JPS63193776A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
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- JPS63193776A JPS63193776A JP62024624A JP2462487A JPS63193776A JP S63193776 A JPS63193776 A JP S63193776A JP 62024624 A JP62024624 A JP 62024624A JP 2462487 A JP2462487 A JP 2462487A JP S63193776 A JPS63193776 A JP S63193776A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- readout
- field
- ccd
- overflow
- photodiode
- Prior art date
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は撮像素子の信号読出しに際して、フィールド
読出しとフレーム読出しのどちらのモードも可億とした
撮像装置に関するものである。
読出しとフレーム読出しのどちらのモードも可億とした
撮像装置に関するものである。
［従来の技術］
第４図は従来のフィールド読出し、フレーム読出し切換
可ず艶なｍ像装置の主要部の概略を示すブロック図で、
ｌはＣＣＤ、２は信号処理回路、３はＣＣＤＩをドライ
ブするドライブ回路、４はＣＣＤ１の駆動パルスや信号
処理回路２で用いるパルスを発生させるクロック発生回
路、５はＣＣＤ１が必要とするバイアスを発生させるバ
イアス回路、６はフィールド読出しとフレーム読出しを
切換るためのスイッチ、２０はシステム全体をコントロ
ールするシステム制御部、２１はレンズ及び絞り、２２
はシャッタである。
可ず艶なｍ像装置の主要部の概略を示すブロック図で、
ｌはＣＣＤ、２は信号処理回路、３はＣＣＤＩをドライ
ブするドライブ回路、４はＣＣＤ１の駆動パルスや信号
処理回路２で用いるパルスを発生させるクロック発生回
路、５はＣＣＤ１が必要とするバイアスを発生させるバ
イアス回路、６はフィールド読出しとフレーム読出しを
切換るためのスイッチ、２０はシステム全体をコントロ
ールするシステム制御部、２１はレンズ及び絞り、２２
はシャッタである。
第５図は第１ ［−１で使用されるＣＣＤの概略を示す
図であり１画素としてのホトダイオード部か。
図であり１画素としてのホトダイオード部か。
例えば縦形オーバーフロードレイン構造であるインター
ライン形ＣＣＤである。８はホトダイオード、９は重置
ＣＣＤレジスタ（以下Ｖ−ＣＣＤという）、１０は木ｐ
ｃｃＤレジスタ（以下Ｈ−ＣＣＤという）、ｉｉは電荷
検出ぷ、１２はトランシスタスイッチ、φｖｌ、φｖ２
．φｖ３．φｖ４は端子である。また、４０はオーバー
フロートレイン電圧Ｖ。ｒｏである。
ライン形ＣＣＤである。８はホトダイオード、９は重置
ＣＣＤレジスタ（以下Ｖ−ＣＣＤという）、１０は木ｐ
ｃｃＤレジスタ（以下Ｈ−ＣＣＤという）、ｉｉは電荷
検出ぷ、１２はトランシスタスイッチ、φｖｌ、φｖ２
．φｖ３．φｖ４は端子である。また、４０はオーバー
フロートレイン電圧Ｖ。ｒｏである。
高輝度の被写体か画面に入って、その高輝度の画素部分
のホトダイオードの電位が極端に上昇すると、第２図の
ＣＣＤては、ホトダイオード８で発生した余剰電荷がオ
ーバーフロートレイン電圧ＶｏＦｏ ４０によって決め
られた電位障壁を超えて基板方向に出力される。これに
よってフルーミングを抑えている。
のホトダイオードの電位が極端に上昇すると、第２図の
ＣＣＤては、ホトダイオード８で発生した余剰電荷がオ
ーバーフロートレイン電圧ＶｏＦｏ ４０によって決め
られた電位障壁を超えて基板方向に出力される。これに
よってフルーミングを抑えている。
