JPH0720502A - 光学装置 - Google Patents
光学装置Info
- Publication number
- JPH0720502A JPH0720502A JP18736593A JP18736593A JPH0720502A JP H0720502 A JPH0720502 A JP H0720502A JP 18736593 A JP18736593 A JP 18736593A JP 18736593 A JP18736593 A JP 18736593A JP H0720502 A JPH0720502 A JP H0720502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- ferroelectric liquid
- chiral
- spiral
- optical device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 対向電極3a、3b上に液晶分子の配向膜4
a、4bが設けられ、対向電極3a−3b間に装填され
る強誘電性液晶20は、螺旋の巻き方向が互いに逆である
複数のカイラル分子の混合物からなっていて、螺旋のピ
ッチが予め実質的に無限大となされている液晶素子。 【効果】 光学デバイスとしてより高速の動作が可能で
あり、しかもメモリ性を発現させるためのパルス幅をよ
り短くすることが可能となり、また、液晶分子の配向状
態が改善され、コントラストが向上する。
a、4bが設けられ、対向電極3a−3b間に装填され
る強誘電性液晶20は、螺旋の巻き方向が互いに逆である
複数のカイラル分子の混合物からなっていて、螺旋のピ
ッチが予め実質的に無限大となされている液晶素子。 【効果】 光学デバイスとしてより高速の動作が可能で
あり、しかもメモリ性を発現させるためのパルス幅をよ
り短くすることが可能となり、また、液晶分子の配向状
態が改善され、コントラストが向上する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶(FL
C)を用いた液晶表示素子等の光学素子からなる光学装
置に関するものである。
C)を用いた液晶表示素子等の光学素子からなる光学装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】強誘電性液晶を用いた光学デバイス、例
えば液晶表示素子は、図2及び図3に示すように、2枚
のガラス基板2a、2bの内面に透明電極3a及び配向
膜4a、透明電極3b及び配向膜4bを順次被着したも
のを配向膜側で対向させ、その間に強誘電性液晶20を注
入、装填したセル構造1となっている。
えば液晶表示素子は、図2及び図3に示すように、2枚
のガラス基板2a、2bの内面に透明電極3a及び配向
膜4a、透明電極3b及び配向膜4bを順次被着したも
のを配向膜側で対向させ、その間に強誘電性液晶20を注
入、装填したセル構造1となっている。
【0003】そして、電極3a、3bはストライプ状で
あって、互いにマトリックス状に交差して設けられ、そ
れらの交点領域に時系列に電圧が選択的に印加されるよ
うになっている。また、液晶20が所定の厚さになるよう
に、周囲をシール材5で密封し、ガラスビーズのスペー
サ(図示せず)によってセルギャップを保持している。
配向膜4a、4bが有機質の場合は、セル1の作製段階
で液晶分子の配向のためのラビング処理が施される。
あって、互いにマトリックス状に交差して設けられ、そ
れらの交点領域に時系列に電圧が選択的に印加されるよ
うになっている。また、液晶20が所定の厚さになるよう
に、周囲をシール材5で密封し、ガラスビーズのスペー
サ(図示せず)によってセルギャップを保持している。
配向膜4a、4bが有機質の場合は、セル1の作製段階
で液晶分子の配向のためのラビング処理が施される。
【0004】こうした液晶表示素子においては、一般
に、使用する強誘電性液晶20自身が螺旋を巻いた構造を
形成している。そして、対向電極間に逆極性の電圧が印
加されることによって、コーン角に沿って2つの状態に
スイッチングされ、表示素子からの光をオン、オフする
ようになっている。
に、使用する強誘電性液晶20自身が螺旋を巻いた構造を
形成している。そして、対向電極間に逆極性の電圧が印
加されることによって、コーン角に沿って2つの状態に
スイッチングされ、表示素子からの光をオン、オフする
ようになっている。
【0005】強誘電性液晶は本来、電圧に対する応答性
の良いものであるが、更に高速応答性と共にコントラス
トの向上が要求されている。
の良いものであるが、更に高速応答性と共にコントラス
トの向上が要求されている。
【0006】このような強誘電性液晶について、一対の
対向電極上に設けた液晶分子配向膜の界面規制力によっ
て強誘電性液晶自身の螺旋をほどき、表面安定化を図っ
た強誘電性液晶デバイスが提案されている(米国特許第
4,367,924号)。
対向電極上に設けた液晶分子配向膜の界面規制力によっ
て強誘電性液晶自身の螺旋をほどき、表面安定化を図っ
た強誘電性液晶デバイスが提案されている(米国特許第
4,367,924号)。
【0007】しかしながら、この公知の液晶デバイスで
は、配向膜表面の分子配向規制力によって螺旋をほどこ
うとしても、実際には、応答性はそれ程向上せず、液晶
の配向性も十分とはならず、上記した要求に応えること
はできない。
は、配向膜表面の分子配向規制力によって螺旋をほどこ
うとしても、実際には、応答性はそれ程向上せず、液晶
の配向性も十分とはならず、上記した要求に応えること
はできない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高速
応答性を示し、しかもメモリ性を発現させるためのパル
ス幅を短くでき、液晶分子の配向性を良好にしてコント
ラストを向上させることのできる液晶素子からなる光学
装置を提供することにある。
応答性を示し、しかもメモリ性を発現させるためのパル
ス幅を短くでき、液晶分子の配向性を良好にしてコント
ラストを向上させることのできる液晶素子からなる光学
装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、螺旋構
造がカイラルスメクチックC相において予め実質的に解
消されている強誘電性液晶を用いた液晶素子からなる光
学装置に係るものである。ここで、「光学装置」とは、
液晶表示素子等の液晶素子自体は勿論であるが、同液晶
素子を組み込んだ光学システム、例えば表示装置や撮像
装置も包含するものである。
造がカイラルスメクチックC相において予め実質的に解
消されている強誘電性液晶を用いた液晶素子からなる光
学装置に係るものである。ここで、「光学装置」とは、
液晶表示素子等の液晶素子自体は勿論であるが、同液晶
素子を組み込んだ光学システム、例えば表示装置や撮像
装置も包含するものである。
【0010】本発明の光学装置によれば、素子に使用す
る強誘電性液晶の螺旋構造を予め(即ち、液晶の装填時
に既に)解かれていることが極めて重要であり、これま
での素子では考えられない全く新規な構成である。
る強誘電性液晶の螺旋構造を予め(即ち、液晶の装填時
に既に)解かれていることが極めて重要であり、これま
での素子では考えられない全く新規な構成である。
【0011】本発明者は、このように強誘電性液晶の螺
旋を予め解消して装填することによって、上記した公知
のデバイスのように配向膜表面の分子配向規制力によっ
て螺旋を解くようにしたものに比べて、光学デバイスと
してより高速の動作が可能であり、しかもメモリ性を発
現させるためのパルス幅をより短くすることが可能とな
り、また、液晶分子の配向状態が改善され、コントラス
トが向上することを見出したのである。
旋を予め解消して装填することによって、上記した公知
のデバイスのように配向膜表面の分子配向規制力によっ
て螺旋を解くようにしたものに比べて、光学デバイスと
してより高速の動作が可能であり、しかもメモリ性を発
現させるためのパルス幅をより短くすることが可能とな
り、また、液晶分子の配向状態が改善され、コントラス
トが向上することを見出したのである。
【0012】本発明においては、上記の強誘電性液晶の
螺旋のピッチが予め実質的に無限大となされていること
が不可欠である。ここで、「実質的に」とは、ピッチが
完全に無限大であること以外にも、無限大の場合と同等
の効果が得られる程にピッチが著しく大きいものも意味
する。
螺旋のピッチが予め実質的に無限大となされていること
が不可欠である。ここで、「実質的に」とは、ピッチが
完全に無限大であること以外にも、無限大の場合と同等
の効果が得られる程にピッチが著しく大きいものも意味
する。
【0013】本発明の光学装置は、少なくとも一方の電
極が光学的に透明である対向電極上に液晶分子の配向膜
が設けられ、前記対向電極間(電極間距離は特に4μm
以下、更には 2.5μm以下がよい。)に強誘電性液晶が
装填された液晶素子として組み立てられ、その強誘電性
液晶は、螺旋の巻き方向が互いに逆である複数のカイラ
ル分子の混合物からなっていて、螺旋のピッチが予め実
質的に無限大となされていること、また、対向電極間に
装填された強誘電性液晶は螺旋を形成していないことが
望ましい。
極が光学的に透明である対向電極上に液晶分子の配向膜
が設けられ、前記対向電極間(電極間距離は特に4μm
以下、更には 2.5μm以下がよい。)に強誘電性液晶が
装填された液晶素子として組み立てられ、その強誘電性
液晶は、螺旋の巻き方向が互いに逆である複数のカイラ
ル分子の混合物からなっていて、螺旋のピッチが予め実
質的に無限大となされていること、また、対向電極間に
装填された強誘電性液晶は螺旋を形成していないことが
望ましい。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【0015】図1は、本実施例による液晶素子の構造を
概略的に示すものである。図中の2a及び2bはガラス
基板、3a及び3bはITO(インジウムにスズをドー
プした透明導電性酸化物)透明電極、4a及び4bはS
iO斜方蒸着膜からなる液晶配向膜、6は真し球、20は
強誘電性カイラル液晶組成物である。本実施例による液
晶素子は、図2及び図3に示した液晶表示素子1や、更
には後述するウォブリング(絵素ずらし)素子用の液晶
素子に組み立てることができる。
概略的に示すものである。図中の2a及び2bはガラス
基板、3a及び3bはITO(インジウムにスズをドー
プした透明導電性酸化物)透明電極、4a及び4bはS
iO斜方蒸着膜からなる液晶配向膜、6は真し球、20は
強誘電性カイラル液晶組成物である。本実施例による液
晶素子は、図2及び図3に示した液晶表示素子1や、更
には後述するウォブリング(絵素ずらし)素子用の液晶
素子に組み立てることができる。
【0016】そして、上記の透明電極3a−3b間(実
際には、配向膜4a−4b間)に装填される強誘電性液
晶又はその組成物20として、本発明に基いて螺旋(ヘリ
ックス)が装填前に予め解かれた状態にある(即ち、ピ
ッチが予めキャンセルされた)液晶組成物を用い、電極
間距離(パネルギャップ)を4μm以下、特に3μm以
下、更には 2.5μm以下にコントロールした液晶パネル
内に注入している。
際には、配向膜4a−4b間)に装填される強誘電性液
晶又はその組成物20として、本発明に基いて螺旋(ヘリ
ックス)が装填前に予め解かれた状態にある(即ち、ピ
ッチが予めキャンセルされた)液晶組成物を用い、電極
間距離(パネルギャップ)を4μm以下、特に3μm以
下、更には 2.5μm以下にコントロールした液晶パネル
内に注入している。
【0017】使用される強誘電性液晶組成物は、通常、
デバイスとして使用する温度範囲が低温から高温にわた
るため、数種類(場合によっては、10種類以上)の液晶
分子をブレンドして使用する。また、強誘電性液晶とし
て、自発分極を持つようにするには、非カイラルのベー
ス液晶に、ある程度の大きさの自発分極を有するカイラ
ル分子をドープして用いる。
デバイスとして使用する温度範囲が低温から高温にわた
るため、数種類(場合によっては、10種類以上)の液晶
分子をブレンドして使用する。また、強誘電性液晶とし
て、自発分極を持つようにするには、非カイラルのベー
ス液晶に、ある程度の大きさの自発分極を有するカイラ
ル分子をドープして用いる。
【0018】この場合、ドープするカイラル分子とし
て、螺旋のピッチが異なる(即ち、巻き方向が互いに逆
である)複数のカイラル分子AとBをベース液晶に対し
て同時に混合する。この混合系において、カイラル分子
Aとカイラル分子Bの螺旋のピッチをそれぞれx(μ
m)及びy(μm)、モル分率をそれぞれm及び(1−
m)とすると、 1/混合系の螺旋ピッチ=m(1/x)+(1−m)
(1/y) の関係式を満たすことが知られている。
て、螺旋のピッチが異なる(即ち、巻き方向が互いに逆
である)複数のカイラル分子AとBをベース液晶に対し
て同時に混合する。この混合系において、カイラル分子
Aとカイラル分子Bの螺旋のピッチをそれぞれx(μ
m)及びy(μm)、モル分率をそれぞれm及び(1−
m)とすると、 1/混合系の螺旋ピッチ=m(1/x)+(1−m)
(1/y) の関係式を満たすことが知られている。
【0019】従って、上記の式から、各々のピッチを持
つカイラル分子の濃度をコントロールして(当然、螺旋
の巻き方向は逆のものを選ぶ。)、混合系の螺旋ピッチ
が無限大になるようにすることができる。
つカイラル分子の濃度をコントロールして(当然、螺旋
の巻き方向は逆のものを選ぶ。)、混合系の螺旋ピッチ
が無限大になるようにすることができる。
【0020】こうして、本発明に基いて、強誘電性液晶
組成物の螺旋ピッチを予め無限大にした状態で、液晶セ
ル内に注入、装填する。但し、この混合系(液晶組成
物)は注入後も螺旋は巻いていない。
組成物の螺旋ピッチを予め無限大にした状態で、液晶セ
ル内に注入、装填する。但し、この混合系(液晶組成
物)は注入後も螺旋は巻いていない。
【0021】次に、本実施例を具体的な例によって更に
詳細に説明する。具体例1 液晶組成物を次のようにして調整した。
詳細に説明する。具体例1 液晶組成物を次のようにして調整した。
【0022】例えば、次の相系列: I,70℃ N,60℃ SmA,50℃ SmC,10℃ K を示す、フェニルピリミジンを主体とする非カイラルベ
ース液晶組成物に、カイラルドーパントとして下記のカ
イラル分子Aとカイラル分子Bとをドープした。
ース液晶組成物に、カイラルドーパントとして下記のカ
イラル分子Aとカイラル分子Bとをドープした。
【0023】カイラル分子A:カイラルスメクチックC
相での螺旋ピッチ=+0.31μmを持ち、分子構造として
は、トリフルオロメチル基を置換基としてもつラクトン
環を有する分子量 581のもの。自発分極としては、フェ
ニルピリミジンベースの液晶に2重量%混合することに
より、−2.2nC/cm2 をもつカイラル分子。
相での螺旋ピッチ=+0.31μmを持ち、分子構造として
は、トリフルオロメチル基を置換基としてもつラクトン
環を有する分子量 581のもの。自発分極としては、フェ
ニルピリミジンベースの液晶に2重量%混合することに
より、−2.2nC/cm2 をもつカイラル分子。
【0024】カイラル分子B:カイラルスメクチックC
相での螺旋ピッチ=−0.19μmを持ち、分子構造として
は、トリフルオロメチル基を置換基としてもつラクトン
環を有する分子量 531のもの。自発分極としては、フェ
ニルピリミジンベースの液晶に2重量%混合することに
より、−3.4nC/cm2 をもつカイラル分子。
相での螺旋ピッチ=−0.19μmを持ち、分子構造として
は、トリフルオロメチル基を置換基としてもつラクトン
環を有する分子量 531のもの。自発分極としては、フェ
ニルピリミジンベースの液晶に2重量%混合することに
より、−3.4nC/cm2 をもつカイラル分子。
【0025】これらのカイラル分子のドープ量は、モル
分率(又は重量)で、カイラル分子Aが0.62(又は3.60
22グラム)、カイラル分子Bが0.38(又は1.7248グラ
ム)であり、上記ベース液晶組成物 261.023グラムに混
合した。
分率(又は重量)で、カイラル分子Aが0.62(又は3.60
22グラム)、カイラル分子Bが0.38(又は1.7248グラ
ム)であり、上記ベース液晶組成物 261.023グラムに混
合した。
【0026】このようにカイラル分子AとBの濃度を調
整してドープすることにより、上記した関係式から、こ
の混合系の液晶組成物の螺旋ピッチは、バルク状態でカ
イラルスメクチックC相(SmC* )において無限大と
なること、即ち、螺旋構造が解消されたものとなった。
整してドープすることにより、上記した関係式から、こ
の混合系の液晶組成物の螺旋ピッチは、バルク状態でカ
イラルスメクチックC相(SmC* )において無限大と
なること、即ち、螺旋構造が解消されたものとなった。
【0027】実際に、この液晶組成物をセルギャップが
200μmのセル内に注入し、ピッチ測定を行ったとこ
ろ、液晶組成物のスメクチックC相での螺旋ピッチは観
測されなかった。
200μmのセル内に注入し、ピッチ測定を行ったとこ
ろ、液晶組成物のスメクチックC相での螺旋ピッチは観
測されなかった。
【0028】具体例2 液晶素子を次のようにして作製した。液晶分子の配向膜
としては、真空蒸着法により斜方蒸着して形成した酸化
シリコン膜(SiO斜方蒸着膜)を用いた。このSiO
斜方蒸着膜の成膜条件は、蒸着源と基板とを結ぶ線に対
して85°をなすようにガラス基板を設置し、基板温度 1
70℃、真空度9x10-6Torr、蒸着速度1Å/sec 、蒸着
膜厚は 500Åとし、成膜後に空気中で 300℃にて1時間
アニールした。
としては、真空蒸着法により斜方蒸着して形成した酸化
シリコン膜(SiO斜方蒸着膜)を用いた。このSiO
斜方蒸着膜の成膜条件は、蒸着源と基板とを結ぶ線に対
して85°をなすようにガラス基板を設置し、基板温度 1
70℃、真空度9x10-6Torr、蒸着速度1Å/sec 、蒸着
膜厚は 500Åとし、成膜後に空気中で 300℃にて1時間
アニールした。
【0029】基板には、厚さ 400Åで抵抗値が 100Ω/
□のITO透明電極をスパッタ法で形成した。セルギャ
ップは、触媒化成(株)製の真し球(1.7μmφ)をスペ
ーサとして用いて 1.6μmに調整し、また、液晶セルは
蒸着方向が対向した配向膜間で平行又は反平行となるよ
うに作製した。
□のITO透明電極をスパッタ法で形成した。セルギャ
ップは、触媒化成(株)製の真し球(1.7μmφ)をスペ
ーサとして用いて 1.6μmに調整し、また、液晶セルは
蒸着方向が対向した配向膜間で平行又は反平行となるよ
うに作製した。
【0030】具体例1で用いた螺旋ピッチが無限大の液
晶組成物を上記したセルギャップ内に等方相温度あるい
はカイラルネマチック相温度の流動性を示す状態で減圧
下で注入した。液晶注入後、徐冷し、注入孔周囲のガラ
ス基板上の液晶を除去したのち、エポキシ系の接着剤で
封止し、強誘電性液晶デバイスを作製した。
晶組成物を上記したセルギャップ内に等方相温度あるい
はカイラルネマチック相温度の流動性を示す状態で減圧
下で注入した。液晶注入後、徐冷し、注入孔周囲のガラ
ス基板上の液晶を除去したのち、エポキシ系の接着剤で
封止し、強誘電性液晶デバイスを作製した。
【0031】この液晶デバイスにおいては、注入した上
記強誘電性液晶は螺旋を形成していなかった。この液晶
デバイスについて電気光学効果を測定すると、データ信
号:バイアスが5:1バイアス時でのパルス幅= 1.8μ
秒、コントラストは25.4であり、0−90%の立ち上がり
応答時間は 105μ秒と、いずれも良好であった。
記強誘電性液晶は螺旋を形成していなかった。この液晶
デバイスについて電気光学効果を測定すると、データ信
号:バイアスが5:1バイアス時でのパルス幅= 1.8μ
秒、コントラストは25.4であり、0−90%の立ち上がり
応答時間は 105μ秒と、いずれも良好であった。
【0032】比較例1 具体例1で述べたカイラル分子Aと、螺旋の向きがカイ
ラル分子Aと同じでその螺旋ピッチの長さが+0.60μm
のカイラル分子C(カイラル分子Aのジアステレオマー
であり、分子量、構造はカイラル分子Aと全く同じ。上
述したベース液晶組成物に2重量%混合することにより
−2.3nC/cm2 の自発分極を持つ。)とを各々1%ず
つ、上記と同じフェニルピリミジン主体のベース液晶に
加えた強誘電性液晶組成物を作製した。
ラル分子Aと同じでその螺旋ピッチの長さが+0.60μm
のカイラル分子C(カイラル分子Aのジアステレオマー
であり、分子量、構造はカイラル分子Aと全く同じ。上
述したベース液晶組成物に2重量%混合することにより
−2.3nC/cm2 の自発分極を持つ。)とを各々1%ず
つ、上記と同じフェニルピリミジン主体のベース液晶に
加えた強誘電性液晶組成物を作製した。
【0033】この液晶組成物について、そのスメクチッ
クC相での螺旋ピッチを上記と同様の方法で測定したと
ころ、0.41μmであった。また、この強誘電性液晶組成
物を上記と同様にして作製した液晶セルに注入し、やは
り同様に電気光学効果の測定を行った。その結果、5:
1バイアス時でのパルス幅は 250μ秒、コントラストは
18.2であり、0−90%の立ち上がり応答時間は 225μ秒
であった。
クC相での螺旋ピッチを上記と同様の方法で測定したと
ころ、0.41μmであった。また、この強誘電性液晶組成
物を上記と同様にして作製した液晶セルに注入し、やは
り同様に電気光学効果の測定を行った。その結果、5:
1バイアス時でのパルス幅は 250μ秒、コントラストは
18.2であり、0−90%の立ち上がり応答時間は 225μ秒
であった。
【0034】比較例2 具体例1で述べたカイラル分子A、Bをモル分率で各々
0.76、0.24とし、これらを上記と同じノンカイラルベー
ス液晶混合物に混合した。その時の特性はパルス幅: 3
00μ秒、コントラスト:5、0−90%の応答速度が 275
μ秒であった。また、このときのSmC相でのピッチは
実測値で0.84μmであり、計算値としては、 0.8414285
71μmとなる。基本的には、配向性が低かった。
0.76、0.24とし、これらを上記と同じノンカイラルベー
ス液晶混合物に混合した。その時の特性はパルス幅: 3
00μ秒、コントラスト:5、0−90%の応答速度が 275
μ秒であった。また、このときのSmC相でのピッチは
実測値で0.84μmであり、計算値としては、 0.8414285
71μmとなる。基本的には、配向性が低かった。
【0035】具体例3 次に、市販の強誘電性液晶を用い、本発明に基いて螺旋
を解いた強誘電性液晶を実現したものについて、測定を
行った。使用した液晶は、チッソ(株)製のCS−10
14とメルク社製のZLI−4655−100であっ
た。これらの液晶は各々、次の表1に示すような物理特
性をもつ。
を解いた強誘電性液晶を実現したものについて、測定を
行った。使用した液晶は、チッソ(株)製のCS−10
14とメルク社製のZLI−4655−100であっ
た。これらの液晶は各々、次の表1に示すような物理特
性をもつ。
【0036】
【0037】ここで、これら両者の液晶をSmC相での
螺旋ピッチを考えて種々の割合でブレンドした。そし
て、CS−1014の濃度によるネマチックおよびスメ
クチックC相でのピッチを上記したと同様に測定したと
ころ、図4に示す結果が得られた。
螺旋ピッチを考えて種々の割合でブレンドした。そし
て、CS−1014の濃度によるネマチックおよびスメ
クチックC相でのピッチを上記したと同様に測定したと
ころ、図4に示す結果が得られた。
【0038】これによれば、ネマチック相においては、
CS−1014の濃度がZLI−4655との混合物に
対してほぼ50重量%付近で螺旋ピッチが消失しており、
また、スメクチック相においても30重量%付近の濃度で
螺旋ピッチが消失している(但し、このスメクチック相
での螺旋ピッチの測定は 200μの厚みのセルを用いて行
った)。
CS−1014の濃度がZLI−4655との混合物に
対してほぼ50重量%付近で螺旋ピッチが消失しており、
また、スメクチック相においても30重量%付近の濃度で
螺旋ピッチが消失している(但し、このスメクチック相
での螺旋ピッチの測定は 200μの厚みのセルを用いて行
った)。
【0039】また、CS−1014の濃度を種々変化さ
せて、コントラスト及びメモリ発現のために必要な最短
のパルス幅を測定し、結果を図5、図6に示した。ディ
スプレイ素子としては、コントラストが高く、駆動に必
要なパルス幅が短いことが好ましいことは言うまでもな
い。
せて、コントラスト及びメモリ発現のために必要な最短
のパルス幅を測定し、結果を図5、図6に示した。ディ
スプレイ素子としては、コントラストが高く、駆動に必
要なパルス幅が短いことが好ましいことは言うまでもな
い。
【0040】図5、図6に示す結果から、コントラスト
及びパルス幅の両方を同時に満たす系が存在することが
分かる。即ち、コントラスト35以上、パルス幅 100μ秒
以下という条件を満たす系(濃度条件)は丁度、スメク
チックC相のピッチが無限大となる、CS−1014が
30%付近(図4参照)=螺旋が解けている状態の強誘電
性液晶であり、コントラスト及びパルス幅の双方とも良
好となる。これらを同時に満足することは、螺旋を巻い
た強誘電性液晶(例えばCS−1014が45〜50%付近
のもの)では実現しない。これは、本発明の優位性を顕
著に示している。
及びパルス幅の両方を同時に満たす系が存在することが
分かる。即ち、コントラスト35以上、パルス幅 100μ秒
以下という条件を満たす系(濃度条件)は丁度、スメク
チックC相のピッチが無限大となる、CS−1014が
30%付近(図4参照)=螺旋が解けている状態の強誘電
性液晶であり、コントラスト及びパルス幅の双方とも良
好となる。これらを同時に満足することは、螺旋を巻い
た強誘電性液晶(例えばCS−1014が45〜50%付近
のもの)では実現しない。これは、本発明の優位性を顕
著に示している。
【0041】また、この強誘電性液晶のコーン角のCS
−1014依存性を図7に示した。コーン角は45度のと
きに、最も光の透過率が高くなるが、スメクチックC相
での螺旋が解けた状態(CS−1014が30%付近)に
おいても、電界を加えた状態でのコーン角〔E〕、メモ
リコーン角〔M〕ともに、48度であり、問題はない。
−1014依存性を図7に示した。コーン角は45度のと
きに、最も光の透過率が高くなるが、スメクチックC相
での螺旋が解けた状態(CS−1014が30%付近)に
おいても、電界を加えた状態でのコーン角〔E〕、メモ
リコーン角〔M〕ともに、48度であり、問題はない。
【0042】以上のように、本発明に基いて、予め螺旋
をほどいたFLCにおいては、螺旋を巻いたFLCに比
較して、より優れた表示特性を持つことが明らかであ
る。
をほどいたFLCにおいては、螺旋を巻いたFLCに比
較して、より優れた表示特性を持つことが明らかであ
る。
【0043】本発明による液晶素子は、上述した一般的
な表示素子として使用可能であると共に、図8、図9に
示す表示装置のウォブリング素子(絵素ずらし素子)と
しても使用することができる。
な表示素子として使用可能であると共に、図8、図9に
示す表示装置のウォブリング素子(絵素ずらし素子)と
しても使用することができる。
【0044】即ち、図示した液晶光学表示装置21は、同
一光路中に光の進行方向に沿って順次配置された液晶表
示素子(LCD)22と、位相変調光学素子としての強誘
電性液晶素子(FLC)23と、水晶板等の透明基板から
なる複屈折媒体24との組み合わせによって構成されてお
り、上記の素子22及び23の少なくとも一方が本発明によ
る液晶素子からなっていてよい。
一光路中に光の進行方向に沿って順次配置された液晶表
示素子(LCD)22と、位相変調光学素子としての強誘
電性液晶素子(FLC)23と、水晶板等の透明基板から
なる複屈折媒体24との組み合わせによって構成されてお
り、上記の素子22及び23の少なくとも一方が本発明によ
る液晶素子からなっていてよい。
【0045】以下の説明では主として、ウォブリング素
子27に用いる素子23が本発明の液晶素子で構成した場合
を述べる。ここで、理解容易のために、各構成素子は、
液晶表示素子LCDの1つの構成表示画素25に対応した
区画についてそれぞれ示されている(以下、同様)。
子27に用いる素子23が本発明の液晶素子で構成した場合
を述べる。ここで、理解容易のために、各構成素子は、
液晶表示素子LCDの1つの構成表示画素25に対応した
区画についてそれぞれ示されている(以下、同様)。
【0046】上記のLCD22の画素25は全体としてモザ
イク状等の離散的な画素配列からなっており、また、使
用される液晶はTN(ツイストネマチック)、STN
(超ツイストネマチック)、SH(スーパーホメオトロ
ピック)、更にはFLC等からなっている。このLCD
22は、図示省略したが、公知の如くにパネル自身に偏光
板を有し、出力光26は直線偏光を有している。なお、こ
のLCD22は、図2及び図3で示した本発明に基づく構
成としてもよい。
イク状等の離散的な画素配列からなっており、また、使
用される液晶はTN(ツイストネマチック)、STN
(超ツイストネマチック)、SH(スーパーホメオトロ
ピック)、更にはFLC等からなっている。このLCD
22は、図示省略したが、公知の如くにパネル自身に偏光
板を有し、出力光26は直線偏光を有している。なお、こ
のLCD22は、図2及び図3で示した本発明に基づく構
成としてもよい。
【0047】そして、この直線偏光26に対し、上記のF
LC23と複屈折媒体24とで構成されるウォブリング素子
(絵素ずらし素子)27によって平行方向又は垂直方向に
絵素ずらしが行われる。
LC23と複屈折媒体24とで構成されるウォブリング素子
(絵素ずらし素子)27によって平行方向又は垂直方向に
絵素ずらしが行われる。
【0048】このためには、FLC素子23の一つの異常
光軸28を表示画素25の偏光面29と平行あるいは垂直とな
るように配置し、更に、等価的に一軸性の光学軸(一軸
的な光学異方性)を有する透明基板24の異常光軸30のX
−Y面(入射側)への射影成分を偏光面29に対し、平行
(Y方向)あるいは垂直(X方向)に配置している。
光軸28を表示画素25の偏光面29と平行あるいは垂直とな
るように配置し、更に、等価的に一軸性の光学軸(一軸
的な光学異方性)を有する透明基板24の異常光軸30のX
−Y面(入射側)への射影成分を偏光面29に対し、平行
(Y方向)あるいは垂直(X方向)に配置している。
【0049】FLC素子23に用いる液晶は、ビデオレー
トで高速スイッチング可能なものであって、本発明に基
づくカイラルスメクチック液晶組成物からなっている。
また、複屈折媒体24には水晶板等が使用可能である。但
し、後述するように、FLCに代えて反強誘電性液晶
(AFLC)や、電傾効果を示すスメクチック液晶(例
えばスメクチックA)も有効であり、また、水晶板以外
の複屈折素子も勿論使用可能である。
トで高速スイッチング可能なものであって、本発明に基
づくカイラルスメクチック液晶組成物からなっている。
また、複屈折媒体24には水晶板等が使用可能である。但
し、後述するように、FLCに代えて反強誘電性液晶
(AFLC)や、電傾効果を示すスメクチック液晶(例
えばスメクチックA)も有効であり、また、水晶板以外
の複屈折素子も勿論使用可能である。
【0050】次に、この表示装置21におけるウォブリン
グ動作を概略的に説明する。
グ動作を概略的に説明する。
【0051】まず、図8のように、強誘電性液晶素子23
のスイッチ状態が状態1の場合、表示素子22側から照射
される光26の偏光面29と強誘電性液晶素子23の異常光軸
28が平行のため、透過光31は偏光面を維持したまま複屈
折を有する水晶板24に照射される。水晶板24では、入射
偏光面内に水晶の異常光軸30を含むため、Y軸方向に偏
光している光は水晶板24の異常光軸30の傾いている方向
へ屈折し、再び空気層へ32として出るとき光軸と平行に
なり、入射光の光軸とのずれがY方向に生じる。
のスイッチ状態が状態1の場合、表示素子22側から照射
される光26の偏光面29と強誘電性液晶素子23の異常光軸
28が平行のため、透過光31は偏光面を維持したまま複屈
折を有する水晶板24に照射される。水晶板24では、入射
偏光面内に水晶の異常光軸30を含むため、Y軸方向に偏
光している光は水晶板24の異常光軸30の傾いている方向
へ屈折し、再び空気層へ32として出るとき光軸と平行に
なり、入射光の光軸とのずれがY方向に生じる。
【0052】一方、図9のように、強誘電性液晶素子23
のスイッチ状態が状態2の場合、偏光面29と異常光軸28
が約45度の角をなしているため、透過光31は異常光軸の
向きに回転し、直線偏光(Y軸方向)→楕円偏光→円偏
光→楕円偏光→直線偏光(X軸方向)と強誘電性液晶素
子23内を変化し、偏光面は初期状態から90度回転し、水
晶板24に照射される。水晶板24では、入射偏光面内に水
晶の異常光軸30を含まないため、光31は屈折しないでそ
のままの光軸を維持し、再び空気層へ出射光32として出
る。
のスイッチ状態が状態2の場合、偏光面29と異常光軸28
が約45度の角をなしているため、透過光31は異常光軸の
向きに回転し、直線偏光(Y軸方向)→楕円偏光→円偏
光→楕円偏光→直線偏光(X軸方向)と強誘電性液晶素
子23内を変化し、偏光面は初期状態から90度回転し、水
晶板24に照射される。水晶板24では、入射偏光面内に水
晶の異常光軸30を含まないため、光31は屈折しないでそ
のままの光軸を維持し、再び空気層へ出射光32として出
る。
【0053】このように、FLC23のスイッチ状態、即
ち、状態1と状態2での水晶板24による屈折の有無で光
軸をずらし、この光軸のずれを絵素ずらしの動作原理と
して用いることができる。
ち、状態1と状態2での水晶板24による屈折の有無で光
軸をずらし、この光軸のずれを絵素ずらしの動作原理と
して用いることができる。
【0054】上記した例は、偏光を有する表示素子につ
いてのものであるが、本発明は無偏光の表示素子にも勿
論適用できる。表示画素25からの光の偏光度が小さい場
合、偏光にするために、表示素子22と絵素ずらし素子27
を結ぶ光路中に偏光板を挿入すれば良い。光学的配置条
件は上述の液晶表示素子の場合と同様である。
いてのものであるが、本発明は無偏光の表示素子にも勿
論適用できる。表示画素25からの光の偏光度が小さい場
合、偏光にするために、表示素子22と絵素ずらし素子27
を結ぶ光路中に偏光板を挿入すれば良い。光学的配置条
件は上述の液晶表示素子の場合と同様である。
【0055】ここで使用可能な無偏光ディスプレイ22と
しては、プラズマディスプレイ、LEDディスプレイ等
の自発光型表示素子がある。
しては、プラズマディスプレイ、LEDディスプレイ等
の自発光型表示素子がある。
【0056】本発明は、上記した表示装置に限らず、離
散的な画素から構成されるCCD等の撮像素子と被写体
とを結ぶ光路中に上述したウォブリング素子27を配置し
た撮像装置にも適用可能である。
散的な画素から構成されるCCD等の撮像素子と被写体
とを結ぶ光路中に上述したウォブリング素子27を配置し
た撮像装置にも適用可能である。
【0057】本発明を図10及び図11に示した撮像装置71
に適用する場合も、上述した表示装置において述べた各
種の条件及び原理、説明が同様にして採用されることが
望ましい。以下においては、上述した表示装置について
の内容と同様のものは特に繰り返して説明しないが、そ
れに比べて、撮像装置に特有のものを主として説明する
こととする。
に適用する場合も、上述した表示装置において述べた各
種の条件及び原理、説明が同様にして採用されることが
望ましい。以下においては、上述した表示装置について
の内容と同様のものは特に繰り返して説明しないが、そ
れに比べて、撮像装置に特有のものを主として説明する
こととする。
【0058】被写体と撮像素子53を結ぶ光路中に、被写
体−偏光子−FLC素子−複屈折基板−撮像素子の順序
で配置される。この場合、レンズ系、アイリス、波長制
限フィルタは被写体と撮像素子を結ぶ光路中のどこに配
してもよい。
体−偏光子−FLC素子−複屈折基板−撮像素子の順序
で配置される。この場合、レンズ系、アイリス、波長制
限フィルタは被写体と撮像素子を結ぶ光路中のどこに配
してもよい。
【0059】図10、図11に示すように、強誘電性液晶素
子23のスイッチ状態が状態1の場合、被写体50の側から
の照射光成分aは、レンズ51、絞り52を通った後、偏光
板39により絵素ずらし方向に偏光される。光の偏光面と
強誘電性液晶素子23の異常光軸28が平行のため、透過光
は偏光面を維持したまま複屈折を有する水晶板24に照射
される。水晶板24では、入射偏光面内に水晶の異常光軸
を含むため、Y軸方向に偏光している光は水晶板の異常
光軸の傾いている方向へ屈折し、再び空気層へ出るとき
光軸と平行になり、入射光の光軸とのずれが生じ、CC
D撮像素子53の各絵素に照射される。
子23のスイッチ状態が状態1の場合、被写体50の側から
の照射光成分aは、レンズ51、絞り52を通った後、偏光
板39により絵素ずらし方向に偏光される。光の偏光面と
強誘電性液晶素子23の異常光軸28が平行のため、透過光
は偏光面を維持したまま複屈折を有する水晶板24に照射
される。水晶板24では、入射偏光面内に水晶の異常光軸
を含むため、Y軸方向に偏光している光は水晶板の異常
光軸の傾いている方向へ屈折し、再び空気層へ出るとき
光軸と平行になり、入射光の光軸とのずれが生じ、CC
D撮像素子53の各絵素に照射される。
【0060】一方、強誘電性液晶素子23のスイッチ状態
が状態2の場合、偏光面と異常光軸28が約45度の角をな
しているため、透過光は異常光軸の向きに回転し、直線
偏光(Y軸方向)→楕円偏光→円偏光→楕円偏光→直線
偏光(X軸方向)と強誘電性液晶素子内を変化し、偏光
面は初期状態から90度回転し、水晶板24に照射される。
水晶板24では、入射偏光面内に水晶の異常光軸を含まな
いため、屈折しないでそのままの光軸を維持し、再び空
気層へ出て、CCD撮像素子53の各絵素に照射される。
即ち、被写体のa’部分を撮像することになる。この状
態1と状態2の光軸のずれを絵素ずらしの動作原理とし
て用いることができる。
が状態2の場合、偏光面と異常光軸28が約45度の角をな
しているため、透過光は異常光軸の向きに回転し、直線
偏光(Y軸方向)→楕円偏光→円偏光→楕円偏光→直線
偏光(X軸方向)と強誘電性液晶素子内を変化し、偏光
面は初期状態から90度回転し、水晶板24に照射される。
水晶板24では、入射偏光面内に水晶の異常光軸を含まな
いため、屈折しないでそのままの光軸を維持し、再び空
気層へ出て、CCD撮像素子53の各絵素に照射される。
即ち、被写体のa’部分を撮像することになる。この状
態1と状態2の光軸のずれを絵素ずらしの動作原理とし
て用いることができる。
【0061】なお、上述した各例に用いる強誘電性液晶
はチッソ(株)製、メルク(株)製、BDH等、公知の
強誘電性液晶化合物又は非カイラル液晶からなる組成物
が使用可能であるが、その制限はなく、また、その相系
列の制限も必要とせず、必要なのは使用温度範囲でカイ
ラルスメクチック液晶相をとることである。
はチッソ(株)製、メルク(株)製、BDH等、公知の
強誘電性液晶化合物又は非カイラル液晶からなる組成物
が使用可能であるが、その制限はなく、また、その相系
列の制限も必要とせず、必要なのは使用温度範囲でカイ
ラルスメクチック液晶相をとることである。
【0062】更に、カイラルスメクチック液晶以外で
も、スイッチングスピードが高速で有れば、例えば、下
記の反強誘電性液晶(AFLC)や電傾効果を示すスメ
クチックA相でも適用可能である。
も、スイッチングスピードが高速で有れば、例えば、下
記の反強誘電性液晶(AFLC)や電傾効果を示すスメ
クチックA相でも適用可能である。
【0063】<反強誘電性液晶>反強誘電性液晶は、C
handani らにより1988年に見出されたものであって、次
の3点を特徴としている。 (1)反強誘電状態と2つの強誘電状態の3安定状態間
のスイッチングを利用する。 (2)明確なしきい値特性を示し、マルチプレクス駆動
した時のコントラストを高くとれる。 (3)プラスとマイナスのヒステリシスを交互に使い、
内部分極の発生が抑えられるため、焼き付き現象が起こ
りにくい。
handani らにより1988年に見出されたものであって、次
の3点を特徴としている。 (1)反強誘電状態と2つの強誘電状態の3安定状態間
のスイッチングを利用する。 (2)明確なしきい値特性を示し、マルチプレクス駆動
した時のコントラストを高くとれる。 (3)プラスとマイナスのヒステリシスを交互に使い、
内部分極の発生が抑えられるため、焼き付き現象が起こ
りにくい。
【0064】この反強誘電性液晶材料の特徴としては、
強誘電性液晶と異なり、カイラル液晶がその組成物のほ
とんどであるということ(自発分極が大きく、強誘電性
液晶のほぼ10倍)、不斉炭素に関する置換基はCH
3 基、CF3 基、C2 H5 基をもつ化合物は容易に反強
誘電性を示し、コア構造が拡張する。例えば、チッソ社
製のCS−4000がある。
強誘電性液晶と異なり、カイラル液晶がその組成物のほ
とんどであるということ(自発分極が大きく、強誘電性
液晶のほぼ10倍)、不斉炭素に関する置換基はCH
3 基、CF3 基、C2 H5 基をもつ化合物は容易に反強
誘電性を示し、コア構造が拡張する。例えば、チッソ社
製のCS−4000がある。
【0065】<電傾効果を示すスメクチック液晶>電傾
効果とは、カイラル分子によって構成されるスメクチッ
クA相において、温度を一定としたときに電場によって
配向ベクトルの傾き角が誘起される現象である。スメク
チックA相において、配向ベクトルはスメクチック層の
法線方向を向き、長軸回りに自由回転しているが、層に
沿った電場を印加することによって自由回転が阻害さ
れ、電場方向の分極Pが誘起される。
効果とは、カイラル分子によって構成されるスメクチッ
クA相において、温度を一定としたときに電場によって
配向ベクトルの傾き角が誘起される現象である。スメク
チックA相において、配向ベクトルはスメクチック層の
法線方向を向き、長軸回りに自由回転しているが、層に
沿った電場を印加することによって自由回転が阻害さ
れ、電場方向の分極Pが誘起される。
【0066】分極Pと傾き角θの線形結合をP=kθと
仮定すれば、 P=(ε⊥* −ε⊥0)εO Ε 従って、θ=(ε⊥* −ε⊥0)εO Ε/k のように、印加電場Eに比例した傾き角が生じる。ここ
で、ε⊥* とε⊥0は光学活性物質のラセミ体の誘電
率、εO は真空の誘電率である。このことから、カイラ
ル液晶のラセミ体のそれぞれの誘電率の差が大きいほ
ど、大きな電傾効果を現す。
仮定すれば、 P=(ε⊥* −ε⊥0)εO Ε 従って、θ=(ε⊥* −ε⊥0)εO Ε/k のように、印加電場Eに比例した傾き角が生じる。ここ
で、ε⊥* とε⊥0は光学活性物質のラセミ体の誘電
率、εO は真空の誘電率である。このことから、カイラ
ル液晶のラセミ体のそれぞれの誘電率の差が大きいほ
ど、大きな電傾効果を現す。
【0067】上記した強誘電性液晶は立ち上がり(10−
90%T)及び立ち下がり(90−10%T)とも、いずれも
