JPH0720217B2 - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
- Publication number
- JPH0720217B2 JPH0720217B2 JP62024624A JP2462487A JPH0720217B2 JP H0720217 B2 JPH0720217 B2 JP H0720217B2 JP 62024624 A JP62024624 A JP 62024624A JP 2462487 A JP2462487 A JP 2462487A JP H0720217 B2 JPH0720217 B2 JP H0720217B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reading
- ccd
- field
- photodiode
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は撮像素子の信号読出しに際して、フィールド
読出しとフレーム読出しのどちらのモードも可能とした
撮像装置に関するものである。
読出しとフレーム読出しのどちらのモードも可能とした
撮像装置に関するものである。
［従来の技術］ 第４図は従来のフィールド読出し，フレーム読出し切換
可能な撮像装置の主要部の概略を示すブロック図で、１
はCCD、２は信号処理回路、３はCCD1をドライブするド
ライブ回路、４はCCD1の駆動パルスや信号処理回路２で
用いるパルスを発生させるクロック発生回路、５はCCD1
が必要とするバイアスを発生させるバイアス回路、６は
フィールド読出しとフレーム読出しを切換るためのスイ
ッチ、20はシステム全体をコントロールするシステム制
御部、21はレンズ及び絞り、22はシャッタである。
可能な撮像装置の主要部の概略を示すブロック図で、１
はCCD、２は信号処理回路、３はCCD1をドライブするド
ライブ回路、４はCCD1の駆動パルスや信号処理回路２で
用いるパルスを発生させるクロック発生回路、５はCCD1
が必要とするバイアスを発生させるバイアス回路、６は
フィールド読出しとフレーム読出しを切換るためのスイ
ッチ、20はシステム全体をコントロールするシステム制
御部、21はレンズ及び絞り、22はシャッタである。
第５図は第１図で使用されるCCDの概略を示す図であ
り、画素としてのホトダイオード部が、例えば縦形オー
バーフロードレイン構造であるインターライン形CCDで
ある。８はホトダイオード、９は垂直CCDレジスタ（以
下Ｖ−CCDという）、10は水平CCDレジスタ（以下Ｈ−CC
Dという）、11は電荷検出器、12はトランジスタスイッ
チ、φv1,φv2,φv3,φv4は端子である。また、40はオ
ーバーフロードレイン電圧VOFDである。
り、画素としてのホトダイオード部が、例えば縦形オー
バーフロードレイン構造であるインターライン形CCDで
ある。８はホトダイオード、９は垂直CCDレジスタ（以
下Ｖ−CCDという）、10は水平CCDレジスタ（以下Ｈ−CC
Dという）、11は電荷検出器、12はトランジスタスイッ
チ、φv1,φv2,φv3,φv4は端子である。また、40はオ
ーバーフロードレイン電圧VOFDである。
高輝度の被写体が画面に入って、その高輝度の画素部分
のホトダイオードの電位が極端に上昇すると、第２図の
CCDでは、ホトダイオード８で発生した余剰電荷がオー
バーフロードレイン電圧VOFD40によって決められた電位
障壁を超えて基板方向に出力される。これによってブル
ーミングを抑えている。
のホトダイオードの電位が極端に上昇すると、第２図の
CCDでは、ホトダイオード８で発生した余剰電荷がオー
バーフロードレイン電圧VOFD40によって決められた電位
障壁を超えて基板方向に出力される。これによってブル
ーミングを抑えている。
第６図はフィールド読出し時の駆動タイミングチャート
であり、第７図はフレーム読出し時の駆動タイミングチ
ャートである。
であり、第７図はフレーム読出し時の駆動タイミングチ
ャートである。
第４図のブロック図において、いま、スイッチ６をフィ
ールド側にすると、CCD1からの電荷の読出しは第６図の
タイミングで行われる。第５図において、端子φv1,φv
3はCCD1におけるＶ−CCDの中を電荷を転送するための転
送電極と、各画素に対応して配置したホトダイオード８
からＶ−CCD9に電荷を移すための電荷シフトゲートの役
割を兼ねている。端子φv1,φv3は第６図及び第７図に
