JPH07211847A - 半導体装置とその製造方法及びその搭載構造と搭載方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体素子の寸法にできるだけ近い寸法で半
導体装置を最大限密に回路基板上に配置できる半導体装
置とその製造方法及びその搭載構造と搭載方法を提供す
る。 【構成】 半導体素子８と、半導体素子８に電気的に接
続された複数の金属細条５１，５１と、半導体素子８、
金属細条５１及びこれらの接続部を封止する絶縁性樹脂
の封止部１とを備え、金属細条５１の一端部が前記封止
部１の一主面２上に露出し、該露出部を外部電極とした
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、プリント回路配線板
等の回路基板上に最大限密に搭載するのに用いて好適な
半導体装置とその製造方法及びその搭載構造とその搭載
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１５は従来の半導体装置を示す斜視図
であり、図において、１はトランスファーモールドによ
り絶縁性の樹脂が封止された封止部であり、この封止部
１には図１６に示すように一主面（下面）２と他の主面
（上面）３と側面４が形成されている。５は側面４から
外方に突き出している外部電極リードであり、側面４中
央部から下方に向かって折曲され、その一端部６は半円
状に曲げられてその先端が一主面２の周縁部に接してい
る。この外部電極リード５の他端部７は封止部１中に伸
び、その先端７ａは半導体素子８の電極（図示せず）に
金等からなる金属細線９により電気的に接続されてい
る。この構造はＬＯＣ（Ｌｅａｄ ｏｎ Ｃｈｉｐ）構
造と呼ばれ、半導体素子８の表面上に外部電極リード５
の先端７ａを伸展し、金属細線９で接続する構造で、半
導体素子８の側面の樹脂封止の厚みを小さくでき、該封
止部１の寸法を小さくできる特徴を有する。

【０００３】この半導体装置は、図１７に示すように、
一般にプリント回路配線板（回路基板）１１に搭載して
使用される。この半導体装置をプリント回路配線板１１
に搭載するには、まず、プリント回路配線板１１の表面
に設けられた電極パッド１２に外部電極リード５の一端
部６を位置合わせして載置し、はんだ等の接着材料１３
を用いて一端部６を電極パッド１２に固定し、機械的、
電気的に接続する。

【０００４】ところで、上述した半導体装置では、外部
電極リード５が側面４から突出した状態で形成されてい
るので、該半導体装置を多数並べてプリント回路配線板
１１上に配置する際には、プリント回路配線板１１上の
半導体装置の占有幅は、図１６に示すようにＷ’とな
り、半導体装置の封止部１の幅Ｗより広くする必要があ
る。さらに、プリント回路配線板１１の表面の電極パッ
ド１２の寸法Ｗ”（図１７）は、該装置の外部電極リー
ド５の一端部６の接続部分より大きくする必要があり、
該装置の必要幅Ｗ’よりさらに大きくする必要がある。
このため、該半導体装置を密にプリント回路配線板１１
上に並べられない欠点があった。

【０００５】そこで、この欠点を解消する半導体装置と
して、図１８及び第１９に示すような半導体装置が提案
されている。この半導体装置は、一主面２に突起状の外
部電極２０が形成されたベース部２１とベース部２１の
他の主面を被覆する封止樹脂２２とからなる。該ベース
部２１は積層ガラスエポキシ樹脂製回路基板等からな
り、一主面（下面）２に形成された外部電極２０からベ
ース部２１の内部に形成されたバイアホール２３や、内
部配線２４を通してベース部分の他の主面に設けられた
電極パッド２５に電気的に接続されている。該ベース部
２１に半導体素子８を固着し、金属細線９により該半導
体素子８の電極（図示せず）と該ベース部２１の電極パ
ッド２５を電気的に接続することにより半導体装置の外
部電極２０と接続される。この半導体装置では、外部電
極リードが該半導体装置の側面から突き出していないた
め、該装置の幅寸法より大きくする必要はなく、プリン
ト回路配線板１１へ密に配置できる利点を有する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の改良された半導
体装置は以上のように構成されているので、半導体素子
８と電極パッド２５とを金属細線９で接続しなければな
らず、封止部１の寸法が半導体素子８の寸法より大きく
なるなどの問題点があった。また、この半導体装置では
該装置の一主面２に突起状に外部電極２０が形成されて
いるため、該半導体装置のテストに当たり、テスト装置
の接触端子を位置合わせする際に接触させ難い問題点が
あった。このテストの様子を図により説明する。図２０
は該半導体装置のテストの様子を示す側面図である。図
中、３０は半導体装置をテストするテスト装置の半導体
装置への接触端子である。該接触端子３０は尖った先端
部で半導体装置の一主面２上に配列された外部電極２０
に接触する。この時、外部電極２０が半導体装置の一主
面２より突出していると接触端子３０の先端部が外部電
極２０の表面を滑べってしまい該外部電極２０からはず
れ易くなり、該外部電極２０に接触しないという問題が
生じるなどの問題点があった。

【０００７】更に、この半導体装置をプリント回路配線
板１１上に搭載する場合、該外部電極２０がプリント回
路配線板１１上の電極パッド１２の寸法より大きいた
め、搭載後にその接合部分の信頼性に問題が生じる等の
欠点があった。この様子を図により説明する。図２１
は、一主面２に外部電極２０が形成された半導体装置
（半導体装置内部の構造は図示されていない）をプリン
ト回路配線板１１に搭載した状態を示す側断面図であ
る。図２２は半導体装置の外部電極２０がプリント回路
配線板１１の電極パッド１２に接続された状態を示す拡
大断面図である。一般的には外部電極２０は電極パッド
１２より小さいため、半導体装置とプリント回路配線板
１１の構成材料の熱膨張係数の違いにより熱歪みが電極
接合部に生じる。この歪みは主に接着材料１３の上下部
分で生じ、寸法が大きいプリント回路配線板１１の電極
パッド１２側よりも、小さい半導体装置の外部電極２０
側に発生しやすい。このため外部電極２０側に熱歪みが
蓄積されて最終的にクラック１３ａが生じ、接合部の破
壊をもたらすなどの問題点があった。

【０００８】前記半導体装置をプリント回路配線板１１
に固定する場合、粘着性を有するフラックス等の保持材
料が用いられる。ここで、該半導体装置をプリント回路
配線板１１に搭載する方法について説明する。図２３は
一主面２に外部電極２０，２０，……が形成された半導
体装置をプリント回路配線板１１に搭載する方法を示す
図であり、図において、４１は該半導体装置をプリント
回路配線板１１上で位置合わせしてはんだで固着するま
で該半導体装置を保持し、はんだを加熱し溶融させて固
着させる際にはんだを活性化する為のフラックス等の保
持材料である。また、半導体装置の外部電極２０はプリ
ント回路配線板１１に接続するのに十分な量のはんだで
被覆されている。

【０００９】この方法では、まず、プリント回路配線板
１１の電極パッド１２，１２，……を覆うように保持材
料４１を滴下する（同図（ａ））。この時、保持材料４
１は表面張力により略半球状になる。次いで、電極パッ
ド１２，１２，……上に半導体装置を移動させて位置合
わせを行ない、これらの電極パッド１２，１２，……上
に該半導体装置を載置する（同図（ｂ））。この状態で
は、保持材料４１はプリント回路配線板１１と半導体装
置の隙間に充満し、その粘着性により半導体装置の一主
面２とプリント回路配線板１１の表面とを動かないよう
に保持する。次いで、全体を加熱することにより半導体
装置の外部電極２０のはんだが溶融し、プリント回路配
線板１１の電極パッド１２の表面を濡らす。この状態で
室温まで冷却することによりはんだを凝固させて半導体
装置をプリント回路配線板１１に固着させる。

【００１０】この方法では、プリント回路配線板１１上
の半導体装置を搭載する位置に保持材料４１を滴下する
工程が必要となり、はんだ接着後の残留の保持材料４１
を洗浄して除去する必要があり、余分な工程が必要にな
るという欠点があった。また、半導体装置の外部電極２
０の高さのばらつきがあると高さの低い外部電極２０は
電極パッド１２と接合されず、接続不良が発生するとい
う欠点もあった。

【００１１】また、この半導体装置をプリント回路配線
板１１に搭載する他の方法として、はんだや導電性の接
着樹脂等の接着材料をプリント回路配線板１１上に塗布
して用いる方法が用いられている。図２４は該半導体装
置をプリント回路配線板１１に搭載する他の方法を示す
図であり、図において４２は外部電極２０を電極パッド
１２上に機械的、電気的に固着させるもので、はんだ、
導電性の接着樹脂等からなる接着材料である。

