JPH07207353A - 鉛スプラッシュコンデンサの操業方法 - Google Patents
鉛スプラッシュコンデンサの操業方法Info
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- JPH07207353A JPH07207353A JP1892694A JP1892694A JPH07207353A JP H07207353 A JPH07207353 A JP H07207353A JP 1892694 A JP1892694 A JP 1892694A JP 1892694 A JP1892694 A JP 1892694A JP H07207353 A JPH07207353 A JP H07207353A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンデンサドロスのサンプへの円滑な排出を
促進させる鉛スプラッシュコンデンサの操業方法を提供
する。 【構成】 亜鉛蒸気を含有した還元炉排ガスから亜鉛蒸
気を熔融亜鉛として回収する鉛スプラッシュコンデンサ
の操業方法において、コンデンサ本体のサンプのアンダ
ーフロー部近傍の循環鉛中に気体を吹き込んで、アンダ
ーフロー部近傍部に発生したコンデンサドロスを多数の
細かい塊に分散させて循環鉛に混入させる。
促進させる鉛スプラッシュコンデンサの操業方法を提供
する。 【構成】 亜鉛蒸気を含有した還元炉排ガスから亜鉛蒸
気を熔融亜鉛として回収する鉛スプラッシュコンデンサ
の操業方法において、コンデンサ本体のサンプのアンダ
ーフロー部近傍の循環鉛中に気体を吹き込んで、アンダ
ーフロー部近傍部に発生したコンデンサドロスを多数の
細かい塊に分散させて循環鉛に混入させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、亜鉛蒸気を含有した還
元炉排ガスから該亜鉛蒸気を溶融亜鉛として回収するた
めの鉛スプラッシュコンデンサの操業方法に関する。
元炉排ガスから該亜鉛蒸気を溶融亜鉛として回収するた
めの鉛スプラッシュコンデンサの操業方法に関する。
【0002】
【従来の技術】鉛を含む亜鉛精鉱から鉛と亜鉛を同時に
回収する代表的な乾式亜鉛精錬法としてISP法があ
る。このISP法では、還元炉で亜鉛含有原料を還元、
溶解し、亜鉛と鉛を揮発させ、排ガスと共に後工程の回
収工程に送り、この回収工程において、鉛と亜鉛を回収
している。回収工程では、熔体鉛を吸収剤として用い蒸
気亜鉛を熔体鉛に吸収する鉛スプラッシュコンデンサが
用いられている。
回収する代表的な乾式亜鉛精錬法としてISP法があ
る。このISP法では、還元炉で亜鉛含有原料を還元、
溶解し、亜鉛と鉛を揮発させ、排ガスと共に後工程の回
収工程に送り、この回収工程において、鉛と亜鉛を回収
している。回収工程では、熔体鉛を吸収剤として用い蒸
気亜鉛を熔体鉛に吸収する鉛スプラッシュコンデンサが
用いられている。
【0003】図1は、還元炉と鉛スプラッシュコンデン
サの概略平面図である。図1に示すように、鉛スプラッ
シュコンデンサ12は、コンデンサ本体14を有し、こ
のコンデンサ本体14は、一端(入口端)14aが還元
炉10の出口に結合され、他端(出口端)14bには、
排煙道16が設けられている。また、コンデンサ本体1
4の中央には、熔体鉛をスプラッシュする鉛スプラッシ
ュロータ14fと、コンデンサ本体14内を出口端14
bから入口端14aに向かって流れる熔体鉛の流れを整
流する(向きを変える)整流板14gが設けられてい
る。また、コンデンサ本体14は、その入口端付近に、
その側壁14dの下方に連通口が設けられたアンダーフ
ロー構造でコンデンサ本体14と連通するサンプ14c
を有し、サンプ14cには鉛ポンプ14eが配置されて
いる。
サの概略平面図である。図1に示すように、鉛スプラッ
シュコンデンサ12は、コンデンサ本体14を有し、こ
のコンデンサ本体14は、一端(入口端)14aが還元
炉10の出口に結合され、他端(出口端)14bには、
排煙道16が設けられている。また、コンデンサ本体1
4の中央には、熔体鉛をスプラッシュする鉛スプラッシ
ュロータ14fと、コンデンサ本体14内を出口端14
