JPH07210875A

JPH07210875A - 光記録媒体及び光メモリー装置

Info

Publication number: JPH07210875A
Application number: JP6299285A
Authority: JP
Inventors: Motoyasu Terao; 元康寺尾; Yasushi Miyauchi; 靖宮内; Akemi Hirotsune; 朱美廣常
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-12-03
Filing date: 1994-12-02
Publication date: 1995-08-11

Abstract

(57)【要約】【目的】光照射によって記録媒体を変化させて情報を
記録する光メモリー装置およびそれに用いる光記録媒体
において、情報を高密度で記録可能とし、また、多数回
書き換え可能とすること。【構成】記録媒体の情報記録領域に情報の記録前に多
数の埋込みマークを、その径と同程度の間隔で配置し、
例えば市松模様のようにすれば、記録トラック方向の記
録密度も記録トラックに直角方向の記録密度も高くして
もクロスト−クを防止できる。記録時には、埋込みマー
クと、その間の部分の両方に記録マ−クを形成すること
もできる。埋込みマ−クの記録トラックに直角方向の長
さの方を長くすると再生信号レベルを小さくせずにトラ
ック方向に高密度化できる。【効果】埋込みマ−クがピットや微小な凹凸であれば
基板表面への転写によってディスクの量産が容易ディス
クある。ピットでない場合は、レプリカ形成時の転写性
を損なわずに埋込みマ−クのパタ−ンを任意に選ぶこと
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光、レーザー光、電子
線等の記録用エネルギービームによって、例えば映像や
音声等のアナログ信号をＦＭ変調した情報や、例えば電
子計算機のデータ、ファクシミリ信号、ディジタルオー
ディオ信号等のディジタル情報をリアルタイムで記録す
ることが可能な情報記録用薄膜を有する情報記録媒体お
よび、それを用いる光メモリー装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光メモリの記録密度限界は光の波長で決
まるため、高密度化には限界がある。これを克服するた
めに種々の試みがなされている。それらのうちの１つ
は、記録媒体の記録トラック上に埋込みマークとよばれ
る記録マーク形成可能領域を予め設け、その大きさを極
めて小さくしておくことである。しかし、公開特許公報
特開平５−１０９０８４号に記載されているように、記
録マーク形成可能領域として、たとえば円形または長円
形の凸部または凹部をもうける場合、凸部または凹部を
小さくして密度を高くしようとすると、通常の円形の光
スポットでは、埋込みマークの記録トラックに直角方向
の幅が狭くなってしまい、十分な再生信号強度が得られ
ない。また、埋込みマ−クがピットや凹部の場合、基板
表面に正確に転写するのが難しい。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、上記のような従来技術の問題点を解決し、高い記録
密度で、Ｓ／Ｎ比が大きく、しかも多数回書き換え可能
な光メモリー装置、およびそれに用いる製造が容易な光
記録媒体を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の光メモリー装置および光記録媒体の特徴は、
「（１）光照射によって記録媒体の少なくとも一部を変
化させて情報を記録する光記録媒体において、上記光記
録媒体の情報記録可能領域に、複数の、少なくとも周囲
に記録マークの拡大に対してバリアー効果を持つ小領域
を持つものにおいて、上記小領域が相互にその記録トラ
ック方向の長さと同程度の間隔を有することを特徴とす
る光記録媒体。

【０００５】（２）（１）記載の小領域の相互の間隔
が、上記小領域の記録トラック方向の長さと同程度以上
２倍以下であり、かつ、上記小領域の記録トラック方向
の長さが、記録トラックに直角方向の長さと同じかそれ
より長い光記録媒体。

【０００６】（３）光照射によって記録媒体の少なくと
も一部を変化させて情報を記録する光記録媒体におい
て、上記光記録媒体の情報記録可能領域に、複数の、少
なくとも周囲に記録マークの拡大に対してバリアー効果
を持つ小領域を持つものにおいて、上記小領域の相互の
間隔が、上記小領域の記録トラック方向の長さと同程度
以上２倍以下であり、かつ、上記小領域の記録トラック
方向の長さが記録トラックに直角方向の長さより短い光
記録媒体。

【０００７】（４）上記小領域が相互にその記録トラッ
ク方向の長さと同程度の間隔を有し、かつ、上記小領域
が、隣接する記録トラックでほぼ同じ位置に有る上記
（１）〜（３）に記載の光記録媒体。

【０００８】（５）上記小領域が、隣接する記録トラッ
クで約１／２周期ずつズレている上記（１）〜（３）に
記載の光記録媒体。

【０００９】（６）上記（１）から（４）に記載の記録
媒体において、上記小領域が記録媒体のトラックに直角
な方向には少なくとも一部がつながっている光記録媒
体。

【００１０】（７）（１）に記載の光記録媒体を用い、
上記光記録媒体に情報を記録する光メモリー装置におい
て、上記、複数の、少なくとも周囲に記録マークの拡大
に対してバリアー効果を持つ小領域からクロック信号・
同期信号のうちの少なくとも一方を読み取る手段、およ
び、上記小領域上、および／またはその間隔部分に正確
に記録マ−クを形成する手段を少なくとも有する光メモ
リー装置。

【００１１】（８）（１）に記載の光記録媒体を用い、
上記光記録媒体から情報を読み出す際、上記、少なくと
も周囲に記録マークの拡大に対してバリアー効果を持つ
複数の小領域からクロック信号・同期信号のうちの少な
くとも一方を読み取る手段、および、それを利用して再
生信号を復調する手段を少なくとも有する光メモリー装
置。（９）光照射によって記録媒体の少なくとも一部を
変化させて情報を記録する光記録媒体において、上記光
記録媒体の情報記録可能領域に、複数の、少なくとも周
囲に記録マークの拡大に対してバリアー効果を持つ小領
域を持つものにおいて、上記小領域が相互にその記録ト
ラック方向の長さの１／２以下の間隔を有する光記録媒
体。

【００１２】（１０）上記小領域の記録トラック方向の
長さが、記録トラックに直角方向の長さと同じか、それ
より長いことを特徴とする上記（９）に記載の光記録媒
体。

【００１３】（１１）上記小領域の記録トラック方向の
長さが記録トラックに直角方向の長さより短かいことを
特徴とする上記（９）に記載の光記録媒体。

【００１４】（１２）上記小領域が、２つ以上の小さな
円または長円が記録トラックに直角方向に結合した形状
を有することを特徴とする上記（１１）に記載の光記録
媒体。（１３）上記の、複数の、少なくとも周囲に記録マーク
の拡大に対してバリアー効果を持つ小領域が、凸部また
は凹部である上記（１）または（３）または（９）に記
載の光記録媒体。

【００１５】（１４）上記の少なくとも周囲に記録マー
クの拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が凸
部または凹部であり、そのうちの一部が、他の多くとは
異なる深さまたは高さまたは面積を持ち、かつ、上記複
数の小領域の周期より長い周期を持ち、さらに、それら
異なる深さまたは高さまたは面積を持ったものがクロッ
ク信号、同期信号のうちの少なくとも一方に対応する上
記（１３）に記載の光記録媒体。

【００１６】（１５）上記の少なくとも周囲に記録マー
クの拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が凹
凸以外であり、かつ、上記複数の小領域の周期より長い
周期を持った凸部または凹部を有し、上記凸部または凹
部がクロック信号、同期信号のうちの少なくとも一方に
対応する上記（１）に記載の光記録媒体。

【００１７】（１６）上記情報記録媒体への情報の記録
は、上記凸部または凹部からクロック信号・同期信号の
うちの少なくとも一方を読み取って、上記領域上、およ
び／またはその間隔部分に正確に記録マ−クを形成する
上記（１５）に記載の光記録媒体を用いる光メモリー装
置における情報記録方法。

【００１８】（１７）上記情報記録媒体からの情報の読
み出しは、上記凸部または凹部からクロック信号・同期
信号のうちの少なくとも一方を読み取って、正確に読み
出しを行う上記（１５）に記載の光記録媒体を用いる光
メモリー装置における情報読み出し方法。

【００１９】（１８）上記情報記録媒体への情報の記録
は、上記少なくとも周囲に記録マークの拡大に対してバ
リアー効果を持つ複数の小領域のうちの深さまたは高さ
または面積が異なるものからクロック信号・同期信号の
うちの少なくとも一方を読み取って上記領域上、あるい
はその間隔部分に正確に記録マ−クを形成する上記（１
４）に記載の光記録媒体を用いる光メモリー装置におけ
る情報記録方法。

【００２０】（１９）上記（１４）に記載の光記録媒体
を用い、上記情報記録媒体からの情報の読み出しは、上
記少なくとも周囲に記録マークの拡大に対してバリアー
効果を持つ複数の小領域のうちの薄さまたは高さまたは
面積が異なるものからクロック信号・同期信号のうちの
少なくとも一方を読み取って読み出しを行う光メモリー
装置における情報読み出し方法。

【００２１】（２０）上記小領域の記録トラック方向の
間隔が上記小領域の記録トラック方向の長さの１／２以
下であり、かつ、上記小領域の記録トラック方向の周期
より長い周期で高さまたは深さまたは面積が異なる凸部
または凹部を有する上記（１３）または（１４）に記載
の光記録媒体。

