JPH07201846A - Ｃｖｄ酸化膜の界面酸化方法 - Google Patents
Ｃｖｄ酸化膜の界面酸化方法Info
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- JPH07201846A JPH07201846A JP35095393A JP35095393A JPH07201846A JP H07201846 A JPH07201846 A JP H07201846A JP 35095393 A JP35095393 A JP 35095393A JP 35095393 A JP35095393 A JP 35095393A JP H07201846 A JPH07201846 A JP H07201846A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、界面準位の低減とトラップの低減
を行って、酸化膜の電気的品質の向上を図る。 【構成】 ＣＶＤ法によって基板１１上に酸化膜１２を
形成した後、少なくとも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲
気中で基板１１と酸化膜１２との界面近傍を再酸化し
て、界面準位が低くトラップの少ない再酸化膜１３を形
成する。この再酸化処理に用いる酸化窒素ガスは、一酸
化一窒素ガス、一酸化二窒素ガス、二酸化窒素ガスおよ
び三酸化二窒素ガスのうちの１種または複数種からな
る。再酸化処理は８００℃以上１１５０℃以下の温度で
行う。また同一処理室内で、ＣＶＤ法による酸化膜の成
膜と再酸化処理とを連続して行ってもよい。
を行って、酸化膜の電気的品質の向上を図る。 【構成】 ＣＶＤ法によって基板１１上に酸化膜１２を
形成した後、少なくとも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲
気中で基板１１と酸化膜１２との界面近傍を再酸化し
て、界面準位が低くトラップの少ない再酸化膜１３を形
成する。この再酸化処理に用いる酸化窒素ガスは、一酸
化一窒素ガス、一酸化二窒素ガス、二酸化窒素ガスおよ
び三酸化二窒素ガスのうちの１種または複数種からな
る。再酸化処理は８００℃以上１１５０℃以下の温度で
行う。また同一処理室内で、ＣＶＤ法による酸化膜の成
膜と再酸化処理とを連続して行ってもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に用いるＣ
ＶＤ酸化膜の界面酸化方法に関するものである。
ＶＤ酸化膜の界面酸化方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造プロセスにおいて、Ｃ
ＶＤ法によって酸化膜を形成した後、乾燥酸素（Ｏ2 ）
雰囲気中での熱酸化によって上記酸化膜の界面近傍を再
酸化していた。
ＶＤ法によって酸化膜を形成した後、乾燥酸素（Ｏ2 ）
雰囲気中での熱酸化によって上記酸化膜の界面近傍を再
酸化していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法では、界面準位を低減することはできるが、酸化膜中
のトラップを低減する効果は小さい。上記トラップは当
該酸化膜中に含まれる水素に起因している。このため、
酸素ガス雰囲気中では水素の離脱効果が小さいので、ト
ラップを低減する効果は小さくなる。特に、リンを不純
物として導入した多結晶シリコン上に形成したＣＶＤ酸
化膜を、乾燥酸素ガス雰囲気中で再酸化した場合には、
酸素による酸化速度が速いので多結晶シリコンの結晶粒
界にリンが析出する。これがトラップの原因になる。し
たがって、酸化膜は電気的品質が悪いものになる。
法では、界面準位を低減することはできるが、酸化膜中
のトラップを低減する効果は小さい。上記トラップは当
該酸化膜中に含まれる水素に起因している。このため、
酸素ガス雰囲気中では水素の離脱効果が小さいので、ト
ラップを低減する効果は小さくなる。特に、リンを不純
物として導入した多結晶シリコン上に形成したＣＶＤ酸
化膜を、乾燥酸素ガス雰囲気中で再酸化した場合には、
酸素による酸化速度が速いので多結晶シリコンの結晶粒
界にリンが析出する。これがトラップの原因になる。し
たがって、酸化膜は電気的品質が悪いものになる。
【０００４】本発明は、界面準位を低減するとともにト
ラップを低減することによって電気的品質に優れたＣＶ
Ｄ酸化膜の界面酸化方法を提供することを目的とする。
ラップを低減することによって電気的品質に優れたＣＶ
Ｄ酸化膜の界面酸化方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたＣＶＤ酸化膜の界面酸化方法であ
る。すなわち、ＣＶＤ法によって基板上に酸化膜を形成
