JPH0722210A - 複合機能素子 - Google Patents
複合機能素子Info
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- JPH0722210A JPH0722210A JP5165383A JP16538393A JPH0722210A JP H0722210 A JPH0722210 A JP H0722210A JP 5165383 A JP5165383 A JP 5165383A JP 16538393 A JP16538393 A JP 16538393A JP H0722210 A JPH0722210 A JP H0722210A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 焼結時における層はがれや成分拡散による電
気的特性の悪化を回避しながら１つの素子でバリスタ特
性，コンデンサ特性，及び磁性特性を兼ね備えた複合機
能を得ることができ、ひいては部品点数を削減して部品
コストの低減，実装スペースの縮小に貢献できる複合機
能素子を提供する。 【構成】 バリスタ特性を有する半導体磁器２，３と、
磁性特性を有する磁性体磁器４とを積層し、該積層体を
一体焼結して焼結体５を形成して複合機能素子１を構成
する場合に、上記半導体磁器２，３及び磁性体磁器４の
双方にＢｉを添加する。また上記半導体磁器にＺｎＯを
主成分し、上記磁性体磁器にＦｅ−Ｎｉ−Ｚｎ系材料を
主成分する材料を採用する。
気的特性の悪化を回避しながら１つの素子でバリスタ特
性，コンデンサ特性，及び磁性特性を兼ね備えた複合機
能を得ることができ、ひいては部品点数を削減して部品
コストの低減，実装スペースの縮小に貢献できる複合機
能素子を提供する。 【構成】 バリスタ特性を有する半導体磁器２，３と、
磁性特性を有する磁性体磁器４とを積層し、該積層体を
一体焼結して焼結体５を形成して複合機能素子１を構成
する場合に、上記半導体磁器２，３及び磁性体磁器４の
双方にＢｉを添加する。また上記半導体磁器にＺｎＯを
主成分し、上記磁性体磁器にＦｅ−Ｎｉ−Ｚｎ系材料を
主成分する材料を採用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１つの素子でトランジ
ェントノイズを吸収できるとともにＥＭＣ対策にも対応
でき、ひいては部品点数を削減して部品コストの低減，
実装スペースの縮小に貢献できるようにした複合機能素
子に関する。
ェントノイズを吸収できるとともにＥＭＣ対策にも対応
でき、ひいては部品点数を削減して部品コストの低減，
実装スペースの縮小に貢献できるようにした複合機能素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種のコンピュータ機器等に採用される
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体デバイスにおいては、静電気等
のトランジェントノイズの侵入によって破壊や誤動作が
生じるのを防止することが重要な課題となっている。こ
のトランジェントノイズから機器を防御する方法とし
て、従来、セットや基板のグランドの設定や基板内の素
子の配列を工夫したり，ディスク型のバリスタやＬＣフ
ィルタを回路に付加するのが一般的である。なかでもバ
リスタは回路に加えることが比較的簡単であり、他の方
法に比べてノイズ吸収素子として適している。このバリ
スタを用いる場合、バリスタ電圧はできるだけ回路電圧
に近づける必要があることから、低電圧であることが要
求される。
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体デバイスにおいては、静電気等
のトランジェントノイズの侵入によって破壊や誤動作が
生じるのを防止することが重要な課題となっている。こ
のトランジェントノイズから機器を防御する方法とし
て、従来、セットや基板のグランドの設定や基板内の素
子の配列を工夫したり，ディスク型のバリスタやＬＣフ
ィルタを回路に付加するのが一般的である。なかでもバ
リスタは回路に加えることが比較的簡単であり、他の方
法に比べてノイズ吸収素子として適している。このバリ
スタを用いる場合、バリスタ電圧はできるだけ回路電圧
に近づける必要があることから、低電圧であることが要
求される。
【０００３】また、上記コンピュータ機器の小型化，薄
型化が進むなかで、上記バリスタにおいても小型化及び
ＳＭＴ（表面実装）化への対応が要請されている。この
ような要請に対応できるものとして、従来、焼結体内に
複数の内部電極を埋設した構造の積層型バリスタが提案
されている（例えば特公昭５８−２３９２１号公報参
照）。
型化が進むなかで、上記バリスタにおいても小型化及び
ＳＭＴ（表面実装）化への対応が要請されている。この
ような要請に対応できるものとして、従来、焼結体内に