【００２２】（２１）上記小領域の記録トラック方向の
周期が上記小領域の記録トラック方向の長さの１．５倍
以上３倍以下であり、かつ、上記小領域の記録トラック
方向の周期より長い周期で高さまたは深さまたは面積が
異なる凸部または凹部を有する上記（１３）または（１
４）に記載の光記録媒体。

【００２３】（２２）上記小領域の記録トラック方向の
間隔が上記小領域の記録トラック方向の長さの１／２以
下である上記（１５）に記載の光記録媒体。

【００２４】（２３）上記小領域の記録トラック方向の
周期が上記小領域の記録トラック方向の長さの１．５倍
以上３倍以下である上記（１５）に記載の光記録媒体。

【００２５】（２４）上記の、少なくとも周囲に記録マ
ークの拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域
が、円形または長円形である（１）または（３）または
（９）記載の光記録媒体。

【００２６】（２５）上記の、少なくとも周囲に記録マ
ークの拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域
が、微小な凹凸を持った小領域である上記（１）または
（３）または（９）に記載の光記録媒体。

【００２７】（２６）上記の、少なくとも周囲に記録マ
ークの拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域
が、そこだけ微小な凹凸が無い小領域である上記（１）
または（３）または（９）に記載の光記録媒体。

【００２８】（２７）上記の、少なくとも周囲に記録マ
ークの拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域
が、記録膜が熱および／または光によって変化した小領
域である上記（１）または（３）または（９）に記載の
光記録媒体。

【００２９】（２８）少なくとも周囲に記録マークの拡
大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、トラッ
ク方向に並んだ複数の円形、または長円形の非晶質ある
いは不完全結晶化領域、あるいは複数の長円形の非晶質
あるいは不完全結晶化領域の一部が重なってくっついた
ものである上記（１）または（３）または（９）に記載
の光記録媒体。

【００３０】（２９）上記の、少なくとも周囲に記録マ
ークの拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域
が、記録膜より光入射側に設けた層の、光学定数が異な
る小領域である上記（１）または（３）または（９）に
記載の光記録媒体。」にある。

【００３１】

【作用】上記少なくとも周囲に記録マークの拡大に対し
てバリアー効果を持つ部分を有する記録媒体上の領域
（以下、埋め込みマ−クと呼ぶ）としては、例えば基板
表面の凸部または凹部、基板表面の、埋込マ−クの短径
の1/5〜1/100程度の周期の微細な凹凸を持った領域、あ
るいはそこだけ微細な凹凸が少ないか小さい領域、強い
レ−ザ光照射により変形した領域あるいは記録感度の変
化した領域、相変化記録膜の非晶質、あるいは結晶化度
の低い領域、などが使用可能である。凸部または凹部
は、その周囲の傾斜部で膜厚が薄くなったり膜構造が乱
れることによる熱伝導の抑制効果や記録マ−ク形成時の
マ−ク成長の抑制効果によって、バリア−効果を持つ。
微細な凹凸も、凹凸の有る部分と無い部分の境界付近に
おける同様な効果によってバリア−効果を持つ。相変化
記録膜の非晶質、あるいは結晶化度の低い領域は、その
部分とそれ以外の部分の記録レ−ザ光吸収率の違いによ
って上記のバリア−効果を持つ。上記埋め込みマ−ク
が、記録マ−クの記録トラック方向の長さと同程度の間
隔を有するようにして、埋め込みマ−クと、その間の部
分の両方に記録を行えば、微小記録マ−クを正確に形成
できる。マ−クが広がりやすいのは、そのトラック中心
付近においてであり、埋め込みマ−クの間の部分に記録
マ−クを形成する場合でも、記録マ−クが埋め込みマ−
クに接することによってマ−クの広がりが抑えられて高
密度記録が容易になる。さらに、埋込みマークを隣接ト
ラックで1/2周期ズラして円または楕円の市松模様のよ
うにすると、記録トラックに直角な方向の記録マ−クの
広がりも抑制されて高密度記録が容易になる。しかし、
一方、隣接トラックの埋込みマークの大部分が全く同様
に並んで形成されており、しかも隣接トラックの埋込み
マークの一部がくっついていても、トラックに直角方向
に完全に溝状になるわけではないから、トラッ方向に
も、トラックに直角方向にも、マ−クの広がりを防止す
る効果が有る。この方法では、埋込みマ−クを凹凸と
し、深さまたは高さを波長をλとして光学的にλ／６に
近い値にすると、トラック方向に隣接する記録マ−クが
見えにくくなるトラック方向クロスト−クキャンセル効
果が有り、マ−クピッチを小さくしても、大きく正確な
再生信号が得られる。この場合、トラック方向にはトラ
ッキング用の溝が形成されており、トラックに直角方向
に一部がくっついた埋込みマ−ク列が、交互に上記の溝
内と溝間に存在するようにすると、さらによい。また、
トラッキング用の溝は必ずしも形成せず、上記の、トラ
ックに直角方向にくっついた埋込みマ−ク列の隣り合う
２列の中間には、上記埋込みマ−ク列の埋込みマ−ク１
個おきに埋込みマ−クを形成し、トラック方向に両側の
埋込みマ−クに近接するか１部がくっついてトラッキン
グ用の溝と同様な役割も果たすようにしたものでも部分
的に同様な効果が生ずる。これらの方法では、溝や埋込
みマ−クの深さあるいは高さを光学的にλ／６に近い値
にすることによって、トラック間クロスト−ク低減効果
が得られるため、狭トラックピッチ化できる。

【００３２】一方、トラック方向に、ほとんど接するか
部分的にくっつくように高密度で埋込みマークを形成す
るのも、トラッキング用の溝と埋込みマ−クの効果の両
方が得られて好ましいが、埋込みマークの形状を、記録
トラック方向に短軸を持ち、それに直角方向に長軸をも
つ楕円形（長円形）とした場合、例えばマ−クエッジ検
出方式のような、再生信号がほぼ高または低の一方のレ
ベルにある時間が長いマ−ク列を書く場合、複数の埋込
みマ−クに対応する記録マ−クの両端の位置を細かく制
御でき、しかもマ−クの面積はトラックに直角方向の長
さ（幅）が長いために大きくできるので、大きな再生信
号が得られ、さらに高密度記録できる。

【００３３】基板表面に埋込みマークを有することによ
り、記録マ−クの大きさが制限され、光スポットよりも
小さな記録マ−クによる高密度、狭トラックピッチ記録
が実現する。同時にクロスト−ク防止効果も得られる可
能性が有る。また、記録媒体中の原子の移動が凹凸によ
って制限される結果、記録膜の流動・偏析や、その他の
再生信号品質を低下させる現象を防止できる。

【００３４】本発明は、ライトワンス型、書き換え可能
型の大部分の光ディスクに適用可能であり、たとえば、
相変化光ディスク、光磁気ディスクなどに適用できる。

【００３５】

【実施例】

（実施例１）以下に本発明を実施例によって詳細に説明
する。

【００３６】光ディスク基板の基板表面に凹凸を形成す
るための原盤カッティング時に、まず、フォトレジスト
膜を形成した後、レーザの光ビームでレジストを感光さ
せた。この時、図１ａ，ｂに示したように記録トラック
のピッチは１.２μｍ、情報記録可能部分のピットは、
記録トラック方向長さが、それに直角方向の長さの約
１.２倍とし、記録トラック方向の長さは１.２μｍ，
ピッチは２.４μｍとした。次に、フォトレジストを現
像し、フォトレジストのレーザ光を照射された部分を除
去し、ポストベークを行って原盤を得た。この原盤にニ
ッケルメッキを行ってからニッケルを原盤から剥がし、
次にフォトレジストを溶剤によつて除去し、スタンパを
得た。このスタンパを金属板で裏打ちした後、その上に
紫外線硬化樹脂を垂らし、ガラス基板を押し付けて紫外
線を照射して樹脂を硬化させ、直径５.２５インチで、
表面に、上記の情報記録可能部分のピットと、トラック
やセクタのアドレスなどを表すピットを有するディスク
状レプリカ基板を完成させた。一方、比較用ディスクと
して、情報記録可能部分にはピットを持たない原盤を作
製して同様なプロセスで形成したディスクも用いた。

【００３７】これらの基板上に、マグネトロンスパッタ
リングによって、まず下部保護層である厚さ約１２０ｎ
ｍの（ＺｎＳ)₈₀（ＳｉＯ₂)₂₀膜を形成し、その上に厚
さ約６０ｎｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記
録用薄膜を形成し、さらにマグネトロンスパッタリング
によって上部保護層である厚さ約２１０ｎｍの（Ｚｎ
Ｓ)₈₀(ＳｉＯ₂)₂₀膜を形成し、次いで金属反射層とし
て、厚さ約１００ｎｍのＡｌ₉₆Ｃｕ₄膜を形成した。次
に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射して硬化させ
た。最後に同様にして作製したもう一枚のディスクと、
紫外線硬化樹脂側を内側にして貼り合わせた。Ａｌ₉₆Ｃ
ｕ₄膜のＣｕ含有量は１〜４５原子％の範囲で良好な特
性が得られ、融解した記録用薄膜が流動するのを阻止す
る効果を期待できることが分かった。

