JPH07221245A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents

半導体装置用リードフレーム

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JPH07221245A
JPH07221245A JP6010682A JP1068294A JPH07221245A JP H07221245 A JPH07221245 A JP H07221245A JP 6010682 A JP6010682 A JP 6010682A JP 1068294 A JP1068294 A JP 1068294A JP H07221245 A JPH07221245 A JP H07221245A
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JP
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lead frame
tie bar
lead
semiconductor chip
resin
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JP6010682A
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Yoshiharu Takahashi
義治 高橋
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 タイバー切断金型の刃の摩耗を大幅に軽減で
き、タイバーの切断工程が簡略化できるリードフレーム
を得ること。 【構成】 ダイパッド１と、この周辺部に所定の間隔で
配列されている複数のインナーリード２と、これらのイ
ンナーリードに対応するアウターリード３と、各インナ
ーリード及び各アウターリード間を接続しているタイバ
ー４などを備え、タイバー４のダイパッド１側の各イン
ナーリード２間に突片Ｌを形成して、ダムバリを生じさ
せないようにしたリードフレームである。他の構造の実
施例が図６に示されている。 【効果】 ダムバリが殆ど生じなくなるのでダムバリ抜
きステージが必要なく、金型がコンパクトになり、金型
製作費が安価となる。また、パンチ、ダイの寿命を長寿
命化することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型の半導体
装置を製造する場合に用いる半導体装置用リードフレー
ム（以下、単に「リードフレーム」と記す）に関し、特
にリード加工工程のタイバー切断金型の刃の摩耗を大幅
に軽減でき、タイバーの切断工程が簡略化できるリード
フレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置（以下、単に「Ｉ
Ｃ」と記す）の生産工程において、リードフレームの半
導体チップ載置部に半導体チップを載置、固定して、こ
の半導体チップを樹脂封止した後、インナーリードの補
強と樹脂封止の際のアウターリードへの樹脂流出を防止
するために設けられたタイバー部を切断する工程があ
る。
【０００３】先ず、その工程などを図１２乃至図１５を
用いて、従来技術のリードフレーム及びそのリードフレ
ームに半導体チップを載置し、樹脂封止した後のリード
フレームの状態を説明する。図１２は従来技術の半導体
チップを搭載した状態の一単位のＤＩＰ型ＩＣ用リード
フレームの平面図であり、図１３は従来技術の半導体チ
ップを搭載した状態の一単位のＱＦＰ型ＩＣ用リードフ
レームの平面図であり、図１４は図１２に示した半導体
チップを樹脂封止した状態のリードフレームを示してお
り、同図Ａはその平面図、同図Ｂは同図Ａの矢印Ａで示
したサークル部分の一部拡大図であり、そして図１５は
図１３に示した半導体チップを樹脂封止した状態のリー
ドフレームを示しており、同図Ａはその平面図、同図Ｂ
