JPH07221236A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびリードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法およびリードフレームInfo
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- JPH07221236A JPH07221236A JP6305767A JP30576794A JPH07221236A JP H07221236 A JPH07221236 A JP H07221236A JP 6305767 A JP6305767 A JP 6305767A JP 30576794 A JP30576794 A JP 30576794A JP H07221236 A JPH07221236 A JP H07221236A
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
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Abstract
(57)【要約】
【目的】３素子の半導体サージ吸収モジュールなどを対
象に、前記課題を解決して特性，信頼性の安定した製品
を生産能率よく量産できるようにした樹脂封止型半導体
装置の製造方法を提供する。 【構成】３個の基板支持体５ａ〜５ｃ，外部リード６，
およびタイバー９ａ，９ｂをパターン形成した第１のリ
ードフレーム９と、接続子７，タブ１０ａ，およびタイ
バー１０ｂをパターン形成した第２のリードフレーム１
０とを用い、半導体素子ペレット４ａ〜４ｃを挟んでそ
の両主面に第１リードフレームと第２のリードフレーム
を重ね合わせた上で半導体素子ペレットを前記の基板支
持体と接続子にダイボンディングし、続いて半導体素子
ペレット，基板支持体，接続子，および外部リードの一
部を包含した周域の樹脂８で封止し、さらにタイバーカ
ット，タブカットを施して樹脂封止型半導体装置の製品
を組立て完成する。
象に、前記課題を解決して特性，信頼性の安定した製品
を生産能率よく量産できるようにした樹脂封止型半導体
装置の製造方法を提供する。 【構成】３個の基板支持体５ａ〜５ｃ，外部リード６，
およびタイバー９ａ，９ｂをパターン形成した第１のリ
ードフレーム９と、接続子７，タブ１０ａ，およびタイ
バー１０ｂをパターン形成した第２のリードフレーム１
０とを用い、半導体素子ペレット４ａ〜４ｃを挟んでそ
の両主面に第１リードフレームと第２のリードフレーム
を重ね合わせた上で半導体素子ペレットを前記の基板支
持体と接続子にダイボンディングし、続いて半導体素子
ペレット，基板支持体，接続子，および外部リードの一
部を包含した周域の樹脂８で封止し、さらにタイバーカ
ット，タブカットを施して樹脂封止型半導体装置の製品
を組立て完成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、３個の半導体サージ吸
収素子を組合わせて構成した半導体サージ吸収モジュー
ルなどを対象とする樹脂封止型半導体装置の製造方法，
およびその製造に用いるリードフレームに関する。
収素子を組合わせて構成した半導体サージ吸収モジュー
ルなどを対象とする樹脂封止型半導体装置の製造方法，
およびその製造に用いるリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】電源に接続した電子機器を外雷，内雷サ
ージなどから保護するための手段として図５で示すよう
な構成になるサージ吸収回路が公知である。図におい
て、１は電源、２は被保護装置、３がサージ吸収回路で
あり、該回路３は同一特性の３個の半導体サージ吸収素
子（双方向性のサイリスタ，ツェナーダイオードなど）
３ａ〜３ｃを星形に相互接続した上で、各素子を図示の
ように配線ラインＴ，ＬとアースＥの間に接続する。か
かる回路構成で、配線ラインに侵入したサージはＴ−
Ｅ，Ｌ−Ｅ，Ｔ−Ｌ間で吸収される。なお、前記サージ
吸収回路の動作は周知であり、ここではその説明を省略
する。
ージなどから保護するための手段として図５で示すよう
な構成になるサージ吸収回路が公知である。図におい
て、１は電源、２は被保護装置、３がサージ吸収回路で
あり、該回路３は同一特性の３個の半導体サージ吸収素
子（双方向性のサイリスタ，ツェナーダイオードなど）
３ａ〜３ｃを星形に相互接続した上で、各素子を図示の
