JPH0722065B2 - 厚膜コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
厚膜コンデンサおよびその製造方法Info
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- JPH0722065B2 JPH0722065B2 JP61093790A JP9379086A JPH0722065B2 JP H0722065 B2 JPH0722065 B2 JP H0722065B2 JP 61093790 A JP61093790 A JP 61093790A JP 9379086 A JP9379086 A JP 9379086A JP H0722065 B2 JPH0722065 B2 JP H0722065B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、IC,LSIなどの高密度実装を目的とした電子回
路に用いる厚膜コンデンサおよびその製造方法に関する
ものである。
路に用いる厚膜コンデンサおよびその製造方法に関する
ものである。
従来の技術 近年、各種電子機器の小型化と多機能化が年を追って進
んできている中で、回路部品の高密度実装技術は重要な
役割を演じてきている。特に、IC,LSIなどの能動素子の
発達、それに伴う抵抗器やコンデンサなどの受動素子の
チップ化や厚膜化への移行やさらには配線基板の多層化
によって、回路部分の実装が益々高密度化される傾向に
ある。中でも，アルミナなどのセラミック絶縁基板面
に、導体配線，抵抗体，コンデンサを厚膜形状して、IC
などのチップ商品を搭載するいわゆる厚膜ハイブリッド
ICは、その信頼性の高さ、実装密度の高さ、製造プロセ
スの簡便さから深く浸透してきた。
んできている中で、回路部品の高密度実装技術は重要な
役割を演じてきている。特に、IC,LSIなどの能動素子の
発達、それに伴う抵抗器やコンデンサなどの受動素子の
チップ化や厚膜化への移行やさらには配線基板の多層化
によって、回路部分の実装が益々高密度化される傾向に
ある。中でも，アルミナなどのセラミック絶縁基板面
に、導体配線，抵抗体，コンデンサを厚膜形状して、IC
などのチップ商品を搭載するいわゆる厚膜ハイブリッド
ICは、その信頼性の高さ、実装密度の高さ、製造プロセ
スの簡便さから深く浸透してきた。
以下図面を参照しながら、上述した従来の厚膜コンデン
サの１例について説明する。
サの１例について説明する。
第５図は従来の厚膜コンデンサの斜視図をまた第６図
は，従来の厚膜コンデンサの断面の微細構造を示す図で
ある。両図において、40は下部電極層、50は厚膜コンデ
ンサ層、41は上部電極層を、30はセラミック絶縁基板、
51は誘電体粒子、52はガラス相をそれぞれ示す。従来の
厚膜コンデンサは以下の方法によって得られる。アルミ
ナなどのセラミックの絶縁性基板30上に、Ag−Pd,Au−P
d,Au−Pd等の厚膜ペーストを用いて下部電極層40をスク
リーン印刷し、これを乾燥後、750〜950℃の温度の空気
中で５〜20分間焼成する。次のこの下部電極層40の上部
に誘電体ペーストをスクリーン印刷し、これを乾燥して
誘電体相50を形成する。さらにこの誘電体相50の上部に
上部電極層41を下部電極層40と同様にAg−Pd等の貴金属
系厚膜ペーストを用いて印刷し、乾燥後に750〜900℃の
温度の空気中で５〜20分間焼成して厚膜コンデンサを作
成する。
は，従来の厚膜コンデンサの断面の微細構造を示す図で
ある。両図において、40は下部電極層、50は厚膜コンデ
ンサ層、41は上部電極層を、30はセラミック絶縁基板、
51は誘電体粒子、52はガラス相をそれぞれ示す。従来の
厚膜コンデンサは以下の方法によって得られる。アルミ
ナなどのセラミックの絶縁性基板30上に、Ag−Pd,Au−P
d,Au−Pd等の厚膜ペーストを用いて下部電極層40をスク
リーン印刷し、これを乾燥後、750〜950℃の温度の空気
中で５〜20分間焼成する。次のこの下部電極層40の上部
に誘電体ペーストをスクリーン印刷し、これを乾燥して
誘電体相50を形成する。さらにこの誘電体相50の上部に
上部電極層41を下部電極層40と同様にAg−Pd等の貴金属
系厚膜ペーストを用いて印刷し、乾燥後に750〜900℃の