複数の内部電極を埋設した構造の積層型バリスタが提案
されている（例えば特公昭５８−２３９２１号公報参
照）。
【０００４】一方、上記コンピュータ機器等では、この
機器からノイズを発生させたり，該機器にノイズを侵入
させたりしないように、回路基板の入出力部等にフィラ
イトチップやコンデンサチップを接続し、これによりＥ
ＭＣ対策を施すようにしている。
機器からノイズを発生させたり，該機器にノイズを侵入
させたりしないように、回路基板の入出力部等にフィラ
イトチップやコンデンサチップを接続し、これによりＥ
ＭＣ対策を施すようにしている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】しかしながら、上記従来
の積層型バリスタやフェライト，コンデンサチップ等の
多数の部品を回路基板に付加すると、それだけ基板面積
を大きくなることから実装スペースが拡大し、しかも部
品点数が増えることからコストが上昇するという問題が
あり、この点での改善が要請されている。
の積層型バリスタやフェライト，コンデンサチップ等の
多数の部品を回路基板に付加すると、それだけ基板面積
を大きくなることから実装スペースが拡大し、しかも部
品点数が増えることからコストが上昇するという問題が
あり、この点での改善が要請されている。
【０００６】本発明は上記従来の状況に鑑みてなされた
もので、１つの素子でトランジェントノイズを吸収でき
るとともにＥＭＣ対策にも対応でき、ひいては部品点数
を削減して部品コストの低減，実装スペースの縮小に貢
献できる複合機能素子を提供することを目的としてい
る。
もので、１つの素子でトランジェントノイズを吸収でき
るとともにＥＭＣ対策にも対応でき、ひいては部品点数
を削減して部品コストの低減，実装スペースの縮小に貢
献できる複合機能素子を提供することを目的としてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、上述の
要請に応えるために検討したところ、バリスタ特性を発
現する半導体磁器シートと、磁性特性を発現する磁性体
磁器シートとを積層し、この積層体を一体焼結すること
によって複合機能を有する素子が得られるという観点か
ら、実験を行った。
要請に応えるために検討したところ、バリスタ特性を発
現する半導体磁器シートと、磁性特性を発現する磁性体
磁器シートとを積層し、この積層体を一体焼結すること
によって複合機能を有する素子が得られるという観点か
ら、実験を行った。
【０００８】ところが、上記異種材料の組成物からなる
両磁器シートを単に一体焼結しただけでは、各組成物の
収縮率の差による層はがれやデラミネーションが生じ易
く、しかも焼結時に各組成物の成分が反応して双方に拡
散し、その結果所望の電気的特性が得られないことが判
明した。本件発明者らは、このような焼結時における層
はがれや成分反応による拡散を防止するためにさらに検
討を重ねたところ、半導体磁器組成物と磁性体組成物の
双方にＢｉを添加することにより解消できることを見出
し、本発明を成したものである。
両磁器シートを単に一体焼結しただけでは、各組成物の
収縮率の差による層はがれやデラミネーションが生じ易
く、しかも焼結時に各組成物の成分が反応して双方に拡
散し、その結果所望の電気的特性が得られないことが判
明した。本件発明者らは、このような焼結時における層
はがれや成分反応による拡散を防止するためにさらに検
討を重ねたところ、半導体磁器組成物と磁性体組成物の
双方にＢｉを添加することにより解消できることを見出
し、本発明を成したものである。
【０００９】そこで本発明は、バリスタ特性を有する半
導体磁器と、磁性特性を有する磁性体磁器との双方にＢ
ｉを添加し、この両磁器の積層体を一体焼結したことを
特徴とする複合機能素子である。
導体磁器と、磁性特性を有する磁性体磁器との双方にＢ
ｉを添加し、この両磁器の積層体を一体焼結したことを
特徴とする複合機能素子である。
【００１０】ここで、上記半導体磁器にはＺｎＯを主成
分としたセラミック材料を採用するのが望ましく、また
磁性体磁器には絶縁性の高いＦｅ−Ｎｉ−Ｚｎを主成分
としたフェライト材料を採用するのが望ましい。
分としたセラミック材料を採用するのが望ましく、また
磁性体磁器には絶縁性の高いＦｅ−Ｎｉ−Ｚｎを主成分
としたフェライト材料を採用するのが望ましい。
【００１１】
【作用】本発明に係る複合機能素子によれば、半導体磁
器と磁性体磁器とにそれぞれＢｉを添加して両者を積層
し、これを一体焼結したので、焼結時における各組成物
の収縮率の差による層はがれやデラミネーションの発生
を回避でき、しかも両者の成分反応による拡散を抑制し
て電気的特性の悪化を防止できる。これにより、１つの
素子でバリスタ特性，磁性特性，及びコンデンサ特性を
備えた複合機能を得ることができ、ひいてはトランジェ
ントノイズから機器が破損するのを保護でき、かつＥＭ
