JPH07220241A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH07220241A JPH07220241A JP6007596A JP759694A JPH07220241A JP H07220241 A JPH07220241 A JP H07220241A JP 6007596 A JP6007596 A JP 6007596A JP 759694 A JP759694 A JP 759694A JP H07220241 A JPH07220241 A JP H07220241A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 作製時におけるセンダスト製の下層シールド
磁性体の磁気特性の劣化を容易且つ確実に防止し、製品
の信頼性の大幅な向上を図る。 【構成】 下層シールド磁性体２の表面上にＡｌ2 Ｏ3
を材料とする絶縁膜１３をスパッタ法により成膜し、下
層シールド磁性体２の磁気特性を安定化するために、炉
中において窒素雰囲気中でこの絶縁膜１３が被膜された
下層シールド磁性体２に所定の熱処理を施す。
磁性体の磁気特性の劣化を容易且つ確実に防止し、製品
の信頼性の大幅な向上を図る。 【構成】 下層シールド磁性体２の表面上にＡｌ2 Ｏ3
を材料とする絶縁膜１３をスパッタ法により成膜し、下
層シールド磁性体２の磁気特性を安定化するために、炉
中において窒素雰囲気中でこの絶縁膜１３が被膜された
下層シールド磁性体２に所定の熱処理を施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体からの記
録磁界によって、抵抗率が変化する磁気抵抗効果薄膜を
用い、その抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
録磁界によって、抵抗率が変化する磁気抵抗効果薄膜を
用い、その抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置における小型
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチハードデ
ィスク装置に対する要求が高まっている。
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチハードデ
ィスク装置に対する要求が高まっている。
【０００３】このような小型ハードディスクでは、ディ
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
【０００４】これに対して、磁界によって抵抗率が変化
する磁気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と称す
る。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、単にＭＲ薄膜ヘッドと
称する。）は、その再生出力が媒体速度に依存せず、低
媒体速度でも高再生出力が得られるという特徴を有する
ため、小型ハードディスクにおいて大容量化を実現する
磁気ヘッドとして注目されている。
する磁気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と称す
る。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、単にＭＲ薄膜ヘッドと
称する。）は、その再生出力が媒体速度に依存せず、低
媒体速度でも高再生出力が得られるという特徴を有する
ため、小型ハードディスクにおいて大容量化を実現する
磁気ヘッドとして注目されている。
【０００５】上記ＭＲ薄膜ヘッドは、スライダ材上に、
薄膜技術により上記ＭＲ素子や電極膜、絶縁層等を成膜
し、フォトリソ技術によってこれらを所定形状にエッチ
ングすることにより形成され、再生時のギャップ長を規
定して不要な磁束の上記ＭＲ素子への浸入を防止するた
めに、シールド材となる下部シールドコア及び上部シー
ルドコアを上下に配したシールドを採用している。
薄膜技術により上記ＭＲ素子や電極膜、絶縁層等を成膜
し、フォトリソ技術によってこれらを所定形状にエッチ
ングすることにより形成され、再生時のギャップ長を規
定して不要な磁束の上記ＭＲ素子への浸入を防止するた
めに、シールド材となる下部シールドコア及び上部シー
ルドコアを上下に配したシールドを採用している。
【０００６】具体的に、例えば、センス電流が特徴とす
るトラック幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦
型のＭＲ薄膜ヘッドを例にとると、図９に示すように、
非磁性の基板１０１上に絶縁層１０２を介して下層シー