温度の空気中で５〜20分間焼成して厚膜コンデンサを作
成する。
誘電体ペーストの無機成分は、誘電体としてペロブスカ
イト型構造（A2+B4+O3）でチタン酸バリウム（BaTiO3）
を主体としてこれらの置換型が用いられており、これを
機械的強度と耐湿性を兼持させる目的で用いる硅酸鉛系
の硅酸ビスマス系の低軟化点ガラスより構成されてい
る。誘電体としてBaTiO3を用いているのは、BaTiO3自身
の誘電率が大きくて大容量の厚膜コンデンサを得やすい
ためであり、ガラス相52はこれら誘電体粒子51を緻密に
充填せしめ強固に結合させるいわば無機質バインダーと
して働くものであって誘電体粒子51とは容易に反応しに
くいものが適している。このような厚膜コンデンサは、
単位容量が200〜200000（pF/cm2）までのものが実用に
供されており、各種厚膜Hicに広く用いられている。
イト型構造（A2+B4+O3）でチタン酸バリウム（BaTiO3）
を主体としてこれらの置換型が用いられており、これを
機械的強度と耐湿性を兼持させる目的で用いる硅酸鉛系
の硅酸ビスマス系の低軟化点ガラスより構成されてい
る。誘電体としてBaTiO3を用いているのは、BaTiO3自身
の誘電率が大きくて大容量の厚膜コンデンサを得やすい
ためであり、ガラス相52はこれら誘電体粒子51を緻密に
充填せしめ強固に結合させるいわば無機質バインダーと
して働くものであって誘電体粒子51とは容易に反応しに
くいものが適している。このような厚膜コンデンサは、
単位容量が200〜200000（pF/cm2）までのものが実用に
供されており、各種厚膜Hicに広く用いられている。
（例えば『厚膜IC化技術』、工業調査会発行，日本マイ
クロエレクトロニクス協会編） 発明が解決しようとする問題点 しかし、上述の従来の厚膜コンデンサは、優れた特性を
有しているが、実際には電極材料として貴金属を用いて
いるため非常に高価になるというた大きな欠点を有して
いた。つまり、コンデンサ素子の場合、容量は対向電極
面積に比例する大容量のコンデンサが必要な時大面積と
なり多重の高価な貴金属材料が必要となる。このため、
材料コストに占める電極材料のコストが50％近くになる
場合すらある。
クロエレクトロニクス協会編） 発明が解決しようとする問題点 しかし、上述の従来の厚膜コンデンサは、優れた特性を
有しているが、実際には電極材料として貴金属を用いて
いるため非常に高価になるというた大きな欠点を有して
いた。つまり、コンデンサ素子の場合、容量は対向電極
面積に比例する大容量のコンデンサが必要な時大面積と
なり多重の高価な貴金属材料が必要となる。このため、
材料コストに占める電極材料のコストが50％近くになる
場合すらある。
このような問題を解決するために、貴金属材料に比べれ
ば桁違いに安価な，銅（Cu）などの卑金属材料を電極材
料として用いる事が考えられる。ところが卑金属材料
は、一般に酸化されやすいため、従来の雰囲気である空
気中のような酸化性雰囲気中では、卑金属酸化物となっ
て誘電体と反応して誘電体特性を損うばかりか、絶縁化
して電極としての性能を失ってしまう。従って、安価な
卑金属材料を厚膜コンデンサの電極として用いようとし
た時、厚膜コンデンサは、中性あるいは還元性のいわゆ
る非酸化性雰囲気中で形成されるものでなければならな
い。ところが、従来の厚膜コンデンサ材料は、非酸化性
雰囲気で還元されやすい酸化物で構成されており、誘電
体粒子は BaTiO3＋xH2→BaTiO3-x＋xH2Oとなって酸素欠陥により
半導体化し、比抵抗が下り誘電特性を失う。また、ガラ
ス成分のPbO,Bi2O3は比較的低温で還元されてPb,Bi金属
となりガラスとしての働きを全く失う。
ば桁違いに安価な，銅（Cu）などの卑金属材料を電極材
料として用いる事が考えられる。ところが卑金属材料
は、一般に酸化されやすいため、従来の雰囲気である空
気中のような酸化性雰囲気中では、卑金属酸化物となっ
て誘電体と反応して誘電体特性を損うばかりか、絶縁化
して電極としての性能を失ってしまう。従って、安価な
卑金属材料を厚膜コンデンサの電極として用いようとし
た時、厚膜コンデンサは、中性あるいは還元性のいわゆ
る非酸化性雰囲気中で形成されるものでなければならな
い。ところが、従来の厚膜コンデンサ材料は、非酸化性
雰囲気で還元されやすい酸化物で構成されており、誘電