【００３８】このようにして形成したディスクへの情報
の記録・再生は次のようにして行った。ディスクを１８
００ｒｐｍで回転させ、半導体レーザ（波長８３０ｎ
ｍ）の光を記録が行われないレベル（１ｍＷ）に保っ
て、記録ヘッド中のレンズで集光して基板を通して一方
の記録用薄膜に照射した。反射光を検出することによっ
て、記録用薄膜上に焦点が来るように自動焦点合わせを
行い、さらに情報記録可能領域のピット列上に光スポッ
トの中心が常に一致するようにトラッキングを行った。

【００３９】次に、レーザパワーを結晶化が起こる６ｍ
Ｗと、非晶質に近い状態への変化が起こる１５ｍＷとの
間で記録すべき情報信号にしたがって変化させることに
より記録を行った。記録信号として、ここでは一定周波
数の信号またはディジタルデータ信号を用いた。記録さ
れた部分の、非晶質に近い状態のところを記録点と考え
る。このような記録方法は、すでに記録されている部分
に対して行っても記録されていた情報が新たに記録した
情報に書き換えられる。もちろん、一定パワーの照射で
消去した後、パワー変調した照射で記録してもよい。

【００４０】読み出しは次のようにして行った。すなわ
ち、ディスクを１８００rpm で回転させ、記録時と同じ
ようにトラッキングと自動焦点合わせを行いながら、１
ｍＷのレーザ光で反射光の強弱を検出し、再生信号を得
た。この再生信号をスペクトラムアナライザに入れ、記
録した一定周波数の情報信号（搬送波）とノイズとの比
を求めた。

【００４１】周波数５ＭＨｚの信号をディスク上の記録
マークピッチを埋込みマークのピッチの１／２の１.２
μｍで形成した時、情報記録可能部分の基板表面にピ
ット（凹部）を形成したディスクでは、ピットを形成し
ていないディスクより４ｄＢ高い搬送波対雑音比が得ら
れた。

【００４２】上記のほか、図２に示したように、記録ト
ラックに直角方向につながった埋込みマ−クを形成して
もい。

【００４３】（実施例２）実施例１と同様なレプリカ基
板作製方法であるが、サンプルサーボ方式のサーボピッ
トを形成し、ディスク上の情報記録可能領域にはピット
を形成しないで原盤を作製し、ニッケルスタンパ作製を
経て、紫外線硬化樹脂を用いて、直径5.25インチで、表
面にトラックやセクタのアドレスなどを表す窪み（ピッ
ト）やサーボ用のピットを有するディスク状基板を完成
させた。

【００４４】この基板上に、マグネトロンスパッタリン
グによって、まず下部保護層である厚さ約１２０ｎｍの
（ＺｎＳ)₈₀(ＳｉＯ₂)₂₀膜を形成し、その上に厚さ約６
０ｎｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄
膜を形成し、さらにマグネトロンスパッタリングによっ
て上部保護層である厚さ約２１０ｎｍの(ＺｎＳ)₈₀(Ｓ
ｉＯ₂)₂₀膜を形成し、次いで金属反射層として、厚さ約
１００ｎｍのAl₉₇Ti₃膜を形成した。次に紫外線硬化樹
脂を塗布し、紫外線を照射して硬化させた。最後に同様
にして作製したもう一枚のディスクと、上記紫外線硬化
樹脂側を内側にして貼り合わせた。

【００４５】このようにして作製したディスクには、出
力１Ｗの半導体レーザからのレーザ光を１００μｍ×２
μｍの光スポットとしてディスクを線速度８ｍ／ｓで回
転させながら照射した。光スポットの１回転毎の送りピ
ッチは１０μｍとして、１ヵ所に１０回照射されるよう
にして、ディスクの記録トラックの有る領域全体を初期
結晶化させた。さらに、出力４０ｍＷの半導体レーザか
らの半値直径１μｍにしたレーザ光で各記録トラックを
線速度８ｍ／ｓで１４ｍＷで２回、７ｍＷで１０回照射
して初期結晶化させた。

【００４６】このようにして完成した光ディスクに埋込
みマークを形成するには、次のようにして行った。ディ
スクを１８００rpm で回転させ、アルゴンイオンレーザ
（波長５１４ｎｍ）の光を記録膜が変化しないレベル
（１ｍＷ）に保って光ヘッド中のレンズで集光して基板
を通して一方の記録用薄膜に照射した。反射光を検出す
ることによって、記録用薄膜上に焦点が来るように自動
焦点合わせを行い、さらに記録トラックの中心に光スポ
ットの中心が常に一致するようにトラッキングを行っ
た。

【００４７】次に、レーザパワーを結晶化が起こる６ｍ
Ｗと、非晶質に近い状態への変化が起こる１５ｍＷとの
間で入力信号にしたがって変化させることにより照射を
行った。埋込みマーク形成信号として、ここでは一定周
波数の信号を用いた。記録された部分の、非晶質に近い
状態となった埋込みマークが記録マーク形成可能位置で
ある。

【００４８】サ−ボ領域からクロック信号を得ながら、
正確に図１（ａ)〜(ｃ）に白丸で示たそれぞれの埋込み
マーク上に記録して、図中に斜線をつけた丸で示した記
録マーク２を形成してゆくことにより、高密度の記録が
行える。

【００４９】このようにして形成したディスクへの情報
の記録・再生は次のようにして行った。ディスクを１８
００rpm で回転させ、半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）
の光を記録が行われないレベル（１ｍＷ）に保って、記
録ヘッド中のレンズで集光して基板を通して一方の記録
用薄膜に照射した。反射光を検出することによって、記
録用薄膜上に焦点が来るように自動焦点合わせを行い、
さらに、サーボビットからサーボ信号、およびクロック
および同期信号を得ながら、記録トラックの中心に光ス
ポットの中心が常に一致するようにトラッキングを行っ
た。

【００５０】次に、レーザパワーを結晶化が起こる６ｍ
Ｗと、非晶質に近い状態への変化が起こる１５ｍＷとの
間で記録すべき情報信号にしたがって変化させることに
より記録を行った。記録信号として、ここでは一定周波
数の信号またはディジタルデータ信号を用いた。記録さ
れた部分の、非晶質に近い状態のところを記録マ−クと
考える。このような記録方法は、すでに記録されている
部分に対して行っても記録されていた情報が新たに記録
した情報に書き換えられる。もちろん、一定パワーの照
射で消去した後、パワー変調した照射で記録してもよ
い。

【００５１】読み出しは次のようにして行った。ディス
クを１８００rpm で回転させ、記録時と同じようにトラ
ッキングと自動焦点合わせを行いながら、１ｍＷのレー
ザ光で反射光の強弱を検出し、再生信号を得た。この再
生信号から、記録した一定周波数の情報信号とノイズと
の比を求めた。

【００５２】周波数５ＭＨｚの信号をディスク上の記録
マークピッチ１.２μｍで形成した時、情報記録可能部
分の基板表面にピット（凹部）を形成したディスクで
は、ピットを形成していないディスクより３ｄＢ高い信
号対雑音比が得られた。

【００５３】（実施例３）光ディスク基板の基板表面に
トラックやセクターのアドレスを表したり、トラッキン
グガイドをなる等の凹凸を形成するための原盤カッティ
ング時に、まず、フォトレジスト膜を形成した後、レー
ザの光ビームでレジストを感光させた。この時、記録ト
ラックのピッチは１．４μｍ．情報記録可能部分に形成
し、高密度記録のために記録マークを形成する位置や記
録マークの大きさをあらかじめ決めておくための埋込み
マークとなるピットは、同じピットの繰り返しとし、記
録トラック方向の長さが、それに直角方向の長さより少
し長い約１．２倍とし、記録トラック方向の長さは０．
６μｍ、ピッチは１．２μｍとした。

