JPH07211677A - 基板のスクラビング方法とその装置 - Google Patents

基板のスクラビング方法とその装置

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JPH07211677A
JPH07211677A JP6114779A JP11477994A JPH07211677A JP H07211677 A JPH07211677 A JP H07211677A JP 6114779 A JP6114779 A JP 6114779A JP 11477994 A JP11477994 A JP 11477994A JP H07211677 A JPH07211677 A JP H07211677A
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substrate
cleaning
chuck
back pressure
rotating
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Takashi Ito
隆志 伊藤
Hiroyuki Saito
博之 斎藤
Haruyuki Kinami
治行 木南
Toshinori Konaka
敏典 小中
Takeshi Murai
剛 村井
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M SETETSUKU KK
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、洗浄能力を高め
る事、ブラッシング洗浄時の接触圧によって半導体基
板の中央部分の撓みを防止して中央部分の洗浄も十分に
行えるようにする事、基板把持用の爪体の極く近傍部
分迄洗浄する事が出来るようにする事にある。 【構成】 基板(1)の洗浄面(1a)の反対側の面
(1b)に背圧形成用流体(2)を噴出して基板(1)に背圧をか
けつつ基板(1)の洗浄面(1a)を回転円筒ブラシ(3)で洗浄
する事を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の周縁部のみをチ
ャックし、その一方の面乃至両面を円筒ブラシで１度に
洗浄する方法並びにその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体は、現在、超ＬＳＩから超々ＬＳ
Ｉというように進展して来ており、その表面には超精密
写真製版技術を応用して形成した極めて微細な回路が密
に形成されている。従って、極く微細な塵埃がその表面
に付着すると半導体回路の回路不良として現れ、歩留ま
り低下となる。前述のように半導体がより精密化する
と、その製造コストもうなぎ登りに増加し、歩留まり向
上がコスト削減に大きく寄与するものであり、除塵対策
が非常に重要な問題となっている。
【０００３】さて、半導体製造現場では、現在の所、微
細回路を形成するための表面の清浄化管理は極めて厳格
に行われているものの、裏面の清浄化管理はそれほど厳
格に行われているものではない。処が、半導体基板の裏
面は、各工程で機器の吸着ベースやハンドリング装置に
接触して汚染されており、これが表面側の汚染の原因の
１つになるという事が分かって来た。
【０００４】そこで、最近では半導体基板の裏面洗浄も
十分に行われるようになって来たのであるが、次のよう
な問題を抱えている。
【０００５】(1) 半導体基板(100)の表面(100b)には、
前述のように微細回路が密に形成されているので、裏面
洗浄のために表面(100b)を利用する事ができない。従っ
て、半導体基板(100)の周縁部のみを把持爪(101)にてチ
ャックし、半導体基板(100)の中央部分を支持しない状
態で洗浄しなければならない。処が、半導体基板(100)
の端部を把持する従来の把持爪(101)は、その一部が半
導体基板(100)の洗浄面(100a)より外側に突出する為
に、図２１のように面積の小さいディスク型のブラシ(1
02)しか使用することが出来ず、洗浄能力が低いという
問題があった。
【０００６】(2) 前述のように、半導体基板(100)の周
縁部を把持爪(101)にて保持し、その裏面(100a)をブラ
シ(102)のような洗浄手段でブラッシング洗浄を行った
際に、その接触圧によって薄い半導体基板(100)が撓
み、特にセンタ部分の洗浄が十分に行えなっかた。
【０００７】(3) 更に、前述のように把持爪(101)が半
導体基板(100)の洗浄面(100a)より外側に突出している
ので、前記把持爪(101)の突出部分(イ)近傍を洗浄する事
が出来ず、洗浄面(100a)の一部に洗い残しを生ずるとい
う問題があった。
【０００８】その他の問題として、本発明に関係する半
導体製造装置は一般的にクリーンルーム中で使用される
ので、空気中の浮遊塵はごく僅かに制限されているもの
の、なお極く微量ではあるが浮遊塵が存在し、基板(1)
の洗浄後に基板(1)が静電気により帯電するとこれが基
板(1)の表面に付着し、洗浄面(1a)を汚染するという問
題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明方法及び装置
は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものでそ
の目的とする処は、洗浄能力を高める事、ブラッシ
ング洗浄時の接触圧によって半導体基板の中央部分の撓
みを防止して中央部分の洗浄も十分に行えるようにする
事、基板把持用の爪体の極く近傍部分迄洗浄する事が
出来るようにする事、洗浄後、基板を除電して浮遊塵
の付着を防止する事にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明方
法は、『基板(1)の洗浄面(1a)の反対側の面(1b)に背圧
形成用流体(2)を噴出して基板(1)に背圧をかけつつ基板
(1)の洗浄面(1a)を回転円筒ブラシ(3)で洗浄する』事を
特徴とする。これにより、基板(1)の周縁のみ保持した
場合でも、基板(1)の中央部分に背圧が加わっているた
めに中央部分も強く洗浄する事が出来、洗い残し生じる
事なく洗浄する事が出来るものである。
【００１１】請求項２に記載の洗浄方法は、『基板(1)
を中心に基板(1)の両面(1a)(1a)に円筒ブラシ(3a)(3b)
を対称に配置し、基板(1)の両面(1a)(1a)を回転円筒ブ
ラシ(3)(3)で洗浄する』事を特徴とする。これにより、
互いに基板(1)の両面から圧力をかけ合う事になり、基
板(1)を撓ませる事なく洗浄しにくい中央部分も効果的
に洗浄する事が出来る。
【００１２】請求項３に記載の洗浄方法は、請求項１，
２に加えて『基板(1)の洗浄後、基板(1)を乾燥させてか
ら基板(1)に帯電している静電気を除電手段(J)にて除電
する』ことを事を特徴とする。洗浄時には基板(1)に回
転円筒ブラシ(3)や洗浄液が接触し、洗浄後は基板(1)を
