JPH07202565A - 発振器回路 - Google Patents

発振器回路

Info

Publication number
JPH07202565A
JPH07202565A JP6331397A JP33139794A JPH07202565A JP H07202565 A JPH07202565 A JP H07202565A JP 6331397 A JP6331397 A JP 6331397A JP 33139794 A JP33139794 A JP 33139794A JP H07202565 A JPH07202565 A JP H07202565A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oscillator circuit
circuit
mos
electrode
inductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6331397A
Other languages
English (en)
Inventor
Thaddeus J Gabara
ジョン ガバラ サディアス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
AT&T Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22598872&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH07202565(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by American Telephone and Telegraph Co Inc, AT&T Corp filed Critical American Telephone and Telegraph Co Inc
Publication of JPH07202565A publication Critical patent/JPH07202565A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L3/00—Starting of generators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/1271—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the frequency being controlled by a control current, i.e. current controlled oscillators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0082—Lowering the supply voltage and saving power
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0094—Measures to ensure starting of oscillations
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0098—Functional aspects of oscillators having a balanced output signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
    • H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
    • H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低電力消費型の発振器回路をＣＭＯＳ内に組
み込み、この発振器回路が同時に相補型の２個の出力信
号を生成できるようにすることである。 【構成】 本発明の第１の実施例の発振器回路は、第１
の導電型のＣＭＯＳ１０，１２を交差接続し、さらに、
２個のキャパシタ２８，３０とインダクタ１６，１８と
からなるタンク回路を有する。本発明の第２の実施例に
おいては、本発明の発振器回路は、第１の導電型の交差
接続されたＭＯＳ素子５０，５２と１個のインダクタ６
２とキャパシタ６４，６６とを有するタンク回路とを有
する。この第２の実施例においては、第２導電型の２個
のＭＯＳ素子７０，７２が第１のＭＯＳ素子５０，５２
にそれぞれ接続されて、周波数変動素子として機能す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発振器回路に関し、特
に、ＣＭＯＳ技術を用いて、集積回路内に形成される低
電力消費型の発振器回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】発振器は、タイミング信号、すなわち、
クロック信号を提供するために、様々な電子部品に使用
されている。ＩＣ内のこのような発振器回路を小さくす
る傾向が強まるにつれて、発振器回路を他の回路と適用
する要求も強まっている。特に、発振器回路の設計者は
ＣＭＯＳ内に組み込んだ発振器が望ましいと考えてい
る。
【０００３】特に、最近無線通信システムが広まるにつ
れて、低電力消費の発振器装置の必要性が高まってい
る。さらに、また有線のシステムにおいても、このよう
な低電力消費型の発振器が望ましい。