【００５４】埋込みマークは、記録マークの拡大に対し
てバリアー効果（拡大防止効果）を持つ小領域として機
能する。埋込みマークの配列は図３の１ａに示した模式
図のようにした。この埋込みマーク配列を第１ａの形式
とする。第２ａ〜第７ａ、第１ｂ〜第８ｂ，第１ｃ〜第
８ｃ、及び第８ｄの形式のものも作製した。図４〜図１
０に、それぞれ第２ａ〜第７ａ及び２ｂ〜８ｂ，２ｃ〜
８ｃ，８ｄの形式を示した。各図において記録トラック
方向は左から右の方向である。第２ａの形式は、第１ａ
の形式の隣接トラックのピッチを互いに約１／２周期ズ
ラし、市松模様のようにしたもの。第３ａの形式はトラ
ックピッチを狭くして、トラックに直角方向に隣接する
ピットの一部がくっついたもの。第４ａの形式は、上記
のくっついたピット列の間の部分に１トラックおきにピ
ットを配置したもの。第５ａの形式は、第４ａの形式の
１トラックおきに配置したピットがトラック方向に隣接
するピット列と部分的にくっついたもの。第６ａの形式
は、トラック方向のピットピッチを小さくして部分的に
くっついたもの。第７の形式は、くっついたピット列が
隣接するトラックで約１／２周期ズレたものである。図
５〜７の第３〜５の形式では、サンプルサ−ボのアドレ
スピットやサ−ボピットは記録トラックの１トラックお
きに形成し、アドレスの無いトラックは隣接トラックの
アドレスから推定するようにした方がよい。第８ｂの形
式は、第１ａの形式のピットの形状をトラック方向の長
さが、それに直角方向の長さとほぼ同じか、それより短
いものとし、トラック方向にピット同志を近付け、ピッ
トの間隔を、０ではないが、ピットの長さの１／２以下
としたものである。トラック方向の長さの方が短いもの
が、より好ましい。第１ｂの形式は、第１ａの形式のよ
うにピットと、ピット間の間隔を同程度としたままピッ
トの形状を第８ｂの形式のように、トラック方向の長さ
の方がそれに直角方向の長さより短いものとしたもの。
第１ｃの形式は、第１ａの形式と同様な配列であるが、
ピットの形状を、円形に近い２つまたはそれ以上の微小
ピットが記録トラックに直角方向にくっつき合った形状
としたものである。第２ｂ〜第７ｂ，第２ｃ〜第７ｃ
は、それぞれ第２ａ〜第７ａの形式と同様なピット配列
で、ピットの形状を第１ｂと同様の形状にしたものと第
１ｃと同様の形状にしたものである。また、第８ｄの形
式は、第８ｂの形式と同様なピット配列で、ピットの形
状を第１ａと同様な形状にしたものである。第８の各形
式（埋込みマ−ク配列）では、隣接するトラックで埋込
みマ−クを約１／２周期ズラしてももちろん良い。情報
記録可能部分以外のプリフォーマット部には、サンプル
サーボ方式対応のトラックやセクターのアドレスやクロ
ック信号、同期信号を形成するためのレーザ光照射を行
うことは、従来の光ディスクと同様とした。次に、フオ
トレジストを現像し、フオトレジストのレーザ光を照射
された部分を除去し、ポストベークを行って原盤を得
た。この原盤にニッケルメッキを行ってからニッケルを
原盤から剥がし、次にフオトレジストを溶剤によつて除
去し、スタンパーを得た。このスタンパーを金属板で裏
打ちした後、その上に紫外線硬化樹脂を垂らし、ガラス
基板を押し付けて紫外線を照射して樹脂を硬化させ、直
径５．２５インチで、表面にトラッキング用の溝やトラ
ックやセクターのアドレスなどを表す窪み（ピット）を
有するディスク状レプリカ基板を完成させた。ピットの
光学的な深さ（深さ×基板表面の屈折率）は読み出し光
の波長の約６分の１であった。波長の８分の１から６分
の１の範囲が好ましい範囲であり、１／６が特に好まし
い。一方、比較用ディスクとして、情報記録可能部分に
はピットを持たない原盤を作製して同様なプロセスで形
成したディスク状レプリカ基板も用いた。紫外線硬化樹
脂やガラス基板を用いず、ポリカーボネートの射出成形
でレプリカ基板を形成してもよい。

【００５５】これらの基板上に、マグネトロンスパッタ
リングによって、まず下部保護層である厚さ約１２０ｎ
ｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜を形成し、その上に
厚さ約３０ｎｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の
記録用薄膜を形成し、さらにマグネトロンスパッタリン
グによって上部保護層である厚さ約２０ｎｍの（Ｚｎ
Ｓ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜を形成し、次いで金属反射層と
して、厚さ約１００ｎｍのＡｌ₉₆Ｃｕ₄膜を形成した。
次に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射して硬化さ
せた。最後に同様にして作製したもう一枚のディスク
と、上記紫外線硬化樹脂側を内側にして貼り合わせた。
Ａｌ₉₆Ｃｕ₄膜のＣｕ含有量は１〜４５原子％の範囲で
良好な特性が得られることが分かった。

【００５６】上記のようにして形成したディスクへの情
報の記録・再生は、図１５に構成を示した装置を用い、
次のようにして行なった。ディスクを１８００ｒｐｍで
回転させ、半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）の光を記録
が行なわれないレベル（１ｍＷ）に保って、記録ヘッド
中のレンズで集光して基板を通して一方の記録用薄膜に
照射した。反射光を検出することによって、記録用薄膜
上に焦点が来るように自動焦点合わせを行ない、さらに
サンプルサーボ方式のプリピットのウオブルマークを利
用して、トラッキング誤差検出手段により埋込みマーク
列上に光スポットの中心が常に一致するようにトラッキ
ングを行なった。次に、クロック・同期信号読取り手
段および記録タイミング補正手段により、埋込みマ−ク
上または埋込みマーク間に記録マークが形成されるよう
にタイミングを合わせてレーザパワーを結晶化が起こる
６ｍＷと、非晶質に近い状態への変化が起こる１５ｍＷ
との間で記録すべき情報信号にしたがって変化させるこ
とにより記録を行なった。記録した記録マークの配置
は、例えば、埋込みマークの配列を示した各図に斜線入
りの長円で示したようになった。搬送波対雑音へを測定
する場合は、記録信号として、一定周波数の信号または
ディジタルデータ信号を用いた。記録された部分の、非
晶質に近い状態のところを記録マ−クと考える。このよ
うな記録方法は、すでに記録されている部分に対して行
なっても、記録されていた情報が新たに記録した情報に
書き換えられる。もちろん、一定パワーの照射で消去し
た後、パワー変調した照射で記録してもよい。

【００５７】読み出しは次のようにして行なった。ディ
スクを１８００ｒｐｍで回転させ、記録時と同じように
トラッキングと自動焦点合わせを行ないながら、１ｍＷ
のレーザ光で反射光の強弱を検出し、クロック・同期信
号読出し手段によって得たクロック・同期信号を用い
て、再生信号復調手段により再生信号を得た。この再生
信号をスペクトラムアナライザに入れ、記録した一定周
波数の情報信号（搬送波）とノイズとの比を求めた。読
み出しは読み出し機能だけを持った装置で行ってもよ
い。

【００５８】周波数５ＭＨｚの信号をディスク上の記録
マークピッチを埋込みマークのピッチと同じ１．２μｍ
で形成した時、情報記録可能部分の基板表面にピット
（凹部）を形成したディスクでは、埋込みマーク上にマ
ークを形成した場合も、埋込みマーク間にマークを形成
した場合も、ピットを形成していないディスクより約４
ｄＢ高い搬送波対雑音比が得られた。

【００５９】埋込みマークの各方式の特徴は次の通りで
あった。

【００６０】１ａ〜ｃ：埋込みマークとその間の両方
に記録マークを形成し、埋込みマークの輪郭部のマーク
広がり阻止効果により微小マーク形成を可能とする。輪
郭部にマーク広がり阻止効果の有るピット型の埋込みマ
ークが特に適する。

【００６１】２ａ〜ｃ：埋込みマークの配列を市松模
様型とすることにより、１ａ〜ｃの効果に加えて、記録
トラックに直角方向の流動を防ぐ効果が有る。高低差に
よるクロストークキャンセル効果も期待できる。

【００６２】３ａ〜ｃ：トラックに直角方向に埋込み
マークがつながったことにより、トラックピッチを小さ
くできる効果が有る。ただし、別途たとえば超解像読出
し法などのクロストーク防止法の適用が必要。

【００６３】４ａ〜ｃ：埋込みマーク１つおきに高低
差によるクロストークキャンセル効果が期待できる。た
だし埋込みマーク間が近接し過ぎている場所が有り、正
確な形状のレプリカ形成が困難。

【００６４】５ａ〜ｃ：４ａ〜ｃよりさらに記録トラ
ック方向の高密度化が可能。ただし、記録トラック方向
のマーク分離が悪くなる６ａ〜ｃ：１ａ〜ｃの埋込みマーク間にマークを形成
する時のトラックに直角方向のマークの広がりを防止で
きる。記録トラック方向のマーク分離は単なる溝の場合
より良いが８ｄの場合よりは悪くなる。８ｄの場合より
レプレイカ基板が作製しやすいという長所が有る。

【００６５】７ａ〜ｃ：６ａ〜ｃの変形８ｂ〜ｄ：１ａ〜ｃの埋込みマーク間にマークを形成
する時のトラックに直角方向のマークの広がりを防止で
きる。ただし特に８ｄでは埋込みマークがピットまたは
凸部の場合、埋込みマークが相互に近接し過ぎていて正
確な形状のレプリカ基板形成が困難。

【００６６】それぞれのａ〜ｃの特徴は下記のとおりで
ある。

【００６７】ａ：基板作製時の通常の原盤カッティ
ングによる埋込みマーク形成や作製したデイスクへの通
常のレーザ光照射による埋込みマーク形成ではこのよう
になる。

【００６８】ｂ：埋込みマーク形成時に光スポット
として、スポット進行方向に直角な方向の長さの方がス
ポット進行方向の長さより長いものを用いると、このよ
うになる。

【００６９】ｃ：埋込みマーク形成時に例えば２つ
のレーザービームを用い、これらのビームのディスク上
の光スポットが、相互にそれらの進行方向に直角な方向
に少しズレた位置を通るようにしてタイミングを合わせ
て照射すると、このようになる。

【００７０】（実施例４）実施例３と同様なレプリカ基
板作製方法であるが、サンプルサーボ方式のサーボピッ
トを形成し、ディスク上の情報記録可能領域にはピット
を形成せず、平坦なもの、および図１１と図１２の２重
丸の位置だけにクロックピットを形成したものを作製し
た。また、同じくプルサ−ボフォ−マットで、情報記録
可能領域に１トラックおきにグルーブを形成し、グルー
ブ間の部分の幅とグルーブの底の部分の幅を等しくした
図１３、１４の第１１および１２の形式のものも作製し
た。原盤を作製し、ニッケルスタンパー作製を経て、紫
外線硬化樹脂を用いて、直径５．２５インチで、表面に
トラックやセクターのアドレスなどを表す窪み（ピッ
ト）やサーボ用のピットを有するディスク状基板を完成
させた。