した後、少なくとも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中
で基板と酸化膜との界面近傍を再酸化する。
成するためになされたＣＶＤ酸化膜の界面酸化方法であ
る。すなわち、ＣＶＤ法によって基板上に酸化膜を形成
した後、少なくとも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中
で基板と酸化膜との界面近傍を再酸化する。
【０００６】上記再酸化処理に用いる酸化窒素ガスは、
一酸化一窒素ガス、一酸化二窒素ガス、二酸化窒素ガス
および三酸化二窒素ガスのうちの１種または複数種から
なる。
一酸化一窒素ガス、一酸化二窒素ガス、二酸化窒素ガス
および三酸化二窒素ガスのうちの１種または複数種から
なる。
【０００７】また上記再酸化処理の処理温度は、８００
℃以上１１５０℃以下に設定される。
℃以上１１５０℃以下に設定される。
【０００８】また、上記ＣＶＤ法を高温酸化ＣＶＤ法で
行うことによって基板上に酸化膜を形成した後、この高
温酸化ＣＶＤ法によって酸化膜を形成した同一処理室内
で、少なくとも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中で基
板と酸化膜との界面近傍の再酸化処理を行う。
行うことによって基板上に酸化膜を形成した後、この高
温酸化ＣＶＤ法によって酸化膜を形成した同一処理室内
で、少なくとも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中で基
板と酸化膜との界面近傍の再酸化処理を行う。
【０００９】
【作用】上記ＣＶＤ酸化膜の界面酸化方法では、少なく
とも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中で基板と酸化膜
との界面近傍を再酸化することから、界面準位が低減さ
れる。それとともに、酸化膜中の水素が離脱されるの
で、チャージトラップが低減される。このとき、酸化膜
中のダングリングボンドが窒素原子に置き換えられる。
とも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中で基板と酸化膜
との界面近傍を再酸化することから、界面準位が低減さ
れる。それとともに、酸化膜中の水素が離脱されるの
で、チャージトラップが低減される。このとき、酸化膜
中のダングリングボンドが窒素原子に置き換えられる。
【００１０】上記酸化窒素ガスに、一酸化一窒素ガス、
一酸化二窒素ガス、二酸化窒素ガスおよび三酸化二窒素
ガスのうちの１種または複数種からなるものを用いるこ
とから、再酸化処理雰囲気中では、酸素と窒素とに分解
して、酸素は酸化作用に働き、窒素は水素の離脱効果の
促進に働く。
一酸化二窒素ガス、二酸化窒素ガスおよび三酸化二窒素
ガスのうちの１種または複数種からなるものを用いるこ
とから、再酸化処理雰囲気中では、酸素と窒素とに分解
して、酸素は酸化作用に働き、窒素は水素の離脱効果の
促進に働く。
【００１１】また上記再酸化処理は、８００℃以上１１
５０℃以下の温度雰囲気中で行うことから、再酸化が促
進され、トラップが低減される。一方、８００℃よりも
低い温度で再酸化処理を行った場合には界面近傍での再
酸化反応はほとんど起こらない。また、１１５０℃以上
で再酸化処理を行った場合には、通常、基板として用い
るシリコン基板が軟化または溶融する。
５０℃以下の温度雰囲気中で行うことから、再酸化が促
進され、トラップが低減される。一方、８００℃よりも
低い温度で再酸化処理を行った場合には界面近傍での再
酸化反応はほとんど起こらない。また、１１５０℃以上
で再酸化処理を行った場合には、通常、基板として用い
るシリコン基板が軟化または溶融する。
【００１２】また、高温酸化ＣＶＤ法によって酸化膜を
形成した同一処理室内で基板と酸化膜との界面近傍の再
酸化処理を行うことから、ＣＶＤ法による酸化膜の成膜
工程と再酸化処理工程とを連続して行えるので、処理時
間が短縮される。
形成した同一処理室内で基板と酸化膜との界面近傍の再
酸化処理を行うことから、ＣＶＤ法による酸化膜の成膜
工程と再酸化処理工程とを連続して行えるので、処理時
間が短縮される。
【００１３】
【実施例】本発明における実施例を図１の酸化方法の工
程図によって説明する。
程図によって説明する。
【００１４】図１の（１）に示すように、ＣＶＤ法によ
って、基板１１上に酸化膜１２を形成する。上記基板１
１は、単結晶シリコン基板あるいは多結晶シリコン基板
である。または表層が単結晶シリコン層あるいは多結晶
シリコン層で形成されている基板であってもよい。また
上記酸化膜は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜からなる。
って、基板１１上に酸化膜１２を形成する。上記基板１
