JPH07210865A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH07210865A JPH07210865A JP6005031A JP503194A JPH07210865A JP H07210865 A JPH07210865 A JP H07210865A JP 6005031 A JP6005031 A JP 6005031A JP 503194 A JP503194 A JP 503194A JP H07210865 A JPH07210865 A JP H07210865A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 炭素膜のダイアモンド性の低下を防止した磁
気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 非磁性のアルミニウム合金等からなる基板１
の上にＮｉ−Ｐからなる中間層２を形成し、中間層２の
上にＣｒ等からなる下地膜３を形成し、下地膜３の上に
Ｃｏ系磁性材料からなる金属磁性層４を形成し、金属磁
性層４の上にＭｏ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｉ等からなるバ
ッファー層５を形成し、バッファー層５の上にスパッタ
リング等により炭素をターゲットとしてアルゴン，水
素，酸素の混合ガスを用いて、その混合ガスの割合を体
積比でそれぞれ水素を２０％、酸素を５％、残りをアル
ゴンからなる比率で炭素膜６を形成し、炭素膜６の上に
バーフルオロポリエーテル等からなる潤滑層７を形成す
る。
気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 非磁性のアルミニウム合金等からなる基板１
の上にＮｉ−Ｐからなる中間層２を形成し、中間層２の
上にＣｒ等からなる下地膜３を形成し、下地膜３の上に
Ｃｏ系磁性材料からなる金属磁性層４を形成し、金属磁
性層４の上にＭｏ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｉ等からなるバ
ッファー層５を形成し、バッファー層５の上にスパッタ
リング等により炭素をターゲットとしてアルゴン，水
素，酸素の混合ガスを用いて、その混合ガスの割合を体
積比でそれぞれ水素を２０％、酸素を５％、残りをアル
ゴンからなる比率で炭素膜６を形成し、炭素膜６の上に
バーフルオロポリエーテル等からなる潤滑層７を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報産業分野等で利用
される磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
される磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の磁気記録媒体の製造方法に
ついて説明する。厚みが０．６〜１．２５mmで円盤状に
形成された非磁性のアルミニウム合金等からなる基板の
上にメッキ等によりＮｉ−Ｐからなる中間層を形成す
る。さらに、中間層の上にスパッタリング等によりＣｒ
等からなる下地膜を形成する。さらに、下地膜の上にス
パッタリング等によりＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＮｉ，Ｃ
ｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＢ等のＣ
ｏ系磁性材料からなる金属磁性層を形成する。
ついて説明する。厚みが０．６〜１．２５mmで円盤状に
形成された非磁性のアルミニウム合金等からなる基板の
上にメッキ等によりＮｉ−Ｐからなる中間層を形成す
る。さらに、中間層の上にスパッタリング等によりＣｒ
等からなる下地膜を形成する。さらに、下地膜の上にス
パッタリング等によりＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＮｉ，Ｃ
ｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＢ等のＣ
ｏ系磁性材料からなる金属磁性層を形成する。
【０００３】さらに、金属磁性層の上にスパッタリング
等により、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｉ等からなるバッ
ファー層を形成する。さらに、バッファー層の上にスパ
ッタリング等により炭素をターゲットとしてアルゴンと
