JPH07220268A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH07220268A JPH07220268A JP1105494A JP1105494A JPH07220268A JP H07220268 A JPH07220268 A JP H07220268A JP 1105494 A JP1105494 A JP 1105494A JP 1105494 A JP1105494 A JP 1105494A JP H07220268 A JPH07220268 A JP H07220268A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- texturing
- recording medium
- magnetic recording
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上に特定の表面加工処理を行うことで表
面特性を改善し、浮上特性、潤滑性及び耐摩耗性に優れ
た磁気記録媒体を提供する。 【構成】 基板表面を第１段のテクスチャ加工により、
表面平均粗さＲａを２０〜１５０Åの表面形状に加工
し、次いで第２段のテクスチャ加工により、最大突起高
さＲｐを４００Å以下にした基板表面を、酸性溶液の電
解液中で該基板に電圧を印加しながら電解処理したの
ち、下地層及び磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方
法。
面特性を改善し、浮上特性、潤滑性及び耐摩耗性に優れ
た磁気記録媒体を提供する。 【構成】 基板表面を第１段のテクスチャ加工により、
表面平均粗さＲａを２０〜１５０Åの表面形状に加工
し、次いで第２段のテクスチャ加工により、最大突起高
さＲｐを４００Å以下にした基板表面を、酸性溶液の電
解液中で該基板に電圧を印加しながら電解処理したの
ち、下地層及び磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体の製造方法
に関するものである。詳しくは、基板上に特定の表面加
工処理を行なうことで、表面特性を改善し、浮上特性、
潤滑性、及び耐摩耗性に優れた磁気記録媒体を製造する
方法に関するものである。
に関するものである。詳しくは、基板上に特定の表面加
工処理を行なうことで、表面特性を改善し、浮上特性、
潤滑性、及び耐摩耗性に優れた磁気記録媒体を製造する
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報処理技術の
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が用いられている。従来、磁気記録媒体と
してはアルミニウム合金基板にアルマイト処理やＮｉ−
Ｐメッキ等の非磁性メッキ処理を施した後に、Ｃｒ等の
下地層を被覆し、次いでＣｏ系合金の磁性薄膜層を被覆
し、更に炭素質の保護膜が被覆されたものが使用されて
いる。
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が用いられている。従来、磁気記録媒体と
してはアルミニウム合金基板にアルマイト処理やＮｉ−
Ｐメッキ等の非磁性メッキ処理を施した後に、Ｃｒ等の
下地層を被覆し、次いでＣｏ系合金の磁性薄膜層を被覆
し、更に炭素質の保護膜が被覆されたものが使用されて
いる。
【０００３】上記磁気記録媒体（磁気ディスク）の高密
度化に伴ない、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間隔、即
ち浮上量は益々小さくなっており、最近では０．１５μ
ｍ以下程度になっている。このように磁気ヘッドの浮上
量が著しく小さいため、磁気ディスク面に突起があると
ヘッドクラッシュを招き、ディスク表面を傷つけること
がある。また、ヘッドクラッシュに至らないような微小
な突起でも情報の読み書きの際の種々のエラーの原因と
なりやすい。
度化に伴ない、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間隔、即
ち浮上量は益々小さくなっており、最近では０．１５μ
ｍ以下程度になっている。このように磁気ヘッドの浮上
量が著しく小さいため、磁気ディスク面に突起があると
ヘッドクラッシュを招き、ディスク表面を傷つけること
がある。また、ヘッドクラッシュに至らないような微小
な突起でも情報の読み書きの際の種々のエラーの原因と
なりやすい。
【０００４】一方、磁気ディスクは大容量化、高密度化
と並行して小型化も進められており、スピンドル回転用
のモーター等も益々小さくなっている。このため、モー
ターのトルクが不足し、磁気ヘッドが磁気ディスク面に
固着したまま浮上しないという現象が生じやすい。この
磁気ヘッドの固着を、磁気ヘッドと磁気ディスク表面と
の接触を小さくすることにより防止する手段として、磁
気ディスクの基板表面に微細な溝を形成する、テクスチ
ャ加工と称する表面加工を施す処理が行なわれている。
また、特開平４−９５２２１号には、テクスチャ加工を