１は、単結晶シリコン基板あるいは多結晶シリコン基板
である。または表層が単結晶シリコン層あるいは多結晶
シリコン層で形成されている基板であってもよい。また
上記酸化膜は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜からなる。
【００１５】次いで図１の（２）に示すように、少なく
とも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中で基板１１と酸
化膜１２との界面近傍を再酸化処理する。このときの再
酸化処理雰囲気は一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）ガスからな
る。または、この再酸化処理雰囲気のガスには、一酸化
一窒素（ＮＯ）ガス、一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）ガス、二
酸化窒素（ＮＯ2 ）ガスおよび三酸化二窒素（Ｎ
2 Ｏ3 ）ガスのうちの１種または複数種からなるものを
用いる。または、上記酸化窒素ガスと不活性ガス〔例え
ばヘリウム（Ｈｅ），アルゴン（Ａｒ）等〕とを混合し
たもの、あるいは上記酸化窒素ガスと窒素（Ｎ2 ）ガス
とを混合したものを用いてもよい。
とも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中で基板１１と酸
化膜１２との界面近傍を再酸化処理する。このときの再
酸化処理雰囲気は一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）ガスからな
る。または、この再酸化処理雰囲気のガスには、一酸化
一窒素（ＮＯ）ガス、一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）ガス、二
酸化窒素（ＮＯ2 ）ガスおよび三酸化二窒素（Ｎ
2 Ｏ3 ）ガスのうちの１種または複数種からなるものを
用いる。または、上記酸化窒素ガスと不活性ガス〔例え
ばヘリウム（Ｈｅ），アルゴン（Ａｒ）等〕とを混合し
たもの、あるいは上記酸化窒素ガスと窒素（Ｎ2 ）ガス
とを混合したものを用いてもよい。
【００１６】そして再酸化処理の処理温度を、８００℃
以上１１５０℃以下の温度範囲内の所定の温度に設定す
る。望ましくは、１０００℃程度に設定する。
以上１１５０℃以下の温度範囲内の所定の温度に設定す
る。望ましくは、１０００℃程度に設定する。
【００１７】上記のような処理雰囲気中で再酸化処理を
行うと、酸化膜１２中から水素２１が離脱する。それと
ともに、ダングリングボンド（図示せず）が、例えば再
酸化雰囲気中の窒素原子（図示せず）に置き換わる。
行うと、酸化膜１２中から水素２１が離脱する。それと
ともに、ダングリングボンド（図示せず）が、例えば再
酸化雰囲気中の窒素原子（図示せず）に置き換わる。
【００１８】その後図１の（３）に示すように、上記酸
化膜（１２）を、熱酸化法で形成したものとほぼ同等の
界面準位を有する再酸化膜１３に改質する。
化膜（１２）を、熱酸化法で形成したものとほぼ同等の
界面準位を有する再酸化膜１３に改質する。
【００１９】上記ＣＶＤ酸化膜の界面酸化方法では、少
なくとも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中で基板１１
と酸化膜１２との界面近傍を再酸化することから、界面
準位が低減される。それとともに、酸化膜１２中の水素
２１が離脱され、ダングリングボンドが窒素原子に置き
換えられるので、チャージトラップが低減される。
なくとも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中で基板１１
と酸化膜１２との界面近傍を再酸化することから、界面
準位が低減される。それとともに、酸化膜１２中の水素
２１が離脱され、ダングリングボンドが窒素原子に置き
換えられるので、チャージトラップが低減される。
【００２０】また再酸化処理雰囲気のガスに、上記のよ
うな酸化窒素ガス、当該酸化窒素ガスに不活性ガスを混
合したものまたは当該酸化窒素ガスに窒素ガスを混合し
たものを用いることから、再酸化処理雰囲気中では、酸
化窒素ガスが酸素と窒素とに分解して、当該酸素は酸化
作用に働き、当該窒素は水素の離脱効果の促進に働く。
うな酸化窒素ガス、当該酸化窒素ガスに不活性ガスを混
合したものまたは当該酸化窒素ガスに窒素ガスを混合し
たものを用いることから、再酸化処理雰囲気中では、酸
化窒素ガスが酸素と窒素とに分解して、当該酸素は酸化
作用に働き、当該窒素は水素の離脱効果の促進に働く。
【００２１】さらに再酸化処理を８００℃以上１１５０
℃以下の温度雰囲気中で行うことから、再酸化が促進さ
れ、トラップが低減される。一方、８００℃よりも低い
温度で再酸化処理を行った場合には界面近傍での再酸化