水素とからなる混合ガスを用いて、その混合ガスの割合
を体積比でそれぞれ水素が２０％、残りがアルゴンとな
るようにして、スパッタガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、成膜
電力を５００Ｗ、成膜時間を９０ｓｅｃで炭素膜を形成
する。さらに、炭素膜の上に塗布等によりバーフルオロ
ポリエーテル等からなる潤滑層を形成する。
等により、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｉ等からなるバッ
ファー層を形成する。さらに、バッファー層の上にスパ
ッタリング等により炭素をターゲットとしてアルゴンと
水素とからなる混合ガスを用いて、その混合ガスの割合
を体積比でそれぞれ水素が２０％、残りがアルゴンとな
るようにして、スパッタガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、成膜
電力を５００Ｗ、成膜時間を９０ｓｅｃで炭素膜を形成
する。さらに、炭素膜の上に塗布等によりバーフルオロ
ポリエーテル等からなる潤滑層を形成する。
【０００４】このように形成された磁気記録媒体を用い
た外部記録装置では、停止した状態で磁気記録媒体に磁
気ヘッドが接触しており、磁気記録媒体の回転の開始時
と停止時に、磁気記録媒体に磁気ヘッドが摺動を行うコ
ンタクト・スタート・ストップ（以下、ＣＳＳと呼ぶ）
動作が用いられている。
た外部記録装置では、停止した状態で磁気記録媒体に磁
気ヘッドが接触しており、磁気記録媒体の回転の開始時
と停止時に、磁気記録媒体に磁気ヘッドが摺動を行うコ
ンタクト・スタート・ストップ（以下、ＣＳＳと呼ぶ）
動作が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の磁気記録
媒体の製造方法では、初期に形成した磁気記録媒体の炭
素膜は摩擦係数も低く潤滑性が良好である。しかしなが
ら、長時間に亘り連続的に炭素膜の形成を続けると形成
された炭素膜のｓｐ３性、即ち、ダイアモンド性が低下
する。炭素膜のダイアモンド性の低下については、炭素
のターゲットを長時間に亘りアルゴンと水素の混合ガス
でスパッタリングすることにより、炭素のターゲットの
表面でのＣＨラジカルの生成速度が減少し、それに伴い
形成した炭素膜のダイアモンド性を低下させる。このよ
うにダイアモンド性の低下した炭素膜が形成された磁気
記録媒体では、磁気ヘッドによるＣＳＳ動作を繰り返す
と、磁気記録媒体の炭素膜の耐磨耗性が劣化していき炭
素膜が破壊されるという問題点がある。
媒体の製造方法では、初期に形成した磁気記録媒体の炭
素膜は摩擦係数も低く潤滑性が良好である。しかしなが
ら、長時間に亘り連続的に炭素膜の形成を続けると形成
された炭素膜のｓｐ３性、即ち、ダイアモンド性が低下
する。炭素膜のダイアモンド性の低下については、炭素
のターゲットを長時間に亘りアルゴンと水素の混合ガス
でスパッタリングすることにより、炭素のターゲットの
表面でのＣＨラジカルの生成速度が減少し、それに伴い
形成した炭素膜のダイアモンド性を低下させる。このよ
うにダイアモンド性の低下した炭素膜が形成された磁気
記録媒体では、磁気ヘッドによるＣＳＳ動作を繰り返す
と、磁気記録媒体の炭素膜の耐磨耗性が劣化していき炭
素膜が破壊されるという問題点がある。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、炭素膜のダイアモンド性の低下を防止した磁気記録
媒体の製造方法を提供することを目的とする。
で、炭素膜のダイアモンド性の低下を防止した磁気記録
媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板の上に形成
された金属磁性層の上にバッファー層を形成し、前記バ
ッファー層の上にアルゴンと水素と酸素とからなる混合
ガスの中でスパッタリングにより炭素膜を形成する。
又、基板の上に形成された金属磁性層の上にバッファー
層を形成し、前記バッファー層の上にアルゴンと水素か
らなる混合ガスにアルゴンと酸素からなるガスを間欠的
に注入し、アルゴンと水素からなる前記混合ガスの中で
スパッタリングにより炭素膜を形成する。
に本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板の上に形成
された金属磁性層の上にバッファー層を形成し、前記バ
ッファー層の上にアルゴンと水素と酸素とからなる混合
ガスの中でスパッタリングにより炭素膜を形成する。
