JPH07219224A - 耐熱性感光性重合体組成物及びレリーフパターンの製造法 - Google Patents
耐熱性感光性重合体組成物及びレリーフパターンの製造法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 厚膜においても良いパターン形状が得られる
耐熱性感光性重合体組成物を提供する。 【構成】 (a)一般式(I) 【化1】 (式中、R1は炭素数2以上の4価の有機基を意味し、
R2は炭素数2以上の2価の有機基を意味し、各カルボ
キシル基はアミド結合が結合している各炭素原子に対し
てオルト位に結合している)で表されるポリマ、(b)
化学線により、2量化もしくは重合可能な1つもしくは
複数の不飽和結合及び1つのアミノ基又はその四級化塩
を含む化合物及び(c)4,4′−ジアジド−3,3′
−ジメトキシビフェニルを含有してなる耐熱性感光性重
合体組成物およびこの組成物を支持基板上に塗布、乾燥
後、露光、現像するレリーフパターンの製造法。
耐熱性感光性重合体組成物を提供する。 【構成】 (a)一般式(I) 【化1】 (式中、R1は炭素数2以上の4価の有機基を意味し、
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キシル基はアミド結合が結合している各炭素原子に対し
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性感光性重合体組
成物に関し、さらに詳しくは加熱処理により半導体素子
等の電子部品の表面保護膜、層間絶縁膜等として適用可
能なポリイミド系耐熱性高分子となる耐熱性感光性重合
体組成物及びこの組成物を用いたレリーフパターンの製
造法に関する。
成物に関し、さらに詳しくは加熱処理により半導体素子
等の電子部品の表面保護膜、層間絶縁膜等として適用可
能なポリイミド系耐熱性高分子となる耐熱性感光性重合
体組成物及びこの組成物を用いたレリーフパターンの製
造法に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリイミドは耐熱性、機械特性に優れ、
また、膜形成が容易、表面を平坦化できる等の利点か
ら、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜として広く使
用されている。ポリイミドを表面保護膜、層間絶縁膜と
して使用する場合、スルーホール等の形成工程は、ホト
レジストを用いるエッチングプロセスによって行われて
いる。しかし、工程にはホトレジストの塗布や剥離が含
まれ、煩雑であるという問題がある。そこで作業工程の
合理化を目的に感光性を兼ね備えた耐熱性材料の検討が
なされてきた。
また、膜形成が容易、表面を平坦化できる等の利点か
ら、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜として広く使
用されている。ポリイミドを表面保護膜、層間絶縁膜と
して使用する場合、スルーホール等の形成工程は、ホト
レジストを用いるエッチングプロセスによって行われて
いる。しかし、工程にはホトレジストの塗布や剥離が含
まれ、煩雑であるという問題がある。そこで作業工程の
合理化を目的に感光性を兼ね備えた耐熱性材料の検討が
なされてきた。
【0003】感光性ポリイミド組成物に関しては、ポリ
アミド酸に化学線により2量化または重合可能な炭素−
炭素二重結合及びアミノ基を有する化合物と芳香族ビス
アジド化合物を添加した組成物(特公平3−36861
号公報)が知られている。感光性ポリイミド組成物の使
用に際しては、通常、溶液状態で基板上に塗布後乾燥
し、マスクを介して活性光線を照射し、未露光部を現像
液で除去し、パターンを形成する。しかし、上記感光性
ポリイミド組成物は芳香族ビスアジドの露光波長に対す
る光吸光度が大きく、厚膜とする場合にはパターン形状
が悪くなるという問題点がある。
アミド酸に化学線により2量化または重合可能な炭素−
炭素二重結合及びアミノ基を有する化合物と芳香族ビス
アジド化合物を添加した組成物(特公平3−36861
号公報)が知られている。感光性ポリイミド組成物の使
用に際しては、通常、溶液状態で基板上に塗布後乾燥
し、マスクを介して活性光線を照射し、未露光部を現像
液で除去し、パターンを形成する。しかし、上記感光性
ポリイミド組成物は芳香族ビスアジドの露光波長に対す
る光吸光度が大きく、厚膜とする場合にはパターン形状
が悪くなるという問題点がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記した従来
技術の問題点を克服し、厚膜でも得られるパターン形状
が良い耐熱性感光性重合体組成物及びこの組成物を用い
たレリーフパターンの製造法を提供するものである。
技術の問題点を克服し、厚膜でも得られるパターン形状
が良い耐熱性感光性重合体組成物及びこの組成物を用い
