JPH07201811A

JPH07201811A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH07201811A
Application number: JP35289493A
Authority: JP
Inventors: Mamoru Okubo; 守大久保
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1993-12-28
Filing date: 1993-12-28
Publication date: 1995-08-04
Anticipated expiration: 2015-04-04
Also published as: JP3028394B2

Abstract

(57)【要約】【目的】誘導手段によるプラズマ処理を行う被処理体の
被処理面側の対向空間から、前記誘導手段を他の空間へ
移す。【構成】気密な容器１内に設けられた被処理体３のプラ
ズマ処理を行うに際し、プラズマ１３を生起する誘導手
段５を、前記被処理体３の被処理面と反対面側に設け
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハまたは液晶ディスプレイ用
の液晶基板を処理するプラズマ処理装置のプラズマ源と
して誘導手段、例えば平面状のコイルに高周波、例えば
ラジオ周波数を印加してプラズマを生成する誘導手段
が、特開平２−２３５３３２号公報「プラズマ処理装
置」、特開平３−７９０２５号公報「磁気結合された平
面状のプラズマを生成するための装置並びこのプラズマ
物品を処理する方法及び装置」、特開平４−２９０４２
８号公報「ＵＨＦ／ＶＨＦ共振アンテナ供給源を用いた
プラズマリアクタ及びその方法」、特開平５−２０６０
７２号公報「誘導ＲＦ結合を用いたプラズマ加工装置と
その方法」に述べられている。

【０００３】次に、これらの公報に述べられている従来
の技術につき、図６を用いて説明を行う。図６は、従来
技術のプラズマ処理装置の縦断面図である。気密な容器
１０１の内部に設けられた載置台１０２の上には、被処
理体１０３が設けられている。この被処理体１０３に対
向した前記容器１０１の壁面は、誘電体１０４により形
成される。

【０００４】更に、前記容器１０１の外側に前記被処理
体１０３に対向して誘導手段１０５、例えば平面状のコ
イルが配置されている。この誘導手段１０５には、マッ
チング回路１０６を介して、高周波電源１０７より高周
波、例えばラジオ周波数の電圧が印加される様に構成さ
れている。前記容器１０１の内部へは、ガス供給口１０
８を介してガス供給周波数１０９より、所定のガスが供
給される様に構成されている。

【０００５】前記容器１０１の底部に設けられた排気口
１１０を介して、排気手段１１１により、前記容器１０
１の内部は所定の真空度に真空排気する様に構成されて
いる。前記容器１０１の側壁には、ゲートバルブ１１２
が設けられ、図示しない搬送手段により、被処理体１０
３がこのゲートバルブ１１２の開口より搬入・搬出され
る様に構成されている。

【０００６】以上の様に構成されたプラズマ処理装置に
おいて、プラズマ１１３は主に前記被処理体１０３と前
記誘電手段１０４との間に生成され、前記被処理体をプ
ラズマ処理していた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】以上の様なプラズマ装
置においては、被処理体のプラズマ処理さりる被処理面
側に、誘導手段が対向配置されており、この誘導手段が
設けられた空間を他の目的、例えばガスの供給シャワー
ヘッドや光加熱手段等を設ける場合に、その空間を自由
に使えないという問題があった。

【０００８】前記誘導手段は、誘導結合によりプラズマ
を生成する為、この誘導手段と被処理体の間に導電体の
材料からなる部品を設けると、前記誘導結合が影響を受
け、被処理体の面の均一処理を行うことが困難となる問
題があった。

【０００９】更に具体的には、被処理体の被処理面側の
対向空間に、前記誘導手段と前記シャワーヘッドや被処
理体の加熱を行う光加熱手段を同時に設けると、前記誘
導結合が、これらを構成する材質とその位置により被処
理体の処理結果が悪影響を受けるという問題があった。
図６の従来技術においては、被処理体１０３の処理を行
う処理ガスを、ガス供給手段１０９によりガス供給口１
０８を介して行うが、このガス供給口１０８を前記被処
理体１０３の近くに配置して、処理速度を高める有効な
ガス供給を行おうとすると、このガス供給口１０８の配
管１０９の材質、例えばステンレスにより前記誘導手段
５の形成する誘導結合が影響を受け、近づけることが出
来ないという問題があった。

