JPH07220305A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH07220305A JPH07220305A JP6027316A JP2731694A JPH07220305A JP H07220305 A JPH07220305 A JP H07220305A JP 6027316 A JP6027316 A JP 6027316A JP 2731694 A JP2731694 A JP 2731694A JP H07220305 A JPH07220305 A JP H07220305A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録膜の薄膜化を可能とし、記録感度向上と
記録ピットのコントラスト比の向上を両立させ、熱的ダ
メージが少なく、繰り返しオーバライト耐性に優れた特
性を得る。 【構成】 光記録媒体は、相変化により光学的な性質が
変化する記録膜３が基板１上に設けられて成るものであ
る。記録膜３の少なくとも一方の面に光熱調整膜４が設
けられている。光熱調整膜４は、記録膜３の融点及び熱
伝導率よりも高い融点及び熱伝導率を有し、かつ記録膜
３の熱膨張率よりも低い熱膨張率を有する光透過性材料
で形成されている。
記録ピットのコントラスト比の向上を両立させ、熱的ダ
メージが少なく、繰り返しオーバライト耐性に優れた特
性を得る。 【構成】 光記録媒体は、相変化により光学的な性質が
変化する記録膜３が基板１上に設けられて成るものであ
る。記録膜３の少なくとも一方の面に光熱調整膜４が設
けられている。光熱調整膜４は、記録膜３の融点及び熱
伝導率よりも高い融点及び熱伝導率を有し、かつ記録膜
３の熱膨張率よりも低い熱膨張率を有する光透過性材料
で形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光、電子線等の記
録用のエネルギービームによって、たとえば電子計算機
のデータやディジタルオーディオ信号などのディジタル
情報をリアルタイムで記録することが可能な光記録媒体
に関するものである。
録用のエネルギービームによって、たとえば電子計算機
のデータやディジタルオーディオ信号などのディジタル
情報をリアルタイムで記録することが可能な光記録媒体
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】相変化を利用した光記録媒体は、非晶質
状態及び結晶状態における可逆的な相変化とレーザ光反
射率の差異とを利用して、情報の記録及び消去を行うも
のである。すなわち、結晶状態になっている一部にレー
ザ光を照射すると、その部分のみが急熱急冷されること
により非晶質状態に変化し、他の部分とは反射率の異な
るマークが形成される。続いて、このマークが形成され
た部分に記録時よりも弱いレーザ光を照射すると、その
部分が緩やかに加熱冷却されて結晶状態に戻る。
状態及び結晶状態における可逆的な相変化とレーザ光反
射率の差異とを利用して、情報の記録及び消去を行うも
のである。すなわち、結晶状態になっている一部にレー
ザ光を照射すると、その部分のみが急熱急冷されること
により非晶質状態に変化し、他の部分とは反射率の異な
るマークが形成される。続いて、このマークが形成され
た部分に記録時よりも弱いレーザ光を照射すると、その
部分が緩やかに加熱冷却されて結晶状態に戻る。
【０００３】このような光記録媒体としては、エス・ア
ール・オブシンスキー（S.R.Ovshinsky）氏等により開
発されたカルコゲン材料であるＧｅ15Ｔｅ81Ｓｂ2Ｓ2等
のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系が一般的に用いられている。
ール・オブシンスキー（S.R.Ovshinsky）氏等により開
発されたカルコゲン材料であるＧｅ15Ｔｅ81Ｓｂ2Ｓ2等
のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系が一般的に用いられている。
【０００４】図９に、従来の光記録媒体の概略断面図を
示す。この光記録媒体は、基板１上に、下地保護膜２、
記録膜３、光干渉保護膜５、金属反射膜６、紫外線硬化
樹脂膜７を順次積層したものである。このような構成に