bから入口端14aに向かって流れる熔体鉛の流れを整
流する(向きを変える)整流板14gが設けられてい
る。また、コンデンサ本体14は、その入口端付近に、
その側壁14dの下方に連通口が設けられたアンダーフ
ロー構造でコンデンサ本体14と連通するサンプ14c
を有し、サンプ14cには鉛ポンプ14eが配置されて
いる。
【0004】鉛スプラッシュコンデンサ12は、さら
に、コンデンサ本体14のサンプ14cに隣接して設け
られたロンダ(冷却樋)18を有し、熔体鉛はサンプ1
4cから鉛ポンプ14eによってロンダ18に移送され
る。さらにまた、鉛スプラッシュコンデンサ12は、ロ
ンダ18のオーバーフロー堰18aを介して連通したフ
ラックス炉20と、このフラックス炉20からの亜鉛含
有鉛を鉛と亜鉛を分離する分離炉22と、分離炉22で
分離して回収した亜鉛を一定温度に維持するための加熱
炉24と、回収した鉛をコンデンサ本体14に戻すため
のリターン炉26を有する。
に、コンデンサ本体14のサンプ14cに隣接して設け
られたロンダ(冷却樋)18を有し、熔体鉛はサンプ1
4cから鉛ポンプ14eによってロンダ18に移送され
る。さらにまた、鉛スプラッシュコンデンサ12は、ロ
ンダ18のオーバーフロー堰18aを介して連通したフ
ラックス炉20と、このフラックス炉20からの亜鉛含
有鉛を鉛と亜鉛を分離する分離炉22と、分離炉22で
分離して回収した亜鉛を一定温度に維持するための加熱
炉24と、回収した鉛をコンデンサ本体14に戻すため
のリターン炉26を有する。
【0005】前述のように構成された鉛スプラッシュコ
ンデンサ12は以下のように操業される。熔体鉛をコン
デンサ本体14のサンプ14cから鉛ポンプ14eを用
いて冷却樋18に供給し、冷却樋18からフラックス炉
20、分離炉22を経て回収された熔体鉛をリターン炉
26を介してコンデンサ本体14に戻す熔体鉛の循環系
を構成する。一方、還元炉10の出口からコンデンサ本
体14に還元炉排ガス(亜鉛蒸気および鉛蒸気を含む)
を導入し、コンデンサ本体14に設けられた鉛スプラッ
シュロータ14fを用いて循環している熔体鉛(循環
鉛)と還元炉排ガスを接触させ、還元炉排ガス中の亜鉛
蒸気を循環鉛中に熔解させる。続いて、亜鉛が熔解した
循環鉛をサンプ14cを介して、冷却樋18に導入し、
冷却樋18で冷却して循環鉛中に熔解していた亜鉛を溶
出させ、その後分離炉22で亜鉛と循環鉛を分離させ
る。亜鉛は加熱炉24に導入して所定温度とした後に粗
亜鉛として鋳造する。一方、循環鉛はリターン炉26を
介してコンデンサ本体14の下流に戻す。
ンデンサ12は以下のように操業される。熔体鉛をコン
デンサ本体14のサンプ14cから鉛ポンプ14eを用
いて冷却樋18に供給し、冷却樋18からフラックス炉
20、分離炉22を経て回収された熔体鉛をリターン炉
26を介してコンデンサ本体14に戻す熔体鉛の循環系
を構成する。一方、還元炉10の出口からコンデンサ本
体14に還元炉排ガス(亜鉛蒸気および鉛蒸気を含む)
を導入し、コンデンサ本体14に設けられた鉛スプラッ
シュロータ14fを用いて循環している熔体鉛(循環
鉛)と還元炉排ガスを接触させ、還元炉排ガス中の亜鉛
蒸気を循環鉛中に熔解させる。続いて、亜鉛が熔解した
循環鉛をサンプ14cを介して、冷却樋18に導入し、
冷却樋18で冷却して循環鉛中に熔解していた亜鉛を溶
出させ、その後分離炉22で亜鉛と循環鉛を分離させ
る。亜鉛は加熱炉24に導入して所定温度とした後に粗
亜鉛として鋳造する。一方、循環鉛はリターン炉26を
介してコンデンサ本体14の下流に戻す。
【0006】なお、コンデンサ本体14内では、前述の
ように、循環鉛中への亜鉛の吸収効率を上げるために、
鉛スプラッシュロータ14fで循環鉛をスプラッシュさ
せ、また整流板14gを設置して循環炉排ガスと循環鉛
とが互いに効率良く接触するように整流している。
ように、循環鉛中への亜鉛の吸収効率を上げるために、
鉛スプラッシュロータ14fで循環鉛をスプラッシュさ
せ、また整流板14gを設置して循環炉排ガスと循環鉛
とが互いに効率良く接触するように整流している。
【0007】このような操業において、循環鉛の表面に
は、還元炉排ガスに含まれるダストや再酸化により発生