体粒子は BaTiO3＋xH2→BaTiO3-x＋xH2Oとなって酸素欠陥により
半導体化し、比抵抗が下り誘電特性を失う。また、ガラ
ス成分のPbO,Bi2O3は比較的低温で還元されてPb,Bi金属
となりガラスとしての働きを全く失う。
PbO＋H2→Pb＋H2O またはPbO＋Ni→Pb＋NiO このように、従来の厚膜コンデンサは使用材料の性質か
ら非酸化性雰囲気中では全く形成できないものであっ
た。従って、安価な卑金属材料を使った低コストな厚膜
材料はなかなか実現できなかったのが実情である。
ら非酸化性雰囲気中では全く形成できないものであっ
た。従って、安価な卑金属材料を使った低コストな厚膜
材料はなかなか実現できなかったのが実情である。
本発明は、電極材料として安価な卑金属材料を用い、非
酸化性雰囲気中で焼成でき、優れた誘電体特性を有する
厚膜コンデンサおよびその製造方法を提供するものであ
る。
酸化性雰囲気中で焼成でき、優れた誘電体特性を有する
厚膜コンデンサおよびその製造方法を提供するものであ
る。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の厚膜コンデンサお
よびその製造方法は、卑金属を電極として電荷補償され
たペロブスカイト型誘電体磁器粗成物と、非還元性ガラ
ス成分からなる誘電体厚膜層より構成される厚膜コンデ
ンサであり、また非酸化性雰囲気の750℃〜1050℃の温
度で焼成するものである。
よびその製造方法は、卑金属を電極として電荷補償され
たペロブスカイト型誘電体磁器粗成物と、非還元性ガラ
ス成分からなる誘電体厚膜層より構成される厚膜コンデ
ンサであり、また非酸化性雰囲気の750℃〜1050℃の温
度で焼成するものである。
作用 本発明は上記した構成により、電荷補償したペロブスカ
イト型誘電体材料は、非酸化性雰囲気の焼成で酸素欠陥
が生じたとしても、原子価制御により電気的中和が保た
れその誘電体特性は維持されるし、一方、硼硅酸をベー
スとした硼硅酸系ガラスなどの非還元性ガラス成分も非
酸化性雰囲気の高温度下でも金属化はせず、充分に流動
してバイダーガラスとして働く。従って、卑金属材料を
電極とした、安価な厚膜コンデンサが実現できるのであ
る。
イト型誘電体材料は、非酸化性雰囲気の焼成で酸素欠陥
が生じたとしても、原子価制御により電気的中和が保た
れその誘電体特性は維持されるし、一方、硼硅酸をベー
スとした硼硅酸系ガラスなどの非還元性ガラス成分も非
酸化性雰囲気の高温度下でも金属化はせず、充分に流動
してバイダーガラスとして働く。従って、卑金属材料を
電極とした、安価な厚膜コンデンサが実現できるのであ
る。
実施例 以下本発明の一実施例の厚膜コンデンサについて、図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
（実施例１） まず、誘電体粗成物の原料である、炭酸バリウム（BaCo
3），炭酸カルシウム（CaCO3），炭酸ストロンチウム
（SrCO3），酸化マグネシウム（MgO），酸化チタン（Ti
O2），酸化ジルコニウム（ZrO2），酸化スズ（SnO2），
酸化マンガン（MnO），酸化ニッケル（NiO），酸化コバ
ルト（CoO），酸化クロム（Cr2O3），酸化ガリウム（Ga
2O3），酸化鉄（Fe2O3）の各粉体を第１表に示す配合組
成となるように数種類秤量し、20時間湿式混合し、粉砕
した後に乾燥した。この誘電体粗成混合粉体に、ポリビ
ニルアルコール（PVA）をバインダーとして５％溶解し
た水を５重量％加えて混合して造粒し、750kg/cm2の圧
力で金型成型した。これら、誘電体粗成物の成型体を、
1250〜1380℃,2時間，大気中で焼成して焼結させ、この
焼結体を粗粉砕した後、ジルコニア・ボールにより粒径
が３μｍ以下になるように湿式粉砕をし誘電体粗成物粉
とした。
3），炭酸カルシウム（CaCO3），炭酸ストロンチウム
（SrCO3），酸化マグネシウム（MgO），酸化チタン（Ti
O2），酸化ジルコニウム（ZrO2），酸化スズ（SnO2），
酸化マンガン（MnO），酸化ニッケル（NiO），酸化コバ
ルト（CoO），酸化クロム（Cr2O3），酸化ガリウム（Ga
2O3），酸化鉄（Fe2O3）の各粉体を第１表に示す配合組
成となるように数種類秤量し、20時間湿式混合し、粉砕
した後に乾燥した。この誘電体粗成混合粉体に、ポリビ