高速回転させて脱水乾燥するが、この時、回転円筒ブラ
シ(3)や洗浄液（特に洗浄液が純水の場合に顕著であ
る。）又は室内空気と基板(1)が接触する事によって静
電気が基板(1)に帯電する事があるが、これにより、前
記静電気を除電手段にて効果的に除電する事ができ、空
気中の浮遊塵を吸着することがなく、洗浄後の清浄な状
態を保つ事ができる。
【００１３】請求項４に記載のスクラビング装置は、
『基板(1)の周縁が嵌まり込むクランプ溝(4)が凹設され
ており、前記クランプ溝(4)を構成する洗浄側係止突条
部分が基板(1)の洗浄面(1a)より内側に位置する基板係
止用爪体(5)となっている基板チャック(6)と、基板(1)
の洗浄面(1a)と反対側の面(1b)に背圧形成用流体(2)を
噴出して基板(1)に背圧をかけるための背圧パドル(7)
と、基板(1)の洗浄面(1a)の一端から他端にかけて接触
し、基板(1)の洗浄面(1a)を洗浄する回転円筒ブラシ(3
a)と、基板チャック(6)又は回転円筒ブラシ(3a)を基板
(1)に平行な面内で回転させる回転機構(8)とで構成され
た』事を特徴とする。
【００１４】これにより、基板(1)の周縁部のみをチャ
ックして中央部分に高い接触圧を掛けて洗浄する事が出
来、従来方式で不十分な洗浄しか出来なかった中央部分
の洗浄も十分行うことが出来るようになった。基板(1)
の周縁部をチャックする爪体(5)が洗浄面(1a)の内側に
位置しているので、ブラシ(3)が爪体(5)に接触せず、洗
浄用ブラシ(3)を基板(1)の外側迄延出させて洗浄する事
が出来、高い洗浄効率と周縁部における洗い残しを最小
限に防ぐ事が出来る。
【００１５】請求項５に記載のスクラビング装置は、
『基板(1)の周縁が嵌まり込むクランプ溝(4)が凹設され
ており、前記クランプ溝(4)を構成する係止突条部分の
両方が基板(1)の表裏両面より内側に位置する基板係止
用爪体となっている基板チャック(6)と、基板(1)を中心
として対称に基板(1)の両面(1a)(1b)に配置され、基板
(1)の表裏両面(1a)(1b)の一端から他端にかけて接触
し、基板(1)の両面(1a)(1b)を洗浄する上・下回転円筒
ブラシ(3a)(3b)と、基板チャック(6)又は上・下回転円
筒ブラシ(3a)(3b)を基板(1)に平行な面内で回転させる
回転機構(8)とで構成された事を特徴とする。これによ
り、前項の作用効果に加えて、両面を同時に洗浄する事
が出来るものである。
【００１６】請求項６に係る基板のスクラビング装置
は、『基板(1)の周縁に配設され、その略全周が嵌まり
込むクランプ溝(4)が凹設され、前記クランプ溝(4)に沿
ってその上面から下面に貫通する流体排出孔(11)が穿設
されている基板チャック(6)と、基板(1)の洗浄面(1a)と
反対側の面(1b)に背圧形成用流体(2)を噴出して基板(1)
に背圧をかけるための背圧パドル(7)と、基板(1)の洗浄
面(1a)に接触し、基板(1)の洗浄面(1a)を洗浄する回転
円筒ブラシ(3a)と、基板チャック(6)又は回転円筒ブラ
シ(3a)を基板(1)に平行な面内で回転させる回転機構(8)
とで構成された』事を特徴とする。
【００１７】これにより、背圧パドル(7)から排出さ
れ、基板(1)上に流れ出た背圧形成用流体(2)は、基板チ
ャック(6)の回転によって生じる遠心力にて円周方向に
押しやられ、クランプ溝(4)に沿って穿設された流体排
出孔(11)から効果的に排出され、基板(1)の上面を清浄
に保つことになる。また、洗浄完了後に基板(1)を高速
回転させて基板(1)に付着している水分を振り切る場合
にも基板(1)から脱離した水分は流体排出孔(11)から効
果的に排出される事になる。
【００１８】請求項７の基板のスクラビング装置は、
『基板(1)の周縁に配設され、その略全周が嵌まり込む
クランプ溝(4)が凹設され、前記クランプ溝(4)に沿って
その上面から下面に貫通する流体排出孔(11)が穿設され
ている基板チャック(4)と、基板(1)の表裏両面に配置さ
れて基板(1)の表裏両面に接触し、基板(1)の両面を洗浄
する上・下回転円筒ブラシ(3a)(3b)と、基板チャック
(4)又は上・下回転円筒ブラシ(3a)(3b)を基板(1)に平行
な面内で回転させる回転機構(8)とで構成された事を特
徴とする。これにより、前述同様、両面同時洗浄の場合
でも上面側の洗浄水が基板(1)上に溜まる事なくスムー
ズに排出され、スムーズな両面洗浄が可能となる。
【００１９】請求項８では、スクラビング装置は、『洗
浄後の基板(1)に帯電している静電気を除電する除電装
置(J)が、基板洗浄部署(E)又は／及び基板移送路に設置
されている』事を特徴とする。これにより、前述のよう
に洗浄中又は洗浄後に基板(1)に発生した静電気を除電
手段(J)にて効果的に除電する事ができ、空気中の浮遊
塵を吸着することがなく、洗浄後の清浄な状態を保つ事
ができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明方法並びにその装置を実施例と
共に説明する。尚、図に示すものでは、基板(1)として
半導体ウエハを例に説明するが、その他の薄板、例えば
ガラス板、アルミナ、水晶板、セラミック板、サファイ
ヤ板、アルミディスクその他のものに適用できることは
勿論である。図１に示すスクラビング装置(A)は、基板
(1)を洗浄部(E)に搬入、搬出するための移送ロボット
(C)と、移送ロボット(C)に基板(1)を供給するためのロ
ーダ(B)、洗浄が完了した基板(1)を収納するアンローダ
(D)、並びに装置全体をコントロールする制御部(F)、基
板洗浄用の洗浄部(E)並びにこれら装置を載置する装置
本体(G)とで構成されている。
【００２１】ローダ(B)はカセット(54)に収納された未
処理基板(1)をセットし、移送ロボット(C)の取り出しに
合わせて１ステップづつ上昇又は下降して、未処理基板
(1)を所定の位置に移動させるものである。アンローダ
(D)は、逆に洗浄部(E)にて裏面洗浄され、移送ロボット
(C)にて移送されて来た基板(1)を収納するカセット(54)
を載置するためのもので、基板(1)の供給に合わせて１
ステップづつ上昇又は下降して、カセット(54)の空の収
納部を準備するためのものである。移送ロボット(C)
は、基板(1)をローダ(B)から取り出して洗浄部(E)に供
給し、且つ洗浄部(E)にて裏面洗浄された基板(1)を洗浄
部(E)から取り出し、アンローダ(D)に移送するためのも
のである。尚、移送ロボット(C)の設置部署には除塵手
段(J)としての紫外線発生ランプ(88)が設置されてい
る。紫外線発生ランプ(88)の作用については後述する。
これらローダ(B)、アンローダ(D)及び移送ロボット(C)
は既知の構造であるので、その詳細は省略する。
【００２２】図２及び図３は本発明に係る洗浄部(E)の
断面図で、基板チャック(6)がスライダ(9)を介して回転
上部ハウジング(10)にスライド自在に取り付けられてい