よる相変化光ディスクが現在市販されている。
示す。この光記録媒体は、基板１上に、下地保護膜２、
記録膜３、光干渉保護膜５、金属反射膜６、紫外線硬化
樹脂膜７を順次積層したものである。このような構成に
よる相変化光ディスクが現在市販されている。
【０００５】ところで、光記録媒体の書換可能回数は、
オーバライトの繰り返しで生じる記録膜流動によって制
限されている。この、記録膜流動は、記録膜の膜厚変化
やボイドの発生によって引き起こされる。このような記
録膜の膜厚変化やボイドの発生は、保護膜の熱変形や温
度勾配による界面エネルギー差が原因と考えられてい
る。
オーバライトの繰り返しで生じる記録膜流動によって制
限されている。この、記録膜流動は、記録膜の膜厚変化
やボイドの発生によって引き起こされる。このような記
録膜の膜厚変化やボイドの発生は、保護膜の熱変形や温
度勾配による界面エネルギー差が原因と考えられてい
る。
【０００６】記録膜の安定性を得るための従来技術とし
て以下の例が知られている。第一例は、記録膜の上面及
び下面に、耐熱性の優れた誘電体膜を保護膜として形成
したものである（例えば、特開昭５７−１４１０３４号
公報、特開昭５９−４０３３６号公報）。第二例は、片
面に金属膜、透明誘電性膜を保護膜として形成したもの
である（例えば特開平２−８９２３７号公報）。
て以下の例が知られている。第一例は、記録膜の上面及
び下面に、耐熱性の優れた誘電体膜を保護膜として形成
したものである（例えば、特開昭５７−１４１０３４号
公報、特開昭５９−４０３３６号公報）。第二例は、片
面に金属膜、透明誘電性膜を保護膜として形成したもの
である（例えば特開平２−８９２３７号公報）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第一例
では、熱膨張率は小さく優れているが熱伝導率が小さ
く、記録膜を非晶質化するために必要な、融点以上に昇
温後の記録膜の急冷については配慮されていない。この
ため記録膜の急冷が行えず、信号が良好に記録できない
等の課題を有する。また、第二例では、金属膜では熱伝
導率が大きく優れている。しかし、記録膜と反射膜との
間に光学的なコントラストをつけるための光干渉膜とし
ての誘電体保護膜が存在せず、光学的に安定した再生信
号を得るための光学設計による配慮がされていない。こ
のため、再生信号振幅が小さくなり十分なＳ／Ｎが得ら
れない等の課題を有する。
では、熱膨張率は小さく優れているが熱伝導率が小さ
く、記録膜を非晶質化するために必要な、融点以上に昇
温後の記録膜の急冷については配慮されていない。この
ため記録膜の急冷が行えず、信号が良好に記録できない
等の課題を有する。また、第二例では、金属膜では熱伝
導率が大きく優れている。しかし、記録膜と反射膜との
間に光学的なコントラストをつけるための光干渉膜とし
ての誘電体保護膜が存在せず、光学的に安定した再生信
号を得るための光学設計による配慮がされていない。こ
のため、再生信号振幅が小さくなり十分なＳ／Ｎが得ら
れない等の課題を有する。
【０００８】
【発明の目的】本発明の目的は、上記課題を解決し、光
記録媒体の記録膜の薄膜化を可能とし、記録感度向上と
記録ピットのコントラスト比の向上を両立させ、熱的ダ
メージが少なく、繰り返しオーバライト耐性に優れた光
記録媒体を提供することにある。
記録媒体の記録膜の薄膜化を可能とし、記録感度向上と
記録ピットのコントラスト比の向上を両立させ、熱的ダ
メージが少なく、繰り返しオーバライト耐性に優れた光
記録媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に記録
膜と、少なくとも該記録膜の片面に接して形成された光
熱調整膜とを有し、該記録膜と該光熱調整膜を挟むよう
に、あるいは片面に接するように形成された保護膜を有
し、熱伝導率の良い金属反射膜を有してなる情報記録媒
体において、光熱調整膜を該記録膜の融点、熱伝導率よ
りも高い融点と熱伝導率を有し、かつ該記録膜の熱膨張
率よりも低い熱膨張率を持った光透過性材料で形成する
ことにより、達成される。光熱調整膜として、Ｓｉ，ダ
イヤモンドカーボンが特に望ましい。
膜と、少なくとも該記録膜の片面に接して形成された光
熱調整膜とを有し、該記録膜と該光熱調整膜を挟むよう