【００１２】この方法では、まず、スクリーン印刷等に
より、該半導体装置の外部電極２０，２０，……を接続
すべき電極パッド１２，１２，……上に接着材料４２を
パターニングする（同図（ａ））。次いで、電極パッド
１２，１２，……上に半導体装置を移動させて位置合わ
せを行ない、これら電極パッド１２，１２，……上に該
半導体装置を載置する（同図（ｂ））。この状態では、
パターンニングされた接着材料４２は半導体装置の外部
電極２０に付着し、該半導体装置を該プリント回路配線
板１１上で動かないように保持する。電極パッド２０の
間隔が小さい場合や、接着材料４２の量が多すぎる場合
には、隣合わせる該接着材料４２のパターンどうしが接
触しショート部分４２ａが生じる。この状態で加熱する
ことにより該半導体装置の外部電極２０と該プリント回
路配線板１１の電極パッド１２間を接続する。

【００１３】この方法では、外部電極２０の高さに若干
のばらつきがあってもこのばらつきを吸収して旨く接合
できる長所があるが、外部電極２０のピッチが狭くなる
と接着材料４２のパターンニングや、半導体装置搭載の
際に、隣合わせの接着材料４２のパターン同士が接触し
易くなり、加熱固着後も接触部分がそのまま残り、電気
的なショート不良が生じ易いなどの問題点があった。

【００１４】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、請求項１ないし１０の発明は半
導体素子の寸法にできるだけ近い寸法で最大限密に回路
基板上に配置できる半導体装置を得ることを目的として
おり、また請求項１１ないし１５の発明はこの半導体装
置に適した製造方法を提供することを目的としており、
また請求項１６の発明は構成全体の信頼性が向上した半
導体装置の搭載構造を得ることを目的としており、さら
に、請求項１７の発明は半導体装置を回路基板上に信頼
性良く搭載する搭載方法を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この請求項１の発明に係
る半導体装置は、電子回路が形成された半導体素子と、
該半導体素子に電気的に接続され、その一端部を外部電
極とした複数の金属細条と、前記一端部が封止面の一主
面上に露出するように、前記半導体素子、複数の金属細
条及び該半導体素子と金属細条との接続部を封止し、か
つ絶縁性を有する樹脂からなる封止部とを備えたもので
ある。

【００１６】また、請求項２の発明に係る半導体装置
は、前記金属細条の少なくともその一部を階段状に折曲
したものである。

【００１７】また、請求項３の発明に係る半導体装置
は、複数の前記金属細条を、一端部が前記一主面上の周
辺部に配置された複数の長片細条と、一端部が前記周辺
部より内側の領域内の前記一主面上に配置され、前記長
片細条より短い複数の短片細条とから構成したものであ
る。

【００１８】また、請求項４の発明に係る半導体装置
は、前記一端部の先端部分を前記一主面の面方向に折曲
し、該先端部分の外面を外部電極としたものである。

【００１９】また、請求項５の発明に係る半導体装置
は、電子回路が形成された半導体素子と、該半導体素子
に電気的に接続され、かつ該接続部から所定の位置に外
部電極となる突起を有する複数の金属細条と、前記突起
の少なくともその一部を封止面の一主面上に露出または
突出させるように、前記半導体素子、複数の金属細条及
び該半導体素子と金属細条との接続部を封止し、かつ絶
縁性を有する樹脂からなる封止部とを備えたものであ
る。

【００２０】また、請求項６の発明に係る半導体装置
は、電子回路が形成された半導体素子と、該半導体素子
に電気的に接続され、かつ該接続部から所定の位置に所
定の長さ折り曲げて外部電極とした折曲部を有する複数
の金属細条と、前記折曲部の少なくともその一部を封止
面の一主面上に露出または突出させるように、前記半導
体素子、複数の金属細条及び該半導体素子と金属細条と
の接続部を封止し、かつ絶縁性を有する樹脂からなる封
止部とを備えたものである。

【００２１】また、請求項７の発明に係る半導体装置
は、前記外部電極の表面を前記一主面に対して窪んだ状
態としたものである。

【００２２】また、請求項８の発明に係る半導体装置
は、前記一主面上の前記外部電極の周囲に、接着材料に
対して濡れ性が良く、かつ該接着材料と固着する金属層
を形成したものである。

【００２３】また、請求項９の発明に係る半導体装置
は、前記一主面上の前記外部電極の設けられていない領
域部分に、接着材料に対して濡れ性が良く、かつ該接着
材料と固着する金属層を形成したものである。

【００２４】また、請求項１０の発明に係る半導体装置
は、前記接着材料をペースト状のはんだまたはシート状
のはんだのいずれか１種としたものである。

【００２５】また、請求項１１の発明に係る半導体装置
の製造方法は、電子回路が形成された半導体装置と外部
リードとなる複数の金属細条とを電気的に接続する接続
工程と、前記金属細条の一主面が封止面の一主面に露出
するように、該金属細条を配置し、前記半導体素子、複
数の金属細条及び該半導体素子と金属細条との接続部
を、絶縁性を有する樹脂により封止する封止工程と、前
記金属細条の露出部分の一部を、封止した樹脂の表面か
ら離間するように該表面の上方へ折り曲げる折曲工程
と、折り曲げた該金属細条を所定の長さに切断する切断
工程とを備えたものである。

【００２６】また、請求項１２の発明に係る半導体装置
の製造方法は、電子回路が形成された半導体素子と、先
端部から所定の位置に突起を有する複数の金属細条の各
先端部とを電気的に接続する接続工程と、前記突起の少
なくとも一部を封止面の一主面より露出または突出させ
るように該金属細条を配置し、前記半導体素子、複数の
金属細条及び該半導体素子と金属細条との接続部を絶縁
性を有する樹脂により封止する封止工程と、前記金属細
条の封止面から外方へ伸びる部分を該封止面に沿って切
断する切断工程とを備えたものである。

【００２７】また、請求項１３の発明に係る半導体装置
の製造方法は、電子回路が形成された半導体素子と、先
端部から所定の位置に所定の長さを折り曲げて外部電極
とした折曲部を有する複数の金属細条の各先端部とを電
気的に接続する接続工程と、前記折曲部の少なくとも一
部を封止面の一主面より露出または突出させるように該
金属細条を配置し、前記半導体素子、複数の金属細条及
び該半導体素子と金属細条との接続部を絶縁性を有する
樹脂により封止する封止工程と、前記金属細条の封止面
から外方へ伸びる部分を該封止面に沿って切断する切断
工程とを備えたものである。

【００２８】また、請求項１４の発明に係る半導体装置
の製造方法は、前記封止工程を、一面に前記突起または
前記折曲部のいずれかの高さより浅い深さの窪みである
第１の凹部が形成された金型の上型となる第１の金型本
体と、一面の前記第１の凹部と対向する位置に前記半導
体素子を収納する窪みである第２の凹部が形成された金
型の下型となる第２の金型本体とを有する封止用金型を
用い、第２の凹部に前記半導体素子を収納し、前記第１
の金型本体の一面と前記第２の金型本体の一面を対向さ
せて密着させることにより前記金属細条を挾持して前記
突起または前記折曲部のいずれかの上端部を前記第１の
凹部の底面に圧接させ、これら第１の凹部及び第２の凹
部により囲まれる樹脂封止領域に前記樹脂を注入する樹
脂封止工程としたものである。

【００２９】また、請求項１５の発明に係る半導体装置
の製造方法は、前記封止工程を、一面に前記突起または
前記折曲部のいずれかの高さより浅い深さの窪みである
第１の凹部が形成され、該第１の凹部の底面の前記突起
または前記折曲部のいずれかの上端部に一致する位置に
前記突起または該折曲部の上端部が封止面より突出する
ように該上端部を収納する収納部が形成された金型の上
型となる第１の金型本体と、一面の前記第１の凹部と対
向する位置に前記半導体素子を収納する窪みである第２
の凹部が形成された金型の下型となる第２の金型本体と
を有する封止用金型を用い、前記第２の凹部に前記半導
体素子を収納し、前記第１の金型本体の一面と前記第２
の金型本体の一面を対向させて密着させることにより前
記金属細条を挾持して前記突起または前記折曲部のいず
れかの上端部を前記収納部に収納し、これら第１の凹部
及び第２の凹部により囲まれる樹脂封止領域に前記樹脂
を注入する樹脂封止工程としたものである。