ルド磁性体１０３となる軟磁性膜及び絶縁層１０４を順
次積層し、この絶縁層１０４上に、ＭＲ素子１０５を、
その長手方向が磁気記録媒体との対向面（ヘッド面ａ）
と垂直になるように配置し、且つその一方の端面がヘッ
ド面ａに露出するかたちに形成し、更に、このＭＲ素子
１０５上に絶縁層１０６を形成後、ＭＲ素子１０５の両
端にセンス電流を提供するための前端電極１０７ａ及び
後端電極１０７ｂと、上記絶縁層１０６上に下層のＭＲ
素子１０５を長手方向に横切るようにバイアス導体１０
８とを形成する。
るトラック幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦
型のＭＲ薄膜ヘッドを例にとると、図９に示すように、
非磁性の基板１０１上に絶縁層１０２を介して下層シー
ルド磁性体１０３となる軟磁性膜及び絶縁層１０４を順
次積層し、この絶縁層１０４上に、ＭＲ素子１０５を、
その長手方向が磁気記録媒体との対向面（ヘッド面ａ）
と垂直になるように配置し、且つその一方の端面がヘッ
ド面ａに露出するかたちに形成し、更に、このＭＲ素子
１０５上に絶縁層１０６を形成後、ＭＲ素子１０５の両
端にセンス電流を提供するための前端電極１０７ａ及び
後端電極１０７ｂと、上記絶縁層１０６上に下層のＭＲ
素子１０５を長手方向に横切るようにバイアス導体１０
８とを形成する。
【０００７】その後、全面に絶縁層１０９及び上層シー
ルド磁性体１１０となる軟磁性膜を順次積層することに
より、従来におけるＭＲ薄膜ヘッドが形成される。
ルド磁性体１１０となる軟磁性膜を順次積層することに
より、従来におけるＭＲ薄膜ヘッドが形成される。
【０００８】従来の上記ＭＲ薄膜ヘッドは、ＭＲ素子１
０５を上層シールド磁性体１１０及び下層シールド磁性
体１０３で挟む構造としているため、上層及び下層シー
ルド磁性体１１０及び１０３のないものと比較して、再
生出力のＳ／Ｎ及び記録密度を向上させることができ
る。
０５を上層シールド磁性体１１０及び下層シールド磁性
体１０３で挟む構造としているため、上層及び下層シー
ルド磁性体１１０及び１０３のないものと比較して、再
生出力のＳ／Ｎ及び記録密度を向上させることができ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近時におい
ては、磁気特性の向上を図るために、下層シールド磁性
体の材料としてＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（センダスト）を
用いることが提案されている。ただし、このセンダスト
を材料として下層シールド磁性体を形成する場合、基板
上にこの下層シールド磁性体を成膜した後に、磁気特性
の安定化のためにこの下層シールド磁性体に熱処理を施
す必要がある。したがって、非磁性の基板１０１上に絶
縁層１０２を介してセンダストよりなる下層シールド磁
性体１０３を成膜し、この下層シールド磁性体１０３に
対して熱処理を施した後に、絶縁層１０４やＭＲ素子１
０５を成膜している。
ては、磁気特性の向上を図るために、下層シールド磁性
体の材料としてＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（センダスト）を
用いることが提案されている。ただし、このセンダスト
を材料として下層シールド磁性体を形成する場合、基板
上にこの下層シールド磁性体を成膜した後に、磁気特性
の安定化のためにこの下層シールド磁性体に熱処理を施
す必要がある。したがって、非磁性の基板１０１上に絶
縁層１０２を介してセンダストよりなる下層シールド磁
性体１０３を成膜し、この下層シールド磁性体１０３に
対して熱処理を施した後に、絶縁層１０４やＭＲ素子１
０５を成膜している。
【００１０】この下層シールド磁性体の熱処理は窒素雰
囲気中で行われるが、炉内の雰囲気を完全に窒素置換す
ることは難しく、雰囲気中に少量でも酸素が残存してい
ることが多い。このように雰囲気中に酸素が残存してい
ると、熱処理中に下層シールド磁性体に酸化或は窒化が
生じ、この下層シールド磁性体の磁気特性が著しく劣化
することになる。
囲気中で行われるが、炉内の雰囲気を完全に窒素置換す
ることは難しく、雰囲気中に少量でも酸素が残存してい
ることが多い。このように雰囲気中に酸素が残存してい
ると、熱処理中に下層シールド磁性体に酸化或は窒化が
生じ、この下層シールド磁性体の磁気特性が著しく劣化
することになる。
【００１１】本発明は、上述の課題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、センダストを下層
シールド磁性体の材料とした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの作製時における磁気特性の劣化を容易且つ確実に