ニルアルコール（PVA）をバインダーとして５％溶解し
た水を５重量％加えて混合して造粒し、750kg/cm2の圧
力で金型成型した。これら、誘電体粗成物の成型体を、
1250〜1380℃,2時間，大気中で焼成して焼結させ、この
焼結体を粗粉砕した後、ジルコニア・ボールにより粒径
が３μｍ以下になるように湿式粉砕をし誘電体粗成物粉
とした。
次に第２表に示す組成からなる非還元性ガラスを作製
し、これを上記誘電体粗成物に対して５〜30重量％加え
た固形成分に、非酸化性雰囲気中であっても熱分解によ
って容易に揮発する有機バインダーとしてアクリル系の
バインダーを20重量％ターピネノールに溶解したビーグ
ルを加えロールでよく混練しコンデンサーペーストとし
た。この時の固形成分に対するビーグルの量は、ペース
トの印刷適性，ペースト粘度から考えて約30重量％であ
った。
し、これを上記誘電体粗成物に対して５〜30重量％加え
た固形成分に、非酸化性雰囲気中であっても熱分解によ
って容易に揮発する有機バインダーとしてアクリル系の
バインダーを20重量％ターピネノールに溶解したビーグ
ルを加えロールでよく混練しコンデンサーペーストとし
た。この時の固形成分に対するビーグルの量は、ペース
トの印刷適性，ペースト粘度から考えて約30重量％であ
った。
一方、絶縁性基板30として酸化アルミニウム（AI2O3）
含有量が96重量％であるいわゆるアルミナ基板を用意
し、この片面に銅，コバルト，ニッケルあるいはこれら
の合金からなる卑金属粉末に、接着性を増す目的で数重
量％のガラスフリットを含む卑金属電極ペーストを300
メッシュのスクリーンで印刷し、120℃で10分間乾燥
し、下部電極層10を形成した。
含有量が96重量％であるいわゆるアルミナ基板を用意
し、この片面に銅，コバルト，ニッケルあるいはこれら
の合金からなる卑金属粉末に、接着性を増す目的で数重
量％のガラスフリットを含む卑金属電極ペーストを300
メッシュのスクリーンで印刷し、120℃で10分間乾燥
し、下部電極層10を形成した。
さらに、この下部電極層10の上にその一部が残るよう
に、前述のコンデンサペーストを250メッシュのスクリ
ーンでの印刷と120℃,10分間の乾燥を２回くり返し、誘
電体層20を形成した。さらにこの上に、下部電極層10と
対向するように、卑金属電極ペーストを同じ条件で形成
し、上部電極層を形成した。
に、前述のコンデンサペーストを250メッシュのスクリ
ーンでの印刷と120℃,10分間の乾燥を２回くり返し、誘
電体層20を形成した。さらにこの上に、下部電極層10と
対向するように、卑金属電極ペーストを同じ条件で形成
し、上部電極層を形成した。
これら、印刷された基板と、高温のピーク温度が750〜1
050℃で、10〜30分間保持された温度プロファイルで、
非酸化性雰囲気の電気炉に通して焼成し厚膜コンデンサ
を得た。この時の焼成温度は、使用電極材料の融点によ
って制限を受け、また焼成雰囲気は電極材料の熱力学的
性質によって制限を受ける。
050℃で、10〜30分間保持された温度プロファイルで、
非酸化性雰囲気の電気炉に通して焼成し厚膜コンデンサ
を得た。この時の焼成温度は、使用電極材料の融点によ
って制限を受け、また焼成雰囲気は電極材料の熱力学的
性質によって制限を受ける。
第３表には、Cu,Ni,Coの融点と1000℃における酸化物生
成の標準自由エネルギー（ΔＧ°）の計算値を示す。こ
れらの意をもとに、窒素（N2），水素（H2）、および水
蒸気（H2O）の各量を調節して個々の電極材料に適した
非酸化性雰囲気を得た。
成の標準自由エネルギー（ΔＧ°）の計算値を示す。こ
れらの意をもとに、窒素（N2），水素（H2）、および水
蒸気（H2O）の各量を調節して個々の電極材料に適した
非酸化性雰囲気を得た。
このようにして、誘電体粗成物，非還元性ガラス，焼成
温度，焼成雰囲気，電極材料を変えた組合せのいくつか
の代表的な厚膜コンデンサについて基本的なコンデンサ
特性である20℃で測定周波数が1KHzにおける単位面積当
りの静電容量（Co），誘電体損失（tanδ）、および絶
縁抵抗（IR）を第４表に示す。この時のコンデンサの誘
電体層の焼成後の膜厚は約50μｍで、対向電極面積は25
mm2であり、IRは20℃に於いてDC50Vを１分間印加した後
に電極間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づ