示されるように３値をとり、低（Ｌ）レベルと中間
（Ｍ）レベルの間でクロッキングされる時、Ｖ−CCDの
転送が行われ、高（Ｈ）レベルになったとき、ホトダイ
オード８からＶ−CCD9への電荷のシフトが行われて、次
のタイミングでＨ−CCDに転送して画像信号を形成す
る。次に、第６図と第７図を用いてフィールド読出しと
フレーム読出しについて説明する。
ールド側にすると、CCD1からの電荷の読出しは第６図の
タイミングで行われる。第５図において、端子φv1,φv
3はCCD1におけるＶ−CCDの中を電荷を転送するための転
送電極と、各画素に対応して配置したホトダイオード８
からＶ−CCD9に電荷を移すための電荷シフトゲートの役
割を兼ねている。端子φv1,φv3は第６図及び第７図に
示されるように３値をとり、低（Ｌ）レベルと中間
（Ｍ）レベルの間でクロッキングされる時、Ｖ−CCDの
転送が行われ、高（Ｈ）レベルになったとき、ホトダイ
オード８からＶ−CCD9への電荷のシフトが行われて、次
のタイミングでＨ−CCDに転送して画像信号を形成す
る。次に、第６図と第７図を用いてフィールド読出しと
フレーム読出しについて説明する。
第６図において、奇数フィールドでは（Ａ）部で端子φ
v1とφv3が同時にＨレベルとなることにより、ホトダイ
オード８のＡ行とＢ行の電荷を同時にＶ−CCD9にシフト
し、（Ｂ）部でＡ行とＢ行の電荷を加算したのちにＶ−
CCD9内を転送する。同様にＡ′行,B′行の電荷が加算さ
れ転送される。次に、偶数フィールドでは（Ｃ）部でＡ
行とＢ行の電荷が同時に読出されるが、（Ｄ）部では電
極φv1がＭレベルにあるのでＡ行は転送せず、Ｂ行と
Ａ′行、即ち、奇数フィールドとは１行ずらした行間で
加算する。このような読出し方では、通常、各ホトダイ
オード８の信号は１フィールドに１回読出されるので、
フィールド読出しと呼ばれている。
v1とφv3が同時にＨレベルとなることにより、ホトダイ
オード８のＡ行とＢ行の電荷を同時にＶ−CCD9にシフト
し、（Ｂ）部でＡ行とＢ行の電荷を加算したのちにＶ−
CCD9内を転送する。同様にＡ′行,B′行の電荷が加算さ
れ転送される。次に、偶数フィールドでは（Ｃ）部でＡ
行とＢ行の電荷が同時に読出されるが、（Ｄ）部では電
極φv1がＭレベルにあるのでＡ行は転送せず、Ｂ行と
Ａ′行、即ち、奇数フィールドとは１行ずらした行間で
加算する。このような読出し方では、通常、各ホトダイ
オード８の信号は１フィールドに１回読出されるので、
フィールド読出しと呼ばれている。
次に、フレーム読出しの場合、第７図において、奇数フ
ィールドにおいては（Ｅ）部で端子φv1がＨレベルにな
り、Ａ行,A′行の電荷が読出される。偶数フィールドに
おいては、（Ｆ）部で端子φv3がＨレベルになり、Ｂ
行,B′行の電荷が読出される。このような読出し方で
は、通常、各ホトダイオード８の信号は１フレームに１
回読出されるので、フレーム読出しと呼ばれている。
ィールドにおいては（Ｅ）部で端子φv1がＨレベルにな
り、Ａ行,A′行の電荷が読出される。偶数フィールドに
おいては、（Ｆ）部で端子φv3がＨレベルになり、Ｂ
行,B′行の電荷が読出される。このような読出し方で
は、通常、各ホトダイオード８の信号は１フレームに１
回読出されるので、フレーム読出しと呼ばれている。
第８図は電子スチルカメラにおける撮像シーケンスの概
略図である。電子スチルカメラにおけるフィールド読出
しとフレーム読出しについて説明すると、第８図（ａ）
のフィールド読出しにおいては、所定期間においてCCD1
内の暗電流をクリアしシャッタ22が開とともに露光を行
う。次に、シャッタ22を閉とし露光を終了したのちに、
Ａ行のホトダイオード８とＢ行のホトダイオード８の電
荷をＶ−CCD9に同時に読出し、Ａ行の電荷とＢ行の電荷
を加算した後に、奇数フィールドの信号として読み出
す。読出す際の詳細なタイミングは第６図の奇数フィー
ルドと同等である。
略図である。電子スチルカメラにおけるフィールド読出
しとフレーム読出しについて説明すると、第８図（ａ）
のフィールド読出しにおいては、所定期間においてCCD1
内の暗電流をクリアしシャッタ22が開とともに露光を行
う。次に、シャッタ22を閉とし露光を終了したのちに、
Ａ行のホトダイオード８とＢ行のホトダイオード８の電
荷をＶ−CCD9に同時に読出し、Ａ行の電荷とＢ行の電荷
を加算した後に、奇数フィールドの信号として読み出
す。読出す際の詳細なタイミングは第６図の奇数フィー
ルドと同等である。
次に、フレーム読出しにおいては、露光までは第８図