行い、洗浄後、ケミカルエッチングを施すことが提案さ
れている。
と並行して小型化も進められており、スピンドル回転用
のモーター等も益々小さくなっている。このため、モー
ターのトルクが不足し、磁気ヘッドが磁気ディスク面に
固着したまま浮上しないという現象が生じやすい。この
磁気ヘッドの固着を、磁気ヘッドと磁気ディスク表面と
の接触を小さくすることにより防止する手段として、磁
気ディスクの基板表面に微細な溝を形成する、テクスチ
ャ加工と称する表面加工を施す処理が行なわれている。
また、特開平４−９５２２１号には、テクスチャ加工を
行い、洗浄後、ケミカルエッチングを施すことが提案さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記テ
クスチャ加工処理のみを用いた場合には、磁気ディスク
の浮上特性の改善は見られるものの、十分であるとは言
いがたい。また、特開平４−９５２２１号に記載されて
いるケミカルエッチングによる方法では、エッチング条
件の選択による加工表面状態の制御がしにくく、また、
エッチング状態が不均一になりやすく、局部的な腐食が
発生しやすいことから、未だ満足できる表面状態のもの
が得られておらず、さらに磁気ディスクの浮上特性を改
善することが望まれている。
クスチャ加工処理のみを用いた場合には、磁気ディスク
の浮上特性の改善は見られるものの、十分であるとは言
いがたい。また、特開平４−９５２２１号に記載されて
いるケミカルエッチングによる方法では、エッチング条
件の選択による加工表面状態の制御がしにくく、また、
エッチング状態が不均一になりやすく、局部的な腐食が
発生しやすいことから、未だ満足できる表面状態のもの
が得られておらず、さらに磁気ディスクの浮上特性を改
善することが望まれている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記した
磁気ディスクにおける浮上特性をさらに改善すべく鋭意
検討を重ねた結果、基板上に２段階のテクスチャ加工を
施して基板表面を特定の形状に維持した後、該基板表面
を酸性の電解液中で電解処理することにより、上記問題
点が解決できることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
磁気ディスクにおける浮上特性をさらに改善すべく鋭意
検討を重ねた結果、基板上に２段階のテクスチャ加工を
施して基板表面を特定の形状に維持した後、該基板表面
を酸性の電解液中で電解処理することにより、上記問題
点が解決できることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００７】すなわち、本発明の要旨は、非磁性基板に
テクスチャ加工を施し、この表面上に下地層及び磁性層
を順次形成する磁気記録媒体の製造方法において、該基
板の表面を第１段のテクスチャ加工により、該基板の表
面平均粗さＲａを２０〜１５０Åの表面形状に加工し、
次いで第２段のテクスチャ加工により該基板表面の最大
突起高さＲｐを４００Å以下にした基板表面を、酸性溶
液の電解液中で、該基板に電圧を印加しながら電解処理
したのち、下地層及び磁性層を形成することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法に存する。
テクスチャ加工を施し、この表面上に下地層及び磁性層
を順次形成する磁気記録媒体の製造方法において、該基
板の表面を第１段のテクスチャ加工により、該基板の表
面平均粗さＲａを２０〜１５０Åの表面形状に加工し、
次いで第２段のテクスチャ加工により該基板表面の最大
突起高さＲｐを４００Å以下にした基板表面を、酸性溶
液の電解液中で、該基板に電圧を印加しながら電解処理
したのち、下地層及び磁性層を形成することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法に存する。
【０００８】以下、本発明につき更に詳細に説明する。
本発明における磁気記録媒体の基板としては、一般にア
ルミニウム合金からなるディスク状基板を所定の厚さに
加工した後、その表面を鏡面加工してから非磁性金属、
例えばＮｉ−Ｐ合金、又はＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金等を無電
解メッキ処理等により約５〜２０μｍの膜厚の表面層と
して形成させたものが用いられる。上記基板の表面層上
にポリッシュ加工を施したものにテクスチャ加工を施す
のが一般的である。ポリッシュ加工は例えば、表面に遊
離砥粒を付着してしみ込ませたポリッシュパッドの間に
基板をはさみこみ、界面活性剤水溶液等の研磨液を補給
しながらポリッシュ加工を行ない、通常２〜５μｍ程度
ポリッシュしてその表面を平均表面粗さＲａが５０Å以
下、望ましくは３０Å以下に鏡面仕上げする。遊離砥粒
としては、代表的には、アルミナ系スラリーのポリプラ
７００やポリプラ１０３（共に（株）フジミインコーポ
レーテッドの登録商標）、ダイヤモンド系スラリー、Ｓ
ｉＣ系スラリー等が用いられる。ポリッシュパッドとし