【００７１】この基板上に、マグネトロンスパッタリン
グによって、まず下部保護層である厚さ約７０ｎｍのＡ
ｌＮ膜を形成し、その上に厚さ約３０ｎｍのＩｎ−Ｓｂ
−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄膜を形成し、さらに
マグネトロンスパッタリングによって上部保護層である
厚さ約７０ｎｍのＡｌＮ膜を形成し、次いで金属反射層
として、厚さ約１００ｎｍのＡｕ膜を形成した。次に紫
外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射して硬化させた。
最後に同様にして作製したもう一枚のディスクと、上記
紫外線硬化樹脂側を内側にして貼り合わせた。

【００７２】上記のようにして完成した光ディスクに埋
込みマークを形成するには、次のようにして行なった。
ディスクを１８００ｒｐｍで回転させ、アルゴンイオン
レーザ（波長５１４ｎｍ）の光を記録膜が変化しないレ
ベル（１ｍＷ）に保って光ヘッド中のレンズで集光して
基板を通して記録用薄膜に照射した。反射光を検出する
ことによって、記録用薄膜上に焦点が来るように自動焦
点合わせを行ない、さらに記録トラックの中心に光スポ
ットの中心が常に一致するようにトラッキングを行なっ
た。次に、レーザパワーを読み出しパワーレベル１ｍ
Ｗと、非晶質に近い状態への変化が起こる２５ｍＷとの
間で入力信号にしたがって変化させることにより照射を
行なった。埋込みマーク形成信号として、ここでは一定
周波数の信号を用いた。照射パターンは図８、９及び図
１０の第６〜８のパターンとした。図１０の第８の各形
式（埋込みマーク配列）では、隣接するトラックで埋込
マークを約１／２周期ズラしても、もちろん良い。照射
された部分の、非晶質に近い状態となった埋込みマーク
が記録マーク形成可能位置である。このディスクでは、
レーザ光未照射部分の反射率は高く、光吸収が少ない
が、一たんアルゴンイオンレーザ光照射で記録膜を融解
させた部分は、結晶状態でも、非晶質状態でも未照射部
分より光吸収が多い。従って、照射部分だけで、記録マ
ーク形成や消去が起こる。

【００７３】上記のようにして形成したディスクへの情
報の記録・再生は、装置構成は図15と同じ、ただしトラ
ッキング誤差信号の検出方法及びクロックと同期信号の
検出方法が、公知の連続サーボ方式対応となった装置で
次のようにして行なった。ディスクを１８００ｒｐｍで
回転させ、半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）の光を記録
が行なわれないレベル（１ｍＷ）に保って、記録ヘッド
中のレンズで集光して基板を通して一方の記録用薄膜に
照射した。反射光を検出することによって、記録用薄膜
上に焦点が来るように自動焦点合わせを行ない、さら
に、サーボビットからトラッキングサーボ信号、および
クロックおよび同期信号を得ながら、記録トラックの中
心に光スポットの中心が常に一致するようにトラッキン
グを行なった。次に、レーザパワーを結晶化が起こる６
ｍＷと、非晶質に近い状態への変化が起こる１５ｍＷと
の間で記録すべき情報信号にしたがって変化させること
により記録を行なった。記録マークの配置は、例えばラ
ンダム信号を記録した場合、各図に斜線入りの長円で示
したようになった。搬送波対雑音比を測定する場合は、
記録信号として、一定周波数の信号を、その他の場合は
ディジタルデータ信号を用いた。記録された部分の、非
晶質に近い状態のところを記録マ−クと考える。このよ
うな記録方法は、すでに記録されている部分に対して行
なっても記録されていた情報が新たに記録した情報に書
き換えられる。もちろん、一定パワーの照射で消去した
後、パワー変調した照射で記録してもよい。

【００７４】読み出しは次のようにして行なった。ディ
スクを１８００ｒｐｍで回転させ、記録時と同じように
トラッキングと自動焦点合わせを行ないながら、１ｍＷ
のレーザ光で反射光の強弱を検出し、再生信号を得た。
この再生信号から、記録した一定周波数の情報信号とノ
イズとの比を求めた。読み出しは読み出し機能だけを持
った装置で行ってもよい。

【００７５】周波数５ＭＨｚの信号をディスク上の記録
マークピッチ１．２μｍで形成した時、情報記録可能部
分の基板表面に埋込みマ−クを形成したディスクでは、
ウ埋込みマ−クを形成していないディスクより３ｄＢ高
い信号対雑音比が得られた。

【００７６】本実施例では記録膜自身の一たん融解した
小領域を記録マークの拡大に対してバリアー効果を持つ
小領域としたが、記録膜や他の層の熱や光によって変化
した部分やエッチングによって除去した部分、あるいは
その残りの部分を上記小領域として用いても良い。例え
ば基板と、基板上のＡｌＮ保護層との間に、エッチング
によって上記小領域を穴とした薄い金属層を設けても良
い。

【００７７】本発明の埋込みマークのタイプの例を分類
すると、下記のとおりである。

【００７８】１．ピット（凹部）または凸部２．相変化膜の一たん高パワーレーザ光で融解した部分３．埋込みマークの大きさより小さな多数の凹凸の形状
（振幅等）が周囲と異なる部分４．磁性記録膜または記録補助膜の磁気特性の異なる部
分で記録補序幕に磁区の有る部分５．記録膜とは別に基板表面、あるいはいずれかの界面
に設けた層の光学特性の異なる部分（穴でもよい）６．強いレ−ザ光照射で照射領域の周囲に変形による盛
り上がりを形成した部分埋込みマ−クの内部にも外部に
も記録マ−ク形成が可能な上記６のようなタイプでは図
３〜７の第１〜５及び図１３、１４の第１１及び１２の
埋込みマ−クパタ−ンとしてもよい。

【００７９】埋込みマ−クの形式第１１および１２の特
徴は下記のとおりであった。

【００８０】１１、１２ａ〜ｂ記録マ−クが反射率差
で読取るタイプである場合、トラッキング溝のランドと
グル−ブのクロスト−クキャンセル効果が期待できる。
ただし、埋込みマ−クが凹凸の場合は、作製が難しくな
る。

【００８１】本実施例の第１１、１２以外の各埋込みマ
−ク配列方式においても、情報記録可能領域に、あるい
はそれ以外の領域にも、溝を形成し、その溝内とランド
部に隣接する埋込みマ−クが存在するようにすると、さ
らに狭トラックピッチ化しやすい。

【００８２】図６の第４のパタ−ンでは、トラックに直
角方向につながった埋込みマ−クと孤立した埋込みマ−
クのいずれかを基板表面に形成したピットとしてもよ
い。

【００８３】（実施例５）光ディスク基板の基板表面に
凹凸を形成するための原盤カッティング時に、まず、フ
オトレジスト膜を形成した後、レーザの光ビームでレジ
ストを感光させた。

【００８４】本発明の連続サ−ボ方式でも、第１ａ、第
２ａ、第１ｂ，第２ｂ，第１ｃ，第２ｃの埋込みマーク
配列であれば、情報記録可能領域の基板表面の凹凸から
トラッキングエラー信号およびクロック信号を得て正確
にピット上またはピット間に記録可能であるから、試作
を行った。この他、第１ａおよび第８ｄの形式で、１つ
おき、あるいは２つおき以上にピットを選んで、それら
のピットの深さを他のピットの深さより深く、または浅
くした第９ａ−２および、９ａ−１の形式、及び、第４
の形式の、ピット列間に形成したピットの深さを、上記
ピット列の深さより深く、または浅くした第１０ａの形
式のものも作製した。これらのピット配列をそれぞれ図
１１〜図１２に示した、２重丸に見えるのが、深さの異
なるピットである。第９ａおよび第１０ａの形式で、ピ
ットの形状を、トラック方向の長さの方がそれに直角方
向の長さより短い形状とした第９ｂ−２、９ｂ−１、及
び第１０ｂの形式のものも試作した。本実施例ではピッ
ト（凹部）を形成したが、基板の作製プロセスでレプリ
カ形成をもう一段増してピットの代わりに凸部としても
よい。この他、図８および図９の第６および第７の埋込
みマーク配列で周期的に深さの異なるピットにしても良
い。第９の配列で隣接するトラックで埋込みマークを約
１／２周期ズラしても良い。第９ａ及び第１０ａの形式
では記録トラックのピッチは１．４μｍ．情報記録可能
部分の記録マークの想定配置は、記録トラック方向長さ
が、それに直角方向の長さの約１．２倍とし、クロック
ピットとなるピットの記録トラック方向の長さは０．６
μｍ、ピッチは１．６μｍとした。第９ｂ及び第１０ｂ
の形式では記録トラックのピッチは１．４μｍ．情報記
録可能部分の記録マークの想定配置は、記録トラック方
向長さが、それに直角方向の長さの約０．７倍とし、記
録トラック方向の長さは０．４μｍ、ピッチは１．０μ
ｍとした。

【００８５】情報記録可能部分以外のプリフォ−マット
部には、連続サ−ボ方式でトラックやセクタ−のアドレ
スやクロック信号、同期信号を形成するためのレ−ザ光
照射を行うことは、従来の光ディスクと同様とした。次
に、フォトレジストを現像し、フォトレジストのレーザ
光を照射された部分を除去し、ポストベ−クを行った。

