JPH07201924A - ボンディングツール - Google Patents
ボンディングツールInfo
- Publication number
- JPH07201924A JPH07201924A JP5351604A JP35160493A JPH07201924A JP H07201924 A JPH07201924 A JP H07201924A JP 5351604 A JP5351604 A JP 5351604A JP 35160493 A JP35160493 A JP 35160493A JP H07201924 A JPH07201924 A JP H07201924A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head portion
- bonding tool
- semiconductor element
- pressure contact
- contact surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度実装に対応できるボンディングツール
を提供すること。 【構成】 このボンディングツール１は、半導体素子１
０から延出する複数本のリード１１と基板４上に設けら
れた配線パターン４１との接続部分に対応した圧接面２
１を備えているとともに圧接面２１を所定の温度に加熱
するためのヘッド部２と、このヘッド部２を保持すると
ともにヘッド部２の圧接面２１を接続部分に押圧するた
めの保持ブロック３とを備え、そのヘッド部２の側面２
２には噴出孔２３を形成し、ヘッド部２の内部には噴出
孔２３へＮ2 等の不活性ガスを導くための通路２４を設
けた構成である。
を提供すること。 【構成】 このボンディングツール１は、半導体素子１
０から延出する複数本のリード１１と基板４上に設けら
れた配線パターン４１との接続部分に対応した圧接面２
１を備えているとともに圧接面２１を所定の温度に加熱
するためのヘッド部２と、このヘッド部２を保持すると
ともにヘッド部２の圧接面２１を接続部分に押圧するた
めの保持ブロック３とを備え、そのヘッド部２の側面２
２には噴出孔２３を形成し、ヘッド部２の内部には噴出
孔２３へＮ2 等の不活性ガスを導くための通路２４を設
けた構成である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子から延出す
る複数本のリードを基板上の配線パターンに圧着するた
めのボンディングツールに関する。
る複数本のリードを基板上の配線パターンに圧着するた
めのボンディングツールに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の実装密度向上や電子機器の
薄型化の観点から近年ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）パッケージを用いた実装が盛
んに行われている。図６はＴＡＢパッケージを説明する
図であり、（ａ）〜（ｄ）の順にその製造工程を示した
ものである。
薄型化の観点から近年ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）パッケージを用いた実装が盛
んに行われている。図６はＴＡＢパッケージを説明する
図であり、（ａ）〜（ｄ）の順にその製造工程を示した
ものである。
【０００３】ＴＡＢパッケージを製造するには、先ず図
６（ａ）に示すインナーリードボンディング工程とし
て、銅箔等のリード１１が形成されたフィルムテープ５
に半導体素子１０を配置し、半導体素子１０の図示しな
い電極パッドとリード１１とをバンプ（図示せず）等を
介して接続する。次に、図６（ｂ）に示す切断工程とし
て、フィルムテープ５に実装された半導体素子１０の周
辺において外側に延出するリード１１部分の切断を行
う。
６（ａ）に示すインナーリードボンディング工程とし
て、銅箔等のリード１１が形成されたフィルムテープ５
に半導体素子１０を配置し、半導体素子１０の図示しな
い電極パッドとリード１１とをバンプ（図示せず）等を
介して接続する。次に、図６（ｂ）に示す切断工程とし
て、フィルムテープ５に実装された半導体素子１０の周
辺において外側に延出するリード１１部分の切断を行
う。
【０００４】次いで、図６（ｃ）に示すフォーミング工
程として、切断されたリード１１を所定の形状（例え