に、あるいは片面に接するように形成された保護膜を有
し、熱伝導率の良い金属反射膜を有してなる情報記録媒
体において、光熱調整膜を該記録膜の融点、熱伝導率よ
りも高い融点と熱伝導率を有し、かつ該記録膜の熱膨張
率よりも低い熱膨張率を持った光透過性材料で形成する
ことにより、達成される。光熱調整膜として、Ｓｉ，ダ
イヤモンドカーボンが特に望ましい。
【００１０】
［１．光熱調整膜の光学的作用］本発明の光記録媒体
は、基板上に記録膜と、少なくとも該記録膜の片面に接
して形成されたレーザ光に対して高い光透過率を有する
光熱調整膜とを有し、該記録膜と該光熱調整膜を挟む
か、あるいは片面に形成された保護膜と熱伝導率の良い
金属反射膜を有してなる媒体構成を用いることで、光学
的干渉効果を利用でき、記録膜の薄膜化による記録感度
の向上、および非晶質と結晶質のコントラスト比の向上
による再生信号の安定性が確保できる。また、屈折率が
光学干渉保護膜よりも大きな屈折率を有する光熱調整膜
を使用することで、記録膜の膜厚による光学干渉の周期
性が短くなり、より薄い記録膜の膜厚でも十分な非晶質
と結晶質のコントラスト比を得ることができる。記録膜
の膜厚を薄くすることにより記録感度は向上する。
は、基板上に記録膜と、少なくとも該記録膜の片面に接
して形成されたレーザ光に対して高い光透過率を有する
光熱調整膜とを有し、該記録膜と該光熱調整膜を挟む
か、あるいは片面に形成された保護膜と熱伝導率の良い
金属反射膜を有してなる媒体構成を用いることで、光学
的干渉効果を利用でき、記録膜の薄膜化による記録感度
の向上、および非晶質と結晶質のコントラスト比の向上
による再生信号の安定性が確保できる。また、屈折率が
光学干渉保護膜よりも大きな屈折率を有する光熱調整膜
を使用することで、記録膜の膜厚による光学干渉の周期
性が短くなり、より薄い記録膜の膜厚でも十分な非晶質
と結晶質のコントラスト比を得ることができる。記録膜
の膜厚を薄くすることにより記録感度は向上する。
【００１１】記録膜の膜厚が薄くなると以下のような作
用が現れる。 ｕ＝（ｄｐ／ｄｘ）*（ｄｐ２／４μ）・・・・・
（１） ｕ ：流動速度（ｃｍ／ｓ） （ｄｐ／ｄｘ）：圧力勾配 ｄｅ ：有効直径 μ ：材料の粘性係数 ｄｅ＝４*（流路断面積）／ねれぶちの長さ ＝４*ａ*ρ／２（ａ＋ρ）＝２ρ（ａ＜＜ρ）・・・（２） ａ ：記録マーク幅（〜１０3） ρ ：記録材料膜の膜厚 流動の推進力に相当する圧力勾配は（１），（２）式に
よりρの二乗に比例し、μに反比例する。
用が現れる。 ｕ＝（ｄｐ／ｄｘ）*（ｄｐ２／４μ）・・・・・
（１） ｕ ：流動速度（ｃｍ／ｓ） （ｄｐ／ｄｘ）：圧力勾配 ｄｅ ：有効直径 μ ：材料の粘性係数 ｄｅ＝４*（流路断面積）／ねれぶちの長さ ＝４*ａ*ρ／２（ａ＋ρ）＝２ρ（ａ＜＜ρ）・・・（２） ａ ：記録マーク幅（〜１０3） ρ ：記録材料膜の膜厚 流動の推進力に相当する圧力勾配は（１），（２）式に
よりρの二乗に比例し、μに反比例する。
【００１２】上記の理由により、記録膜の膜厚を薄くす
ると記録・消去の繰り返しに伴う記録膜材料が案内溝に
沿って移動する現象を制御することができる。
ると記録・消去の繰り返しに伴う記録膜材料が案内溝に
沿って移動する現象を制御することができる。
【００１３】［２．光熱調整膜の熱力学的作用］光熱干
渉調整膜として高融点かつ低熱膨張率材料の膜、例えば
高融点かつ低熱膨張率の半導体膜を用いることにより、
記録時の熱履歴に対する記録膜や保護膜の変形あるいは
酸化の防止を図ることができるが、さらに、この高融点
かつ低熱膨張率半導体膜としてその熱伝導率が記録膜の
熱伝導率よりも大きなものを用いることによって、記録
時に記録膜に発生する熱を記録膜中に滞留させること無
く光熱調整膜を通して保護膜や反射膜中に拡散させるこ
とができるので、記録膜をその融点以上に加熱し急冷し
非晶質化させるときの記録膜の急冷を促進し、オーバラ
イト用の結晶化速度の速い記録膜においても結晶化時間
内での急冷を可能として、冷却過程での再結晶化を抑止
することができる。
渉調整膜として高融点かつ低熱膨張率材料の膜、例えば
高融点かつ低熱膨張率の半導体膜を用いることにより、
記録時の熱履歴に対する記録膜や保護膜の変形あるいは
酸化の防止を図ることができるが、さらに、この高融点