【００１０】本発明の目的は、誘導手段により生成され
るプラズマにより処理される被処理体の被処理面側の対
向空間から、前記誘導手段を他の空間へ移したプラズマ
処理装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決する為の手段】請求項１の発明は、気密な
容器内にプラズマを生起する誘導手段を備え、この誘導
手段と前記プラズマとの間に前記プラズマにより処理を
行う被処理体を設けることを特徴とする。請求項２の発
明は、気密な容器の壁面の一部を構成する誘導体と、前
記容器外に設けられた誘導手段と、この誘導手段に高周
波の電圧を印加する電源と、前記容器内にガスを供給す
るガス供給手段とを備え、前記誘導手段により生起され
た前記容器内のプラズマと前記誘導手段とに挟まれた空
間に、前記プラズマにより処理を行う被処理体を設ける
ことを特徴とする。請求項３の発明は、気密な容器内に
設けられた被処理基板と、前記容器内にガスを供給する
ガス供給手段と、前記容器外に設けられた誘導手段と、
この誘導手段に高周波の電圧を印加し、前記被処理基板
の被処理面（表面）を処理するプラズマを生起するプラ
ズマ源とを備え、前記誘導手段は前記被処理基板の裏面
側に設けられていることを特徴とする。請求項４の発明
は、前記誘導手段は、前記被処理基板に対向配置された
平面状のコイルであることを特徴とする。請求項５の発
明は、前記誘導手段は、前記容器の壁面の一部を構成す
る誘電体の窓を介して、前記被処理基板に対向配置され
ていることを特徴とする。請求項６の発明は、前記誘導
手段は、平面状コイルであることを特徴とする。請求項
７の発明は、前記誘導手段は、渦巻型コイルまたはらせ
ん型コイルであることを特徴とする。請求項８の発明
は、前記誘導手段は、ループアンテナであることを特徴
する。請求項９の発明は、前記誘導手段は、複数のルー
プアンテナを同じ円状に配置したことを特徴とする。請
求項１０の発明は、前記誘導手段は、複数のコイルを並
べて配置したことを特徴とする。請求項１１の発明は、
前記誘導手段と、前記被処理体との相対的距離を自在に
設定可能な位置調整手段が設けられていることを特徴と
する。請求項１２の発明は、前記容器の外側に、前記プ
ラズマを閉じ込める磁場形成手段が設けられていること
を特徴とする。

【００１２】

【作用】本発明のプラズマ処理装置によれば、被処理体
のプラズマによる被処理面側の対向空間より誘導手段を
無くすことが出来るので、この対向空間を、例えばガス
を均一に容器内に供給するシャワーヘッド等を設ける為
に使うことが出来る。更に、前記誘導手段により生成さ
れるプラズマを、前記被処理体を介して制御することが
出来るプラズマ処理装置を提供できる。

【００１３】

【実施例】本発明のプラズマ処理装置の第一の実施例
を、図面を用いて説明する。第１図は、本発明のプラズ
マ処理装置の第一の実施例の縦断面図である。

【００１４】最初に構成につき説明を行う。気密な容器
１は、アルミニウムにより形成されており、その内壁面
は研磨されたのち酸化膜が形成されている。この酸化膜
により、被処理体２の真空雰囲気中での処理中に、前記
アルミニウムよりのゴミの発生、とりわけ重金属汚染を
防止することができる様に構成されている。

【００１５】前記容器１の側壁には、ゲートバルブ３が
開閉可能に設けられ、被処理体２が図示しない搬送手段
によりこのゲートバルブ３の開口を介して、前記容器１
内に搬入され、載置される様に構成されている。前記容
器の上側壁面（天井）には、前記被処理体２に対向配置
されたガス供給口４を設けたシャワーヘッド５が設けら
れている。