ように配線ラインＴ，ＬとアースＥの間に接続する。か
かる回路構成で、配線ラインに侵入したサージはＴ−
Ｅ，Ｌ−Ｅ，Ｔ−Ｌ間で吸収される。なお、前記サージ
吸収回路の動作は周知であり、ここではその説明を省略
する。
【０００３】次に、前記サージ吸収回路をモジュール化
した樹脂封止型半導体装置の構造を図６（ａ）〜（ｄ）
に示す。図において、４ａ〜４ｃは先記した半導体サー
ジ吸収素子に対応する合計３個の半導体素子ペレット、
５ａ〜５ｃは前記半導体素子ペレット４ａ〜４ｃを１個
ずつ個別にマウントした基板支持体（ダイパッド）、６
は各基板支持体５ａ〜５ｃの一端に連ねて同じ方向に引
出した外部リード、７は半導体素子ペレット４ａ〜４ｃ
の間にまたがってその上面側に重ね合わせた外形Ｔ字形
の接続子、８は半導体素子ペレット４ａ〜４ｃ，基板支
持体５ａ〜５ｃ，接続子７，および外部リード６の根元
側一部を包含してその周域にモールド成形した封止樹脂
である。
した樹脂封止型半導体装置の構造を図６（ａ）〜（ｄ）
に示す。図において、４ａ〜４ｃは先記した半導体サー
ジ吸収素子に対応する合計３個の半導体素子ペレット、
５ａ〜５ｃは前記半導体素子ペレット４ａ〜４ｃを１個
ずつ個別にマウントした基板支持体（ダイパッド）、６
は各基板支持体５ａ〜５ｃの一端に連ねて同じ方向に引
出した外部リード、７は半導体素子ペレット４ａ〜４ｃ
の間にまたがってその上面側に重ね合わせた外形Ｔ字形
の接続子、８は半導体素子ペレット４ａ〜４ｃ，基板支
持体５ａ〜５ｃ，接続子７，および外部リード６の根元
側一部を包含してその周域にモールド成形した封止樹脂
である。
【０００４】ところで、従来では前記構成の樹脂封止型
半導体装置を次記のような方法で組立ている。すなわ
ち、組立工程に供給する部品として同一定格の半導体素
子ペレットの他に、図４で述べた基板支持体５ａ〜５
ｃ，外部リード６をパターン形成したリードフレーム、
および外形がＴ字形をなす単独部品の接続子７を用意す
る。このリードフレームは図２に示すリードフレーム９
と同じものであり、該リードフレーム９には前記した基
板支持体５ａ〜５ｃ，外部リード６とともに、外部リー
ド６の相互間を連結する２条のタイバー９ａ，９ｂがパ
ターン形成されており、かつタイバー９ｂをリードフレ
ームのサイドレールとしてここに位置合わせ穴９ｃが定
ピッチ置きに開口している。
半導体装置を次記のような方法で組立ている。すなわ
ち、組立工程に供給する部品として同一定格の半導体素
子ペレットの他に、図４で述べた基板支持体５ａ〜５
ｃ，外部リード６をパターン形成したリードフレーム、
および外形がＴ字形をなす単独部品の接続子７を用意す
る。このリードフレームは図２に示すリードフレーム９
と同じものであり、該リードフレーム９には前記した基
板支持体５ａ〜５ｃ，外部リード６とともに、外部リー
ド６の相互間を連結する２条のタイバー９ａ，９ｂがパ
ターン形成されており、かつタイバー９ｂをリードフレ
ームのサイドレールとしてここに位置合わせ穴９ｃが定
ピッチ置きに開口している。
【０００５】そして、最初の工程ではリードフレーム９
の基板支持体５ａ〜５ｃに半導体素子ペレット４ａ〜４
ｃを１個ずつ半田板（図示せず）を挟んで搭載し、続い
て各半導体素子ペレット４ａ〜４ｃの上に半田板を挟ん
で接続子７を載置し、この仮組立状態のまま半田付け炉
に通して半導体素子ペレットを基板支持体，接続子にダ
イボンディングする。次に、前記の組立体をトランスフ
ァモールド工程に移し、ここで半導体素子ペレット，基
板支持体，接続子，および外部リードの一部を包含して
その周域を樹脂封止した後、最後の工程でリードフレー
ム９のタイバー９ａ，９ｂをカットし、図６に示した製
品を完成する。
の基板支持体５ａ〜５ｃに半導体素子ペレット４ａ〜４
ｃを１個ずつ半田板（図示せず）を挟んで搭載し、続い
て各半導体素子ペレット４ａ〜４ｃの上に半田板を挟ん
で接続子７を載置し、この仮組立状態のまま半田付け炉
に通して半導体素子ペレットを基板支持体，接続子にダ
イボンディングする。次に、前記の組立体をトランスフ
ァモールド工程に移し、ここで半導体素子ペレット，基
板支持体，接続子，および外部リードの一部を包含して
その周域を樹脂封止した後、最後の工程でリードフレー
ム９のタイバー９ａ，９ｂをカットし、図６に示した製
品を完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の製造方法では、生産性、および製品の特性，信頼性