かつ低熱膨張率半導体膜としてその熱伝導率が記録膜の
熱伝導率よりも大きなものを用いることによって、記録
時に記録膜に発生する熱を記録膜中に滞留させること無
く光熱調整膜を通して保護膜や反射膜中に拡散させるこ
とができるので、記録膜をその融点以上に加熱し急冷し
非晶質化させるときの記録膜の急冷を促進し、オーバラ
イト用の結晶化速度の速い記録膜においても結晶化時間
内での急冷を可能として、冷却過程での再結晶化を抑止
することができる。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明に係る光記録媒体の第一実施
例を示す断面図である。光ビームが入射する下部から例
えばポリカーボネイト製の透明基板１、ＳｉＯ2下地保
護膜２、ＩｎＳｅ記録膜３、Ｓｉ光熱調整膜４、ＳｉＯ
2光干渉保護膜５、Ｃｕ反射膜６、紫外線硬化樹脂７の
順に構成され、それぞれの厚みを１．２ｎｍ，１００ｎ
ｍ，１１０ｎｍ，３０ｎｍ，１０ｎｍ，６０ｎｍ，５０
μｍとした。また、図９は光記録媒体の従来例を示す断
面図であり、光熱調整膜４が含まれていない。なお、以
下の説明において従来例ではＳｉＯ2光干渉保護膜５の
膜厚を４０ｎｍとした。
例を示す断面図である。光ビームが入射する下部から例
えばポリカーボネイト製の透明基板１、ＳｉＯ2下地保
護膜２、ＩｎＳｅ記録膜３、Ｓｉ光熱調整膜４、ＳｉＯ
2光干渉保護膜５、Ｃｕ反射膜６、紫外線硬化樹脂７の
順に構成され、それぞれの厚みを１．２ｎｍ，１００ｎ
ｍ，１１０ｎｍ，３０ｎｍ，１０ｎｍ，６０ｎｍ，５０
μｍとした。また、図９は光記録媒体の従来例を示す断
面図であり、光熱調整膜４が含まれていない。なお、以
下の説明において従来例ではＳｉＯ2光干渉保護膜５の
膜厚を４０ｎｍとした。
【００１５】図２は図９、又は図３乃至図６は図１に示
した光記録媒体において、ＩｎＳｅ記録膜の膜厚と記録
前後の反射率と吸収率の変化を８３０ｎｍのレーザ光の
波長に対して示した光学計算結果である。図中、□と■
は未記録部の反射率と吸収率、○と●は記録部の反射率
と吸収率を示す。
した光記録媒体において、ＩｎＳｅ記録膜の膜厚と記録
前後の反射率と吸収率の変化を８３０ｎｍのレーザ光の
波長に対して示した光学計算結果である。図中、□と■
は未記録部の反射率と吸収率、○と●は記録部の反射率
と吸収率を示す。
【００１６】図２の従来例の光学計算結果と、図３の光
熱調整膜Ｓｉ３０ｎｍ、光干渉保護膜ＳｉＯ2１０ｎｍ
としたときの光学計算結果との比較より、ＩｎＳｅ記録
膜１１０ｎｍでは、従来例で未記録部の反射率８２％、
吸収率１６％、記録部の反射率３０％、吸収率６８％と
なり、記録部と未記録部の反射率差は５２％、本発明の
光熱調整膜Ｓｉで未記録部の反射率６２％、吸収率１９
％、記録部の反射率２％、吸収率８２％となり、記録部
と未記録部の反射率差は６０％である。本発明の光熱調
整膜にＳｉを用いても、光学的に十分なコントラスト
（記録部と未記録部の反射率差）を得られることを示し
た。また、図３の光熱調整膜をＳｉとしたときの光学計
算結果より、ＩｎＳｅ記録膜が１００ｎｍのとき、未記
録部の反射率７２％、吸収率１３％、記録部の反射率１
９％、吸収率６４％となり、記録部と未記録部の反射率
差は５３％となり、ＩｎＳｅ記録膜の膜厚を薄くしても
従来例と同様のコントラストを得られることを示した。
熱調整膜Ｓｉ３０ｎｍ、光干渉保護膜ＳｉＯ2１０ｎｍ
としたときの光学計算結果との比較より、ＩｎＳｅ記録
膜１１０ｎｍでは、従来例で未記録部の反射率８２％、
吸収率１６％、記録部の反射率３０％、吸収率６８％と
なり、記録部と未記録部の反射率差は５２％、本発明の
光熱調整膜Ｓｉで未記録部の反射率６２％、吸収率１９
％、記録部の反射率２％、吸収率８２％となり、記録部
と未記録部の反射率差は６０％である。本発明の光熱調
整膜にＳｉを用いても、光学的に十分なコントラスト
（記録部と未記録部の反射率差）を得られることを示し
た。また、図３の光熱調整膜をＳｉとしたときの光学計
算結果より、ＩｎＳｅ記録膜が１００ｎｍのとき、未記
録部の反射率７２％、吸収率１３％、記録部の反射率１
９％、吸収率６４％となり、記録部と未記録部の反射率
差は５３％となり、ＩｎＳｅ記録膜の膜厚を薄くしても
従来例と同様のコントラストを得られることを示した。