たレリーフパターンの製造法を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、(a)一般式
(I)
(I)
【化2】 (式中、R1は炭素数2以上の4価の有機基を意味し、
R2は炭素数2以上の2価の有機基を意味し、各カルボ
キシル基はアミド結合が結合している各炭素原子に対し
てオルト位に結合している)で表されるポリマ、(b)
化学線により、2量化もしくは重合可能な1つもしくは
複数の不飽和結合及び1つのアミノ基又はその四級化塩
を含む化合物及び(c)4,4′−ジアジド−3,3′
−ジメトキシビフェニルを含有してなる耐熱性感光性重
合体組成物及びこの組成物を用いたレリーフパターンの
製造法に関する。耐熱性感光性重合体組成物は(c)成
分に対する増感剤を含有してもよい。
R2は炭素数2以上の2価の有機基を意味し、各カルボ
キシル基はアミド結合が結合している各炭素原子に対し
てオルト位に結合している)で表されるポリマ、(b)
化学線により、2量化もしくは重合可能な1つもしくは
複数の不飽和結合及び1つのアミノ基又はその四級化塩
を含む化合物及び(c)4,4′−ジアジド−3,3′
−ジメトキシビフェニルを含有してなる耐熱性感光性重
合体組成物及びこの組成物を用いたレリーフパターンの
製造法に関する。耐熱性感光性重合体組成物は(c)成
分に対する増感剤を含有してもよい。
【0006】本発明において、(a)成分は、例えば、
ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを溶媒中で反応
させて得られる。ここで、テトラカルボン酸二無水物と
しては、例えばピロメリット酸二無水物、3,3′,
4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,
3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、3,3′,4,4′−ビフェニルエーテルテトラ
カルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸
二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカル
ボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカ
ルボン酸二無水物、4,4′−スルホニルジフタル酸二
無水物、3,3′,4,4′−テトラフェニルシランテ
トラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物等
の公知の酸無水物が単独で又は2種以上を組み合わせて
使用される。
ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを溶媒中で反応
させて得られる。ここで、テトラカルボン酸二無水物と
しては、例えばピロメリット酸二無水物、3,3′,
4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,
3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、3,3′,4,4′−ビフェニルエーテルテトラ
カルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸
二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカル
ボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカ
ルボン酸二無水物、4,4′−スルホニルジフタル酸二
無水物、3,3′,4,4′−テトラフェニルシランテ
トラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物等
の公知の酸無水物が単独で又は2種以上を組み合わせて
使用される。
【0007】また、ジアミンとしては、例えば、4,
4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、4,4′−ジアミノジフェニルサルファイド、
ベンジジン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレン
ジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフ
タレンジアミン等の芳香族ジアミン化合物、次の一般式
(II)
4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、4,4′−ジアミノジフェニルサルファイド、
ベンジジン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレン
ジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフ
タレンジアミン等の芳香族ジアミン化合物、次の一般式