ば、ガルウイング型）に屈曲させ、リード１１の最下面
を半導体素子１０の下面よりも下にする。そして、図６
（ｄ）に示すフィルムテープ切断工程として、リード１
１の先端部分に貼り付けられているフィルムテープ（図
６（ｃ）参照）を切断し、ＴＡＢパッケージを完成させ
る。
程として、切断されたリード１１を所定の形状（例え
ば、ガルウイング型）に屈曲させ、リード１１の最下面
を半導体素子１０の下面よりも下にする。そして、図６
（ｄ）に示すフィルムテープ切断工程として、リード１
１の先端部分に貼り付けられているフィルムテープ（図
６（ｃ）参照）を切断し、ＴＡＢパッケージを完成させ
る。
【０００５】このようなＴＡＢパッケージから成る半導
体素子１０をプリント配線板等の基板へ実装するには、
ボンディングツールを用いた熱圧着により行っている。
図７は従来のボンディングツールを説明する図で、
（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。図７（ａ）に
示すようにボンディングツール１は、主として下面に圧
接面２１を備えるとともに圧接面２１を所定の温度に加
熱するためのヘッド部２と、このヘッド部２を保持する
ための保持ブロック３とから構成される。
体素子１０をプリント配線板等の基板へ実装するには、
ボンディングツールを用いた熱圧着により行っている。
図７は従来のボンディングツールを説明する図で、
（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。図７（ａ）に
示すようにボンディングツール１は、主として下面に圧
接面２１を備えるとともに圧接面２１を所定の温度に加
熱するためのヘッド部２と、このヘッド部２を保持する
ための保持ブロック３とから構成される。
【０００６】このボンディングツール１を用いて半導体
素子１０の実装を行うには、図７（ｂ）に示すように半
導体素子１０を基板４上に載置した状態で熱圧着する。
半導体素子１０を基板４上に載置するには、例えば、ボ
ンディングツール１に設けられた図示しない吸着ノズル
を用いて半導体素子１０を吸着保持し基板４上に移載す
る。この移載によって半導体素子１０のリード１１と基
板４に設けられた配線パターン４１とが接触する状態と
なり、この接触位置をボンディングツール１のヘッド部
２にて押圧する。
素子１０の実装を行うには、図７（ｂ）に示すように半
導体素子１０を基板４上に載置した状態で熱圧着する。
半導体素子１０を基板４上に載置するには、例えば、ボ
ンディングツール１に設けられた図示しない吸着ノズル
を用いて半導体素子１０を吸着保持し基板４上に移載す
る。この移載によって半導体素子１０のリード１１と基
板４に設けられた配線パターン４１とが接触する状態と
なり、この接触位置をボンディングツール１のヘッド部
２にて押圧する。
【０００７】ヘッド部２には図示しない加熱機構が設け
られており、リード１１を押圧する際に所定温度まで加
熱される。例えば、パルスヒート方式の加熱機構の場
合、ヘッド部２に瞬間的にパルス電流を流して加熱す
る。半導体素子１０のリード１１と基板４の配線パター
ン４１とを接続するには、ヘッド部２を加熱するととも
に圧接面２１にてリード１１と配線パターン４１との接
触位置を押圧することで熱圧着する。熱圧着が終了した
後にはヘッド部２に流していた電流を停止し、所定の温
度まで冷却した状態でボンディングツール１を引き離し
て接続を完了する。
られており、リード１１を押圧する際に所定温度まで加
熱される。例えば、パルスヒート方式の加熱機構の場
合、ヘッド部２に瞬間的にパルス電流を流して加熱す
る。半導体素子１０のリード１１と基板４の配線パター
ン４１とを接続するには、ヘッド部２を加熱するととも
に圧接面２１にてリード１１と配線パターン４１との接
触位置を押圧することで熱圧着する。熱圧着が終了した
後にはヘッド部２に流していた電流を停止し、所定の温
度まで冷却した状態でボンディングツール１を引き離し
て接続を完了する。
【０００８】しかし、このボンディングツール１を用い
た熱圧着においては、熱圧着後の冷却の際にヘッド部２
の側面が酸化するという問題が生じる。そこで、図８の
斜視図に示すように、ヘッド部２の外側に不活性ガスで
ある窒素（以下、Ｎ2 と言う。）を噴出するためのＮ2
ガス噴出機構６を備えたボンディングツール１がある。
Ｎ2 ガス噴出機構６は、パイプ６１から供給されるＮ2