は同図Ａの矢印Ａで示したサークル部分の一部拡大図で
ある。
【０００４】図１２に示したＤＩＰ型ＩＣ用リードフレ
ーム（以下、単に「リードフレーム」と記す）１００Ｄ
はその中央部に半導体チップ載置部である矩形のダイパ
ッド１が配置されており、この長辺の両側縁に沿って、
所定の間隔で複数のインナーリード２とこれらのインナ
ーリード２に対応したアウターリード３とが配列されて
おり、タイバー４がこれら各インナーリード２及びアウ
ターリード３とを所定の間隔で接続、保持している。符
号５はダイパッド１の短辺の側縁の中央部をそれぞれス
テイ６に接続、固定した吊りリードで、その一部が折り
曲げられて前記ダイパッド１がディプレスされた状態に
加工されている。符号７はステイ６に所定間隔で形成さ
れた基準孔を指す。この基準孔７は樹脂封止の際のダイ
パッド１の位置出し及びタイバー４を切断する場合の基
準となる孔である。そして符号Ｍはモールドラインを指
す。
【０００５】なお、通常、「インナーリード」とは、こ
のモールドラインＭの中で後記の半導体チップの樹脂封
止後に、この樹脂で形成されたパッケージの中に存在す
る部分のリードを指し、「アウターリード」とはこのパ
ッケージの外部に露出した部分のリードを指すのである
が、この明細書で「インナーリード」とは、タイバーを
境にして半導体チップ載置部側に在る部分のリードを指
し、「アウターリード」とはそのタイバーからステイ側
に在る部分のリードを指す。
【０００６】この図は、このリードフレーム１００Ｄの
前記ダイパッド１に半導体チップＳａを載置、固定し、
半導体チップＳａの各電極をインナーリード２の各先端
部に金ワイヤ８で接続した状態を示している。
【０００７】図１３に示したＱＦＰ型ＩＣ用リードフレ
ーム（以下、単に「リードフレーム」と記す）１００Ｑ
はその中央部に半導体チップ載置部である正方形のダイ
パッド１１が配置されており、このダイパッド１１の四
側縁に沿って、所定の間隔で複数のインナーリード１２
とこれらのインナーリード１２に対応したアウターリー
ド１３とが配列されており、タイバー１４がこれら各イ
ンナーリード１２及びアウターリード１３とを所定の間
隔で接続、保持している。符号１５はダイパッド１１の
四コーナー部をそれぞれステイ１６に接続、固定した吊
りリードで、その一部が折り曲げられて前記ダイパッド
１１がディプレスされた状態に加工されている。符号１
７はステイ１６に所定間隔で形成された基準孔を、そし
て符号Ｍはモールドラインを指す。
【０００８】この図もこのリードフレーム１００Ｑの前
記ダイパッド１１に半導体チップＳｂを載置、固定し、
半導体チップＳｂの各電極をインナーリード１２の各先
端部に金ワイヤ１８で接続した状態を示している。
【０００９】前記２例のそれぞれのリードフレーム１０
０Ｄ、１００Ｑにおけるタイバー４、１４近傍のダイパ
ッド１、１１側インナーリード２、１２の幅は、通常、
タイバー４、１４近傍のアウターリード３、１３の幅と
同等の寸法で形成されている。また、前記タイバー４、
１４は、前記のように、各インナーリード及びアウター
リードとを所定の間隔で接続、保持する役割の他に、半
導体チップを樹脂封止する場合のインナーリードの補強
とその樹脂封止の場合のアウターリードへの樹脂流出を
防止するた役割を果たすものである。このため前記タイ
バーの別名をダムバーと称されている。
【００１０】これら半導体チップＳａ、Ｓｂを搭載した
それぞれのリードフレーム１００Ｄ、１００Ｑを成形金
型に装着して、トランスファーモールド法により樹脂封
止すると、図１４及び図１５に示したように、前記モー
ルドラインＭの内側では半導体チップＳａ、Ｓｂが溶融
樹脂で封止され、パッケージＰａ、Ｐｂが形成される。
そして、この樹脂封止の際に、図１４Ｂ及び図１５Ｂに
示したように、タイバー４、１４のパッケージＰａ、Ｐ
ｂ側にダムバリＤａ、Ｄｂと称されているアウターリー
ド３、１３及びタイバー４、１４などと同一の厚みをも