る。基板チャック(6)はリング状のもので、三分割され
ており、図４、図５に示すようにそのチャック径が拡縮
出来るようになっている。基板チャック(6)の内周には
自動調芯クランプ溝(4)が形成されており、薄板の基板
(1)の全周をチャック出来るようになっている。
【００２３】図６は自動調芯クランプ溝(4)の部分拡大
断面図で、基板チャック(6)の内周側側面に自動調芯ク
ランプ溝(4)が形成されている。自動調芯クランプ溝(4)
は、基板(1)の外周面に当接する内側面(4a)と、その下
方に位置し、基板(1)の下部テーパー面を支持する爪体
(5)と、その上方に位置する上部スライド傾斜面(4b)と
で構成されている。図６の実施例では、上部スライド傾
斜面(4b)の形状は、その断面がわずかな凸と凹とがなだ
らかに曲線で接続されている曲面で形成されており、そ
の断面形状はＳ字状に形成されていて、内側面(4a)にな
だらかにつながっている。これにより、自動調芯クラン
プ溝(4)内に嵌め込まれる基板(1)の周縁は上部スライド
傾斜面(4b)に沿って極く僅かにスライドし、内側面(4a)
内に嵌まり込み、爪体(5)にてその周縁のテーパー部分
が保持される事になる。爪体(5)は基板(1)の周縁の下部
テーパー面に僅かに係合するだけのもので、爪体(5)の
下面は基板(1)の下面である洗浄面(1a)より突出しない
ようになっている。
【００２４】基板チャック(6)の内周近傍には所定間隔
で、複数個の流体排出孔(11)が穿設されており、その穿
設方向は自動調芯クランプ溝(4)の接線方向となってい
る。流体排出孔(11)の穿設位置は、基板チャック(6)の
内側面から下面にかけて下り傾斜に形成されており、基
板(1)の背圧面(1b)上に流出した流体が円滑に流体排出
孔(11)を通って下側に円滑に排出されるようになってい
る。
【００２５】基板チャック(6)はローラ取付ブロック(70
b)に固着された拡縮ガイド(12)によって、互いに連結さ
れており、拡縮ガイド(12)のスライド部(12a)が隣接せ
る基板チャック(6)のローラ取付ブロック(70a)に穿設さ
れたスライド孔(71a)にスライド自在に保持されてお
り、隣接せる一対の基板チャック(6)に設けられた拡張
ローラ(13)間に拡張シリンダヘッド(14)を挿入すること
により、図４に示すように基板チャック(6)の相互間の
間隔を拡大する。このとき、スライド部(70a)がスライ
ド孔(71a)から抜け出る方向に移動することになる。
【００２６】基板チャック(6)の拡縮スライドは、基板
チャック(6)の下面にそれぞれ配設されたスライダ(9)を
介して行われることになる。基板チャック(6)のチャッ
ク径の拡大は、前述のように拡張シリンダヘッド(14)に
て行われるが、チャック径の収縮は拡張シリンダヘッド
(14)の反対側に位置するチャック径収縮用シリンダ(15)
によって行われる。即ち、チャック径収縮用シリンダ(1
5)を作動させて基板チャック(6)を押圧することによ
り、スライド部(12a)はスライド孔(71a)内に押し戻さ
れ、基板チャック(6)全体が図５のように閉じられる事
になる。この際、拡張シリンダヘッド(14)は後方に引き
戻されている事になる。尚、基板チャック(6)が前述の
ように閉じられ、基板(1)の周縁部を自動調芯クランプ
溝(4)内にクランプした場合、拡縮ガイド(12)の１つが
ロック機構(H)によって固定され、回転時の遠心力によ
って基板チャック(6)が開かないようになっている。ロ
ック機構(H)については後述する。
【００２７】前記回転上部ハウジング(10)は回転ヘッド
カバー(16)を介して回転筒(17)に接続されている。回転
筒(17)には従動プーリ(18)が取り付けられており、駆動
ベルト(19)を介して基板回転用駆動モータ(21)の駆動プ
ーリ(20)に接続されている。これにより基板回転用駆動
モータ(21)の回転力は従動プーリ(18)に伝達され、基板
チャック(6)が回転することになる。従動プーリ(18)に
は位置決めカム(22)が取り付けられており、位置決めカ
ムフォロア(23)が位置決めカム(22)の溝に嵌まり込ん
で、基板チャック(6)が常時所定の位置で強制的に停止
させられる様になっているのであるが、常時正確に位置
決めカムフォロア(23)が位置決めカム(22)の溝に嵌まり
込むようにするために、位置決めセンサ(24)によって停
止位置が常時センシングされている。この手段も常套手
段であるので、詳細は省く。
【００２８】(24)は回転筒(17)の外側に嵌め込まれた固
定ハウジングで、ベアリングを介して回転筒(17)を回転
可能に保持している。(25)は固定ハウジング(24)の上端
に設けられた固定防液カバーである。下ベースプレート
(26)には柱(27)が立設されており、その上端に固定ブロ
ック(29)が固定されている。(28)は固定ブロック(29)の
上端に取り付けられ、回転ヘッドカバー(16)を上から覆
う固定ヘッドカバーである。
【００２９】固定ブロック(29)の中心には基板受けシリ
ンダロッド(30)がスライド自在に挿通されており、固定
ブロック(29)の下方に設置された基板受け作動シリンダ
(31)によって昇降自在に駆動されるようになっている。
基板受けシリンダロッド(30)の上端には断面Ｖ字状の基
軸受け中間部材(32)が取り付けられており、基軸受け中
間部材(32)から基板受け棒(33)が立設されている。基板
受け棒(33)の数は本実施例では４本設けられており、そ
の先端に緩衝材(34)を介して受けヘッド(35)が被嵌され
ている。
【００３０】(36)は円筒ブラシ(3)の下方に配設された
断面Ｖ字型の液受け部材である。(37)は固定ブロック(2
9)にスライド自在に挿通されたブラシ昇降バーで、ブラ
シ昇降バー(37)の下端にはブラシ昇降シリンダ(38)が取
付られていて、ブラシ滑降バー(37)を昇降するようにな
っている。ブラシ昇降バー(37)の上端には、ブラシ取付
部材(39)が取付られており、ブラシ取付部材(39)の上端
に円筒ブラシ(3)が回転自在に保持されている。
【００３１】円筒ブラシ(3)は回転軸(40)の回りに回転
自在に保持されており、回転軸(40)の一端に(41)が取り
付けられている。ブラシ従動プーリ(41)にはブラシ駆動
ベルト(42)が懸架されており、ブラシ駆動モータ(44)の
ブラシ駆動プーリ(43)に接続され、ブラシ駆動プーリ(4
3)の回転力が円筒ブラシ(3)に伝わる様になっている。
円筒ブラシ(3)は、本実施例ではバフが使用されており
（勿論、これに限られず、毛足の長いものや逆に毛足の
短いものなど、用途に合わせて適宜のものが使用され
る。）、十分に含水するようになっている。
【００３２】(45)は固定ブロック(29)に設けられた排水
管で、固定ブロック(29)上に滴下してくる流体を排出す
る働きを持つ。(46)は洗浄液噴射ノズルで、固定ブロッ
ク(29)に設けられた洗浄用配管(47)に接続され、洗浄液
