置した構成にしてもよい。
Ｂの夫々をキャビティ４外からキャビティ４内に向って
順次配置した構成にしてもよい。
【００２８】また、封止材７は、図５(封止用キャップ
の背面図)及び図６（図５に示すＢ−Ｂ切断線で切った
断面図）に示すように、封止用キャップ３の各辺毎の封
止領域３Ａの一部に封止材７Ｂを設け、この封止材７Ｂ
上を含む封止用キャップ３の封止領域３Ｂの他部上に封
止材７Ａを設けた構成(一部２層構造)にしてもよい。
の背面図)及び図６（図５に示すＢ−Ｂ切断線で切った
断面図）に示すように、封止用キャップ３の各辺毎の封
止領域３Ａの一部に封止材７Ｂを設け、この封止材７Ｂ
上を含む封止用キャップ３の封止領域３Ｂの他部上に封
止材７Ａを設けた構成(一部２層構造)にしてもよい。
【００２９】また、前記封止材７Ｂは、図示していない
が、封止用キャップ３の４つの角部の夫々の封止領域３
Ａに設けてもよい。
が、封止用キャップ３の４つの角部の夫々の封止領域３
Ａに設けてもよい。
【００３０】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００３１】例えば、本発明は、ベース基板のペレット
塔載面上にボンディングワイヤ方式で半導体ペレットを
塔載する半導体装置に適用できる。
塔載面上にボンディングワイヤ方式で半導体ペレットを
塔載する半導体装置に適用できる。
【００３２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３３】半導体装置の気密性を高めることができ
る。
る。
【図１】 本発明の一実施例である半導体装置の斜視
図。
図。
【図２】 図１に示すＡ−Ａ切断線で切った断面図。
【図３】 前記半導体装置の組立プロセスを説明する所
定の工程での要部断面図。
定の工程での要部断面図。
【図４】 封止材の斜視図。
【図５】 本発明の変形例を示す封止用キャップの背面
図。
図。
【図６】 図５に示すＢ−Ｂ切断線で切った断面図。
１…半導体装置、２…ベース基板、２Ａ…封止領域、３
…封止用キャップ、３Ａ…封止領域、４…キャビティ、
５…半導体ペレット、６…半田電極、７…封止材、７Ａ
…封止材、７Ｂ…封止材。
…封止用キャップ、３Ａ…封止領域、４…キャビティ、
５…半導体ペレット、６…半田電極、７…封止材、７Ａ
…封止材、７Ｂ…封止材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細江 英之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (2)
- 【請求項１】 ベース基板のペレット塔載面の封止領域
と封止用キャップの封止領域とを封止材で固着し、この
ベース基板及び封止用キャップで形成されるキャビティ
内に半導体ペレット及び不活性ガスを気密封止する半導
体装置の製造方法において、前記ベース基板のペレット
塔載面上に半導体ペレットを塔載する工程と、前記ベー
ス基板のペレット塔載面の封止領域に第１封止材及びこ
の第１封止材に比べて融点が高い第２封止材を介在して
前記封止用キャップの封止領域を不活性ガスの雰囲気中
で載置し、その後、前記第１封止材が溶融するまで熱処
理を施す工程と、前記第１封止材を凝固し、この第１封
止材で前記ベース基板の封止領域と封止用キャップの封
止領域とを固着する工程とを備えたことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１封止材、第２封止材の夫々は、
前記キャビティ内からキャビティ外に向って、若しくは
キャビティ外からキャビティ内に向って順次配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334434A JPH07201731A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334434A JPH07201731A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201731A true JPH07201731A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18277343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5334434A Withdrawn JPH07201731A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201731A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7154173B2 (en) * | 2003-06-06 | 2006-12-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5334434A patent/JPH07201731A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7154173B2 (en) * | 2003-06-06 | 2006-12-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |