JPH0722077B2 - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH0722077B2 JPH0722077B2 JP2121890A JP12189090A JPH0722077B2 JP H0722077 B2 JPH0722077 B2 JP H0722077B2 JP 2121890 A JP2121890 A JP 2121890A JP 12189090 A JP12189090 A JP 12189090A JP H0722077 B2 JPH0722077 B2 JP H0722077B2
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- JP
- Japan
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- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- polymer compound
- solid
- electrolyte
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、一般式（Ｉ）で表わされるくり返し単位を有
する高分子化合物にドーパントをドープして得られる電
導性高分子化合物を固体電解質とする固体電解コンデン
サに関する。
する高分子化合物にドーパントをドープして得られる電
導性高分子化合物を固体電解質とする固体電解コンデン
サに関する。
［従来の技術］ 固体電解コンデンサは、陽極酸化皮膜を有するアルミニ
ウム、タンタル等の皮膜形成金属に固体電解質を付着し
た構造を有している。
ウム、タンタル等の皮膜形成金属に固体電解質を付着し
た構造を有している。
従来のこの種の固体電解コンデンサの固体電解質には主
に硝酸マンガンの熱分解により形成される二酸化マンガ
ンが用いられている。しかし、この硝酸マンガンの熱分
解の際に要する高熱と、発生するNOxガスの酸化作用等
によって、誘電体であるアルミニウム、タンタル等の金
属酸化皮膜は損傷を受け、そのため固体電解コンデンサ
として耐電圧は低下し、もれ電流が大きくなり、誘電特
性を劣化させる等極めて大きな欠点があった。
に硝酸マンガンの熱分解により形成される二酸化マンガ
ンが用いられている。しかし、この硝酸マンガンの熱分
解の際に要する高熱と、発生するNOxガスの酸化作用等
によって、誘電体であるアルミニウム、タンタル等の金
属酸化皮膜は損傷を受け、そのため固体電解コンデンサ
として耐電圧は低下し、もれ電流が大きくなり、誘電特
性を劣化させる等極めて大きな欠点があった。
これらの欠点を補うため、高熱を付加せずに固体電解質
層を形成する方法、つまり高電導性の有機半導体材料を
固体電解質とする方法が試みられている。
層を形成する方法、つまり高電導性の有機半導体材料を
固体電解質とする方法が試みられている。
その例としては、特開昭52−79255号公報に記載されて
いる7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン（TCNQ）錯塩
を含む電導性高重合体組成物を固体電解質とする固体電
解コンデンサ、特開昭58−17609号公報に記載されてい
るＮ−ｎ−プロピルイソキノリンとTCNQからなる錯塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサが知られている。
いる7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン（TCNQ）錯塩
を含む電導性高重合体組成物を固体電解質とする固体電
解コンデンサ、特開昭58−17609号公報に記載されてい
るＮ−ｎ−プロピルイソキノリンとTCNQからなる錯塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサが知られている。
しかしこれらTCNQ錯塩化合物は、上記のごとく種々の手
段を講じたとしても陽極酸化皮膜との付着性に劣り、ま
たTCNQ自体の電導度も10-3〜10-2Ｓ・cm-1と不充分であ
るため、コンデンサの容量値は小さく誘電損失も大き
い。また、熱的経時的な安定性も劣り信頼性が悪かっ
た。
段を講じたとしても陽極酸化皮膜との付着性に劣り、ま
たTCNQ自体の電導度も10-3〜10-2Ｓ・cm-1と不充分であ
るため、コンデンサの容量値は小さく誘電損失も大き
い。また、熱的経時的な安定性も劣り信頼性が悪かっ
た。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は、上述した従来の欠点を解決するため、
電導度が高く、誘電体皮膜との付着性の良い電導性高分
子化合物を固体電解質に用いた固体電解コンデンサを提
供することにある。
電導度が高く、誘電体皮膜との付着性の良い電導性高分
子化合物を固体電解質に用いた固体電解コンデンサを提
供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、一般式 で表わされるくり返し単位を有する高分子化合物にドー
パントをドープして得られる電導性高分子化合物を、固
体電解質とすることを特徴とする固体電解コンデンサに
関する。
パントをドープして得られる電導性高分子化合物を、固
体電解質とすることを特徴とする固体電解コンデンサに
関する。
これらの高分子化合物の代表例としては、ポリチオフェ
ン、ポリフランが挙げられる。
ン、ポリフランが挙げられる。
これら高分子化合物の製造方法は特に限定されるもので
はないが、例えばポリチオフェンについては、J.Polym.
-Sci.Polyn.Lett.Ed.,18,9（1980）;J.Electroanal.che
m.,135,173（1982）Makromol.chem.,Rapid common.2,55
1（1981）、ポリフランについてはJ.Electroanal.che
m.,135,173（1982）等に開示されている方法によって製
造することができる。
はないが、例えばポリチオフェンについては、J.Polym.
-Sci.Polyn.Lett.Ed.,18,9（1980）;J.Electroanal.che
m.,135,173（1982）Makromol.chem.,Rapid common.2,55
1（1981）、ポリフランについてはJ.Electroanal.che
m.,135,173（1982）等に開示されている方法によって製
造することができる。
本発明で、ポリチオフェンとはチオフェン、３−メチル
チオフェン等のチオフェン化合物の重合体、またはそれ
らの共重合体、混合物等であってもよい。またポリフラ
ンはフラン、３−メチルフラン等のフラン化合物の重合
体、又はそれらの共重合体、混合物であってよい。
チオフェン等のチオフェン化合物の重合体、またはそれ
らの共重合体、混合物等であってもよい。またポリフラ
ンはフラン、３−メチルフラン等のフラン化合物の重合
体、又はそれらの共重合体、混合物であってよい。
また、これら高分子化合物にドーパントとしてI2、B
r2，SO3，AsF5，SbF5等の電子受容体を化学的方法を用
いてドープすることによって、あるいはドーパントとし
てBF4 -、ClO4 -、PF6 -、ASF6 -等のアニオンを電気化学的
方法を用いてドープすることによって電気伝導度を10-1
〜102Ｓ・cm-1まで高めることが出来る。
r2，SO3，AsF5，SbF5等の電子受容体を化学的方法を用
いてドープすることによって、あるいはドーパントとし
てBF4 -、ClO4 -、PF6 -、ASF6 -等のアニオンを電気化学的
方法を用いてドープすることによって電気伝導度を10-1
〜102Ｓ・cm-1まで高めることが出来る。
本発明においてドーパントとは、一般式（Ｉ）で表わさ
れるくり返し単位を有する高分子化合物に導電性を付与
するために少量添加する電子受容体及びアニオン等の電
子供与体の添加物をいう。そして本願出願人の出願によ
る特開昭58−54553号公報及び特開昭58−54554号公報に
記載されているドーパントも適宜、使用することができ
る。
れるくり返し単位を有する高分子化合物に導電性を付与
するために少量添加する電子受容体及びアニオン等の電
子供与体の添加物をいう。そして本願出願人の出願によ
る特開昭58−54553号公報及び特開昭58−54554号公報に
記載されているドーパントも適宜、使用することができ
る。
またドープまたはドーピングとは、前述の一般式で示し
てあるくり返し単位を有する高分子化合物に前述のドー
パントを添加することであって、この結果共役系高分子
化合物の電気伝導度を飛躍的に高めるものである。
てあるくり返し単位を有する高分子化合物に前述のドー
パントを添加することであって、この結果共役系高分子
化合物の電気伝導度を飛躍的に高めるものである。
ドーパントの添加は、一旦重合体を作製した後に化学的
方法によって行なってもよいが、電解重合の際にドーパ
ントを補助電解質として用い、重合と同時にドーピング
することであってもよい。
方法によって行なってもよいが、電解重合の際にドーパ
ントを補助電解質として用い、重合と同時にドーピング
することであってもよい。
本発明が適用される固体電解コンデンサの概略を第１図
に示す。
に示す。
タンタル、アルミニウム等の弁作用を有する金属焼結体
１はその表面を酸化物皮膜（誘電体層）２で覆われてお
り、その誘電体層はドーピングされた電導性高分子化合
物３によって被覆されている（図面的には焼結体の弁金
属粒子により形成される空隙を示していないが、焼結体
表面のほとんどは粒子間空隙によって形成されており、
酸化皮膜、電導性高分子化合物も同じく粒子間空隙に存
在することはもちろんである。）。その周囲を導電性ペ
ースト４で囲んで陰極を取り出し、ケースに入れ金属焼
結体１から取り出した陰極７を封口樹脂８にて封じ、固
体電解コンデンサとする。
１はその表面を酸化物皮膜（誘電体層）２で覆われてお
り、その誘電体層はドーピングされた電導性高分子化合
物３によって被覆されている（図面的には焼結体の弁金
属粒子により形成される空隙を示していないが、焼結体
表面のほとんどは粒子間空隙によって形成されており、
酸化皮膜、電導性高分子化合物も同じく粒子間空隙に存
在することはもちろんである。）。その周囲を導電性ペ
ースト４で囲んで陰極を取り出し、ケースに入れ金属焼
結体１から取り出した陰極７を封口樹脂８にて封じ、固
体電解コンデンサとする。
陽極に使用する弁作用を有する金属としては、アルミニ
ウム、タンタル、ニオブ、チタンあるいはこれら金属を
基質とする合金等弁作用を有する金属が使用できる。
ウム、タンタル、ニオブ、チタンあるいはこれら金属を
基質とする合金等弁作用を有する金属が使用できる。
陽極はこれら金属の多孔質焼結体、エッチング等で表面
処理された板（リボン、箔等を含む）、線等、特に形状
は限定されない。
処理された板（リボン、箔等を含む）、線等、特に形状
は限定されない。
陽極基体表面の酸化物誘導体層は、陽極基体自体の酸化
物であって、見かけ上陽極基体表面（焼結体内部も含
め）を被覆されている。
物であって、見かけ上陽極基体表面（焼結体内部も含
め）を被覆されている。
これら酸化物誘電体層を設ける方法としては、従来公知
の方法を用いることができる。
の方法を用いることができる。
例えばアルミニウム箔を用いる場合であれば、アルミニ
ウム箔の表面を電気化学的にエッチングし、さらにホウ
酸およびホウ酸アンモニウムの水溶液中で電気化学的に
処理すれば、陽極基体であるアルミニウム箔上にアルミ
ナからなる酸化物誘電体層を形成することができる。
ウム箔の表面を電気化学的にエッチングし、さらにホウ
酸およびホウ酸アンモニウムの水溶液中で電気化学的に
処理すれば、陽極基体であるアルミニウム箔上にアルミ
ナからなる酸化物誘電体層を形成することができる。
また、タンタル粉末の焼結体を使用する場合には、例え
ばリン酸水溶液中で陽極酸化して焼結体に酸化皮膜を形
成することができる。
ばリン酸水溶液中で陽極酸化して焼結体に酸化皮膜を形
成することができる。
なお、陽極弁金属基体に、酸化物誘電体層を形成させる
前後に陽極リード線を接続する。
前後に陽極リード線を接続する。
このように陽極弁金属基体表面に酸化物誘電体層を設け
た後、この酸化物誘電体層上に固体電解質としてドープ
した電導性高分子化合物を析出させることにより優れた
固体電解コンデンサを製造することができることを見出
し、本発明を完成した。
た後、この酸化物誘電体層上に固体電解質としてドープ
した電導性高分子化合物を析出させることにより優れた
固体電解コンデンサを製造することができることを見出
し、本発明を完成した。
［作用］ コンデンサは、極の表面積が大きいほど容量の大きいコ
ンデンサになる。また、極間は必ず絶縁されていなけれ
ばならないこともまた当然である。したがって、焼結型
電解コンデンサにおいては、微粉末を焼結することによ
り表面積を確保すると共に、弁金属を用い、その表面を
酸化して絶縁体（誘電体層）を設けていることもまた周
知である。この酸化物誘電体層上に固体電解質を他方の
極として設け、電解コンデンサとするものである。
ンデンサになる。また、極間は必ず絶縁されていなけれ
ばならないこともまた当然である。したがって、焼結型
電解コンデンサにおいては、微粉末を焼結することによ
り表面積を確保すると共に、弁金属を用い、その表面を
酸化して絶縁体（誘電体層）を設けていることもまた周
知である。この酸化物誘電体層上に固体電解質を他方の
極として設け、電解コンデンサとするものである。
一方、一般式（Ｉ）で表わされるくり返し単位を有する
高分子化合物は補助電解質（ドーパントとしても使用で
きる。）を含む原料モノマー溶液を酸化電解することに
より、正極にドープした電導性高分子化合物が析出する
ことは知られている。
高分子化合物は補助電解質（ドーパントとしても使用で
きる。）を含む原料モノマー溶液を酸化電解することに
より、正極にドープした電導性高分子化合物が析出する
ことは知られている。
しかし、それは白金等の金属板からなる正極上に析出す
ることが知られているのみであって、固体電解コンデン
サ製造のための、金属表面に設けられた酸化物誘電体層
（電気絶縁体）上に析出することは全く知られていなか
った。
ることが知られているのみであって、固体電解コンデン
サ製造のための、金属表面に設けられた酸化物誘電体層
（電気絶縁体）上に析出することは全く知られていなか
った。
本発明においては、理由を明らかにすることはできなか
ったが、該酸化物誘電体層上に析出した電導性高分子化
合物は驚くべきことに弁金属酸化物皮膜に対する密着
性、被覆率が優れていることは得られた固体電解コンデ
ンサの性能からも明らかであり、固体電解質として酸化
物誘電体層をよく被覆していることがわかる。
ったが、該酸化物誘電体層上に析出した電導性高分子化
合物は驚くべきことに弁金属酸化物皮膜に対する密着
性、被覆率が優れていることは得られた固体電解コンデ
ンサの性能からも明らかであり、固体電解質として酸化
物誘電体層をよく被覆していることがわかる。
このため本発明により得られる固体電解コンデンサは従
来の無機酸化半導体や有機半導体を用いた固体電解コン
デンサに比して容量、誘電損失、経時安定性において著
しく優れた性能を有している。
来の無機酸化半導体や有機半導体を用いた固体電解コン
デンサに比して容量、誘電損失、経時安定性において著
しく優れた性能を有している。
［実施例］ 以下、実施例を示し、本発明を詳細に説明する。
（実施例１） Ta粉末の焼結体を、リン酸水溶液中で陽極酸化して誘電
体皮膜を形成、洗浄、乾燥させた後、該Ta素子をポリチ
オフェン−クロロホルム溶液に浸漬し、乾燥する。この
浸漬、乾燥の操作をくり返し、誘電体層上にポリチオフ
ェンからなる高分子化合物層を形成し、ついでAsF5ガス
を接触させAsF5をドープして電導性高分子化合物からな
る電解質層を形成する。ついで銀ペーストで陰極を取り
出しケースに入れ樹脂封口し、固体電解コンデンサを作
成した。
体皮膜を形成、洗浄、乾燥させた後、該Ta素子をポリチ
オフェン−クロロホルム溶液に浸漬し、乾燥する。この
浸漬、乾燥の操作をくり返し、誘電体層上にポリチオフ
ェンからなる高分子化合物層を形成し、ついでAsF5ガス
を接触させAsF5をドープして電導性高分子化合物からな
る電解質層を形成する。ついで銀ペーストで陰極を取り
出しケースに入れ樹脂封口し、固体電解コンデンサを作
成した。
別に同一条件で作製したポリチオフェンフィルムをAsF5
でドープしたときの電導度は、10-1Ｓ・cm-1であった。
でドープしたときの電導度は、10-1Ｓ・cm-1であった。
（実施例２） Ta粉末の焼結体を、リン酸水溶液中で陽極酸化して誘電
体皮膜を形成させた後、該Ta素子を正極、白金を負極と
して、電解液にチオフェンモノマーを0.01M溶解させた
0.1M Bu4NBF4−CH3CNを使用して電解重合を行ない、誘
電体皮膜で被覆されたTa素子上にBF4 -をドープしたポリ
チオフェンの電解質層を形成し、固体電解コンデンサを
作製した。
体皮膜を形成させた後、該Ta素子を正極、白金を負極と
して、電解液にチオフェンモノマーを0.01M溶解させた
0.1M Bu4NBF4−CH3CNを使用して電解重合を行ない、誘
電体皮膜で被覆されたTa素子上にBF4 -をドープしたポリ
チオフェンの電解質層を形成し、固体電解コンデンサを
作製した。
同一の条件で白金板上にBF4 -をドープしたポリチオフェ
ンフィルムを作製し、これを剥離して測定したときの電
導度は102Ｓ・cm-1であった。
ンフィルムを作製し、これを剥離して測定したときの電
導度は102Ｓ・cm-1であった。
（実施例３） 実施例２において、チオフェンモノマーの代わりにフラ
ンモノマーを使用して電解質層を形成し、同様に固体電
解コンデンサを作製した。
ンモノマーを使用して電解質層を形成し、同様に固体電
解コンデンサを作製した。
別に作製したBF4 -をドープしたポリフランの電導度は10
S・cm-1であった。
S・cm-1であった。
（実施例４） 実施例２において、チオフェンモノマーの代わりに３−
