JPH07201821A

JPH07201821A - アルミ合金配線の形成方法

Info

Publication number: JPH07201821A
Application number: JP5337784A
Authority: JP
Inventors: Akimasa Takii; 謙昌瀧井
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-12-28
Filing date: 1993-12-28
Publication date: 1995-08-04

Abstract

(57)【要約】【目的】エッチングマスクとの選択比が高く、エッチ
ング中に配線側壁を保護でき、アフターコロージョンが
発生せず、発生パーティクルの少ないクリーンなドライ
エッチングを用いたアルミ合金配線の形成方法を提供す
る。【構成】ＢＰＳＧ２上にアルミ合金膜３、シリコン酸
化膜４を積層させる。レジストパターン５により、シリ
コン酸化膜４をパターニングしレジストを除去する。次
にシリコン酸化膜４をマスクにして、塩素系ガスと酸素
ガスを含む混合ガスのプラズマ中でアルミ合金をドライ
エッチングする。その結果、マスクとの選択比が高く、
アルミ表面に化学的に不活性なアルミナを形成しエッチ
ングするので配線側壁を保護でき異方的なエッチングが
でき、アフターコロージョンも防止できる。また、炭素
を含まない塩素系ガスの使用およびレジストの不要によ
り、カーボンレスで発生パーティクルが少ないクリーン
なエッチングが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体の製造に関して、
特にアルミ合金配線の形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在アルミ配線技術として、配線材料に
は各種マイグレーション抑制効果がある微量のシリコン
と銅を添加したアルミニウム（ＡｌＳｉＣｕ：以下アル
ミ合金と呼ぶ）が多く用いられている。今後、半導体デ
バイスの高集積化に伴い、平面方向では配線幅および配
線間の幅の縮小が必要となり、また縦方向では２層ある
いは３層配線に代表されるようにデバイス構造の立体化
によりアスペクト比の高い配線形成技術および高段差を
有する配線の形成技術が必要となる。ここで述べるアス
ペクト比は図６（ａ）に示すように配線間の幅、アルミ
合金の厚さ、レジストの厚さによるものであり、段差と
は図６（ｂ）に示すようにアルミ合金の下地の段差形状
によるものである。

【０００３】ここで、従来のアルミ合金膜を半導体デバ
イスの配線材料に用いた配線加工技術を、図７に概要を
示した工程断面図を用いて説明する。

【０００４】まず、図７（ａ）に示すように、半導体基
板１の表面に層間絶縁膜として厚さ５００〜１０００ｎ
ｍのＢＰＳＧ膜２を堆積させる。次に厚さ約１μｍのア
ルミ合金膜３をスパッタ蒸着法によりＢＰＳＧ膜２上に
堆積し、その上にフォトリソグラフィ工程により厚さ１
〜２μｍのレジストパターン５を形成する。

【０００５】次に、図７（ｂ）に示すように、レジスト
パターン５をマスクとして、アルミ合金膜３を反応性イ
オンエッチング方法（以下Ｒ．Ｉ．Ｅ．法と呼ぶ）によ
りドライエッチングし配線パターンを形成させる。一般
にアルミ合金膜のドライエッチングには、塩素系のガス
（ＣＣｌ₄、ＳｉＣｌ₄、ＢＣｌ₃、Ｃｌ₂など）とサイド
エッチングの防止のための炭素系ガス（ＣＨＣｌ₃、Ｃ
Ｆ₄など）との混合ガスを用いる。

【０００６】そして、図７（ｃ）に示すように、アッシ
ング装置による酸素プラズマ処理によってアルミ合金上
のレジストを除去し、配線を形成させる。

【０００７】ここで、アルミ合金のドライエッチング方
法、特にＲ．Ｉ．Ｅ．法について、さらに詳しく説明す
る。用いられる混合ガスとその流量は塩素１０〜３０ｓ
ｃｃｍ、四塩化硅素７０〜１５０ｓｃｃｍ、クロロホル
ム１０〜３０ｓｃｃｍである。カソード電極には１３．
５６ＭＨｚ、２００〜５００Ｗの高周波を高周波電源か
ら供給する。エッチング中の真空度は１０〜５０Ｐａで
ある。