【０００４】さらに、また多くの実際的応用において
は、発振器回路はタイミング信号、すなわち、クロック
信号を生成し、それと同期して、これらの信号の相補信
号を生成するのは望まれている。このようにして、発振
器は同時に２個の出力信号を生成し、それらの位相は互
いに１８０度ずれている。このように１８０度ずれた基
準信号を生成できると、ＣＭＯＳ系のシステム内で、ｐ
−チャネル素子とｎ−チャネル素子の両方に対し、同時
にタイミング信号を形成することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、低電力消費型の発振器回路をＣＭＯＳ内に組み込
み、この発振器回路が同時に相補型の２個の出力信号を
生成できることである。このような発振器回路により、
無線通信システムおよび有線の通信システムにおいて、
その使用範囲が拡大し、益々重要なものとなる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施例による
発振器回路は、第１の導電型のＣＭＯＳを交差接続し、
さらに、キャパシタと２個のインダクタとを有するタン
ク回路を有する。本発明の第２の実施例においては、本
発明の発振器回路は、第１の導電型の交差接続されたＭ
ＯＳ素子と１個のインダクタとキャパシタとを有するタ
ンク回路とを有する。この第２の実施例においては、第
２導電型の２個のＭＯＳ素子が第１のＭＯＳ素子にそれ
ぞれ接続されて、周波数変動素子として機能する。
【０００７】
【実施例】図１において、本発明の発振器回路は、ＩＣ
の形態で２個の従来のｎ−チャネルＭＯＳ素子１０，１
２とを有する。これは０．９μｍのデザインルールで形
成されたものである。この実施例においては、ｎ−チャ
ネルＭＯＳ素子１０，１２は同一のものとしてある。各
素子は５０−１００μｍの幅と０．７５μｍゲート長を
有する。
【０００８】このｎ−チャネルＭＯＳ素子１０，１２の
ソース電極は、電力ソース１４に接続されている。この
電力ソース１４は、ＶＳＳとして示し、−５．０ボルト
の直流電流源である。ｎ−チャネルＭＯＳ素子１０，１
２のドレイン電極は、インダクタ１６，１８を介して、
電力ソース２０に接続されている。ここで、電力ソース
２０はＶＳＳ／２で、約−２．５ボルトとしている。
【０００９】本発明によれば、ｎ−チャネルＭＯＳ素子
１２のゲート電極は、ノード２２の点でｎ−チャネルＭ
ＯＳ素子１０のドレイン電極に接続されている。同様
に、ｎ−チャネルＭＯＳ素子１０のゲート電極は、ｎ−
チャネルＭＯＳ素子１２のドレイン電極にノード２４の
点で接続されている。
【００１０】キャパシタ２６がノード２２と２４との間
に接続されている。２個のキャパシタ２８と３０は、そ
れぞれノード２２と２４と電力ソース１４との間に接続
されている。インダクタ１６、１８とキャパシタ２６、
２８、３０とは発振器用のＬＣタンク回路を構成する。
【００１１】図１に示した本発明の発振器回路は、ノー
ド２２にサイン波形の電圧出力を、ノード２４にその相
補出力を生成する。言い換えると、ノード２２と２４で
のサイン波形は、互いに１８０度位相がずれている。
【００１２】ノード２２の出力は負荷３２に接続され、
一方、ノード２４の出力は負荷３４に接続される。この
両方の負荷は容量性である。例えば、負荷３２と３４
は、ネットワーク内のＭＯＳ素子で、このＭＯＳ素子は
ノード２２、２４で生成された信号で制御される。
【００１３】図１に示した本発明の回路は、約１．２Ｇ
Ｈｚの周波数で、サイン波形の出力を提供する。インダ
クタ１６と１８は約１．０ｎＨ（ナノヘンリ）である。
このような定格を有するインダクタとＩＣチップ内に収
納できるように小型化する方法および残りの回路につい
ては、図５において後述する。
【００１４】図１示したキャパシタは様々な方法で形成
できる。例えば、金属−酸化物−金属層をＩＣ内に組み
込んで、必要なキャパシタを得ることができる。ｎ−チ
ャネルＭＯＳ、あるいは、ｐ−チャネルＭＯＳのゲート
酸化物のキャパシタンスも、このようなキャパシタンス
として利用することもできる。さらに、また本発明の回
路内の固有の浮遊キャパシタンスおよびこの回路により
駆動される負荷のキャパシタンスも、この回路の周波数
を決定する要素の値となるキャパシタンスを提供する。
【００１５】図１の回路の周波数は約１．２ＧＨｚであ
るが、この場合においては、ノード２２と２４との間に
接続されたキャパシタ２６は４．０ｐＦの値を有する。
各キャパシタ２８と３０は個別の素子として示されてい
るが、実際には、これらの素子は、互いに並列に接続さ
れた浮遊キャパシタンスおよび負荷キャパシタンスでも
良い。１．２ＧＨｚで動作するような発振器回路におい
ては、ノード２２と２４とに接続される全体のキャパシ
タンスは約０．５ｐＦである。
【００１６】実際に図１の回路のＣＭＯＳ内のインダク
タとキャパシタは、１．２ＧＨｚで動作するよう構成さ
れて、比較的低損失の特性のタンク回路を形成する。例
えば、このようなタンク回路は、１５−２０のＱを有す
る。この本発明の発振器回路により、消費される電力は
僅か２７ｍＷであった。これに対し、従来のＭＯＳ、あ
るいは、ＣＭＯＳを用いた発振器回路では、２５０ｍＷ
の電力消費であった。
【００１７】図１の発振器回路の信頼性ある動作を確保
するために、スタートアップ回路を定常状態の発振モー
ドにするのが好ましい。例えば、このスタートアップ回
路は、スタートアップ信号ソース３６とｎ−チャネルＭ
ＯＳ素子３８、４０とを有する。
【００１８】図１のｎ−チャネルＭＯＳ素子３８のドレ
イン電極は、例えば、接地のような基準電位点に接続さ
れ、そのソース電極はノード２２に接続される。さら
に、ｎ−チャネルＭＯＳ素子４０のソース電極は、電力
ソース１４と同一の値を有する電力ソース４２に接続さ
れる。そして、そのドレイン電極は、ノード２４に接続
される。ｎ−チャネルＭＯＳ素子３８と４０の両方のゲ
ート電極は、スタートアップ信号ソース３６の出力に接
続される。
【００１９】図１のスタートアップ信号ソース３６は、
ＶＳＳ（−５．０Ｖ）、あるいは、０ボルト（接地）を
ｎ−チャネルＭＯＳ素子３８と４０のゲートに供給す
る。−５．０Ｖがそのゲートに供給されている間、ｎ−
チャネルＭＯＳ素子３８と４０は導通せず、そして、こ
のスタートアップ信号ソース３６はディスエーブルされ
ている。
【００２０】まず、このスタートアップ信号ソース３６
はディスエーブルされているが、残りの回路は活性化さ
れている。ノード２２と２４の電圧はほぼ等しいとして
いる。この場合、インダクタ１６、１８を流れる電流は
ほぼ等しくなり、その結果、この回路はバランスした状
態、すなわち、非振動の定常状態である。
【００２１】スタートアップ信号を図１の回路に加える
と、この回路はその所望の発振状態に確実になる。この
ようなスタートアップ信号の理想的な波形４４は、ｔ１
−ｔ２の間に発生し、それを図３に示す。
【００２２】スタートアップ信号４４をｎ−チャネルＭ
ＯＳ素子３８と４０のゲートに加えると、この素子は導
通状態となる。その結果、ノード２２の電圧は正とな
り、ノード２４の電圧は負となる。同時に、インダクタ
１６を流れる電流は減少し、インダクタ１８を流れる電
流は増加する。このようにして、この回路の最初のバラ
ンス状態は、スタートアップ信号によって変化する。
【００２３】図３のスタートアップ信号４４がＶＳＳの
値に戻ると（時間ｔ２）、このスタートアップ回路内の
ｎ−チャネルＭＯＳ素子３８と４０は非導通状態とな
る。その時に、本発明の発振器回路はインダクタ１６、
１８、キャパシタ２６、２８、３０内に蓄えられたエネ
ルギーによって、バランス状態が崩れる。従って、この
タンク回路内に蓄えられたエネルギーと交差接続された
ノード２２と２４の再生的なフィードバック動作によ
り、発振が時間ｔ３まで立ち上がり、通常出力サイン波
形４６がノード２２点に現れ、相補出力サイン波形４８
がノード２４に現れる（図４）。
【００２４】図４のサイン波形４６と４８は、最大値が
０ボルトで、最小値がＶＳＳ（−５．０ボルト）であ
る。この各サイン波形の中点は、ＶＳＳ／２の点で起き
る。そして、その２個のサイン波形は、互いに１８０度
位相がずれている。
【００２５】図２に示した発振器回路は、図１に示した
発振器回路と同様な構成を有する。この図２の構成は交
差接続したｎ−チャネルＭＯＳ素子５０と５２とを有す
る。図２において、出力ノード５４と５６はそれぞれ負
荷５８と６０に接続される。インダクタ６２が２つの出
力ノード点の間に接続される。これは図１のキャパシタ
と異なる点である。インダクタ６２とキャパシタ６４、
６６は、図２の発振器回路のタンク回路を構成する。
【００２６】さらに、図２のｎ−チャネルＭＯＳ素子５
０と５２のソース電極とキャパシタ６４と６６の底部プ
レートとは、電力ソース６８（ＶＳＳ）に接続される。
この電力ソース６８は−５．０ボルトの電圧を有する。
【００２７】図２の発振器回路は、接地である基準電圧
とｎ−チャネルＭＯＳ素子５０、５２のドレイン電極と
の間に接続されたｐ−チャネルＭＯＳ素子７０、７２を
有する。ｐ−チャネルＭＯＳ素子７０、７２のゲート電
極に供給される直流電圧を変化させることにより、発振
器の周波数を替えることができる。この周波数変化を行
う電力ソース７４は図２に示されている。
【００２８】図２の発振器回路は、図１と同一のタイプ
のスタートアップ回路７６を有する。このようにして、
図２の回路は図４に示された定常発振状態を達成するよ
う制御される。
【００２９】ｐ−チャネルＭＯＳ素子７０、７２のゲー
トに−５．０ボルトのバイアスがかけられている時に
は、図２の回路は１．２ＧＨｚで動作する。この場合、
インダクタ６２の値は１０．０ｎＨで、キャパシタ６４
と６６はそれぞれ出力ノード５４、５６に接続された全
容量が６．５ｐＦである。電力ソース７４の出力電圧を
−５．０ボルトから−２．０ボルトの間で変化させるこ
とにより、±２５ＭＨｚの周波数変動が得られた。この
条件下で、本発明の発振器回路の消費電力は、わずか２
７ｍＷであった。
【００３０】１．２ＧＨｚのような高周波動作に対し、
図１、２に示されたインダクタ１６、１８、６２に必要
なインダクタンスを小さくすることが様々な方法で実現
できる。このような小さなインダクタンスを達成できる
１つの方法は、図５に示されるような絶縁性基板の上に
導電性パターンを形成することである。
【００３１】図５はアルミ製の導電性パターン８０の上
面図で、この導電性パターン８０は水晶製の絶縁性基板
８２に接着される。この導電性パターン８０はインダク
タを構成する。導電性パターン８０の各端部はパッド
（ハンダバンプ）８６、８８を形成するよう拡大されて
いる。このパッド８６、８８により、インダクタの端部
は図６に示すように回路の他の要素に接続される。絶縁
性基板８２の上に複数のインダクタを形成することも可
能である。
【００３２】図６は図５に示されたインダクタを逆さま
にして、ＩＣチップ８４の上に配置したものである。こ
のＩＣチップ８４はインダクタが接続されるべき回路を