又、基板の上に形成された金属磁性層の上にバッファー
層を形成し、前記バッファー層の上にアルゴンと水素か
らなる混合ガスにアルゴンと酸素からなるガスを間欠的
に注入し、アルゴンと水素からなる前記混合ガスの中で
スパッタリングにより炭素膜を形成する。
【０００８】
【作用】この製造方法によって、炭素のターゲットの表
面の安定化現象を防止し、ＣＨラジカルの生成速度の減
少を防止して、炭素膜のダイアモンド性を安定させるこ
とができる。
面の安定化現象を防止し、ＣＨラジカルの生成速度の減
少を防止して、炭素膜のダイアモンド性を安定させるこ
とができる。
【０００９】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例の磁気記録媒
体の製造方法について図を参照しながら説明する。図１
は本発明の第１の実施例における磁気記録媒体の断面図
である。図１において、１は０．６〜１．２５mmの厚み
で円盤状に形成された非磁性のアルミニウム合金等から
なる基板である。この基板１の上にメッキ等によりＮｉ
−Ｐからなる中間層２を２０μｍの厚みに形成する。さ
らに、中間層２の上にスパッタリング等によりＣｒ等か
らなる下地膜３を１００ｎｍ程度の厚みに形成する。さ
らに、下地膜３の上にスパッタリング等によりＣｏＣｒ
Ｔａ，ＣｏＣｒＮｉ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＴ
ａ，ＣｏＣｒＰｔＢ等のＣｏ系磁性材料からなる金属磁
性層４を４０〜６０ｎｍの厚みに形成する。
体の製造方法について図を参照しながら説明する。図１
は本発明の第１の実施例における磁気記録媒体の断面図
である。図１において、１は０．６〜１．２５mmの厚み
で円盤状に形成された非磁性のアルミニウム合金等から
なる基板である。この基板１の上にメッキ等によりＮｉ
−Ｐからなる中間層２を２０μｍの厚みに形成する。さ
らに、中間層２の上にスパッタリング等によりＣｒ等か
らなる下地膜３を１００ｎｍ程度の厚みに形成する。さ
らに、下地膜３の上にスパッタリング等によりＣｏＣｒ
Ｔａ，ＣｏＣｒＮｉ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＴ
ａ，ＣｏＣｒＰｔＢ等のＣｏ系磁性材料からなる金属磁
性層４を４０〜６０ｎｍの厚みに形成する。
【００１０】さらに、金属磁性層４の上にスパッタリン
グ等により、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｉ等からなるバ
ッファー層５を５〜１０ｎｍの厚みに形成する。さらに
バッファー層５の上にスパッタリング等により炭素をタ
ーゲットとしてアルゴン，水素，酸素の混合ガスを用い
て、その混合ガスの割合を体積比でそれぞれ水素が２０
％、酸素が５％、残りがアルゴンとなるようにして、ス
パッタガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、成膜電力を５００Ｗ、
成膜時間を９０ｓｅｃで炭素膜６を２０〜２５ｎｍの厚
みに形成する。さらに、炭素膜６の上に塗布等によりバ
ーフルオロポリエーテル等からなる潤滑層７を３〜６ｎ
ｍの厚みに形成する。
グ等により、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｉ等からなるバ
ッファー層５を５〜１０ｎｍの厚みに形成する。さらに
バッファー層５の上にスパッタリング等により炭素をタ
ーゲットとしてアルゴン，水素，酸素の混合ガスを用い
て、その混合ガスの割合を体積比でそれぞれ水素が２０
％、酸素が５％、残りがアルゴンとなるようにして、ス
パッタガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、成膜電力を５００Ｗ、
成膜時間を９０ｓｅｃで炭素膜６を２０〜２５ｎｍの厚
みに形成する。さらに、炭素膜６の上に塗布等によりバ
ーフルオロポリエーテル等からなる潤滑層７を３〜６ｎ
ｍの厚みに形成する。
【００１１】このように形成した磁気記録媒体の試験に
ついて説明する。尚、試験については潤滑層７を形成し
ないで炭素膜６の状態で行う。まず、炭素膜６の膜質を
ラマン分光分析による分析について図２を用いて説明す
る。図２は本発明の第１の実施例における炭素膜６の赤
外線分析の測定を示す図である。図２において、横軸は
ラマンシフトの波数、縦軸はピーク強度である。８は炭
素膜６をラマン分光により測定した測定曲線、９は測定
曲線８の第１のピークである波数１５５０cm-1付近の２