をノズル６２を介して噴出孔６３からヘッド部２の側面
に噴出するようになっている。ヘッド部２の冷却の際に
このＮ2 ガス噴出機構６からＮ2 を噴出することでヘッ
ド部２の側面の酸化を防止するようにしている。
た熱圧着においては、熱圧着後の冷却の際にヘッド部２
の側面が酸化するという問題が生じる。そこで、図８の
斜視図に示すように、ヘッド部２の外側に不活性ガスで
ある窒素（以下、Ｎ2 と言う。）を噴出するためのＮ2
ガス噴出機構６を備えたボンディングツール１がある。
Ｎ2 ガス噴出機構６は、パイプ６１から供給されるＮ2
をノズル６２を介して噴出孔６３からヘッド部２の側面
に噴出するようになっている。ヘッド部２の冷却の際に
このＮ2 ガス噴出機構６からＮ2 を噴出することでヘッ
ド部２の側面の酸化を防止するようにしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなボンディングツールでは、基板上に半導体素子を熱
圧着する際、ヘッド部の外側に設けられたＮ2 ガス噴出
機構が基板上に隣接して配置された電子部品等と接触す
るという問題が生じる。特に、電子部品の高密度実装を
行う場合には、接続する半導体素子や電子部品との間隔
を狭くする必要があるり、このようなＮ2 ガス噴出機構
によって部品間隔が制限されてしまうと高密度実装の妨
げとなってしまう。よって、本発明は高密度実装に対応
できるボンディングツールを提供することを目的とす
る。
うなボンディングツールでは、基板上に半導体素子を熱
圧着する際、ヘッド部の外側に設けられたＮ2 ガス噴出
機構が基板上に隣接して配置された電子部品等と接触す
るという問題が生じる。特に、電子部品の高密度実装を
行う場合には、接続する半導体素子や電子部品との間隔
を狭くする必要があるり、このようなＮ2 ガス噴出機構
によって部品間隔が制限されてしまうと高密度実装の妨
げとなってしまう。よって、本発明は高密度実装に対応
できるボンディングツールを提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成されたボンディングツールであ
る。すなわち、このボンディングツールは、半導体素子
から延出する複数本のリードと基板上に設けられた配線
パターンとの接続部分に対応した圧接面を備えていると
ともに圧接面を所定の温度に加熱するためのヘッド部
と、このヘッド部を保持するとともにヘッド部の圧接面
を接続部分に押圧するための保持ブロックとを備え、そ
のヘッド部の側面には噴出孔を形成し、ヘッド部の内部
には噴出孔へ不活性ガスを導くための通路を設けて構成
したものである。
題を解決するために成されたボンディングツールであ
る。すなわち、このボンディングツールは、半導体素子
から延出する複数本のリードと基板上に設けられた配線
パターンとの接続部分に対応した圧接面を備えていると
ともに圧接面を所定の温度に加熱するためのヘッド部
と、このヘッド部を保持するとともにヘッド部の圧接面
を接続部分に押圧するための保持ブロックとを備え、そ
のヘッド部の側面には噴出孔を形成し、ヘッド部の内部
には噴出孔へ不活性ガスを導くための通路を設けて構成
したものである。
【００１１】
【作用】本発明のボンディングツールでは、不活性ガス
がヘッド部の内部に設けられた通路を通り、ヘッド部の
側面に設けられた噴出孔から噴出することになる。つま
り、ボンディングツール内に不活性ガスを噴出する機構
を備えた状態となっておりヘッド部の外側には何の機構
も存在しない構成となる。
がヘッド部の内部に設けられた通路を通り、ヘッド部の
側面に設けられた噴出孔から噴出することになる。つま
り、ボンディングツール内に不活性ガスを噴出する機構
を備えた状態となっておりヘッド部の外側には何の機構
も存在しない構成となる。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明のボンディングツールの実施
例を図に基づいて説明する。図１は本発明のボンディン
グツールを説明する図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断
面図である。また、図２〜図５は本発明のボンディング
ツールを用いた半導体素子の接続方法を工程順に説明す
る断面図である。
例を図に基づいて説明する。図１は本発明のボンディン