した酸化亜鉛ダストを主とした、いわゆる、コンデンサ
ドロスが浮遊する。このコンデンサドロスは、循環鉛と
共にサンプ14cに排出され、系外に除去されるが、完
全には排出できず、その一部はコンデンサ内に残留し蓄
積されていく。この場合、図2(コンデンサ本体の部分
側部断面図)、図3(コンデンサ本体の部分平面図)に
示すように、サンプのアンダーフロー部にコンデンサド
ロスが凝固した、いわゆるベコ1(なお、符号2で示す
ものは未だ凝固してないコンデンサドロスを示す)が側
壁14dに付着成長する。このような状態になると、ア
ンダーフロー部における熔体鉛の通過距離が長くなり、
この結果、通過抵抗の増大でコンデンサドロスの排出を
一層困難にさせる。このようにして、コンデンサドロス
が排出されず、コンデンサ内の循環鉛上に多重堆積する
ようになると、鉛スプラッシュによる亜鉛蒸気の吸収効
率が低下するばかりでなく、整流板の開口部を始めとし
てコンデンサ内の各所の開口部の閉塞を引き起こす原因
となり、コンデンサ内の円滑なガス通過を妨げるため操
業の続行が不可能となる場合がある。
は、還元炉排ガスに含まれるダストや再酸化により発生
した酸化亜鉛ダストを主とした、いわゆる、コンデンサ
ドロスが浮遊する。このコンデンサドロスは、循環鉛と
共にサンプ14cに排出され、系外に除去されるが、完
全には排出できず、その一部はコンデンサ内に残留し蓄
積されていく。この場合、図2(コンデンサ本体の部分
側部断面図)、図3(コンデンサ本体の部分平面図)に
示すように、サンプのアンダーフロー部にコンデンサド
ロスが凝固した、いわゆるベコ1(なお、符号2で示す
ものは未だ凝固してないコンデンサドロスを示す)が側
壁14dに付着成長する。このような状態になると、ア
ンダーフロー部における熔体鉛の通過距離が長くなり、
この結果、通過抵抗の増大でコンデンサドロスの排出を
一層困難にさせる。このようにして、コンデンサドロス
が排出されず、コンデンサ内の循環鉛上に多重堆積する
ようになると、鉛スプラッシュによる亜鉛蒸気の吸収効
率が低下するばかりでなく、整流板の開口部を始めとし
てコンデンサ内の各所の開口部の閉塞を引き起こす原因
となり、コンデンサ内の円滑なガス通過を妨げるため操
業の続行が不可能となる場合がある。
【0008】以上説明から明らかなように、コンデンサ
操業においては、コンデンサドロスをいかに円滑にサン
プへ排出させるかが重要な操業管理項目の1つとなって
おり、従来は、図4(コンデンサ本体の部分側部断面
図)に示すように、定期的に、掻き出し棒50をサンプ
側からコンデンサ本体内へ挿入し、アンダーフロー近傍
の循環鉛をコンデンサドロスにかけるように操作してコ
ンデンサドロスを循環鉛中に混入させ、循環鉛と共にサ
ンプへの排出を促進させていた。
操業においては、コンデンサドロスをいかに円滑にサン
プへ排出させるかが重要な操業管理項目の1つとなって
おり、従来は、図4(コンデンサ本体の部分側部断面
図)に示すように、定期的に、掻き出し棒50をサンプ
側からコンデンサ本体内へ挿入し、アンダーフロー近傍
の循環鉛をコンデンサドロスにかけるように操作してコ
ンデンサドロスを循環鉛中に混入させ、循環鉛と共にサ
ンプへの排出を促進させていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
操作は一般に、サンプ、鉛ポンプ、ロンダの配列上の制
約によって機械化が場合が多く、このため作業員によっ
てなされていたため、熱間作業などの極めて劣悪な環境
での作業であった。さらに、この操作によるコンデンサ
ドロスの排出効率も十分とはいえず、操業時間の経過と
共に、前述したサンプのアンダーフロー部のベコが次第
に付着成長し、コンデンサドロスのサンプへの円滑な排
出を妨げていた。
操作は一般に、サンプ、鉛ポンプ、ロンダの配列上の制
約によって機械化が場合が多く、このため作業員によっ
てなされていたため、熱間作業などの極めて劣悪な環境
での作業であった。さらに、この操作によるコンデンサ
ドロスの排出効率も十分とはいえず、操業時間の経過と
共に、前述したサンプのアンダーフロー部のベコが次第
に付着成長し、コンデンサドロスのサンプへの円滑な排
出を妨げていた。
【0010】なお、このような操業中にコンデンサ本体