防止し、製品の信頼性の大幅な向上を図ることが可能と
なる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることにある。
のであり、その目的とするところは、センダストを下層
シールド磁性体の材料とした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの作製時における磁気特性の劣化を容易且つ確実に
防止し、製品の信頼性の大幅な向上を図ることが可能と
なる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法が対象
とするのは、基板上に相対向して積層される下層シール
ド磁性体と上層シールド磁性体間に磁気抵抗効果素子を
配してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであり、特に
下層シールド磁性体をＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金とする磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドである。本発明においては、
このような磁気ヘッドを製造するに際して、Ｆｅ−Ａｌ
−Ｓｉ合金よりなる下層シールド磁性体の表面にＡｌ2
Ｏ3 よりなる保護膜を成膜した後、前記保護膜が被膜さ
れた下層シールド磁性体に窒素雰囲気中にて熱処理を施
す。
とするのは、基板上に相対向して積層される下層シール
ド磁性体と上層シールド磁性体間に磁気抵抗効果素子を
配してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであり、特に
下層シールド磁性体をＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金とする磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドである。本発明においては、
このような磁気ヘッドを製造するに際して、Ｆｅ−Ａｌ
−Ｓｉ合金よりなる下層シールド磁性体の表面にＡｌ2
Ｏ3 よりなる保護膜を成膜した後、前記保護膜が被膜さ
れた下層シールド磁性体に窒素雰囲気中にて熱処理を施
す。
【００１３】
【作用】本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの
製造方法においては、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合
金）よりなる下層シールド磁性体の表面上にＡｌ2 Ｏ3
よりなる絶縁膜を被膜した後に窒素雰囲気中で熱処理を
施す。このとき、絶縁膜が上記下層シールド磁性体の酸
化或は窒化を防止するための保護膜として機能すること
になる。すなわちこの場合、上記絶縁膜は、下層シール
ド磁性体と磁気抵抗効果素子との間に介在する絶縁膜と
して機能するとともに、上記熱処理の際に下層シールド
磁性体と炉中に残存する酸素との接触を遮断する保護膜
としても機能し、結果として下層シールド磁性体の酸化
や窒化による特性劣化が抑制される。
製造方法においては、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合
金）よりなる下層シールド磁性体の表面上にＡｌ2 Ｏ3
よりなる絶縁膜を被膜した後に窒素雰囲気中で熱処理を
施す。このとき、絶縁膜が上記下層シールド磁性体の酸
化或は窒化を防止するための保護膜として機能すること
になる。すなわちこの場合、上記絶縁膜は、下層シール
ド磁性体と磁気抵抗効果素子との間に介在する絶縁膜と
して機能するとともに、上記熱処理の際に下層シールド
磁性体と炉中に残存する酸素との接触を遮断する保護膜
としても機能し、結果として下層シールド磁性体の酸化
や窒化による特性劣化が抑制される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの製造方法の実施例を図面を参照しながら説明す
る。
ヘッドの製造方法の実施例を図面を参照しながら説明す
る。
【００１５】先ず、実施例の製造方法によって作製され
るＭＲ薄膜ヘッドの構成について説明する。ここで作製
するＭＲ薄膜ヘッドは、図１に示すように、ＭＲ素子１
が、再生時の磁路となる下層シールド磁性体２と下層シ
ールド磁性体３とでサンドイッチされた構造となってい
る。
るＭＲ薄膜ヘッドの構成について説明する。ここで作製
するＭＲ薄膜ヘッドは、図１に示すように、ＭＲ素子１
が、再生時の磁路となる下層シールド磁性体２と下層シ
ールド磁性体３とでサンドイッチされた構造となってい
る。
【００１６】具体的には、先ず非磁性基板１１上に、絶
