JPH07201899A - 半導体素子の封止方法及び封止装置 - Google Patents
半導体素子の封止方法及び封止装置Info
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- JPH07201899A JPH07201899A JP5334540A JP33454093A JPH07201899A JP H07201899 A JPH07201899 A JP H07201899A JP 5334540 A JP5334540 A JP 5334540A JP 33454093 A JP33454093 A JP 33454093A JP H07201899 A JPH07201899 A JP H07201899A
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子の封止樹脂による封止において、
硬化した樹脂の一端側の形状を所定の形状とすることが
できる半導体素子の封止方法及び装置を提供する。 【構成】 リードフレーム１のアイランド２にＩＣ素子
４がダイボンディングされ、各リード３とＩＣ素子４と
がワイヤ５によりボンディングされて回路ブロック６が
形成される。この回路ブロック６が形成されたリードフ
レーム１の下面１ｂには平坦な上面７ａに剥離材がコー
トされたステンレス板７が配置され、このステンレス板
７の下方には電磁石８が配置される。リードフレーム１
は電磁石８に吸引されてステンレス板７に密着する。こ
の状態でＩＣ素子４の上からエポキシ樹脂９を注ぐとエ
ポキシ樹脂９はリードフレーム１の下面１ｂに付着する
ことなく硬化し、下面１ｂが平坦に保たれる。
硬化した樹脂の一端側の形状を所定の形状とすることが
できる半導体素子の封止方法及び装置を提供する。 【構成】 リードフレーム１のアイランド２にＩＣ素子
４がダイボンディングされ、各リード３とＩＣ素子４と
がワイヤ５によりボンディングされて回路ブロック６が
形成される。この回路ブロック６が形成されたリードフ
レーム１の下面１ｂには平坦な上面７ａに剥離材がコー
トされたステンレス板７が配置され、このステンレス板
７の下方には電磁石８が配置される。リードフレーム１
は電磁石８に吸引されてステンレス板７に密着する。こ
の状態でＩＣ素子４の上からエポキシ樹脂９を注ぐとエ
ポキシ樹脂９はリードフレーム１の下面１ｂに付着する
ことなく硬化し、下面１ｂが平坦に保たれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子をポッティン
グ等により封止する半導体素子の封止方法及び封止装置
に関するものである。
グ等により封止する半導体素子の封止方法及び封止装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣカードに内蔵されるＩＣ素子
は、モジュールの形でカードにセットされるものが例え
ば特開昭６４−７８８８８号に提案されている。このＩ
Ｃモジュールはガラスエポキシ樹脂等で形成された基板
にＩＣ素子を収容した状態で、ＩＣカードに装着するこ
とができるようになっている。この基板のＩＣ素子を収
容する内側には、ＩＣ素子と接続するためのボンディン
グ端子が設けられており、一方、基板の外側にはＩＣカ
ード本体と接続するための外部端子が設けられている。
従って、リードフレーム上にダイボンディングされるＩ
Ｃ素子の場合は、基板内部においてリードをボンディン
グ端子に接続するようになっている。
は、モジュールの形でカードにセットされるものが例え
ば特開昭６４−７８８８８号に提案されている。このＩ
Ｃモジュールはガラスエポキシ樹脂等で形成された基板
にＩＣ素子を収容した状態で、ＩＣカードに装着するこ
とができるようになっている。この基板のＩＣ素子を収
容する内側には、ＩＣ素子と接続するためのボンディン
グ端子が設けられており、一方、基板の外側にはＩＣカ
ード本体と接続するための外部端子が設けられている。
従って、リードフレーム上にダイボンディングされるＩ
Ｃ素子の場合は、基板内部においてリードをボンディン
グ端子に接続するようになっている。
【０００３】このＩＣ素子及びリードフレームからなる
回路ブロックは以下のように封止されている。先ず、図
５に示すように、ＩＣ素子２１をリードフレーム２２の
アイランド２３に導電性接着剤等によりダイボンディン
グした後、ワイヤ２４によりＩＣ素子２１と各リード２
５とをボンディングする。このＩＣ素子２１、アイラン
ド２３及びワイヤ２４等からなる回路ブロック２６の下
面２２ａには、ポリイミドのフィルム２７が添着されて
いる。この状態で回路ブロック２６がエポキシ樹脂２８
のポッティングにより封止される。
回路ブロックは以下のように封止されている。先ず、図
５に示すように、ＩＣ素子２１をリードフレーム２２の
アイランド２３に導電性接着剤等によりダイボンディン