グツールを説明する図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断
面図である。また、図２〜図５は本発明のボンディング
ツールを用いた半導体素子の接続方法を工程順に説明す
る断面図である。
【００１３】図１（ａ）に示すように，本発明のボンデ
ィングツール１は、主として下面に圧接面２１を備えた
ヘッド部２と、このヘッド部２を保持するための保持ブ
ロック３とから構成されている。また、ヘッド部２の側
面２２にはＮ2 等の不活性ガスを噴出する噴出孔２３が
設けられ、さらにヘッド部２の内部にはＮ2 等の不活性
ガスを噴出孔２３へ導くための通路２４が設けられてい
る。通路２４は、例えばヘッド部２の上部から下方に向
けて開けられた連通孔から成るものであり、上部の開口
に取り付けられるパイプ２５からＮ2 等の不活性ガスが
供給される構造となっている。
ィングツール１は、主として下面に圧接面２１を備えた
ヘッド部２と、このヘッド部２を保持するための保持ブ
ロック３とから構成されている。また、ヘッド部２の側
面２２にはＮ2 等の不活性ガスを噴出する噴出孔２３が
設けられ、さらにヘッド部２の内部にはＮ2 等の不活性
ガスを噴出孔２３へ導くための通路２４が設けられてい
る。通路２４は、例えばヘッド部２の上部から下方に向
けて開けられた連通孔から成るものであり、上部の開口
に取り付けられるパイプ２５からＮ2 等の不活性ガスが
供給される構造となっている。
【００１４】図１（ｂ）に示すように、ボンディングツ
ール１を用いて基板４に接続される半導体素子１は例え
ばＴＡＢパッケージから成るものであり、図６に示す各
工程によって半導体素子１０から複数のリード１１が延
出した状態となっている。このような半導体素子１０を
基板４上に載置し、リード１１と配線パターン４１との
位置合わせを行った状態でボンディングツール１のヘッ
ド部２をリード１１部分に押圧することで配線パターン
４１とリード１１とを熱圧着している。
ール１を用いて基板４に接続される半導体素子１は例え
ばＴＡＢパッケージから成るものであり、図６に示す各
工程によって半導体素子１０から複数のリード１１が延
出した状態となっている。このような半導体素子１０を
基板４上に載置し、リード１１と配線パターン４１との
位置合わせを行った状態でボンディングツール１のヘッ
ド部２をリード１１部分に押圧することで配線パターン
４１とリード１１とを熱圧着している。
【００１５】例えば、パルスヒート方式から成るボンデ
ィングツール１の場合には、ヘッド部２として固有抵抗
値の高い金属材料を用いており、ヘッド部２自体に電流
を流すことによって瞬時に所定温度まで加熱できるよう
になっている。
ィングツール１の場合には、ヘッド部２として固有抵抗
値の高い金属材料を用いており、ヘッド部２自体に電流
を流すことによって瞬時に所定温度まで加熱できるよう
になっている。
【００１６】次に、本発明のボンディングツール１を用
いた半導体素子の接続方法を工程順に説明する。先ず、
図２に示すように、半導体素子１０を基板４上に載置し
て半導体素子１０のリード１１と基板４の配線パターン
４１との位置合わせを行う。半導体素子１０を載置する
には、例えばボンディングツール１に設けられた図示し
ない吸着ノズルを用いて半導体素子１０を吸着し、この
状態で所定の位置まで搬送して位置決めした後、吸着ノ
ズルによる吸着を解除することで半導体素子１０を基板
４上に載置する。なお、半導体素子１０を載置した状態
でボンディングツール１は半導体素子１０の上方に配置
されている。
いた半導体素子の接続方法を工程順に説明する。先ず、
図２に示すように、半導体素子１０を基板４上に載置し
て半導体素子１０のリード１１と基板４の配線パターン
４１との位置合わせを行う。半導体素子１０を載置する
には、例えばボンディングツール１に設けられた図示し
ない吸着ノズルを用いて半導体素子１０を吸着し、この
状態で所定の位置まで搬送して位置決めした後、吸着ノ
ズルによる吸着を解除することで半導体素子１０を基板
４上に載置する。なお、半導体素子１０を載置した状態
でボンディングツール１は半導体素子１０の上方に配置
されている。
【００１７】次に、図３に示すように、半導体素子１０
の上方に配置されたボンディングツール１を下降してヘ
ッド部２の圧接面２１によりリード１１と配線パターン
４１との接続部分を押圧する。この押圧とともにヘッド
部２に電流を流して所定温度に加熱し、リード１１と配