【００１６】このシャワーヘッド５へは、ガス供給手段
６より前記被処理体２の処理、例えば成膜処理あるいは
エッチング処理等、に対応した処理ガスマスフローコン
トローラ７により供給量を調整されたのち、開閉可能な
バルブ８を介して供給される様に構成されている。

【００１７】前記ガス供給手段６は、処理内容に応じて
複数の処理ガスと不活性ガス、例えばＮ₂ガスを供給す
ることができる様に構成されている。前記シャワーヘッ
ド５は、内部に図示しない多段の拡散板が設けられ、前
記複数の処理ガスを混合したのち、前記被処理体２の被
処理面積をカバーしうる開口面に小さな孔、例えば０．
１〜３ｍｍ径が等間隔、例えば２〜５ｍｍに前記開口面
全体にわたり設けられることで、前記被処理体への均一
なガス供給が出来る様に構成されている。

【００１８】前記容器１の底面には、前記容器１の壁面
の一部を構成する誘電体９、例えば石英、合成石英ある
いは溶融石英が設けられている。この誘電体９の材質
は、被処理体２を処理する処理温度に応じて選択するこ
とが出来る。合成石英は高価であるが耐熱、耐強度の点
で優れており望ましい。

【００１９】前記誘電体９のサイズは、前記容器１内の
真空度に応じて厚さを設定することが必要で、例えば１
×１０^-4Ｔｏｒｒ程度であれば、４０ｍｍの厚さで良
く、外径サイズとしては、前記被処理体２の外形サイズ
より１０〜４０％以上大きいことが望ましい。

【００２０】例えば、被処理体２として８インチ半導体
ウエハを選ぶと、前誘電体９の外形サイズは２２０乃至
２８０ｍｍ以上であり、又液晶基板として５４０ｍｍ×
６４０ｍｍ角であれば、前記誘電体９の外形サイズは、
約６００ｍｍ×７００ｍｍ角乃至７６０ｍｍ×９００ｍ
ｍ角以上の外形サイズを必要とする。

【００２１】前記被処理体２は、前記容器１の内部で前
記誘電体９に載置されるが、更に前記誘電体９の上にセ
ラミックス、石英等の材質で出来た載置台を設け、この
載置台の上に前記被処理体２を載置しても良い。

【００２２】前記被処理体２の被処理面１６と反対側に
対向配置され、前記容器１の外部には誘導手段１０が設
けられている。この誘導手段１０としては、平面状の渦
巻型コイル、らせん型コイル、１ターン・コイル、同心
円状に複数のコイルを配置したもの、複数のコイルを並
列に配置したもの、被処理体２の形状に応じた各種アン
テナを用いることが出来る。

【００２３】前記誘導手段１０の材質としては、導電性
材質である金属、例えば銅（Ｃｕ）が望ましい。より具
体的な例としては、２乃至５ｍｍの厚さの銅板を、プレ
ス加工により渦巻型に打ち抜き加工するか、あるいは他
の例としては外径５ｍｍ、内径３ｍｍの銅製パイプを渦
巻型に曲げてコイルを形成することが出来る。

【００２４】前記誘導手段１０の外形サイズは、少なく
とも前記被処理体２の外形サイズよりも大きいことが、
生起するプラズマの分布のより均一性の高い部分で、前
記被処理体２を処理できるので望ましい。例えば、８イ
ンチ半導体ウエハの場合には、前記誘導手段１０の外形
サイズは１０％乃至４０％以上大きい２２０乃至２８０
ｍｍサイズ以上に設定することが出来る。

【００２５】前記誘電手段１０には、前記容器１の外部
に設けられた高周波電源１１により高周波、例えばラジ
オ周波数、一例としては１３．５６ＭＨｚの電圧をマッ
チング回路１２を介して印加する様に構成されている。
この高周波電源１１の周波数は、被処理体２の処理プロ
セスに応じて、例えば４０ＭＨｚ乃至６０ＭＨｚのより
高い周波数に設定することも出来る。前記誘電手段の具
体例については、詳しく後述する。前記容器１の底部に
は、排気口１３が開口している。この排気口１３より排
気手段１は、開閉可能なバルブ１５を介して前記容器１
内を所定の真空度に到着し維持する様に、真空排気を行
う様に構成されている。以上の様に、第一実施例のプラ
ズマ処理装置は構成されている。