ては、代表的には、Ｓｕｒｆｉｎ１００やＳｕｒｆｉｎ
ＸＸＸ−５（共に（株）フジミインコーポレーテッドの
登録商標）等の発泡ウレタン等が用いられる。
本発明における磁気記録媒体の基板としては、一般にア
ルミニウム合金からなるディスク状基板を所定の厚さに
加工した後、その表面を鏡面加工してから非磁性金属、
例えばＮｉ−Ｐ合金、又はＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金等を無電
解メッキ処理等により約５〜２０μｍの膜厚の表面層と
して形成させたものが用いられる。上記基板の表面層上
にポリッシュ加工を施したものにテクスチャ加工を施す
のが一般的である。ポリッシュ加工は例えば、表面に遊
離砥粒を付着してしみ込ませたポリッシュパッドの間に
基板をはさみこみ、界面活性剤水溶液等の研磨液を補給
しながらポリッシュ加工を行ない、通常２〜５μｍ程度
ポリッシュしてその表面を平均表面粗さＲａが５０Å以
下、望ましくは３０Å以下に鏡面仕上げする。遊離砥粒
としては、代表的には、アルミナ系スラリーのポリプラ
７００やポリプラ１０３（共に（株）フジミインコーポ
レーテッドの登録商標）、ダイヤモンド系スラリー、Ｓ
ｉＣ系スラリー等が用いられる。ポリッシュパッドとし
ては、代表的には、Ｓｕｒｆｉｎ１００やＳｕｒｆｉｎ
ＸＸＸ−５（共に（株）フジミインコーポレーテッドの
登録商標）等の発泡ウレタン等が用いられる。
【０００９】本発明においては、上記した基板の表面層
上に２段階のテクスチャ加工により特定の凹凸と条痕パ
ターンを形成する。まず、第１段のテクスチャ加工は研
磨テープと遊離砥粒を用いたスラリー研削、又は砥粒を
担持した研磨テープを用いたテープ研削によって、基板
の表面層を研削し、該基板表面の平均粗さＲａが２０〜
１５０Å、好ましくは４０〜１００Åで、最大突起高さ
Ｒｐが１００〜１０００Å、好ましくは２００〜４００
Åの凹凸と、形成された条痕の交差する角度（クロス角
度）θが好ましくは、１０〜４０°、更に好ましくは１
０〜３０°の表面形状を形成する。基板表面にクロスパ
ターンの条痕を形成することにより、基板表面の吸着特
性を改善することができる。
上に２段階のテクスチャ加工により特定の凹凸と条痕パ
ターンを形成する。まず、第１段のテクスチャ加工は研
磨テープと遊離砥粒を用いたスラリー研削、又は砥粒を
担持した研磨テープを用いたテープ研削によって、基板
の表面層を研削し、該基板表面の平均粗さＲａが２０〜
１５０Å、好ましくは４０〜１００Åで、最大突起高さ
Ｒｐが１００〜１０００Å、好ましくは２００〜４００
Åの凹凸と、形成された条痕の交差する角度（クロス角
度）θが好ましくは、１０〜４０°、更に好ましくは１
０〜３０°の表面形状を形成する。基板表面にクロスパ
ターンの条痕を形成することにより、基板表面の吸着特
性を改善することができる。
【００１０】上記スラリー研削に用いられる研磨テープ
としてはナイロンパイル、ポリエステルパイル等のバフ
テープが好適に用いられ、また、遊離砥粒としては０．
３〜４μｍのダイヤ系の砥粒が用いられ、該遊離砥粒は
液体（水又は水をベースとする液体）中に分散剤と共に
懸濁させた液体スラリーとして用いられる。上記テクス
チャ加工の例を図１により詳述する。図１において、矢
印Ａの方向に回転しているディスク状基板の表裏両面
に、４本の研磨テープ２をコンタクトローラ３で押し付
けて研磨を行なう。コンタクトローラ３は、ローラ押さ
えシリンダ４により基板１の両面に研磨テープを所定の
力で押圧している。研磨テープは矢印Ｂの方向に走行し
ており、基板の面には常に新しいテープ面が接触して研
磨される。また、研磨テープはコンタクトローラ３の往
復動により矢印Ｃの方向に往復動（振動）して基板の全
面を研磨できると共に、基板上に研磨テープにより研磨
されて形成される条痕Ａの交差する角度（クロス角度）
θが通常１０〜４０°程度の角度を有するようになって
いる。さらにスラリー研削による場合には、研磨テープ
の研磨面側へは研磨ノズル５より上記した遊離砥粒を懸
濁させた研磨液が供給される。上記スラリー研削の条件
としてはディスクの回転数が３０〜４５０ｒｐｍ、研磨
テープの振動数（往復動数）が６０〜３０００回／分、
シリンダの押付圧力が１．０〜３．０ｋｇ／ｃｍ2 、研
磨時間が５〜３０秒の範囲内が用いられる。
としてはナイロンパイル、ポリエステルパイル等のバフ
テープが好適に用いられ、また、遊離砥粒としては０．
３〜４μｍのダイヤ系の砥粒が用いられ、該遊離砥粒は
液体（水又は水をベースとする液体）中に分散剤と共に
懸濁させた液体スラリーとして用いられる。上記テクス
チャ加工の例を図１により詳述する。図１において、矢
印Ａの方向に回転しているディスク状基板の表裏両面
に、４本の研磨テープ２をコンタクトローラ３で押し付
けて研磨を行なう。コンタクトローラ３は、ローラ押さ
えシリンダ４により基板１の両面に研磨テープを所定の
力で押圧している。研磨テープは矢印Ｂの方向に走行し
ており、基板の面には常に新しいテープ面が接触して研
磨される。また、研磨テープはコンタクトローラ３の往
復動により矢印Ｃの方向に往復動（振動）して基板の全