線パターン４１とを熱圧着する。このボンディングツー
ル１にて熱圧着を行う場合、ヘッド部２の外側に何の機
構も存在しないため、実装対象の半導体素子１０に隣接
して他の電子部品（図示せず）が配置されていても接続
の妨げになることがない。
の上方に配置されたボンディングツール１を下降してヘ
ッド部２の圧接面２１によりリード１１と配線パターン
４１との接続部分を押圧する。この押圧とともにヘッド
部２に電流を流して所定温度に加熱し、リード１１と配
線パターン４１とを熱圧着する。このボンディングツー
ル１にて熱圧着を行う場合、ヘッド部２の外側に何の機
構も存在しないため、実装対象の半導体素子１０に隣接
して他の電子部品（図示せず）が配置されていても接続
の妨げになることがない。
【００１８】次に、図４に示すように、熱圧着が終了し
た状態でヘッド部２の側面に設けられた噴出孔２３から
Ｎ2 等の不活性ガスを噴出する。すなわち、リード１１
と配線パターン４１との熱圧着が終了した状態でヘッド
部２に流す電流を停止し、ヘッド部２を冷却する。この
冷却の際に、図１に示すパイプ２５からＮ2 用の不活性
ガスを供給し、通路２４を介して噴出孔２３から噴出す
ることでヘッド部２の側面付近が不活性ガスの雰囲気と
なり、ヘッド部２の側面２２の酸化を防止する。
た状態でヘッド部２の側面に設けられた噴出孔２３から
Ｎ2 等の不活性ガスを噴出する。すなわち、リード１１
と配線パターン４１との熱圧着が終了した状態でヘッド
部２に流す電流を停止し、ヘッド部２を冷却する。この
冷却の際に、図１に示すパイプ２５からＮ2 用の不活性
ガスを供給し、通路２４を介して噴出孔２３から噴出す
ることでヘッド部２の側面付近が不活性ガスの雰囲気と
なり、ヘッド部２の側面２２の酸化を防止する。
【００１９】次いで、図５に示すように、所定温度まで
冷却されたボンディングツール１のヘッド部２を上昇し
て半導体素子１０から引き離す。これらの工程により、
半導体素子１０のリード１１と基板４の配線パターン４
１とが熱圧着された状態となり、半導体素子１０の実装
が完了する。
冷却されたボンディングツール１のヘッド部２を上昇し
て半導体素子１０から引き離す。これらの工程により、
半導体素子１０のリード１１と基板４の配線パターン４
１とが熱圧着された状態となり、半導体素子１０の実装
が完了する。
【００２０】なお、本実施例においてはＮ2 から成る不
活性ガスを噴出する例を説明したが、本発明はこれに限
定されずヘッド部２の側面２２の酸化を防止できるもの
であればよい。また、ボンディングツール１にてＴＡＢ
パッケージから成る半導体素子１０を実装する例を説明
したが、本発明は他のパッケージから成る半導体素子１
０を実装する場合であってもリード１１と配線パターン
４１とを熱圧着する場合であれば同様である。
活性ガスを噴出する例を説明したが、本発明はこれに限
定されずヘッド部２の側面２２の酸化を防止できるもの
であればよい。また、ボンディングツール１にてＴＡＢ
パッケージから成る半導体素子１０を実装する例を説明
したが、本発明は他のパッケージから成る半導体素子１
０を実装する場合であってもリード１１と配線パターン
４１とを熱圧着する場合であれば同様である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のボンディ
ングツールによれば次のような効果がある。すなわち、
本発明のボンディングツールでは、ヘッド部の側面の酸
化を防止するための機構がヘッド部の内部だけで収まる
ため、外側に何の機構も備える必要がなくなる。したが
って、半導体素子を熱圧着する際には、ヘッド部の空間
だけで済むことになり、実装対象の半導体素子と隣接し
て他の電子部品が配置されていても接触することがな
い。このため、基板上の半導体素子や電子部品の間隔が
狭くなってもこのボンディングツールにて熱圧着を行う
ことができるようになり、電子部品等の高密度実装を図
ることが可能となる。
ングツールによれば次のような効果がある。すなわち、
本発明のボンディングツールでは、ヘッド部の側面の酸
化を防止するための機構がヘッド部の内部だけで収まる
ため、外側に何の機構も備える必要がなくなる。したが
って、半導体素子を熱圧着する際には、ヘッド部の空間
だけで済むことになり、実装対象の半導体素子と隣接し
て他の電子部品が配置されていても接触することがな
い。このため、基板上の半導体素子や電子部品の間隔が