に付属する点検孔を解放し、アンダーフロー部の付着物
を除去し、サンプへの排出を円滑にしようとすれば、2
0〜45%のCO(一酸化炭素)を含有する還元炉排ガ
スがコンデンサ内から吹き出すことによる一酸化炭素中
毒や、また大気中のO2 (酸素)がコンデンサ内に混入
することによるガス爆発を引き起こす危険性がある。し
たがって、これらのことを回避するために、サンプのア
ンダーフロー部の付着物の除去は炉を停止して実施する
必要があり、操業度の低下が避けられなかった。
に付属する点検孔を解放し、アンダーフロー部の付着物
を除去し、サンプへの排出を円滑にしようとすれば、2
0〜45%のCO(一酸化炭素)を含有する還元炉排ガ
スがコンデンサ内から吹き出すことによる一酸化炭素中
毒や、また大気中のO2 (酸素)がコンデンサ内に混入
することによるガス爆発を引き起こす危険性がある。し
たがって、これらのことを回避するために、サンプのア
ンダーフロー部の付着物の除去は炉を停止して実施する
必要があり、操業度の低下が避けられなかった。
【0011】以上述べたように、コンデンサドロスのサ
ンプへの円滑な排出並びにこの円滑な排出を妨げる要因
となるサンプのアンダーフロー部におけるベコの付着最
長を防止することは、コンデンサの操業管理上極めて重
要であるにもかかわらず、簡便で有効な方法は未だ開発
されていない。
ンプへの円滑な排出並びにこの円滑な排出を妨げる要因
となるサンプのアンダーフロー部におけるベコの付着最
長を防止することは、コンデンサの操業管理上極めて重
要であるにもかかわらず、簡便で有効な方法は未だ開発
されていない。
【0012】したがって、本発明の目的はコンデンサド
ロスのサンプへの円滑な排出を促進させる鉛スプラッシ
ュコンデンサの操業方法を提供することにある。
ロスのサンプへの円滑な排出を促進させる鉛スプラッシ
ュコンデンサの操業方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明は、亜鉛蒸気を含有した還元炉排ガスから
亜鉛蒸気を熔融亜鉛として回収する鉛スプラッシュコン
デンサの操業方法において、コンデンサ本体のサンプの
アンダーフロー部近傍の循環鉛中に気体を吹き込んで、
アンダーフロー部近傍部に発生したコンデンサドロスを
多数の細かい塊に分散させて循環鉛に混入させることを
特徴とする鉛スプラッシュコンデンサの操業方法を採用
するものである。
めに、本発明は、亜鉛蒸気を含有した還元炉排ガスから
亜鉛蒸気を熔融亜鉛として回収する鉛スプラッシュコン
デンサの操業方法において、コンデンサ本体のサンプの
アンダーフロー部近傍の循環鉛中に気体を吹き込んで、
アンダーフロー部近傍部に発生したコンデンサドロスを
多数の細かい塊に分散させて循環鉛に混入させることを
特徴とする鉛スプラッシュコンデンサの操業方法を採用
するものである。
【0014】
【作用】本発明において、サンプのアンダーフロー部近
傍の循環鉛中の上流側に気体を吹き込むのは、コンデン
サ内の循環鉛中の表面に堆積したコンデンサドロスを循
環鉛中に気体の吹き込みによって混入させ、循環鉛と共
にコンデンサドロスをサンプへ排出し易くするためであ
る。さらに、この操作によって、アンダーフロー部上流
側の付着物の成長も防止できる。
傍の循環鉛中の上流側に気体を吹き込むのは、コンデン
サ内の循環鉛中の表面に堆積したコンデンサドロスを循
環鉛中に気体の吹き込みによって混入させ、循環鉛と共
にコンデンサドロスをサンプへ排出し易くするためであ
る。さらに、この操作によって、アンダーフロー部上流
側の付着物の成長も防止できる。
【0015】この付着物は粉状となっているコンデンサ
ドロスがアンダーフロー部上流側で堆積し、滞留してい
るうちに、相互にまたはアンダーフロー部の壁に付着成
長し、時間の経過とともに固化されるものである。した
がって、気体を引き込むことで、コンデンサドロスを互
いに分散させる効果並びに付着成長する前にサンプへ排
出させる効果等によってコンデンサ内での付着物の付着
成長は容易に抑えることができる。
ドロスがアンダーフロー部上流側で堆積し、滞留してい
るうちに、相互にまたはアンダーフロー部の壁に付着成
長し、時間の経過とともに固化されるものである。した