第６図はフィールド読出し時の駆動タイミングチャート
であり、第７図はフレーム読出し時の駆動タイミングチ
ャートである。
であり、第７図はフレーム読出し時の駆動タイミングチ
ャートである。
第４図のブロック図において、いま、スイッチ６をフィ
ールド側にすると、ＣＣＤ１からの電荷の読出しは０′
５６図のタイミンつて行われる。第５図において、端子
φｖｌ、φｖ３はＣＣＤ１におけるＶ−ＣＣＤの中を電
荷を転送するだめの転送電極と、各画素に対応して配置
したホトダイオード８からＶ−ＣＣＤ９に電荷を移すた
めの電荷シフトゲートの役割を兼ねている。端子φｖｌ
。
ールド側にすると、ＣＣＤ１からの電荷の読出しは０′
５６図のタイミンつて行われる。第５図において、端子
φｖｌ、φｖ３はＣＣＤ１におけるＶ−ＣＣＤの中を電
荷を転送するだめの転送電極と、各画素に対応して配置
したホトダイオード８からＶ−ＣＣＤ９に電荷を移すた
めの電荷シフトゲートの役割を兼ねている。端子φｖｌ
。
φｖ３は第６図及び第７図に示されるように３値をとり
、低（Ｌ）レベルと中間（Ｍ）レベルの間゛Ｃクロッキ
ングされる時、Ｖ−ＣＣＤの転送か行われ、高（Ｈ）レ
ベルになったとき、ホトダイオード８からＶ−ＣＣＤ９
への′電荷のシフトが行われて、次のタイミングでＨ−
ＣＯＤに転送して画像上１号を形成する。次に、第６図
と第７図を用いてフィールド読出しとフレーム読出しに
ついて説明する。
、低（Ｌ）レベルと中間（Ｍ）レベルの間゛Ｃクロッキ
ングされる時、Ｖ−ＣＣＤの転送か行われ、高（Ｈ）レ
ベルになったとき、ホトダイオード８からＶ−ＣＣＤ９
への′電荷のシフトが行われて、次のタイミングでＨ−
ＣＯＤに転送して画像上１号を形成する。次に、第６図
と第７図を用いてフィールド読出しとフレーム読出しに
ついて説明する。
第６１：′Ａにおいて、奇数フィールドでは（Ａ）部で
端子φｖｌとφｖ３か同時にＨレベルとなることにより
、ホトダイオード８のＡ行とＢ行の電荷を同時にＶ−Ｃ
ＣＤ９にシフトし、（Ｂ）部でＡ行とＢ行の電荷を加算
したのちにＶ−ＣＣＤＱ内を転送する。同様にＡ′行、
Ｂ′行の電荷か加算され転送される。次に、偶数フィー
ルドては（Ｃ）部てＡ行とＢ行の電荷か同時に読出され
るか、（Ｄ）部では電極φｖ１かＭレベルにあるの−ｒ
Ａ行は転送せず、Ｂ行とＡ′行、即ち、全数フィールド
とは１行ずらした行間で７１０算する。このような読出
し方ては、通常、各ホトダイオード８の信号は１フイー
ルドに１回読出されるのて、フィールド読出しと呼ばれ
ている。
端子φｖｌとφｖ３か同時にＨレベルとなることにより
、ホトダイオード８のＡ行とＢ行の電荷を同時にＶ−Ｃ
ＣＤ９にシフトし、（Ｂ）部でＡ行とＢ行の電荷を加算
したのちにＶ−ＣＣＤＱ内を転送する。同様にＡ′行、
Ｂ′行の電荷か加算され転送される。次に、偶数フィー
ルドては（Ｃ）部てＡ行とＢ行の電荷か同時に読出され
るか、（Ｄ）部では電極φｖ１かＭレベルにあるの−ｒ
Ａ行は転送せず、Ｂ行とＡ′行、即ち、全数フィールド
とは１行ずらした行間で７１０算する。このような読出
し方ては、通常、各ホトダイオード８の信号は１フイー
ルドに１回読出されるのて、フィールド読出しと呼ばれ
ている。
次に、フレーム読出しの場合、第７図において、奇数フ
ィールドにおいては（Ｅ）部で端子φｖ１がＨレベルに
なり、Ａ行、Ａ′行の電荷か読出される。偶数フィール
ドにおいては、（Ｆ）部て端子φＶ３かＨレベルになり
、Ｂ行、Ｂ′行の電荷か読出される。このような読出し
方では、通常、各ホトタイオード８の信号はｌフレーム
に１回読出されるので、フレーム読出しと呼ばれている
。
ィールドにおいては（Ｅ）部で端子φｖ１がＨレベルに
なり、Ａ行、Ａ′行の電荷か読出される。偶数フィール
ドにおいては、（Ｆ）部て端子φＶ３かＨレベルになり
、Ｂ行、Ｂ′行の電荷か読出される。このような読出し
方では、通常、各ホトタイオード８の信号はｌフレーム
に１回読出されるので、フレーム読出しと呼ばれている
。