成分のガウス関数で近似した近似曲線、１０は測定曲線
８の第２のピークである波数１３５０cm-1付近の２成分
のガウス関数で近似した近似曲線である。
ついて説明する。尚、試験については潤滑層７を形成し
ないで炭素膜６の状態で行う。まず、炭素膜６の膜質を
ラマン分光分析による分析について図２を用いて説明す
る。図２は本発明の第１の実施例における炭素膜６の赤
外線分析の測定を示す図である。図２において、横軸は
ラマンシフトの波数、縦軸はピーク強度である。８は炭
素膜６をラマン分光により測定した測定曲線、９は測定
曲線８の第１のピークである波数１５５０cm-1付近の２
成分のガウス関数で近似した近似曲線、１０は測定曲線
８の第２のピークである波数１３５０cm-1付近の２成分
のガウス関数で近似した近似曲線である。
【００１２】近似曲線１０と横軸で囲まれた面積（面積
強度）を近似曲線９と横軸で囲まれた面積（面積強度）
で割った数値が炭素膜６の相対強度の値となる。この相
対強度の値は炭素膜６のｓｐ３性、即ち、ダイアモンド
性を示し、この数値が小さいほどダイアモンド性が高
く、逆にこの数値が大きいとグラファイト性が増加した
ことを示す。
強度）を近似曲線９と横軸で囲まれた面積（面積強度）
で割った数値が炭素膜６の相対強度の値となる。この相
対強度の値は炭素膜６のｓｐ３性、即ち、ダイアモンド
性を示し、この数値が小さいほどダイアモンド性が高
く、逆にこの数値が大きいとグラファイト性が増加した
ことを示す。
【００１３】（表１）はバッファー層５の上に炭素膜６
をスパッタリングにより形成した際、アルゴン，水素，
酸素の混合ガスで炭素のターゲットを連続的にプラズマ
放電させそれぞれのプラズマ放電時間後の炭素膜６と、
従来例のアルゴン，水素の混合ガスで炭素のターゲット
を連続的にプラズマ放電させそれぞれのプラズマ放電時
間後の炭素膜とを形成し、ラマン分光分析により得たそ
れぞれの炭素膜６の相対強度の値を示す。
をスパッタリングにより形成した際、アルゴン，水素，
酸素の混合ガスで炭素のターゲットを連続的にプラズマ
放電させそれぞれのプラズマ放電時間後の炭素膜６と、
従来例のアルゴン，水素の混合ガスで炭素のターゲット
を連続的にプラズマ放電させそれぞれのプラズマ放電時
間後の炭素膜とを形成し、ラマン分光分析により得たそ
れぞれの炭素膜６の相対強度の値を示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】図３は本発明の第１の実施例と従来例のプ
ラズマ放電時間と炭素膜の膜質変化を示す図である。図
３において、横軸はプラズマ放電時間、縦軸は炭素膜６
の相対強度を示し、丸印は第１の実施例のプラズマ放電
時間を炭素膜の膜質変化、黒丸印は従来例のプラズマ放
電時間と炭素膜の膜質変化である。この結果、第１の実
施例であるアルゴン，水素，酸素の混合ガスで炭素のタ
ーゲットを連続的にプラズマ放電させても炭素膜６の相
対強度の値は変化しないが、従来例のアルゴン，水素の
混合ガスで炭素のターゲットを連続的にプラズマ放電さ
せると、時間の経過と共に相対強度の値が増大する方向
にあり、これはダイアモンド性が低下していきグラファ
イト性が増加していくことを示すものである。
ラズマ放電時間と炭素膜の膜質変化を示す図である。図
３において、横軸はプラズマ放電時間、縦軸は炭素膜６
の相対強度を示し、丸印は第１の実施例のプラズマ放電
時間を炭素膜の膜質変化、黒丸印は従来例のプラズマ放
電時間と炭素膜の膜質変化である。この結果、第１の実
施例であるアルゴン，水素，酸素の混合ガスで炭素のタ
ーゲットを連続的にプラズマ放電させても炭素膜６の相
対強度の値は変化しないが、従来例のアルゴン，水素の
混合ガスで炭素のターゲットを連続的にプラズマ放電さ
せると、時間の経過と共に相対強度の値が増大する方向
にあり、これはダイアモンド性が低下していきグラファ
イト性が増加していくことを示すものである。
【００１６】次に、磁気記録媒体の摩擦係数の測定につ
いて説明する。摩擦係数の測定には、ＣＳＳ動作を試験
する装置を用いる。測定に用いた薄膜磁気ヘッドは浮上
面に２本のレールが設けられ、それぞれのレールの大き
さは幅３５０μｍ、長さ２．５mmである。この薄膜磁気
ヘッドのヘッド支持機構に動摩擦係数計が取り付けら
れ、薄膜磁気ヘッドに９．５ｇの荷重を加えた状態で薄
膜磁気ヘッドの浮上面を磁気記録媒体に接触させ、磁気
記録媒体を１．０mm／ｓの速度で走行させて初期状態の
摩擦係数の測定を行う。
いて説明する。摩擦係数の測定には、ＣＳＳ動作を試験
する装置を用いる。測定に用いた薄膜磁気ヘッドは浮上