面を研磨できると共に、基板上に研磨テープにより研磨
されて形成される条痕Ａの交差する角度（クロス角度）
θが通常１０〜４０°程度の角度を有するようになって
いる。さらにスラリー研削による場合には、研磨テープ
の研磨面側へは研磨ノズル５より上記した遊離砥粒を懸
濁させた研磨液が供給される。上記スラリー研削の条件
としてはディスクの回転数が３０〜４５０ｒｐｍ、研磨
テープの振動数（往復動数）が６０〜３０００回／分、
シリンダの押付圧力が１．０〜３．０ｋｇ／ｃｍ2 、研
磨時間が５〜３０秒の範囲内が用いられる。
【００１１】また、上記テープ研削に用いる研磨テープ
としては粒度＃３０００（粒径３μｍ）〜＃１００００
（粒径０．５μｍ）のアルミナ砥粒又はＳｉＣ砥粒を担
持した研磨テープ、望ましくはＷＡ＃４０００〜ＷＡ＃
８０００のホワイトアルミナ砥粒を担持した研磨テープ
が用いられ、図１と同様の装置を用いて実施される。上
記テープ研削による研磨条件としては一般的な条件が採
用でき、通常ディスクの回転数が３０〜２００ｒｐｍ、
研磨テープの振動数（往復動数）が８０〜３００回／
分、シリンダの押付圧力が１．０〜２．０ｋｇ／ｃ
ｍ2 、研磨時間が５〜３０秒の範囲内が用いられる。
としては粒度＃３０００（粒径３μｍ）〜＃１００００
（粒径０．５μｍ）のアルミナ砥粒又はＳｉＣ砥粒を担
持した研磨テープ、望ましくはＷＡ＃４０００〜ＷＡ＃
８０００のホワイトアルミナ砥粒を担持した研磨テープ
が用いられ、図１と同様の装置を用いて実施される。上
記テープ研削による研磨条件としては一般的な条件が採
用でき、通常ディスクの回転数が３０〜２００ｒｐｍ、
研磨テープの振動数（往復動数）が８０〜３００回／
分、シリンダの押付圧力が１．０〜２．０ｋｇ／ｃ
ｍ2 、研磨時間が５〜３０秒の範囲内が用いられる。
【００１２】上記第１段のテクスチャ加工処理後の基板
の表面平均粗さＲａは、２０〜１５０Åであり、２０Å
より低いとＣＳＳ特性が低下し、一方、Ｒａが１５０Å
より高いと浮上特性が低下するので好ましくない。次
に、上記第１段のテクスチャ加工後の基板表面に、第２
段のテクチスャ加工処理を施こす。第２段のテクスチャ
加工では、研磨テープと特定の遊離砥粒を用いたスラリ
ー研削を施すことが好ましく、上記第１段における表面
平均粗さＲａ及びクロス角度を実質的に変化させること
なく、該表面のバリやカエリ等の突起を選択的に研磨し
て除去し、該表面の最大突起高さＲｐが４００Å以下、
好ましくは１００〜２５０Åの表面形状を形状する。
の表面平均粗さＲａは、２０〜１５０Åであり、２０Å
より低いとＣＳＳ特性が低下し、一方、Ｒａが１５０Å
より高いと浮上特性が低下するので好ましくない。次
に、上記第１段のテクスチャ加工後の基板表面に、第２
段のテクチスャ加工処理を施こす。第２段のテクスチャ
加工では、研磨テープと特定の遊離砥粒を用いたスラリ
ー研削を施すことが好ましく、上記第１段における表面
平均粗さＲａ及びクロス角度を実質的に変化させること
なく、該表面のバリやカエリ等の突起を選択的に研磨し
て除去し、該表面の最大突起高さＲｐが４００Å以下、
好ましくは１００〜２５０Åの表面形状を形状する。
【００１３】第２段のテクスチャ加工に用いる研磨テー
プとしては、下記の液体スラリーが研磨テープ中を浸透
できるように十分に多孔質を有するもの、例えばナイロ
ン、セルロース、レーヨン等の不織布テープ、バフテー
プ、織布テープ等が好適に用いられ、また遊離砥粒とし
ては、例えば０．３〜６μｍのホワイトアルミナ系の砥
粒が用いられ、該遊離砥粒を水をベースとする液体中に
分散剤と共に懸濁させた液体スラリーが研磨液として用
いられる。該研磨液中の遊離砥粒は、該研磨テープとデ
ィスクとの接触領域でトラップされディスク表面に押し
つけられて、所望の研磨作用を実現する。第２段のテク
スチャ装置としては、図１に示すものと同様の装置が用
いられる。第２段のテクスチャ加工における該スラリー
研削の条件としては、特に制限されるものではなく、通
常ディスク回転数５０〜４００ｒｐｍ、研磨テープの振
動数（往復動数）５０〜２００回／分、シリンダの押付
圧力１．０〜３．０ｋｇ／ｃｍ2 、研磨時間３〜２０秒
の範囲内が用いられる。上記第２段のテクスチャ加工処
理後の最大突起高さＲｐは４００Å以下であるが、４０
０Åより高いと浮上特性が低下するので好ましくない。
プとしては、下記の液体スラリーが研磨テープ中を浸透
できるように十分に多孔質を有するもの、例えばナイロ
ン、セルロース、レーヨン等の不織布テープ、バフテー
プ、織布テープ等が好適に用いられ、また遊離砥粒とし
ては、例えば０．３〜６μｍのホワイトアルミナ系の砥
粒が用いられ、該遊離砥粒を水をベースとする液体中に
分散剤と共に懸濁させた液体スラリーが研磨液として用
いられる。該研磨液中の遊離砥粒は、該研磨テープとデ
ィスクとの接触領域でトラップされディスク表面に押し
つけられて、所望の研磨作用を実現する。第２段のテク
スチャ装置としては、図１に示すものと同様の装置が用
いられる。第２段のテクスチャ加工における該スラリー
研削の条件としては、特に制限されるものではなく、通