有している。導電性パターン８０とＩＣチップ８４の上
の標準の接続パッドとの間の接続は、パッド８６、８８
により行われる。
【００３３】この実施例においては、導電性パターン８
０のパッドの底部表面とＩＣチップ８４の接続パッドの
上部表面との間の距離ｄは、パッド８６と８８とによっ
て決定され、それは僅か１００μｍである。このように
して、ＩＣチップ８４の上の回路に付加されたインダク
タンスは、導電性パターン８０の所定のデザインによっ
て主に決定される。このようにして、決定された小さな
値のインダクタンスは、微細に制御でき、再現性があ
る。
【００３４】以上の実施例においては、交差接続した２
つのｎ−チャネルＭＯＳ素子を本発明の発振器回路とス
タートアップ回路に用いたが、ｐ−チャネルＭＯＳ素子
を用いでも実現できる。このようなｎ−チャネル素子と
ｐ−チャネル素子の置換は、必要な電力供給の極性を変
化させればよい。交差接続されたｐ−チャネル素子が図
２の回路に用いられた場合には、その周波数変動要素ｐ
−チャネルＭＯＳ素子７０、７２はｎ−チャネル素子に
すればよい。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、交
差接続したＭＯＳ素子を用い、さらに、発振器回路を交
差接続したＭＯＳ素子を用いて形成することにより、極
めて安定した低電力消費の発振器回路を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例による回路図である。
【図２】本発明の第２の実施例による回路図である。
【図３】図１と２の回路に適用されるスタートアップ信
号の波形を表す図。
【図４】図１と２から得られた相補型の出力信号の波形
を表す図。
【図５】図１と２の回路で実現されるインダクタを表す
図。
【図６】図１と２の回路で実現されるインダクタを表す
図。
【符号の説明】
１０、１２ ｎ−チャネルＭＯＳ素子 １４、２０ 電力ソース １６、１８ インダクタ ２２、２４ ノード ２６、２８、３０ キャパシタ ３２、３４ 負荷 ３６ スタートアップ信号ソース ３８、４０ ｎ−チャネルＭＯＳ素子 ４２ 電力ソース ４４ スタートアップ信号 ４６、４８ サイン波形 ５０、５２ ｎ−チャネルＭＯＳ素子 ５４、５６ 出力ノード ５８、６０ 負荷 ６２ インダクタ ６４、６６ キャパシタ ６８ 電力ソース ７０、７２ ｐ−チャネルＭＯＳ素子 ７４ 電力ソース ７６ スタートアップ回路 ８０ 導電性パターン ８２ 絶縁性基板 ８４ ＩＣチップ ８６、８８ パッド（ハンダバンプ）

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （Ａ） ソース電極とドレイン電極とゲ
    ート電極とを有する第１導電型の第１と第２のＭＯＳ素
    子（１０，１２）と、 （Ｂ） 前記第１ＭＯＳ素子（１０）のドレイン電極を
    前記第２ＭＯＳ素子（１２）のゲート電極に接続し、前
    記第２ＭＯＳ素子（１２）のドレイン電極を前記第１Ｍ
    ＯＳ素子（１０）のゲート電極に接続する手段と、 （Ｃ） 前記ソース電極とドレイン電極に接続されたキ
    ャパシタとインダクタとからなるタンク回路と、 からなることを特徴とする発振器回路。
  2. 【請求項２】 （Ｄ）前記ソース電極とドレイン電極を
    電力ソース（２０，１４）に接続する手段をさらに有す
    ることを特徴とする請求項１の発振器回路。
  3. 【請求項３】 前記（Ｃ）のタンク回路は、 （Ｅ）前記ドレイン電極間に接続されたキャパシタ（２
    ６）と、前記各第１と第２のＭＯＳ素子のソース電極と
    ドレイン電極間に接続されたキャパシタ（２８，３０）
    と、 （Ｆ）前記ドレイン電極（２２，２４）と前記電力ソー
    ス（２０）との間に接続されたインダクタ（１６，１
    ８）とを有することを特徴とする請求項２の発振器回
    路。
  4. 【請求項４】 前記ドレイン電極に接続されたスタート
    アップ回路（３６）をさらに有することを特徴とする請
    求項３の発振器回路。
  5. 【請求項５】 前記（Ｃ）のタンク回路は、 （Ｇ）前記ドレイン電極間に接続されたインダクタ（６
    ２）と （Ｈ）前記第１と第２のＭＯＳ素子のソース電極とドレ
    イン電極間に接続されたキャパシタ（６４，６６）とを
    有することを特徴とする請求項２の発振器回路。
  6. 【請求項６】 前記第１の導電型の第１と第２のＭＯＳ
    素子（５０，５２）のドレイン電極（５４，５６）と前
    記電力ソースとの間に接続されたソース−ドレインパス
    を有する第２導電型の第１と第２のＭＯＳ素子（７０，
    ７２）をさらに有することを特徴とする請求項５の発振
    器回路。
  7. 【請求項７】 前記第２導電型の第１と第２のＭＯＳ素
    子（７０，７２）のゲート電極接続された可変の直流電
    流電力ソース（７４）をさらに有することを特徴とする
    請求項６の発振器回路。
  8. 【請求項８】 前記第１導電型の第１と第２のＭＯＳ素
    子（５０，５２）のドレイン電極に接続されたスタート
    アップ回路（７６）をさらに有することを特徴とする請
    求項７の発振器回路。
  9. 【請求項９】 （Ａ） ソース電極とドレイン電極とゲ
    ート電極とを有する第１導電型の第１と第２のＭＯＳ素
    子（１０，１２）と、 （Ｂ） 前記第１ＭＯＳ素子のドレイン電極を前記第２