(II)
【化3】 (式中、R3はアルキレン基を意味し、R4はアルキル基
を意味し、qは1以上の整数を意味する)で表されるジ
アミノシロキサン化合物、例えば
を意味し、qは1以上の整数を意味する)で表されるジ
アミノシロキサン化合物、例えば
【化4】 等の化合物も用いることができる。また、ジアミンとし
ては一般式(III)
ては一般式(III)
【化5】 (式中、Arは芳香族基を意味し、YはSO2またはC
Oを意味し、1個のアミノ基とY−NH2とは互いにオ
ルト位に位置する)で表されるジアミノアミド化合物、
例えば、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル−3−
スルホンアミド、3,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル−4−スルホンアミド、3,4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル−3′−スルホンアミド、3,3′−ジアミ
ノジフェニルエーテル−4−スルホンアミド等の化合物
を用いることもできる。これらのジアミンは単独で又は
2種以上を組み合わせて使用できる。
Oを意味し、1個のアミノ基とY−NH2とは互いにオ
ルト位に位置する)で表されるジアミノアミド化合物、
例えば、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル−3−
スルホンアミド、3,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル−4−スルホンアミド、3,4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル−3′−スルホンアミド、3,3′−ジアミ
ノジフェニルエーテル−4−スルホンアミド等の化合物
を用いることもできる。これらのジアミンは単独で又は
2種以上を組み合わせて使用できる。
【0008】ジアミンとテトラカルボン酸二無水物の反
応には、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N
−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミ
ド、テトラメチレンスルホン、p−クロルフェノール等
の不活性溶媒が用いられる。
応には、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N
−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミ
ド、テトラメチレンスルホン、p−クロルフェノール等
の不活性溶媒が用いられる。
【0009】(a)成分であるポリマを製造する場合、
好ましくは先ずジアミンを上記の不活性溶媒に溶解した
後、テトラカルボン酸二無水物を加え、好ましくは約8
0℃以下、より好ましくは室温付近ないし室温以下の温
度を保ちながら撹拌する。ジアミンとテトラカルボン酸
二無水物の好ましい割合(モル比)は0.8/1〜1/
0.8の範囲とされ、より好ましい割合は0.9/1〜
1/0.9の範囲とされる。反応時間は3〜24時間、
好ましい重量平均分子量は20,000以上とされる。
反応はすみやかに進行し、かつ反応系の粘度は次第に上
昇し、ポリマが生成する。
好ましくは先ずジアミンを上記の不活性溶媒に溶解した
後、テトラカルボン酸二無水物を加え、好ましくは約8
0℃以下、より好ましくは室温付近ないし室温以下の温
度を保ちながら撹拌する。ジアミンとテトラカルボン酸
二無水物の好ましい割合(モル比)は0.8/1〜1/
0.8の範囲とされ、より好ましい割合は0.9/1〜
1/0.9の範囲とされる。反応時間は3〜24時間、
好ましい重量平均分子量は20,000以上とされる。
反応はすみやかに進行し、かつ反応系の粘度は次第に上
昇し、ポリマが生成する。
【0010】本発明に使用される(b)成分の化合物と
しては、例えば一般式(IV)
しては、例えば一般式(IV)
【化6】 (式中、R5およびR6は炭素数が1〜5のアルキル基を
意味し、R7は炭素数が2〜6のアルキレン基を意味
し、R8は水素原子または炭素数が1〜6のアルキル基
を意味し、Xは−O−または−NH−を意味する)で表
される化合物が使用される。具体的には、
意味し、R7は炭素数が2〜6のアルキレン基を意味
し、R8は水素原子または炭素数が1〜6のアルキル基
を意味し、Xは−O−または−NH−を意味する)で表
される化合物が使用される。具体的には、
【化7】 などが挙げられる。(b)成分は、露光部と未露光部の
溶解速度差と、現像条件の許容幅の点から、(a)成分
であるポリマのカルボキシル基に対して好ましくは0.
2〜3当量、より好ましくは0.5〜2当量の範囲で配
合される。
溶解速度差と、現像条件の許容幅の点から、(a)成分
であるポリマのカルボキシル基に対して好ましくは0.