噴射ノズル(46)の先端部から円筒ブラシ(3)に向かって
洗浄液を噴射するようになっている。洗浄液は本実施例
では純水が用いられるが、これに限られず、アルコール
類などの液体や、チッソガスやアルゴンガスなどの不活
性ガスなども用いる事ができる。。なお、超純水を背圧
形成用流体(2)に使用する場合は、チャージアップの危
険性があるので、ＣＯ2ガスなどを含んだ導電率を一度
下げた純水が帯電防止の点で好ましい。気体の場合も同
様で、イオナイザを通したガスが好ましい。
【００３３】(7)は円筒ブラシ(3)の直上に配置される背
圧パドルで、基板(1)に向かって昇降するようになって
おり、その中心に流体噴出口(7a)が穿設されている。流
体噴出口(7a)は円筒ブラシ(3)の直上にて基板(1)の中心
に孔状のものが一か所設けられてもよいが、円筒ブラシ
(3)の長手方向に沿って多数一列に形成してもよいし、
スリット上に形成しても良い。本実施例では背圧パドル
(7)の下面にスリット状の流体噴出口(7a)が形成されて
おり、その溝状流体噴出口(7a)に沿って背圧用流体が流
出するようになっている。前述のように、背圧用流体
は、チッソガスのような不活性ガスでもよいし、純水の
ような液体でもよい。
【００３４】(49)は背圧パドル(7)内に取り付けられた
変位センサーで、比較器(50)の一方の端子に入力され、
基準電圧と比較されて基板(1)の変位量である比較器(5
0)の出力がドライバ(51)に入力され、レギュレータ(52)
を駆動して流体噴出口(7a)から吹き出される背圧流体
(2)の吹き出し圧が調整される。(53)は気体供給源で、
レギュレータ(52)に一定の圧力で流体(2)を供給してい
る。そのブロック回路を図２０に示す。
【００３５】次に、洗浄部(E)や移送ロボット(C)の設置
部署に設置された除電装置(J)について説明する。除電
装置(J)としては、本実施例では重水素ランプ、水銀ラ
ンプ、バリアランプ(86)などのランプ類が使用される。
（勿論、除電手段はこれに限られず、コロナ放電を用
いたイオナイザによる除電、アイソトープによる除
電、電子線照射による除電、プラズマ除電、軟Ｘ
線照射による除電なども適用可能であるがランプ類の使
用が最も手軽であり、且つ使用に際して有害塵埃を発生
する事もない。）ここでは、紫外線を放出する前記ラン
プを利用してダストフリーにて除電する場合を例にとっ
て説明する。
【００３６】次に、前記ランプ(88)(89)による除電メカ
ニズムに付いて簡単に説明する。前記ランプ(88)(89)
は、紫外線を放出するものであるが、紫外線の波長が短
い場合は照射部分の周囲のガスをイオン化して基板(1)
の除塵面(1a)を電気的に中和する事になる。波長の長い
紫外線では、光電子を発生させる（即ち、紫外線は、そ
のガラス封管から光電子を発生し、それによって基板
(1)の正のチャージを消し、更に前記紫外線が帯電体{＝
基板(1)}に当たって帯電体(1)自体が光電子を発生させ
る事によって負のチャージを消去する）事により除電す
る。水銀ランプの場合は、超高圧、高圧及び低圧の３種
類がある。短波長の紫外線を利用する場合は、低圧水銀
ランプが適当である。従って、紫外線による除電は、帯
電している基板(1)に直接照射する事が重要であり、且
つ光電子発生はエネルギが大きいほど大きいので、波長
は短く照射強度が大きい方がよい。
【００３７】次に、ロック機構(H)について詳述する。
(H)はロック機構で、拡縮ガイド(12)のガイドロック部
(12c)を挟持して基板チャック(6)の回転時の遠心力によ
る拡張を阻止するものである。基板チャック(6)の繋ぎ
目(6a)には一対のローラ取付ブロック(70a)(70b)が設け
られており、ローラ取付ブロック(70b)にロック用ブロ
ック(70c)が一体的に連接されており、ローラ取付ブロ
ック(70b)とロック用ブロック(70c)との間に絶縁溝(68)
が形成されている。回転上部ハウジング(10)の上端には
ロックシャフト本体(67)が立設されており、ロック用ブ
ロック(70c)の開口側を貫通している。ロック用ブロッ
ク(70c)の上方には逆Ｕ字状の作動レバー(61)が配置さ
れており、作動レバー(61)に水平に配設されたロック水
平軸(62)に貫通してロックシャフト(66)が挿通されてお
り、調整ナット(62a)にてロックシャフト(66)の高さを
調節可能に固着している。尚、ロックシャフト(66)とロ
ックシャフト本体(67)とは一体的となっている。
【００３８】ロック水平軸(62)には更にロックレバー取
付バー(62b)が固着されており、ロックシャフト(62)の
回動と共に回動するようになっている。ロックレバー取
付バー(62b)の下端にはロックローラ(63)がローラ取付
軸(64)にて回転自在に設置されており、ロック用ブロッ
ク(70c)の開口側を押圧するようになっている。回転上
部ハウジング(10)の周囲に配設されたブロック取付台(6
5)上には係止ブロック(72)が設置されており、側面に係
止溝(72a)が凹設されていて、ロック用ブロック(70c)の
下部部分から突出した係止用ボルト(73)が嵌まり込むよ
うになっている。係止ブロック(72)の上方にはレバー作
動ブロック(74)が設置されており、レバー作動ブロック
(74)には昇降自在に設置されており、ロックシリンダ(6
0)が装着されており、係止ブロック(72)にはロックシリ
ンダ(60)のシリンダロッド(60a)が装着されていて、レ
バー作動ブロック(74)を昇降するようになっている。レ
バー作動ブロック(74)にはレバー作動溝(74a)が形成さ
れており、作動レバー(61)が嵌まり込むようになってい
る。係止ブロック(72)には昇降ガイド(75)が立設されて
おり、レバー作動ブロック(74)がスライド自在に挿通さ
れていてレバー作動ブロック(74)の昇降時のガイドとな
っている。
【００３９】次に、本発明の作用を図１及び図１２から
図１４に従って説明する。ローダ(B)には基板(1)を多数
収納したカセット(54)が設置されており、アンローダ
(D)には空のカセット(54)が設置されている。制御部(F)
を操作して、移送ロボット(C)を作動させ、ローダ(B)か
ら基板(1)を一枚取り出す。取り出された基板(1)は移送
ロボット(C)によって洗浄部(E)へ供給されるのである
が、図９に示すように、基板チャック(6)は拡張シリン
ダヘッド(14)の作用によって図４のように拡張されてお
り、移送ロボット(C)にて基板(1)の周縁部をクランプさ
れた基板(1)が拡開された基板チャック(6)の中に挿入さ
れる。
【００４０】この時、基板受け棒(33)は基板受け作動シ
リンダ(31)の作用によって基板チャック(6)の自動調芯
クランプ溝(4)より上に突出しており、基板(1)の洗浄面
(1a)に当接するようになっている。基板(1)が基板受け
棒(33)の受けヘッド(35)の上に載置されると、移送ロボ
ット(C)は基板(1)の周縁から離脱し、基板(1)を受けヘ