グした後、ワイヤ２４によりＩＣ素子２１と各リード２
５とをボンディングする。このＩＣ素子２１、アイラン
ド２３及びワイヤ２４等からなる回路ブロック２６の下
面２２ａには、ポリイミドのフィルム２７が添着されて
いる。この状態で回路ブロック２６がエポキシ樹脂２８
のポッティングにより封止される。
【０００４】尚、フィルム２７はポッティングの際、エ
ポキシ樹脂２８が下面２２ａに付着しないために添着さ
れている。すなわち、リードフレーム２２の下面２２ａ
はモジュールのボンディング端子と接触して導通するた
めのコンタクト端子となっている。従って、エポキシ樹
脂２８が下面２２ａに付着すると基板のボンディング端
子と接触できず、導通が阻害されるからである。
ポキシ樹脂２８が下面２２ａに付着しないために添着さ
れている。すなわち、リードフレーム２２の下面２２ａ
はモジュールのボンディング端子と接触して導通するた
めのコンタクト端子となっている。従って、エポキシ樹
脂２８が下面２２ａに付着すると基板のボンディング端
子と接触できず、導通が阻害されるからである。
【０００５】さらに、エポキシ樹脂２８がリードフレー
ム２２とポリイミドフィルム２７との間へ進入すること
を防ぐために、矢印で示す部分でリードフレーム２２を
加圧して、リードフレーム２２にポリイミドフィルム２
７を密接させた状態でエポキシ樹脂２６をポッティング
するようにしている。尚、回路ブロック２６部分には、
その信頼性を確保するため、加圧をしないようにしてい
る。エポキシ樹脂２８が硬化した後、ポリイミドフィル
ム２７が取り除かれて封止が完了する。
ム２２とポリイミドフィルム２７との間へ進入すること
を防ぐために、矢印で示す部分でリードフレーム２２を
加圧して、リードフレーム２２にポリイミドフィルム２
７を密接させた状態でエポキシ樹脂２６をポッティング
するようにしている。尚、回路ブロック２６部分には、
その信頼性を確保するため、加圧をしないようにしてい
る。エポキシ樹脂２８が硬化した後、ポリイミドフィル
ム２７が取り除かれて封止が完了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
ＩＣ素子２１から離れた位置に加えられた加圧力はアイ
ランド２３側には有効に作用しないため、このアイラン
ド２３とポリイミドフィルム２７との間に隙間が生じて
いた。そして、この隙間にエポキシ樹脂２６が入ってし
まっていた。この結果、リード２５やアイランド２３下
面に樹脂２６が付着し、ＩＣ素子２１とモジュール側基
板との接続が不良となってしまうという問題があった。
ＩＣ素子２１から離れた位置に加えられた加圧力はアイ
ランド２３側には有効に作用しないため、このアイラン
ド２３とポリイミドフィルム２７との間に隙間が生じて
いた。そして、この隙間にエポキシ樹脂２６が入ってし
まっていた。この結果、リード２５やアイランド２３下
面に樹脂２６が付着し、ＩＣ素子２１とモジュール側基
板との接続が不良となってしまうという問題があった。
【０００７】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は半導体素子の封止樹脂に
よる封止において、硬化した樹脂の一端側の形状を所定
の形状とすることができる半導体素子の封止方法及び装
置を提供することにある。
れたものであって、その目的は半導体素子の封止樹脂に
よる封止において、硬化した樹脂の一端側の形状を所定
の形状とすることができる半導体素子の封止方法及び装
置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、リード部材にボンディン
グされた半導体素子を封止材料にて封止する半導体素子
の封止方法において、受治具に形成された受け面に支持
される前記半導体素子及び前記リード部材からなる回路
ブロックを、磁石により受治具の受け面に密着保持した
状態で前記封止材料による回路ブロックの封止を行うこ
とをその要旨とする。
め、請求項１に記載の発明は、リード部材にボンディン
グされた半導体素子を封止材料にて封止する半導体素子
の封止方法において、受治具に形成された受け面に支持
される前記半導体素子及び前記リード部材からなる回路
ブロックを、磁石により受治具の受け面に密着保持した
状態で前記封止材料による回路ブロックの封止を行うこ
とをその要旨とする。
【０００９】前記リード部材はニッケル系リードフレー
ムとすることが好ましい。又、請求項３に記載の発明
は、リード部材にボンディングされた半導体素子を封止
材料にて封止する半導体素子の封止装置において、前記
半導体素子及び前記リード部材からなる回路ブロックを
支持するための受け面を有する受治具と、前記回路ブロ
ックを受け面に密着保持する磁石とを備えたことをその
要旨とする。
ムとすることが好ましい。又、請求項３に記載の発明