面に２本のレールが設けられ、それぞれのレールの大き
さは幅３５０μｍ、長さ２．５mmである。この薄膜磁気
ヘッドのヘッド支持機構に動摩擦係数計が取り付けら
れ、薄膜磁気ヘッドに９．５ｇの荷重を加えた状態で薄
膜磁気ヘッドの浮上面を磁気記録媒体に接触させ、磁気
記録媒体を１．０mm／ｓの速度で走行させて初期状態の
摩擦係数の測定を行う。
【００１７】その後に、ＣＳＳ動作を試験する。ＣＳＳ
動作の試験には、薄膜磁気ヘッドに９．５ｇの荷重を加
えた状態で浮上面を磁気記録媒体に接触させる。この状
態で磁気記録媒体を回転させ摺動しながら５秒間で薄膜
磁気ヘッドが浮上する。浮上した状態（周速９ｍ／ｓ）
で薄膜磁気ヘッドを５秒間保持した後に、１０秒間で磁
気記録媒体の回転が減少し浮上した薄膜磁気ヘッドの浮
上量が低下し薄膜磁気ヘッドが接触し摺動しながら停止
する。このようなＣＳＳ動作のサイクルを１回として、
磁気記録媒体の同じ周軌道でＣＳＳ動作を５０００回行
った後に、摩擦係数を測定する。
動作の試験には、薄膜磁気ヘッドに９．５ｇの荷重を加
えた状態で浮上面を磁気記録媒体に接触させる。この状
態で磁気記録媒体を回転させ摺動しながら５秒間で薄膜
磁気ヘッドが浮上する。浮上した状態（周速９ｍ／ｓ）
で薄膜磁気ヘッドを５秒間保持した後に、１０秒間で磁
気記録媒体の回転が減少し浮上した薄膜磁気ヘッドの浮
上量が低下し薄膜磁気ヘッドが接触し摺動しながら停止
する。このようなＣＳＳ動作のサイクルを１回として、
磁気記録媒体の同じ周軌道でＣＳＳ動作を５０００回行
った後に、摩擦係数を測定する。
【００１８】以上のように試験した第１の実施例の磁気
記録媒体の試験結果と従来例の磁気記録媒体の試験結果
を（表１）に比較して示している。
記録媒体の試験結果と従来例の磁気記録媒体の試験結果
を（表１）に比較して示している。
【００１９】以下（表１）の結果について説明する。
（表１）でも明らかなように、第１の実施例によれば、
ＣＳＳ動作により摩擦係数が増加するものの破壊には至
らず良好である。しかしながら、従来例ではアルゴン、
水素の混合ガスで炭素のターゲットを連続的にプラズマ
放電させ、このプラズマ放電の連続時間が８時間以上経
過した後にバッファー層５の上に炭素膜６を形成した磁
気記録媒体ではＣＳＳ動作を繰り返すと炭素膜６が劣化
して破壊することを示している。
（表１）でも明らかなように、第１の実施例によれば、
ＣＳＳ動作により摩擦係数が増加するものの破壊には至
らず良好である。しかしながら、従来例ではアルゴン、
水素の混合ガスで炭素のターゲットを連続的にプラズマ
放電させ、このプラズマ放電の連続時間が８時間以上経
過した後にバッファー層５の上に炭素膜６を形成した磁
気記録媒体ではＣＳＳ動作を繰り返すと炭素膜６が劣化
して破壊することを示している。
【００２０】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について説明する。本発明の第２の実施例はバッファー
層５の上に炭素膜６を形成する際に、従来例のアルゴン
と水素の混合ガスで炭素のターゲットを連続的にプラズ
マ放電させる中で、一時的に混合ガスの雰囲気を変えた
ものである。尚、前述した従来例のバッファー層５に示
した形成までは同じであるので説明は省略する。
について説明する。本発明の第２の実施例はバッファー
層５の上に炭素膜６を形成する際に、従来例のアルゴン
と水素の混合ガスで炭素のターゲットを連続的にプラズ
マ放電させる中で、一時的に混合ガスの雰囲気を変えた
ものである。尚、前述した従来例のバッファー層５に示
した形成までは同じであるので説明は省略する。
【００２１】アルゴン，水素の混合ガスで炭素のターゲ
ットを８時間連続的にプラズマ放電させた後に、プラズ
マ放電を停止し、一時的に混合ガスをアルゴンと酸素に
切り替え、そのアルゴンと酸素を体積比でアルゴンを８
０％、酸素を２０％の割合でガスの圧力を３ｍＴｏｒｒ
にして５分間流入して炭素のターゲットの表面にアルゴ
ンと酸素の混合ガスをあてる。その後、元のアルゴンと
水素の混合ガスを用いて、即ち、混合ガスの割合を体積
比でそれぞれ水素が２０％、残りがアルゴンとなるよう
にして、スパッタガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、成膜電力を
５００Ｗ、成膜時間を９０ｓｅｃでバッファー層５の上
に炭素膜６を形成した。
ットを８時間連続的にプラズマ放電させた後に、プラズ
マ放電を停止し、一時的に混合ガスをアルゴンと酸素に
切り替え、そのアルゴンと酸素を体積比でアルゴンを８
