JPH07209618A

JPH07209618A - 励起子消去型半導体光変調装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07209618A
Application number: JP298694A
Authority: JP
Inventors: Tatsuro Ikeda; 達郎池田; Hiroshi Ishikawa; 石川　　浩
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-01-17
Filing date: 1994-01-17
Publication date: 1995-08-11

Abstract

(57)【要約】【目的】励起子消去型半導体光変調装置関し、導波路で
のビルトイン電界を大幅に低減し、横モードの制御を容
易にすること。【構成】多重量子井戸層３とこれを上下から挟むクラッ
ド層２，４をストライプ状に形成してなる導波路層と、
その両側に絶縁膜５を介して形成された一対の電極６，
７を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、励起子消去型半導体光
変調装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、層の
面に平行な方向に電界を多重量子井戸（ＭＱＷ）層に発
生、消去させて光を変調する励起子消去型半導体光変調
装置及びその製造方法に関する。最近の情報処理分野に
おいて、光を利用する光コンピュータ、光インターコネ
クションなどによる情報処理に関心が寄せられている
が、これを実現するためには光演算回路を開発する必要
がある。光演算回路を構成するためには、半導体レー
ザ、発光ダイオードなどの半導体発光素子やフォトダイ
オードなどの受光素子と集積化できる微小な光演算素子
が必要となる。

【０００２】

【従来の技術】光変調装置の中で最も広く用いられるの
はLiNbO₃結晶を利用したものである。しかしその装置
は、半導体を用いたものに比べるとサイズが大きく、ま
た、半導体レーザとのプレーナ化ができずに集積化が不
可能であり、さらに、半導体レーザと結合する際の光軸
合わせが面倒であるなどの問題が生じる。

【０００３】そのような集積化ができなければ、光電子
集積回路（ＯＥＩＣ; opto-electronics IC)を構成する
ことが不可能となり、当然のことながら光コンピュータ
を作ることができない。また、高速で動作可能な光コン
ピュータを実現するためには、高速変調動作の可能な素
子が必要とされているが、これを達成するためには、第
一に、光変調・演算素子のキャパシタを低減すること、
第二に、駆動電圧を低減することが必要になる。

【０００４】以上の光変調装置のサイズが大きくなって
しまうという問題、並びに発光素子、受光素子との集積
化が困難であるという問題を解決するために半導体を使
った光変調装置を作ることが考えられる。半導体光変調
装置として、例えば半導体層の上と下に形成された電極
間に電圧を印加して導波路の屈折率を変化させる構造の
光変調装置があるが、電圧に対する屈折率の変化はLiNb
O₃結晶を利用したものに比べて劣る。従って、十分な効
果を上げるためには、駆動電圧を高くするか、或いは光
演算素子の長さ（光導波路長）を長くすることになる
が、このような構造にすると、高速の光変調動作、光交
換動作を行うことが難しくなり、また光の損失が大きく
なり、しかも、光演算素子をコンパクトにまとめること
が難しくなる。

【０００５】LiNbO₃を利用したもの以上の性能を持った
半導体光変調装置として、量子井戸構造を有する励起子
消去型の半導体光変調装置がある。この光変調装置は、
量子井戸構造内で層に平行な方向に電界を発生させるこ
とにより、その量子井戸構造のエキシトンを消去して光
吸収特性や屈折率特性を変化させる現象を利用したもの
であり、その装置は特開平２−１３２４１５号公報に記
載されている。

【０００６】なお、エキシトンを消去するというのは、
エキシトンを自由電子と正孔に分解することである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】その半導体光変調装置
は、基板面に平行な電界を多重量子井戸層（ＭＱＷ層）
内で発生させるために、基板面に平行な向きにｐｉｎ接
合を形成してｐ型不純物領域とｎ型不純物領域の間にあ
る真性半導体領域のＭＱＷ層で電界を発生させるように
なっている。次に、この装置の構造を簡単に説明する。

【０００８】図７において、半絶縁性の半導体基板101
上には第一のクラッド層102 が設けられ、その上面には
ＭＱＷ層103 、第二のクラッド層104 が順に積層されて
いる。光導波路となる真性半導体領域（ｉ型領域）108
の両側には、第二のクラッド層104 の表面から第一のク
ラッド層102 の上部に達する深さのｎ型不純物領域106
とｐ型不純物領域107 が形成されている。