【００２６】次に第一実施例の動作について説明を行
う。ゲートバルブ３を介して、図示しない搬送手段によ
り容器１内に被処理体２が搬入され載置される。前記ゲ
ートバルブ３が閉じて、前記容器１内が気密な状態にな
ると、排気手段１４により前記容器１内が所定の真空
度、例えば１×１０^-7Ｔｏｒｒまで真空排気される。

【００２７】次に、ガス供給手段６により、所定の処理
ガスがシャワーヘッド５を介して、前記被処理体２の対
向領域に均一に供給される。次に、高周波電源１１よ
り、高周波、例えば１３．５６ＭＨｚの電圧が誘導手段
１０に印加され、プラズマ１３が、前記被処理体２の被
処理面１６側の対向領域に生成される。

【００２８】前記プラズマ１３の分布は、前記誘導手段
１０の構成形状により、主として依存し、次にその分布
の広がりは、前記容器内の真空度に従として依存してい
る。真空度が１×１０^-4Ｔｏｒｒ、１×１０^-5Ｔｏｒｒ
となる。従って、より広いプラズマ分布となる。すなわ
ち、前記誘導手段１０が、平面状の渦巻型コイルである
場合には、この平面状の渦巻型コイルに対向した前記容
器１内の空間に、全体として略平面状の分布を持つプラ
ズマ１３が生起される。このプラズマ１３の分布は、プ
ラズマの電子温度の測定を行うプローブにより、前記容
器１内の空間の複数箇所で測定することにより決定する
ことが出来る。

【００２９】このプローブ測定に基づき得られた電子温
度の分布、すなわちプラズマの分布が、前記被処理体２
の被処理面１６をカバーする範囲において、より均一な
分布になる様に第一実施例のプラズマ処理装置は構成さ
れているので、前記プラズマ１３による前記被処理体２
の処理結果は、被処理面１６にわたり均一処理を行うこ
とが出来る。

【００３０】被処理体２に対する所定の処理が終了する
と、高周波電源１１の電圧供給は停止し、プラズマが消
される。同時にガス供給手段６により処理ガス供給も停
止したのち、排気手段１４による容器１内の残留ガス
が、前記容器１外へ排出される。次に、ガス供給手段６
より不活性ガス、例えばＮ₂ガスが供給され、前記容器
１内はＮ₂ガス雰囲気に置換される。

【００３１】次に、バルブ１５が閉じられて、前記容器
１内がＮ₂雰囲気により大気よりも陽圧に設定され、ゲ
ートバルブ３が開いて、図示しない搬送手段により、前
記処理済２１の被処理体２が、前記容器１より搬出さ
れ、第一実施例のプラズマ処理装置による一連の処理を
終了する。

【００３２】以上の様に動作する第一実施例のプラズマ
処理装置によれば、誘導手段１０を被処理体２の被処理
面１６側と反対側に設けることで、前記被処理面の対向
した空間から、誘導手段を無くすことに成功している。
このことで、前記被処理面１６側の対向位置に、前記被
処理面１６をカバーする均一なガス供給の出来るシャワ
ーヘッド５を設けることが出来る。このシャワーヘッド
５は、前記誘導手段１０とこの誘導手段１０により生起
されるプラズマ１３とに挟まれた空間外に設けられてい
る為に、前記誘導手段１０による誘導結合、さらにこれ
によるプラズマ１３の分布の均一性に悪い影響を与える
ことがない空間に設けられている。

【００３３】以上、シャワーヘッド５を被処理体２の被
処理面１６側に対向した空間に設けた実施例について述
べたが、このシャワーヘッド５のかわりに、ガス供給口
１３をノズルとして複数本設けても、これらの複数のノ
ズルは、誘導手段１０とプラズマ１３とに挟まれた空間
外にあるので、前記プラズマ１３の均一性に与える悪影
響は、従来技術の図６の構成よりも少なく効果がある。