【０００８】アルミ合金膜１μｍ、マスクであるレジス
トの厚みが１μｍのウエハをこの条件下でドライエッチ
ングすると、レジストとアルミ合金膜の選択比が小さい
のでアスペクト比の高い所および高段差を有する所では
マスクであるレジストはエッチングされ、アルミ合金の
配線幅が細くなったり、配線となるべきアルミ合金膜ま
でエッチングされる。従って、レジストがエッチングの
マスクとして十分機能しなくなる。

【０００９】また、ドライエッチング終了後、このウエ
ハを大気中に暴露しておくと、数時間で配線パターンに
アルミ合金配線の腐食（アフターコロージョンと呼ぶ）
の発生が観察される。

【００１０】さらに、上記条件で半導体基板を処理する
と、処理枚数とともにエッチング室の電極、ガス導入
板、チャンバー壁等に付着するカーボン、アルミ、塩素
を含む反応生成物の量が増大する。これらのデポ物が原
因で、処理枚数とともに半導体基板に付着するパーティ
クル数も増大することが観測される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のア
ルミ合金配線の形成方法では、微細な線幅のアルミ合金
配線のドライエッチングに関して以下のような問題点を
有している。

【００１２】一点目は、配線材料であるアルミ合金とマ
スク材料であるレジストとの選択比が小さいために、ア
スペクト比の高い所および高段差を有する所のアルミ合
金配線のドライエッチングにおいてはレジストがエッチ
ング途中でなくなってしまって、マスクとして十分機能
しなくなるという問題点である。これに対して、レジス
ト膜厚を厚くする、あるいはアルミ合金膜を薄くする手
段があるが、前者は微細なレジストパターンを作成する
ときに解像度が劣化する等の問題があり、後者は所望の
配線抵抗を得るためには膜厚は制限されるので、これら
の手段は実用性に欠ける。

【００１３】二点目は、アルミニウムは化学的に非常に
活性であり、塩素系のガスによるドライエッチングで
は、Ｒ．Ｉ．Ｅ．法を行なっても十分に異方性を確保で
きず、配線の側壁がエッチングされ（サイドエッチング
現象と呼ぶ）。図８に示すように所望の配線幅が得られ
なくなったり、配線の断面形状が逆テーパ状となる。配
線形状が逆テーパ状になると、配線上に絶縁層間膜を堆
積した時にボイドが発生する等の問題点がある。そこ
で、エッチング進行中に配線の側壁を保護する目的でカ
ーボン系ガス（例えばＣＨＣｌ₃、ＣＦ₄）をエッチング
ガスに添加することにより、このサイドエッチング現象
を抑制する。しかし、エッチング終了後、アルミ合金の
表面およびその表面に付着するカーボン系のデポ物に塩
素系生成物や塩素ガスが付着もしくは吸着する。このウ
エハを大気にさらすと、塩素系物質と水分が反応し塩化
水素が形成され、電気化学反応によりアルミ合金配線の
腐食が起こる（アフターコロージョンと呼ぶ）という問
題点がある。

【００１４】三点目は、上記したようにアルミ合金配線
の断面形状の制御のためカーボン系のガスをエッチング
ガスに添加している点、またエッチングマスクとしてレ
ジストを使用している点から、処理室の内部には多数の
炭素を含むデポ物が付着する。このデポ物はエッチング
処理を重ねるにしたがって増加し、反応室の形状のわず
かな変化によりエッチングレート、均一性等が処理ウエ
ハ枚数とともに変化する。またこのデポ物は、処理室内
でのパーティクルの発生源にもなり、デバイスの歩留ま
り低下をもたらすという問題点がある。

【００１５】本発明は上記問題点に鑑み、配線の側壁保
護のためのカーボン系ガスを使用せず、エッチング中の
発生パーティクルが少なく、マスク材料に対して選択比
の高いドライエッチングを用いたアルミ合金配線の形成
方法を提供するものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明のアルミ合金配線の形成方法は、半導体基板
上にアルミ合金を形成した後パターニングして配線を形
成する方法において、第１にシリコン酸化膜またはシリ
コン窒化膜をエッチングマスクにして、塩素系のガスお
よび酸素ガスを含むガスでアルミ合金膜をドライエッチ
ングすること、第２にシリコン酸化膜またはシリコン窒
化膜をエッチングマスクにして、塩素系のガスを含むガ
スでのドライエッチングと酸素ガスを含むガスでのドラ
イエッチングを交互に行ないアルミ合金膜をドライエッ
チングすること、第３に上記第１または第２の酸素ガス
の量をエッチングの進行とともに連続的、または段階的
に変化させること、第４に上記第１または第２の塩素系
のガスとして炭素原子を含まないガスを用いることを特
徴とする。