常ディスク回転数５０〜４００ｒｐｍ、研磨テープの振
動数（往復動数）５０〜２００回／分、シリンダの押付
圧力１．０〜３．０ｋｇ／ｃｍ2 、研磨時間３〜２０秒
の範囲内が用いられる。上記第２段のテクスチャ加工処
理後の最大突起高さＲｐは４００Å以下であるが、４０
０Åより高いと浮上特性が低下するので好ましくない。
【００１４】本発明の２段階のテクスチャ加工処理で得
られた基板は、その表面平均粗さＲａが２０〜１５０
Å、好ましくは４０〜１００Å、最大突起高さＲｐが１
００〜４００Å、好ましくは１００〜２５０Åで、且つ
Ｒｐ／Ｒａの比率が５以下の凹凸と、クロス角度θが１
０〜４０°、好ましくは１０〜３０°の形状を有する。
本発明の２段階のテクスチャ加工を施すことにより、磁
気ヘッドと磁気記録媒体の吸着が防止でき、且つＣＳＳ
特性が改善され、さらに磁気異方性が良好となる。
られた基板は、その表面平均粗さＲａが２０〜１５０
Å、好ましくは４０〜１００Å、最大突起高さＲｐが１
００〜４００Å、好ましくは１００〜２５０Åで、且つ
Ｒｐ／Ｒａの比率が５以下の凹凸と、クロス角度θが１
０〜４０°、好ましくは１０〜３０°の形状を有する。
本発明の２段階のテクスチャ加工を施すことにより、磁
気ヘッドと磁気記録媒体の吸着が防止でき、且つＣＳＳ
特性が改善され、さらに磁気異方性が良好となる。
【００１５】本発明においては、テクスチャ加工を施し
た基板表面を、酸性溶液の電解液中で、該基板に電圧を
印加しながら電解処理する。上記電解液としては、例え
ば硫酸、硝酸、塩酸、クロム酸、リン酸、シュウ酸、酢
酸等の一種又は二種以上を組合せた０．５〜４０重量
％、望ましくは１〜３０重量％の範囲の濃度の水溶液が
用いられ、特にリン酸が好適である。電解処理条件とし
ては、液温１０〜７０℃、電流密度０．１〜５０ｍＡ／
ｃｍ2 、好ましくは０．５〜４５ｍＡ／ｃｍ2 、さらに
好ましくは１．０〜２５ｍＡ／ｃｍ2 、電解時間１〜４
００秒、好ましくは２〜２００秒、電気量（電流密度と
電解時間の積）１０〜１０００ｍＡ・秒／ｃｍ2 、好ま
しくは５０〜６００ｍＡ・秒／ｃ 2 の範囲内で実施され
る。
た基板表面を、酸性溶液の電解液中で、該基板に電圧を
印加しながら電解処理する。上記電解液としては、例え
ば硫酸、硝酸、塩酸、クロム酸、リン酸、シュウ酸、酢
酸等の一種又は二種以上を組合せた０．５〜４０重量
％、望ましくは１〜３０重量％の範囲の濃度の水溶液が
用いられ、特にリン酸が好適である。電解処理条件とし
ては、液温１０〜７０℃、電流密度０．１〜５０ｍＡ／
ｃｍ2 、好ましくは０．５〜４５ｍＡ／ｃｍ2 、さらに
好ましくは１．０〜２５ｍＡ／ｃｍ2 、電解時間１〜４
００秒、好ましくは２〜２００秒、電気量（電流密度と
電解時間の積）１０〜１０００ｍＡ・秒／ｃｍ2 、好ま
しくは５０〜６００ｍＡ・秒／ｃ 2 の範囲内で実施され
る。
【００１６】本発明における電解処理に供する電位とし
ては、直流又は正負の極性が交互に変換する交番波形電
流が挙げられ、特に交番波形電流が好適である。該交番
波形電流としては、例えば正弦波の単相交流、正弦波の
三相交流、矩形波、三角波、台形波等の波形電流が挙げ
られる。該交番波形電流の周波数としては、好ましくは
０．１〜５００Ｈｚ未満、更に好ましくは０．１〜３０
０Ｈｚ、特に好ましくは０．５〜２００Ｈｚの範囲内で
実施される。該交番波形電流を用いた場合における陽極
時電気量（ＱＡ）と陰極時電気量（ＱＡ）との比（ＱＡ
／ＱＣ）としては０〜２．０、好ましくは０．８〜１．
５、更に好ましくは０．９〜１．１の範囲である。
ては、直流又は正負の極性が交互に変換する交番波形電
流が挙げられ、特に交番波形電流が好適である。該交番
波形電流としては、例えば正弦波の単相交流、正弦波の
三相交流、矩形波、三角波、台形波等の波形電流が挙げ
られる。該交番波形電流の周波数としては、好ましくは
０．１〜５００Ｈｚ未満、更に好ましくは０．１〜３０
０Ｈｚ、特に好ましくは０．５〜２００Ｈｚの範囲内で
実施される。該交番波形電流を用いた場合における陽極
時電気量（ＱＡ）と陰極時電気量（ＱＡ）との比（ＱＡ
／ＱＣ）としては０〜２．０、好ましくは０．８〜１．
５、更に好ましくは０．９〜１．１の範囲である。
【００１７】本発明においては、上記した電解処理によ
って、テクスチャ加工後の基板表面に残った突起やバリ
等がエッチングにより除去され、基板表面がなめらかな
表面状態となり、ヘッドの浮上特性やＣＳＳ特性が大幅
に改善される。特に交番波形電流を用いた場合には、上
記改善に加えて基板表面のピット（孔食）の発生が抑制
でき、且つ保磁力等の磁気特性も向上するので好まし
い。また、電解エッチング処理終了後、必要に応じて、
下地層及び磁性層積層に先立って、遊離砥粒をセルロー
ス製不織布等の基材表面に付着してしみ込ませたもの、
あるいはアルミナ等の砥粒の比較的細かいものを担持し
たテープ等を基板面に押圧して再度テクスチャ処理を施
す仕上げ処理を行ってもよい。
って、テクスチャ加工後の基板表面に残った突起やバリ
等がエッチングにより除去され、基板表面がなめらかな
表面状態となり、ヘッドの浮上特性やＣＳＳ特性が大幅