の面で次記のような問題点がある。 １）最初の組立工程では、外部リード付き基板支持体は
リードフレームとして連続的に供給できるが、接続子は
部品を１個ずつ手作業などによりハンドリングして半導
体素子ペレットの上に位置決めして載置する必要があ
る。このために、作業能率が悪く製品の量産性が低くな
る。
来の製造方法では、生産性、および製品の特性，信頼性
の面で次記のような問題点がある。 １）最初の組立工程では、外部リード付き基板支持体は
リードフレームとして連続的に供給できるが、接続子は
部品を１個ずつ手作業などによりハンドリングして半導
体素子ペレットの上に位置決めして載置する必要があ
る。このために、作業能率が悪く製品の量産性が低くな
る。
【０００７】２）半導体素子ペレットに対する接続子の
位置決めは治具などを用いて行うが、この接続子は１個
ずつ切り離された状態でペレットの上に載置されている
ために自由に動き易く、次の半田付け工程へ移送する間
に位置がずれたり、傾いたりすることが多々発生する。
このために、組立後の状態では接続子と基板支持体との
間の絶縁距離が部分的に不足して電圧印加時に短絡する
など、特性，信頼性の面で欠陥のある製品が生じ易くな
って良品率が低下する。
位置決めは治具などを用いて行うが、この接続子は１個
ずつ切り離された状態でペレットの上に載置されている
ために自由に動き易く、次の半田付け工程へ移送する間
に位置がずれたり、傾いたりすることが多々発生する。
このために、組立後の状態では接続子と基板支持体との
間の絶縁距離が部分的に不足して電圧印加時に短絡する
など、特性，信頼性の面で欠陥のある製品が生じ易くな
って良品率が低下する。
【０００８】３）さらに、基板支持体から引出した外部
リードは細長く、特に図６の構成で中央に位置する基板
支持体５ａの外部リード６は長さ寸法が大きくて曲がり
易い。そのために、トランスファモールド工程で成形金
型に仮組立体をインサートして成形樹脂を注入した際
に、樹脂の流れに押されて外部リードが変形し、この結
果として半田付け部が剥離したり、封止樹脂の絶縁厚さ
にばらつきが生じて絶縁強度が低下するといった問題も
派生する。
リードは細長く、特に図６の構成で中央に位置する基板
支持体５ａの外部リード６は長さ寸法が大きくて曲がり
易い。そのために、トランスファモールド工程で成形金
型に仮組立体をインサートして成形樹脂を注入した際
に、樹脂の流れに押されて外部リードが変形し、この結
果として半田付け部が剥離したり、封止樹脂の絶縁厚さ
にばらつきが生じて絶縁強度が低下するといった問題も
派生する。
【０００９】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、先記した３素子の半導体サージ吸収モジュール
などを対象に、前記課題を解決して特性，信頼性の安定
した製品を生産能率よく量産できるようにした樹脂封止
型半導体装置の製造方法，およびリードフレームを提供
することを目的とする。
であり、先記した３素子の半導体サージ吸収モジュール
などを対象に、前記課題を解決して特性，信頼性の安定
した製品を生産能率よく量産できるようにした樹脂封止
型半導体装置の製造方法，およびリードフレームを提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の製造方法によれば、複数の基板支持体，各
基板支持体から引出した外部リード，および外部リード
の間を相互連結するタイバーをパターン形成した第１の
リードフレームと、接続子，該接続子の一端に連ねたタ
ブ，およびタブの間を相互連結するタイバーをパターン
形成した第２のリードフレームとを用い、半導体素子ペ
レットを挟んでその両主面に前記第１のリードフレーム
と第２のリードフレームを重ね合わせた上で半導体素子
ペレットを第１リードフレームの基板支持体と第２リー
ドフレームの接続子にダイボンディングした上で、半導
体素子ペレット，基板支持体，接続子，および外部リー
ドの一部を包含した周域の樹脂封止、および第１リード
フレームのタイバーカット，第２リードフレームのタブ
カットを行うものとする。
に、本発明の製造方法によれば、複数の基板支持体，各
基板支持体から引出した外部リード，および外部リード
の間を相互連結するタイバーをパターン形成した第１の
リードフレームと、接続子，該接続子の一端に連ねたタ
ブ，およびタブの間を相互連結するタイバーをパターン
形成した第２のリードフレームとを用い、半導体素子ペ
レットを挟んでその両主面に前記第１のリードフレーム
と第２のリードフレームを重ね合わせた上で半導体素子
ペレットを第１リードフレームの基板支持体と第２リー
ドフレームの接続子にダイボンディングした上で、半導
体素子ペレット，基板支持体，接続子，および外部リー
ドの一部を包含した周域の樹脂封止、および第１リード
フレームのタイバーカット，第２リードフレームのタブ
カットを行うものとする。
【００１１】また、前記の製造方法においては、第１の
工程で半導体素子ペレットを第１，第２リードフレーム
にダイボンディングし、第２の工程で第２リードフレー
ムのタブをカットし、第３の工程でトランスファモール
ド法により半導体素子ペレット，基板支持体，接続子，
および外部リードの一部の周域を樹脂封止し、第４の工
程で第１リードフレームのタイバーをカットするのがよ
い。
工程で半導体素子ペレットを第１，第２リードフレーム
にダイボンディングし、第２の工程で第２リードフレー
ムのタブをカットし、第３の工程でトランスファモール
ド法により半導体素子ペレット，基板支持体，接続子，
および外部リードの一部の周域を樹脂封止し、第４の工
程で第１リードフレームのタイバーをカットするのがよ
い。
【００１２】さらに、前記製造方法に用いる第１のリー
ドフレームについては、モールド形成時に外部リードが
変形するのを防ぐために、本発明により、基板支持体か
ら引出した外部リードの断面形状を、曲げに対する断面
係数が大きな溝形断面となし、ここで、外部リードに形
成した溝形断面は、基板支持体と外部リードの中間部を
相互連結するタイバーとの間の範囲に形成して実施する
ことができる。
ドフレームについては、モールド形成時に外部リードが
変形するのを防ぐために、本発明により、基板支持体か
ら引出した外部リードの断面形状を、曲げに対する断面
係数が大きな溝形断面となし、ここで、外部リードに形
成した溝形断面は、基板支持体と外部リードの中間部を
相互連結するタイバーとの間の範囲に形成して実施する
ことができる。
【００１３】
【作用】上記の製造方法においては、複数の半導体素子
ペレットを挟んでその表裏両主面に接合する外部リード
付き基板支持体，および接続子をそれぞれ第１，第２の
リードフレームにパターン形成した上で、このリードフ
レームを用いて半導体装置を組立てることにより、半導
体素子ペレットを除く各部品を単体としてでなく、連続
したリードフレームとして扱うために組立工程の自動化
にも簡単に対応できる。しかも第１，第２のリードフレ
ームは同期して組立工程へ連続供給されるので位置合わ
せが確実であり、かつ半導体素子ペレットはリードフレ
ームの間に挟持したまま半田付け工程に移送するので所
定位置から不当にずれ動くおそれが少なく、かつ基板支
持体，接続子との間で高い平行度を確保し易くなる。
ペレットを挟んでその表裏両主面に接合する外部リード
付き基板支持体，および接続子をそれぞれ第１，第２の
リードフレームにパターン形成した上で、このリードフ
レームを用いて半導体装置を組立てることにより、半導
体素子ペレットを除く各部品を単体としてでなく、連続
したリードフレームとして扱うために組立工程の自動化
にも簡単に対応できる。しかも第１，第２のリードフレ
ームは同期して組立工程へ連続供給されるので位置合わ
せが確実であり、かつ半導体素子ペレットはリードフレ
ームの間に挟持したまま半田付け工程に移送するので所
定位置から不当にずれ動くおそれが少なく、かつ基板支
持体，接続子との間で高い平行度を確保し易くなる。
【００１４】加えて、基板支持体から引出した外部リー
ドを溝形断面形状（例えば断面Ｖ字形）となすことによ
り、外部リードの曲げに対する断面係数が大となるの
で、トランスファモールドの際に外部リードが変形した
りするおそれが殆どなく、これにより外部リードの変形
に起因する製品の欠陥が防げる。
ドを溝形断面形状（例えば断面Ｖ字形）となすことによ
り、外部リードの曲げに対する断面係数が大となるの
で、トランスファモールドの際に外部リードが変形した
りするおそれが殆どなく、これにより外部リードの変形
に起因する製品の欠陥が防げる。
【００１５】
【実施例】以下、図６に示したサージ吸収モジュールを
対象に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。な
お、実施例の図中で図６に対応する同一部材には同じ符
号が付してある。図１は３個の半導体素子ペレット４ａ
〜４ｃを図２に示した第１のリードフレーム９と、図３
に示した第２のリードフレーム１０との間に挟持してダ
イボンディングした仮組立の状態を表している。ここ
で、第１のリードフレーム９には、３個を１組として定
ピッチおきに並ぶ基板支持体５ａ〜５ｃと、基板支持体
５ａ〜５ｃごとに一端を基板支持体に連ねて同じ方向に
引出した外部リード６と、外部リード６の中間部，先端
部の間を相互連結する２条のタイバー９ａ，９ｂ、およ
びタイバー９ｂに穿孔した位置合わせ穴９ｃが連続して
パターン形成されている。一方、第２のリードフレーム
１０には、第１のリードフレーム９に形成した基板支持
体５ａ〜５ｃに対応して定ピッチおきに並ぶＴ字形の接
続子７と、該接続子７の一端に連ねて前記外部リード６
と反対側に引出したタブ（接続部）１０ａと、およびタ
ブの間を相互連結するタイバー１０ｂ（サイドレール兼
用）と、タイバー１０ｂに穿孔した位置合わせ穴１０ｃ
が連続してパターン形成されている。
対象に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。な
お、実施例の図中で図６に対応する同一部材には同じ符
号が付してある。図１は３個の半導体素子ペレット４ａ
〜４ｃを図２に示した第１のリードフレーム９と、図３
に示した第２のリードフレーム１０との間に挟持してダ
イボンディングした仮組立の状態を表している。ここ
で、第１のリードフレーム９には、３個を１組として定
ピッチおきに並ぶ基板支持体５ａ〜５ｃと、基板支持体
５ａ〜５ｃごとに一端を基板支持体に連ねて同じ方向に
引出した外部リード６と、外部リード６の中間部，先端
部の間を相互連結する２条のタイバー９ａ，９ｂ、およ
びタイバー９ｂに穿孔した位置合わせ穴９ｃが連続して
パターン形成されている。一方、第２のリードフレーム
１０には、第１のリードフレーム９に形成した基板支持
体５ａ〜５ｃに対応して定ピッチおきに並ぶＴ字形の接
続子７と、該接続子７の一端に連ねて前記外部リード６
と反対側に引出したタブ（接続部）１０ａと、およびタ
ブの間を相互連結するタイバー１０ｂ（サイドレール兼
用）と、タイバー１０ｂに穿孔した位置合わせ穴１０ｃ
が連続してパターン形成されている。
【００１６】そして、最初の組立工程では、部品として
第１のリードフレーム９，第２のリードフレーム１０
と、半導体素子ペレットを供給し、第１リードフレーム
９に形成した基板支持体５ａ〜５ｃの上に半導体素子ペ
レット４ａ〜４ｃを半田板（図示せず）を挟んで１個ず
つ搭載し、さらに半導体素子ペレット４ａ〜４ｃの上面
側に半田板を挟んで第２リードフレーム１０に形成した
接続子７がまたがるように重ね合わせてペレットを第１
リードフレーム９と第２リードフレーム１０との間に挟
持する。なお、リードフレーム９と１０は、タイバーに
穿孔した位置合わせ穴９ｃ，１０ｃに組立治具のピンを
通して相対的な位置合わせを行いながら連続して供給す
る。
第１のリードフレーム９，第２のリードフレーム１０
と、半導体素子ペレットを供給し、第１リードフレーム
９に形成した基板支持体５ａ〜５ｃの上に半導体素子ペ
レット４ａ〜４ｃを半田板（図示せず）を挟んで１個ず
つ搭載し、さらに半導体素子ペレット４ａ〜４ｃの上面
側に半田板を挟んで第２リードフレーム１０に形成した
接続子７がまたがるように重ね合わせてペレットを第１
リードフレーム９と第２リードフレーム１０との間に挟
持する。なお、リードフレーム９と１０は、タイバーに
穿孔した位置合わせ穴９ｃ，１０ｃに組立治具のピンを
通して相対的な位置合わせを行いながら連続して供給す
る。
【００１７】次の工程では、半導体素子ペレット４ａ〜
４ｃをリードフレーム９，１０の間に挟持したまま半田
付け炉に通し、半導体素子ペレット４ａ〜４ｃを基板支
持体５ａ〜５ｃ，および接続子７にダイボンディングす
る。続いてモールド成形工程に移し、トランスファ成形
金型にインサートして成形樹脂を注入し、半導体素子ペ
レット４ａ〜４ｃ，基板支持体５ａ〜５ｃ，接続子７，
および外部リード６の根元側一部の周域を樹脂８で封止
する。最後に第１リードフレーム９のタイバー９ａ，９
ｂ、および第２リードフレーム１０のタブ１０ａを図１
（ａ）に鎖線で表した切断ラインｘ−ｘに沿ってカット
して図６に示した製品を完成する。
４ｃをリードフレーム９，１０の間に挟持したまま半田
付け炉に通し、半導体素子ペレット４ａ〜４ｃを基板支
持体５ａ〜５ｃ，および接続子７にダイボンディングす
る。続いてモールド成形工程に移し、トランスファ成形
金型にインサートして成形樹脂を注入し、半導体素子ペ
レット４ａ〜４ｃ，基板支持体５ａ〜５ｃ，接続子７，
および外部リード６の根元側一部の周域を樹脂８で封止