【０００９】なお、図中符号110 は、キャップ層109 を
介してｎ型不純物領域106 の上に形成されたはｎ電極、
111 は、キャップ層109 を介してｐ型不純物領域107 の
上に形成されたｐ電極、112 は光変調用電圧源を示して
いる。光を変調する場合には、例えば、真性半導体領域
108 のＭＱＷ層103 にエキシトン吸収ピーク波長λepの
光を照射しながら、ｎ型不純物領域106 とｐ型不純物領
域107 に逆バイアス電圧を印加してＭＱＷ層103 内に横
方向の電界を発生させると、ＭＱＷ層103 におけるエキ
シトンが壊されてその光が透過する一方、その電界を消
去すると光がエキシトンによって吸収される。

【００１０】このように電界の発生、消去を繰り返すこ
とにより光強度変調が行われる。その他に、屈折率によ
る変調も可能である。ところで、ＭＱＷ層103 を構成す
る量子井戸層の材料をIn_1-xGa_xAs_yP_1-y（ｘ＝0.438
、ｙ＝0.940 ）、障壁層の材料をInP となし、また、
ｐ型不純物領域107 の不純物濃度を３×１０¹⁷／cm³、
ｉ型領域108 の残留不純物濃度を１×１０¹⁵／cm³のｎ
型不純物超低濃度となし、さらに、ｐ型不純物領域107
とｎ型不純物領域106 の間隔を２μｍとすると、エキシ
トンを壊すためには６kV／cmの電界強度が必要となる。

【００１１】しかし、この構造では、電極110 ，111 間
に電圧を印加しない時であってもｐｉｎ接合のｉ型領域
108 にビルトイン電界がかかる。その大きさは、計算に
よると図８に示すようになる。図８において、縦軸は電
界強度を示し、横軸は、ｐ型不純物領域107 とｉ型領域
108 の境界を原点としてここからｎ型不純物領域106方
向への距離Ｘを示す。

【００１２】その距離Ｘが０μｍから０．４６μｍに至
る領域では６．０kV／cmを越えたビルトイン電界が存在
するので、この領域のエキシトンは電圧を印加しない状
態で既に壊されている。したがって、光変調ができる領
域はＸが０．４６μｍよりも大きくなる範囲に限られ、
変調可能領域が狭くなってしまい、光変調器の微細化に
支障をきたす。

【００１３】さらに、変調可能領域でも電界強度が変化
しているので、屈折率変調度、吸収変調度が広い分散を
もってしまい、有効な光変調ができなくなる。また、上
記した構造では、ｎ型不純物領域106 やｐ型不純物領域
107 をイオン打ち込みにより形成するが、それらの領域
のＭＱＷ層103 はイオン打ち込みによっても破壊されず
にそのまま残ってしまう。この結果として、変調器のＭ
ＱＷ層103 のｎ型不純物領域106 からｐ型不純物領域10
7 に至る横方向に屈折率の差が存在せず、ｉ型領域108
を通る光が広がってしまい、横モードによる制御が難し
くなるきらいがある。

【００１４】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、導波路でのビルトイン電界を大幅に低減
し、横モードの制御が容易な半導体光変調装置及びその
製造方法を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、基板１上でストライプ状に形成された
第一のクラッド層２と、前記第一のクラッド層２の上に
形成されたストライプ状の多重量子井戸層３と、前記多
重量子井戸層３の上に形成されたストライプ状の第二の
クラッド層４と、前記第一のクラッド層２、前記多重量
子井戸層３及び前記第二のクラッド層４の両側面に絶縁
膜５を介し且つ互いに分離された第一及び第二の電極
６，７とを有することを特徴とする励起子消去型半導体
光変調装置によって解決する。

【００１６】または、前記励起子消去型半導体光変調装
置において、前記第一及び第二の電極６，７は互いに平
行に形成されていることを特徴とする。または、前記励
起子消去型半導体光変調装置において、前記第一及び第
二のクラッド層２，４はアンドープInP からなり、前記
多重量子井戸層３は交互に繰り返し積層されたアンドー
プInGaAsP 量子井戸層とアンドープInP 障壁層から構成
されていることを特徴とする。