2〜3当量、より好ましくは0.5〜2当量の範囲で配
合される。
【0011】本発明に使用される(c)成分は、4,
4′−ジアジド−3,3′−メトキシビフェニルであ
る。(c)成分としては、4,4′−ジアジド−3,
3′−メトキシビフェニル以外の芳香族ビスアジド化合
物を併用してもよい。併用される芳香族ビスアジド化合
物としては、4,4′−ジアジドフェニルエーテル、
4,4′−ジアジドフェニルスルフォン、3,3′−ジ
アジドフェニルスルフォン、4,4′−ジアジドジフェ
ニルジスルフィド、4,4′−ジアジドジフェニルスル
フィド、4,4′−ジアジドスチルベン、4,4′−ジ
アジドカルコン、2,6−ジアジドベンザルシクロヘキ
サノン、2,6−ジアジドベンザル−4−メチルシクロ
ヘキサノン、2,6−ジアジドベンザル−4−ヒドロキ
シシクロヘキサノン、2,6−ジアジドベンザル−4−
カルボキシシクロヘキサノン等があげられる。(c)成
分は、露光部と未露光部の溶解速度差と、膜物性の点か
ら、(a)成分であるポリマ100重量部に対し0.5
〜20重量部、より好ましくは1〜10重量部の範囲で
配合される。
4′−ジアジド−3,3′−メトキシビフェニルであ
る。(c)成分としては、4,4′−ジアジド−3,
3′−メトキシビフェニル以外の芳香族ビスアジド化合
物を併用してもよい。併用される芳香族ビスアジド化合
物としては、4,4′−ジアジドフェニルエーテル、
4,4′−ジアジドフェニルスルフォン、3,3′−ジ
アジドフェニルスルフォン、4,4′−ジアジドジフェ
ニルジスルフィド、4,4′−ジアジドジフェニルスル
フィド、4,4′−ジアジドスチルベン、4,4′−ジ
アジドカルコン、2,6−ジアジドベンザルシクロヘキ
サノン、2,6−ジアジドベンザル−4−メチルシクロ
ヘキサノン、2,6−ジアジドベンザル−4−ヒドロキ
シシクロヘキサノン、2,6−ジアジドベンザル−4−
カルボキシシクロヘキサノン等があげられる。(c)成
分は、露光部と未露光部の溶解速度差と、膜物性の点か
ら、(a)成分であるポリマ100重量部に対し0.5
〜20重量部、より好ましくは1〜10重量部の範囲で
配合される。
【0012】本発明に使用され得る(c)成分に対する
増感剤としては、3−(2′−ベンズイミダゾリル)−
7−ジエチルアミノクマリン、3−(2′−ベンズチア
ゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン、7−ジエチル
アミノ−3−セノイルクマリン、3,3−カルボニルビ
ス(7−ジエチルアミノクマリン)等のクマリン類、ミ
ヒラーケトン、ベンズアントロン、2,6−ジ(4′−
ジエチルアミノベンザル)−N−メチルアザシクロヘキ
サノン等が挙げられる。(d)成分は、露光部と未露光
部の溶解速度差と、パターン形状の点から、(a)成分
であるポリマ100重量部に対し0.01〜2重量部、
より好ましくは0.05〜1重量部の範囲で配合され
る。
増感剤としては、3−(2′−ベンズイミダゾリル)−
7−ジエチルアミノクマリン、3−(2′−ベンズチア
ゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン、7−ジエチル
アミノ−3−セノイルクマリン、3,3−カルボニルビ
ス(7−ジエチルアミノクマリン)等のクマリン類、ミ
ヒラーケトン、ベンズアントロン、2,6−ジ(4′−
ジエチルアミノベンザル)−N−メチルアザシクロヘキ
サノン等が挙げられる。(d)成分は、露光部と未露光
部の溶解速度差と、パターン形状の点から、(a)成分
であるポリマ100重量部に対し0.01〜2重量部、
より好ましくは0.05〜1重量部の範囲で配合され
る。
【0013】本発明の感光性重合体組成物は、前記
(a)成分、(b)成分、(c)成分、及び必要に応じ
て(c)成分に対する増感剤を適当な有機溶媒に溶解す
ることにより、溶液状態で得られる。この際用いられる
有機溶媒としては、例えば、N−メチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホ
スホルアミド、テトラメチレンスルホン、N−アセチル
−ε−カプロラクタム等の不活性溶媒が用いられる。
(a)成分、(b)成分、(c)成分、及び必要に応じ
て(c)成分に対する増感剤を適当な有機溶媒に溶解す
ることにより、溶液状態で得られる。この際用いられる
有機溶媒としては、例えば、N−メチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホ
スホルアミド、テトラメチレンスルホン、N−アセチル
−ε−カプロラクタム等の不活性溶媒が用いられる。
【0014】本発明の耐熱性感光性重合体組成物から
は、以下のようにしてポリイミド化合物のレリーフパタ
ーンを得ることができる。すなわちガラス基板、半導
体、金属酸化物絶縁体(例えばTiO2、SiO2等)、
窒化ケイ素などの支持基板上に、この不溶性溶媒を含む
耐熱性感光性重合体組成物をスピンナーなどを用いて回
転塗布後、ホットプレート、オーブンなどを用いて乾燥
する。次いで、支持基板上で被膜となった感光性重合体
組成物に、マスクを介して紫外線、可視光線、放射線な
どの活性光線を照射する。未露光部を現像液で除去する
ことによりレリーフパターンが得られる。現像液として
は、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、
テトラメチレンスルホン、N−アセチル−ε−カプロラ
クタム等を単独で、または、水、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、トルエン、キシレン等との混合
溶液を用いることができる。ついで、得られたレリーフ
パターンに150〜450℃の加熱処理をすることによ
りイミド環や他に環状基を持つ耐熱性重合体のレリーフ