ッド(35)上に設置する。次いで、基板受け作動シリンダ
(31)が逆作動して基板(1)が基板チャック(6)の自動調芯
クランプ溝(4)にほぼ一致する位置まで下がり、この時
点で停止する。図６にその状態の拡大図を示す。図６の
仮想線にて示すように、基板(1)は自動調芯クランプ溝
(4)の内側面(4a)によりやや上に保持されるようになっ
ており、チャック径収縮用シリンダ(15)の作用によって
基板チャック(6)が閉じられた時、基板(1)の周縁部が自
動調芯クランプ溝(4)の上部スライド傾斜面(4b)に接触
し、上部スライド傾斜面(4b)に沿って下方に移動し、基
板(1)の周縁部が内側面(4a)に正確に嵌まり込むように
なっている。この時基板チャック(6)の爪体(5)は基板
(1)の周縁のテーパー部の下面に当接しており、基板チ
ャック(6)の下面は基板(1)の(1a)より下側に突出しない
ようになっている。
【００４１】自動調芯クランプ溝(4)による基板(1)の自
動調心クランプが完了すると、基板受け作動シリンダ(3
1)がさらに作動して基板受け棒(33)を下に下げ、基板
(1)の洗浄面(1a)から離間するようにする。この間に、
移送ロボット(C)はホームポジションに戻り、基板(1)の
洗浄完了を待って洗浄部(E)から洗浄済みの基板(1)を取
り出す準備に入っている。移送ロボット(C)が基板(1)の
上方からホームポジションに移動すると、背圧パドル
(7)が上方から降下し、基板(1)の背圧面(1b)の直上にて
停止する。その後、又は、降下と同時に背圧用流体(2)
を噴出し、基板(1)の背圧面(1b)上に背圧をかける。一
方、円筒ブラシ(3)は基板(1)の下方に待機しており、ブ
ラシ昇降シリンダ(38)の作動により上方に持ち上げら
れ、基板(1)の洗浄面(1a)に接触する。これと同時に洗
浄液噴射ノズル(46)から洗浄液が円筒ブラシ(3)に向か
って噴射され、円筒ブラシ(3)を濡らす。円筒ブラシ(3)
はブラシ駆動モータ(44)の回転によって回転し、(1a)を
洗浄する。又、円筒ブラシ(3)の洗浄と同時に回転上部
ハウジング(10)が基板回転用駆動モータ(21)によって回
転され、基板チャック(6)にチャックされた基板(1)をそ
の平面内で回転する。これにより、基板(1)の洗浄面(1
a)は円筒ブラシ(3)と線接触し、且つその平面内で回転
するので、円筒ブラシ(3)により全面が高速洗浄される
事になる。
【００４２】図６に示すように円筒ブラシ(3)は基板(1)
の外周を越えて基板チャック(6)側に伸びており、爪体
(5)が洗浄面(1a)より下に突出していないので、洗浄面
(1a)をほとんど洗い残しなく洗浄面(1a)の全面洗浄する
事ができるようになっている。背圧パドル(7)から噴射
される背圧用流体(2)は、前述のように窒素ガスのよう
な気体であっても良いし、純水のような液体であっても
良い。液体の場合には内側面(4a)に開口し、基板チャッ
ク(6)の下面に通ずる流体排出孔(11)が自動調芯クラン
プ溝(4)に沿って複数個穿設されているので、基板チャ
ック(6)が回転した時、基板(1)の上に溜まった背圧用流
体は流体排出孔(11)を通って基板チャック(6)の下方に
流出し、基板(1)上に溜まらない事になる。なお、流体
排出孔(11)の穿設方向は、自動調芯クランプ溝(4)の接
線方向に伸びた楕円形乃至長円形のものである。
【００４３】次にロック機構(H)の作用について述べ
る。洗浄時基板チャック(6)を回転させると、その遠心
力によって基板チャック(6)は径方向に移動し、自動調
芯クランプ溝(4)のチャック径を拡大する方向に移動し
ようとする。そこでチャック径収縮用シリンダ(15)の作
用によって基板チャック(6)のチャック径を押し縮めた
後、ロックシリンダ(60)を作動させてレバー作動ブロッ
ク(74)を引き上げ、レバー作動溝(74a)に係合している
作動レバー(61)を上方に回動させる。すると(64)に固着
されているロック水平軸(62)を介してローラ取付軸(64)
が図中時計方向に移動し、ロックローラ(63)がロック用
ブロック(70c)の上面を強く押圧し、ロック用擦割溝(6
9)の間隔を狭くする。するとロック用通孔(71c)に挿入
されているガイドロック部(12c)がこれにより強く挟持
される事になる。尚、ロックシリンダ(60)を作動させて
レバー作動ブロック(74)を上方に引き上げる場合、係止
溝(72a)に係止用ボルト(73)が係合しているので基板チ
ャック(6)に無理な曲げ力がかからない。
【００４４】ロックローラ(63)はロック用ブロック(70
c)の弾発力により「即ち、クリック作用」ガイドロック
部(12c)のロック状態を保持する。この状態で基板チャ
ック(6)が回転すると作動レバー(61)はレバー作動溝(74
a)から離脱し、係止用ボルト(73)は係止溝(72a)から離
脱して図のロック状態を保持したまま基板(1)は基板チ
ャック(6)と共に回転する。したがって、ロックシリン
ダ(60)及びロックシリンダ(60)に取り付けられている部
材は回転しない事になる。ロック機構(H)はロック状態
を保持したまま基板チャック(6)と共に回転するのであ
るが、前述のようにロックに必要な部分のみが基板チャ
ック(6)に装着されているので基板チャック(6)の重量を
非常に軽くする事が出来て、基板チャック(6)の回転を
容易にしている。
【００４５】このようにして基板(1)の洗浄面(1a)を円
筒ブラシ(3)にて洗浄するのであるが、背圧パドル(7)に
設けられた変位センサ(49)が基板(1)と変位センサ(49)
との間を常にセンシングしており、基板(1)と変位セン
サ(49)との間の距離が一定となるように背圧パドル(7)
から背圧面(1b)に向かって噴出される背圧用流体(2)の
流量をフィードバック制御するようになっているので、
基板(1)のセンター部分の円筒ブラシ(3)の接触圧も十分
に取ることが出来て洗浄不足を生じない。
【００４６】背圧パドル(7)と円筒ブラシ(3)の関係を見
ると、図４に示すように背圧パドル(7)の流体噴出口(7
a)は円筒ブラシ(3)に沿って細長く伸びており、線状に
背圧をかけるようになっている。これにより周縁のみが
自動調芯クランプ溝(4)のよって保持され、浮揚状態に
保持されている基板(1)の洗浄面(1a)を圧力をかけて円
筒ブラシ(3)にて洗浄する事が出来るものである。基板
(1)の洗浄が終了すると、ブラシ昇降シリンダ(38)が逆
作動して降下し、円筒ブラシ(3)を基板(1)の洗浄面(1a)
から離間させる。同時にブラシ駆動モータ(44)が停止
し、円筒ブラシ(3)の回転を止める。
【００４７】これと同時に背圧パドル(7)からの背圧流
体(2)の噴出を止め、続いて背圧パドル(7)を上方に移動
させ、基板(1)への背圧の印加を停止する。勿論、洗浄
液噴射ノズル(46)の噴射も停止される事になる。円筒ブ
ラシ(3)の基板(1)からの離間及び背圧パドル(7)の離脱
が完了した後、基板回転用駆動モータ(21)の回転速度を