０％、酸素を２０％の割合でガスの圧力を３ｍＴｏｒｒ
にして５分間流入して炭素のターゲットの表面にアルゴ
ンと酸素の混合ガスをあてる。その後、元のアルゴンと
水素の混合ガスを用いて、即ち、混合ガスの割合を体積
比でそれぞれ水素が２０％、残りがアルゴンとなるよう
にして、スパッタガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、成膜電力を
５００Ｗ、成膜時間を９０ｓｅｃでバッファー層５の上
に炭素膜６を形成した。
【００２２】次に、アルゴン，水素の混合ガスで炭素の
ターゲットを８時間連続的にプラズマ放電させた後に、
プラズマ放電を停止し、一時的に混合ガスの水素を止め
てアルゴンだけに切り替え、そのアルゴンガスの圧力を
３ｍＴｏｒｒにして５分間流入して炭素のターゲットの
表面にアルゴンガスをあてる。その後、元のアルゴンと
水素の混合ガスを用いて、即ち、アルゴンと水素の割合
を体積比でそれぞれ水素が２０％、残りがアルゴンとな
るようにして、スパッタガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、成膜
電力を５００Ｗ、成膜時間を９０ｓｅｃでバッファー層
５の上に炭素膜６を形成した。
ターゲットを８時間連続的にプラズマ放電させた後に、
プラズマ放電を停止し、一時的に混合ガスの水素を止め
てアルゴンだけに切り替え、そのアルゴンガスの圧力を
３ｍＴｏｒｒにして５分間流入して炭素のターゲットの
表面にアルゴンガスをあてる。その後、元のアルゴンと
水素の混合ガスを用いて、即ち、アルゴンと水素の割合
を体積比でそれぞれ水素が２０％、残りがアルゴンとな
るようにして、スパッタガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、成膜
電力を５００Ｗ、成膜時間を９０ｓｅｃでバッファー層
５の上に炭素膜６を形成した。
【００２３】このように形成したそれぞれの磁気記録媒
体を（実施例１）と同じ試験方法で評価した。その結
果、前者のプラズマ放電を停止し、一時的に混合ガスを
アルゴンと酸素に切り替え、その後に炭素膜６を形成し
た磁気記録媒体については、ラマン分光分析による相対
強度は小さくその値は２．３５であり、さらに、摩擦係
数は初期の値が０．１９、ＣＳＳ動作後の値が１．０１
である。又、後者のプラズマ放電を停止し、一時的に混
合ガスをアルゴンに切り替え、その後に炭素膜６を形成
した磁気記録媒体については、ラマン分光分析による相
対強度の値は３．４４であり、さらに、摩擦係数は初期
の値が０．１９であるが、ＣＳＳ動作後では炭素膜６が
劣化して破壊する。
体を（実施例１）と同じ試験方法で評価した。その結
果、前者のプラズマ放電を停止し、一時的に混合ガスを
アルゴンと酸素に切り替え、その後に炭素膜６を形成し
た磁気記録媒体については、ラマン分光分析による相対
強度は小さくその値は２．３５であり、さらに、摩擦係
数は初期の値が０．１９、ＣＳＳ動作後の値が１．０１
である。又、後者のプラズマ放電を停止し、一時的に混
合ガスをアルゴンに切り替え、その後に炭素膜６を形成
した磁気記録媒体については、ラマン分光分析による相
対強度の値は３．４４であり、さらに、摩擦係数は初期
の値が０．１９であるが、ＣＳＳ動作後では炭素膜６が
劣化して破壊する。
【００２４】このように炭素膜６の形成において、アル
ゴンと水素の混合ガスを用いて炭素のターゲットを連続
的にプラズマ放電させる際には、プラズマ放電を連続的
に行う途中で一時的にプラズマ放電を停止して混合ガス
をアルゴンと酸素に切り替えると、炭素のターゲットの
表面に酸素があたり、その後に炭素膜６を形成すると、
形成した炭素膜６のグラファイト性が減少し、ダイアモ
ンド性の高い炭素膜６を安定して形成することができ
る。
ゴンと水素の混合ガスを用いて炭素のターゲットを連続
的にプラズマ放電させる際には、プラズマ放電を連続的
に行う途中で一時的にプラズマ放電を停止して混合ガス
をアルゴンと酸素に切り替えると、炭素のターゲットの
表面に酸素があたり、その後に炭素膜６を形成すると、
形成した炭素膜６のグラファイト性が減少し、ダイアモ
ンド性の高い炭素膜６を安定して形成することができ
る。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明は、炭素膜を形成す
る際にアルゴンと水素と酸素の混合ガス、又は、アルゴ
ンと水素の混合ガスの際には、間欠的にアルゴンと酸素
の混合ガスを注入することによって、形成した炭素膜の