    ＭＯＳ素子のゲート電極に接続し、前記第２ＭＯＳ素子
    のドレイン電極を前記第１ＭＯＳ素子のゲート電極に接
    続する手段と、 （Ｉ） 前記第１と第２のＭＯＳ素子のドレイン電極間
    に接続された反応要素と、 （Ｊ）前記第１と第２のＭＯＳ素子のソース電極とドレ
    イン電極とを電力ソース（２０，１４）に接続する反応
    性要素を含む手段とからなることを特徴とする発振器回
    路。
  10. 【請求項１０】 前記（Ｉ）の反応性要素は、キャパシ
    タ（２６）であることを特徴とする請求項９の発振器回
    路。
  11. 【請求項１１】 前記（Ｊ）の反応性要素は、 （Ｋ）前記第１ＭＯＳ素子（１０）のドレイン電極と前
    記電力ソース（１４，２０）に接続される第１のキャパ
    シタ（２８）とインダクタ（１６）と、 （Ｌ）前記第２ＭＯＳ素子（１２）のドレイン電極と前
    記電力ソース（１４，２０）に接続される第２キャパシ
    タ（３０）とインダクタ（１８）とを有することを特徴
    とする請求項１０の発振器回路。
  12. 【請求項１２】 前記（Ｉ）の反応性要素は、インダク
    タ（６２）であることを特徴とする請求項９の発振器回
    路。
JP6331397A 1993-12-13 1994-12-12 発振器回路 Pending JPH07202565A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US165433 1993-12-13
US08/165,433 US5396195A (en) 1993-12-13 1993-12-13 Low-power-dissipation CMOS oscillator circuits

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07202565A true JPH07202565A (ja) 1995-08-04

Family

ID=22598872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6331397A Pending JPH07202565A (ja) 1993-12-13 1994-12-12 発振器回路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5396195A (ja)
EP (1) EP0657993A1 (ja)
JP (1) JPH07202565A (ja)
CA (1) CA2118545C (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003010881A1 (en) * 2001-07-25 2003-02-06 Niigata Seimitsu Co., Ltd. Oscillator
JP2006180513A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Agere Systems Inc 容量結合周波数制御をもつ低電力分散ｃｍｏｓ発振器回路
US7420429B2 (en) 2006-05-02 2008-09-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Source coupled differential complementary colpitts oscillator

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5559463A (en) * 1994-04-18 1996-09-24 Lucent Technologies Inc. Low power clock circuit
US5892400A (en) * 1995-12-15 1999-04-06 Anadigics, Inc. Amplifier using a single polarity power supply and including depletion mode FET and negative voltage generator
FI100627B (fi) * 1996-05-09 1998-01-15 Nikolay Tchamov Multivibraattoripiiri
FI100628B (fi) * 1996-05-09 1998-01-15 Nikolay Tchamov Multivibraattoripiiri
US5680077A (en) * 1996-06-13 1997-10-21 Motorola Inc. Oscillator-transmitter with shared output circuit
SE515783C2 (sv) * 1997-09-11 2001-10-08 Ericsson Telefon Ab L M Elektriska anordningar jämte förfarande för deras tillverkning
US6317008B1 (en) 1998-01-26 2001-11-13 Agere Systems Guardian Corp. Clock recovery using an injection tuned resonant circuit
US6249192B1 (en) 1998-01-26 2001-06-19 Agere Systems Guardian Corp. Clock injection system