メチルチオフェンを使用して電解質層を形成し、同様に
固体電解コンデンサを作製した。
メチルチオフェンを使用して電解質層を形成し、同様に
固体電解コンデンサを作製した。
別に作製したBF4 -をドープしたポリ３−メチルチオフェ
ンの電導度は0.8S・cm-1であった。
ンの電導度は0.8S・cm-1であった。
（比較例１） 実施例１と同様な陽極酸化したTa素子を用いた従来の二
酸化マンガンを電解質とする固体電解コンデンサを作製
した。
酸化マンガンを電解質とする固体電解コンデンサを作製
した。
実施例１〜４及び比較例１で作製した固体電解コンデン
サの特性を第１表に示す。
サの特性を第１表に示す。
第１表から明らかなように、本発明によるドーパントを
ドープした電導性高分子化合物を電解質とする固体電解
コンデンサは、従来の二酸化マンガンを電解質とする固
体電解コンデンサに比して誘電損失（tanδ）やもれ電
流が小さく、更に定格電圧が高く、高耐電圧の固体電解
コンデンサを作製することができる。
ドープした電導性高分子化合物を電解質とする固体電解
コンデンサは、従来の二酸化マンガンを電解質とする固
体電解コンデンサに比して誘電損失（tanδ）やもれ電
流が小さく、更に定格電圧が高く、高耐電圧の固体電解
コンデンサを作製することができる。
また、本発明による固体電解コンデンサの容量×定格電
圧の値は、二酸化マンガンを用いた固体電解コンデンサ
に比して大きく、同じ形状ならば大容量を得ることがで
きる。
圧の値は、二酸化マンガンを用いた固体電解コンデンサ
に比して大きく、同じ形状ならば大容量を得ることがで
きる。
（実施例５） 実施例１と同じ材料及び方法により、固体電解質層まで
形成した素子に、カーボンペースト、銀ペーストの順に
導電体層を形成し、ついで実施例１と同様にケースに入
れ、樹脂封口して固体電解コンデンサを作成した。
形成した素子に、カーボンペースト、銀ペーストの順に
導電体層を形成し、ついで実施例１と同様にケースに入
れ、樹脂封口して固体電解コンデンサを作成した。
このコンデンサは、容量1.00μＦ、tanδ1.00％,ESR100
KHzにおいて0.23Ω、定格電圧50V、もれ電流50Vにおい
て10nA以下であった。
KHzにおいて0.23Ω、定格電圧50V、もれ電流50Vにおい
て10nA以下であった。
（比較例２） Ｎ−メチルアクリジニウム−TCNQ錯塩とポリ−２−ビニ
ルピリジンを重量比で85:15の割合で含有するNN−ジメ
チルホルムアミド溶液を電解質溶液とし、これに陽極酸
化したTa素子を浸漬、乾燥をくり返し、電解質層を形成
した。このものにグラファイトを付けずに直ちに銀ペー
ストを付着、乾燥させ、ケースに入れ、樹脂封口し、固
体電解コンデンサを作成した。
ルピリジンを重量比で85:15の割合で含有するNN−ジメ
チルホルムアミド溶液を電解質溶液とし、これに陽極酸
化したTa素子を浸漬、乾燥をくり返し、電解質層を形成
した。このものにグラファイトを付けずに直ちに銀ペー
ストを付着、乾燥させ、ケースに入れ、樹脂封口し、固
体電解コンデンサを作成した。
このコンデンサは、容量1.1μＦ、tanδ1.1％、ESR100K
Hzにおいて1.32Ω、もれ電流50Vにおいて10nA以下であ
った。
Hzにおいて1.32Ω、もれ電流50Vにおいて10nA以下であ
った。
以上の実施例、比較例からも明らかなように固体電解質
層を一般式（Ｉ）で表わされるくり返し単位を有する高
分子化合物にドーパントをドープして得られる電導性高
分子化合物を使用したときは、導電体層が銀ペーストで
あってもカーボンペースト、銀ペーストであってもほと
んど固体電解コンデンサの性能は変わらないが、これを
固体電解質層をＮ−メチルアクリジニウム−TCNQ錯塩と
ポリ−２−ビニルピリジンに代えるときは、他の構成を
すべて同一としても固体電解コンデンサとしての性能が
低下することが明らかである。
層を一般式（Ｉ）で表わされるくり返し単位を有する高
分子化合物にドーパントをドープして得られる電導性高
分子化合物を使用したときは、導電体層が銀ペーストで
あってもカーボンペースト、銀ペーストであってもほと