【００３４】次に、本発明のプラズマ処理装置の第二実
施例につき、図面を参照して説明を行う。第２図は、第
二実施例のプラズマ処理装置の縦断面図である。第１図
と同じ部品には、同じ番号を付与して説明を省略する。

【００３５】気密な容器１内の中央部には、石英で構成
された平坦な載置面の形成された載置台１７が、誘電体
９の上に設けられている。この載置台１７の上には、被
処理体２が被処理面１６を上向きに載置される様に構成
されている。前記被処理体２と対向し、前記被処理面１
６側と反対側の対向した空間には、誘導手段１０が、対
向姿勢を維持しつつ、上下動可能に設けられている。こ
の誘導手段１０は、前記被処理面１６と前記誘導手段１
０との距離Ｈが自由に設定可能に設けられている。前記
昇降機構１８は、前記誘導手段１０を載置する載置台１
９と、この載置台１９の支持部に回転可能に結合された
ボールネジ２０と、このボールネジ２０を回転させ、前
記距離Ｈを調整する回転駆動機構２１とにより構成され
ている。前記容器の側面の外周部には、複数個の電磁石
２１が設けられている。

【００３６】これらの電磁石には、直流電源２２から電
圧が印加され、前記容器の側壁を取り囲んで隣り合う電
磁石同士の前記容器１の内側に形成される磁極が交互に
異なる様に、例えばＮ、Ｓ、Ｎ、Ｓ、Ｎ、Ｓ、となる様
に配置されている。

【００３７】これらの複数の電磁石２１により形成され
る磁界の作用で、前記誘導手段１０により被処理面１６
の対向領域に生起されたプラズマは、被処理体１６の対
向領域に向かって閉じ込められ、プラズマ密度が増して
被処理体１６の処理速度を向上させることが出来る。次
に、前記容器の上側壁面（天井）には、光を照射するラ
ンプ用の複数の開口２３が設けられている。これらの開
口２３の上部は複数の石英の窓８０が設けられ、前記被
処理体２を光加熱するランプ２４がこれらの石英の窓８
０を介して照射する様に設けられている。これらのラン
プ２４は、後背に光を反射する反射鏡２５が設けられて
いる。

【００３８】前記ランプ２４には、電力を供給するラン
プ制御手段２６よりデジタル高周波の電圧が供給されて
いる。前記ランプ２４は、前記被処理体２を直接照射し
て加熱するので、短時間、例えば６０秒で約６００℃の
処理温度まで前記被処理体２を加熱することが出来る様
に構成されている。

【００３９】この加熱の上昇温度と制御は、前記ランプ
制御手段２６が、デジタル電圧のＯＮタイムの巾を制御
するパルス巾制御により達成している。更に、前記複数
の開口２３には、ガス供給手段６より供給されるガス
や、プラズマ処理により生成される反応生成物が、前記
ランプ２４の表面に付着するのを防止する不活性ガス、
例えばＮ₂ガスあるいはＡｒガスが、不活性ガス供給源
２７よりマスフローコントローラ２８により流量調整さ
れた後、開閉可能なバルブ２９を介して、不活性ガス供
給管３０を介して供給される様に構成されている。以上
の様に、第二の実施例のプラズマ処理装置は構成されて
いる。以上の様に構成された第二の実施例のプラズマ処
理装置によれば、誘導手段１０と被処理体２の被処理面
１６との距離Ｈを、昇降機構により設定可能である為、
生起されるプラズマ１３の分布を被処理体２との関係に
おいて最適な状態に設定することが出来る。一般に誘導
手段１０から被処理面１６までの距離Ｈとしては、５〜
１５０ｍｍの範囲で、プラズマを生起して前記被処理面
１６を処理することが出来る。更に、距離Ｈを小さくす
れば、プラズマによる処理速度は向上するが、処理の内
容により、例えば成膜処理に際しての成膜の質により、
最適な距離を設定することができる。更に、容器１内の
真空度に応じて、前記誘電体９の厚さを決める為、例え
ばこの誘電体９の厚さが４０ｍｍであれば、前記載置台
１７の厚さを調整することで、Ｈを所望の４０ｍｍ以上
の距離に設定することが出来る。以上述べた第１、第２
の実施例に好適な処理としては、例えば液晶基板を製造
する工程であるガラス基板上に成膜されたゲート絶縁膜
にａ−Ｓｉ膜（アモルファスシリコン膜）及びゲート絶
縁膜を窒化シリコン膜の成膜で形成して得られる薄模型
トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ）の処理工程がある。高周波として１３．５６ＭＨ
ｚが誘導手段印加され、ＳｉＨ₄などの原料ガスを分解
し、被処理基板の温度が２５０〜３５０℃で非晶質の薄
膜である窒化シリコン膜が形成される。