する。最後に第１リードフレーム９のタイバー９ａ，９
ｂ、および第２リードフレーム１０のタブ１０ａを図１
（ａ）に鎖線で表した切断ラインｘ−ｘに沿ってカット
して図６に示した製品を完成する。
【００１８】次に、本発明の応用実施例を述べる。すな
わち、先に述べた第２のリードフレーム９に対して、こ
の実施例では、図４（ａ),（ｂ）で示すように外部リー
ド６の一部を符号６ａで表す溝形断面，例えば断面Ｖ字
形にプレス加工しておく。なお、このプレス加工はリー
ドフレームのプレスにより打ち抜き工程で同時に行うこ
とができる。
わち、先に述べた第２のリードフレーム９に対して、こ
の実施例では、図４（ａ),（ｂ）で示すように外部リー
ド６の一部を符号６ａで表す溝形断面，例えば断面Ｖ字
形にプレス加工しておく。なお、このプレス加工はリー
ドフレームのプレスにより打ち抜き工程で同時に行うこ
とができる。
【００１９】このように外部リード６に溝形断面部６ａ
を形成することにより、該部分の曲げに対する断面係数
が大きくって曲がり難くなる。これにより、トランスフ
ァ成形時に金型にインサートした外部リード６が金型内
に注入した成形樹脂流に押されて簡単に変形するのを防
止できる。なお、この溝形断面部６ａはトランスファ成
形時に金型内にインサートされる領域に形成するだけで
十分であり、実際には図示のように基板支持体５ａ〜５
ｃとダムバーとして機能する中間のタイバー９ａとの間
の範囲に形成して実施するのがよい。また、溝形断面の
形状は図示のＶ字形に限定されるものではなく、断面Ｕ
字形であっても同様に曲げ強度を増強できる。
を形成することにより、該部分の曲げに対する断面係数
が大きくって曲がり難くなる。これにより、トランスフ
ァ成形時に金型にインサートした外部リード６が金型内
に注入した成形樹脂流に押されて簡単に変形するのを防
止できる。なお、この溝形断面部６ａはトランスファ成
形時に金型内にインサートされる領域に形成するだけで
十分であり、実際には図示のように基板支持体５ａ〜５
ｃとダムバーとして機能する中間のタイバー９ａとの間
の範囲に形成して実施するのがよい。また、溝形断面の
形状は図示のＶ字形に限定されるものではなく、断面Ｕ
字形であっても同様に曲げ強度を増強できる。
【００２０】また、第１のリードフレーム９として、図
４の実施例で示したものを採用することにより、先記し
た半導体装置の組立工程を、次記のように順序を一部変
更して行うことができる。すなわち、第１の工程では、
先記した組立方法と同様に半導体素子ペレット４ａ〜４
ｃを第１，第２リードフレーム９，１０の上に組立てて
ダイボンディングした後、続く第２の工程では第２リー
ドフレーム１０のタブ１０ａを接続子７の根元部分でカ
ットしてタイバー１０ｂを切り離す。そして、この状態
のまま第３の工程でトランスファモールド法により半導
体素子ペレット，基板支持体，接続子，および外部リー
ドの一部の周域を樹脂封止し、最後の第４工程で第１リ
ードフレーム９のタイバー９ａ，９ｂをカットする。
４の実施例で示したものを採用することにより、先記し
た半導体装置の組立工程を、次記のように順序を一部変
更して行うことができる。すなわち、第１の工程では、
先記した組立方法と同様に半導体素子ペレット４ａ〜４
ｃを第１，第２リードフレーム９，１０の上に組立てて
ダイボンディングした後、続く第２の工程では第２リー
ドフレーム１０のタブ１０ａを接続子７の根元部分でカ
ットしてタイバー１０ｂを切り離す。そして、この状態
のまま第３の工程でトランスファモールド法により半導
体素子ペレット，基板支持体，接続子，および外部リー
ドの一部の周域を樹脂封止し、最後の第４工程で第１リ
ードフレーム９のタイバー９ａ，９ｂをカットする。
【００２１】このような工程順で半導体装置を組立てる
ことにより、トランスファ成形時には第２リードフレー
ム１０のタブが既にカットされているので、外部リード
６以外の金属部分が封止樹脂８から外部に露呈しないフ
ルモールドパッケージが可能となる。しかも、図４で述
べたように、第１リードフレーム９に対してあらかじめ
外部リード６に断面溝形部６ａを形成してその曲げ強度
を高めておくことにより、成形金型内にインサートした
状態でも基板支持体，半導体素子ペレット，およびタブ
カットされた接続子を外部リード自身で安定よく片持ち
式に支持することができる。
ことにより、トランスファ成形時には第２リードフレー
ム１０のタブが既にカットされているので、外部リード
６以外の金属部分が封止樹脂８から外部に露呈しないフ