【００８６】続いて、この上に、水溶性フォトレジスト
層を塗布し、前のフォトレジスト層にピットを形成した
場所を含めて、記録トラック方向の長さ０．６μｍで、
ピッチが０．８μｍの、埋込みマークとなるピットの繰
り返しを形成するための露光を行った後、現像・ベ−キ
ングした。このようにして原盤を得た。この原盤にニッ
ケルメッキを行ってからニッケルを原盤から剥がし、次
にフオトレジストを溶剤によつて除去し、スタンパ−を
得た。このスタンパ−を金属板で裏打ちした後、その上
に紫外線硬化樹脂を垂らし、ガラス基板を押し付けて紫
外線を照射して樹脂を硬化させ、直径５．２５インチ
で、表面にトラックやセクターのアドレスなどを表す窪
み（ピット）も有するディスク状レプリカ基板を完成さ
せた。第１、第２、及びそれらの添字ａ，ｂの形式の場
合は埋込みマ−ク（あらかじめ決めた記録マ−ク形成位
置）用ピットの光学的な深さ（深さ×完成したディスク
の基板表面の屈折率）は、読み出し光の波長の約６分の
１とし、それより深くした埋込マ−ク兼同期信号用ピッ
トは約５分の１、浅くした同期信号用ピットの場合は約
８分の１であった。一方、比較用ディスクとして、情報
記録可能部分にはピットを持たない原盤を作製して同様
なプロセスで形成したディスクも用いた。

【００８７】これらの基板上に、マグネトロンスパッタ
リングによって、まず下部保護層である厚さ約１２０ｎ
ｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜を形成し、その上に
厚さ約３０ｎｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の
記録用薄膜を形成し、さらにマグネトロンスパッタリン
グによって上部保護層である厚さ約２０ｎｍの（Ｚｎ
Ｓ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜を形成し、次いで金属反射層と
して、厚さ約１００ｎｍのＡｌ₉₆Ｃｕ₄膜を形成した。
次に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射して硬化さ
せた。最後に同様にして作製したもう一枚のディスク
と、上記紫外線硬化樹脂側を内側にして貼り合わせた。
Ａｌ₉₆Ｃｕ₄膜のＣｕ含有量は１〜４５原子％の範囲で
良好な特性が得られることがわかった。

【００８８】上記のようにして作製したディスクには、
出力１Ｗの半導体レ−ザからのレ−ザ光を１００μｍ×
２μｍの光スポットとしてディスクを線速度８ｍ／ｓで
回転させながら照射した。光スポットの１回転毎の送り
ピッチは１０μｍとして、１ヵ所に１０回照射されるよ
うにして、ディスクの記録トラックの有る領域全体を初
期結晶化させた。さらに、出力４０ｍＷの半導体レ−ザ
からの半値直径１μｍにしたレ−ザ光で線速度８ｍ／ｓ
で１４ｍＷで２回、７ｍＷで１０回照射して初期結晶化
させた。

【００８９】上記のようにして形成したディスクへの情
報の記録・再生は、装置構成は図１５と同じ、ただしト
ラッキング誤差信号の検出方法及びクロックと同期信号
の検出方法が、公知の連続サ−ボ方式対応となった装置
で次のようにして行なった。ディスクを１８００ｒｐｍ
で回転させ、半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）の光を記
録が行なわれないレベル（１ｍＷ）に保って、記録ヘッ
ド中のレンズで集光して基板を通して一方の記録用薄膜
に照射した。反射光を検出することによって、記録用薄
膜上に焦点が来るように自動焦点合わせを行ない、さら
に、埋込みマーク列上にスポットの中心が常に一致する
ようにトラッキングを行なった。埋め込みマ−クのう
ち、原盤作製時に両方のレジストを露光して深いピット
とした部分からクロック及び同期信号を得て、正確に埋
込みマ−ク上に記録が行えるようにした。次に、レーザ
パワーを結晶化が起こる６ｍＷと、非晶質に近い状態へ
の変化が起こる１５ｍＷとの間で記録すべき情報信号に
したがって変化させることにより記録を行なった。記録
マ−クの配置は、例えばランダム信号を記録した場合、
図１１、図１２に斜線入りの長円で示したようになっ
た。クロック信号用ピットと埋込みマ−クが重なったと
ころは２重長円で示されているが、そこに記録マ−クが
重なったところではクロック信号用ピットが有ることが
図からはわからない。しかし、クロック信号用ピットは
どの記録トラックにもほぼ周期的に存在するようにして
あるので、その存在を推定できる。搬送波対雑音比を測
定する場合は、記録信号として、ここでは一定周波数の
信号または一定周期のディジタルデータ信号を用いた。
記録された部分の、非晶質に近い状態のところを記録点
と考える。このような記録方法は、すでに記録されてい
る部分に対して行なっても記録されていた情報が新たに
記録した情報に書き換えられる。もちろん、一定パワー
の照射で消去した後、パワー変調した照射で記録しても
よい。

【００９０】読み出しは次のようにして行なった。ディ
スクを１８００ｒｐｍで回転させ、記録時と同じように
トラッキングと自動焦点合わせを行ないながら、１ｍＷ
のレーザ光で反射光の強弱を検出し、クロック、同期信
号読み出し手段によって得たクロック、同期信号を用い
て、再生信号復調手段によって再生信号を得た。本実施
例の図１１、図１２に対応した場合においては、クロッ
ク信号用ピット、埋込みマ−ク用ピット、および記録マ
−クによる反射率変化が混合した再生波形で再生される
が、クロック・同期信号読出し回路によりまずクロック
信号を検出し、ついで再生信号復調回路で再生信号を復
調した。クロック信号用ピットは記録マ−クとはレ−ザ
光反射光の回折パタ−ンが異なるので、分割光検出器で
出力の差を検出して分離してもよい。この再生信号をス
ペクトラムアナライザに入れ、記録した一定周波数の情
報信号（搬送波）とノイズとの比を求めた。

【００９１】周波数５ＭＨｚの信号を、ディスク上の記
録マ−クピッチを、図８、９、１１、１２の場合は埋込
みマークのピッチの２倍、図３および４の場合は埋込み
マークのピッチと同じの１．６μｍで記録した時、情報
記録可能部分の基板表面にピット（凹部）を形成したデ
ィスクでは、ピットを形成していないディスクより４ｄ
Ｂ高い搬送波対雑音比が得られた。

【００９２】埋込みマークの各方式の特徴は、下記のと
おりであった。

【００９３】９ａ〜ｂ：８ｂ，ｄおよび１ａ〜ｂと
同様であるが、埋込みマ−クもクロックマ−クもピット
の場合、２段にピットを形成しなければならないので基
板作製が難しくなる。

【００９４】１０ａ〜ｂ４ａ〜ｂと同様であるが、埋
込みマ−クとクロックマ−クがともにピットの場合、２
段にピットを形成しなければならないので基板作製が難
しくなる。

【００９５】（実施例６）実施例３と同様なレプリカ基
板作製方法であるが、実施例５と同様に連続サ−ボ方式
のフォ−マットで形成し、ディスク上の情報記録可能領
域にはピットを形成せず、平坦なもの、および図１１と
図１２の二重丸の位置だけにクロックピットを形成した
ものを作製した。また、同じく連続サーボフォーマット
で、情報記録可能領域に１トラックおきにグルーブを形
成し、グルーブ間の部分の幅と、グルーブの底の部分の
幅を等しくした図１３、１４の第１１および１２の形式
のものも作製した。原盤を作製し、ニッケルスタンパー
作製を経て、紫外線硬化樹脂を用いて、直径５．２５イ
ンチで、表面にトラックやセクターのアドレスなどを表
す窪み（ピット）を有するディスク状基板を完成させ
た。溝を形成する場合は、溝の幅（深さでも良い）を、
クロック及び同期信号を読み取れるように正弦波に近い
カ−ブで変動させてもよい。この基板上に、マグネト
ロンスパッタリングによって、まず下部保護層である厚
さ約７０ｎｍのＡｌＮ膜を形成し、その上に厚さ約３０
ｎｍのＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄膜
を形成し、さらにマグネトロンスパッタリングによって
上部保護層である厚さ約７０ｎｍのＡｌＮ膜を形成し、
次いで金属反射層として、厚さ約１００ｎｍのＡｕ膜を
形成した。次に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射
して硬化させた。最後に同様にして作製したもう一枚の
ディスクと、上記紫外線硬化樹脂側を内側にして貼り合
わせた。上記のようにして完成した光ディスクに埋込
みマークを形成するには、次のようにして行なった。デ
ィスクを１８００ｒｐｍで回転させ、アルゴンイオンレ
ーザ（波長５１４ｎｍ）の光を記録が行なわれないレベ
ル（１ｍＷ）に保って光ヘッド中のレンズで集光して基
板を通して一方の記録用薄膜に照射した。反射光を検出
することによって、記録用薄膜上に焦点が来るように自
動焦点合わせを行ない、さらに記録トラックの中心に光
スポットの中心が常に一致するようにトラッキングを行
なった。次に、レーザパワーを読み出しパワ−レベル
１ｍＷと、非晶質に近い状態への変化が起こる２５ｍＷ
との間で入力信号にしたがって変化させることにより埋
込みマ−ク形成を行なった。埋込みマーク形成信号とし
て、ここでは一定周波数の信号を用いた。照射パタ−ン
は図１１の第９のパタ−ンとした。図１１のパタ−ンで
は、２重丸の位置の基板表面にクロックピットを形成し
ているので、この場所の埋込みマ−ク形成は省略しても
よい。照射された部分の、非晶質に近い状態となった埋
込みマークが記録マ−ク形成可能位置である。図８、９
の第６および第７のパタ−ンで第９のパタ−ンのように
間隔をあけた基板表面のクロックピットを併用したもの
としてもよい。