US5959504A (en) * 1998-03-10 1999-09-28 Wang; Hongmo Voltage controlled oscillator (VCO) CMOS circuit
US6175285B1 (en) 1998-08-14 2001-01-16 Lucent Technologies, Inc. Injection tuned resonant circuits
US6307443B1 (en) 1999-09-24 2001-10-23 Agere Systems Guardian Corp. Bandpass filters with automatic tuning adjustment
AU2001283169A1 (en) * 2000-08-10 2002-02-25 University Of Southern California Multiphase resonant pulse generators
DE10056942A1 (de) * 2000-11-17 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Oszillatorschaltkreis
JP4361789B2 (ja) * 2001-08-14 2009-11-11 ヴァルダーム・アンパルトセルスカブ 体表の過剰増殖疾患の処置
US6900699B1 (en) 2001-11-14 2005-05-31 Berkana Wireless, Inc. Phase synchronous multiple LC tank oscillator
US7005930B1 (en) * 2001-11-14 2006-02-28 Berkana Wireless, Inc. Synchronously coupled oscillator
GB0403609D0 (en) * 2004-02-18 2004-03-24 Sony Uk Ltd Differential oscillator
DE102004017788B4 (de) 2004-04-02 2008-01-03 Atmel Germany Gmbh Oszillator mit abstimmbarer Diffusionskapazität als Schwingkreiskapazität
US7199651B2 (en) * 2004-11-18 2007-04-03 Agere Systems Inc. Frequency selection using capacitance multiplication
US7250826B2 (en) * 2005-07-19 2007-07-31 Lctank Llc Mutual inductance in transformer based tank circuitry
US7508280B2 (en) * 2005-07-19 2009-03-24 Lc Tank Llc Frequency adjustment techniques in coupled LC tank circuits
US7786836B2 (en) * 2005-07-19 2010-08-31 Lctank Llc Fabrication of inductors in transformer based tank circuitry
US7511588B2 (en) * 2005-07-19 2009-03-31 Lctank Llc Flux linked LC tank circuits forming distributed clock networks
US7564316B2 (en) * 2005-12-23 2009-07-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Variable-frequency oscillator incorporating thin-film bulk acoustic resonators
TWI353113B (en) * 2007-09-29 2011-11-21 Univ Nat Taiwan Science Tech Injection-locked frequency divider with wide injec
TWI339004B (en) * 2007-10-18 2011-03-11 Univ Nat Taiwan Science Tech Injection-locked frequency divider
US7965489B2 (en) * 2007-12-07 2011-06-21 METAMEMS Corp. Using coulomb forces to form 3-D reconfigurable antenna structures
US7812336B2 (en) * 2007-12-07 2010-10-12 METAMEMS Corp. Levitating substrate being charged by a non-volatile device and powered by a charged capacitor or bonding wire
US7728427B2 (en) * 2007-12-07 2010-06-01 Lctank Llc Assembling stacked substrates that can form cylindrical inductors and adjustable transformers