【００３０】また、請求項１６の発明に係る半導体装置
の搭載構造は、一主面上に、複数の外部電極と接着材料
に対して濡れ性が良く、かつ該接着材料と固着する金属
層とを有する半導体装置と、一面上に前記外部電極を載
置する電極パッドと前記金属層を固着する固着用パッド
とを有する回路基板と、前記金属層及び固着用パッド
に、各々の全面に広がった状態で固着し、かつ、その固
着した高さが前記外部電極の高さより低い接着材料とを
備えたものである。

【００３１】また、請求項１７の発明に係る半導体装置
の搭載方法は、半導体装置の一主面上に設けられた複数
の外部電極をそれぞれ載置する複数の電極パッドと、該
一主面上に設けられた金属層を固着する固着用パッドと
を有する回路基板の該固着用パッド上に、接着材料の占
める面積が該固着用パッドの面積より小さくかつその高
さが前記外部電極の高さより高くなるように、前記金属
層と濡れ性が良くかつ固着する接着材料を付着させる付
着工程と、該接着材料上に前記金属層が、前記電極パッ
ド上に前記外部電極がそれぞれ位置するように回路基板
上で半導体装置の位置合わせを行ない、該回路基板上に
該半導体装置を載置する載置工程と、前記接着材料を前
記金属層及び固着用パッド各々の全面に広げ、該固着用
パッドに前記接着材料を介して前記金属層を固着させる
とともに、前記電極パッドに前記外部電極を接続する接
続工程とを備えたものである。

【００３２】

【作用】この請求項１の発明における半導体装置は、一
端部が外部電極となる複数の金属細条と、前記一端部を
一主面上に露出するように、前記半導体素子、複数の金
属細条及び該半導体素子と金属細条との接続部を封止
し、かつ、絶縁性を有する樹脂からなる封止部とによ
り、該外部電極が前記一主面の面方向外方に突出するこ
とがなくなり、該半導体装置が搭載される回路基板の電
極パッドも前記一主面と略同等の面積内に配列され、該
半導体装置の回路基板上に占める面積が前記一主面と略
同等の面積となる。これより、該半導体装置を回路基板
上に隙間なく最大限密に配置することが可能になる。

【００３３】また、請求項２の発明における半導体装置
は、前記金属細条の少なくとも一部を階段状に折曲した
ことにより、該半導体装置の封止時またはそれ以前に該
金属細条に外力が加わってもこの折曲部により外力が吸
収され、該金属細条が折れ曲がる等の不具合がなくな
る。また、封止後に該金属細条に外力が加わっても該金
属細条が封止部から抜け出るおそれがない。

【００３４】また、請求項３の発明における半導体装置
は、複数の前記金属細条を一端部が前記一主面上の周辺
部に配置された複数の長片細条と、一端部が前記周辺部
より内側の前記一主面上に配置され、前記長片細条より
短い複数の短片細条とから構成したことにより、前記一
主面上の外部電極リードの数が増加する。

【００３５】また、請求項４の発明における半導体装置
は、前記一端部の先端部分を前記一主面の面方向に折曲
し、該折曲された先端部分の外面を外部電極としたこと
により、外部電極の接触面が大きくなる。また、先端部
分の折曲する位置を変えることにより接触面の面積及び
形状を任意に設定することが可能となる。

【００３６】また、請求項５の発明における半導体装置
は、所定の位置に外部電極となる突起を有する複数の金
属細条と、前記突起の少なくともその一部が一主面上に
露出または突出するように、前記半導体素子、複数の金
属細条及び該半導体素子と金属細条との接続部を封止
し、かつ絶縁性を有する樹脂からなる封止部とにより、
該外部電極が一主面の面方向外方に突出することがなく
なり、したがって、該半導体装置の回路基板上に占める
面積が前記一主面と略同等の面積となり、該半導体装置
を回路基板上に隙間なく最大限密に配置することが可能
となる。

【００３７】また、請求項６の発明における半導体装置
は、所定の位置に外部電極となる折曲部を有する複数の
金属細条と、前記折曲部の少なくともその一部が一主面
上に露出または突出するように、前記半導体素子、複数
の金属細条及び該半導体素子と金属細条との接続部を封
止し、かつ絶縁性を有する樹脂からなる封止部とによ
り、該外部電極が一主面の面方向外方に突出することが
なくなり、したがって、該半導体装置の回路基板上に占
める面積が前記一主面と略同等の面積となり、該半導体
装置を回路基板上に隙間なく最大限密に配置することが
可能となる。

【００３８】また、請求項７の発明における半導体装置
は、前記外部電極の表面を前記一主面に対して窪んだ状
態としたことにより、電気特性を測定する際に用いられ
る接触端子の先端部が該外部電極の表面に接触した状態
を保持する。したがって前記先端部が外部電極から外れ
るおそれがなくなる。

【００３９】また、請求項８の発明における半導体装置
は、前記外部電極の周囲に、接着材料に対して濡れ性が
良く、かつ該接着材料と固着する金属層を形成したこと
により、該金属層を前記接着材料を介して回路基板上の
電極パッドの周囲に設けられた固着用パッドに固着させ
て該半導体装置を回路基板上に固定する。この場合、前
記金属層が固定に要する機械的強度のかなりの部分を負
担することになり、したがって外部電極の面積を電気的
接続に必要な最小の面積まで小さくすることが可能とな
る。

【００４０】また、請求項９の発明における半導体装置
は、前記一主面上の前記外部電極の設けられていない領
域部分に、接着材料に対して濡れ性が良く、かつ該接着
材料と固着する金属層を形成したことにより、該金属層
を前記接着材料を介して回路基板上に設けられた固着用
パッドに固着させて該半導体装置を回路基板上に固定す
る。前記金属層は固定に要する機械的強度のかなりの部
分を負担するので、外部電極の面積を電気的接続に必要
な最小の面積まで小さくすることが可能となる。

【００４１】また、請求項１０の発明における半導体装
置は、前記接着材料を、ペースト状のはんだ、またはシ
ート状のはんだのいずれか１種としたことにより、該は
んだを介して金属層と固着用パッドとを固着させ、該半
導体装置を回路基板上に固定する。

【００４２】また、請求項１１の発明における半導体装
置の製造方法は、前記金属細条の一主面が封止面の一主
面に露出するように、該金属細条を配置し前記半導体素
子、複数の金属細条及び該半導体素子と金属細条との接
続部を、絶縁性を有する樹脂により封止する封止工程
と、前記金属細条の露出部分の一部を、封止した樹脂の
表面から離間する方向へ折り曲げる折曲工程と、折り曲
げた該金属細条を所定の長さに切断する切断工程によ
り、封止部の一主面上に、金属細条の露出部分を折曲し
た外部電極を形成するので、該外部電極の間隔を任意に
設定することが可能となる。

【００４３】また、請求項１２の発明における半導体装
置の製造方法は、前記突起の少なくとも一部が封止面の
一主面より露出または突出するように該金属細条を配置
し、前記半導体素子、複数の金属細条及び該半導体素子
と金属細条との接続部を絶縁性を有する樹脂により封止
する封止工程と、前記金属細条の封止面から外方へ伸び
る部分を該封止面に沿って切断する切断工程により、封
止部の一主面上に、露出または突出した外部電極を形成
するので、該外部電極の間隔を任意に設定することが可
能になる。

【００４４】また、請求項１３の発明における半導体装
置の製造方法は、前記折曲部の少なくとも一部が封止面
の一主面より露出または突出するように該金属細条を配
置し、前記半導体素子、複数の金属細条及び該半導体素
子と金属細条との接続部を絶縁性を有する樹脂により封
止する封止工程と、前記金属細条の封止面から外方へ伸
びる部分を該封止面に沿って切断する切断工程により、
封止部の一主面上に、露出または突出した外部電極を形
成するので、該外部電極の間隔を任意に設定することが
可能になる。

【００４５】また、請求項１４の発明における半導体装
置の製造方法は、一面に前記突起または前記折曲部のい
ずれかの高さより浅い深さの第１の凹部が形成された第
１の金型本体と、一面の前記第１の凹部と対向する位置
に前記半導体素子を収納する第２の凹部が形成された第
２の金型本体とを有する封止用金型を用い、第２の凹部
に前記半導体素子を収納し、前記第１の金型本体の一面
と前記第２の金型本体の一面により前記金属細条を挾持
して前記突起または前記折曲部のいずれかの上端部を前
記第１の凹部の底面に圧接させ、これら第１及び第２の
凹部により囲まれる領域に前記樹脂を注入することによ
り、封止部の一主面上に、露出した外部電極を形成する
ので、該外部電極の間隔を任意に設定することが可能に
なる。