【００９６】上記のようにして形成したディスクへの情
報の記録・再生は次のようにして行なった。ディスクを
１８００ｒｐｍで回転させ、半導体レーザ（波長８３０
ｎｍ）の光を記録が行なわれないレベル（１ｍＷ）に保
って、記録ヘッド中のレンズで集光して基板を通して一
方の記録用薄膜に照射した。反射光を検出することによ
って、記録用薄膜上に焦点が来るように自動焦点合わせ
を行ない、さらに、クロックおよび同期信号を得なが
ら、記録トラックの中心に光スポットの中心が常に一致
するようにトラッキングを行なった。

【００９７】次に、レーザパワーを結晶化が起こる６ｍ
Ｗと、非晶質に近い状態への変化が起こる１５ｍＷとの
間で記録すべき情報信号にしたがって変化させることに
より記録を行なった。記録、マ−クの配置は、例えばラ
ンダム信号を記録した場合、各図に斜線入りの長円で示
したようになった。クロック信号用ピットと埋込みマ−
クが重なったところは図に２重長円で示されているが、
そこに記録マ−クが重なったところではクロック信号用
ピットが有ることが図からはわからない。しかし、クロ
ック信号用ピットはどの記録トラックにもほぼ周期的に
存在するようにしてあるので、その存在を推定できる。
記録信号として、ここでは一定周波数の信号またはディ
ジタルデータ信号を用いた。記録された部分の、非晶質
に近い状態のところを記録点と考える。このような記録
方法は、すでに記録されている部分に対して行なっても
記録されていた情報が新たに記録した情報に書き換えら
れる。もちろん、一定パワーの照射で消去した後、パワ
ー変調した照射で記録してもよい。

【００９８】読み出しは次のようにして行なった。ディ
スクを１８００ｒｐｍで回転させ、記録時と同じように
トラッキングと自動焦点合わせを行ないながら、１ｍＷ
のレーザ光で反射光の強弱を検出し、クロック、同期信
号読み出し手段によって得たクロック、同期信号を用い
て、再生信号復調手段によって再生信号を得た。この再
生信号から、記録した一定周波数の情報信号とノイズと
の比を求めた。

【００９９】周波数５ＭＨｚの信号をディスク上の記録
マ−クピッチ１．２μｍで形成した時、情報記録可能部
分の基板表面に埋込みマ−クを形成したディスクでは、
埋込みマ−クを形成していないディスクより３ｄＢ高い
信号対雑音比が得られた。

【０１００】埋込みマ−クの内部にも外部にも記録マ−
ク形成が可能な上記６のようなタイプでは、図３、４、
１２、１３、１４の第１、２、１０、１１及び１２の埋
込みマ−クパタ−ンとしてもよい。

【０１０１】本実施例の第１１、および第１２以外の各
埋込みマ−ク配列方式において、情報記録可能領域に、
あるいはそれ以外の領域にも、記録トラック方向に溝を
形成し、その溝内とランド部に隣接する埋込みマ−クが
存在するようにして、ランド・グル−ブ記録を実現して
もよい。

【０１０２】

【発明の効果】本発明によれば、埋込みマ−クにより記
録の高密度化や書き換え可能回数の向上が可能であり、
埋込みマークのトラック方向の密度が低いのでレ−ザ光
照射によるそのパタ−ン形成が容易であり、射出形成な
どにより基板表面にその凹凸を複写する場合に転写が容
易である。また、トラック密度を高めることができる。
埋込みマ−クがピットや微小な凹凸であれば基板表面へ
の転写によってディスクの量産が容易ディスクある。ピ
ットでない場合は、レプリカ形成時の転写性を損なわず
に埋込みマ−クのパタ−ンを任意に選ぶことができると
いう長所が有る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例の記録媒体に記録を行った状
態の図である。