【００１７】または、図４、図５に例示するように、基
板１の上に形成された第一のクラッド層２と、前記第一
のクラッド層２の上に量子井戸層と障壁層を交互に繰り
返し成長して多重量子井戸層３を形成する工程と、前記
多重量子井戸層３の上に第二のクラッド層４を形成する
工程と、前記第二のクラッド層４の上にストライプ状の
マスク１１を形成し、該マスク１１に覆われない領域の
前記第二のクラッド層４から前記第二のクラッド層４ま
でをエッチングすることにより、前記第二のクラッド層
４と多重量子井戸層３と第一のクラッド層２をメサスト
ライプ形状にパターニングする工程と、前記マスク１１
を除去した後に、パターニングされた前記第二のクラッ
ド層４、多重量子井戸層３、第一のクラッド層２の少な
くとも側面に絶縁膜５を形成する工程と、メサストライ
プ状の前記第二のクラッド層４、多重量子井戸層３、第
一のクラッド層２の両側面に前記絶縁膜５を介して２つ
の電極６，７を形成する工程とを有することを特徴とす
る励起子消去型半導体光変調装置の製造方法によって解
決する。

【００１８】

【作用】本発明によれば、多重量子井戸層とこれを上
下から挟むクラッド層をメサストライプ状に形成し、そ
の両側に絶縁膜を介して一対の電極を形成している。し
たがって、一対の電極に電圧を印加することにより、多
重量子井戸層内には基板面に平行な電界が発生し、その
多重量子井戸層のエキシトンが壊され、エキシトン吸収
ピーク波長の光吸収係数が減少し、しかも、エキシトン
吸収ピーク波長よりも長波長の屈折率が大幅に減少す
る。

【００１９】また、導波路となる多重量子井戸層はスト
ライプ状に形成されているので、導波路の横方向の屈折
率差が大きくなり、横モード制御が容易になる。さら
に、多重量子井戸層には不純物拡散領域が存在していな
いのでビルトイン電界は殆ど生じておらず、変調可変領
域が狭くなったり、屈折率変調や光吸収変調が広い分散
をもたず、有効な光変調が行われる。

【００２０】

【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。図１は、本発明の一実施例を示す励起子
消去型（エキシトンプリーチング型）の半導体光変調装
置の断面図である。図１に示す半導体光変調装置は、半
絶縁性半導体基板１の上でメサストライプ状に形成され
た第一のクラッド層２とＭＱＷ層３と第二のクラッド層
４を有し、それらの層の両側に絶縁膜５が形成されてい
る。また、それらの絶縁膜５の上には分離された第一及
び第二の電極６、７が形成され、これらの電極６、７の
間には変調用電源８が接続されている。

【００２１】そのメサストライプ状のＭＱＷ層３は導波
路となり、変調されるべき光はその一端から入射し、他
端から出射する。半導体光変調装置を構成する材料や層
の厚さなどの具体的な例は、後述する製造工程において
説明する。このような構造の半導体光変調装置によれ
ば、光変調用の信号電圧が印加される電極６、７は絶縁
膜５を介してメサ形状のＭＱＷ層３の両側部に存在する
ので、ビルトイン電界はほとんど無視できる程度に発生
するだけであり、光変調可能領域を狭めることはない。

【００２２】また、半導体光変調装置の導波路となるＭ
ＱＷ層３はストライプ状であり、しかも、その周囲に絶
縁膜５が存在するので、導波路とその周囲の屈折率の差
が十分に大きくなり、横モード制御が容易になる。さら
に、半絶縁半導体基板を使用しているので、電極６、７
による寄生容量が小さくなっている。

【００２３】上記した半導体光変調装置の変調は、変調
用電源８により電極６、７間に高周波電圧信号を印加し
て行われるが、光変調は、光吸収係数を変化させること
と屈折率を変化させることの２つの方式がある。まず、
光吸収係数の変化により光変調する方法を説明する。半
導体光変調装置の電極６、７間に電圧を印加しない場合
と印加する場合の各々について、波長と光吸収係数の関
係は図２に示すような曲線となる。電極６、７間に電圧
を印加することは、ＱＷ層３内に電界を発生させること
を意味する。

【００２４】図２の実線で示す曲線はＭＱＷ層３に電界
が生じていない状態を示し、波長λepに光吸収係数のピ
ークがある。このピークが現れる波長λepをエキシトン
吸収ピーク波長という。これに対して、基板１の面に平
行な方向（図１中横方向）の電界をＭＱＷ層３で発生さ
せた時には図２の破線のような曲線が得られ、エキシト
ン吸収ピーク波長λepでの光吸収係数が変化して大幅に
小さくなることがわかる。