（ａ）のフィールドの読出しと同等であるが、電荷読出
しに際しては奇数フィールドにホトダイオード８のＡ行
を、偶数フィールドにホトダイオード８のＢ行を読出
す。読出しの詳細なタイミングは第７図のとおりであ
る。
（ａ）のフィールドの読出しと同等であるが、電荷読出
しに際しては奇数フィールドにホトダイオード８のＡ行
を、偶数フィールドにホトダイオード８のＢ行を読出
す。読出しの詳細なタイミングは第７図のとおりであ
る。
第９図はCCD1の感度特性図で横軸は光量を表わし、縦軸
は信号の電位レベルを表わしたもので、VSATは飽和電位
を表わし、VSAT−Ｖ−CCDはＶ−CCDの飽和電位を表し、
L1,LSATはそれぞれ、Ｖ−CCD,ホトダイオードが飽和電
位に達するときの光量を表わしている。また、C1はホト
ダイオードの出力曲線、C2はこれを２画素分加算した曲
線である。
は信号の電位レベルを表わしたもので、VSATは飽和電位
を表わし、VSAT−Ｖ−CCDはＶ−CCDの飽和電位を表し、
L1,LSATはそれぞれ、Ｖ−CCD,ホトダイオードが飽和電
位に達するときの光量を表わしている。また、C1はホト
ダイオードの出力曲線、C2はこれを２画素分加算した曲
線である。
いま、露光時間を等しくした場合、フィールド読出しと
フレーム読出しでは、第９図に示した如く感度、即ち信
号レベルの点でフィールド読出しの方がフレーム読出し
の２倍になる。そのかわり垂直解像度はフレーム読出し
で出力される信号の画素数はフィールド読出しのときの
２倍であるから、解像度も倍になる。通常、フレーム読
出し用に設定されたCCDでは、感度を良くするためにＶ
−CCDを少しでも細くし、ホトダイオードの受光面積を
大にするために、ホトダイオードの開口率を大きくする
ようにしている。その場合にＶ−CCDの飽和電位の容量
はあまり大きくとれないのが普通である。通常Ｖ−CCD
の飽和電位は第９図に示されるように、ホトダイオード
の飽和電位の1.5倍ぐらいである。従って、第５図の装
置において、フィールド読出しをすると、垂直方向の隣
接する２画素が光量L1を受光したとき、このホトダイオ
ードA,Bの電荷の和はＶ−CCDの飽和電位をオーバーして
ブルーミングが起きてしまう。
フレーム読出しでは、第９図に示した如く感度、即ち信
号レベルの点でフィールド読出しの方がフレーム読出し
の２倍になる。そのかわり垂直解像度はフレーム読出し
で出力される信号の画素数はフィールド読出しのときの
２倍であるから、解像度も倍になる。通常、フレーム読
出し用に設定されたCCDでは、感度を良くするためにＶ
−CCDを少しでも細くし、ホトダイオードの受光面積を
大にするために、ホトダイオードの開口率を大きくする
ようにしている。その場合にＶ−CCDの飽和電位の容量
はあまり大きくとれないのが普通である。通常Ｖ−CCD
の飽和電位は第９図に示されるように、ホトダイオード
の飽和電位の1.5倍ぐらいである。従って、第５図の装
置において、フィールド読出しをすると、垂直方向の隣
接する２画素が光量L1を受光したとき、このホトダイオ
ードA,Bの電荷の和はＶ−CCDの飽和電位をオーバーして
ブルーミングが起きてしまう。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記のように従来の撮像装置においては、フィールド読
出し時に２つのダイオードの電荷の和がＶ−CCDの飽和
電位を超えるとブルーミング現象が発生するという問題
があった。
出し時に２つのダイオードの電荷の和がＶ−CCDの飽和
電位を超えるとブルーミング現象が発生するという問題
があった。
この発明はかかる従来の問題点を解決するためになされ
たもので、フレーム読出し用に設計された飽和電位が小
さい転送用CCDを用いてフィールド読出しを行っても、
ブルーミングを発生させないようにすることが可能な撮
像装置を提供することを目的とする。
たもので、フレーム読出し用に設計された飽和電位が小
さい転送用CCDを用いてフィールド読出しを行っても、
ブルーミングを発生させないようにすることが可能な撮
像装置を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、この発明の撮像装置はフ
ィールド読出し及びフレーム読出しに対する切換動作と
連動して、前記各画素におけるオーバーフローレベルを
切換る手段を設けたものである。
ィールド読出し及びフレーム読出しに対する切換動作と
連動して、前記各画素におけるオーバーフローレベルを
切換る手段を設けたものである。