μsec オーダーの高速応答を示しており、1フィールド
内での十分な応答を保証し、ビデオレートでの有効な絵
素ずらし効果が達成される。
90%T)及び立ち下がり(90−10%T)とも、いずれも
μsec オーダーの高速応答を示しており、1フィールド
内での十分な応答を保証し、ビデオレートでの有効な絵
素ずらし効果が達成される。
【0068】特に、ウォブリング(絵素ずらし)では、
立ち上がりと立ち下がりの応答時間がフィールド時間の
1/3以下で、かつ、立ち上がり時間と立ち下がり時間
との比が互いに2倍を越えないものが好ましい。
立ち上がりと立ち下がりの応答時間がフィールド時間の
1/3以下で、かつ、立ち上がり時間と立ち下がり時間
との比が互いに2倍を越えないものが好ましい。
【0069】この点、ネマチック液晶を用いた場合は、
高速のものでも電界印加時の立ち上がり時間は比較的短
いが、オフ時の立ち下がり時間は長いために、フィール
ド内でのスイッチングが十分でなく、有効な絵素ずらし
効果が得られない。ツイストネマチックの絵素ずらし素
子では、透過率変化0〜90%での立ち上がり+立ち下が
り時間は最小で15msec 程度(室温)であり、NTSC
の2:1線飛越走査方式(1フィールド当たり1/60秒
(16.7ms))でもかなり実現が困難であり、さらにフ
レーム数が同じで4:1線飛越走査方式を適用すれば、
1フィールド当たり1/120 秒(8.3ms)であり、全く
追従できなくなる。
高速のものでも電界印加時の立ち上がり時間は比較的短
いが、オフ時の立ち下がり時間は長いために、フィール
ド内でのスイッチングが十分でなく、有効な絵素ずらし
効果が得られない。ツイストネマチックの絵素ずらし素
子では、透過率変化0〜90%での立ち上がり+立ち下が
り時間は最小で15msec 程度(室温)であり、NTSC
の2:1線飛越走査方式(1フィールド当たり1/60秒
(16.7ms))でもかなり実現が困難であり、さらにフ
レーム数が同じで4:1線飛越走査方式を適用すれば、
1フィールド当たり1/120 秒(8.3ms)であり、全く
追従できなくなる。
【0070】これに対し、強誘電性液晶素子を用いた絵
素ずらし法は、そのスイッチング時間がTN液晶よりも
短いため、有効であることがわかる。ちなみに、強誘電
性液晶素子の立ち上がり+立ち下がり時間はμsec オー
ダーから、最も遅いものでも数ms以下である。
素ずらし法は、そのスイッチング時間がTN液晶よりも
短いため、有効であることがわかる。ちなみに、強誘電
性液晶素子の立ち上がり+立ち下がり時間はμsec オー
ダーから、最も遅いものでも数ms以下である。
【0071】下記の表2には、各種液晶の応答時間を比
較して示すが、本発明に使用可能な液晶の応答速度は著
しく早い。
較して示すが、本発明に使用可能な液晶の応答速度は著
しく早い。
【0072】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
の実施例は本発明の技術的思想に基いて更に変形が可能
である。
の実施例は本発明の技術的思想に基いて更に変形が可能
である。
【0073】例えば、上述した液晶素子において、使用
する液晶を3種又はそれ以上の混合物としてよいことは
勿論であり、その種類も変えることができる。
する液晶を3種又はそれ以上の混合物としてよいことは
勿論であり、その種類も変えることができる。
【0074】また、液晶素子をはじめ、各構成部分の構
造、材質や形状、組み立て方法等は種々変更してよい。
基板もガラス板ではなく、他の光学的に透明な材質であ
ればよい。液晶についても、種々のものが採用可能であ
る。対向電極は光出射側さえ透明であればよく、両電極
とも透明であることを要しない。
造、材質や形状、組み立て方法等は種々変更してよい。
基板もガラス板ではなく、他の光学的に透明な材質であ
ればよい。液晶についても、種々のものが採用可能であ
る。対向電極は光出射側さえ透明であればよく、両電極
とも透明であることを要しない。
【0075】本発明が適用される対象は、上述した表示
装置、撮像装置の如き光学システムと共に、同システム
に組み込み可能な液晶素子やウォブリング素子も包含す
ることは勿論である。
装置、撮像装置の如き光学システムと共に、同システム
に組み込み可能な液晶素子やウォブリング素子も包含す
ることは勿論である。
【0076】
【発明の作用効果】本発明は上述した如く、強誘電性液
晶の螺旋を予め実質的に解消して装填しているので、公
知のデバイスのように螺旋を巻いたものや配向膜表面の
分子配向規制力によって螺旋を解くようにしたものに比
べて、光学デバイスとしてより高速の動作が可能であ
り、しかもメモリ性を発現させるためのパルス幅をより
短くすることが可能となり、また、液晶分子の配向状態
が改善され、コントラストが向上する。
晶の螺旋を予め実質的に解消して装填しているので、公
知のデバイスのように螺旋を巻いたものや配向膜表面の
分子配向規制力によって螺旋を解くようにしたものに比
べて、光学デバイスとしてより高速の動作が可能であ
り、しかもメモリ性を発現させるためのパルス幅をより
短くすることが可能となり、また、液晶分子の配向状態
が改善され、コントラストが向上する。
【図1】本発明の実施例による液晶素子の概略断面図で
ある。
ある。
【図2】本発明による液晶表示素子の一例の断面図(図
3のII−II線断面図)である。
3のII−II線断面図)である。
【図3】同液晶表示素子の平面図である。
【図4】2種類のカイラル分子を混合した強誘電性液晶
のピッチのカイラル分子配合比依存性を示すグラフであ
る。
のピッチのカイラル分子配合比依存性を示すグラフであ
る。
【図5】同液晶の動作時のコントラストのカイラル分子
配合比依存性を示すグラフである。
配合比依存性を示すグラフである。
【図6】同液晶の動作時のパルス幅のカイラル分子配合
比依存性を示すグラフである。
比依存性を示すグラフである。
【図7】同液晶のコーン角のカイラル分子配合比依存性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図8】本発明の実施例による液晶素子を用いた表示装
置の状態1での概略図である。
置の状態1での概略図である。
【図9】同表示装置の状態2での概略図である。
【図10】本発明の実施例による液晶素子を用いた撮像装
置の状態1での概略図である。
置の状態1での概略図である。
【図11】同撮像装置の状態2での概略図である。
2a、2b・・・ガラス基板 3a、3b・・・ITO透明電極 4a、4b・・・SiO斜方蒸着膜又は液晶配向膜 5・・・シール材 6・・・真し球 20・・・液晶組成物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片岡 延江 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 高梨 英彦 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 秀 史朝 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 楊 映保 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (5)