ルモールドパッケージが可能となる。しかも、図４で述
べたように、第１リードフレーム９に対してあらかじめ
外部リード６に断面溝形部６ａを形成してその曲げ強度
を高めておくことにより、成形金型内にインサートした
状態でも基板支持体，半導体素子ペレット，およびタブ
カットされた接続子を外部リード自身で安定よく片持ち
式に支持することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の製造方法に
よれば、組立部品である接続子を基板支持体と同様にリ
ードフレームに成形して取り扱うようにしたので、従来
のように単一部品である接続子を１個ずつ手作業などに
よって装着する必要がなく、これにより組立工程の全自
動化にも容易に対応できるほか、仮組立工程では複数の
半導体素子ペレット，および接続子の自由な動きをリー
ドフレームのタイバーにより拘束して接続子，半導体素
子ペレット，基板支持体を定位置で平行姿勢に安定よく
保持して次工程で半田付けを行うことができる。また、
特に基板支持体から引出した外部リードについて、その
断面形状を溝形断面として細長いリードの曲げ強度を高
めておくことにより、樹脂封止工程で外部リードの曲が
り変形が防げる効果が得られるなど、本発明により３素
子からなる半導体サージ吸収モジュールなどを対象に、
樹脂封止型半導体装置を高い良品率で量産性よく製造す
ることができる。
よれば、組立部品である接続子を基板支持体と同様にリ
ードフレームに成形して取り扱うようにしたので、従来
のように単一部品である接続子を１個ずつ手作業などに
よって装着する必要がなく、これにより組立工程の全自
動化にも容易に対応できるほか、仮組立工程では複数の
半導体素子ペレット，および接続子の自由な動きをリー
ドフレームのタイバーにより拘束して接続子，半導体素
子ペレット，基板支持体を定位置で平行姿勢に安定よく
保持して次工程で半田付けを行うことができる。また、
特に基板支持体から引出した外部リードについて、その
断面形状を溝形断面として細長いリードの曲げ強度を高
めておくことにより、樹脂封止工程で外部リードの曲が
り変形が防げる効果が得られるなど、本発明により３素
子からなる半導体サージ吸収モジュールなどを対象に、
樹脂封止型半導体装置を高い良品率で量産性よく製造す
ることができる。
【図１】本発明の実施例による樹脂封止型半導体装置の
仮組立状態を表す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
側面図
仮組立状態を表す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
側面図
【図２】図１における第１リードフレームのパターン展
開図
開図
【図３】図１における第２リードフレームのパターン展
開図
開図
【図４】図１における第２リードフレームの応用実施例
のパターン展開図
のパターン展開図
【図５】３個の半導体サージ吸収素子で構成したサージ
吸収回路図
吸収回路図
【図６】本発明の実施対象となる樹脂封止型半導体装置
の構成図であり、（ａ）は一部切欠の平面図、（ｂ）は
断面側視図、（ｃ）は組立部品の分解斜視図、（ｄ）は
製品の外観図
の構成図であり、（ａ）は一部切欠の平面図、（ｂ）は
断面側視図、（ｃ）は組立部品の分解斜視図、（ｄ）は
製品の外観図
４ａ，４ｂ，４ｃ 半導体素子ペレット ５ａ，５ｂ，５ｃ 基板支持体 ６ 外部リード ７ 接続子 ８ 封止樹脂 ９ 第１のリードフレーム ９ａ，９ｂ タイバー １０ 第２のリードフレーム １０ａ タブ １０ｂ タイバー
Claims (4)
- 【請求項１】複数の半導体素子ペレットを、各ペレット
と個別に対応する複数のリード付き基板支持体と各ペレ
ット間に共通にまたがる接続子との間にマウントし、そ
の周域を樹脂封止した樹脂封止型半導体装置の製造方法
であり、複数の基板支持体，各基板支持体から引出した
外部リード，および外部リードの間を相互連結するタイ
バーをパターン形成した第１のリードフレームと、接続
子，該接続子の一端に連ねたタブ，およびタブの間を相
互連結するタイバーをパターン形成した第２のリードフ
レームとを用い、半導体素子ペレットを挟んでその両主
面に前記第１のリードフレームと第２のリードフレーム
を重ね合わせた上で半導体素子ペレットを第１リードフ
レームの基板支持体と第２リードフレームの接続子にダ
イボンディングした上で、半導体素子ペレット，基板支
持体，接続子，および外部リードの一部を包含した周域