パターンになる。
は、以下のようにしてポリイミド化合物のレリーフパタ
ーンを得ることができる。すなわちガラス基板、半導
体、金属酸化物絶縁体(例えばTiO2、SiO2等)、
窒化ケイ素などの支持基板上に、この不溶性溶媒を含む
耐熱性感光性重合体組成物をスピンナーなどを用いて回
転塗布後、ホットプレート、オーブンなどを用いて乾燥
する。次いで、支持基板上で被膜となった感光性重合体
組成物に、マスクを介して紫外線、可視光線、放射線な
どの活性光線を照射する。未露光部を現像液で除去する
ことによりレリーフパターンが得られる。現像液として
は、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、
テトラメチレンスルホン、N−アセチル−ε−カプロラ
クタム等を単独で、または、水、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、トルエン、キシレン等との混合
溶液を用いることができる。ついで、得られたレリーフ
パターンに150〜450℃の加熱処理をすることによ
りイミド環や他に環状基を持つ耐熱性重合体のレリーフ
パターンになる。
【0015】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 実施例1 撹拌機、温度計、窒素導入管、ジムロート冷却管を備え
た0.5リットルのフラスコ中に、N−メチル−2−ピ
ロリドン376.3gを仕込み、4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル40.05gを加え、撹拌溶解した。
次にこの溶液にピロメリット酸二無水物21.81gと
3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物32.22gを加え、25℃で6時間次いで7
0℃で8時間撹拌し反応させた。得られたポリアミド酸
の溶液は、不揮発分濃度が20重量%で粘度が80ポイ
ズであった。この溶液100.0gに2−ジメチルアミ
ノエチルメタクリレート13.37g、4,4′−ジア
ジド−3,3′−ジメトキシビフェニル0.75gおよ
び3,3−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリ
ン)0.08gを加え、撹拌溶解した。この溶液を3μ
m孔のテフロンフィルタを用いて加圧濾過して感光性重
合体組成物を得た。得られた感光性重合体組成物をスピ
ンナーを使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホッ
トプレート上で100℃で5分間加熱乾燥を行い、20
μmの塗膜を得た。この塗膜にフォトマスクを介して3
0cmの距離から1kWの高圧水銀灯を用いて75秒間密
着露光した。次いで、N−メチル−2−ピロリドン70
重量部およびメタノール30重量部からなる現像液で2
80秒間パドル現像を行い、エタノールで洗浄してレリ
ーフパターンを得た。得られたレリーフパターンを窒素
雰囲気下で140℃で30分、200℃で30分、35
0℃で1時間加熱処理し、ポリイミド膜のレリーフパタ
ーンを得た。
た0.5リットルのフラスコ中に、N−メチル−2−ピ
ロリドン376.3gを仕込み、4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル40.05gを加え、撹拌溶解した。
次にこの溶液にピロメリット酸二無水物21.81gと
3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物32.22gを加え、25℃で6時間次いで7
0℃で8時間撹拌し反応させた。得られたポリアミド酸
の溶液は、不揮発分濃度が20重量%で粘度が80ポイ
ズであった。この溶液100.0gに2−ジメチルアミ
ノエチルメタクリレート13.37g、4,4′−ジア
ジド−3,3′−ジメトキシビフェニル0.75gおよ
び3,3−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリ
ン)0.08gを加え、撹拌溶解した。この溶液を3μ
m孔のテフロンフィルタを用いて加圧濾過して感光性重
合体組成物を得た。得られた感光性重合体組成物をスピ
ンナーを使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホッ
トプレート上で100℃で5分間加熱乾燥を行い、20
μmの塗膜を得た。この塗膜にフォトマスクを介して3
0cmの距離から1kWの高圧水銀灯を用いて75秒間密
着露光した。次いで、N−メチル−2−ピロリドン70
重量部およびメタノール30重量部からなる現像液で2
80秒間パドル現像を行い、エタノールで洗浄してレリ
ーフパターンを得た。得られたレリーフパターンを窒素
雰囲気下で140℃で30分、200℃で30分、35
0℃で1時間加熱処理し、ポリイミド膜のレリーフパタ
ーンを得た。
【0016】実施例2 撹拌機、温度計、窒素導入管、ジムロート冷却管を備え
た0.5リットルのフラスコ中に、N−メチル−2−ピ
ロリドン395.6gを仕込み、4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル40.05gを加え、撹拌溶解した。
次にこの溶液に3,3′,4,4′−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物58.84gを加え、25℃で8時
間次いで70℃で7時間撹拌し反応させた。得られたポ
リアミド酸溶液は、不揮発分濃度が20重量%で粘度が
75ポイズであった。この溶液100.0gに2−ジメ
チルアミノエチルメタクリレート12.72g、4,
4′−ジアジド−3,3′−ジメトキシビフェニル0.