第８図は電子スチルカメラにおける撮像シーケンスの概
略図である。電子スチルカメラにおけるフィールド読出
しとフレーム読出しについて説明すると、第８図（ａ）
のフィールド読出しにおいては、所定期間においてＣＣ
ＤＩ内の暗電流をクリアしシャッタ２２か開とともに露
光を行う。次に、シャッタ２２を閉とし露光を終了した
のちに、Ａ行のホトクイオード８とＢ行のホトクイオー
・ト８の電荷をＶ−ＣＣＤ９に回り！ｔに読出し、Ａ行
の電向とＢ行の電荷を加算した後に、奇数フィールドの
信号として読み出す。読出す際の詳細なタイミングは第
６図の奇数フィールドと同等である。
略図である。電子スチルカメラにおけるフィールド読出
しとフレーム読出しについて説明すると、第８図（ａ）
のフィールド読出しにおいては、所定期間においてＣＣ
ＤＩ内の暗電流をクリアしシャッタ２２か開とともに露
光を行う。次に、シャッタ２２を閉とし露光を終了した
のちに、Ａ行のホトクイオード８とＢ行のホトクイオー
・ト８の電荷をＶ−ＣＣＤ９に回り！ｔに読出し、Ａ行
の電向とＢ行の電荷を加算した後に、奇数フィールドの
信号として読み出す。読出す際の詳細なタイミングは第
６図の奇数フィールドと同等である。
次に、フレーム読出しにおいては、露光までは第８ｔ％
（ａ）のフィールドの読出しと同等であるか、電荷読出
しに際しては奇数フィールドにホトタイオード８のＡ行
を、偶数フィールドにホトタイオー１−８のＢ行を読出
す。読出しの詳細なタイミングは第７図のとおりである
。
（ａ）のフィールドの読出しと同等であるか、電荷読出
しに際しては奇数フィールドにホトタイオード８のＡ行
を、偶数フィールドにホトタイオー１−８のＢ行を読出
す。読出しの詳細なタイミングは第７図のとおりである
。
第９図はＣＣＤＩの感度特性図て横軸は光猜を表わし、
縦軸は信号の°取位レベルを表わしたもので、Ｖ ＳＡ
Ｔは飽和電位を表わし、Ｖ９．アーＶ−ＣＣＤはＶ−Ｃ
ＣＤの飽和°上位を表し、Ｌｌ。
縦軸は信号の°取位レベルを表わしたもので、Ｖ ＳＡ
Ｔは飽和電位を表わし、Ｖ９．アーＶ−ＣＣＤはＶ−Ｃ
ＣＤの飽和°上位を表し、Ｌｌ。
ＬＳＡＴはそれぞれ、Ｖ−ＣＣＤ、ホトダイオードが飽
和電位に達するときの光へ）を表わしている。
和電位に達するときの光へ）を表わしている。
また、Ｃ１はホトタイオードの出力面Ｍ、ｃ２はこれを
２画素分加算した曲線である。
２画素分加算した曲線である。
いま、露光時間を等しくした場合、フィールド読出しと
フレーム読出しでは、第９図に示した如く感度、即ち信
号レベルの点でフィールド読出しの方かフレーム読出し
の２倍になる。そのかわり垂直解像度はフレーム読出し
で出力される信号の画素数はフィールド読出しのときの
２倍であるから、解像度も倍になる。Ｍｌ常、フレーム
読出し用に設計されたＣＣＤでは、感度を良くするため
にＶ−ＣＣＤを少しても細くし、ホトダイオードの受光
面積を大にするために、ホトダイオードの開口率を大き
くするようにしている。その場合にＶ−ＣＣＤの飽和電
位の容量はあまり大きくとれないのが普通である。通常
Ｖ−ＣＣＤの飽和電位は第９図に示されるように、ホト
ダイオードの飽和電位の１．５倍ぐらいである。従って
、第５図の装置において、フィールド読出しをすると、
垂直方向の隣接する２画素が光量Ｌｈを受光したとき、
このホトダイオードＡ、Ｂの電荷の和はＶ−ＣＣＤの飽
和電位をオーバーしてブルーミングが起きてしまう。
フレーム読出しでは、第９図に示した如く感度、即ち信
号レベルの点でフィールド読出しの方かフレーム読出し
の２倍になる。そのかわり垂直解像度はフレーム読出し
で出力される信号の画素数はフィールド読出しのときの
２倍であるから、解像度も倍になる。Ｍｌ常、フレーム
読出し用に設計されたＣＣＤでは、感度を良くするため
にＶ−ＣＣＤを少しても細くし、ホトダイオードの受光
面積を大にするために、ホトダイオードの開口率を大き
くするようにしている。その場合にＶ−ＣＣＤの飽和電
位の容量はあまり大きくとれないのが普通である。通常