【００１７】図４は、図１に示した光記録媒体の媒体構
成において、光熱調整膜をＣ（ダイヤモンドカーボン）
３０ｎｍ、光干渉保護膜ＳｉＯ2１０ｎｍとしたときの
光学計算結果である。ＩｎＳｅ記録膜１１０ｎｍでは、
未記録部の反射率８２％、吸収率１６％、記録部の反射
率２５％、吸収率７２％となり、記録部と未記録部の反
射率差は５７％である。本発明の光熱調整膜にＣ（ダイ
ヤモンドカーボン）を用いても、光学的に十分なコント
ラスト（記録部と未記録部の反射率差）を得ることを示
した。
成において、光熱調整膜をＣ（ダイヤモンドカーボン）
３０ｎｍ、光干渉保護膜ＳｉＯ2１０ｎｍとしたときの
光学計算結果である。ＩｎＳｅ記録膜１１０ｎｍでは、
未記録部の反射率８２％、吸収率１６％、記録部の反射
率２５％、吸収率７２％となり、記録部と未記録部の反
射率差は５７％である。本発明の光熱調整膜にＣ（ダイ
ヤモンドカーボン）を用いても、光学的に十分なコント
ラスト（記録部と未記録部の反射率差）を得ることを示
した。
【００１８】図５は、図１に示した光記録媒体の媒体構
成において、光干渉保護膜ＳｉＯ2を取り除き光熱調整
膜をＣ（ダイヤモンドカーボン）４０ｎｍとしたときの
光学計算結果である。光学計算結果は光干渉保護膜を有
する図４とほぼ同等な計算結果を示しており、光熱調整
膜のＣ（ダイヤモンドカーボン）が光干渉保護膜ＳｉＯ
2を取り除いても十分な光学干渉効果を有することを示
した。
成において、光干渉保護膜ＳｉＯ2を取り除き光熱調整
膜をＣ（ダイヤモンドカーボン）４０ｎｍとしたときの
光学計算結果である。光学計算結果は光干渉保護膜を有
する図４とほぼ同等な計算結果を示しており、光熱調整
膜のＣ（ダイヤモンドカーボン）が光干渉保護膜ＳｉＯ
2を取り除いても十分な光学干渉効果を有することを示
した。
【００１９】図６は、図１に示した光記録媒体の媒体構
成において、光干渉保護膜ＳｉＯ2を取り除き光熱調整
膜をＣ（ダイヤモンドカーボン）２２０ｎｍとしたとき
の光学計算結果である。ＩｎＳｅ記録膜が２５ｎｍのと
き、未記録部の反射率７２％、吸収率１６％、記録部の
反射率２６％、吸収率６０％となり、記録部と未記録部
の反射率差は４６％となり、熱調整膜Ｃ（ダイヤモンド
カーボン）を２２０ｎｍと厚くしたことにより、ＩｎＳ
ｅ記録膜が１／４以下の膜厚でできることを示した。
成において、光干渉保護膜ＳｉＯ2を取り除き光熱調整
膜をＣ（ダイヤモンドカーボン）２２０ｎｍとしたとき
の光学計算結果である。ＩｎＳｅ記録膜が２５ｎｍのと
き、未記録部の反射率７２％、吸収率１６％、記録部の
反射率２６％、吸収率６０％となり、記録部と未記録部
の反射率差は４６％となり、熱調整膜Ｃ（ダイヤモンド
カーボン）を２２０ｎｍと厚くしたことにより、ＩｎＳ
ｅ記録膜が１／４以下の膜厚でできることを示した。
【００２０】図７は、図３乃至図６に示す媒体構成につ
いて、温度履歴（温度上昇最高点）のシミュレーション
結果を示したものである。図中（１）は、光熱調整膜無
しの媒体構成、（２）は、Ｓｉの光熱調整膜を有し、光
干渉保護膜ＳｉＯ2１０ｎｍの媒体構成、（３）はＣ
（ダイヤモンドカーボン）の光熱調整膜を有し、光干渉
保護膜ＳｉＯ2１０ｎｍの媒体構成、（４）は、Ｃ（ダ
イヤモンドカーボン）光熱調整膜を有し、光干渉保護膜
ＳｉＯ2を取り除いた媒体構成の温度履歴シミュレーシ
ョン結果を示した。光熱調整膜のＳｉ，Ｃ（ダイヤモン
ドカーボン）を用いると温度上昇最高点が低下した。媒
体構成に光熱調整膜を用いることにより、熱衝撃が緩和
されることを示した。
いて、温度履歴（温度上昇最高点）のシミュレーション
結果を示したものである。図中（１）は、光熱調整膜無
しの媒体構成、（２）は、Ｓｉの光熱調整膜を有し、光
干渉保護膜ＳｉＯ2１０ｎｍの媒体構成、（３）はＣ
（ダイヤモンドカーボン）の光熱調整膜を有し、光干渉
保護膜ＳｉＯ2１０ｎｍの媒体構成、（４）は、Ｃ（ダ
イヤモンドカーボン）光熱調整膜を有し、光干渉保護膜
ＳｉＯ2を取り除いた媒体構成の温度履歴シミュレーシ
ョン結果を示した。光熱調整膜のＳｉ，Ｃ（ダイヤモン
ドカーボン）を用いると温度上昇最高点が低下した。媒
体構成に光熱調整膜を用いることにより、熱衝撃が緩和
されることを示した。
【００２１】図８は、図９に示した媒体構成について、