70gおよびベンズアントロン0.20gを加え、撹拌
溶解した。この溶液を3μm孔のテフロンフィルタを用
いて加圧濾過して感光性重合体組成物を得た。得られた
感光性重合体組成物をスピンナーを使用してシリコンウ
ェハ上に回転塗布し、ホットプレート上で100℃で5
分間加熱乾燥を行い、20μmの塗膜を得た。この塗膜
にフォトマスクを介して30cmの距離から1kWの高圧
水銀灯を用いて80秒間密着露光した。次いで、N−メ
チル−2−ピロリドン70重量部およびメタノール30
重量部からなる現像液で240秒間パドル現像を行い、
エタノールで洗浄してレリーフパターンを得た。得られ
たレリーフパターンを窒素雰囲気下で140℃で30
分、200℃で30分、350℃で1時間加熱処理し、
ポリイミド膜のレリーフパターンを得た。
た0.5リットルのフラスコ中に、N−メチル−2−ピ
ロリドン395.6gを仕込み、4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル40.05gを加え、撹拌溶解した。
次にこの溶液に3,3′,4,4′−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物58.84gを加え、25℃で8時
間次いで70℃で7時間撹拌し反応させた。得られたポ
リアミド酸溶液は、不揮発分濃度が20重量%で粘度が
75ポイズであった。この溶液100.0gに2−ジメ
チルアミノエチルメタクリレート12.72g、4,
4′−ジアジド−3,3′−ジメトキシビフェニル0.
70gおよびベンズアントロン0.20gを加え、撹拌
溶解した。この溶液を3μm孔のテフロンフィルタを用
いて加圧濾過して感光性重合体組成物を得た。得られた
感光性重合体組成物をスピンナーを使用してシリコンウ
ェハ上に回転塗布し、ホットプレート上で100℃で5
分間加熱乾燥を行い、20μmの塗膜を得た。この塗膜
にフォトマスクを介して30cmの距離から1kWの高圧
水銀灯を用いて80秒間密着露光した。次いで、N−メ
チル−2−ピロリドン70重量部およびメタノール30
重量部からなる現像液で240秒間パドル現像を行い、
エタノールで洗浄してレリーフパターンを得た。得られ
たレリーフパターンを窒素雰囲気下で140℃で30
分、200℃で30分、350℃で1時間加熱処理し、
ポリイミド膜のレリーフパターンを得た。
【0017】比較例1 実施例1で得られたポリアミド酸の溶液100.0gに
2−ジメチルアミノエチルアクリレート13.37gと
2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−カルボキシ
シクロヘキサノン0.94gを加え、撹拌溶解した。こ
の溶液を3μm孔のテフロンフィルタを用いて加圧濾過
して感光性重合体組成物を得た。得られた感光性重合体
組成物をスピンナーを使用してシリコンウェハ上に回転
塗布し、ホットプレート上で100℃で5分間加熱乾燥
を行い、20μmの塗膜を得た。この塗膜にフォトマス
クを介して30cmの距離から1kWの高圧水銀灯を用い
て75秒間密着露光した。次いで、N−メチル−2−ピ
ロリドン70重量部およびメタノール30重量部からな
る現像液で280秒間パドル現像を行い、エタノールで
洗浄してレリーフパターンを得た。得られたレリーフパ
ターンを窒素雰囲気下140℃で30分、200℃で3
0分、350℃で1時間加熱処理し、ポリイミド膜のレ
リーフパターンを得た。実施例1、2、比較例1で得ら
れたレリーフパターンの断面形状をSEMで観察した結
果をそれぞれ図1、図2および図3に示す。図において
1はレリーフパターン、2はシリコンウエハである。実
施例のレリーフパターンが比較例に比べて優れた形状と
なっている。
2−ジメチルアミノエチルアクリレート13.37gと
2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−カルボキシ
シクロヘキサノン0.94gを加え、撹拌溶解した。こ
の溶液を3μm孔のテフロンフィルタを用いて加圧濾過
して感光性重合体組成物を得た。得られた感光性重合体
組成物をスピンナーを使用してシリコンウェハ上に回転
塗布し、ホットプレート上で100℃で5分間加熱乾燥
を行い、20μmの塗膜を得た。この塗膜にフォトマス
クを介して30cmの距離から1kWの高圧水銀灯を用い
て75秒間密着露光した。次いで、N−メチル−2−ピ
ロリドン70重量部およびメタノール30重量部からな
る現像液で280秒間パドル現像を行い、エタノールで
洗浄してレリーフパターンを得た。得られたレリーフパ
ターンを窒素雰囲気下140℃で30分、200℃で3
0分、350℃で1時間加熱処理し、ポリイミド膜のレ
リーフパターンを得た。実施例1、2、比較例1で得ら