った樹脂部が生じる。
【００１１】次に、この半導体チップの樹脂封止後のリ
ードフレーム１００Ｄｐ、１００Ｑｐはそれぞれのイン
ナーリード２、１２及びアウターリード３、１３を電気
的に分離し、両者を一本のリードとするために、リード
加工機と呼ばれる設備でタイバー４、１４を切断する。
この従来技術のリード加工方法を図１６及び図１７を用
いて説明する。なお、以下の説明では、ＤＩＰ型ＩＣ用
リードフレーム１００Ｄｐを取り上げて説明するが、Ｑ
ＦＰ型ＩＣ用リードフレーム１００Ｑｐについても同様
であるので、その説明を省略する。
【００１２】図１６はリード加工機の一構成装置である
ダムバリ抜き装置を示していて、同図Ａはダムバリを抜
く前の状態を示す側面図、同図Ｂはダムバリを抜き落と
した時の状態を示す側面図であり、図１７はリード加工
機の一構成装置であるタイバー切断装置を示していて、
同図Ａはタイバーを切断する前の状態を示す側面図、同
図Ｂはタイバーを切断した時の状態を示す側面図であ
る。
【００１３】先ず、図１６を用いてリードフレーム１０
０Ｄｐのダムバリ抜きを説明する。図１６のダムバリ抜
き装置２０は金型の一つで、パンチ２１と、パッケージ
載置部２２、アウターリード載置部２３、それらの中間
に形成された貫通孔２４を備えたダイ２５と、前記パッ
ケージ載置部２２と対向し、そこに載置されたパッケー
ジＰａを受けるパッケージ受け部２６、前記アウターリ
ード載置部２３に載置されたアウターリード３を押圧、
固定するアウターリード固定部２７、それらの中間部に
在って前記貫通孔２４と対向する位置に在るパンチ案内
孔２８を備えたストリッパー２９と、このストリッパー
２９をダイ２５側に押圧するバネ３０などから構成され
ている。
【００１４】前記タイバー４を切断する場合、通常、先
ず、図１６Ａに示したように、ダイ２５の上に図１４に
示したリードフレーム１００ＤｐのパッケージＰａをパ
ッケージ載置部２２に、アウターリード３をアウターリ
ード載置部２３に載置し、上方からバネ３０の押圧によ
りストリッパー２９を矢印Ｙの方向に降下させてリード
フレーム１００Ｄｐを押圧、固定する。この状態におい
て、図１６Ｂに示したように、パンチ案内孔２８を通じ
てパンチ２１を打ち下ろし、ダムバリＤａを抜く。打ち
抜かれたダムバリＤａはダムバリ抜き滓Ｄｃとなって、
前記貫通孔２４から落下し、排出される。
【００１５】次に、図１７を用いてリードフレーム１０
０Ｄｐのタイバー切断を説明する。同じリード加工機の
次のステージには、図１７に示したような金型であるタ
イバー切断装置４０が備え付けられている。このタイバ
ー切断装置４０は、パンチ４１と、パッケージ載置部４
２、アウターリード載置部４３、それらの中間に形成さ
れた貫通孔４４を備えたダイ４５と、前記パッケージ載
置部４２と対向し、そこに載置されたパッケージＰａを
受けるパッケージ受け部４６、前記アウターリード載置
部４３に載置されたアウターリード３を押圧、固定する
アウターリード固定部４７、それらの中間部に在って前
記貫通孔４４と対向する位置に在るパンチ案内孔４８を
備えたストリッパー４９と、このストリッパー４９をダ
イ４５側に押圧するバネ５０などから構成されている。
【００１６】前ステージのダムバリ抜き装置２０でダム
バリＤａが抜き落とされたリードフレーム１００Ｄｐ
は、図１７Ａに示したように、そのパッケージＰａをパ
ッケージ載置部４２に、アウターリード３をアウターリ
ード載置部４３に載置し、上方からバネ５０の押圧によ
りストリッパー４９を矢印Ｙの方向に降下させてリード
フレーム１００Ｄｐを押圧、固定する。この状態におい
て、図１７Ｂに示したように、パンチ案内孔４８を通じ
てパンチ４１を打ち下ろし、タイバー４を抜く。打ち抜
かれたタイバー４はタイバー抜き滓４Ｄとなって、前記
貫通孔４４から落下し、排出される。
【００１７】このようにして樹脂封止後のリードフレー
ム１００ＤｐのダムバリＤａ及びタイバー４を切断した