増速し回転上部ハウジング(10)の回転速度を増す。これ
により、基板(1)の表面に付着している水分が遠心力に
より吹き飛ばされ、流体排出孔(11)から流出していく。
これにより、基板(1)は乾燥状態になる。
【００４８】洗浄中には例えば純水のような洗浄液がや
回転ブラシ(3)が基板(1)に接触し、また、乾燥中には基
板(1)を高速回転させるので室内の空気と接触して静電
気が帯電する可能性があり、乾燥中及び乾燥後も除電装
置(J)にて紫外線を基板(1)に照射しておく事により、前
述のメカニズムで基板(1)の除電が行われる。
【００４９】このように、基板(1)の乾燥並びに除電が
行われた後、基板チャック(6)の回転を停止することに
なるが、作動レバー(61)が正確にレバー作動ブロック(7
4)の位置に合致して停止する必要があるため、位置決め
センサ(23a)にて回転上部ハウジング(10)の回転位置を
確認し、位置決めカムフォロア(23)を位置決めカム(22)
に嵌め込む事により、作動レバー(61)の停止位置を正確
に制御するようになっている。
【００５０】作動レバー(61)がレバー作動ブロック(74)
一致する位置で停止し、レバー作動溝(74a)内に作動レ
バー(61)が嵌まり込むと、ロックシリンダ(60)を逆作動
させてレバー作動ブロック(74)を降下させ、レバー作動
溝(74a)内に再度嵌まり込んでいる作動レバー(61)を押
圧して下方に下げ、作動レバー(61)に固着されているロ
ック水平軸(62)を介してロックレバー取付バー(62b)を
図中反時計方向に回動させ、ロックローラ(63)をロック
用ブロック(70c)の上面から脱離させる。これによって
ロック用擦割溝(69)はロック用ブロック(70c)の弾発力
により拡開し、ガイドロック部(12c)はロック用通孔(71
c)の締め込みから解放され自由にスライド出来るように
なる。
【００５１】然る後、拡張シリンダヘッド(14)が再作動
して一対の拡張ローラ(13)の間に挿入され、図４に示す
ように間隙(6a)を開き、基板チャック(6)の内側面(4a)
の直径を拡張して基板(1)を自動調芯クランプ溝(4)から
フリーにする。
【００５２】次に、回転上部ハウジング(10)の停止の後
の動作について説明する。回転上部ハウジング(10)が停
止すると、基板受け作動シリンダ(31)が再作動して基板
受け棒(33)を上昇させ、基板(1)の洗浄面(1a)にその先
端の緩衝材(34)が接触するようにする。その時、緩衝材
(34)のバネ力によって受けヘッド(35)は若干撓む事にな
る。受けヘッド(35)によって基板(1)の洗浄面(1a)が支
持されると前述のように基板チャック(6)が拡開し、基
板(1)が基板チャック(6)の自動調芯クランプ溝(4)から
フリーになり、受けヘッド(35)上のみに載置された状態
となる。この状態で基板受け作動シリンダ(31)を作動さ
せ、基板(1)を載置した状態で基板(1)を基板チャック
(6)の上方に突き出し、基板(1)を移送ロボット(C)にて
引き取る。
【００５３】移送ロボット(C)は、一旦ホームポジショ
ンに戻り、アンローダ(D)に移送される事になるが、ホ
ームポジションに除電装置(J)である紫外線発生ランプ
(88)が設置されていて移送中に室内空気との摩擦によっ
て発生した基板(1)の静電気を除電するようになってい
る。
【００５４】除電された基板(1)が移送ロボット(C)によ
ってアンローダ(D)に移送されると、アンローダ(D)に設
置されたカセット(54)の空の部分に挿入され、これによ
って１枚の基板(1)の片面（裏面）洗浄が終了する。
【００５５】基板(1)の種類又は現場の要請により、表
裏両面の洗浄が要求される場合もあるので、次に両面洗
浄について説明する。両面洗浄用の基板チャック(6)は
そのクランプ部が基板(1)よりも薄く形成されており、
クランプ部の内周に自動調芯クランプ溝(4)が形成され
ており、爪体(5)の基板係止用爪(5a)、(5b)によって基
板(1)の周縁のテーパー部分がチャックされるようにな
っている。
【００５６】基板(1)の両面には昇降可能なブラシ(3a)
(3b)が接触するようになっており、ブラシ(3a)(3b)によ
り同時に基板(1)の両面が洗浄される事になる。従って
両面洗浄の場合は背圧パドル(7)に代わって上側ブラシ
(3b)が存在する点が第一の実施例と相違する点である。
【００５７】洗浄完了後、基板(1)が移送ロボット(C)に
よって引き取られると、基板(1)は移送ロボット(C)によ
ってアンローダ(D)に移送され、アンローダ(D)に設置さ
れたカセット(54)の空き部分に挿入され、これにより基
板(1)の両面洗浄が終了する。この場合は基板(1)の両面
に紫外線を照射するために、除電装置(J)が基板(1)の両
側に設置される事になる。
【００５８】
【発明の効果】以上により、本発明方法及び装置は、優
れた洗浄能力にて基板の洗浄面又は両面を洗浄する事が
でき、また、表面側に適宜な背圧乃至洗浄用円筒ブラシ
が位置するので、ブラッシング洗浄時の接触圧によって
半導体基板の中央部分の撓みを防止して中央部分の洗浄
も十分に行えるようになるという利点があり、更に爪体
が洗浄面から突出しないので、爪体の上からも円筒ブラ
シをかける事が出来、洗い残しを防止する事が出来ると
いう利点もある。加えて、クランプ溝に沿って流体排出
溝を形成しているので、基板上に溜まった流体は基板チ
ャックと共に回転する基板によって生じる遠心力により
円滑に流体が流体排出孔から排出されることになり、基
板上に流体が溜まるようなことがない。従って、上面側
も常時清浄に保たれることになる。加えて、除電装置が
設置されているので、基板が洗浄後に帯電したとしても
除電する事ができ、空気中の浮遊塵が基板の洗浄面に付
着することがなく、洗浄時の清浄性を保つ事ができると
いう利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るスクラビング装置の全体の平面図
【図２】図２は本発明にかかるスクラビング装置の洗浄
部の断面図
【図３】図２の直角方向の断面図
【図４】本発明に係る洗浄部の拡開時の平面図
【図５】本発明に係る洗浄部の収縮状態の平面図
【図６】本発明における基板とクランプ溝との関係を表
す拡大断面図
【図７】本発明に係る洗浄部の胴体部分の断面図
【図８】本発明のロック機構部分の部分平面図
【図９】図８の正面図
【図１０】本発明のロック機構の作動前の部分側面図
【図１１】本発明のロック機構の作動後の部分側面図
【図１２】本発明における洗浄部の基板供給前の状態を
示す概略断面図
【図１３】本発明における洗浄部の基板供給時の概略断
面図
【図１４】本発明における洗浄部の洗浄状態を示す概略
断面図
【図１５】本発明における洗浄部の両面洗浄状態を示す
概略断面図
【図１６】本発明の両面洗浄における洗浄部の基板供給
前の状態を示す概略断面図
【図１７】本発明の両面洗浄における洗浄部の基板供給
後の概略断面図
【図１８】本発明の両面洗浄における洗浄部の洗浄状態