【００４６】また、請求項１５の発明における半導体装
置の製造方法は、一面に前記突起または前記折曲部のい
ずれかの高さより浅い深さの第１の凹部が形成され、該
第１の凹部の底面の前記突起または前記折曲部のいずれ
かの上端部に一致する位置に前記突起または前記折曲部
の上端部が封止面より突出するように該上端部を収納す
る収納部が形成された第１の金型本体と、一面の前記第
１の凹部と対向する位置に前記半導体素子を収納する第
２の凹部が形成された第２の金型本体とを有する封止用
金型を用い、第２の凹部に前記半導体素子を収納し、前
記第１の金型本体の一面と前記第２の金型本体の一面に
より前記金属細条を挾持して前記突起または前記折曲部
のいずれかの上端部を前記収納部に収納し、これら第１
及び第２の凹部により囲まれる領域に前記樹脂を注入す
ることにより、封止部の一主面上に、突出した外部電極
を形成するので、該外部電極の突出部の間隔を任意に設
定することが可能になる。

【００４７】また、請求項１６の発明における半導体装
置の搭載構造は、接着材料を、前記金属層及び固着用パ
ッド１２、各々の全面に広がった状態で固着させ、か
つ、その高さを前記外部電極の高さより低くしたことに
より、前記金属層と固着用パッドとは薄い接着層で強固
に固着され、しかも、周囲の電極パッドと接触するおそ
れがなくなり、信頼性が向上する。

【００４８】また、請求項１７の発明における半導体装
置の搭載方法は、固着用パッド上に、その面積が該固着
用パッドの面積より小さく、かつその高さが前記外部電
極の高さより高くなるように、前記金属層と濡れ性が良
くかつ固着する接着材料を付着される付着工程と、該接
着材料上に前記金属層が、前記電極パッド上に前記外部
電極がそれぞれ位置するように半導体装置の位置合わせ
を行ない、回路基板上に該半導体装置を載置する載置工
程と、前記接着材料を前記金属層及び固着用パッド各々
の全面に広げ、該固着用パッドに前記接着材料を介して
前記金属層を固着させるとともに、前記電極パッドに前
記外部電極を接続する接続工程により、前記接着材料を
微細な形状にパターンニングすることなく、該接着材料
を介して前記金属層と固着用パッドとが強固に固着し、
しかも周囲の電極パッドと接触するおそれがない。ま
た、前記接着材料を金属層及び固着用パッド各々の全面
に広げた際に、その表面張力により該半導体装置の外部
電極と回路基板の電極パッドとの位置ずれを補正する。

【００４９】

【実施例】

実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の一実施例の半導体装置を示す斜視
図、図２はそのＣ−Ｃ線に沿う断面図である。図におい
て、５１は半導体装置本体の一主面（下面）２上に突き
出ている外部電極リード（金属細条）である。該外部電
極リード５１にはプリント回路配線板（回路基板）１１
上の電極パッド１２に固着し易いように、その表面には
んだ等の接着材料１３からなる表面被覆が施されてい
る。該外部電極リード５１は、該半導体装置の封止部１
内部に伸展していて、その先端部５２において、金属細
線９により半導体素子８の表面に形成された電極（図示
せず）と電気的に接続されている。

【００５０】この一実施例の半導体装置によれば、外部
電極リード５１が該半導体装置の一主面２上にあり、本
体の外周より内部にあるため、該半導体装置をプリント
回路配線板１１上に搭載するに当り、外部電極リード５
１が接続されるプリント回路配線板１１上の電極パッド
１２を該半導体装置本体の占める領域内に配列できる。
また、従来例のように、半導体装置側面４から外方に突
き出した外部電極リードの領域を必要としないので、該
半導体装置を隙間無く密に配置できる利点を有する。

【００５１】なお、本実施例では半導体素子８と外部電
極リード５１に繋がる先端部５２を金属細線９で接続し
たが、必ずしも金属細線９で接続しなくてもよく、例え
ば両者を直接はんだや金錫共晶結合により接続しても何
等本発明の効果を妨げるものではない。また、外部電極
リード５１から半導体装置の封止部１内部に伸展した部
分の形状等、何等制約を受けないのは勿論である。更
に、トランスファーモールド封止された封止部１の形状
にも何等の制約もないことは勿論である。また、外部電
極リード５１の構成材料、封止樹脂材料に対する制限も
無いことは勿論である。

【００５２】実施例２．図３は、この発明の他の実施例
の半導体装置を示す断面図である。図において、６１は
封止部１内に伸展した金属細条の一部が階段状に折曲さ
れて段部６２とされた外部電極リードである。この外部
電極リード６１においても、表面にはんだ等の接着材料
からなる表面被覆が施されている。

【００５３】この半導体装置によれば、実施例１に示し
た半導体装置の長所を全て備えている外に、外部電極リ
ード６１から本体内部に伸展する部分６２が階段状に折
れ曲がっているため、外部電極リード６１に外力が加わ
っても本体の内部に伸展した部分６２が封止部１から抜
け出ることを防止する効果を有する。

【００５４】なお、本実施例でも、実施例１と同様に形
状、材料等の制限が無いことは言うまでもない。更に、
外部電極リード６１の本体内部に伸展した部分６２の折
れ曲がり形状、階段状の段数にも制限はない事も勿論で
ある。

【００５５】実施例３．図４は本発明の他の実施例の半
導体装置を示す斜視図、図５はそのＤ−Ｄ線に沿う断面
図であり、図において、７１は封止部１の一主面（下
面）２上の周辺部に沿って配列された外側電極リード、
７２は同一主面２上の周辺部より内側に配列された内側
電極リード、７３は外側電極リード７１から封止部１内
に伸展した長片細条の先端部５２であり金属細線９によ
り半導体素子８の電極（図示せず）と電気的に接続され
ている。７４は内側電極リード７２から封止部１内に伸
展した短片細条の先端部５２であり、同様に半導体素子
８の電極と電気的に接続されている。そして、外側電極
リード７１，７１，……及び内側電極リード７２，７
２，……の各表面もはんだ等で表面被覆されている。こ
こで、該両外側内側電極リード７１，７２はほぼ並んで
配置されているので、外側電極リード７１は該本体内部
で、内側電極リード７２より長い階段状の部分７５を経
て先端部７３へ伸びている。

【００５６】この半導体装置においても、実施例１に示
した半導体装置の長所を全て有する外に、外側内側電極
リード７１，７２が複数列に配置されているため、外側
内側電極リード７１，７２の配置数を多くできる利点を
有する。なお、本実施例でも、実施例１と同様に形状、
材料等の制限は無いことは言うまでもない。更に、外側
内側電極リード７１，７２の列数にも制限がない事も勿
論である。

【００５７】実施例４．図６は、この発明の他の実施例
の半導体装置を示す斜視図、図７はそのＥ−Ｅ線に沿う
断面図であり、図において、８１は外部電極リード５１
の先端部分が一主面２の面方向に沿って折れ曲げられた
外部電極である。

【００５８】この半導体装置によれば、外部電極リード
５１の先端部分が本体の一主面（下面）２に垂直になら
ない様に曲げられているので、外部電極８１をプリント
回路配線板上に搭載する時、プリント回路配線板上の電
極パッドに接する外部電極８１の接触面を大きく取れる
利点がある。さらに、接触面の寸法、形状を自由に設定
できる利点も有する。なお、本実施例でも、実施例１と
同様に形状、材料等の制限は無いことは言うまでもな
い。更に、外部電極リード５１の列数にも制限はない事
も勿論である。

【００５９】実施例５．図８は、この発明の半導体装置
の製造方法の一実施例を示す過程図である。図（ａ）は
リードフレーム（金属細条）９１の先端部９１ａと半導
体素子８の表面電極（図示せず）とを金属細線９で電気
的に接続した工程を示す。図（ｂ）はトランスファーモ
ールドにより絶縁性の封止樹脂９２で半導体素子８を封
止する工程を示す。図中、リードフレーム９１に電気的
に接続された半導体素子８と、リードフレーム９１の金
属細線９が接続された先端部９１ａの周辺もエポキシ樹
脂等の封止樹脂９２で封止され、半導体装置の封止部１
が形成される。この時、リードフレーム９１の表面９１
ｂは半導体装置本体の封止部１、一主面２と一致するよ
うに配置されている。図（ｃ）は樹脂封止した後リード
フレームを曲げる工程を示す。図中、リードフレーム９
１は樹脂封止中に埋め込まれた先端部９１ａを残して本
体一主面２に垂直に曲げられる。９３は、リードフレー
ム９１を折り曲げた後、樹脂表面に残るリードフレーム
の跡の溝である。次いで図示していないが、リードフレ
ーム９１表面にはんだ等の低融点金属層をコーティング
して後、リードフレーム９１の本体下面より若干突き出
た状態でリードフレーム９１を切断し、外部電極リード
を形成する。