状態の構造を図１８に示した。また、図１９には樹脂封
止後のリードフレーム１００ＱｐのダムバリＤｂ及びタ
イバー１４を切断した状態の構造を示した。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したリード加
工方法は、一つのリード加工機内で先にダムバリを除去
し、次のステージでタイバーを切断する方法を採ってい
るが、タイバーの切断と同時にダムバリを除去する加工
方法を採ることもできる。この場合、図１７に示したパ
ンチ４１とダイ４５とがダムバリＤａの除去に兼用され
る。ダムバリとタイバーを同時に切断できる、金型であ
るリード加工機は小型、軽量に構成できるが、ダムバリ
部分のパンチ４１とダイ４５の摩耗が早まり、金型のメ
ンテナンスが増加するなどという問題がある。
【００１９】一般に、図１６に示したダムバリ抜き装置
２０のダイ２５はパンチ２１の外形に対して大きな隙間
を以て設計されており、ダイ２５はアウターリード３を
受けるだけとなっている。これに対して、タイバー４を
切断する図１７に示したタイバー切断装置４０は、アウ
ターリード３間に跨がっているタイバー４を切断するた
め、パンチ４１とダイ４５の隙間は１／１００ｍｍとな
っていて、パンチ４１とダイ４５のいずれかが多少なり
と摩耗するとタイバー４を切断することができなくな
る。たとえ切断できてもリード両側のタイバーにバリが
発生し、規格外の製品になってしまう。
【００２０】このように刃の摩耗を考慮した場合、先に
樹脂のダムバリを落とし、次のステージでタイバーを切
断する方法を採る方がパンチ及びダイの刃部の摩耗を逓
減できる長所があるため、従来から一つのリード加工機
内でダムバリを先に除去してからタイバーを切断する方
法が多用されてきた。その反面、金型であるパンチとダ
イがその分大型になると同時に重量が重くなる。この発
明はこれらの問題を解決することを課題とするものであ
る。
【００２１】
【課題を解決するための手段】そのためこの発明ではリ
ードフレーム側に工夫をして、前記課題を解決するよう
にした。即ち、この発明のリードフレームでは、タイバ
ーの半導体チップ載置（ダイパッド）側の各インナーリ
ード間に突片を形成して、前記課題を解決するようにし
た。また、この発明のリードフレームでは、各インナー
リードのタイバー側の端部の幅を各アウターリードのタ
イバー側の端部の幅より広く形成して、前記課題を解決
するようにした。
【００２２】
【作用】従って、各インナーリード間とタイバーとの間
にダムバリが殆ど生じなくなる。そのためリード加工機
において、従来のダムバリ抜きステージが必要なくな
り、タイバー切断ステージのみでタイバー切断が可能と
なる。従って、金型がコンパクトになり、金型製作費が
安価となる。しかも、パンチ、ダイの寿命を長寿命化す
ることができる。
【００２３】
【実施例】先ず、図１乃至図５を用いて、この発明の第
１の実施例を説明する。図１はこの発明の第１の実施例
の半導体チップを搭載した状態のリードフレームの一部
拡大平面図を示していて、同図ＡはＤＩＰ型ＩＣ用リー
ドフレーム、同図ＢはＱＦＰ型ＩＣ用リードフレームで
あり、図２は図１Ａに示したリードフレームの半導体チ
ップを樹脂封止した場合の要部の拡大平面図であり、図
３はリード加工機の一構成装置であるタイバー切断装置
を示していて、同図Ａは図２の半導体チップを樹脂封止
したリードフレームのタイバーを切断する前の状態を示
す側面図、同図Ｂはそのタイバーを切断した時の状態を
示す側面図であり、図４は図３に示したタイバー切断装
置のパンチの図２に示したリードフレームのタイバーに
対する位置関係を示す平面図であり、そして図５はタイ
バー切断後のリードフレームを示す一部拡大平面図であ
って、同図ＡはＤＩＰ型ＩＣ用リードフレーム、同図Ｂ
はＱＦＰ型ＩＣ用リードフレームである。なお、図１２
乃至図１７に示した従来技術のリードフレーム及びタイ
バー切断装置と同一の部分には同一の符号を付し、それ