を示す概略断面図
【図１９】本発明の両面洗浄面における基板とクランプ
溝との関係を表す拡大断面図
【図２０】本発明に使用された変位センサーのブロック
回路図
【図２１】従来の洗浄装置の概略図
【符号の説明】
(1)…基板 (1a)…洗浄面 (1b)…洗浄面とは反対側の面 (2)…背圧形成用流体 (3)…円筒ブラシ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年７月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】基板チャック（６）の内周近傍には所定間
隔で、複数個の流体排出孔（１１）が該基板チャック面
と交差する方向で穿設されている。上記各流体排出口
（１１）は断面が楕円形に構成さていて、その穿設方向
は楕円の長軸が自動調芯クランプ溝（４）の接線方向と
なるように設定されている。流体排出孔（１１）の穿設
位置は、基板チャック（６）の内側面から下面にかけて
下り傾斜に形成されており、基板（１）の背圧面（１
ｂ）上に流出した流体が円滑に流体排出孔（１１）を通
って下側に円滑に排出されるようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】基板チャック（６）はローラ取付ブロック
（７０ｂ）に固着された拡縮ガイド（１２）によって、
互いに連結されており、拡縮ガイド（１２）のスライド
部（１２ａ）が隣接せる基板チャック（６）のローラ取
付ブロック（７０ａ）に穿設されたスライド孔（７１
ａ）にスライド自在に保持されており、隣接せる一対の
基板チャック（６）に設けられた拡張ローラ（１３）間
に拡張シリンダヘッド（１４）を挿入することにより、
図４に示すように基板チャック（６）の相互間の間隔を
拡大する。このとき、スライド部（１２ａ）がスライド
孔（７１ａ）から抜け出る方向に移動することになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】前記回転上部ハウジング（１０）は回転ヘ
ッドカバー（１６）を介して回転筒（１７）に接続され
ている。回転筒（１７）には従動プーリ（１８）が取り
付けられており、駆動ベルト（１９）を介して基板回転
用駆動モータ（２１）の駆動プーリ（２０）に接続され
ている。これにより基板回転用駆動モータ（２１）の回
転力は従動プーリ（１８）に伝達され、基板チャック
（６）が回転することになる。従動プーリ（１８）には
位置決めカム（２２）が取り付けられており、位置決め
カムフォロア（２３）が位置決めカム（２２）の溝に嵌
まり込んで、基板チャック（６）が常時所定の位置で強
制的に停止させられる様になっているのであるが、常時
正確に位置決めカムフォロア（２３）が位置決めカム
（２２）の溝に嵌まり込むようにするために、位置決め
センサによって停止位置が常時センシングされている。
この手段も常套手段であるので、詳細は省く。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】円筒ブラシ（３）は回転軸（４０）の回り
に回転自在に保持されており、回転軸（４０）の一端に
ブラシ従動プーリ（４１）が取り付けられている。ブラ
シ従動プーリ（４１）にはブラシ駆動ベルト（４２）が
懸架されており、ブラシ駆動モータ（４４）のブラシ駆
動プーリ（４３）に接続され、ブラシ駆動プーリ（４
３）の回転力が円筒ブラシ（３）に伝わる様になってい
る。円筒ブラシ（３）は、実施例ではバフが使用されて
おり（勿論、これに限られず、毛足の長いものや逆に毛
足の短いものなど、用途に合わせて適宜のものが使用さ
れる。）、十分に含水するようになっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】（４９）は背圧パドル（７）内に取り付け
られた変位センサーで、比較器（５０）の一方の端子に
入力され、基準電圧と比較されて基板（１）の変位量で
ある比較器（５０）の出力がドライバ（５１）に入力さ
れ、レギュレータ（５２）を駆動して流体噴出口（７
ａ）から吹き出される背圧流体（２）の吹き出し圧が調
整される。（５３）は流体供給源で、レギュレータ（５
２）に一定の圧力で流体（２）を供給している。そのブ
ロック回路を図２０に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】次に、ロック機構（Ｈ）について詳述す
る。（Ｈ）はロック機構で、拡縮ガイド（１２）のガイ
ドロック部（１２ｃ）を挟持して基板チャック（６）の
回転時の遠心力による拡張を阻止するものである。基板
チャック（６）の繋ぎ目（６ａ）には一対のローラ取付
ブロック（７０ａ）（７０ｂ）が設けられており、ロー
ラ取付ブロック（７０ａ）にロック用ブロック（７０
ｃ）が一体的に連接されており、ローラ取付ブロック
（７０ａ）とロック用ブロック（７０ｃ）との間に絶縁
溝（６８）が形成されている。回転上部ハウジング（１
０）の上端にはロックシャフト本体（６７）が立設され
ており、ロック用ブロック（７０ｃ）の開口側を貫通し
ている。ロック用ブロック（７０ｃ）の上方には逆Ｕ字
状の作動レバー（６１）が配置されており、作動レバー
（６１）に水平に配設されたロック水平軸（６２）に貫
通してロックシャフト（６６）が挿通されており、調整
ナット（６２ａ）にてロックシャフト（６６）の高さを
調節可能に固着している。尚、ロックシャフト（６６）
とロックシャフト本体（６７）とは一体的となってい
る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３８】ロック水平軸（６２）には更にロックレバ
ー取付バー（６２ｂ）が固着されており、ロック水平軸
（６２）の回動と共に回動するようになっている。ロッ
クレバー取付バー（６２ｂ）の下端にはロックローラ
（６３）がローラ取付軸（６４）にて回転自在に設置さ
れており、ロック用ブロック（７０ｃ）の開口側を押圧
するようになっている。回転上部ハウジング（１０）の
周囲に配設されたブロック取付台（６５）上には係止ブ
ロック（７２）が設置されており、側面に係止溝（７２
ａ）が凹設されていて、ロック用ブロック（７０ｃ）の
下部部分から突出した係止用ボルト（７３）が嵌まり込
むようになっている。係止ブロック（７２）の上方には
レバー作動ブロック（７４）が設置されており、レバー
作動ブロック（７４）にはロックシリンダ（６０）が装
着されており、係止ブロック（７２）にはロックシリン
ダ（６０）のシリンダロッド（６０ａ）が装着されてい
て、レバー作動ブロック（７４）を昇降するようになっ
ている。レバー作動ブロック（７４）にはレバー作動溝
（７４ａ）が形成されており、作動レバー（６１）が嵌
まり込むようになっている。係止ブロック（７２）には
昇降ガイド（７５）が立設されており、レバー作動ブロ
ック（７４）がスライド自在に挿通されていてレバー作