ＩｎＳｅ記録膜膜厚２５ｎｍ、光干渉保護膜ＳｉＯ2の
膜厚を２２０ｎｍとした媒体構成と、図１に示した媒体
構成について、ＩｎＳｅ記録膜膜厚２５ｎｍ、Ｃ（ダイ
ヤモンドカーボン）の光熱調整膜２２０ｎｍ、光干渉保
護膜ＳｉＯ2を取り除いた媒体構成とに対する温度履歴
シミュレーションの比較結果を示した。図中（５）は、
光干渉保護膜ＳｉＯ2の膜厚２２０ｎｍ、（６）は、光
熱調整膜２２０の温度履歴シミュレーション結果であ
る。熱伝導率の低い光干渉保護膜ＳｉＯ2 を有する
（５）は、温度上昇最高点が大幅に上昇しているのに対
して、熱伝導率の低い光熱調整膜Ｃ（ダイヤモンドカー
ボン）は、２２０ｎｍの厚い膜厚にも係わらず温度上昇
最高点が低く抑えられており、光熱調整膜の膜厚が厚く
とも温度上昇を抑えることが可能であることを示した。
ＩｎＳｅ記録膜膜厚２５ｎｍ、光干渉保護膜ＳｉＯ2の
膜厚を２２０ｎｍとした媒体構成と、図１に示した媒体
構成について、ＩｎＳｅ記録膜膜厚２５ｎｍ、Ｃ（ダイ
ヤモンドカーボン）の光熱調整膜２２０ｎｍ、光干渉保
護膜ＳｉＯ2を取り除いた媒体構成とに対する温度履歴
シミュレーションの比較結果を示した。図中（５）は、
光干渉保護膜ＳｉＯ2の膜厚２２０ｎｍ、（６）は、光
熱調整膜２２０の温度履歴シミュレーション結果であ
る。熱伝導率の低い光干渉保護膜ＳｉＯ2 を有する
（５）は、温度上昇最高点が大幅に上昇しているのに対
して、熱伝導率の低い光熱調整膜Ｃ（ダイヤモンドカー
ボン）は、２２０ｎｍの厚い膜厚にも係わらず温度上昇
最高点が低く抑えられており、光熱調整膜の膜厚が厚く
とも温度上昇を抑えることが可能であることを示した。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光熱調整
膜を相変化光記録媒体に用いれば、光学干渉条件を損な
うこと無く、熱によるダメージの緩和と記録・消去の繰
り返しに伴う記録膜材料が案内溝に沿って移動する現象
を制御し、記録・消去の繰り返し特性を向上できる。
膜を相変化光記録媒体に用いれば、光学干渉条件を損な
うこと無く、熱によるダメージの緩和と記録・消去の繰
り返しに伴う記録膜材料が案内溝に沿って移動する現象
を制御し、記録・消去の繰り返し特性を向上できる。
【００２３】また、光熱調整膜にダイヤモンドカーボン
を用いれば、記録膜の膜厚を薄くすることが可能とな
り、記録感度の向上と記録・消去の繰り返しに伴う記録
膜材料が案内溝に沿って移動する現象を制御し、記録・
消去の繰し返し特性をさらに向上できる。
を用いれば、記録膜の膜厚を薄くすることが可能とな
り、記録感度の向上と記録・消去の繰り返しに伴う記録
膜材料が案内溝に沿って移動する現象を制御し、記録・
消去の繰し返し特性をさらに向上できる。
【図１】本発明の第一実施例を示す断面図である。
【図２】従来例における記録膜膜厚と記録前後の反射率
及び吸収率との関係を示すグラフである。
及び吸収率との関係を示すグラフである。
【図３】本発明の第一実施例における記録膜膜厚と記録
前後の反射率及び吸収率との関係を示すグラフである。
前後の反射率及び吸収率との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第二実施例における記録膜膜厚と記録
前後の反射率及び吸収率との関係を示すグラフである。
前後の反射率及び吸収率との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の第三実施例における記録膜膜厚と記録
前後の反射率及び吸収率との関係を示すグラフである。
前後の反射率及び吸収率との関係を示すグラフである。
【図６】本発明の第四実施例における記録膜膜厚と記録
前後の反射率及び吸収率との関係を示すグラフである。
前後の反射率及び吸収率との関係を示すグラフである。
【図７】本発明の第一乃至第三実施例について、温度履
歴（温度上昇最高点）を示したグラフである。
歴（温度上昇最高点）を示したグラフである。
【図８】従来例と本発明の第四実施例とについて、温度
履歴（温度上昇最高点）を比較したグラフである。
履歴（温度上昇最高点）を比較したグラフである。
【図９】従来例を示す断面図である。
１ 基板 ２ 下地誘電体膜 ３ 記録膜 ４ 光熱調整膜 ５ 光干渉保護膜 ６ 反射膜 ７ 紫外線硬化樹脂
Claims (5)