に改善される。特に交番波形電流を用いた場合には、上
記改善に加えて基板表面のピット（孔食）の発生が抑制
でき、且つ保磁力等の磁気特性も向上するので好まし
い。また、電解エッチング処理終了後、必要に応じて、
下地層及び磁性層積層に先立って、遊離砥粒をセルロー
ス製不織布等の基材表面に付着してしみ込ませたもの、
あるいはアルミナ等の砥粒の比較的細かいものを担持し
たテープ等を基板面に押圧して再度テクスチャ処理を施
す仕上げ処理を行ってもよい。
【００１８】上記電解処理を施した基板表面上に第２次
下地層としてクロムをスパッタリングにより形成する。
該クロム下地層の膜厚としては通常５０〜２０００Åの
範囲である。このような基板のＣｒ下地層上に形成され
る金属磁性薄膜層としては、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ等で表
わされるＣｏ系合金の磁性薄膜層が好適である。ここで
ＸとしてはＬｉ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，
Ａｓ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓ
ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ、及び、Ｅｕより
なる群から選ばれた１種又は２種以上の元素が挙げられ
る。このようなＣｏ系合金からなる金属磁性薄膜層は、
通常スパッタリング等の手段によって基板の下地層上に
被着形成される。該金属磁性薄膜層の膜厚としては、通
常１００〜１０００Åの範囲とされる。
下地層としてクロムをスパッタリングにより形成する。
該クロム下地層の膜厚としては通常５０〜２０００Åの
範囲である。このような基板のＣｒ下地層上に形成され
る金属磁性薄膜層としては、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ等で表
わされるＣｏ系合金の磁性薄膜層が好適である。ここで
ＸとしてはＬｉ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，
Ａｓ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓ
ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ、及び、Ｅｕより
なる群から選ばれた１種又は２種以上の元素が挙げられ
る。このようなＣｏ系合金からなる金属磁性薄膜層は、
通常スパッタリング等の手段によって基板の下地層上に
被着形成される。該金属磁性薄膜層の膜厚としては、通
常１００〜１０００Åの範囲とされる。
【００１９】上記金属磁性薄膜層上に形成される保護薄
膜層としては炭素質膜が好ましく、炭素質保護薄膜層
は、通常、アルゴン、Ｈｅ等の希ガスの雰囲気下又は少
量の水素の存在下で、カーボンをターゲットとしてスパ
ッタリングによりアモルファス状カーボン膜や水素化カ
ーボン膜等が被着形成される。該保護薄膜層の膜厚は、
通常５０〜５００Åの範囲とされる。また、保護薄膜層
上に、摩擦係数を小さくするために、更に潤滑膜を形成
させてもよい。
膜層としては炭素質膜が好ましく、炭素質保護薄膜層
は、通常、アルゴン、Ｈｅ等の希ガスの雰囲気下又は少
量の水素の存在下で、カーボンをターゲットとしてスパ
ッタリングによりアモルファス状カーボン膜や水素化カ
ーボン膜等が被着形成される。該保護薄膜層の膜厚は、
通常５０〜５００Åの範囲とされる。また、保護薄膜層
上に、摩擦係数を小さくするために、更に潤滑膜を形成
させてもよい。
【００２０】
【実施例】次に、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施
例によって限定されるものではない。 実施例１〜３ 無電解メッキ法によりＮｉ−Ｐメッキを１５μｍ程度の
厚みで施したアルミニウム合金ディスク状基板の表面
を、ポリッシュ加工により表面平均粗さ（Ｒａ）が約２
０〜３０Åの膜面とし、次いで表１に示した条件で行っ
た第１段のテクスチャ加工により微細な溝を形成し、更
にそのディスクに遊離砥粒を用いた第２段のテクスチャ
加工を施す処理を行い、表面平均粗さ（Ｒａ）約６０Å
程度及び最大突起高さ（Ｒｐ）２７０Å程度の大きさで
仕上げた。次に１０ｗｔ．％りん酸水溶液中で、該ディ
スク基板に電流が矩形波の交番波形となるよう電圧を印
加しながら、液温２０℃、表２に示した条件下で電解処
理を行った。得られたディスクの表面平均粗さ（Ｒａ）
は６３Å、最大突起高さ（Ｒｐ）は２４０Åであった。
次いで該基板の表面層上に一般的なＣｒ下地膜、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ合金から成る磁性層及びカーボン膜から成る
保護膜を、順次スパッタリング被膜して、磁気ディスク
を製造した。得られたディスクについての表面形状（Ｒ
ａ及びＲｐ）、グライド浮上特性、及びＣＳＳ特性を下
記方法で評価した。その結果を表２に示す。