らの部分の構成などの説明を省略する。
【００２４】図１ＡにはＤＩＰ型ＩＣ用リードフレーム
（以下、単に「リードフレーム」と記す）２００Ｄを、
図１ＢにはＱＦＰ型ＩＣ用リードフレーム（以下、単に
「リードフレーム」と記す）２００Ｑを示した。この発
明のリードフレーム２００Ｄにおいては、タイバー４の
半導体チップ載置（ダイパッド１）側、即ち、モールド
ラインＭ側の各インナーリード２間に、タイバー４及び
各インナーリード２と同一の平面内に在り、同一の厚さ
で、先端部が自由端になっている突片Ｌを形成した。従
って、インナーリード２と突片Ｌの両側では符号９で示
したスリットが形成される。その他の構成は従来のリー
ドフレーム１００Ｄの構成要素と同一である。
【００２５】また、この発明の他のリードフレーム２０
０Ｑにおいても、タイバー１４の半導体チップ載置（ダ
イパッド１１）側、即ち、モールドラインＭ側の各イン
ナーリード１２間に、タイバー１４及び各インナーリー
ド１２と同一の平面内に在り、同一の厚さで、先端部が
自由端になっている突片Ｌを形成した。従って、インナ
ーリード１２と突片Ｌの両側では符号１９で示したスリ
ットが形成される。その他の構成は従来のリードフレー
ム１００Ｑの構成要素と同一である。なお、説明を簡単
にするために、以下の説明ではリードフレーム２００Ｄ
を用いて説明を進めてゆく。
【００２６】このリードフレーム２００Ｄのダイパッド
１に搭載された半導体チップＳａを樹脂封止すると、図
２に示したような状態のリードフレーム２００Ｄｐにな
る。即ち、成形金型で前記モールドラインＭ内の半導体
チップＳａなどが樹脂封止されてパッケージＰａで保護
される状態になるが、この成形金型内から流出した若干
の封止樹脂は前記スリット９に入り込み、突片Ｌの回り
にわずかに樹脂バリＢが残る程度である。なお、この樹
脂バリＢは従来技術のダムバリＤａ、Ｄｂに相当するも
のであるが、前記突片Ｌの回りに形成されること、及び
樹脂量が極めて僅かであることから、ここでは樹脂バリ
と呼ぶことにした。
【００２７】次に、図２に示した状態のリードフレーム
２００Ｄｐのタイバー４の切断について説明する。図３
に示したタイバー切断装置４０Ａの構成は、従来技術の
タイバー切断装置４０のそれと同一であるが、パンチ４
１Ａの刃の平面４１Ｂは、図４に示したように、その幅
は少なくともタイバー４の幅と同一かやや狭く、その長
さはタイバー４の長さと突片Ｌの長さにほぼ等しい長さ
に構成されている。従って、ストリッパー４９Ａに形成
された貫通孔４８Ａも従来技術の貫通孔４８よりもそれ
だけ大きく開けられている。そして、そのパンチ４１Ａ
の大きさに応じてダイ４５Ａの貫通孔４４Ａも従来技術
の貫通孔４４よりそれだけ大きく開けられている。
【００２８】次に、従来技術のリードフレーム１００Ｄ
ｐのタイバーを切断する場合と同様に、前記リードフレ
ーム２００Ｄｐを、そのパッケージＰａ部分がダイ４５
Ａのパッケージ載置部４２に、アウターリード３がアウ
ターリード載置部４３に位置するように載置し（図３
Ａ）、バネ５０の押圧によりストリッパー４９Ａを下降
させて、図３Ｂに示したように、パッケージ受け部４６
でパッケージＰａを受け、アウターリード固定部４７で
アウターリード３を押さえた状態で、パンチ４１Ａを矢
印Ｙの方向に更に降下させると、図４に示したように、
パンチ４１Ａは同時にタイバー４と突片Ｌに対接し、そ
して更に降下させると、タイバー４を切断すると同時に
突片Ｌもパンチ４１Ａによって樹脂バリＢから分離さ
れ、この分離された突片Ｌはタイバー４と一体になって
貫通孔４４Ａに落下し、タイバー切断装置４０Ａから外
部へ排出することができる。
【００２９】このようにパンチ４１Ａでタイバー４を切
断した場合、従来のダムバリＤａ部分に突片Ｌが設けら
れたため、ダムバリ部分の樹脂を切断するのではなく、
突片Ｌをパンチ４１Ａが押し込むというメカニズムであ
る。突片Ｌが樹脂バリＢから離れる時、この樹脂バリＢ
は突片Ｌ側に付くか、インナーリード２側に付くか判ら