縁層１２を介してセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）
よりなる磁性膜である下層シールド磁性体２が形成され
る。そして、この下層シールド磁性体２の表面上にＡｌ
2 Ｏ3 よりなる絶縁膜１３が積層される。
縁層１２を介してセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）
よりなる磁性膜である下層シールド磁性体２が形成され
る。そして、この下層シールド磁性体２の表面上にＡｌ
2 Ｏ3 よりなる絶縁膜１３が積層される。
【００１７】そして、上記ギャップ絶縁層１３上に例え
ばＦｅ−Ｎｉ膜によるＭＲ素子１が形成されている。そ
して、更にこのＭＲ素子１上に層間絶縁層１４が形成さ
れ、この層間絶縁層１４上にＭＲ素子１にバイアス磁界
を印加するためのバイアス導体１５が積層され、その上
にＡｌ2 Ｏ3 等よりなる絶縁膜１６が積層されている。
そして、その上にＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜による上層シー
ルド磁性体３が成膜されて上記ＭＲ薄膜ヘッドが構成さ
れている。
ばＦｅ−Ｎｉ膜によるＭＲ素子１が形成されている。そ
して、更にこのＭＲ素子１上に層間絶縁層１４が形成さ
れ、この層間絶縁層１４上にＭＲ素子１にバイアス磁界
を印加するためのバイアス導体１５が積層され、その上
にＡｌ2 Ｏ3 等よりなる絶縁膜１６が積層されている。
そして、その上にＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜による上層シー
ルド磁性体３が成膜されて上記ＭＲ薄膜ヘッドが構成さ
れている。
【００１８】ここで、上記ＭＲ薄膜ヘッドにおいては、
ＭＲ素子１を、その長手方向が磁気記録媒体との対向
面、即ち磁気記録媒体摺動面と垂直になるように配置
し、その一方の端面を磁気記録媒体摺動面ａに露出させ
たかたちとなっている。このＭＲ素子１の磁気記録媒体
摺動面ａ側端部分と、その前端部分から所定距離隔てた
箇所に、それぞれ軟磁性膜による電極（前端電極１７ａ
及び後端電極１７ｂ）が形成されている。
ＭＲ素子１を、その長手方向が磁気記録媒体との対向
面、即ち磁気記録媒体摺動面と垂直になるように配置
し、その一方の端面を磁気記録媒体摺動面ａに露出させ
たかたちとなっている。このＭＲ素子１の磁気記録媒体
摺動面ａ側端部分と、その前端部分から所定距離隔てた
箇所に、それぞれ軟磁性膜による電極（前端電極１７ａ
及び後端電極１７ｂ）が形成されている。
【００１９】この前端電極１７ａ及び後端電極１７ｂ
は、ＭＲ素子１の長手方向に沿って（即ち、上記磁気記
録媒体摺動面ａと直交する方向に）センス電流を流す目
的で形成される。
は、ＭＲ素子１の長手方向に沿って（即ち、上記磁気記
録媒体摺動面ａと直交する方向に）センス電流を流す目
的で形成される。
【００２０】そして、上記ＭＲ薄膜ヘッドにおいては、
ＭＲ素子１中、前端電極１７ａの後端と後端電極１７ｂ
の前端の間の領域が磁気抵抗効果を示すことになり、こ
の領域がＭＲ素子１の感知部を構成することになる。
ＭＲ素子１中、前端電極１７ａの後端と後端電極１７ｂ
の前端の間の領域が磁気抵抗効果を示すことになり、こ
の領域がＭＲ素子１の感知部を構成することになる。
【００２１】上述の構成を有するＭＲ薄膜ヘッドを作製
するには、先ず図２に示すように、先ずアルチック材
（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）等を材料とする非磁性基板１１
上に絶縁層１２をスパッタ法にて成膜し、同様に、図３
に示すように、スパッタ法によりセンダスト（Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ合金）からなる下層シールド磁性体２を形成す
る。
するには、先ず図２に示すように、先ずアルチック材
（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）等を材料とする非磁性基板１１
上に絶縁層１２をスパッタ法にて成膜し、同様に、図３
に示すように、スパッタ法によりセンダスト（Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ合金）からなる下層シールド磁性体２を形成す
る。
【００２２】その後、図４に示すように、下層シールド
磁性体２の表面上に、この下層シールド磁性体２と再生
時の磁気ギャップ及びＭＲ素子１との絶縁確保のため
に、Ａｌ2 Ｏ3 を材料とする絶縁膜１３をスパッタ法に
より成膜する。そして、この状態で、下層シールド磁性
体２の磁気特性を安定化するために、炉中において窒素