Ｖ−ＣＣＤの飽和電位は第９図に示されるように、ホト
ダイオードの飽和電位の１．５倍ぐらいである。従って
、第５図の装置において、フィールド読出しをすると、
垂直方向の隣接する２画素が光量Ｌｈを受光したとき、
このホトダイオードＡ、Ｂの電荷の和はＶ−ＣＣＤの飽
和電位をオーバーしてブルーミングが起きてしまう。
［９，明か解決しようとする問題点］
を記のように従来の撮像装置においては、フィールド読
出し時に２つのダイオードの電荷の和がｖ−ｃｃｏの飽
和電位を超えるとブルーミング現象が発生するという問
題かあった。
出し時に２つのダイオードの電荷の和がｖ−ｃｃｏの飽
和電位を超えるとブルーミング現象が発生するという問
題かあった。
この発明はかかる従来の問題点を解決するためになされ
たもので、フレーム読出し川に設計された飽和電位が小
さい転送用ＣＣＤを用いてフィールド読出しを行っても
、ブルーミングを発生させないようにすることが回部な
＃Ｍ像装置を提供することを目的とする。
たもので、フレーム読出し川に設計された飽和電位が小
さい転送用ＣＣＤを用いてフィールド読出しを行っても
、ブルーミングを発生させないようにすることが回部な
＃Ｍ像装置を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
上記の１゛１的を達成するために、この発明の擬像装置
はフィールド読出し及びフレーム読出しに対する切換動
作とｉ！！動して、前記各画素におけるオーバーフロー
レベルを切換る手段を設けたものである。
はフィールド読出し及びフレーム読出しに対する切換動
作とｉ！！動して、前記各画素におけるオーバーフロー
レベルを切換る手段を設けたものである。
［作用］
Ｌ記の構成を有することにより、飽和電位か小さい転送
用ＣＣＤを用いた撮像素子において、フィールド読出し
を行っても、オーバーフローレベルの制御により、転送
用のＣＯＤの飽和電位を越えることかなく、ブルーミン
クは発生しない。
用ＣＣＤを用いた撮像素子において、フィールド読出し
を行っても、オーバーフローレベルの制御により、転送
用のＣＯＤの飽和電位を越えることかなく、ブルーミン
クは発生しない。
［￥施例］
第１０図は一般に用いられている縦形オーバーフロート
レインを有するホトダイオードの深さ方向に対するポテ
ンシャル分布を示した図である。
レインを有するホトダイオードの深さ方向に対するポテ
ンシャル分布を示した図である。
図中、ｃｔｐのところにポテンシャルの山があり、いま
、オーバーフロートレイン電圧Ｖ。ＦｏをＶａ［Ｖ］に
すると、ポテンシャルの山かＰａ［Ｖ］となり、ｖ Ｏ
ＦＤをＶｂ ［Ｖ］とすると、ポテンシャルの山がＰｂ
［Ｖ］となる。従って、オーバーフロートレイン電圧
Ｖ。。を変えて、ポテンシャルの山を低くすればするほ
ど、ホトダイオードの飽和電位は低くなる。逆にポテン
シャルの山が高くなるほどホトダイオードの飽和電位は
高くなる。尚、Ｖａ＞Ｖｂである。
、オーバーフロートレイン電圧Ｖ。ＦｏをＶａ［Ｖ］に
すると、ポテンシャルの山かＰａ［Ｖ］となり、ｖ Ｏ
ＦＤをＶｂ ［Ｖ］とすると、ポテンシャルの山がＰｂ
［Ｖ］となる。従って、オーバーフロートレイン電圧
Ｖ。。を変えて、ポテンシャルの山を低くすればするほ
ど、ホトダイオードの飽和電位は低くなる。逆にポテン
シャルの山が高くなるほどホトダイオードの飽和電位は
高くなる。尚、Ｖａ＞Ｖｂである。
この性質を利用すればオーバーフロートレイン電圧Ｖ。
２０をコントロールすることによって、ホトダイオード
の飽和電位をコントロールすることができる。即ち、フ
レーム時はオーバーフロートレイン電圧Ｖ。、。を低め
にすることでダイナミックレンジを大きくし、フィール
ド時はオーバーフロートレイン電圧ｖｏ、を高めにする
ことて耐ブルーミンク性をよくすることかできる。
の飽和電位をコントロールすることができる。即ち、フ
レーム時はオーバーフロートレイン電圧Ｖ。、。を低め
にすることでダイナミックレンジを大きくし、フィール