【００１７】

【作用】本発明は上記した構成によって、従来のアルミ
合金のエッチングマスクとしてレジストを使用するとア
ルミ合金に対する選択比が１．５〜３程度であるが、シ
リコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜をエッチングマス
クとして用いると選択比が１０以上となり、高段差、高
アスペクト比を有するアルミ合金配線パターンを形成す
ることができる。

【００１８】また、アルミ合金の表面を酸素プラズマ中
で酸化しながら塩素系のプラズマでエッチングするの
で、従来のカーボン系ガスによるアルミ合金配線の側壁
保護と比較して、アルミ合金に対する選択比が１０以上
であるアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）により側壁を保護するの
で、より異方的なエッチングができる。ここで、酸素ガ
スの使用によりレジストマスクは使用できず、シリコン
酸化膜あるいはシリコン窒化膜をエッチングマスクとす
る必要がある。また、エッチング終了時には、アルミ合
金配線の表面が十分に酸化され、化学的に不活性で安定
なＡｌ₂Ｏ₃を形成しているので、アルミ合金の表面に塩
素ガスおよび塩素系生成物が付着もしくは吸着し、大気
中に放置しても、アフターコロージョンは発生しない。

【００１９】また、エッチングガスに炭素を含まないガ
スを使用し、エッチングマスクとしてレジストを使用し
ないので、従来の反応室内部へのデポ物の主原因である
炭素物質を使用しないエッチングができる。したがっ
て、反応室内部への炭素系物質のデポも少なく、カーボ
ンレスで発生パーティクルの少ないクリーンなエッチン
グができる。

【００２０】

【実施例】アルミ合金膜を半導体デバイスの配線材料に
用いた本発明の配線加工技術を、図１に概要を示した工
程断面図を用いて説明する。

【００２１】まず、図１（ａ）に示すように、所定の拡
散層が形成された半導体基板１の表面に層間絶縁膜とし
て厚さ５００〜１０００ｎｍのＢＰＳＧ膜２を堆積させ
る。次に厚さ約１μｍのアルミ合金膜３をスパッタ蒸着
法によりＢＰＳＧ膜２上に堆積し、その上にＣＶＤ法に
よりアルミ合金膜３上に厚さ３００〜５００ｎｍのシリ
コン酸化膜４を積層させる。ここでＣＶＤとしては、常
圧ＣＶＤ法を使用し基板温度４００度において形成し
た。

【００２２】次に、図１（ｂ）に示すように、この酸化
膜４上に厚さ約１μｍのレジスト５を堆積させる。そし
て、フォトリソグラフィ工程によりレジストパターン５
を形成させる。

【００２３】そして、図１（ｃ）に示すように、レジス
トパターン５をエッチングマスクにして、シリコン酸化
膜４をフッ素系ガスによるＲ．Ｉ．Ｅ．法により微細加
工する。使用するガスおよびその流量は四フッ化炭素３
０〜１００ｓｃｃｍ、カソード電極には１３．５６ＭＨ
ｚ、２００〜５００Ｗの高周波を高周波電源から供給す
る。エッチング中の真空度は３〜１０Ｐａである。次
に、この半導体基板１を酸素プラズマの雰囲気中に曝
し、シリコン酸化膜４のエッチングマスクとして用いた
レジストパターン５を除去する。使用するアッシング装
置は、ダウンフロー型プラズマアッシング装置で、酸素
流量１００〜５００ｓｃｃｍ、真空度４０〜１００Ｐａ
で、１３．５６ＭＨｚ、２００〜５００Ｗの高周波を高
周波電源から供給する。以上で示した処理を行なうと、
アルミ合金膜３上にはシリコン酸化膜パターン４が形成
できる。