【００６０】この半導体装置の製造方法によれば、トラ
ンスファーモールドする際の封止用金型を、本体の一主
面２を形成する面を持ち、該主面２を形成する部分の周
辺に、リードフレーム９１の表面９１ｂに接する部分を
有する上型と、半導体素子８の周囲を被覆するための窪
みを持ち、該窪み部分の周辺に、リードフレーム９１の
表面９１ｂに対する他の表面に接する部分を有する下型
で構成することにより、上型と下型の間に半導体素子８
を接続したリードフレーム９を挟み込み、その状態で樹
脂９２を注入することにより、半導体装置本体の一主面
２から外部電極リードが突き出した半導体装置を容易に
製造できる。また、外部電極リード６１部分の形成に当
り、リードフレーム９１を本体の一主面２から折曲げる
部分を自由に設定でき、外部電極リード６１間隔を任意
に設定できる。

【００６１】なお、この実施例においてリードフレーム
９１と半導体素子８は金属細線９で電気的に接続されて
いるが該リードフレーム９１の一部分が半導体素子８の
一部分と機械的に固着されていてもなんら問題はない。
又、金属細線９を用いずに電気的に接続されていても本
発明になんら制限を及ぼすものではない。更に、金型の
他の部分の形状や寸法、リードフレームや封止樹脂の材
料等なんら制限のないことは勿論である。

【００６２】実施例６．図９は本発明の一実施例の半導
体装置の他の製造方法を示す過程図である。図９（ａ）
はリードフレーム９１の先端部９１ａと半導体素子８の
表面電極を金属細線９で電気的に接続した工程を示す。
図中、リードフレーム９１には金属細線９を接合する先
端部９１ａに続く変曲部（折曲部）９４が形成されてい
る。この変曲部９４は半導体素子８の表面から遠ざかる
方向に略コの字状の凸部を有する形状である。図９
（ｂ）はトランスファーモールド樹脂により半導体素子
を封止した工程を示す。図中、リードフレーム９１に電
気的に接続された半導体素子８と、リードフレーム９１
の金属細線９が接続された先端部分９１ａの周辺もエポ
キシ樹脂等の封止樹脂９２で封止され、半導体装置の封
止部１が形成される。この時、リードフレーム９１の変
曲部９４の表面９５は半導体装置本体の表面である一主
面２と一致するように配置されている。図９（ｃ）は封
止樹脂の側面から突き出したリードフレームを切断した
工程を示す。図中、９６はリードフレーム９１を半導体
装置本体の側面４に沿って切断した表面を示す。次いで
図示していないが、リードフレームの変曲部９４の表面
９５にはんだ等の低融点金属層をコーティングして外部
電極リードを形成する。

【００６３】この半導体装置の製造方法によれば、トラ
ンスファーモールドする際の封止用金型を、本体の一主
面２を形成し、リードフレーム９１の変曲部９４の表面
９５と本体の該主面２とが一致する深さの窪みを持ち、
該窪み部分の周辺にリードフレーム９１の表面９１ｂに
接する部分を有する上型と、半導体素子８の周囲を被覆
するための窪みを持ち、該窪み部分の周辺にリードフレ
ーム９１の表面９１ｂに対する他の表面に接する部分を
有する下型で構成することにより、上型と下型の間に半
導体素子８を接続したリードフレーム９１を挟み込み、
その状態で樹脂９２を注入した後、該本体の側面４から
突き出したリードフレーム９１を該側面４に沿って切断
することにより、半導体装置本体の一主面２に外部電極
リードが形成された半導体装置を容易に製造できる。

【００６４】さらに、金型の上型の窪み形状を上述のよ
うに、本体の一主面２を形成し、リードフレーム９１の
変曲部９４の表面９５と本体の該主面２とが一致する深
さの窪みとせずに、該窪みの底面に該変曲部９４の一部
が収納されるような、さらなる窪みを形成することによ
り、トランスファーモールドで封止後、半導体本体の該
主面２から該変曲部９４の一部が突き出した外部電極リ
ードを形成することもできる。

【００６５】この実施例においても実施例５と同様に、
制限はなんら無いことは勿論である。さらに、リードフ
レーム９１に形成された変曲部９４の形状もなんら制約
を受けるものでないと同時に、リードフレームを機械加
工する必要性もなく、変曲部に相当する突起を形成する
ために他の材料片を固着することも可能である。

【００６６】実施例７．図１０は、この発明の一実施例
の半導体装置の製造方法における樹脂封止工程を示す図
である。図１０（ａ）は変曲部９４が形成されたリード
フレーム９１の先端部９１ａと半導体素子８の表面電極
を金属細線９で電気的に接続した工程を示す。図中、ｈ
はリードフレーム９１の変曲部９４の高さを示す。図１
０（ｂ）は半導体素子８をトランスファーモールドで封
止する金型の一部分（上型）である。図中、１００は金
型の上型（第１の金型本体）、１０１はモールド樹脂が
充填される窪み（第１の凹部）、１０２はリードフレー
ム表面を固定する部分（一面）である。該金型の窪み１
０１の深さはｄである。この時、ｄ＜ｈに成るように設
計されている図１０（ｃ）は金型の上型（第１の金型本
体）１００と、他の一部分（金型の下型、第２の金型本
体）１０３に半導体素子８を接続したリードフレーム９
１を固定した工程を示す。図中、１０４はモールド樹脂
が充填される窪み（第２の凹部）、１０５はリードフレ
ーム表面を固定する部分（一面）である。この状態で、
変曲部９４の高さｈと金型の窪み１０１の深さｄの差分
により、リードフレーム９１の変曲部９４の表面９５は
金型の上型１００の窪み１０１の壁面に押し付けられて
いる。この状態で金型の窪み内にトランスファーモール
ドにより封止樹脂９２が注入され、半導体素子８とリー
ドフレーム９１の金属細線接合部１０６周辺を封止樹脂
９２で被覆する。

【００６７】この半導体装置の製造方法によれば、トラ
ンスファーモールドする際に、半導体素子８を接続した
リードフレーム９１を、上下２面の封止用金型に接着し
たとき、該リードフレーム９１の変曲部９４の高さｈ
が、該金型の上型の窪みの深さｄより小さいため、変曲
部９４の表面９５が金型の窪み１０１の表面に触れ、リ
ードフレームを（ｈ−ｄ）だけ押し戻そうとする。この
時のリードフレームの反力により変曲部９４の表面９５
は金型の表面に強く押し当てられ、封止樹脂９２を注入
しても変曲部表面と金型表面間に封止樹脂９２が進入せ
ず、外部電極がきれいに成形できる利点を有する。

【００６８】本実施例においても、実施例６に示すと同
様に、なんら制限を受けないことは勿論である。さら
に、該金型１００の窪み１０１は平坦でなく、該窪み１
０１の表面に、該リードフレーム９１の該突起、もしく
は該突起状の折れ曲り部分の先端部分に一致する位置
に、封止後該先端部分が半導体装置の一主面上に所定の
高さで突起状に露出できる深さを有する、さらなる窪み
を設けることにより、該リードフレーム９１の該突起、
もしくは該突起状の折れ曲り部分の一部が半導体装置の
一主面２上に突出することとなり突起状の外部電極リー
ドを形成することができる。

【００６９】実施例８．図１１は、テストを容易化する
ための、本発明の一実施例である半導体装置の、テスト
状態を示す側面図である。図中、半導体装置の外部電極
１１０は半導体装置本体の一主面２から突出せず、表面
から窪んだ状態で形成されている。このため接触端子１
１１の先端部１１２が外部電極１１０上を横に滑べって
も、窪みの側壁１１３に当り外部電極の表面１１４から
外れることはない。

【００７０】この半導体装置によれば、該接触端子１１
１が横ずれして外部電極１１０からはずれないため、テ
スト時の接触端子１１１を外部電極１１０に接触すると
きの接触圧の調整が楽になり、テスト生産性を高める効
果が得られる。更に、外部電極リード部分の該窪み形状
を、その側面が傾斜し、窪みの入り口部分を外部電極１
１０寸法より大きくとれば、接触端子１１１の位置合わ
せも容易になる利点を有する。なお、窪み形状、寸法、
深さ等なんら制限を受けるものではない。