雰囲気中でこの絶縁膜１３が被膜された下層シールド磁
性体２に所定の熱処理を施す。このとき、絶縁膜１３は
熱処理中における下層シールド磁性体２の酸化或は窒化
の防止の役割も果している。
磁性体２の表面上に、この下層シールド磁性体２と再生
時の磁気ギャップ及びＭＲ素子１との絶縁確保のため
に、Ａｌ2 Ｏ3 を材料とする絶縁膜１３をスパッタ法に
より成膜する。そして、この状態で、下層シールド磁性
体２の磁気特性を安定化するために、炉中において窒素
雰囲気中でこの絶縁膜１３が被膜された下層シールド磁
性体２に所定の熱処理を施す。このとき、絶縁膜１３は
熱処理中における下層シールド磁性体２の酸化或は窒化
の防止の役割も果している。
【００２３】さらに、熱処理が施されたＡｌ2 Ｏ3 を材
料とする上記絶縁膜１３は、下層シールド磁性体２とＭ
Ｒ素子１との間に介在するギャップ膜として機能する。
また、熱処理の際に絶縁膜１３の表面近傍に変質層が形
成されたり、汚れ等が付着下理する場合があるが、この
ようなときは、ＳｉＯ2 砥粒を用いたケミカルポリッシ
ュ（バフ研磨）により上記変質層や汚れ等を除去するこ
とが可能である。
料とする上記絶縁膜１３は、下層シールド磁性体２とＭ
Ｒ素子１との間に介在するギャップ膜として機能する。
また、熱処理の際に絶縁膜１３の表面近傍に変質層が形
成されたり、汚れ等が付着下理する場合があるが、この
ようなときは、ＳｉＯ2 砥粒を用いたケミカルポリッシ
ュ（バフ研磨）により上記変質層や汚れ等を除去するこ
とが可能である。
【００２４】次に、図５に示すように、ＭＲ素子１を、
絶縁層１３上にスパッタ法や蒸着法にて成膜した後、所
定の素子形状にドライエッチングすることにより形成
し、さらに、図６に示すように、上記ＭＲ素子１の表面
上に絶縁層１４をスパッタ法により成膜する。
絶縁層１３上にスパッタ法や蒸着法にて成膜した後、所
定の素子形状にドライエッチングすることにより形成
し、さらに、図６に示すように、上記ＭＲ素子１の表面
上に絶縁層１４をスパッタ法により成膜する。
【００２５】その後、図７に示すように、この絶縁層１
４上にＭＲ素子１にバイアス磁界を印加するためのバイ
アス導体１５と、Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ等を材料とする前端電
極１７ａ及び後端電極１７ｂとをスパッタ法より成膜し
て形成する。
４上にＭＲ素子１にバイアス磁界を印加するためのバイ
アス導体１５と、Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ等を材料とする前端電
極１７ａ及び後端電極１７ｂとをスパッタ法より成膜し
て形成する。
【００２６】次いで、図８に示すように、Ａｌ2 Ｏ
3 （／ＳｉＯ2 ）膜をスパッタ成膜することで、バイア
ス導体１５及び前端，後端電極１７ａ，１７ｂと上層シ
ールド磁性体３との絶縁を確保するための絶縁層１６を
形成する。
3 （／ＳｉＯ2 ）膜をスパッタ成膜することで、バイア
ス導体１５及び前端，後端電極１７ａ，１７ｂと上層シ
ールド磁性体３との絶縁を確保するための絶縁層１６を
形成する。
【００２７】そして、Ｔｉよりなる下地をスパッタ成膜
した後、Ｎｉ−Ｆｅ等の磁性膜をスパッタ法やメッキを
施すことにより成膜し、この磁性膜を所定の形状に加工
して再生用の磁路となる上層シールド磁性体３を形成す
る。以上の工程を経ることにより、上記図１に示す上記
薄膜ヘッドが完成する。
した後、Ｎｉ−Ｆｅ等の磁性膜をスパッタ法やメッキを
施すことにより成膜し、この磁性膜を所定の形状に加工
して再生用の磁路となる上層シールド磁性体３を形成す
る。以上の工程を経ることにより、上記図１に示す上記
薄膜ヘッドが完成する。
【００２８】ここで、一つの実験例を示す。この実験例
は、ＭＲ薄膜ヘッドの透磁率μ及び保磁力Ｈｃについて
調べたものであり、本実施例により作製した上記ＭＲ薄
膜ヘッドをサンプルＡとし、その比較例として、保護膜
としての上記絶縁層１３が成膜されていない状態で下層
シールド磁性体に対して熱処理を施したＭＲ薄膜ヘッド
をサンプルＢ、絶縁層１３の材料としてＡｌ2 Ｏ3 の代
わりにＳｉＯ2 を用いて上記実施例と同様に作製したＭ
Ｒ薄膜ヘッドをサンプルＣとした。なお、上記実験例で
は、サンプルＡ〜Ｃについて、各々３つずつ透磁率μ及
び保磁力Ｈｃを測定してそれらの平均値を算出する作業
を合計２回行った。
は、ＭＲ薄膜ヘッドの透磁率μ及び保磁力Ｈｃについて
調べたものであり、本実施例により作製した上記ＭＲ薄
膜ヘッドをサンプルＡとし、その比較例として、保護膜
としての上記絶縁層１３が成膜されていない状態で下層
シールド磁性体に対して熱処理を施したＭＲ薄膜ヘッド
をサンプルＢ、絶縁層１３の材料としてＡｌ2 Ｏ3 の代