狭くなってもこのボンディングツールにて熱圧着を行う
ことができるようになり、電子部品等の高密度実装を図
ることが可能となる。
【図１】本発明のボンディングツールを説明する図で、
（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図２】載置工程を説明する断面図である。
【図３】熱圧着工程を説明する断面図である。
【図４】Ｎ2 ガス噴出工程を説明する断面図である。
【図５】引き離し工程を説明する断面図である。
【図６】ＴＡＢパッケージを説明する図で、（ａ）はイ
ンナーリードボンディング工程、（ｂ）は切断工程、
（ｃ）はフォーミング工程、（ｄ）はフィルムテープ切
断工程を示すものである。
ンナーリードボンディング工程、（ｂ）は切断工程、
（ｃ）はフォーミング工程、（ｄ）はフィルムテープ切
断工程を示すものである。
【図７】従来例を説明する図で、（ａ）は斜視図、
（ｂ）は断面図である。
（ｂ）は断面図である。
【図８】従来のボンディングツールを説明する斜視図で
ある。
ある。
１ ボンディングツール ２ ヘッド部 ３ 保持ブロック ４ 基板 １０ 半導体素子 １１ リード ２３ 噴出孔 ２４ 通路 ４１ 配線パターン
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子から延出する複数本のリード
と基板上に設けられた配線パターンとの接続部分に対応
した圧接面を備えているとともに、該圧接面を所定の温
度に加熱するためのヘッド部と、 前記ヘッド部を保持するとともに該ヘッド部の圧接面を
前記接続部分に押圧するための保持ブロックとから成る
ボンディングツールであって、 前記ヘッド部は、その側面に形成された噴出孔と該ヘッ
ド部の内部に設けられ該噴出孔に不活性ガスを導くため
の通路とを備えていることを特徴とするボンディングツ
ール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5351604A JPH07201924A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | ボンディングツール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5351604A JPH07201924A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | ボンディングツール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201924A true JPH07201924A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18418395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5351604A Pending JPH07201924A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | ボンディングツール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201924A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2324829A1 (en) | 1993-01-28 | 2011-05-25 | Boston Scientific Limited | Therapeutic inhibitors of vascular smooth muscle cells |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5351604A patent/JPH07201924A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2324829A1 (en) | 1993-01-28 | 2011-05-25 | Boston Scientific Limited | Therapeutic inhibitors of vascular smooth muscle cells |
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