は、リード部材にボンディングされた半導体素子を封止
材料にて封止する半導体素子の封止装置において、前記
半導体素子及び前記リード部材からなる回路ブロックを
支持するための受け面を有する受治具と、前記回路ブロ
ックを受け面に密着保持する磁石とを備えたことをその
要旨とする。
【００１０】
【作用】従って、請求項１に記載の発明によれば、受治
具の受け面に半導体素子及びリード部材からなる回路ブ
ロックを支持し、磁石により受け面に密着保持した状態
で封止材料による封止を行う。この結果、封止材料が受
け面側において受け面に規制された状態で硬化するとと
もに回路ブロックが封止される。
具の受け面に半導体素子及びリード部材からなる回路ブ
ロックを支持し、磁石により受け面に密着保持した状態
で封止材料による封止を行う。この結果、封止材料が受
け面側において受け面に規制された状態で硬化するとと
もに回路ブロックが封止される。
【００１１】又、請求項２に記載の発明によれば、ニッ
ケル系リードフレーム全体が受治具に密着保持されるた
め、リードフレームの密着面に封止材料が付着しない。
又、請求項３に記載の発明によれば、受治具の受け面に
半導体素子及びリード部材からなる回路ブロックを支持
し、磁石により受け面に密着保持した状態で封止材料に
よる封止を行う。この結果、封止材料が受け面側におい
て受け面に規制された状態で硬化するとともに回路ブロ
ックが封止される。
ケル系リードフレーム全体が受治具に密着保持されるた
め、リードフレームの密着面に封止材料が付着しない。
又、請求項３に記載の発明によれば、受治具の受け面に
半導体素子及びリード部材からなる回路ブロックを支持
し、磁石により受け面に密着保持した状態で封止材料に
よる封止を行う。この結果、封止材料が受け面側におい
て受け面に規制された状態で硬化するとともに回路ブロ
ックが封止される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明をＩＣカードのＩＣモジュール
に使用されるＩＣ素子の封止装置に具体化した一実施例
を図１〜３に従って説明する。
に使用されるＩＣ素子の封止装置に具体化した一実施例
を図１〜３に従って説明する。
【００１３】図２に示すように、コバール合金の薄板か
らなるリードフレーム１は、窓１ａが打ち抜かれてアイ
ランド２及び複数のリード３が形成されている。アイラ
ンド２の上には半導体素子としてのＩＣ素子４が導電性
樹脂によりダイボンディングされている。このＩＣ素子
４の図示しない各ボンディングパッドは各リード３にワ
イヤ５によりボンディングされている。リードフレーム
１の下面１ｂは、図示しない半導体モジュールを構成す
る基板の端子にＩＣ素子４を接続するためのコンタクト
端子となっている。本実施例では、ＩＣ素子４、アイラ
ンド２、リード３及びワイヤ５が一体化されたものを回
路ブロック６と称する。
らなるリードフレーム１は、窓１ａが打ち抜かれてアイ
ランド２及び複数のリード３が形成されている。アイラ
ンド２の上には半導体素子としてのＩＣ素子４が導電性
樹脂によりダイボンディングされている。このＩＣ素子
４の図示しない各ボンディングパッドは各リード３にワ
イヤ５によりボンディングされている。リードフレーム
１の下面１ｂは、図示しない半導体モジュールを構成す
る基板の端子にＩＣ素子４を接続するためのコンタクト
端子となっている。本実施例では、ＩＣ素子４、アイラ
ンド２、リード３及びワイヤ５が一体化されたものを回
路ブロック６と称する。
【００１４】本実施例の半導体素子の封止装置は、リー
ドフレーム１を載置する受治具としての平坦なステンレ
ス板７と、このステンレス板７の下面に配置される電磁
石８により構成されている。このステンレス板７の上面
７ａは平坦であって、剥離材がコートされている。一
方、電磁石８はステンレス板７を介してリードフレーム
１を吸引して、リードフレーム１全体を平坦なステンレ
ス板７の上面７ａに密着保持するようになっている。
ドフレーム１を載置する受治具としての平坦なステンレ
ス板７と、このステンレス板７の下面に配置される電磁
石８により構成されている。このステンレス板７の上面
７ａは平坦であって、剥離材がコートされている。一
方、電磁石８はステンレス板７を介してリードフレーム
１を吸引して、リードフレーム１全体を平坦なステンレ
ス板７の上面７ａに密着保持するようになっている。
【００１５】次に、上記のように構成された半導体素子
の封止装置の作用及び封止方法について述べる。ＩＣ素
子４がボンディングされたリードフレーム１をステンレ
ス板７の上面７ａに載置する。この時、リードフレーム
１の下面１ｂがステンレス板７の上面７ａに当接するよ
うに載置する。次に、電磁石８を作動する。
の封止装置の作用及び封止方法について述べる。ＩＣ素
子４がボンディングされたリードフレーム１をステンレ
ス板７の上面７ａに載置する。この時、リードフレーム