グラファイト性が減少しダイアモンド性を高くした炭素
膜を連続的に形成する磁気記録媒体の製造方法を実現す
るものである。
る際にアルゴンと水素と酸素の混合ガス、又は、アルゴ
ンと水素の混合ガスの際には、間欠的にアルゴンと酸素
の混合ガスを注入することによって、形成した炭素膜の
グラファイト性が減少しダイアモンド性を高くした炭素
膜を連続的に形成する磁気記録媒体の製造方法を実現す
るものである。
【図１】本発明の第１の実施例における磁気記録媒体の
断面図
断面図
【図２】本発明の第１の実施例における炭素膜の赤外線
分析の測定を示す図
分析の測定を示す図
【図３】本発明の第１の実施例と従来例のプラズマ放電
時間と炭素膜の膜質変化を示す図
時間と炭素膜の膜質変化を示す図
１ 基板 ２ 中間層 ３ 下地膜 ４ 金属磁性層 ５ バッファー層 ６ 炭素膜 ７ 潤滑層 ８ 測定曲線 ９，１０ 近似曲線
Claims (2)
- 【請求項１】基板の上に形成された金属磁性層の上にバ
ッファー層を形成し、前記バッファー層の上にアルゴン
と水素と酸素とからなる混合ガスの中でスパッタリング
により炭素膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項２】基板の上に形成された金属磁性層の上にバ
ッファー層を形成し、前記バッファー層の上にアルゴン
と水素からなる混合ガスにアルゴンと酸素からなるガス
を間欠的に注入し、アルゴンと水素からなる前記混合ガ
スの中でスパッタリングにより炭素膜を形成することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6005031A JPH07210865A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6005031A JPH07210865A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07210865A true JPH07210865A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11600114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6005031A Pending JPH07210865A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07210865A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000331336A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-30 | Komag Inc | 高いｓｐ３含有率をもつ磁気ディスク上に、炭素保護フィルムをスパッタリングする方法 |
| JP2001155325A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置、磁気ディスクおよびその製造方法 |
| JP2002063717A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-02-28 | Komag Inc | 高ｓｐ３内容を有する第１炭素被膜と低ｓｐ３内容を有する第２炭素被膜とを含む磁気ディスク |
-
1994
- 1994-01-21 JP JP6005031A patent/JPH07210865A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000331336A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-30 | Komag Inc | 高いｓｐ３含有率をもつ磁気ディスク上に、炭素保護フィルムをスパッタリングする方法 |
| JP2001155325A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置、磁気ディスクおよびその製造方法 |
| JP2002063717A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-02-28 | Komag Inc | 高ｓｐ３内容を有する第１炭素被膜と低ｓｐ３内容を有する第２炭素被膜とを含む磁気ディスク |
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