ない。どちらについても次工程のリード曲げ加工におい
て問題にはならない。
【００３０】図５Ａにリードフレーム２００Ｄｐのタイ
バー４を切断した後の外形を、図５Ｂにリードフレーム
２００Ｑｐのタイバー４を切断した後の外形を図示し
た。これらの外形は従来のリードフレームのタイバー切
断後の外形と何ら変わらないことが判る。
【００３１】次に、図６乃至図９を用いて、この発明の
第２の実施例を説明する。図６はこの発明の第２の実施
例の半導体チップを搭載した状態のリードフレームの一
部拡大平面図を示していて、同図ＡはＤＩＰ型ＩＣ用リ
ードフレーム、同図ＢはＱＦＰ型ＩＣ用リードフレーム
であり、図７は図１Ａに示したリードフレームの半導体
チップを樹脂封止した場合の要部の拡大平面図であり、
図８はタイバー切断装置のパンチの図７に示したリード
フレームのタイバーに対する位置関係を示す平面図であ
り、そして図９はタイバー切断後のリードフレームを示
す一部拡大平面図である。なお、従来技術のリードフレ
ームと同一の部分には同一の符号を付し、それらの部分
の構成の説明を省略する。
【００３２】図６ＡにはＤＩＰ型ＩＣ用リードフレーム
（以下、単に「リードフレーム」と記す）２１０Ｄを、
図６ＢにはＱＦＰ型ＩＣ用リードフレーム（以下、単に
「リードフレーム」と記す）２１０Ｑを示した。この発
明のリードフレーム２１０Ｄにおいては、各インナーリ
ード２のタイバー４の半導体チップ載置（ダイパッド
１）側に在るモールドラインＭ近傍の、即ち、タイバー
４への接続端部の幅をそれぞれに対応する各アウターリ
ード３のタイバー側の接続端部の幅より広く形成して構
成されている。このインナーリード２の幅が広い接続端
部を、便宜上、リード幅広部Ｗと呼ぶ。このリード幅広
部Ｗの隣接部分とその垂直なタイバー４の側縁には符号
９Ａで示したスリットが形成される。
【００３３】図６Ｂにリードフレーム２１０Ｑを示し
た。このリードフレーム２１０Ｑの要部の構造もリード
フレーム２１０Ｄの構造と同一であるので、説明を省略
する。なお、説明を簡単にするために、以下の説明では
リードフレーム２１０Ｄを用いて説明を進めてゆく。
【００３４】このリードフレーム２１０Ｄのダイパッド
１に搭載された半導体チップＳａを樹脂封止すると、図
７に示したような状態のリードフレーム２１０Ｄｐにな
る。即ち、成形金型で前記モールドラインＭ内の半導体
チップＳａなどが樹脂封止されてパッケージＰａで保護
される状態になるが、この成形金型内から流出した若干
の封止樹脂は前記スリット９に入り込み、タイバー４の
一側縁とリード幅広部Ｗの両側縁に樹脂溜まりＢａを形
成する。この樹脂溜まりＢａは従来技術のダムバリＤ
ａ、Ｄｂに相当するものであるが、その樹脂量が極めて
僅かである。このようにインナーリード２にリード幅広
部Ｗを形成したことにより、従来のダムバリＤａ部分が
リード幅広部Ｗに相当することになる。
【００３５】この状態のリードフレーム２１０Ｄｐのタ
イバー４を切断するには、タイバー切断装置のパンチの
刃面４１Ｂが、図８に示したように、その幅がタイバー
４の幅とほぼ同一かやや狭く、その長さがタイバー４の
長さより十分に長いパンチを用いて行う。この場合、こ
のパンチはその刃面４１Ｂの一端縁がタイバー側縁に形
成されたスリット９Ａ上で留まるようにタイバー切断装
置に取り付ける。
【００３６】図３を用いて説明したような要領で、この
刃面４１Ｂを有するパンチで前記タイバー４を切断する
と、図９に示したような外形のリードフレームを得るこ
とができる。このタイバー切断後のリードフレームは、
リード幅広部Ｗの両側縁に樹脂が残っているが、次工程
のリード曲げ工程ではこの部分を曲げることがないの
で、特に問題は発生しない。
【００３７】図１０に、リードフレーム２１０Ｄｐのタ
イバー４を切断し、アウターリード３の先端をステイ６
から切断し、一つのＤＩＰ型ＩＣの半製品に形成した状
態の一部分を示した。この半製品を次工程のリード曲げ