１の下面１ｂがステンレス板７の上面７ａに当接するよ
うに載置する。次に、電磁石８を作動する。
【００１６】この結果、コバール合金からなるリードフ
レーム１全体がステンレス板７を介してマグネット８に
吸引され、リードフレーム１は下面１ｂがステンレス板
７の上面７ａに密着して平坦な状態で保持される。
レーム１全体がステンレス板７を介してマグネット８に
吸引され、リードフレーム１は下面１ｂがステンレス板
７の上面７ａに密着して平坦な状態で保持される。
【００１７】そして、この状態でリードフレーム１の上
側から液体状の封止材料としてのエポキシ樹脂９を注入
する。エポキシ樹脂９はＩＣ素子４、ワイヤ５、リード
３、アイランド２を覆うとともに、窓１ａ内部に流れ込
む。リードフレーム１の下面１ｂはステンレス板７の上
面７ａに密着しているため、窓１ａに流れ込んだエポキ
シ樹脂６が下面１ｂに付着することはない。図１に示す
ように、この状態でエポキシ樹脂９が硬化すると、リー
ドフレーム１の下面１ｂにエポキシ樹脂９が付着するこ
となく回路ブロック６の封止が行われる。
側から液体状の封止材料としてのエポキシ樹脂９を注入
する。エポキシ樹脂９はＩＣ素子４、ワイヤ５、リード
３、アイランド２を覆うとともに、窓１ａ内部に流れ込
む。リードフレーム１の下面１ｂはステンレス板７の上
面７ａに密着しているため、窓１ａに流れ込んだエポキ
シ樹脂６が下面１ｂに付着することはない。図１に示す
ように、この状態でエポキシ樹脂９が硬化すると、リー
ドフレーム１の下面１ｂにエポキシ樹脂９が付着するこ
となく回路ブロック６の封止が行われる。
【００１８】従って、この回路ブロック６を半導体モジ
ュールの基板内に収納し、基板側の端子とリード３、又
はアイランド２と接続するにあたり、下面１ｂに付着し
たエポキシ樹脂９により接続が阻害されることがない。
エポキシ樹脂９が硬化した後、電磁石８の作動を停止
し、封止されたＩＣ素子４を含む回路ブロック６をステ
ンレス板７上から取り外すと、図３に示す封止された回
路ブロック６が完成する。
ュールの基板内に収納し、基板側の端子とリード３、又
はアイランド２と接続するにあたり、下面１ｂに付着し
たエポキシ樹脂９により接続が阻害されることがない。
エポキシ樹脂９が硬化した後、電磁石８の作動を停止
し、封止されたＩＣ素子４を含む回路ブロック６をステ
ンレス板７上から取り外すと、図３に示す封止された回
路ブロック６が完成する。
【００１９】以上詳述したように、本実施例の半導体素
子の封止方法及び封止装置によれば、回路ブロック６の
リードフレーム１全体が電磁石８に吸引されて下面１ｂ
全体がステンレス板７の上面７ａに密着する状態で保持
される。従って、エポキシ樹脂６が下面１ｂ側に進入し
て付着せず、リードフレーム１の下面１ｂが平坦に保た
れる。従って、ＩＣカードの半導体モジュールの基板に
接続する際に、下面１ｂに付着したエポキシ樹脂６が端
子とアイランド２、又は、リード３との接続を阻害する
ことがない。
子の封止方法及び封止装置によれば、回路ブロック６の
リードフレーム１全体が電磁石８に吸引されて下面１ｂ
全体がステンレス板７の上面７ａに密着する状態で保持
される。従って、エポキシ樹脂６が下面１ｂ側に進入し
て付着せず、リードフレーム１の下面１ｂが平坦に保た
れる。従って、ＩＣカードの半導体モジュールの基板に
接続する際に、下面１ｂに付着したエポキシ樹脂６が端
子とアイランド２、又は、リード３との接続を阻害する
ことがない。
【００２０】又、リードフレーム１の下面１ｂにエポキ
シ樹脂が付着せず、従来のように付着したエポキシ樹脂
を除去する必要がなくなるため、製造工程を簡略化して
ＩＣモジュールの生産コストを抑えることができる。
シ樹脂が付着せず、従来のように付着したエポキシ樹脂
を除去する必要がなくなるため、製造工程を簡略化して
ＩＣモジュールの生産コストを抑えることができる。
【００２１】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で例えば次のよ
うに構成することもできる。 （１） 上記実施例では、本発明の封止方法を半導体素
子がリードフレーム１上にダイボンディングされた回路
ブロックにおいてポッティングを行う場合について実施
した。これを、図４に示すように、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ
ＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）において、フィルム１
０のリードパターン１１にインナリード・ボンディング
された半導体素子１２を含む回路ブロックを樹脂１３に
より封止する際に実施してもよい。この場合、フィルム
１０上のリードパターン１１は薄いため、電磁石１４に
より十分吸引することができない。又、半導体素子１２
がフィルム１０の下面に出ているため、受治具１５の形