れたレリーフパターンの断面形状をSEMで観察した結
果をそれぞれ図1、図2および図3に示す。図において
1はレリーフパターン、2はシリコンウエハである。実
施例のレリーフパターンが比較例に比べて優れた形状と
なっている。
【0018】
【発明の効果】本発明になる感光性重合体組成物は、厚
膜においても良いパターン形状が得られ、半導体素子等
の表面保護膜、層間絶縁膜等に使用することができる。
膜においても良いパターン形状が得られ、半導体素子等
の表面保護膜、層間絶縁膜等に使用することができる。
【図1】実施例1で得たレリーフパターンの断面形状を
SEMで観察した結果の略図である。
SEMで観察した結果の略図である。
【図2】実施例2で得たレリーフパターンの断面形状を
SEMで観察した結果の略図である。
SEMで観察した結果の略図である。
【図3】比較例1で得たレリーフパターンの断面形状を
SEMで観察した結果の略図である。
SEMで観察した結果の略図である。
1 レリーフパターン 2 シリコンウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 任廷 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社山崎工場内
Claims (3)
- 【請求項1】 (a)一般式(I) 【化1】 (式中、R1は炭素数2以上の4価の有機基を意味し、
R2は炭素数2以上の2価の有機基を意味し、各カルボ
キシル基はアミド結合が結合している各炭素原子に対し
てオルト位に結合している)で表されるポリマ、 (b)化学線により、2量化もしくは重合可能な1つも
しくは複数の不飽和結合及び1つのアミノ基又はその四
級化塩を含む化合物及び (c)4,4′−ジアジド−3,3′−ジメトキシビフ
ェニルを含有してなる耐熱性感光性重合体組成物。 - 【請求項2】 さらに(c)成分に対する増感剤を含有
してなる耐熱性感光性重合体組成物。 - 【請求項3】 請求項1記載の耐熱性感光性重合体組成
物を支持基板上に塗布、乾燥後、露光、現像するレリー
フパターンの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP760394A JPH07219224A (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | 耐熱性感光性重合体組成物及びレリーフパターンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP760394A JPH07219224A (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | 耐熱性感光性重合体組成物及びレリーフパターンの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07219224A true JPH07219224A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11670384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP760394A Pending JPH07219224A (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | 耐熱性感光性重合体組成物及びレリーフパターンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07219224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268112B1 (en) | 1997-12-18 | 2001-07-31 | The Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd. | Photosensitive resin composition |
-
1994
- 1994-01-27 JP JP760394A patent/JPH07219224A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268112B1 (en) | 1997-12-18 | 2001-07-31 | The Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd. | Photosensitive resin composition |
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