ド時はオーバーフロートレイン電圧ｖｏ、を高めにする
ことて耐ブルーミンク性をよくすることかできる。
第１図はこの発明の一実施例の主要部の概略を示すブロ
ック図であり、第５図と異なるところはバイアス回路５
がシステム制御部２０によって、フィールド読出し、フ
レーム読出しに応じてそれぞれＶ。ｒｎ ’ｔ Ｖ ａ
、・ｖｂに切換ル制御するようにした点であり、その
他の点は回しである。
ック図であり、第５図と異なるところはバイアス回路５
がシステム制御部２０によって、フィールド読出し、フ
レーム読出しに応じてそれぞれＶ。ｒｎ ’ｔ Ｖ ａ
、・ｖｂに切換ル制御するようにした点であり、その
他の点は回しである。
第２図は第１図の装置におけるＣＣＤの感度特性図で、
第９図と同様に横軸に光量、縦軸に信号の電位レベルを
示したものである。即ち、フレーム読出しのときよりも
フィールド読出し時には。
第９図と同様に横軸に光量、縦軸に信号の電位レベルを
示したものである。即ち、フレーム読出しのときよりも
フィールド読出し時には。
オーバーフロートレイン電圧Ｖ。、Ｄを高く設定するよ
うにバイアス回路を制御し、Ａ行とＢ行のホトダイオー
ドの和かＶ−ＣＣＤの飽和電位を超えないようにするこ
とによって、フレーム時のダイナミ・ンクレンジを損う
ことなく、フィールド時のブルーミングを防ぐことがで
きる。即ち、感度特性を第２図のようにすることができ
る。
うにバイアス回路を制御し、Ａ行とＢ行のホトダイオー
ドの和かＶ−ＣＣＤの飽和電位を超えないようにするこ
とによって、フレーム時のダイナミ・ンクレンジを損う
ことなく、フィールド時のブルーミングを防ぐことがで
きる。即ち、感度特性を第２図のようにすることができ
る。
第３図は第１図の実施例のシステム制御部２０内にメモ
リを用いた場合の具体例を示すブロック図てあり、シス
テム制御部２０の中にＥＥＰＲＯＭ３０を愉えている。
リを用いた場合の具体例を示すブロック図てあり、シス
テム制御部２０の中にＥＥＰＲＯＭ３０を愉えている。
そして、オーバーフロートレイン電圧Ｖ ＯＦ ｎの電
位Ｖａ、Ｖｂはコート化されてこのＥＥＰＲＯＭ３０に
記憶されており、この情報はディジタル−アナログ（Ｄ
／Ａ）コンバータ３１により！ｊえられる。この第３図
の動作を説明すると、フィールド読出し及びフレーム読
出しにおけるオーバーフロートレイン電圧Ｖ ＱＦＯの
最適値Ｖａ、ＶｂをそれぞれＥＥＰＲＯＭ３０内に占込
み、スイッチ６によりフィールド読出し、もしくはフレ
ーム読出しに切換えた際に、それぞれの読出しモードに
おける最適なオーバーフロートレイン電圧■。１ｏの値
をＥＥＰＲＯＭから読出してＤ／Ａコンバータ３１によ
り、電圧に変換してからバイアス回路５に供給しＣＣＤ
ｌに印加する。
位Ｖａ、Ｖｂはコート化されてこのＥＥＰＲＯＭ３０に
記憶されており、この情報はディジタル−アナログ（Ｄ
／Ａ）コンバータ３１により！ｊえられる。この第３図
の動作を説明すると、フィールド読出し及びフレーム読
出しにおけるオーバーフロートレイン電圧Ｖ ＱＦＯの
最適値Ｖａ、ＶｂをそれぞれＥＥＰＲＯＭ３０内に占込
み、スイッチ６によりフィールド読出し、もしくはフレ
ーム読出しに切換えた際に、それぞれの読出しモードに
おける最適なオーバーフロートレイン電圧■。１ｏの値
をＥＥＰＲＯＭから読出してＤ／Ａコンバータ３１によ
り、電圧に変換してからバイアス回路５に供給しＣＣＤ
ｌに印加する。
このような手段を用いれば、フィールド読出し、フレー
ム読出しにかかわらず、最適なオーバーフロートレイン
電圧ｖｎｒｎをＣＣＤＩに１ｊ−えられるたけでなく、
ボリウム調整てなくディジタルデータて調整を行うのて
、ボリウムのａを減らすことかでき、２整を自動化する
１；て非常に強力な手段となる。
ム読出しにかかわらず、最適なオーバーフロートレイン
電圧ｖｎｒｎをＣＣＤＩに１ｊ−えられるたけでなく、
ボリウム調整てなくディジタルデータて調整を行うのて
、ボリウムのａを減らすことかでき、２整を自動化する