工程においてアウターリードを、例えば、ガルウイング
状に折り曲げると、図１１に示したように、ＳＯＰ型Ｉ
Ｃが完成する。図１１Ｂに、その一部分を拡大して図示
したが、前記リード幅広部Ｗの両側縁に残った樹脂溜ま
りＢａは曲げ加工位置からずれているため、前記したよ
うに特に問題がないのが判ろう。
【００３８】以上の説明では、この発明のリードフレー
ムを主にＤＩＰ型ＩＣ用リードフレームについて説明し
てきたが、ＱＦＰ型ＩＣ用リードフレームにも適用でき
ることは容易に理解できよう。また、半導体チップ載置
部として、ダイパッドを挙げ、ダイパッドを有するリー
ドフレームを例示して説明したが、この発明は所謂ダイ
パッドレスのリードフレームにも適用できることも容易
に理解できよう。この場合のリードフレームの半導体チ
ップ載置部は複数のインナーリードの先端部に囲われた
空間部分を指すことは言うまでもない。
【００３９】
【発明の効果】この発明のリードフレームでは、各イン
ナーリード間とタイバーとの間にダムバリが殆ど生じな
くなる。そのためリード加工機において、従来のダムバ
リ抜きステージが必要なくなり、タイバー切断ステージ
のみでタイバー切断が可能となる。従って、金型がコン
パクトになり、金型製作費が安価となる。しかも、パン
チ、ダイの寿命を長寿命化することができる。また、こ
の発明のリードフレームは、従来のダムバリを抜いた後
のリードフレームと変わりなく、以後の工程における加
工設備をそのまま利用することができるなど優れた効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の第１の実施例の半導体チップを搭
載した状態のリードフレームの一部拡大平面図を示して
いて、同図ＡはＤＩＰ型ＩＣ用リードフレーム、同図Ｂ
はＱＦＰ型ＩＣ用リードフレームである。
【図２】 図１Ａに示したリードフレームの半導体チッ
プを樹脂封止した場合の要部の拡大平面図である。
【図３】 リード加工機の一構成装置であるタイバー切
断装置を示していて、同図Ａは図２の半導体チップを樹
脂封止したリードフレームのタイバーを切断する前の状
態を示す側面図、同図Ｂはそのタイバーを切断した時の
状態を示す側面図である。
【図４】 図３に示したタイバー切断装置のパンチの図
２に示したリードフレームのタイバーに対する位置関係
を示す平面図である。
【図５】 タイバー切断後のリードフレームを示す一部
拡大平面図であって、同図ＡはＤＩＰ型ＩＣ用リードフ
レーム、同図ＢはＱＦＰ型ＩＣ用リードフレームであ
る。
【図６】 この発明の第２の実施例の半導体チップを搭
載した状態のリードフレームの一部拡大平面図を示して
いて、同図ＡはＤＩＰ型ＩＣ用リードフレーム、同図Ｂ
はＱＦＰ型ＩＣ用リードフレームである。
【図７】 図１Ａに示したリードフレームの半導体チッ
プを樹脂封止した場合の要部の拡大平面図である。
【図８】 タイバー切断装置のパンチの図７に示したリ
ードフレームのタイバーに対する位置関係を示す平面図
である。
【図９】 タイバー切断後のリードフレームを示す一部
拡大平面図である。
【図１０】 図９に示した状態のリードフレームのアウ
ターリードの先端をステイから切断し、一つのＤＩＰ型
ＩＣの半製品に形成した状態の一部斜視図である。
【図１１】 図１０の半製品を次工程のリード曲げ工程
においてアウターリードをガルウイング状に折り曲げて
完成させた状態を示すＤＩＰ型ＩＣの一部斜視図であ
り、同図Ｂは同図Ａの一部分を拡大して図示した斜視図
である。
【図１２】 従来技術の半導体チップを搭載した状態の
一単位のＤＩＰ型ＩＣ用リードフレームの平面図であ
る。
【図１３】 従来技術の半導体チップを搭載した状態の
一単位のＱＦＰ型ＩＣ用リードフレームの平面図であ
る。
【図１４】 図１２に示した半導体チップを樹脂封止し
た状態のリードフレームを示しており、同図Ａはその平
面図、同図Ｂは同図Ａの矢印Ａで示したサークル部分の
一部拡大図である。