【００７１】実施例９．図１２は本体の一主面に外部電
極が形成された半導体装置をプリント回路配線板に搭載
する本発明の一実施例を示す側断面図、図１３は半導体
装置の外部電極がプリント回路配線板の電極パッドに接
続された状態を示す拡大断面図である。図中、半導体装
置本体の一主面２に形成された外部電極リード５１の周
辺には、該半導体装置をプリント回路配線板１１の表面
に形成された電極パッド１２にはんだ等の接着材料１３
で電気的、機械的に接合した時に、接合部の上下部分の
寸法がほぼ同じ程度になるように外部電極リード５１の
周辺に、接着材料１３に濡れ、機械的に固着できる金属
層１２１が形成されている。

【００７２】本実施例によれば、半導体装置の一主面２
の外部電極の接着材料による接合領域の面積がプリント
回路配線板１１表面の電極パッド１２の面積とほぼ等し
くなり、半導体装置とプリント回路配線板間に生じる熱
歪みは、接合部の接着材料１３の部分に均一に生じ、ク
ラック発生が押えられる利点を有する。さらに、周辺部
分の金属層１２１の面積を大きくとることにより、外部
電極リード５１の寸法を電気的に必要な寸法にするだけ
で良く、極めて小さくできるため、リード数を増やした
り、実施例５に示す製造工程でのリード曲げ加工を容易
にする等の効果も有する。

【００７３】この実施例において、金属１２１の形成方
法、材料構成、形状等なんら制限を受けるものではな
い。また、外部電極リード５１と該金属層１２１との間
隔、お互いの形状における制限等全くない。更に、接着
材料１３の量、材質等の制限もないことは勿論である。

【００７４】実施例１０．図１４は本体の一主面に外部
電極が形成された半導体装置をプリント回路配線板に搭
載するための本発明による一実施例の製造方法を示す側
面図である。図１４（ａ）は半導体装置をプリント回路
配線板に搭載する前の状態を示す。半導体装置の一主面
２にはプリント回路配線板へ接続するに十分な量のはん
だで被覆され、高さがｈｏの外部電極２０が形成されて
いる。１３１は該半導体装置本体の下面に形成された、
はんだ等の接着材料に濡れ易い性質の金属から成り、面
積がＢｏに成るようにパターンニングされ、該半導体装
置をプリント回路配線板１１に機械的に固着するための
金属層である。プリント回路配線板１１の表面には該半
導体装置の電極を接続するための電極パッド１２と、半
導体装置下面に形成した固着用金属層１３１に相対する
位置に形成され、面積がＡｏに成るようにパターンニン
グされた固着用パッド１３２が形成されている。１３３
は該プリント回路配線板表面の固着用パッド１３２上に
面積がＡ、高さがｈの寸法でスクリーン印刷や定量滴下
により形成されたクリーム状のはんだペースト等の接着
材料である。ここで、Ａ，Ａｏ，Ｂｏ，ｈｏ，ｈの各寸
法は、Ａｏ＞Ａもしくは、Ｂｏ＞Ａ，ｈｏ＜ｈ、更に、
該はんだペースト等の接着材料１３３が溶融や軟化して
固着用金属層１３１と固着用パッド１３２表面に濡れ広
がった時の高さがｈｏより小さくなるように設定する。

【００７５】図１４（ｂ）は該半導体装置をプリント回
路配線板１１に位置合わせし、該はんだペースト等の接
着材料１３３により両者を保持した状態を示す。この状
態で該はんだペースト等の接着材料１３３が該半導体装
置の固着用金属層１３１に接触し、該接着材料１３３の
粘着力により該半導体装置を保持した状態で、半導体装
置の外部電極２０は該プリント回路配線板１１の表面の
電極パッド１２と接触していないか、単純に接触してい
るにすぎない。図１４（ｃ）は該半導体装置の該外部電
極２０と該プリント回路配線板１１の電極パッド１２を
電気的に接続した状態を示す。半導体装置を保持した状
態で加熱することにより、半導体装置をプリント回路配
線板１１に保持していた接着材料１３３及び外部電極２
０の表面を被覆したはんだが溶融し、前者は半導体装置
表面及びプリント回路配線板表面に形成された固着用金
属層１３１と固着用パッド１３２の全面に濡れ広がる。
この結果、接着材料１３３の高さは最初のｈより低くな
り、溶融した外部電極表面を被覆したはんだがプリント
回路配線板上の電極パッド１２に濡れ広がる。この状態
で室温まで冷却し、はんだを固着することにより半導体
装置のプリント回路配線板１１への電気的、機械的接続
が完了する。

【００７６】この実施例によれば、従来の方法のよう
に、フラックスを滴下し半導体装置を保持する必要がな
く、余分なフラックス除去の工程が簡略化される。ま
た、接着材料を微細な形状にパターンニングする必要も
なく、電極パッド１２，１２間のショート等の不良の発
生を防止できる。更に、加熱工程ではんだペースト等の
接着材料１３３が溶融すると、その表面張力により半導
体装置の外部電極２０とプリント回路配線板１１上の電
極パッド１２との位置合わせのずれが補正される効果が
得られる。また、外部電極２０の高さｈｏのばらつきが
あっても、固着用接着材料１３３が固着用金属層１３１
及び固着用パッド１３２の表面に濡れ広がって、固着用
金属層１３１とパッド１３２間隔が小さくなり、外部電
極２０の高さｈｏより小さくなるとｈｏの高さのばらつ
きを吸収して全ての外部電極をプリント回路配線板１１
上の電極パッド１２に触れさせ、両者を接着する効果も
得られる。

【００７７】この実施例においては、半導体装置の外部
電極２０に接合に必要な充分な量のはんだを被覆してい
るが、プリント回路配線板上の電極パッド１２表面には
んだを被覆しても本発明の効果を損なうことは全く無
い。また、半導体装置上の固着用金属層１３１の形成方
法、及びプリント回路配線板１１上の固着用パッド１３
２の形成方法、材料構成に関する制約のないことも勿論
である。さらに、固着用接着材料１３３は、はんだに替
わり粘着性、加熱下での固着用パッドへの濡れ性等、同
等の性質があれば、はんだ以外の材料でも良い。外部電
極２０と電極パッド１２を加熱接合する方法も何等制約
のないことも勿論である。

【００７８】

【発明の効果】以上のように、この請求項１の発明によ
れば、電子回路が形成された半導体素子と、該半導体素
子に電気的に接続され、一端部が外部電極となる複数の
金属細条と、前記一端部が一主面上に露出するように、
前記半導体素子、複数の金属細条及び該半導体素子と金
属細条との接続部を封止し、かつ絶縁性を有する樹脂か
らなる封止部とにより構成したので、該半導体装置の回
路基板上に占める面積を前記一主面と略同等の面積とす
ることができ、該半導体装置を回路基板上に隙間なく最
大限密に配置することができる効果がある。

【００７９】また、この請求項２の発明によれば、前記
金属細条の少なくともその一部を階段状に折曲するよう
に構成したので、封止時またはそれ以前に該金属細条に
外力が加わった場合に該金属細条が折れ曲がる等の不具
合を防止することができ、封止後に該金属細条に外力が
加わった場合に、該金属細条が封止部から抜け出るのを
防止することができる効果がある。

【００８０】また、この請求項３の発明によれば、複数
の前記金属細条を、一端部が前記一主面上の周辺部に配
置された複数の長片細条と、一端部が前記周辺部より内
側の前記一主面上に配置され、前記長片細条より短い複
数の短片細条とにより構成したので、前記一主面上の外
部電極の個数を増加させることができる効果がある。

【００８１】また、請求項４の発明によれば、前記一端
部の先端部分を前記一主面の面方向に折曲し、該先端部
分の外面を外部電極とするように構成したので、該外部
電極の接触面を大きくすることができる。また、先端部
分の折曲する位置を変えられるので、接触面の面積及び
形状を任意に設定することができる効果がある。

【００８２】また、請求項５の発明によれば、電子回路
が形成された半導体素子と、該半導体素子に電気的に接
続され、かつ該接続部から所定の位置に外部電極となる
突起を有する複数の金属細条と、前記突起の少なくとも
その一部が一主面上に露出または突出するように、前記
半導体素子、複数の金属細条及び該半導体素子と金属細
条との接続部を封止し、かつ絶縁性を有する樹脂からな
る封止部とにより構成したので、該外部電極は一主面の
面方向外方に突出することがなく、したがって、該半導
体装置の回路基板上に占める面積を前記一主面と略同等
の面積と該半導体装置を回路基板上に隙間なく最大限密
に配置することができる効果がある。