状は中央部に凹部１５ａが形成されたものとなる。そこ
で、フィルム１０を受治具１５に密着させるために、フ
ィルム１０の上に電磁石１４により吸引されるポッティ
ング枠１６を配置するようにする。この結果、回路ブロ
ック１７が受治具１５に密着保持される。そして、この
状態で樹脂１３による封止を行うことにより、ＴＣＰに
おいても回路ブロックの下方において封止樹脂を凹部１
５ａの形状に規制して寸法管理及び薄膜化を達成するこ
とができる。
ではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で例えば次のよ
うに構成することもできる。 （１） 上記実施例では、本発明の封止方法を半導体素
子がリードフレーム１上にダイボンディングされた回路
ブロックにおいてポッティングを行う場合について実施
した。これを、図４に示すように、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ
ＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）において、フィルム１
０のリードパターン１１にインナリード・ボンディング
された半導体素子１２を含む回路ブロックを樹脂１３に
より封止する際に実施してもよい。この場合、フィルム
１０上のリードパターン１１は薄いため、電磁石１４に
より十分吸引することができない。又、半導体素子１２
がフィルム１０の下面に出ているため、受治具１５の形
状は中央部に凹部１５ａが形成されたものとなる。そこ
で、フィルム１０を受治具１５に密着させるために、フ
ィルム１０の上に電磁石１４により吸引されるポッティ
ング枠１６を配置するようにする。この結果、回路ブロ
ック１７が受治具１５に密着保持される。そして、この
状態で樹脂１３による封止を行うことにより、ＴＣＰに
おいても回路ブロックの下方において封止樹脂を凹部１
５ａの形状に規制して寸法管理及び薄膜化を達成するこ
とができる。
【００２２】（２） 上記実施例では、ＩＣモジュール
に使用するためにリードフレーム１の下面１ｂ下方にエ
ポキシ樹脂９ブロックを設けない構造としたが、これを
（１）と同様にして、下面１ｂ側にもエポキシ樹脂９の
ブロックが形成されたパッケージ構造としてもよい。
に使用するためにリードフレーム１の下面１ｂ下方にエ
ポキシ樹脂９ブロックを設けない構造としたが、これを
（１）と同様にして、下面１ｂ側にもエポキシ樹脂９の
ブロックが形成されたパッケージ構造としてもよい。
【００２３】（３） ポッティング樹脂としてエポキシ
樹脂６を使用したが、この他、シリコン樹脂等他のポッ
ティング樹脂を使用してもよい。 （４） 回路ブロックの封止を液状粘稠性樹脂を使用す
るポッティングにより行ったが、固体状樹脂を使用して
行ってもよい。この場合、固体状樹脂を回路ブロック部
分に配置した後、加熱して溶解させることにより封止を
行う。この結果、封止樹脂の管理が容易となる。
樹脂６を使用したが、この他、シリコン樹脂等他のポッ
ティング樹脂を使用してもよい。 （４） 回路ブロックの封止を液状粘稠性樹脂を使用す
るポッティングにより行ったが、固体状樹脂を使用して
行ってもよい。この場合、固体状樹脂を回路ブロック部
分に配置した後、加熱して溶解させることにより封止を
行う。この結果、封止樹脂の管理が容易となる。
【００２４】（５） 回路ブロックの封止をポッティン
グにより行ったが、回路ブロック上部を覆う型を配置し
て、エポキシ樹脂等のインジェクションモールドにより
封止するようにしてもよい。
グにより行ったが、回路ブロック上部を覆う型を配置し
て、エポキシ樹脂等のインジェクションモールドにより
封止するようにしてもよい。
【００２５】（６） リードフレーム１の材質として
は、他の４２合金、４６合金等のニッケル系リードフレ
ームであってもよい。 （７） 電磁石８の代わりに永久磁石を用いてもよい。
は、他の４２合金、４６合金等のニッケル系リードフレ
ームであってもよい。 （７） 電磁石８の代わりに永久磁石を用いてもよい。
【００２６】（８） ステンレス板７の上面に剥離材を
コートする代わりに、リードフレーム１とステンレス板
７との間に剥離材を挟んで使用してもよい。又、剥離効
果を有する材料により受治具を作っても良い。
コートする代わりに、リードフレーム１とステンレス板
７との間に剥離材を挟んで使用してもよい。又、剥離効
果を有する材料により受治具を作っても良い。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、半
導体素子の封止樹脂による封止において、硬化した樹脂
の一端側の形状を所定の形状とすることができる優れた
効果を奏する。
導体素子の封止樹脂による封止において、硬化した樹脂
の一端側の形状を所定の形状とすることができる優れた
効果を奏する。