がって、気体を引き込むことで、コンデンサドロスを互
いに分散させる効果並びに付着成長する前にサンプへ排
出させる効果等によってコンデンサ内での付着物の付着
成長は容易に抑えることができる。
【0016】循環鉛中に吹き込む気体としては、不活性
ガス、一酸化炭素、二酸化炭素とするのは、コンデンサ
内に送られる還元炉排ガスのCO(一酸化炭素)濃度が
20〜45%と高く、かつ温度が400〜700°Cと
低温であるため、02 (酸素)が混入すると、CO(一
酸化炭素)爆発を引き起こす危険性があるためである。
なお、これらのガスを単独で用いても、混合して用いて
もよい。
ガス、一酸化炭素、二酸化炭素とするのは、コンデンサ
内に送られる還元炉排ガスのCO(一酸化炭素)濃度が
20〜45%と高く、かつ温度が400〜700°Cと
低温であるため、02 (酸素)が混入すると、CO(一
酸化炭素)爆発を引き起こす危険性があるためである。
なお、これらのガスを単独で用いても、混合して用いて
もよい。
【0017】また、堆積したコンデンサドロスを分散さ
せるに必要な吹き込み量は、サンプアンダーフロー部の
開口部の大きさ、コンデンサドロスの堆積量に応じて異
なるものの、5Nm3 /h以上の吹き込み量にすれば、
目的は達成できる。また、コンデンサドロスを排出させ
る効果は、吹き込み気体の量が多いほど高く、コンデン
サドロスの排出は、その量の多少、および付着物の固気
状況に応じて、吹き込み量を調整することによって、容
易に達成できる。また、このガスの吹き込み操作はサン
プアンダーフロー部にコンデンサドロスが堆積したとき
に一気に実行するよりも、断続的にまたは連続的に実行
する方が望ましい。
せるに必要な吹き込み量は、サンプアンダーフロー部の
開口部の大きさ、コンデンサドロスの堆積量に応じて異
なるものの、5Nm3 /h以上の吹き込み量にすれば、
目的は達成できる。また、コンデンサドロスを排出させ
る効果は、吹き込み気体の量が多いほど高く、コンデン
サドロスの排出は、その量の多少、および付着物の固気
状況に応じて、吹き込み量を調整することによって、容
易に達成できる。また、このガスの吹き込み操作はサン
プアンダーフロー部にコンデンサドロスが堆積したとき
に一気に実行するよりも、断続的にまたは連続的に実行
する方が望ましい。
【0018】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。図
1に示すような3つの整流板14gおよび2つの鉛スプ
ラッシュロータ14fを持つコンデンサ構造を用いた。
コンデンサの寸法は、長さが5mであり、幅が1mであ
り、高さが0.58mである。また、循環鉛の保有量は
12.6tである。以下に示す操作条件に従い亜鉛蒸気
を含有した還元炉排ガスから亜鉛蒸気を熔融亜鉛として
回収する操業を実施した。 (1)還元炉排ガスのコンデンサ入口温度(°C): 1154 (2)還元炉排ガス量(Nm3 /h): 785 (3)還元炉排ガスの組成: Zn(%): 4.1 CO(%): 42.3 CO2 (%): 28.6 (4)循環鉛量(t/h): 87
1に示すような3つの整流板14gおよび2つの鉛スプ
ラッシュロータ14fを持つコンデンサ構造を用いた。
コンデンサの寸法は、長さが5mであり、幅が1mであ
り、高さが0.58mである。また、循環鉛の保有量は
12.6tである。以下に示す操作条件に従い亜鉛蒸気
を含有した還元炉排ガスから亜鉛蒸気を熔融亜鉛として
回収する操業を実施した。 (1)還元炉排ガスのコンデンサ入口温度(°C): 1154 (2)還元炉排ガス量(Nm3 /h): 785 (3)還元炉排ガスの組成: Zn(%): 4.1 CO(%): 42.3 CO2 (%): 28.6 (4)循環鉛量(t/h): 87
【0019】そして、図5に示すように、コンデンサド
ロス1が堆積している部分に内径10mmのSUS製の
パイプ60を用いて、5kg/cm2 の圧力で10Nm
3 の割合でN2 (窒素ガス)を吹き込んだ。窒素ガスを
吹き込むと、図5に示すように、コンダンサドロス1
は、多数の細かい塊1aに粉砕され、循環鉛に混入され
た。このときの循環鉛層の深さは200mmであった。
ロス1が堆積している部分に内径10mmのSUS製の