US8531848B2 (en) * 2007-12-07 2013-09-10 METAMEMS Corp. Coulomb island and Faraday shield used to create adjustable Coulomb forces
US8159809B2 (en) * 2007-12-07 2012-04-17 METAMEMS Corp. Reconfigurable system that exchanges substrates using coulomb forces to optimize a parameter
US8018009B2 (en) * 2007-12-07 2011-09-13 METAMEMS Corp. Forming large planar structures from substrates using edge Coulomb forces
US7946174B2 (en) * 2007-12-07 2011-05-24 METAMEMS Corp. Decelerometer formed by levitating a substrate into equilibrium
US7863651B2 (en) 2007-12-07 2011-01-04 METAMEMS Corp. Using multiple coulomb islands to reduce voltage stress
US8008070B2 (en) * 2007-12-07 2011-08-30 METAMEMS Corp. Using coulomb forces to study charateristics of fluids and biological samples
US20090149038A1 (en) * 2007-12-07 2009-06-11 Metamems Llc Forming edge metallic contacts and using coulomb forces to improve ohmic contact
US8933665B2 (en) 2009-08-05 2015-01-13 Apple Inc. Balancing voltages between battery banks
US8541999B2 (en) * 2009-08-05 2013-09-24 Apple Inc. Controlling power loss in a switched-capacitor power converter
US8085103B2 (en) * 2009-08-05 2011-12-27 Apple Inc. Resonant oscillator circuit with reduced startup transients
US8710936B2 (en) 2009-08-05 2014-04-29 Apple Inc. Resonant oscillator with start up and shut down circuitry
US8406710B1 (en) 2011-09-23 2013-03-26 Tensorcom, Inc. Method and apparatus of minimizing extrinsic parasitic resistance in 60 GHz power amplifier circuits
US8626106B2 (en) 2011-12-06 2014-01-07 Tensorcom, Inc. Method and apparatus of an input resistance of a passive mixer to broaden the input matching bandwidth of a common source/gate LNA
US8618891B2 (en) 2011-12-30 2013-12-31 Tensorcom, Inc. Method and apparatus of a resonant oscillator separately driving two independent functions

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3429574A1 (de) * 1984-08-10 1986-02-20 Ernst Hebenstreit Gegentaktoszillator mit leistungs-mosfet
DE3710835A1 (de) * 1987-04-01 1988-10-20 Kohn Dietmar Lc-oszillator
JP2828463B2 (ja) * 1989-06-27 1998-11-25 アンリツ株式会社 電圧制御発振器
CH682019A5 (en) * 1989-12-18 1993-06-30 Crossmos S A Amplitude control circuit for oscillator circuit - includes current sources and current mirror in circuit to limit final output voltage of oscillator control circuit

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003010881A1 (en) * 2001-07-25 2003-02-06 Niigata Seimitsu Co., Ltd. Oscillator