反応は起こらない。また、１１５０℃以上で再酸化処理
を行った場合には、通常、基板として用いるシリコン基
板が軟化または溶融する。
℃以下の温度雰囲気中で行うことから、再酸化が促進さ
れ、トラップが低減される。一方、８００℃よりも低い
温度で再酸化処理を行った場合には界面近傍での再酸化
反応は起こらない。また、１１５０℃以上で再酸化処理
を行った場合には、通常、基板として用いるシリコン基
板が軟化または溶融する。
【００２２】また、上記酸化膜１２の成膜を、例えばシ
ラン（ＳｉＨ4 ）ガスと一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）ガスと
を用いた高温酸化〔ＨＴＯ（High Temperature Oxid
e）〕ＣＶＤ法によって行う。その後上記酸化膜１２を
形成した同一処理室内で連続して、上記説明したのと同
様の再酸化処理を行う。その条件は上記説明したのと同
様の条件に設定する。そして、基板１１と酸化膜１２と
の界面近傍を再酸化処理して、界面準位が低い再酸化膜
１３を形成する。
ラン（ＳｉＨ4 ）ガスと一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）ガスと
を用いた高温酸化〔ＨＴＯ（High Temperature Oxid
e）〕ＣＶＤ法によって行う。その後上記酸化膜１２を
形成した同一処理室内で連続して、上記説明したのと同
様の再酸化処理を行う。その条件は上記説明したのと同
様の条件に設定する。そして、基板１１と酸化膜１２と
の界面近傍を再酸化処理して、界面準位が低い再酸化膜
１３を形成する。
【００２３】このように、高温酸化ＣＶＤ法によって酸
化膜１２を形成した同一処理室内で基板１１と酸化膜１
２との界面近傍の再酸化処理を行うことから、酸化膜１
２の成膜工程と再酸化処理工程とを連続して行える。こ
のため、処理時間が短縮される。
化膜１２を形成した同一処理室内で基板１１と酸化膜１
２との界面近傍の再酸化処理を行うことから、酸化膜１
２の成膜工程と再酸化処理工程とを連続して行える。こ
のため、処理時間が短縮される。
【００２４】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
少なくとも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中で基板と
酸化膜との界面近傍を再酸化するので、界面準位を低減
することができるとともに、酸化膜中の水素を離脱して
チャージトラップを低減することができる。したがっ
て、酸化膜の電気的品質の向上が図れる。
少なくとも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中で基板と
酸化膜との界面近傍を再酸化するので、界面準位を低減
することができるとともに、酸化膜中の水素を離脱して
チャージトラップを低減することができる。したがっ
て、酸化膜の電気的品質の向上が図れる。
【００２５】上記酸化窒素ガスに、一酸化一窒素ガス、
一酸化二窒素ガス、二酸化窒素ガスおよび三酸化二窒素
ガスのうちの１種または複数種からなるものを用いるの
で、再酸化処理雰囲気中に酸化窒素を分解した酸素原子
と窒素原子とを同時に存在させることができる。したが
って、酸化処理に用いる酸素原子とトラップの低減を図
る窒素原子とを容易に得ることができる。
一酸化二窒素ガス、二酸化窒素ガスおよび三酸化二窒素
ガスのうちの１種または複数種からなるものを用いるの
で、再酸化処理雰囲気中に酸化窒素を分解した酸素原子
と窒素原子とを同時に存在させることができる。したが
って、酸化処理に用いる酸素原子とトラップの低減を図
る窒素原子とを容易に得ることができる。
【００２６】また上記再酸化処理を８００℃以上１１５
０℃以下の処理温度で行うので、効率よく再酸化を行う
ことができるとともに、トラップの低減を図ることがで
きる。
０℃以下の処理温度で行うので、効率よく再酸化を行う
ことができるとともに、トラップの低減を図ることがで
きる。
【００２７】また、高温酸化ＣＶＤ法によって酸化膜を
形成した同一処理室内で再酸化処理を行うので、ＣＶＤ
法による酸化膜の成膜工程と再酸化処理工程とを連続し
て行うことができる。このため、処理時間を短縮するこ
とが可能になるので、スループットの向上を図ることが
できる。
形成した同一処理室内で再酸化処理を行うので、ＣＶＤ
法による酸化膜の成膜工程と再酸化処理工程とを連続し
て行うことができる。このため、処理時間を短縮するこ
とが可能になるので、スループットの向上を図ることが
できる。
【図１】本発明における実施例の酸化膜の形成工程図で
ある。
ある。
１１ 基板 １２ 酸化膜 １３ 再酸化膜