【００２４】次に、図１（ｄ）に示すように、シリコン
酸化膜パターンをマスクとして、アルミ合金膜３をＲ．
Ｉ．Ｅ．法によりドライエッチングし、配線パターンを
形成させる。ここで、用いられる混合ガスとその流量は
四塩化炭素５０〜１００ｓｃｃｍ、塩素３０〜５０ｓｃ
ｃｍ、酸素２０〜５０ｓｃｃｍ、クロロホルム３〜５ｓ
ｃｃｍである。カソード電極には１３．５６ＭＨｚ、２
００〜５００Ｗの高周波を高周波電源から供給する。エ
ッチング中の真空度は５〜５０Ｐａである。

【００２５】アルミ合金膜３の厚さ１μｍ、マスクであ
るシリコン酸化膜４の厚みが３００ｎｍのウエハをこの
条件下でドライエッチングすると、アルミ合金膜３をエ
ッチング、そして十分にオーバーエッチングしても酸化
膜は約１００ｎｍしかエッチングされず、アルミ合金３
との選択比が１０以上のマスクとして作用する。また、
高アスペクト比および高段差を有する所でも、マスクで
あるシリコン酸化膜は残存しており、配線パターンが形
成しているのが観測される。

【００２６】そして、配線の断面を走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）で観測すると、サイドエッチングのない寸法
シフトのない垂直形状の配線が得られる。これは、エッ
チング中にアルミ合金３の配線の表面が酸素プラズマに
より選択比が１０以上のアルミナを形成し、十分に側壁
保護がなされていることを示している。

【００２７】また、ドライエッチング終了後、この半導
体基板を大気中に２４時間以上暴露しておいても、配線
パターンにアフターコロージョンの発生が観察されな
い。これは、配線パターンの表面が酸化され、化学的に
不活性で安定なアルミナを形成しているためである。

【００２８】なお、マスクとして使用した酸化膜４は、
アルミ合金配線形成後に絶縁膜を堆積することを考えあ
わすと、除去の必要性はない。

【００２９】上記アルミ合金配線の形成方法において、
エッチングマスクとしてシリコン酸化膜を使用し、アル
ミ合金膜のエッチングガスとして塩素系ガスと酸素ガス
を含む混合ガスを使用することにより、寸法シフトのな
い垂直形状をもつアルミ合金の配線が形成される。

【００３０】第２の実施例は、第１の実施例での工程の
うち、アルミ合金膜のエッチングにおいて、酸素ガスの
流量をエッチングの進行とともに変化させるものであ
る。

【００３１】これを、具体的に説明する。図１（ｄ）に
示すように、アルミ合金膜３上に酸化膜パターン４を形
成した半導体基板１を、塩素系ガスを含む混合ガスでド
ライエッチングしたときのアルミ合金のプラズマに曝さ
れる表面積の変化を図２に示す。この表面積の変化は３
つの領域、エッチング時間と共に増加する領域（ａ）、
アルミ合金がちょうどエッチングされている領域
（ｂ）、オーバーエッチングの領域（ｃ）に分けられ
る。このエッチングされるべきアルミ合金の表面積の変
化と共に、酸素ガスの流量を連続的に、あるいは段階的
に変化させる。連続的な変化の一例を図３に、段階的な
変化の一例を図４に示す。

【００３２】アルミ合金１μｍ、マスクであるシリコン
酸化膜４の厚みが３００ｎｍのウエハをドライエッチン
グする。ここで用いられる混合ガスと流量は四塩化炭素
５０〜１００ｓｃｃｍ、塩素３０〜５０ｓｃｃｍ、クロ
ロホルム３〜５ｓｃｃｍおよび酸素である。酸素の流量
は領域（ａ）で４０ｓｃｃｍから５０ｓｃｃｍに、領域
（ｂ）では３０ｓｃｃｍ、領域（ｃ）では１５ｓｃｃｍ
に段階的に変化させる。カソード電極には１３．５６Ｍ
Ｈｚ、２００〜５００Ｗの高周波を高周波電源から供給
する。エッチング中の真空度は５〜５０Ｐａである。こ
の条件下でドライエッチングすると、アルミ合金は第１
の実施例と同様にエッチングマスクであるシリコン酸化
膜に対して高選択なエッチングがされており、配線パタ
ーンが形成しているのが観測される。そして、配線の断
面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観測すると、サイド
エッチングの入っていない垂直形状の配線が得られる。
また、ドライエッチング終了後、この半導体基板を大気
中に２４時間以上暴露しておいても、配線パターンにア
フターコロージョンの発生が観察されない。