【００８３】また、請求項６の発明によれば、電子回路
が形成された半導体素子と、該半導体素子に電気的に接
続され、かつ該接続部から所定の位置に外部電極となる
折曲部を有する複数の金属細条と、前記折曲部の少なく
ともその一部が一主面上に露出または突出するように、
前記半導体素子、複数の金属細条及び該半導体素子と金
属細条との接続部を封止し、かつ絶縁性を有する樹脂か
らなる封止部とにより構成したので、該外部電極は一主
面の面方向外方に突出することがなく、したがって、該
半導体装置の回路基板上に占める面積を前記一主面と略
同等の面積とすることができ、該半導体装置を回路基板
上に隙間なく最大限密に配置することができる効果があ
る。

【００８４】また、請求項７の発明によれば、前記外部
電極の表面を前記一主面に対して窪んだ状態となるよう
に構成したので、電気特性を測定する際に用いられる接
触端子の先端部を該外部電極の表面に接触した状態で良
好に保持することができ、したがって前記先端部が外部
電極から外れるおそれがないという効果がある。

【００８５】また、請求項８の発明によれば、前記外部
電極の周囲に、接着材料に対して濡れ性が良く、かつ該
接着材料と固着する金属層を形成するように構成したの
で、半導体装置を回路基板上に強固に固定させることが
でき、外部電極の面積を電気的接続に必要な最小の面積
まで小さくすることができる効果がある。

【００８６】また、請求項９の発明によれば、前記一主
面上の前記外部電極の設けられていない領域部分に、接
着材料に対して濡れ性が良く、かつ該接着材料と固着す
る金属層を形成するように構成したので、半導体装置を
回路基板上に強固に固定させることができ、外部電極の
面積を電気的接続に必要な最小の面積まで小さくするこ
とができる効果がある。

【００８７】また、請求項１０の発明によれば、前記接
着材料を、ペースト状のはんだまたはシート状のはんだ
のいずれか１種により構成したので、半導体装置を回路
基板上に強固に固定することができる効果がある。

【００８８】また、請求項１１の発明によれば、前記金
属細条の一主面が封止面の一主面に露出するように、該
金属細条を配置し前記半導体素子、複数の金属細条及び
該半導体素子と金属細条との接続部を、絶縁性を有する
樹脂により封止する封止工程と、前記金属細条の露出部
分の一部を、封止した樹脂の表面から離間する方向へ折
り曲げる折曲工程と、折り曲げた該金属細条を所定の長
さに切断する切断工程とにより構成したので、封止部の
一主面上に、金属細条の露出部分を折曲した外部電極リ
ードを形成することができ、該外部電極リードの間隔を
任意に設定することができる効果がある。

【００８９】また、請求項１２の発明によれば、金属細
条に設けられた前記突起の少なくとも一部が封止面の一
主面より露出または突出するように該金属細条を配置
し、前記半導体素子、複数の金属細条及び該半導体素子
と金属細条との接続部を絶縁性を有する樹脂により封止
する封止工程と、前記金属細条の封止面から外方へ伸び
る部分を該封止面に沿って切断する切断工程とにより構
成したので、封止部の一主面上に、当該面に露出または
突出する外部電極を形成することができ、該外部電極の
間隔を任意に設定することができる効果がある。

【００９０】また、請求項１３の発明によれば、前記折
曲部の少なくとも一部が封止面の一主面より露出または
突出するように該金属細条を配置し、前記半導体素子、
複数の金属細条及び該半導体素子と金属細条との接続部
を絶縁性を有する樹脂により封止する封止工程と、前記
金属細条の封止面から外方へ伸びる部分を該封止面に沿
って切断する切断工程とにより構成したので、封止部の
一主面上に、当該面に露出または突出する外部電極を形
成することができ、該外部電極の間隔を任意に設定する
ことができる効果がある。

【００９１】また、請求項１４の発明によれば、前記封
止工程を、一面に前記突起または前記折曲部のいずれか
の高さより浅い深さの第１の凹部が形成された第１の金
型本体と、一面の前記第１の凹部と対向する位置に前記
半導体素子を収納する第２の凹部が形成された第２の金
型本体とを有する封止用金型を用い、前記第２の凹部に
前記半導体素子を収納し、前記第１の金型本体の一面と
前記第２の金型本体の一面により前記金属細条を挾持し
て前記突起または前記折曲部のいずれかの上端部を前記
第１の凹部の底面に圧接させ、これら第１及び第２の凹
部により囲まれる領域に前記樹脂を注入するように構成
したので、封止部の一主面上に、当該面に露出する外部
電極を形成することができ、該外部電極の間隔を任意に
設定することができる効果がある。

【００９２】また、請求項１５の発明によれば、前記封
止工程を、一面に前記突起または前記折曲部のいずれか
の高さより浅い深さの第１の凹部が形成され、該第１の
凹部の底面の前記突起または前記折曲部のいずれかの上
端部に一致する位置に前記突起または前記折曲部の上端
部が封止面より突出するように該上端部を収納する収納
部が形成された第１の金型本体と、一面の前記第１の凹
部と対向する位置に前記半導体素子を収納する第２の凹
部が形成された第２の金型本体とを有する封止用金型を
用い、前記第２の凹部に前記半導体素子を収納し、前記
第１の金型本体の一面と前記第２の金型本体の一面によ
り前記金属細条を挾持して前記突起または前記折曲部の
いずれかの上端部を前記収納部に収納し、これら第１及
び第２の凹部により囲まれる領域に前記樹脂を注入する
ように構成したので、封止部の一主面上に、当該面から
突出した外部電極を形成することができ、該外部電極の
突出部の間隔を任意に設定することができる効果があ
る。

【００９３】また、請求項１６の発明によれば、接着材
料を、前記金属層及び固着用パッド各々の全面に広がっ
た状態で固着し、かつその高さは前記外部電極の高さよ
り低くするように構成したので、前記金属層と固着用パ
ッドとは接着材料を介して強固に固着され、周囲の電極
パッドと接触するおそれがなくなる。したがって、構成
全体の信頼性を向上させることができる効果がある。

【００９４】また、請求項１７の発明によれば、該固着
用パッド上に、その面積が該固着用パットの面積より小
さくかつその高さが前記外部電極の高さより高くなるよ
うに、前記金属層と濡れ性が良くかつ固着する接着材料
を付着される付着工程と、該接着材料上に前記金属層
が、前記電極パッド上に前記外部電極がそれぞれ位置す
るように半導体装置の位置合わせを行ない、回路基板上
に該半導体装置を載置する載置工程と、前記接着材料を
前記金属層及び固着用パッド各々の全面に広げ、該固着
用パッドに前記接着材料を介して前記金属層を固着させ
るとともに、前記電極パッドに前記外部電極を接続する
接続工程とにより構成したので、前記接着材料を微細な
形状にパターンニングする必要がなく、該接着材料を介
して前記金属層と固着用パッドとを強固に固着させるこ
とができ、しかも周囲の電極パッドと接触するおそれも
なくなる。また、前記接着材料を金属層及び固着用パッ
ド各々の全面に広げた際に、その表面張力により該半導
体装置の外部電極リードと回路基板の電極パッドとの位
置ずれを補正することができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例による半導体装置を示す斜
視図である。

【図２】図１のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。

【図３】この発明の他の実施例を示す半導体装置の断面
図である。

【図４】この発明の他の実施例を示す半導体装置の斜視
図である。

【図５】図４のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。

【図６】この発明の他の実施例を示す半導体装置の斜視
図である。

【図７】図６のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。

【図８】この発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を示す過程図である。

【図９】この発明の他の実施例を示す半導体装置の製造
方法の過程図である。

【図１０】この発明の他の実施例を示す半導体装置の製
造方法の樹脂封止工程を示す過程図である。

【図１１】この発明の他の実施例を示すテスト状態の半
導体装置の側面図である。

【図１２】この発明の一実施例による半導体装置をプリ
ント回路配線板に搭載した状態を示す側断面図である。

【図１３】図１２の部分拡大断面図である。

【図１４】この発明の一実施例による半導体装置のプリ
ント回路配線板への搭載方法を示す側面図である。

【図１５】従来の半導体装置を示す斜視図である。

【図１６】図１５のＡ−Ａ線に沿う断面図である。

【図１７】従来の半導体装置をプリント回路配線板上に
搭載した状態を示す側断面図である。

【図１８】従来の他の半導体装置を示す斜視図である。

【図１９】図１８のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図２０】従来のテスト状態の半導体装置の側面図であ
る。