【００２５】このように電界の有無によって光吸収係数
が変化するのは、無電界時にはＭＱＷ層には光を吸収す
るエキシトンが存在し、電界印加時にはそのエキシトン
が壊されるからである。従って、ＭＱＷ層３において横
方向の電界を発生、消去させることにより波長λepの光
は強度変調されることになる。

【００２６】次に、屈折率の変化により光変調する方法
を説明する。図３(a) に示す実線はＭＱＷ層３内で電界
が発生しない場合を示し、波長λepより長い波長λopに
屈折率のピークがある。これに対して、ＭＱＷ層３内で
横方向の電界を発生させた時に、図３(a) の破線のよう
な曲線となり、波長λopでの屈折率のピークが消えて大
幅に小さくなることがわかる。

【００２７】このように屈折率が変化するのは、電界の
発生、消去によりＭＱＷ層３でのエキシトンが存在した
り壊されたりするからである。従って、その波長λopで
は、電圧の印加時と無印加時で屈折率が変化し、それに
伴って光の位相が変化するので、図３(b) に示すよう
に、波長λopの光の波は位相の異なる２つの期間をもつ
ことになる。

【００２８】そこで、電圧を印加しない時の期間Ｔ₁を
「０」の信号とし、電圧印加時の期間Ｔ₂を「１」の信
号とし、これにより情報を伝達する。しかも、図２から
も明らかなように、波長λopの光吸収係数は、電圧印加
時と電圧無印加時を比べて殆ど変化がないので、損失の
少ない位相変調型の変調装置として使うのに都合がよ
い。

【００２９】なお、上記した半導体光変調装置を動作さ
せるための信号電圧は、ＭＱＷ層３の面に沿った横方向
にかけているので、ＭＱＷ層３内の量子井戸層と障壁層
の周期の数を増やしてもＭＱＷ層３での電界強度が減る
ことはないから、動作電圧を増加させたり屈折率変化特
性を悪化させずにその周期を増やすことができ、これに
より層の厚さ方向への光閉じ込めが良くなる。

【００３０】次に、上記した実施例の工程について説明
する。まず、図４(a) に示すように、InP よりなる半絶
縁性半導体基板１の上にアンドープInP よりなる第一の
クラッド層２を１０００Åの厚さにエピタキシャル成長
する。続いて、ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法などにより
第一のクラッド層２の上にアンドープInP とアンドープ
In_1-xGa_xAs_yP_1-y（ｘ＝0.438 、ｙ＝0.940 ）をそれ
ぞれ膜厚１００Åずつ交互に２０周期繰り返して全体に
積層し、これによりＭＱＷ層３を形成する。この場合、
InGaAsP は量子井戸層、InP は障壁層となり、ＭＱＷ層
３のエキシトン（励起子）ピーク波長λepは1.526 μｍ
程度となる。

【００３１】さらに続いて、ＭＱＷ層３の上にアンドー
プInP を１０００Å程度の厚さにエピタキシャル成長
し、これを第二のクラッド層４とする。このような化合
物半導体層の成長工程を終えた後に、フォトレジストを
塗布してこれを露光、現像し、光導波方向の長さが２０
０μｍ、これに直行する方向の幅が２μｍのレジストパ
ターン１１を形成する。

【００３２】次に、そのレジストパターン１１をマスク
にして第一及び第二のクラッド層２、４とＭＱＷ層３を
第一のクラッド層２の途中までエッチングすると、図４
(b)に示すように、平面の長さが２００μｍ、幅が２μ
ｍのメサ状の半導体パターンが形成される。このメサ状
の半導体パターンの側面は基板面に対して垂直又はこれ
に近い方が好ましく、これにより電極６、７は平行又は
平行に近い状態になり、ＭＱＷ層３に対して斜め方向の
電界成分は零又は極めて少なくなる。これは、ＭＱＷ層
３に対して斜め方向の電界成分が発生すると、エキシト
ン吸収ピーク波長や屈折率ピーク波長が長波長側にズレ
たり、変調による光吸収係数や屈折率の変化量が小さく
なってしまうからこれを回避する必要があるからであ
る。

【００３３】なお、メサストライプ状の半導体パターン
を形成する方法として、SiO₂、 SiNなどの絶縁膜をマス
クに用いてクラッド層２、４とＭＱＷ層３を基板１上に
選択成長する方法もある。続いてレジストパターン１１
を除去した後に、図４(c) に示すように、熱ＣＶＤ装置
などを使用してメサ状の半導体パターンの上面及び側面
と第一のクラッド層２の上面に厚さ１５００ÅのSiO₂を
成長し、これを絶縁膜５とする。