【００３３】上記アルミ合金配線の形成方法において、
第１の実施例に加えて、アルミ合金膜のエッチングの進
行とともに酸素ガスの流量を変化させることにより、酸
素ガスの流量を低減できる。従って、経済的にアルミ合
金の配線が形成できる。

【００３４】第３の実施例は、第１の実施例での工程の
うち、アルミ合金膜のエッチングにおいて、塩素系のガ
スとして炭素原子を含まない塩素系ガスを使用するもの
である。

【００３５】これを、具体的に説明する。図１（ａ）〜
（ｃ）に示すように、アルミ合金膜３上にシリコン酸化
膜パターン４を形成する。次に、図１（ｄ）に示すよう
に、シリコン酸化膜パターン４をマスクとして、アルミ
合金膜３をＲ．Ｉ．Ｅ．法によりドライエッチングし、
配線パターンを形成させる。ここで、用いられる混合ガ
スとその流量は三塩化ホウ素５０〜１００ｓｃｃｍ、塩
素３０〜５０ｓｃｃｍ、酸素２０〜５０ｓｃｃｍであ
る。カソード電極には１３．５６ＭＨｚ、２００〜５０
０Ｗの高周波を高周波電源から供給する。エッチング中
の真空度は５〜５０Ｐａである。

【００３６】アルミ合金１μｍ、マスクであるシリコン
酸化膜４の厚みが３００ｎｍのウエハをこの条件下でド
ライエッチングすると、第１の実施例と同様に、シリコ
ン酸化膜との選択比が１０以上得られ、サイドエッチン
グの入っていない垂直形状の配線断面が得られる。また
ドライエッチング終了後、この半導体基板を大気中に２
４時間以上暴露しておいても、配線パターンにアフター
コロージョンの発生が観察されない。

【００３７】また、従来方法であるレジストマスクを用
い、エッチングガスとして炭素原子を含むガスを使用す
ると、チャンバー内部には炭素を含む反応生成物に代表
されるデポ物が多量に付着するが、第３の実施例の方法
によれば、半導体基板の処理枚数を増加していっても、
チャンバー内にほとんどデポ物が付着しない。従って、
半導体基板に付着するパーティクルを測定しても、処理
枚数が増加しても、非常に低いパーティクルレベルが維
持できる。しかも、チャンバー内にデポ物が付着しない
ので、常に同じエッチングレート、均一性のもとでエッ
チングができる。これは、従来のレジストマスクに代え
てシリコン酸化膜をマスクとして使用すること、従来の
カーボン系の側壁保護用のガスを使用しないことから、
デポ物の主原因である炭素原子を含む物質を用いずにエ
ッチングできることに起因する。

【００３８】上記アルミ合金配線の形成方法において、
第１の実施例に加えて、アルミ合金膜のエッチングガス
として炭素原子を含まないガスを使用することにより、
処理室の内部にデポ物が付着することを防止でき、発生
パーティクルの少ないクリーンな環境下で、アルミ合金
配線が形成できる。

【００３９】なお、実施例１〜３において、アルミ合金
膜のエッチングマスクとして使用したシリコン酸化膜の
代わりに、ＣＶＤ法によるシリコン窒化膜を使用しても
同様な効果が得られる。また形成方法のＣＶＤ法の代わ
りにスパッタリング法を使用しても同様な効果が得られ
る。

【００４０】また、実施例１〜３において、塩素系ガス
と酸素ガスを含む混合ガスを使用する代わりに、図５に
エッチング経過時間とガス流量の関係の一例を示すが、
塩素系ガスを含むガスによるドライエッチングと酸素ガ
スを含むガスによるドライエッチングを交互に複数回繰
り返すことによっても同様な効果が得られる。

【００４１】また、実施例１〜３において、アルミ合金
膜の代わりに、アルミニウム単層膜を用いても、同様な
効果が得られる。

【００４２】また、実施例１〜２において、四塩化炭素
と塩素の代わりに、塩素、四塩化炭素、三塩化ホウ素、
四塩化硅素、塩化水素、クロロホルムのうち少なくとも
１種類以上のガスを使用しても同様な効果が得られる。
実施例３において、三塩化ホウ素と塩素の代わりに、塩
素、三塩化ホウ素、四塩化硅素、塩化水素のうち少なく
とも１種類以上のガスを使用しても同様な効果が得られ
る。