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣＶＤ法によって基板上に酸化膜を形成
した後、少なくとも酸化窒素ガスを含む酸化性雰囲気中
で基板と酸化膜との界面近傍を再酸化処理することを特
徴とするＣＶＤ酸化膜の界面酸化方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のＣＶＤ酸化膜の界面酸化
方法において、 前記酸化窒素ガスは、一酸化一窒素ガス、一酸化二窒素
ガス、二酸化窒素ガスおよび三酸化二窒素ガスのうちの
１種または複数種からなることを特徴とするＣＶＤ酸化
膜の界面酸化方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載のＣＶＤ酸
化膜の界面酸化方法において、 前記再酸化処理を８００℃以上１１５０℃以下の処理温
度で行うことを特徴とするＣＶＤ酸化膜の界面酸化方
法。 - 【請求項４】 請求項１，請求項２または請求項３記載
のＣＶＤ酸化膜の界面酸化方法において、 前記ＣＶＤ法を高温酸化ＣＶＤ法で行うことによって基
板上に酸化膜を形成した後、前記高温酸化ＣＶＤ法によ
って酸化膜を形成した同一処理室内で、少なくとも酸化
窒素ガスを含む酸化性雰囲気中で基板と酸化膜との界面
近傍を再酸化処理することを特徴とするＣＶＤ酸化膜の
界面酸化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35095393A JP3243915B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Ｃｖｄ酸化膜の界面酸化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35095393A JP3243915B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Ｃｖｄ酸化膜の界面酸化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201846A true JPH07201846A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3243915B2 JP3243915B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=18414037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35095393A Expired - Fee Related JP3243915B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Ｃｖｄ酸化膜の界面酸化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3243915B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005244176A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-08 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の酸化膜形成方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6809717B2 (en) | 1998-06-24 | 2004-10-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus, liquid crystal display apparatus and driving method for display apparatus |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP35095393A patent/JP3243915B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005244176A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-08 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の酸化膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3243915B2 (ja) | 2002-01-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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