明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施
例によって限定されるものではない。 実施例１〜３ 無電解メッキ法によりＮｉ−Ｐメッキを１５μｍ程度の
厚みで施したアルミニウム合金ディスク状基板の表面
を、ポリッシュ加工により表面平均粗さ（Ｒａ）が約２
０〜３０Åの膜面とし、次いで表１に示した条件で行っ
た第１段のテクスチャ加工により微細な溝を形成し、更
にそのディスクに遊離砥粒を用いた第２段のテクスチャ
加工を施す処理を行い、表面平均粗さ（Ｒａ）約６０Å
程度及び最大突起高さ（Ｒｐ）２７０Å程度の大きさで
仕上げた。次に１０ｗｔ．％りん酸水溶液中で、該ディ
スク基板に電流が矩形波の交番波形となるよう電圧を印
加しながら、液温２０℃、表２に示した条件下で電解処
理を行った。得られたディスクの表面平均粗さ（Ｒａ）
は６３Å、最大突起高さ（Ｒｐ）は２４０Åであった。
次いで該基板の表面層上に一般的なＣｒ下地膜、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ合金から成る磁性層及びカーボン膜から成る
保護膜を、順次スパッタリング被膜して、磁気ディスク
を製造した。得られたディスクについての表面形状（Ｒ
ａ及びＲｐ）、グライド浮上特性、及びＣＳＳ特性を下
記方法で評価した。その結果を表２に示す。
【００２１】評価方法 表面形状（表面平均粗さ（Ｒａ）、最大突起高さ（Ｒ
ｐ））：先端が０．５μｍ円錐の触針を有する表面粗さ
計（小坂研究所製「ＥＴ−３０ＨＫ」）により、計測長
２５０μｍで測定した。測定方法としては基板上の円周
部任意の直線上の表面について半径方向に測定し、表面
平均粗さＲａ及び最大突起高さＲｐを求めた。 グライド浮上特性：日立ＤＥＣＯ製ＲＧ５５０を用い
てＰＺＴ素子によりヘッドとディスクの突起の衝突を検
出し、外界ヘッド浮上高さとして評価した。 ＣＳＳ特性 ディスクを実ドライブに組み込みスタート、ストップを
繰り返し行い、ＣＳＳ２００００回行った後のヘッドと
ディスクとの静止摩擦係数で評価した。 比較例１及び２ 第１段のテクスチャ加工を表１に示す条件下で行い、リ
ン酸による電解処理を行わなかったこと以外は、実施例
１〜３と同様にして、磁気ディスクを製造した。得られ
たディスクについての評価結果を表２に示す。
ｐ））：先端が０．５μｍ円錐の触針を有する表面粗さ
計（小坂研究所製「ＥＴ−３０ＨＫ」）により、計測長
２５０μｍで測定した。測定方法としては基板上の円周
部任意の直線上の表面について半径方向に測定し、表面
平均粗さＲａ及び最大突起高さＲｐを求めた。 グライド浮上特性：日立ＤＥＣＯ製ＲＧ５５０を用い
てＰＺＴ素子によりヘッドとディスクの突起の衝突を検
出し、外界ヘッド浮上高さとして評価した。 ＣＳＳ特性 ディスクを実ドライブに組み込みスタート、ストップを
繰り返し行い、ＣＳＳ２００００回行った後のヘッドと
ディスクとの静止摩擦係数で評価した。 比較例１及び２ 第１段のテクスチャ加工を表１に示す条件下で行い、リ
ン酸による電解処理を行わなかったこと以外は、実施例
１〜３と同様にして、磁気ディスクを製造した。得られ
たディスクについての評価結果を表２に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】
【発明の効果】本発明の方法で基板の表面処理を行うこ
とにより、浮上特性、潤滑性及び耐摩耗性に優れた、磁
気記録媒体を提供することができるため、工業的な利用
価値が高い。
とにより、浮上特性、潤滑性及び耐摩耗性に優れた、磁
気記録媒体を提供することができるため、工業的な利用
価値が高い。
【図１】（ａ）本発明で用いられるテクスチャ加工装置
の構成要素の一部概略正面図である。 （ｂ）（ａ）の概略側面図である。
の構成要素の一部概略正面図である。 （ｂ）（ａ）の概略側面図である。
【符号の説明】 １ 基板 ２ 研磨テープ ３ コンタクトローラ ４ ローラ押さえシリンダ ５ 研磨ノズル
Claims (4)
- 【請求項１】 基板にテクスチャ加工を施し、この表面
上に下地層及び磁性層を順次形成する磁気記録媒体の製
造方法において、該基板の表面を第１段のテクスチャ加
工により、該基板の表面平均粗さＲａを２０〜１５０Å
の表面形状に加工し、次いで第２段のテクスチャ加工に
より該基板表面の最大突起高さＲｐを４００Å以下にし
た基板表面を、酸性溶液の電解液中で、該基板に電圧を
印加しながら電解処理したのち、下地層及び磁性層を形
成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 第２段のテクスチャ加工を、遊離砥粒を
用いたスラリー研削により行う請求項１に記載の磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 第２段のテクスチャ加工後の基板表面
が、最大突起粗さ（Ｒｐ）と表面平均粗さ（Ｒａ）の比
率が５以下の凹凸を有しており、基板表面に形成された
条痕の交差する角度が１０〜４０°の範囲内である請求
項１又は２に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 電解処理を、該基板に電流が交番波形と
なるように電圧を印加しながら行う請求項１〜３に記載
の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1105494A JPH07220268A (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1105494A JPH07220268A (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07220268A true JPH07220268A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11767313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1105494A Pending JPH07220268A (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07220268A (ja) |
-
1994
- 1994-02-02 JP JP1105494A patent/JPH07220268A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004178777A (ja) | テクスチャ加工用研磨スラリー及び方法 | |
| US20090223923A1 (en) | Method for Manufacturing a Surface-Treated Silicon Substrate for Magnetic Recording Medium | |
| US5437779A (en) | Method of making a magnetic record medium | |
| JPH07220268A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH07244845A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3506182B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH05166176A (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
| JPH07272265A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH06231453A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH06150304A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH0896355A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH10162343A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0817053A (ja) | 磁気デイスク | |
| JPH07225945A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH11161946A (ja) | 磁気記録媒体用基板のテキスチャ加工方法 | |
| JPH07169050A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3869380B2 (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法および磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH11259857A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH06309648A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH11175968A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH08161738A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH10134346A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2000003515A (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
| JPH11203672A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2000173050A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 |