【００４０】次に、前記第１、第２の実施例で説明した
プラズマ処理装置に用いられる誘導手段１０の主要部を
図面より説明を行う。第３図は、被処理基板として外形
が長方形の液晶基板用ガラス板５１に対向して設けられ
る外形が長方形の渦巻コイル５２を示した模式図であ
る。この渦巻コイル５２の外形は、被処理体の外形に倣
って長方形とされている。さらに、この渦巻コイル５２
の最外周は、前記被処理体５１の外形よりも大きく構成
され、生起されるプラズマが周縁部で密度が粗となるた
め、より均一な中心部の領域を前記被処理体５１よりも
広くするのに役立っている。

【００４１】第４図は、被処理基板が半導体ウエハ５３
の様に円形の外形を持つ場合に、誘導手段を構成するコ
イルを、前記外形形状に倣って円形とした渦巻コイル５
４を示す模式図である。第３図と同様に、渦巻コイル５
４の外形サイズを半導体ウエハ５３の外径サイズよりも
大きくする。

【００４２】第５図は、被処理基板が円形の外形を持つ
半導体ウエハ５３に対向して配置される誘導手段が、内
側の１ターン・コイル５５と外側の１ターン・コイル５
６の複数のコイルにより形成されたことを示す模式図で
ある。内側と外側とは、それぞれ独立した高周波電源に
より電圧供給され、それぞれの位相を任意の角度にずら
して設定可能になっている。前記内側の１ターン・コイ
ル５５の外形サイズは、前記被処理基板５３の外形サイ
ズより小さく構成され、前記外側の１ターン・コイル５
６の外形サイズは、前記被処理基板５３の外形よりも大
きく構成されている。

【００４３】以上の様に構成することにより、前記内側
の１ターン・コイル５５により生起されたプラズマの分
布が周縁部において密度が粗となり、処理速度がおそく
なるのを、前記外側の１ターン・コイル５６により補
い、プラズマの密度を調整して前記被処理基板の面内処
理をより均一に行うことを可能とすることが出来る。以
上３つの異なる誘導手段の形態について説明を行った
が、これらの誘導手段は、常に被処理基板と対向する位
置に平面状に配置されるとは限らず、平面状の渦巻型コ
イルの中央部を被処理体から遠ざけ、外周部を近づける
前記平面から垂直方向の変形を取り入れることにより、
プラズマによる処理結果を被処理体の中央部と周縁部と
でより均一に行うことが出来る。この様な平面状コイル
が、垂直方向に立体的に構成することは、本発明に用い
る誘導手段の容易な実施可能な技術であることは言うま
でもない。

【００４４】

【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置によれば、気
密な容器内に設けられた被処理体のプラズマ処理面側の
対向空間から、プラズマを生成する誘導手段を他へ移す
ことが出来、前記対向空間を他の目的に使用することが
出来る。更に、前記プラズマの生成・制御を、前記プラ
ズマ処理面と反対側の対向空間に設けられた前記誘導手
段により行うことが出来る。