US7378709B2 (en) 2001-07-25 2008-05-27 Niigata Seimitsu Co., Ltd. Oscillator with a guard ring formed around an N well and constituent components integrally formed on the N well, on a semiconductor substrate
JP2006180513A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Agere Systems Inc 容量結合周波数制御をもつ低電力分散ｃｍｏｓ発振器回路
US7420429B2 (en) 2006-05-02 2008-09-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Source coupled differential complementary colpitts oscillator

Also Published As

Publication number Publication date
US5396195A (en) 1995-03-07
CA2118545A1 (en) 1995-06-14
EP0657993A1 (en) 1995-06-14
CA2118545C (en) 1997-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07202565A (ja) 発振器回路
JP2002043842A (ja) Ｌｃ共振回路及び電圧制御型発振回路
US11750199B2 (en) Quadrature oscillator circuitry and circuitry comprising the same
US7145409B2 (en) Low power quadrature voltage controlled oscillator using back gate
KR100835130B1 (ko) 발진기 회로
US20060220754A1 (en) Voltage controlled oscillator
KR20050083596A (ko) 집적회로를 위한 클럭 발생기
US6566971B1 (en) Method and circuitry for implementing a differentially tuned varactor-inductor oscillator
US7075380B2 (en) Widely tuneable and fully differential LC oscillator utilizing an active inductor
US7078980B2 (en) Voltage controlled oscillator with switched tuning capacitors
Younis et al. Non-dissipative rail drivers for adiabatic circuits
US5475345A (en) Ultra-fast MOS device circuits
JP2002208818A (ja) 発振装置
US6674333B1 (en) Band switchable voltage controlled oscillator with substantially constant tuning range
US11239795B2 (en) Fully integrated oscillator for ultra low voltage applications with quadrupled voltage and low phase noise
KR20010021705A (ko) 오실레이터를 포함한 집적 회로
US7038550B2 (en) Smart current controlled (SCC) resonator driver
US6812801B2 (en) Crystal oscillator circuit having capacitors for governing the resonant circuit
US20010035797A1 (en) Method and circuitry for implementing a differentially tuned varactor-inductor oscillator
US7274264B2 (en) Low-power-dissipation CMOS oscillator circuits with capacitively coupled frequency control
US11881817B2 (en) Low power oscillator with variable duty cycle and method therefor
WO2007036849A1 (en) Varactor-less oscillator with enhanced tuning capability
Drăgoi et al. Current-mode double-simulation sine oscillator [articol]
US20060145791A1 (en) Variable reactance tuning circuit
JP2003209436A (ja) 高周波電圧制御発振器