【００３４】次に、フォトレジストを塗布した後に、二
重露光法その他の方法によりフォトレジストを露光し、
さらに現像を行って、図５(a) に示すように両側が庇状
に形成された断面Ｔ字状のレジストパターン１２を第二
のクラッド層４の上に形成する。次に、図５(b) に示す
ように、Ｔ字状のレジストパターン１２の上と、メサ状
の半導体パターンの両側壁と、第一のクラッド層２１の
上面とに、TiとPtを蒸着法により順に堆積し、二層構造
の金属膜１３を形成する。

【００３５】この後に、レジストパターン１２を除去す
ると、図５(c) に示すように金属膜１３はメサ状の半導
体パターンの両側部と第一のクラッド層４の上にだけ残
る。メサストライプ状のＭＱＷ層３の一側にある金属膜
１３を第一の電極６、他側にある金属膜１３を第二の電
極７とする。これらの電極６、７に繋がる配線は、導波
領域の両側にある第二のクラッド層４の上で引かれる。

【００３６】なお、レジストパターン１２を断面Ｔ字状
にしたのは、第二のクラッド層４の上に電極６、７が存
在すると、ＭＱＷ層３に対して斜め方向の電界成分が発
生するからである。これにより、図１に示すような励起
子消去型の半導体光変調装置１０が完成する。

【００３７】以上のような層構成、材料構成を採用する
ことにより、エキシトン吸収ピーク波長λepは１．５２
６μｍとなる。また、屈折率がピークとなる波長λopは
１．５４μｍとなり、エキシトンを消去するとその波長
λopにおる屈折率変化は最大となる。従って、既に述べ
たように、エキシトン吸収ピーク波長λepの光を吸収に
より変調し、或いは長λopの光を屈折率の変化により変
調することが可能になる。

【００３８】また、以上のＭＱＷ層３でのエキシトン消
去に必要な電界は６kV／cm程度となるが、上記したよう
なメサ構造、層構成、材料構成を採用することによって
２．３Ｖ程度の電圧を印加すれば６kV／cmを越える大き
さの横方向の電界がＭＱＷ層３にかかる。したがって、
極めて小さな電圧で半導体光変調装置１０を動作できる
ことになる。

【００３９】この半導体光変調装置１０は、各種の発光
素子と同じようにＭＱＷ層をクラッド層で挟む構造とな
っているので、半導体光変調装置１０と発光素子を同一
基板に形成することにより光軸合わせを不要にすること
ができる。例えば、基板面に平行な方向に電流が注入さ
れる量子井戸層を発光領域とする図５に示すような半導
体レーザ２０と構造的に整合がとれることになる。その
半導体レーザ２０は、上記した半導体光変調装置１０と
同じ層構造を有し、半絶縁性半導体基板１の上には第一
のクラッド層２、ＭＱＷ層２３、第二のクラッド層２４
がメサ状に形成されている。

【００４０】この半導体レーザ２０のクラッド層２、２
４とＭＱＷ層２３の一側にはｐ型不純物拡散領域２５
が、他側にはｎ型不純物拡散領域２６が形成され、これ
らの領域２５，２６には上記した半導体光変調装置１０
と同じ構造の電極２７、２８が接続されている。これら
の点で、半導体光変調装置１０と構造的に相違する。そ
の半導体レーザ２０を動作させる場合には、ｐ型不純物
拡散領域２５とｎ型不純物拡散領域２６には正バイアス
の電圧を印加して横方向に電流を流す。

【００４１】半導体レーザ２０の膜成長、メサ形成、電
極形成は、上記した半導体光変調装置１０のそれらの工
程と並行してなされる。また、半導体光変調装置１０の
メサストライプ状の半導体パターンを覆う絶縁膜５は、
フォトリソグラフィー法により半導体レーザ領域から除
去される。さらに、半導体レーザ２０のｐ型不純物拡散
領域２５とｎ型不純物拡散領域２６を形成するための不
純物拡散工程では、図示しないフォトレジストにより半
導体光変調装置１０を覆ってその中に不純物を導入しな
いようにする。

【００４２】なお、上記したＭＱＷ層３の組成や層厚或
いはクラッド層２、４の組成は、上記した実施例に限定
されるものではなく、使用する波長帯によって変えれば
よいので、本実施例に限定されるもではない。例えば、
２つのクラッド層をアンドープAlGaAsにより形成し、Ｍ
ＱＷ層を構成する量子井戸層をアンドープGaAs、障壁層
をアンドープAlGaAsにより構成してもよい。