【図２】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行っ
た状態の図である。

【図３】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行っ
た状態の図である。

【図４】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行っ
た状態の図である。

【図５】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行っ
た状態の図である。

【図６】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行っ
た状態の図である。

【図７】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行っ
た状態の図である。

【図８】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行っ
た状態の図である。

【図９】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行っ
た状態の図である。

【図１０】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行
った状態の図である。

【図１１】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行
った状態の図である。

【図１２】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行
った状態の図である。

【図１３】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行
った状態の図である。

【図１４】本発明の他の１実施例の記録媒体に記録を行
った状態の図である。

【図１５】本発明の１実施例の光メモリー装置の構成を
示す図である。

【符号の説明】１…埋込みマーク、２…記録マーク。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光照射によって記録媒体の少なくとも一部
を変化させて情報を記録する光記録媒体において、上記
光記録媒体の情報記録可能領域に、複数の、少なくとも
周囲に記録マークの拡大に対してバリアー効果を持つ小
領域を持つものにおいて、上記小領域が相互にその記録
トラック方向の長さと同程度の間隔を有することを特徴
とする光記録媒体。
【請求項２】上記小領域の相互の間隔が、上記小領域の
記録トラック方向の長さと同程度以上２倍以下であり、
かつ、上記小領域の記録トラック方向の長さが、記録ト
ラックに直角方向の長さと同じかそれより長いことを特
徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】上記小領域が相互にその記録トラック方向
の長さと同程度の間隔を有し、かつ、上記小領域が、隣
接する記録トラックでほぼ同じ位置に有ることを特徴と
する請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項４】上記小領域が、隣接する記録トラックで約
１／２周期ずつズレていることを特徴とする請求項１に
記載の光記録媒体。
【請求項５】上記小領域が記録媒体のトラックに直角な
方向には少なくとも一部がつながっていることを特徴と
する請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項６】上記の、複数の、少なくとも周囲に記録マ
ークの拡大に対してバリアー効果を持つ小領域が、凸部
または凹部であることを特徴とする請求項１に記載の光
記録媒体。
【請求項７】上記の少なくとも周囲に記録マークの拡大
に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が凸部または
凹部であり、そのうちの一部が、他の多くとは異なる深
さまたは高さまたは面積を持ち、かつ、上記複数の小領
域の周期より長い周期を持ち、さらに、それら異なる深
さまたは高さまたは面積を持ったものがクロック信号、
同期信号のうちの少なくとも一方に対応することを特徴
とする請求項６に記載の光記録媒体。
【請求項８】上記小領域の記録トラック方向の間隔が上
記小領域の記録トラック方向の長さの１／２以下であ
り、かつ、上記小領域の記録トラック方向の周期より長
い周期で高さまたは深さまたは面積が異なる凸部または
凹部を有することを特徴とする請求項６に記載の光記録
媒体。
【請求項９】上記小領域の記録トラック方向の周期が上
記小領域の記録トラック方向の長さの１．５倍以上３倍
以下であり、かつ、上記小領域の記録トラック方向の周
期より長い周期で高さまたは深さまたは面積が異なる凸
部または凹部を有することを特徴とする請求項６に記載
の光記録媒体。
【請求項１０】上記の少なくとも周囲に記録マークの拡
大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が凹凸以外
であり、かつ、上記複数の小領域の周期より長い周期を
持った凸部または凹部を有し、上記凸部または凹部がク
ロック信号、同期信号のうちの少なくとも一方に対応す
ることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項１１】上記小領域の記録トラック方向の間隔が
上記小領域の記録トラック方向の長さの１／２以下であ
ることを特徴とする請求項１０に記載の光記録媒体。
【請求項１２】上記小領域の記録トラック方向の周期が
上記小領域の記録トラック方向の長さの１．５倍以上３
倍以下であることを特徴とする請求項１０に記載の光記
録媒体。
【請求項１３】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、円形
または長円形であることを特徴とする請求項１に記載の
光記録媒体。
【請求項１４】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、微小
な凹凸を持った小領域であることを特徴とする請求項１
に記載の光記録媒体。
【請求項１５】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、そこ
だけ微小な凹凸が無い小領域であることを特徴とする請
求項１に記載の光記録媒体。
【請求項１６】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、記録
膜が熱および／または光によって変化した小領域である
ことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項１７】少なくとも周囲に記録マークの拡大に対
してバリアー効果を持つ複数の小領域が、トラック方向
に並んだ複数の円形、または長円形の非晶質あるいは不
完全結晶化領域、あるいは複数の長円形の非晶質あるい
は不完全結晶化領域の一部が重なってくっついたもので
あることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項１８】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、記録
膜より光入射側に設けた層の、光学定数が異なる小領域
であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項１９】光照射によって記録媒体の少なくとも一
部を変化させて情報を記録する光記録媒体において、上
記光記録媒体の情報記録可能領域に、複数の、少なくと
も周囲に記録マークの拡大に対してバリアー効果を持つ
小領域を持つものにおいて、上記小領域の相互の間隔
が、上記小領域の記録トラック方向の長さと同程度以上
２倍以下であり、かつ、上記小領域の記録トラック方向
の長さが記録トラックに直角方向の長さより短いことを
特徴とする光記録媒体。
【請求項２０】上記小領域が相互にその記録トラック方
向の長さと同程度の間隔を有し、かつ、上記小領域が、
隣接する記録トラックでほぼ同じ位置に有ることを特徴
とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項２１】上記小領域が、隣接する記録トラックで
約１／２周期ずつズレていることを特徴とする請求項３
に記載の光記録媒体。
【請求項２２】上記小領域が記録媒体のトラックに直角
な方向には少なくとも一部がつながっていることを特徴
とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項２３】上記の、複数の、少なくとも周囲に記録
マークの拡大に対してバリアー効果を持つ小領域が、凸
部または凹部であることを特徴とする請求項３に記載の
光記録媒体。
【請求項２４】上記の少なくとも周囲に記録マークの拡
大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が凸部また
は凹部であり、そのうちの一部が、他の多くとは異なる
深さまたは高さまたは面積を持ち、かつ、上記複数の小
領域の周期より長い周期を持ち、さらに、それら異なる
深さまたは高さまたは面積を持ったものがクロック信
号、同期信号のうちの少なくとも一方に対応することを
特徴とする請求項２３に記載の光記録媒体。
【請求項２５】上記小領域の記録トラック方向の間隔が
上記小領域の記録トラック方向の長さの１／２以下であ
り、かつ、上記小領域の記録トラック方向の周期より長
い周期で高さまたは深さまたは面積が異なる凸部または
凹部を有することを特徴とする請求項２３に記載の光記
録媒体。
【請求項２６】上記小領域の記録トラック方向の周期が
上記小領域の記録トラック方向の長さの１．５倍以上３
倍以下であり、かつ、上記小領域の記録トラック方向の
周期より長い周期で高さまたは深さまたは面積が異なる
凸部または凹部を有することを特徴とする請求項２３に
記載の光記録媒体。
【請求項２７】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、円形
または長円形であることを特徴とする請求項３に記載の
光記録媒体。
【請求項２８】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、微小
な凹凸を持った小領域であることを特徴とする請求項３
に記載の光記録媒体。
【請求項２９】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、そこ
だけ微小な凹凸が無い小領域であることを特徴とする請
求項３に記載の光記録媒体。
【請求項３０】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、記録
膜が熱および／または光によって変化した小領域である
ことを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項３１】少なくとも周囲に記録マークの拡大に対
してバリアー効果を持つ複数の小領域が、トラック方向
に並んだ複数の円形、または長円形の非晶質あるいは不
完全結晶化領域、あるいは複数の長円形の非晶質あるい
は不完全結晶化領域の一部が重なってくっついたもので
あることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項３２】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、記録
膜より光入射側に設けた層の、光学定数が異なる小領域
であることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項３３】光照射によって記録媒体の少なくとも一
部を変化させて情報を記録する光記録媒体において、上
記光記録媒体の情報記録可能領域に、複数の、少なくと
も周囲に記録マークの拡大に対してバリアー効果を持つ
小領域を持つものにおいて、上記小領域が相互にその記
録トラック方向の長さの１／２以下の間隔を有すること
を特徴とする光記録媒体。
【請求項３４】上記小領域の記録トラック方向の長さ
が、記録トラックに直角方向の長さと同じか、それより
長いことを特徴とする請求項３３に記載の光記録媒体。
【請求項３５】上記小領域の記録トラック方向の長さが
記録トラックに直角方向の長さより短かいことを特徴と
する請求項３３に記載の光記録媒体。
【請求項３６】上記小領域が、２つ以上の小さな円また
は長円が記録トラックに直角方向に結合した形状を有す
ることを特徴とする請求項３３に記載の光記録媒体。
【請求項３７】上記の、複数の、少なくとも周囲に記録
マークの拡大に対してバリアー効果を持つ小領域が、凸
部または凹部であることを特徴とする請求項３３に記載
の光記録媒体。
【請求項３８】上記の少なくとも周囲に記録マークの拡
大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が凸部また
は凹部であり、そのうちの一部が、他の多くとは異なる
深さまたは高さまたは面積を持ち、かつ、上記複数の小
領域の周期より長い周期を持ち、さらに、それら異なる
深さまたは高さまたは面積を持ったものがクロック信
号、同期信号のうちの少なくとも一方に対応することを
特徴とする請求項３７に記載の光記録媒体。
【請求項３９】上記小領域の記録トラック方向の間隔が
上記小領域の記録トラック方向の長さの１／２以下であ
り、かつ、上記小領域の記録トラック方向の周期より長
い周期で高さまたは深さまたは面積が異なる凸部または
凹部を有することを特徴とする請求項３７に記載の光記
録媒体。
【請求項４０】上記小領域の記録トラック方向の周期が
上記小領域の記録トラック方向の長さの１．５倍以上３
倍以下であり、かつ、上記小領域の記録トラック方向の
周期より長い周期で高さまたは深さまたは面積が異なる
凸部または凹部を有することを特徴とする請求項３７に
記載の光記録媒体。
【請求項４１】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、円形
または長円形であることを特徴とする請求項３３に記載
の光記録媒体。
【請求項４２】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、微小
な凹凸を持った小領域であることを特徴とする請求項３
３に記載の光記録媒体。
【請求項４３】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、そこ
だけ微小な凹凸が無い小領域であることを特徴とする請
求項３３に記載の光記録媒体。
【請求項４４】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、記録
膜が熱および／または光によって変化した小領域である
ことを特徴とする請求項３３に記載の光記録媒体。
【請求項４５】少なくとも周囲に記録マークの拡大に対
してバリアー効果を持つ複数の小領域が、トラック方向
に並んだ複数の円形、または長円形の非晶質あるいは不
完全結晶化領域、あるいは複数の長円形の非晶質あるい
は不完全結晶化領域の一部が重なってくっついたもので
あることを特徴とする請求項３３に記載の光記録媒体。
【請求項４６】上記の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ複数の小領域が、記録
膜より光入射側に設けた層の、光学定数が異なる小領域
であることを特徴とする請求項３３に記載の光記録媒
体。
【請求項４７】光照射によって記録媒体の少なくとも一
部を変化させて情報を記録する光記録媒体の、上記光記
録媒体の情報記録可能領域に、複数の、少なくとも周囲
に記録マークの拡大に対してバリアー効果を持つ小領域
を持つものにおいて、上記小領域が相互にその記録トラ
ック方向の長さと同程度の間隔を有する光記録媒体を用
い、上記光記録媒体に情報を記録する光メモリー装置に
おいて、上記、複数の、少なくとも周囲に記録マークの
拡大に対してバリアー効果を持つ小領域からクロック信
号・同期信号のうちの少なくとも一方を読み取る手段、
および、上記小領域上、および／またはその間隔部分に
正確に記録マ−クを形成する手段を少なくとも有するこ
とを特徴とする光メモリー装置。
【請求項４８】光照射によって記録媒体の少なくとも一
部を変化させて情報を記録する光記録媒体の、上記光記
録媒体の情報記録可能領域に、複数の、少なくとも周囲
に記録マークの拡大に対してバリアー効果を持つ小領域
を持つものにおいて、上記小領域が相互にその記録トラ
ック方向の長さと同程度の間隔を有する光記録媒体を用
い、上記光記録媒体から情報を読み出す際、上記、少な
くとも周囲に記録マークの拡大に対してバリアー効果を
持つ複数の小領域からクロック信号・同期信号のうちの
少なくとも一方を読み取る手段、および、それを利用し
て再生信号を復調する手段を少なくとも有することを特
徴とする光メモリー装置。
【請求項４９】少なくとも周囲に記録マークの拡大に対
してバリアー効果を持つ複数の小領域が凹凸以外であ
り、かつ、上記複数の小領域の周期より長い周期を持っ
た凸部または凹部を有し、上記凸部または凹部がクロッ
ク信号、同期信号のうちの少なくとも一方に対応する光
照射によって記録媒体の少なくとも一部を変化させて情
報を記録する光記録媒体の、上記光記録媒体の情報記録
可能領域に、複数の、少なくとも周囲に記録マークの拡
大に対してバリアー効果を持つ小領域を持ち、上記小領
域が相互にその記録トラック方向の長さと同程度の間隔
を有する光記録媒体への情報の記録は、上記凸部または
凹部からクロック信号・同期信号のうちの少なくとも一
方を読み取って、上記領域上、および／またはその間隔
部分に正確に記録マ−クを形成することを特徴とする光
メモリー装置における情報記録方法。
【請求項５０】少なくとも周囲に記録マークの拡大に対
してバリアー効果を持つ複数の小領域が凹凸以外であ
り、かつ、上記複数の小領域の周期より長い周期を持っ
た凸部または凹部を有し、上記凸部または凹部がクロッ
ク信号、同期信号のうちの少なくとも一方に対応する光
照射によって記録媒体の少なくとも一部を変化させて情
報を記録する光記録媒体の、上記光記録媒体の情報記録
可能領域に、複数の、少なくとも周囲に記録マークの拡
大に対してバリアー効果を持つ小領域を持ち、上記小領
域が相互にその記録トラック方向の長さと同程度の間隔
を有する光記録媒体からの情報の読み出しは、上記凸部
または凹部からクロック信号・同期信号のうちの少なく
とも一方を読み取って、正確に読み出しを行うことを特
徴とする光メモリー装置における情報読み出し方法。