動ブロック（７４）の昇降時のガイドとなっている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】次に、本発明の作用を図１及び図１２から
図１４に従って説明する。ローダ（Ｂ）には基板（１）
を多数収納したカセット（５４）が設置されており、ア
ンローダ（Ｄ）には空のカセット（５４）が設置されて
いる。制御部（Ｆ）を操作して、移送ロボット（Ｃ）を
作動させ、ローダ（Ｂ）から基板（１）を一枚取り出
す。取り出された基板（１）は移送ロボット（Ｃ）によ
って洗浄部（Ｅ）へ供給されるのであるが、基板チャッ
ク（６）は拡張シリンダヘッド（１４）の作用によって
図４のように拡張されており、移送ロボット（Ｃ）にて
基板（１）の周縁部をクランプされた基板（１）が拡開
された基板チャック（６）の中に挿入される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４３】次にロック機構（Ｈ）の作用について述べ
る。洗浄時基板チャック（６）を回転させると、その遠
心力によって基板チャック（６）は径方向に移動し、自
動調芯クランプ溝（４）のチャック径を拡大する方向に
移動しようとする。そこでチャック径収縮用シリンダ
（１５）の作用によって基板チャック（６）のチャック
径を押し縮めた後、ロックシリンダ（６０）を作動させ
てレバー作動ブロック（７４）を引き上げ、レバー作動
溝（７４ａ）に係合している作動レバー（６１）を上方
に回動させる。すると作動レバー（６１）に固着されて
いるロック水平軸（６２）を介してロックレバー取付バ
ー（６２ｂ）が図中時計方向に回動し、ロックローラ
（６３）がロック用ブロック（７０ｃ）の上面を強く押
圧し、ロック用擦割溝（６９）の間隔を狭くする。する
とロック用通孔（７１ｃ）に挿入されているガイドロッ
ク部（１２ｃ）がこれにより強く挟持される事になる。
尚、ロックシリンダ（６０）を作動させてレバー作動ブ
ロック（７４）を上方に引き上げる場合、係止溝（７２
ａ）に係止用ボルト（７３）が係合しているので基板チ
ャック（６）に無理な曲げ力がかからない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４９】このように、基板（１）の乾燥並びに除電
が行われた後、基板チャック（６）の回転を停止するこ
とになるが、作動レバー（６１）が正確にレバー作動ブ
ロック（７４）の位置に合致して停止する必要があるた
め、位置決めセンサにて回転上部ハウジング（１０）の
回転位置を確認し、位置決めカムフォロア（２３）を位
置決めカム（２２）に嵌め込む事により、作動レバー
（６１）の停止位置を正確に制御するようになってい
る。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１７】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小中 敏典 東京都台東区谷中３丁目６番16号 エム・ セテック株式会社内 (72)発明者 村井 剛 東京都台東区谷中３丁目６番16号 エム・ セテック株式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の洗浄面の反対側の面に背圧
    用形成流体を噴出して基板に背圧をかけつつ基板の洗浄
    面を回転円筒ブラシで洗浄する事を特徴とする基板のス
    クラビング方法。
  2. 【請求項２】 基板を中心に基板の両面に円筒ブ
    ラシを対称に配置し、基板の両面を回転円筒ブラシで洗
    浄する事を特徴とする基板のスクラビング方法。
  3. 【請求項３】 基板の洗浄後、基板を乾燥させて
    から基板に帯電している静電気を除電手段にて除電する
    ことを事を特徴とする請求項１又は２に記載の基板のス
    クラビング方法。
  4. 【請求項４】 基板の周縁が嵌まり込むクランプ
    溝が凹設されており、前記クランプ溝を構成する洗浄側
    係止突条部分が基板の洗浄面より内側に位置する基板係
    止用爪体となっている基板チャックと、基板の洗浄面と
    反対側の面に背圧用形成流体を噴出して基板に背圧をか
    けるための背圧パドルと、基板の洗浄面の一端から他端
    にかけて接触し、基板の洗浄面を洗浄する回転円筒ブラ
    シと、基板チャック又は回転円筒ブラシを基板に平行な
    面内で回転させる回転機構とで構成された事を特徴とす
    る基板のスクラビング装置。
  5. 【請求項５】 基板の周縁が嵌まり込むクランプ
    溝が凹設されており、前記クランプ溝を構成する係止突
    条部分の両方が基板の表裏両面より内側に位置する基板
    係止用爪体となっている基板チャックと、基板を中心と
    して対称に基板の両面に配置され、基板の表裏両面の一
    端から他端にかけて接触し、基板の両面を洗浄する上・
    下回転円筒ブラシと、基板チャック又は上・下回転円筒
    ブラシを基板面に平行な面内で回転させる回転機構とで
    構成された事を特徴とする基板のスクラビング装置。
  6. 【請求項６】 基板の周縁に配設され、その略全
    周が嵌まり込むクランプ溝が凹設され、前記クランプ溝
    に沿ってその上面から下面に貫通する流体排出孔が穿設
    されている基板チャックと、基板の洗浄面と反対側の面
    に背圧形成用流体を噴出して基板に背圧をかけるための
    背圧パドルと、基板の洗浄面に接触し、基板の洗浄面を
    洗浄する回転円筒ブラシと、基板チャック又は回転円筒
    ブラシを基板面に平行な面内で回転させる回転機構とで
    構成された事を特徴とする基板のスクラビング装置。
  7. 【請求項７】 基板の周縁に配設され、その略全
    周が嵌まり込むクランプ溝が凹設され、前記クランプ溝
    に沿ってその上面から下面に貫通する流体排出孔が穿設
    されている基板チャックと、基板の表裏両面に配置され
    て基板の表裏両面に接触し、基板の両面を洗浄する上・
    下回転円筒ブラシと、基板チャック又は上・下回転円筒
    ブラシを基板に平行な面内で回転させる回転機構とで構
    成された事を特徴とする基板のスクラビング装置。
  8. 【請求項８】 洗浄後の基板に帯電している静電
    気を除電する除電装置が、基板洗浄部又は／及び基板移
    送路に設置されている事を特徴とする請求項４乃至７の
    何れかに記載のスクラビング装置。
JP6114779A 1993-11-30 1994-04-28 基板のスクラビング方法とその装置 Pending JPH07211677A (ja)

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JP32982093 1993-11-30
JP5-329820 1993-11-30
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