わりにＳｉＯ2 を用いて上記実施例と同様に作製したＭ
Ｒ薄膜ヘッドをサンプルＣとした。なお、上記実験例で
は、サンプルＡ〜Ｃについて、各々３つずつ透磁率μ及
び保磁力Ｈｃを測定してそれらの平均値を算出する作業
を合計２回行った。
【００２９】ここで、サンプルＡは、ＲＦマグネトロン
スパッタによりセンダスト膜である下層シールド磁性体
２をガス圧０．２５Ｐａ、ターゲットパワー密度５．５
Ｗ／ｃｍ2 で成膜し、温度５２０℃の窒素雰囲気中にて
１時間熱処理を施したものであり、サンプルＡ，Ｃの絶
縁層１３の膜厚はともに１００ｎｍとした。
スパッタによりセンダスト膜である下層シールド磁性体
２をガス圧０．２５Ｐａ、ターゲットパワー密度５．５
Ｗ／ｃｍ2 で成膜し、温度５２０℃の窒素雰囲気中にて
１時間熱処理を施したものであり、サンプルＡ，Ｃの絶
縁層１３の膜厚はともに１００ｎｍとした。
【００３０】実験の結果を以下の表１及び表２に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】これらの表に示すように、１回目、２回目
ともにサンプルＡが透磁率μについては最も高く、保磁
力Ｈｃについては最も低い結果となり、最も優れた磁気
特性を示している。なお、サンプルＢは非常に不安定な
磁気特性を示しているが、これは、上記熱処理中に絶縁
膜１３のＳｉＯ2 成分が下層シールド磁性体２のセンダ
スト中に拡散してしまった結果であると思われる。
ともにサンプルＡが透磁率μについては最も高く、保磁
力Ｈｃについては最も低い結果となり、最も優れた磁気
特性を示している。なお、サンプルＢは非常に不安定な
磁気特性を示しているが、これは、上記熱処理中に絶縁
膜１３のＳｉＯ2 成分が下層シールド磁性体２のセンダ
スト中に拡散してしまった結果であると思われる。
【００３４】上記実施例に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの製造方法においては、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ
−Ｓｉ合金）よりなる下層シールド磁性体２の表面上に
Ａｌ 2 Ｏ3 よりなる絶縁膜１３を被膜した後に窒素雰囲
気中で熱処理を施すことにより、この絶縁膜１３が上記
下層シールド磁性体２の酸化或は窒化を防止するための
保護膜として機能することになる。すなわちこの場合、
上記絶縁膜１３は、下層シールド磁性体２とＭＲ素子１
との間に介在する絶縁膜として機能するとともに、上記
熱処理の際に下層シールド磁性体２と炉中に残存する酸
素との接触を遮断する保護膜としても機能することにな
る。
ヘッドの製造方法においては、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ
−Ｓｉ合金）よりなる下層シールド磁性体２の表面上に
Ａｌ 2 Ｏ3 よりなる絶縁膜１３を被膜した後に窒素雰囲
気中で熱処理を施すことにより、この絶縁膜１３が上記
下層シールド磁性体２の酸化或は窒化を防止するための
保護膜として機能することになる。すなわちこの場合、
上記絶縁膜１３は、下層シールド磁性体２とＭＲ素子１
との間に介在する絶縁膜として機能するとともに、上記
熱処理の際に下層シールド磁性体２と炉中に残存する酸
素との接触を遮断する保護膜としても機能することにな
る。
【００３５】従って、ＭＲ薄膜ヘッド１の作製時におけ
る磁気特性の劣化を容易且つ確実に防止し、製品の信頼
性の大幅な向上を図ることが可能となる。
る磁気特性の劣化を容易且つ確実に防止し、製品の信頼
性の大幅な向上を図ることが可能となる。
【００３６】
【発明の効果】本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法によれば、基板上に相対向して積層され
る下層シールド磁性体と上層シールド磁性体間に磁気抵
抗効果素子を配してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の製造方法において、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金よりなる下
層シールド磁性体の表面にＡｌ2 Ｏ3 よりなる保護膜を
成膜した後、前記保護膜が被膜された下層シールド磁性
体に窒素雰囲気中にて熱処理を施すことにより、センダ
ストを下層シールド磁性体の材料とした磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドの作製時における磁気特性の劣化を容易
且つ確実に防止し、製品の信頼性の大幅な向上を図るこ
とが可能となる。
ッドの製造方法によれば、基板上に相対向して積層され
る下層シールド磁性体と上層シールド磁性体間に磁気抵