いて計算で求めた。
温度，焼成雰囲気，電極材料を変えた組合せのいくつか
の代表的な厚膜コンデンサについて基本的なコンデンサ
特性である20℃で測定周波数が1KHzにおける単位面積当
りの静電容量（Co），誘電体損失（tanδ）、および絶
縁抵抗（IR）を第４表に示す。この時のコンデンサの誘
電体層の焼成後の膜厚は約50μｍで、対向電極面積は25
mm2であり、IRは20℃に於いてDC50Vを１分間印加した後
に電極間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づ
いて計算で求めた。
上記第４表の実施例１の試料番号18と20に基づいて、誘
電体粗成物に対するガラス成分の添加量と誘電体損失
（tanδ）との関係を図で示すと第２図の曲線ａとｂに
それぞれなる。焼成温度が低い場合は（ａ）は、ガラス
成分が少ないとガラスの流動が少なく誘電体層の焼結が
不充分でポーラスなためtanδが大きくなり、逆に焼成
温度が高く（ｂ）多量のガラス成分を含む時、誘電体層
が過焼結となりtanδが大きくなる。この様に、好まし
いガラス成分の添加量は焼成温度によっても異なるが、
５〜30重量％の範囲にある。
電体粗成物に対するガラス成分の添加量と誘電体損失
（tanδ）との関係を図で示すと第２図の曲線ａとｂに
それぞれなる。焼成温度が低い場合は（ａ）は、ガラス
成分が少ないとガラスの流動が少なく誘電体層の焼結が
不充分でポーラスなためtanδが大きくなり、逆に焼成
温度が高く（ｂ）多量のガラス成分を含む時、誘電体層
が過焼結となりtanδが大きくなる。この様に、好まし
いガラス成分の添加量は焼成温度によっても異なるが、
５〜30重量％の範囲にある。
また第７図には、実施例の中の試料番号７の組成での焼
成温度とコンデンサ特性の関係を示す。750℃よりも低
温度での焼成では、誘電体層の緻密化がはかれないばか
りか卑金属電極層10,11の焼結が不充分なため満足でき
るコンデンサ特性を有するものは得られない。一方、11
00℃よりも高い温度では、ガラス成分の組成にもよるが
ガラスの粘度が低下して電極層に必要以上に拡散した
り、誘電体層の膜形状が変形したり、あるいは、誘電体
成分がガラスに溶けて組成ずれなどを起こすため、優れ
たコンデンサ特性を維持できなくなる。
成温度とコンデンサ特性の関係を示す。750℃よりも低
温度での焼成では、誘電体層の緻密化がはかれないばか
りか卑金属電極層10,11の焼結が不充分なため満足でき
るコンデンサ特性を有するものは得られない。一方、11
00℃よりも高い温度では、ガラス成分の組成にもよるが
ガラスの粘度が低下して電極層に必要以上に拡散した
り、誘電体層の膜形状が変形したり、あるいは、誘電体
成分がガラスに溶けて組成ずれなどを起こすため、優れ
たコンデンサ特性を維持できなくなる。
焼成時の非酸化性雰囲気は、使用電極材料のΔＧ°によ
って異なり電極が酸化しない範囲での酸素分圧下であれ
ば誘電体特性に与える影響は少ない。ただし、電荷補償
成分は、還元作用により酸素欠陥を生じたペロブスカイ
ト型の誘電体（例えばBaTiO3−ｄ）に過剰に添加する事
によって原子制御をして電気的中性をはかるものである
からして、焼成温度が一定の時焼成雰囲気の非酸化性度
（酸化濃度）にバランスする最適な電荷補償量は存在す
る。
って異なり電極が酸化しない範囲での酸素分圧下であれ
ば誘電体特性に与える影響は少ない。ただし、電荷補償
成分は、還元作用により酸素欠陥を生じたペロブスカイ
ト型の誘電体（例えばBaTiO3−ｄ）に過剰に添加する事
によって原子制御をして電気的中性をはかるものである
からして、焼成温度が一定の時焼成雰囲気の非酸化性度
（酸化濃度）にバランスする最適な電荷補償量は存在す
る。
電極材料については、第４表の試料番号11〜13で示され
るように、銅，コバルト，ニッケルあるいはこれらの合
金であっても本質的には変わらない。一般に、金属と酸
化物の高温での濡れは小さいが、酸化物同志では反応し
やすい。このため、電極材料の特に表面が多量に酸化さ
れた場合、ガラス成分や誘電体粗成物と反応し、時には
誘電体膜深くに拡散して、絶縁抵抗や誘電率を著るしく
低下させる。この電極金属の酸化は、焼成時の雰囲気中
酸素ガスによっておこるが（例えば、Ni＋1/2O2→Ni