んど固体電解コンデンサの性能は変わらないが、これを
固体電解質層をＮ−メチルアクリジニウム−TCNQ錯塩と
ポリ−２−ビニルピリジンに代えるときは、他の構成を
すべて同一としても固体電解コンデンサとしての性能が
低下することが明らかである。
上記実施例では、素子の金属はタンタル焼結体であった
が、他のアルミニウム、ニオブでもよく、形状も粉末焼
結体に限らない。
が、他のアルミニウム、ニオブでもよく、形状も粉末焼
結体に限らない。
［発明の効果］ 固体電解コンデンサにおいて、一般式（Ｉ）で表わされ
るくり返し単位を有する高分子化合物にドーパントをド
ープして得られる電導性高分子化合物を固体電解質に用
いれば下記のごとき効果が得られる。
るくり返し単位を有する高分子化合物にドーパントをド
ープして得られる電導性高分子化合物を固体電解質に用
いれば下記のごとき効果が得られる。
高温加熱をすることなしに電解質層を形成できるので
陽極の酸化皮膜の損傷が少ない。そのため定格電圧を従
来の数倍にでき、同容量、同定格電圧のコンデンサを得
るのに形状を小型化できる。
陽極の酸化皮膜の損傷が少ない。そのため定格電圧を従
来の数倍にでき、同容量、同定格電圧のコンデンサを得
るのに形状を小型化できる。
もれ電流が小さい。
高耐電圧のコンデンサを作製できる。
電解質の電導度が10-1〜102Ｓ・cm-1と充分に高いた
め、グラファイト等の導電層を設ける必要がなく工程が
簡略化される。
め、グラファイト等の導電層を設ける必要がなく工程が
簡略化される。
第１図は本発明による固体電解コンデンサの一例を示す
断面図である。 １…Ta、Al等の金属焼結体 ２…酸化皮膜 ３…電導性高分子化合物 ４…導電ペースト、５…半田 ６…ケースおよび陰極、７…陽極 ８…封口樹脂
断面図である。 １…Ta、Al等の金属焼結体 ２…酸化皮膜 ３…電導性高分子化合物 ４…導電ペースト、５…半田 ６…ケースおよび陰極、７…陽極 ８…封口樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】一般式 で表わされるくり返し単位を有する高分子化合物にドー
パントをドープして得られる電導性高分子化合物を、固
体電解質とすることを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121890A JPH0722077B2 (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121890A JPH0722077B2 (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 固体電解コンデンサ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14437483A Division JPS6037114A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03114213A JPH03114213A (ja) | 1991-05-15 |
| JPH0722077B2 true JPH0722077B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=14822442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2121890A Expired - Lifetime JPH0722077B2 (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722077B2 (ja) |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP2121890A patent/JPH0722077B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03114213A (ja) | 1991-05-15 |
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