【００４３】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、多重
量子井戸層とこれを上下から挟むクラッド層をメサスト
ライプ状に形成し、その両側に絶縁膜を介して一対の電
極を形成したので、導波路となる多重量子井戸層の横方
向の屈折率差が大きくなり、容易に横モード制御するこ
とができる。

【００４４】また、多重量子井戸層には不純物拡散領域
が存在していないので、ビルトイン電界は殆ど生じてお
らず、変調可変領域の狭窄化を防止でき、屈折率変調や
光吸収変調の広い分散を防止して有効な光変調を行うこ
とができる。さらに、量子井戸層に沿った方向から電圧
をかける方式を採用しているので、動作電圧を増加する
ことなく多重量子井戸層の周期数を増やすことにより、
光閉じ込めを良くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の実施例の励起子消去型半導体
光変調装置の断面図である。

【図２】図２は、本発明の実施例の励起子消去型半導体
光変調装置の電圧印加時と無印加時の波長と光吸収係数
の関係を示す特性図である。

【図３】図３(a) は、本発明の実施例の励起子消去型半
導体光変調装置の電圧印加時と無印加時の波長と屈折率
の関係を示す特性図、図３(b) は、屈折率変調を示す光
強度の波形図である。

【図４】図４は、本発明の実施例の励起子消去型半導体
光変調装置の製造工程を示す断面図（その１）である。

【図５】図５は、本発明の実施例の励起子消去型半導体
光変調装置の製造工程を示す断面図（その２）である。

【図６】図６は、本発明の実施例の励起子消去型半導体
光変調装置と半導体レーザを集積化した状態を示す斜視
図である。

【図７】図７は、先行技術に係る励起子消去型半導体光
変調装置を示す断面図である。

【図８】図８は、先行技術にかかる励起子消去型半導体
光変調装置の導波路に生じるビルトイン電界の分布を示
す図である。

【符号の説明】

１半絶縁性半導体基板２第一のクラッド層３多重量子井戸層４第二のクラッド層５絶縁膜６、７電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板（１）上でストライプ状に形成された
第一のクラッド層（２）と、前記第一のクラッド層（２）の上に形成されたストライ
プ状の多重量子井戸層（３）と、前記多重量子井戸層（３）の上に形成されたストライプ
状の第二のクラッド層（４）と、前記第一のクラッド層（２）、前記多重量子井戸層
（３）及び前記第二のクラッド層（４）の両側面に絶縁
膜（５）を介しかつ互いに分離された第一及び第二の電
極（６，７）とを有することを特徴とする励起子消去型
半導体光変調装置。
【請求項２】前記第一及び第二の電極（６，７）は互い
に平行に形成されていることを特徴とする請求項１記載
の励起子消去型半導体光変調装置。
【請求項３】前記第一及び第二のクラッド層（２，４）
はアンドープInP からなり、前記多重量子井戸層（３）
は交互に繰り返し積層されたアンドープInGaAsP 量子井
戸層とアンドープInP 障壁層から構成されていることを
特徴とする請求項１記載の励起子消去型半導体光変調装
置。
【請求項４】基板（１）の上に形成された第一のクラッ
ド層（２）と、前記第一のクラッド層（２）の上に量子井戸層と障壁層
を交互に繰り返し成長して多重量子井戸層（３）を形成
する工程と、前記多重量子井戸層（３）の上に第二のクラッド層
（４）を形成する工程と、前記第二のクラッド層（４）の上にストライプ状のマス
ク（１１）を形成し、該マスク（１１）に覆われない領
域の前記第二のクラッド層（４）から前記第二のクラッ
ド層（４）までをエッチングすることにより、前記第二
のクラッド層（４）と多重量子井戸層（３）と第一のク
ラッド層（２）をメサストライプ形状にパターニングす
る工程と、前記マスク（１１）を除去した後に、パターニングされ
た前記第二のクラッド層（４）、多重量子井戸層
（３）、第一のクラッド層（２）の少なくとも側面に絶
縁膜（５）を形成する工程と、メサストライプ状の前記第二のクラッド層（４）、多重
量子井戸層（３）、第一のクラッド層（２）の両側面に
前記絶縁膜（５）を介して２つの電極（６，７）を形成
する工程とを有することを特徴とする励起子消去型半導
体光変調装置の製造方法。