【図１】本発明を具体化した一実施例としての半導体素
子の封止装置を示す縦断面図である。
子の封止装置を示す縦断面図である。
【図２】回路ブロックを封止装置上に載置した状態を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図３】封止された回路ブロックの部分縦断面図であ
る。
る。
【図４】別例の回路ブロックの封止装置を示す縦断面図
である。
である。
【図５】従来例の回路ブロックの封止工程を示す縦断面
図である。
図である。
１…リードフレーム、４…半導体素子としてのＩＣ素
子、６…回路ブロック、７…受治具としてのステンレス
板、７ａ…上面、８…電磁石、９…封止材料としてのエ
ポキシ樹脂。
子、６…回路ブロック、７…受治具としてのステンレス
板、７ａ…上面、８…電磁石、９…封止材料としてのエ
ポキシ樹脂。
Claims (3)
- 【請求項１】 リード部材（１）にボンディングされた
半導体素子（４）を封止材料（９）にて封止する半導体
素子の封止方法において、 受治具（７）に形成された受け面（７ａ）に支持される
前記半導体素子（４）及び前記リード部材（３）からな
る回路ブロック（６）を、磁石（８）にて受治具（７）
に密着保持した状態で前記封止材料（９）による前記回
路ブロック（６）の封止を行うことを特徴とする半導体
素子の封止方法。 - 【請求項２】 前記リード部材（１）はニッケル系リー
ドフレームとしたことを特徴とする請求項１に記載の半
導体素子の封止方法。 - 【請求項３】 リード部材（１）にボンディングされた
半導体素子（４）を封止材料（９）にて封止する半導体
素子の封止装置において、 前記半導体素子（４）及び前記リード部材（３）からな
る回路ブロック（６）を支持するための受け面（７ａ）
を有する受治具（７）と、前記回路ブロック（６）を受
け面（７ａ）に密着保持する磁石（８）とを備えたこと
を特徴とする半導体素子の封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33454093A JP3390507B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体素子の封止方法及び封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33454093A JP3390507B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体素子の封止方法及び封止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201899A true JPH07201899A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3390507B2 JP3390507B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=18278558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33454093A Expired - Fee Related JP3390507B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体素子の封止方法及び封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3390507B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103730438A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-04-16 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 芯片封装件及其制造方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33454093A patent/JP3390507B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103730438A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-04-16 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 芯片封装件及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3390507B2 (ja) | 2003-03-24 |
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