- 【請求項1】 螺旋構造がカイラルスメクチックC相に
おいて予め実質的に解消されている強誘電性液晶を用い
た液晶素子からなる光学装置。 - 【請求項2】 強誘電性液晶の螺旋のピッチが予め実質
的に無限大となされている、請求項1に記載した光学装
置。 - 【請求項3】 少なくとも一方の電極が光学的に透明で
ある対向電極上に液晶分子の配向膜が設けられ、前記対
向電極間に装填される強誘電性液晶は、螺旋の巻き方向
が互いに逆である複数のカイラル分子の混合物からなっ
ていて、螺旋のピッチが予め実質的に無限大となされて
いる、請求項1又は2に記載した光学装置。 - 【請求項4】 対向電極間の距離が4μm以下である、
請求項3に記載した光学装置。 - 【請求項5】 対向電極間に装填された強誘電性液晶が
螺旋を形成していない、請求項3又は4に記載した光学
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18736593A JPH0720502A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18736593A JPH0720502A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0720502A true JPH0720502A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=16204724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18736593A Pending JPH0720502A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720502A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000000865A1 (fr) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Citizen Watch Co., Ltd. | Panneau a cristal liquide anti-ferroelectrique et procede permettant de determiner l'angle de deplacement de la couche |
| CN113867063A (zh) * | 2021-10-28 | 2021-12-31 | 华南理工大学 | 一种铁电螺旋液晶材料及其实现二次谐波增强的方法 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP18736593A patent/JPH0720502A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000000865A1 (fr) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Citizen Watch Co., Ltd. | Panneau a cristal liquide anti-ferroelectrique et procede permettant de determiner l'angle de deplacement de la couche |
| CN113867063A (zh) * | 2021-10-28 | 2021-12-31 | 华南理工大学 | 一种铁电螺旋液晶材料及其实现二次谐波增强的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2558405B2 (ja) | グレースケール表示装置 | |
| US5746939A (en) | Liquid crystal device | |
| WO2008096896A1 (ja) | 液晶デバイス | |
| US5825447A (en) | Liquid crystal device with a bistable chiral smectic liquid crystal having a phase transition series lacking a cholesteric phase #16 | |
| EP0539991A1 (en) | Liquid crystal device and display apparatus | |
| KR100412491B1 (ko) | 반사형 강유전성 액정 표시장치 및 그 구동방법 | |
| US5568295A (en) | Chiral smetic LCD with small pretilt angle, substrate rubbed in two opposing directions, and no cholesteric phase or tilt angle > the pretilt plus inclination angles | |
| JPH0720502A (ja) | 光学装置 | |
| US6600537B2 (en) | Liquid crystal device | |
| US5016989A (en) | Liquid crystal element with improved contrast and brightness | |
| US5550664A (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH0720474A (ja) | 位相制御素子用の液晶配向膜、その形成方法、及び位相制御素子 | |
| JP2001226674A (ja) | 単安定強誘電液晶表示装置 | |
| JP2953624B2 (ja) | 強誘電性液晶組成物 | |
| JP2550556B2 (ja) | 強誘電性液晶表示素子 | |
| KR0161377B1 (ko) | 강유전성 액정표시소자 | |
| JP2001316667A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH03243920A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JP2547974B2 (ja) | スメクチック液晶デバイスおよびその製造方法 | |
| JP3062978B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| KR100537878B1 (ko) | 강유전성 액정을 이용한 액정 표시 장치용 배향막 및 그 제조방법 | |
| JPH07111516B2 (ja) | 双安定強誘電性液晶素子 | |
| JPH07181495A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| KR20020010857A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| JPH02151684A (ja) | 強誘電性液晶組成物及び液晶表示装置 |