［作用］ 上記の構成を有することにより、飽和電位が小さい転送
用CCDを用いた撮像素子において、フィールド読出しを
行っても、オーバーフローレベルの制御により、転送用
のCCDの飽和電位を越えることがなく、ブルーミングは
発生しない。
用CCDを用いた撮像素子において、フィールド読出しを
行っても、オーバーフローレベルの制御により、転送用
のCCDの飽和電位を越えることがなく、ブルーミングは
発生しない。
［実施例］ 第10図は一般に用いられている縦形オーバーフロードレ
インを有するホトダイオードの深さ方向に対するポテン
シャル分布を示した図である。図中、dpのところにポテ
ンシャルの山があり、いま、オーバーフロードレイン電
圧VOFDをVa［Ｖ］にすると、ポテンシャルの山がPa
［Ｖ］となり、VOFDをVb［Ｖ］とすると、ポテンシャル
の山がPb［Ｖ］となる。従って、オーバーフロードレイ
ン電圧VOFDを変えて、ポテンシャルの山を低くすればす
るほど、ホトダイオードの飽和電位は低くなる。逆にポ
テンシャルの山が高くなるほどホトダイオードの飽和電
位は高くなる。尚、Va＞Vbである。
インを有するホトダイオードの深さ方向に対するポテン
シャル分布を示した図である。図中、dpのところにポテ
ンシャルの山があり、いま、オーバーフロードレイン電
圧VOFDをVa［Ｖ］にすると、ポテンシャルの山がPa
［Ｖ］となり、VOFDをVb［Ｖ］とすると、ポテンシャル
の山がPb［Ｖ］となる。従って、オーバーフロードレイ
ン電圧VOFDを変えて、ポテンシャルの山を低くすればす
るほど、ホトダイオードの飽和電位は低くなる。逆にポ
テンシャルの山が高くなるほどホトダイオードの飽和電
位は高くなる。尚、Va＞Vbである。
この性質を利用すればオーバーフロードレイン電圧VOFD
をコントロールすることによって、ホトダイオードの飽
和電位をコントロールすることができる。即ち、フレー
ム時はオーバーフロードレイン電圧VOFDを低めにするこ
とでダイナミックレンジを大きくし、フィールド時はオ
ーバーフロードレイン電圧VOFDを高めにすることで耐ブ
ルーミング性をよくすることができる。
をコントロールすることによって、ホトダイオードの飽
和電位をコントロールすることができる。即ち、フレー
ム時はオーバーフロードレイン電圧VOFDを低めにするこ
とでダイナミックレンジを大きくし、フィールド時はオ
ーバーフロードレイン電圧VOFDを高めにすることで耐ブ
ルーミング性をよくすることができる。
第１図はこの発明の一実施例の主要部の概略を示すブロ
ック図であり、第５図と異なるところはバイアス回路５
がシステム制御部20によって、フィールド読出し，フレ
ーム読出しに応じてそれぞれVOFDをVa,Vbに切換制御す
るようにした点であり、その他の点は同じである。
ック図であり、第５図と異なるところはバイアス回路５
がシステム制御部20によって、フィールド読出し，フレ
ーム読出しに応じてそれぞれVOFDをVa,Vbに切換制御す
るようにした点であり、その他の点は同じである。
第２図は第１図の装置におけるCCDの感度特性図、第９
図と同様に横軸に光量、縦軸に信号の電位レベルを示し
たものである。即ち、フレーム読出しのときよりもフィ
ールド読出し時には、オーバーフロードレイン電圧VOFD
を高く設定するようにバイアス回路を制御し、Ａ行とＢ
行のホトダイオードの和がＶ−CCDの飽和電位を超えな
いようにすることによって、フレーム時のダイナミック
レンジを損うことなく、フィールド時のブルーミングを
防ぐことができる。即ち、感度特性を第２図のようにす
ることができる。
図と同様に横軸に光量、縦軸に信号の電位レベルを示し
たものである。即ち、フレーム読出しのときよりもフィ
ールド読出し時には、オーバーフロードレイン電圧VOFD
を高く設定するようにバイアス回路を制御し、Ａ行とＢ
行のホトダイオードの和がＶ−CCDの飽和電位を超えな
いようにすることによって、フレーム時のダイナミック
レンジを損うことなく、フィールド時のブルーミングを
防ぐことができる。即ち、感度特性を第２図のようにす
ることができる。
第３図は第１図の実施例のシステム制御部20内にメモリ
を用いた場合の具体例を示すブロック図であり、システ
ム制御部20の中にEEPROM30を備えている。そして、オー
バーフロードレイン電圧VOFDの電位Va,Vbはコード化さ
れてこのEEPROM30に記憶されており、この情報はディジ
タル−アナログ（D/A）コンバータ31により与えられ