パイプ60を用いて、5kg/cm2 の圧力で10Nm
3 の割合でN2 (窒素ガス)を吹き込んだ。窒素ガスを
吹き込むと、図5に示すように、コンダンサドロス1
は、多数の細かい塊1aに粉砕され、循環鉛に混入され
た。このときの循環鉛層の深さは200mmであった。
【0020】操業中、サンプのアンダーフロー部への窒
素ガスの吹き込みを30分毎に断続的に行った。その結
果、コンダンサドロスを円滑にサンプへ排出することが
でき、操業を継続することができた。60時間後に点検
のため操業を停止し、コンデンサ本体内部を点検した
が、サンプのアンダーフロー部の周辺には少量のコンデ
ンサドロスの付着物が認められたものの、開口部は十分
確保されており、またコンデンサ内のドロスも循環鉛表
面上に20mm程度しか存在せず、窒素ガス吹き込みに
よるサンプへの円滑なドロスの排出が行えたことが確認
できた。
素ガスの吹き込みを30分毎に断続的に行った。その結
果、コンダンサドロスを円滑にサンプへ排出することが
でき、操業を継続することができた。60時間後に点検
のため操業を停止し、コンデンサ本体内部を点検した
が、サンプのアンダーフロー部の周辺には少量のコンデ
ンサドロスの付着物が認められたものの、開口部は十分
確保されており、またコンデンサ内のドロスも循環鉛表
面上に20mm程度しか存在せず、窒素ガス吹き込みに
よるサンプへの円滑なドロスの排出が行えたことが確認
できた。
【0021】次に、本発明の実施例と比較するために、
従来例の実験結果について説明する。実施例と同一の装
置を用い、窒素ガスの吹き込みを中止し、以下に示す操
作条件に従い亜鉛蒸気を含有した還元炉排ガスから亜鉛
蒸気を熔融亜鉛として回収する操業を実施した。 (1)還元炉排ガスのコンデンサ入口温度(°C): 1204 (2)還元炉排ガス量(Nm3 /h): 795 (3)還元炉排ガスの組成: Zn(%): 3.9 CO(%): 41.73 CO2 (%): 30.9 (4)循環鉛量(t/h): 94
従来例の実験結果について説明する。実施例と同一の装
置を用い、窒素ガスの吹き込みを中止し、以下に示す操
作条件に従い亜鉛蒸気を含有した還元炉排ガスから亜鉛
蒸気を熔融亜鉛として回収する操業を実施した。 (1)還元炉排ガスのコンデンサ入口温度(°C): 1204 (2)還元炉排ガス量(Nm3 /h): 795 (3)還元炉排ガスの組成: Zn(%): 3.9 CO(%): 41.73 CO2 (%): 30.9 (4)循環鉛量(t/h): 94
【0022】操業開始後36時間でサンプよりコンデン
サ内のドロスを排出する量が1/2程度に減少し、43
時間後にはサンプよりドロスがほとんど排出されなくな
った。それに伴いコンデンサ本体内部のガスが漏れだ
し、操業の継続が困難となり、停止した。その後、コン
デンサ本体内部を点検観察した。その状況を図6に模式
的に示す。図6から明らかなように、コンデンサドロス
によるサンプアンダーフロー部の閉塞状況は激しく、ま
た整流板の開口部も閉塞しており、循環鉛表面上に70
mm程度コンデンサドロスが存在していた。
サ内のドロスを排出する量が1/2程度に減少し、43
時間後にはサンプよりドロスがほとんど排出されなくな
った。それに伴いコンデンサ本体内部のガスが漏れだ
し、操業の継続が困難となり、停止した。その後、コン
デンサ本体内部を点検観察した。その状況を図6に模式
的に示す。図6から明らかなように、コンデンサドロス
によるサンプアンダーフロー部の閉塞状況は激しく、ま
た整流板の開口部も閉塞しており、循環鉛表面上に70
mm程度コンデンサドロスが存在していた。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
コンデンサ本体内の循環鉛表面に堆積するダストによる
サンプアンダーフロー部の堆積は防止でき、コンデンサ
本体内のコンデンサドロスをサンプに容易に排出するこ
とができる。
コンデンサ本体内の循環鉛表面に堆積するダストによる
サンプアンダーフロー部の堆積は防止でき、コンデンサ
本体内のコンデンサドロスをサンプに容易に排出するこ
とができる。
【図1】図1は、還元炉と鉛スプラッシュコンデンサの
概略平面図である。
概略平面図である。