【００４３】

【発明の効果】以上のように本発明は、従来アルミ合金
のエッチングマスクとしてレジストを使用するとアルミ
合金に対する選択比が１．５〜３程度であるが、シリコ
ン酸化膜あるいはシリコン窒化膜をエッチングマスクと
して用いると選択比が１０以上となり、高アスペクト比
および高段差を有するアルミ合金配線パターンを形成す
ることができる。

【００４４】また、アルミ合金の表面を酸素プラズマ中
で酸化しながら塩素系のプラズマでエッチングするの
で、従来のカーボン系によるアルミ合金配線の側壁保護
と比較して、アルミ合金に対する選択比が１０以上であ
るアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）により側壁を保護するので、よ
り異方的なエッチングができる。また、エッチング終了
時には、アルミ合金配線の表面が十分に酸化され、化学
的に不活性で安定なＡｌ ₂Ｏ₃を形成しているので、アル
ミ合金の表面に塩素ガスおよび塩素系生成物が付着もし
くは吸着し、大気中に放置しても、アフターコロージョ
ンは発生しない。そして、酸素ガスの流量をエッチング
の進行とともに変化させることにより、経済的にアルミ
合金配線パターンを形成することができる。

【００４５】また、エッチングガスとして炭素を含まな
いガスを使用し、エッチングマスクとしてレジストを使
用しないので、チャンバー内へのデポも少なく、カーボ
ンレスで発生パーティクルの少ないクリーンなエッチン
グができる。従って、デバイスの歩留りの向上、および
装置のメンテナンス時間の低減によるスループットの向
上ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例におけるアルミ合金配線
の形成方法の半導体基板の断面図

【図２】本発明の第２の実施例におけるアルミ合金膜エ
ッチング時のアルミ合金膜の表面積の変化を示す図

【図３】本発明の第２の実施例におけるアルミ合金膜エ
ッチング時の連続的な酸素ガス流量の変化を示す図

【図４】本発明の第２の実施例におけるアルミ合金膜エ
ッチング時の段階的な酸素ガス流量の変化を示す図

【図５】本発明の実施例におけるアルミ合金膜エッチン
グ時のエッチング経過時間とガス流量の関係を示す図

【図６】アルミ合金配線の形成におけるアスペクト比・
段差を示す図

【図７】従来のアルミ合金配線の形成方法における半導
体基板の断面図

【図８】従来のアルミ合金配線の形成方法における配線
の断面形状の図

【符号の説明】

１半導体基板２ＢＰＳＧ膜３アルミ合金膜４シリコン酸化膜５レジスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜をエ
ッチングマスクにして、塩素系のガスおよび酸素ガスを
含むガスでアルミ合金膜をドライエッチングすることを
特徴とするアルミ合金配線の形成方法。
【請求項２】シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜をエ
ッチングマスクにして、塩素系のガスを含むガスでのド
ライエッチングと酸素ガスを含むガスでのドライエッチ
ングを交互に行ないアルミ合金膜をドライエッチングす
ることを特徴とするアルミ合金配線の形成方法。
【請求項３】酸素ガスの量をエッチングの進行とともに
連続的、または段階的に変化させることを特徴とする請
求項１または２記載のアルミ合金配線の形成方法。
【請求項４】塩素系のガスが炭素原子を含まないガスで
あることを特徴とする請求項１または２記載のアルミ合
金配線の形成方法。
【請求項５】塩素系のガスがＣｌ₂、ＣＣｌ₄、ＢＣ
ｌ₃、ＳｉＣｌ₄、ＨＣｌ、ＣＨＣｌ₃のうち、少なくと
も１種類以上であることを特徴とする請求項１または２
記載のアルミ合金配線の形成方法。
【請求項６】炭素原子を含まない塩素系のガスがＣ
ｌ₂、ＢＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄、ＨＣｌのうち、少なくとも
１種類以上であることを特徴とする請求項４記載のアル
ミ合金配線の形成方法。