【００４５】本発明の第４項によれば、平面状のプラズ
マを生起することが出来るので、基板等の被処理体の面
内均一な処理が可能となる。

【００４６】本発明の第５項によれば、誘導手段による
誘導結合を形成するのに誘電体は役立つことが出来る。

【００４７】本発明の第７項によれば、被処理体の被処
理面の形状に対応したコイルを渦巻またはらせん形状に
より形成し、均一性の高い処理を行うことが出来る。

【００４８】本発明の第８項によれば、簡単なループに
より誘導手段を構成することが出来、しかもプラズマ密
度を維持することが出来る。

【００４９】本発明の第９項によれば、各々のループア
ンテナを独立して高周波電源により電力・位置・周波数
を可変して制御することが可能な為、被処理体の中心部
と外縁部との処理速度の制御に有効である。

【００５０】本発明の第１０項によれば、広い面積の被
処理体の被処理面全体をカバーするプラズマを生起する
ことが出来る。

【００５１】本発明の第１１項によれば、被処理体の大
きさ、プラズマ処理の条件に応じて、生成するプラズマ
の分布と被処理体との距離を変える調整を行って、最適
な誘導手段の位置を決定することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ処理装置の第一実施例を示す
縦断面図である。

【図２】本発明のプラズマ処理装置の第二実施例を示す
縦断面図である。

【図３】本発明のプラズマ処理装置の誘導手段の第一実
施例を示す模式図である。

【図４】本発明のプラズマ処理装置の誘導手段の第二実
施例を示す模式図である。

【図５】本発明のプラズマ処理装置の誘導手段の第三実
施例を示す模式図である。

【図６】従来技術のプラズマ処理装置の実施例を示す縦
断面図である。

【符号の説明】

１容器２被処理体９誘電体 10 誘導手段 11 高周波電源

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】気密な容器内にプラズマを生起する誘導
手段を備え、この誘導手段と前記プラズマとの間に前記
プラズマにより処理を行う被処理体を設けることを特徴
とするプラズマ処理装置。
【請求項２】気密な容器の壁面の一部を構成する誘導
体と、前記容器外に設けられた誘導手段と、この誘導手
段に高周波の電圧を印加する電源と、前記容器内にガス
を供給するガス供給手段とを備え、前記誘導手段により
生起された前記容器内のプラズマと前記誘導手段とに挟
まれた空間に、前記プラズマにより処理を行う被処理体
を設けることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】気密な容器内に設けられた被処理基板
と、前記容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記
容器外に設けられた誘導手段と、この誘導手段に高周波
の電圧を印加し、前記被処理基板の被処理面（表面）を
処理するプラズマを生起するプラズマ源とを備え、前記
誘導手段は前記被処理基板の裏面側に設けられているこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】前記誘導手段は、前記被処理基板に対向
配置された平面状のコイルであることを特徴とする特許
請求の範囲第３項のプラズマ処理装置。
【請求項５】前記誘導手段は、前記容器の壁面の一部
を構成する誘電体の窓を介して、前記被処理基板に対向
配置されていることを特徴とする特許請求の範囲第３項
のプラズマ処理装置。
【請求項６】前記誘導手段は、平面状コイルであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項、または第２項の
プラズマ処理装置。
【請求項７】前記誘導手段は、渦巻型コイルまたはら
せん型コイルであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項または第３項のプラズマ処理装置。
【請求項８】前記誘導手段は、ループアンテナである
ことを特徴する特許請求の範囲第１項、第２項または第
３項のプラズマ処理装置。
【請求項９】前記誘導手段は、複数のループアンテナ
を同じ円状に配置したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項、第２項または第３項のプラズマ処理装置。
【請求項１０】前記誘導手段は、複数のコイルを並べ
て配置したことを特徴とする特許請求の範囲第１項、第
２項または第３項のプラズマ処理装置。
【請求項１１】前記誘導手段と、前記被処理体との相
対的距離を自在に設定可能な位置調整手段が設けられて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項ま
たは第３項のプラズマ処理装置。
【請求項１２】前記容器の外側に、前記プラズマを閉
じ込める磁場形成手段が設けられていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項、第２項または第３項のプラズ
マ処理装置。