る。この第３図の動作を説明すると、フィールド読出し
及びフレーム読出しにおけるオーバーフロードレイン電
圧VOFDの最適値Va,VbをそれぞれEEPROM30内に書込み、
スイッチ６によりフィールド読出し、もしくはフレーム
読出しに切換えた際に、それぞれの読出しモードにおけ
る最適なオーバーフロードレイン電圧VOFDの値をEEPROM
から読出してD/Aコンバータ31により、電圧に変換して
からバイアス回路５に供給しCCD1に印加する。
を用いた場合の具体例を示すブロック図であり、システ
ム制御部20の中にEEPROM30を備えている。そして、オー
バーフロードレイン電圧VOFDの電位Va,Vbはコード化さ
れてこのEEPROM30に記憶されており、この情報はディジ
タル−アナログ（D/A）コンバータ31により与えられ
る。この第３図の動作を説明すると、フィールド読出し
及びフレーム読出しにおけるオーバーフロードレイン電
圧VOFDの最適値Va,VbをそれぞれEEPROM30内に書込み、
スイッチ６によりフィールド読出し、もしくはフレーム
読出しに切換えた際に、それぞれの読出しモードにおけ
る最適なオーバーフロードレイン電圧VOFDの値をEEPROM
から読出してD/Aコンバータ31により、電圧に変換して
からバイアス回路５に供給しCCD1に印加する。
このような手段を用いれば、フィールド読出し，フレー
ム読出しにかかわらず、最適なオーバーフロードレイン
電圧VOFDをCCD1に与えられるだけでなく、ボリウム調整
でなくディジタルデータで調整を行うので、ボリウムの
数を減らすことができ、調整を自動化する上で非常に強
力な手段となる。
ム読出しにかかわらず、最適なオーバーフロードレイン
電圧VOFDをCCD1に与えられるだけでなく、ボリウム調整
でなくディジタルデータで調整を行うので、ボリウムの
数を減らすことができ、調整を自動化する上で非常に強
力な手段となる。
尚、以上の実施例ではオーバーフローレベルを制御する
手段として縦型オーバーフロードレインのドレイン電圧
を変えたが、例えば特開昭59−153385号に示されるよう
な電荷再結合パルスによりオーバフローをコントロール
するものにおいて、このパルスの周波数を高くすること
でオーバフローレベルを低くし、周波数を低くすること
でオーバーフローレベルを高くする方法を採用しても良
く、オーバーフローレベルの制御方法に限定されない。
手段として縦型オーバーフロードレインのドレイン電圧
を変えたが、例えば特開昭59−153385号に示されるよう
な電荷再結合パルスによりオーバフローをコントロール
するものにおいて、このパルスの周波数を高くすること
でオーバフローレベルを低くし、周波数を低くすること
でオーバーフローレベルを高くする方法を採用しても良
く、オーバーフローレベルの制御方法に限定されない。
［発明の効果］ 以上説明したとおりこの発明は、フィールド読出し及び
フレーム読出しに対する切換動作と連動して、前記各画
素におけるオーバーフローレベルを切換える手段を設け
たので、フレーム読出し時にはダイナミックレンジを損
うことがなく、また、フィールド読出し時には耐ブルー
ミング特性を損うことがなく、最適条件で撮像素子を駆
動することができる。
フレーム読出しに対する切換動作と連動して、前記各画
素におけるオーバーフローレベルを切換える手段を設け
たので、フレーム読出し時にはダイナミックレンジを損
うことがなく、また、フィールド読出し時には耐ブルー
ミング特性を損うことがなく、最適条件で撮像素子を駆
動することができる。
さらに、EEPROMにこのオーバーフローレベル情報を書込
み、フィールド読出し，フレーム読出しの切換に連動し
てEEPROMから、それぞれのオーバーフローレベルの最適
条件を読出して、撮像素子に与えることによって調整ボ
リウムをなくし、調整工程の自動化に適した装置を提供
することができる。
み、フィールド読出し，フレーム読出しの切換に連動し
てEEPROMから、それぞれのオーバーフローレベルの最適
条件を読出して、撮像素子に与えることによって調整ボ
リウムをなくし、調整工程の自動化に適した装置を提供
することができる。
第１図はこの発明の一実施例の主要部の概略を示すブロ
ック図、第２図は第１図の装置におけるCCDの感度特性
図、第３図は第１図の実施例のシステム制御部内にメモ
リを用いた場合の具体例を示すブロック図、第４図は従
来のフィールド読出し，フレーム読出し切換可能な撮像
装置の主要部の概略を示すブロック図、第５図は第１図
で使用されるCCDの概略を示す図、第６図はフィールド