抗効果素子を配してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の製造方法において、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金よりなる下
層シールド磁性体の表面にＡｌ2 Ｏ3 よりなる保護膜を
成膜した後、前記保護膜が被膜された下層シールド磁性
体に窒素雰囲気中にて熱処理を施すことにより、センダ
ストを下層シールド磁性体の材料とした磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドの作製時における磁気特性の劣化を容易
且つ確実に防止し、製品の信頼性の大幅な向上を図るこ
とが可能となる。
【図１】本発明の実施例に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの要部を模式的に示す断面図である。
ヘッドの要部を模式的に示す断面図である。
【図２】基板上に絶縁層を被膜する形成工程を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】下層シールド磁性体の形成工程を模式的に示す
断面図である。
断面図である。
【図４】下層シールド磁性体上に絶縁層を被膜する工程
を模式的に示す断面図である。
を模式的に示す断面図である。
【図５】磁気抵抗効果膜を被膜する工程を模式的に示す
断面図である。
断面図である。
【図６】磁気抵抗効果素子上に絶縁層を被膜する工程を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
【図７】バイアス導体及び前端，後端電極を成膜する工
程を模式的に示す断面図である。
程を模式的に示す断面図である。
【図８】バイアス導体及び前端，後端電極上に絶縁層を
被膜する工程を模式的に示す断面図である。
被膜する工程を模式的に示す断面図である。
【図９】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの要部を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
１ ＭＲ薄膜ヘッド ２ 下層シールド磁性体 ３ 上層シールド磁性体 １１ 基板 １２，１３，１４，１６ 絶縁層 １５ バイアス導体 １７ａ 前端電極 １７ｂ 後端電極
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に相対向して積層される下層シー
ルド磁性体と上層シールド磁性体間に磁気抵抗効果素子
を配してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、 Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金よりなる下層シールド磁性体の表
面にＡｌ2 Ｏ3 よりなる保護膜を成膜した後、 前記保護膜が被膜された下層シールド磁性体に窒素雰囲
気中にて熱処理を施すことを特徴とする磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6007596A JPH07220241A (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6007596A JPH07220241A (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07220241A true JPH07220241A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11670192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6007596A Withdrawn JPH07220241A (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07220241A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0836710A (ja) * | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1994
- 1994-01-27 JP JP6007596A patent/JPH07220241A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0836710A (ja) * | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010403 |