【図２１】従来の半導体装置をプリント回路配線板に搭
載した状態を示す側断面図である。

【図２２】図２１の部分拡大断面図である。

【図２３】従来の半導体装置のプリント回路配線板への
搭載方法を示す側断面図である。

【図２４】従来の半導体装置のプリント回路配線板への
他の搭載方法を示す側断面図である。

【符号の説明】

１ 封止部 ２ 一主面（下面） ３ 他の主面（上面） ４ 側面 ８ 半導体素子 １１ プリント回路配線板（回路基板） １２ 電極パッド １３ 接着材料 ２０ 外部電極 ５１ 外部電極リード（金属細条） ５２ 先端部 ６１ 外部電極リード（金属細条） ６２ 段部 ７１ 外側電極リード ７２ 内側電極リード ８１ 外部電極 ９１ リードフレーム（金属細条） ９１ａ 先端部 ９２ 封止樹脂 ９４ 変曲部（折曲部） ９５ 表面 １００ 金型の上型（第１の金型本体） １０１ 窪み（第１の凹部） １０２ 一面 １０３ 金型の下型（第２の金型本体） １０４ 窪み（第２の凹部） １０５ 一面 １１０ 外部電極 １２１ 金属層 １３１ 金属層 １３２ 固着用パッド １３３ 接着材料

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子回路が形成された半導体素子と、該
   半導体素子に電気的に接続され、一端部が外部電極とな
   る複数の金属細条と、前記一端部が一主面上に露出する
   ように、前記半導体素子、複数の金属細条及び該半導体
   素子と金属細条との接続部を封止し、かつ、絶縁性を有
   する樹脂からなる封止部とを備えたことを特徴とする半
   導体装置。
2. 【請求項２】 前記金属細条の少なくともその一部を階
   段状に折曲したことを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 複数の前記金属細条は、一端部が前記一
   主面上の周辺部に配置された複数の長片細条と、一端部
   が前記周辺部より内側の前記一主面上に配置され、前記
   長片細条より短い複数の短片細条とからなることを特徴
   とする請求項１または２記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記一端部の先端部分を前記一主面の面
   方向に折曲し、該先端部分の外面を外部電極としたこと
   を特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の半
   導体装置。
5. 【請求項５】 電子回路が形成された半導体素子と、該
   半導体素子に電気的に接続され、かつ該接続部から所定
   の位置に外部電極となる突起を有する複数の金属細条
   と、前記突起の少なくともその一部が一主面上に露出ま
   たは突出するように、前記半導体素子、複数の金属細条
   及び該半導体素子と金属細条との接続部を封止し、かつ
   絶縁性を有する樹脂からなる封止部とを備えたことを特
   徴とする半導体装置。
6. 【請求項６】 電子回路が形成された半導体素子と、該
   半導体素子に電気的に接続され、かつ該接続部から所定
   の位置に外部電極となる折曲部を有する複数の金属細条
   と、前記折曲部の少なくともその一部が一主面上に露出
   または突出するように、前記半導体素子、複数の金属細
   条及び該半導体素子と金属細条との接続部を封止し、か
   つ絶縁性を有する樹脂からなる封止部とを備えたことを
   特徴とする半導体装置。
7. 【請求項７】 前記外部電極の表面は、前記一主面に対
   して窪んだ状態であることを特徴とする請求項１ないし
   ６のいずれか１項記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 前記一主面上の前記外部電極の周囲に、
   接着材料に対して濡れ性が良く、かつ該接着材料と固着
   する金属層を形成したことを特徴とする請求項１ないし
   ７のいずれか１項記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 前記一主面上の前記外部電極の設けられ
   ていない領域部分に、接着材料に対して濡れ性が良く、
   かつ該接着材料と固着する金属層を形成したことを特徴
   とする請求項１ないし７のいずれか１項記載の半導体装
   置。
10. 【請求項１０】 前記接着材料を、ペースト状のはんだ
    または、シート状のはんだのいずれか１種としたことを
    特徴とする請求項８または９記載の半導体装置。
11. 【請求項１１】 電子回路が形成された半導体装置と複
    数の金属細条とを電気的に接続する接続工程と、前記金
    属細条の一主面が封止面の一主面に露出するように、該
    金属細条を配置し、前記半導体素子、複数の金属細条及
    び該半導体素子と金属細条との接続部を、絶縁性を有す
    る樹脂により封止する封止工程と、前記金属細条の露出
    部分の一部を、封止した樹脂の表面から離間する方向へ
    折り曲げる折曲工程と、折り曲げた該金属細条を所定の
    長さに切断する切断工程とを備えたことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 電子回路が形成された半導体素子と、
    先端部から所定の位置に突起を有する複数の金属細条の
    各先端部とを電気的に接続する接続工程と、前記突起の
    少なくとも一部が封止面の一主面より露出または突出す
    るように該金属細条を配置し、前記半導体素子、複数の
    金属細条及び該半導体素子と金属細条との接続部を絶縁
    性を有する樹脂により封止する封止工程と、前記金属細
    条の封止面から外方へ伸びる部分を該封止面に沿って切
    断する切断工程とを備えたことを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
13. 【請求項１３】 電子回路が形成された半導体素子と、
    先端部から所定の位置に外部電極となる折曲部を有する
    複数の金属細条の各先端部とを電気的に接続する接続工
    程と、前記折曲部の少なくとも一部が封止面の一主面よ
    り露出または突出するように該金属細条を配置し、前記
    半導体素子、複数の金属細条及び該半導体素子と金属細
    条との接続部を絶縁性を有する樹脂により封止する封止
    工程と、前記金属細条の封止面から外方へ伸びる部分を
    該封止面に沿って切断する切断工程とを備えたことを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記封止工程は、一面に前記突起また
    は前記折曲部のいずれかの高さより浅い深さの第１の凹
    部が形成された第１の金型本体と、一面の前記第１の凹
    部と対向する位置に前記半導体素子を収納する第２の凹
    部が形成された第２の金型本体とを有する封止用金型を
    用い、前記第２の凹部に前記半導体素子を収納し、前記
    第１の金型本体の一面と前記第２の金型本体の一面によ
    り前記金属細条を挟持して前記突起または前記折曲部の
    いずれかの上端部を前記第１の凹部の底面に圧接させ、
    これら第１及び第２の凹部により囲まれる領域に前記樹
    脂を注入する樹脂封止工程であることを特徴とする請求
    項１２または１３記載の半導体装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記封止工程は、一面に前記突起また
    は前記折曲部のいずれかの高さより浅い深さの第１の凹
    部が形成され、該第１の凹部の底面の前記突起または前
    記折曲部のいずれかの上端部に一致する位置に前記突起
    または前記折曲部の上端部が封止面より突出するように
    該上端部を収納する収納部が形成された第１の金型本体
    と、一面の前記第１の凹部と対向する位置に前記半導体
    素子を収納する第２の凹部が形成された第２の金型本体
    とを有する封止用金型を用い、前記第２の凹部に前記半
    導体素子を収納し、前記第１の金型本体の一面と前記第
    ２の金型本体の一面により前記金属細条を挟持して前記
    突起または前記折曲部のいずれかの上端部を前記収納部
    に収納し、これら第１及び第２の凹部により囲まれる領
    域に前記樹脂を注入する樹脂封止工程であることを特徴
    とする請求項１２または１３記載の半導体装置の製造方
    法。
16. 【請求項１６】 一主面上に、複数の外部電極と接着材
    料に対して濡れ性が良く、かつ該接着材料と固着する金
    属層とを有する半導体装置と、一面上に前記外部電極を
    載置する電極パッドと前記金属層を固着する固着用パッ
    ドとを有する回路基板と、前記金属層及び固着用パッド
    に、各々の全面に広がった状態で固着し、かつ、その高
    さが前記外部電極の高さより低い接着材料とを備えたこ
    とを特徴とする半導体装置の搭載構造。
17. 【請求項１７】 半導体装置の一主面上に設けられた複
    数の外部電極をそれぞれ載置する複数の電極パッドと、
    該一主面上に設けられた金属層を固着する固着用パッド
    とを有する回路基板の該固着用パッド上に、その面積が
    該固着用パッドの面積より小さくかつその高さが前記外
    部電極の高さより高くなるように、前記金属層と濡れ性
    が良くかつ固着する接着材料を付着させる付着工程と、
    該接着材料上に前記金属層が、前記電極パッド上に前記
    外部電極がそれぞれ位置するように半導体装置の位置合
    わせを行ない、回路基板上に該半導体装置を載置する載
    置工程と、前記接着材料を前記金属層及び固着用パッド
    各々の全面に広げ、該固着用パッドに前記接着材料を介
    して前記金属層を固着させるとともに、前記電極パッド
    に前記外部電極を接続する接続工程とを備えたことを特
    徴とする半導体装置の搭載方法。