の樹脂封止、および第１リードフレームのタイバーカッ
ト，第２リードフレームのタブカットを行うことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の製造方法において、第１の
工程で半導体素子ペレットを第１，第２リードフレーム
にダイボンディングし、第２の工程で第２リードフレー
ムのタブをカットし、第３の工程でトランスファモール
ド法により半導体素子ペレット，基板支持体，接続子，
および外部リードの一部の周域を樹脂封止し、第４の工
程で第１リードフレームのタイバーをカットすることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】請求項１，２記載の製造方法に用いる第１
のリードフレームにおいて、基板支持体から引出した外
部リードの断面形状を、曲げに対する断面係数が大きな
溝形断面となしたことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置のリードフレーム。 - 【請求項４】請求項３記載のリードフレームにおいて、
外部リードに形成した溝形断面を、基板支持体と外部リ
ードの中間部を相互連結するタイバーとの間の範囲に形
成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置のリード
フレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6305767A JPH07221236A (ja) | 1993-12-10 | 1994-12-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびリードフレーム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30996293 | 1993-12-10 | ||
| JP5-309962 | 1993-12-10 | ||
| JP6305767A JPH07221236A (ja) | 1993-12-10 | 1994-12-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221236A true JPH07221236A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=26564450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6305767A Pending JPH07221236A (ja) | 1993-12-10 | 1994-12-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762067B1 (en) * | 2000-01-18 | 2004-07-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method of packaging a plurality of devices utilizing a plurality of lead frames coupled together by rails |
| JP2010010696A (ja) * | 2009-08-25 | 2010-01-14 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-12-09 JP JP6305767A patent/JPH07221236A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762067B1 (en) * | 2000-01-18 | 2004-07-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method of packaging a plurality of devices utilizing a plurality of lead frames coupled together by rails |
| JP2010010696A (ja) * | 2009-08-25 | 2010-01-14 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
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