O）、ガラス成分中の還元性の酸化物によってもおこり
うる。（例えば2Cu＋PbO→Cu2O＋Pb） （実施例２） 第４図は本発明の第２の実施例を示す厚膜コンデンサの
断面図である。同図において10は下部電極層、11は上部
電極層、20は誘電体層、30は絶縁性基板で以上は、第１
図の構成と同様なものである。第１図の構成と異なるの
は絶縁層35および導体配線層15が絶縁性基板状に同時に
形成されてある回路パターンを形成している点にある。
るように、銅，コバルト，ニッケルあるいはこれらの合
金であっても本質的には変わらない。一般に、金属と酸
化物の高温での濡れは小さいが、酸化物同志では反応し
やすい。このため、電極材料の特に表面が多量に酸化さ
れた場合、ガラス成分や誘電体粗成物と反応し、時には
誘電体膜深くに拡散して、絶縁抵抗や誘電率を著るしく
低下させる。この電極金属の酸化は、焼成時の雰囲気中
酸素ガスによっておこるが（例えば、Ni＋1/2O2→Ni
O）、ガラス成分中の還元性の酸化物によってもおこり
うる。（例えば2Cu＋PbO→Cu2O＋Pb） （実施例２） 第４図は本発明の第２の実施例を示す厚膜コンデンサの
断面図である。同図において10は下部電極層、11は上部
電極層、20は誘電体層、30は絶縁性基板で以上は、第１
図の構成と同様なものである。第１図の構成と異なるの
は絶縁層35および導体配線層15が絶縁性基板状に同時に
形成されてある回路パターンを形成している点にある。
絶縁層35の材料は、誘電体層20との反応性や焼結温度の
関係から、実施例ではほう一硅酸ガラスにAI2O3を50重
量％含む組成のものを用いた。また導体配線層15は、電
極層10,11と同じ卑金属（Co,Ni,Cu）などが好ましい。
関係から、実施例ではほう一硅酸ガラスにAI2O3を50重
量％含む組成のものを用いた。また導体配線層15は、電
極層10,11と同じ卑金属（Co,Ni,Cu）などが好ましい。
上記の様に構成することにより、高密度配線を有した厚
膜コンデンサが可能となる。
膜コンデンサが可能となる。
発明の効果 以上のように、本発明は卑金属を電極とし電荷補償され
たペロブスカイト型誘電体磁気粗成物と、非還元性ガラ
ス成分からなる誘電体厚膜層を非酸化性雰囲気の750〜1
050℃の温度で焼成して得る事により、安価で性能の優
れた厚膜コンデンサを提供する事ができる。
たペロブスカイト型誘電体磁気粗成物と、非還元性ガラ
ス成分からなる誘電体厚膜層を非酸化性雰囲気の750〜1
050℃の温度で焼成して得る事により、安価で性能の優
れた厚膜コンデンサを提供する事ができる。
第１図は本発明の一実施例における厚膜コンデンサの斜
視図、第２図と第３図は実施例で得られた厚膜コンデン
サのガラス濃度および焼成温度と誘電体特性の関係を示
すグラフ、第４図は本発明の厚膜コンデンサの他の例の
断面図、第５図は従来の厚膜コンデンサの斜視図、第６
図は、従来の厚膜コンデンサの断面のモデル図をそれぞ
れ示す。 10……下部電極層、11……上部電極層、15……導体配線
層、20……誘電体層、30……絶縁性基板、35……絶縁
層、40……下部電極層、41……上部電極層、50……誘電
体層、51……誘電体粒子、52……ガラス相。
視図、第２図と第３図は実施例で得られた厚膜コンデン
サのガラス濃度および焼成温度と誘電体特性の関係を示
すグラフ、第４図は本発明の厚膜コンデンサの他の例の
断面図、第５図は従来の厚膜コンデンサの斜視図、第６
図は、従来の厚膜コンデンサの断面のモデル図をそれぞ
れ示す。 10……下部電極層、11……上部電極層、15……導体配線
層、20……誘電体層、30……絶縁性基板、35……絶縁
層、40……下部電極層、41……上部電極層、50……誘電
体層、51……誘電体粒子、52……ガラス相。
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁性基板上で、卑金属からなる対向導体
層を電極とし、電荷補償されたペロブスカイト型誘電体
粗成物と、前記誘電体粗成物に対し５〜30％の前記卑金
属によって非還元性ガラスからなる誘電体膜より構成さ
れることを特徴とする厚膜コンデンサ。 - 【請求項２】卑金属が、銅，コバルト，ニッケルあるい
はこれらの合金であり、非還元性ガラス成分が硼硅酸ガ
ラスであることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載の厚膜コンデンサ。 - 【請求項３】ペロブスカイト型誘電体磁器粗成物が、チ
タン酸塩（MeTiO3）、ジルコン酸塩（MeZrO3）、および
これらの固溶体であり、Meは、バリウム，ストロンチウ
ム，カルシウム，マグネシウムのうちの一者以上である
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の厚膜
コンデンサ。 - 【請求項４】絶縁性基板上で、銅，コバルト，ニッケル
あるいはこれらの合金からなる電極層を形成する工程
と、電荷補償されたペロブスカイト型誘電体粗成物と前
記電極によって還元されない非還元性ガラスからなる誘
電体膜を前記電極層上に形成する工程と、前記電極層と
前記誘電体層を積層して形成する工程と、750〜1050℃
の温度の非酸化性雰囲気中で焼成する工程からなること
を特徴とする厚膜コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61093790A JPH0722065B2 (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 厚膜コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61093790A JPH0722065B2 (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 厚膜コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62250626A JPS62250626A (ja) | 1987-10-31 |
| JPH0722065B2 true JPH0722065B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=14092207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61093790A Expired - Lifetime JPH0722065B2 (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 厚膜コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722065B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7290315B2 (en) | 2004-10-21 | 2007-11-06 | Intel Corporation | Method for making a passive device structure |
| US7629269B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-12-08 | Intel Corporation | High-k thin film grain size control |
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| JP5532505B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2014-06-25 | 日本電気硝子株式会社 | コンデンサー用ガラスフィルム |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4308570A (en) * | 1980-02-25 | 1981-12-29 | Sprague Electric Company | High Q monolithic capacitor with glass-magnesium titanate body |
-
1986
- 1986-04-23 JP JP61093790A patent/JPH0722065B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62250626A (ja) | 1987-10-31 |
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