読出し時の駆動タイミングチャート、第７図はフレーム
読出し時の駆動タイミングチャート、第８図は電子スチ
ルカメラにおける撮像シーケンスの概略図で、第９図は
CCDの感度特性図、第10図は一般に用いられている縦形
オーバーフロードレイン型のホトダイオードの深さ方向
に対するポテンシャル分布を示した図である。 図中． 1:CCD、2:信号処理回路 3:ドライブ回路、4:クロック発生回路 5:バイアス回路、20:システム制御部 30:EEPROM、31:D/Aコンバータ
ック図、第２図は第１図の装置におけるCCDの感度特性
図、第３図は第１図の実施例のシステム制御部内にメモ
リを用いた場合の具体例を示すブロック図、第４図は従
来のフィールド読出し，フレーム読出し切換可能な撮像
装置の主要部の概略を示すブロック図、第５図は第１図
で使用されるCCDの概略を示す図、第６図はフィールド
読出し時の駆動タイミングチャート、第７図はフレーム
読出し時の駆動タイミングチャート、第８図は電子スチ
ルカメラにおける撮像シーケンスの概略図で、第９図は
CCDの感度特性図、第10図は一般に用いられている縦形
オーバーフロードレイン型のホトダイオードの深さ方向
に対するポテンシャル分布を示した図である。 図中． 1:CCD、2:信号処理回路 3:ドライブ回路、4:クロック発生回路 5:バイアス回路、20:システム制御部 30:EEPROM、31:D/Aコンバータ
Claims (2)
- 【請求項１】撮像素子の各画素において形成された信号
をフィールド読出し及びフレーム読出しとで切換える切
換手段と、この切換手段の切換動作と連動して、前記各
画素のオーバーフローレベルを切換制御する為のオーバ
ーフロー制御手段とを設けたことを特徴とする撮像装
置。 - 【請求項２】前記フィールド読出し及びフレーム読出し
における前記各画素のオーバーフローレベルに関するデ
ータをEEPROMに記録したことを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62024624A JPH0720217B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 撮像装置 |
| US07/453,213 US4963980A (en) | 1987-02-06 | 1989-12-13 | Image sensing device |
| US07/839,669 US5157498A (en) | 1987-02-02 | 1992-02-19 | Image sensing device with non-linear converting means |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62024624A JPH0720217B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63193776A JPS63193776A (ja) | 1988-08-11 |
| JPH0720217B2 true JPH0720217B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=12143295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62024624A Expired - Lifetime JPH0720217B2 (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-06 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720217B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60136158U (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-10 | ソニー株式会社 | 半導体イメ−ジセンサ− |
-
1987
- 1987-02-06 JP JP62024624A patent/JPH0720217B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63193776A (ja) | 1988-08-11 |
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