【図１５】 図１３に示した半導体チップを樹脂封止し
た状態のリードフレームを示しており、同図Ａはその平
面図、同図Ｂは同図Ａの矢印Ａで示したサークル部分の
一部拡大図である。
【図１６】 リード加工機の一構成装置であるバリ抜き
装置を示していて、同図Ａはダムバリを抜く前の状態を
示す側面図、同図Ｂはダムバリを抜き落とした時の状態
を示す側面図である。
【図１７】 リード加工機の一構成装置であるタイバー
切断装置を示していて、同図Ａはタイバーを切断する前
の状態を示す側面図、同図Ｂはタイバーを切断した時の
状態を示す側面図である。
【図１８】 樹脂封止後のリードフレームのダムバリ及
びタイバーを切断した状態のＤＩＰ型ＩＣ用リードフレ
ームの一部平面図である。
【図１９】 樹脂封止後のリードフレームのダムバリ及
びタイバーを切断した状態のＱＦＰ型ＩＣ用リードフレ
ームの一部平面図である。
【符号の説明】
１ ダイパッド ２ インナーリード ３ アウターリード ４ タイバー ６ ステイ ９ スリット ９Ａ スリット １１ ダイパッド １２ インナーリード １３ アウターリード １４ タイバー １６ ステイ １９ スリット １９Ａ スリット ２０ ストリッパー ４０Ａ タイバー切断装置 ４１Ａ パンチ ４１Ｂ パンチの刃面 ４２ パッケージ載置部 ４３ アウターリード載置部 ４４Ａ 貫通孔 ４５Ａ ダイ ４６ パッケージ受け部 ４７ アウターリード固定部 ４８Ａ 貫通孔 ４９Ａ ストリッパー ５０ バネ ２００Ｄ ＤＩＰ型ＩＣ用リードフレーム ２００Ｑ ＱＦＰ型ＩＣ用リードフレーム ２１０Ｄ ＤＩＰ型ＩＣ用リードフレーム ２１０Ｑ ＱＦＰ型ＩＣ用リードフレーム Ｂ 樹脂バリ Ｂａ 樹脂溜まり Ｌ 突片 Ｍ モールドライン Ｐａ パッケージ Ｐｂ パッケージ Ｓａ 半導体チップ Ｓｂ 半導体チップ Ｗ リード幅広部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップ載置部と、この周辺部に所
    定の間隔で配列されている複数のインナーリードと、こ
    れらのインナーリードに対応するアウターリードと、各
    インナーリード及び各アウターリード間を接続している
    タイバー部などを備え、前記タイバー部の半導体チップ
    載置部側の各インナーリード間に突片を形成したことを
    特徴とする半導体装置用リードフレーム。
  2. 【請求項２】 半導体チップ載置部と、この周辺部に所
    定の間隔で配列されている複数のインナーリードと、こ
    れらのインナーリードに対応するアウターリードと、各
    インナーリード及び各アウターリード間を接続している
    タイバー部などを備え、前記インナーリードのタイバー
    側の端部の幅を前記アウターリードのタイバー側の端部
    の幅より広く形成したことを特徴とする半導体装置用リ
    ードフレーム。
JP6010682A 1994-02-01 1994-02-01 半導体装置用リードフレーム Pending JPH07221245A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6853057B2 (en) 2002-01-15 2005-02-08 Sharp Kabushiki Kaisha Lead frame for a plastic encapsulated semiconductor device

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US6853057B2 (en) 2002-01-15 2005-02-08 Sharp Kabushiki Kaisha Lead frame for a plastic encapsulated semiconductor device

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