１；て非常に強力な手段となる。
尚１以上の実施例ではオーバーフローレベルを制御する
１１段として縦形オーバーフロートレインのトレイン電
圧を変えたか、例えば特開昭５９−１５３３８５号に示
されるような′取前再結合パルスによりオーバフローを
コントロールするものにＥいて、このパルスの周波数を
高くすることでオーバーフローレベルを低くし、周波数
を低くすること゛（オーバーフローレベルを高くする方
法を採用しても良く、オーバーフローレベルの制御方法
に限定されない。
１１段として縦形オーバーフロートレインのトレイン電
圧を変えたか、例えば特開昭５９−１５３３８５号に示
されるような′取前再結合パルスによりオーバフローを
コントロールするものにＥいて、このパルスの周波数を
高くすることでオーバーフローレベルを低くし、周波数
を低くすること゛（オーバーフローレベルを高くする方
法を採用しても良く、オーバーフローレベルの制御方法
に限定されない。
［発明の効果］
以１―説明したとおりこの発明は、フィールド読出し及
びフレーム読出しに対する切換動作と連動して、前記各
画素におけるオーバーフローレベルを切換える手段を設
けたので、クレーム読出し時にはダイナミ・ンクレンシ
を損うことがなく、また、フィールド読出し詩には耐ブ
ルーミンク特性を損うことかなく、最適条件て撮像素子
を駆動することがてきる。
びフレーム読出しに対する切換動作と連動して、前記各
画素におけるオーバーフローレベルを切換える手段を設
けたので、クレーム読出し時にはダイナミ・ンクレンシ
を損うことがなく、また、フィールド読出し詩には耐ブ
ルーミンク特性を損うことかなく、最適条件て撮像素子
を駆動することがてきる。
さらに、ＥＥＰＲＯＭにこのオーバーフロー１７ベル情
報を占込み、フィールド読出し、フレーム読出しの切換
に連動してＥＥＰＲＯＭから、それぞれのオーバーフロ
ーレベルの最適条件を読出して、ＩＭ像素子に榮えるこ
とによって調整ボリウムをなくし、調整工程の自動化に
適した装置を提供することかできる。
報を占込み、フィールド読出し、フレーム読出しの切換
に連動してＥＥＰＲＯＭから、それぞれのオーバーフロ
ーレベルの最適条件を読出して、ＩＭ像素子に榮えるこ
とによって調整ボリウムをなくし、調整工程の自動化に
適した装置を提供することかできる。
第１図はこの発明の一実施例の主葦部の概略を示すブロ
ック図、第２図は第１［Ａの装置におけるＣＣＤの感度
特性図、第３図は第１１Ｊの実施例のシステム制御部内
にメモリを用いた場合の具体例を示すブロック図、第４
図は従来のフィールド読出し、フレーム読出し切換ｎｆ
慌な撮像装置の主要部の１！！略を示すブロック図、第
５図は第１図て使用されるＣＣＤの概略を示すＩＡ、第
６図はフィールド読出しの時の駆動タイミングチャート
、第７図はフレーム読出しの時の駆動タイミングチャー
ト、第８図は電子スチルカメラにおける撮像シーケンス
の概略図で、第９図はＣＣＤの感度特性図、第１０図は
一般に用いられている縦形オーバーフロートレイン型の
ホトダイオードの深さ方向に対するポテンシャル分布を
示した図である。 図中。 １：ｃｃＤ ２：信号処理回路３ニドライブ回
路 ４：クロック発生回路５：バイアス回路 ２０ニジ
ステム制御部：ＩＯ： ＥＥＰＲＯＭ ：１１： Ｄ
／Ａコンバータ代理人 弁理士 １）北 嵩 晴 殉 第３図 １υ 第４図 ポ’ＡＩンｒ−ｘ− Ｕ 第５図 （Ｑ） ７１−＋ｖＰ鐙辰ム （ｂ） ブムームーｖｔ。 第８図
ック図、第２図は第１［Ａの装置におけるＣＣＤの感度
特性図、第３図は第１１Ｊの実施例のシステム制御部内
にメモリを用いた場合の具体例を示すブロック図、第４
図は従来のフィールド読出し、フレーム読出し切換ｎｆ
慌な撮像装置の主要部の１！！略を示すブロック図、第
５図は第１図て使用されるＣＣＤの概略を示すＩＡ、第
６図はフィールド読出しの時の駆動タイミングチャート
、第７図はフレーム読出しの時の駆動タイミングチャー
ト、第８図は電子スチルカメラにおける撮像シーケンス