【図2】図2は、コンデンサ本体の部分側部断面図であ
る。
る。
【図3】図3は、コンデンサ本体の部分平面図である。
【図4】図4は、従来例の鉛スプラッシュコンデンサの
操業方法を説明するためのコンデンサ本体の部分側部断
面図である。
操業方法を説明するためのコンデンサ本体の部分側部断
面図である。
【図5】図5は、本発明の鉛スプラッシュコンデンサの
操業方法を説明するためのコンデンサ本体の部分側部断
面図である。
操業方法を説明するためのコンデンサ本体の部分側部断
面図である。
【図6】図6は、従来例のコンデンサの操業によるコン
デンサドロスの付着成長を説明するためのコンデンサ本
体の部分側部断面図である。
デンサドロスの付着成長を説明するためのコンデンサ本
体の部分側部断面図である。
1 コンデンサドロスが凝固したベコ 2 コンデンサドロス 10 還元炉 12 鉛スプラッシュコンデンサ 14 コンデンサ本体 14c サンプ 14e 鉛ポンプ 60 気体吹き込み用のパイプ
Claims (5)
- 【請求項1】 亜鉛蒸気を含有した還元炉排ガスから亜
鉛蒸気を熔融亜鉛として回収する鉛スプラッシュコンデ
ンサの操業方法において、コンデンサ本体のサンプのア
ンダーフロー部近傍の循環鉛中に気体を吹き込んで、ア
ンダーフロー部近傍部に発生したコンデンサドロスを循
環鉛中に分散させて混入させることを特徴とする鉛スプ
ラッシュコンデンサの操業方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の鉛スプラッシュコンデン
サの操業方法において、前記気体は、不活性ガス、一酸
化炭素、二酸化炭素のグループから選ばれた少なくとも
1種類の気体であることを特徴とする鉛スプラッシュコ
ンデンサの操業方法。 - 【請求項3】 請求項1または2のいずれか1つに記載
の鉛スプラッシュコンデンサの操業方法において、前記
気体を5Nm3 /hの割合で吹き込むことを特徴とする
鉛スプラッシュコンデンサの操業方法。 - 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれか1つに記載
の鉛スプラッシュコンデンサの操業方法において、気体
の吹き込みを断続的を行うことを特徴とする鉛スプラッ
シュコンデンサの操業方法。 - 【請求項5】 請求項1ないし3のいずれか1つに記載
の鉛スプラッシュコンデンサの操業方法において、気体
の吹き込みを連続的を行うことを特徴とする鉛スプラッ
シュコンデンサの操業方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1892694A JPH07207353A (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 鉛スプラッシュコンデンサの操業方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1892694A JPH07207353A (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 鉛スプラッシュコンデンサの操業方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07207353A true JPH07207353A (ja) | 1995-08-08 |
Family
ID=11985240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1892694A Pending JPH07207353A (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 鉛スプラッシュコンデンサの操業方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07207353A (ja) |
-
1994
- 1994-01-19 JP JP1892694A patent/JPH07207353A/ja active Pending
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