- 【請求項１】 相変化により光学的な性質が変化する記
録膜が基板上に設けられて成る光記録媒体において、 前記記録膜の少なくとも一方の面に光熱調整膜が設けら
れ、この光熱調整膜は、前記記録膜の融点及び熱伝導率
よりも高い融点及び熱伝導率を有し、かつ前記記録膜の
熱膨張率よりも低い熱膨張率を有する光透過性材料で形
成されたことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 前記記録膜と前記熱調整膜との積層体の
少なくとも一方の面に保護膜が設けられたことを特徴と
する請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記光熱調整膜の屈折率ｎと前記保護膜
の屈折率ｎｉとが、ｎ＜ｎｉの関係で表わされることを
特徴とする請求項２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 前記光熱調整膜がシリコンであることを
特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記光熱調整膜がダイアモンドカーボン
であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6027316A JPH07220305A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6027316A JPH07220305A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07220305A true JPH07220305A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=12217686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6027316A Pending JPH07220305A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07220305A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320742A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPS6356828A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光情報記録担体 |
| JPS63187435A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録担体 |
| JPH043343A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPH0636352A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 相変化型光ディスク |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP6027316A patent/JPH07220305A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320742A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPS6356828A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光情報記録担体 |
| JPS63187435A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録担体 |
| JPH043343A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPH0636352A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 相変化型光ディスク |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980421 |