の概略図で、第９図はＣＣＤの感度特性図、第１０図は
一般に用いられている縦形オーバーフロートレイン型の
ホトダイオードの深さ方向に対するポテンシャル分布を
示した図である。 図中。 １：ｃｃＤ ２：信号処理回路３ニドライブ回
路 ４：クロック発生回路５：バイアス回路 ２０ニジ
ステム制御部：ＩＯ： ＥＥＰＲＯＭ ：１１： Ｄ
／Ａコンバータ代理人 弁理士 １）北 嵩 晴 殉 第３図 １υ 第４図 ポ’ＡＩンｒ−ｘ− Ｕ 第５図 （Ｑ） ７１−＋ｖＰ鐙辰ム （ｂ） ブムームーｖｔ。 第８図
Claims (2)
- （１）撮像素子の各画素において形成された信号をフィ
ールド読出し及びフレーム読出しとで切換える切換手段
と、この切換手段の切換動作と連動して、前記各画素の
オーバーフローレベルを切換制御する為のオーバーフロ
ー制御手段とを設けたことを特徴とする撮像装置。 - （２）前記フィールド読出し及びフレーム読出しにおけ
る前記各画素のオーバーフローレベルに関するデータを
ＥＥＰＲＯＭに記録したことを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62024624A JPH0720217B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 撮像装置 |
| US07/453,213 US4963980A (en) | 1987-02-06 | 1989-12-13 | Image sensing device |
| US07/839,669 US5157498A (en) | 1987-02-02 | 1992-02-19 | Image sensing device with non-linear converting means |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62024624A JPH0720217B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63193776A true JPS63193776A (ja) | 1988-08-11 |
| JPH0720217B2 JPH0720217B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=12143295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62024624A Expired - Lifetime JPH0720217B2 (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-06 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720217B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60136158U (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-10 | ソニー株式会社 | 半導体イメ−ジセンサ− |
-
1987
- 1987-02-06 JP JP62024624A patent/JPH0720217B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60136158U (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-10 | ソニー株式会社 | 半導体イメ−ジセンサ− |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0720217B2 (ja) | 1995-03-06 |
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