Ｃ対策にも対応できる。その結果、従来の多数の部品を
付加する場合に比べて実装スペースを小さくでき、しか
も部品点数を削減できる分だけコストを低減でき、上述
の要請に応えられる。
器と磁性体磁器とにそれぞれＢｉを添加して両者を積層
し、これを一体焼結したので、焼結時における各組成物
の収縮率の差による層はがれやデラミネーションの発生
を回避でき、しかも両者の成分反応による拡散を抑制し
て電気的特性の悪化を防止できる。これにより、１つの
素子でバリスタ特性，磁性特性，及びコンデンサ特性を
備えた複合機能を得ることができ、ひいてはトランジェ
ントノイズから機器が破損するのを保護でき、かつＥＭ
Ｃ対策にも対応できる。その結果、従来の多数の部品を
付加する場合に比べて実装スペースを小さくでき、しか
も部品点数を削減できる分だけコストを低減でき、上述
の要請に応えられる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１ないし図３は本発明の一実施例による複合機能
素子を説明するための図である。図において、１は本実
施例の複合機能素子であり、これはバリスタ特性を有す
る第１，第２半導体磁器２，３と、磁性特性を有する磁
性体磁器４とを該磁性体磁器４をサンドイッチ状に挟ん
で積層し、この積層体を一体焼結して直方体状の焼結体
５を形成して構成されている。この焼結体５の左, 右端
面５ａ，５ｂには入出力部としての第１外部電極６が、
また前後側面５ｃ，５ｄの中央部にはグランド部として
の第２外部電極７が形成されている。
る。図１ないし図３は本発明の一実施例による複合機能
素子を説明するための図である。図において、１は本実
施例の複合機能素子であり、これはバリスタ特性を有す
る第１，第２半導体磁器２，３と、磁性特性を有する磁
性体磁器４とを該磁性体磁器４をサンドイッチ状に挟ん
で積層し、この積層体を一体焼結して直方体状の焼結体
５を形成して構成されている。この焼結体５の左, 右端
面５ａ，５ｂには入出力部としての第１外部電極６が、
また前後側面５ｃ，５ｄの中央部にはグランド部として
の第２外部電極７が形成されている。
【００１３】上記第１半導体磁器２は、ＺｎＯを主成分
とする複数のバリスタ層２ａを積層し、このバリスタ層
２ａの間に該バリスタ層２ａを挟んで対向するよう内部
電極８，及びグランド電極９を埋設して構成されてい
る。上記内部電極８の一端面８ａは焼結体５の右端面５
ｂに露出して上記第１外部電極６に電気的に接続されて
おり、他の端面は焼結体５内に封入されている。また上
記グランド電極９の前，後端面９ａ，９ｂは焼結体５の
前，後側面５ｃ，５ｄにそれぞれ露出して上記第２外部
電極７に接続されており、他の端面は焼結体５内に封入
されている。
とする複数のバリスタ層２ａを積層し、このバリスタ層
２ａの間に該バリスタ層２ａを挟んで対向するよう内部
電極８，及びグランド電極９を埋設して構成されてい
る。上記内部電極８の一端面８ａは焼結体５の右端面５
ｂに露出して上記第１外部電極６に電気的に接続されて
おり、他の端面は焼結体５内に封入されている。また上
記グランド電極９の前，後端面９ａ，９ｂは焼結体５の
前，後側面５ｃ，５ｄにそれぞれ露出して上記第２外部
電極７に接続されており、他の端面は焼結体５内に封入
されている。
【００１４】また上記第２半導体磁器３は、上記同様に
ＺｎＯを主成分とする複数のバリスタ層３ａを積層し、
このバリスタ層３ａの間に該バリスタ層３ａを挟んで対
向するよう内部電極１０，及びグランド電極１１を埋設
して構成されている。上記内部電極１０の一端面１０ａ
は焼結体５の左端面５ａに露出して上記第１外部電極６
に接続されており、また上記グランド電極１１の前，後
端面１１ａ，１１ｂはそれぞれ焼結体５の前，後側面５
ｃ，５ｄに露出して上記第２外部電極７に接続されてお
り、他の各端面は焼結体５内に封入されている。
ＺｎＯを主成分とする複数のバリスタ層３ａを積層し、
このバリスタ層３ａの間に該バリスタ層３ａを挟んで対
向するよう内部電極１０，及びグランド電極１１を埋設
して構成されている。上記内部電極１０の一端面１０ａ
は焼結体５の左端面５ａに露出して上記第１外部電極６
に接続されており、また上記グランド電極１１の前，後
端面１１ａ，１１ｂはそれぞれ焼結体５の前，後側面５
ｃ，５ｄに露出して上記第２外部電極７に接続されてお
り、他の各端面は焼結体５内に封入されている。
【００１５】上記磁性体磁器４は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｚｎを
主成分とする一対の磁性体層４ａの間にフェライト電極
１２を埋設して構成されている。このフェライト電極１
２の長手方向の両端面１２ａ，１２ｂはそれぞれ焼結体
５の左, 右端面５ａ，５ｂに露出して上記第１外部電極
６に接続されており、他の端面は焼結体５内に封入され
ている。
主成分とする一対の磁性体層４ａの間にフェライト電極
１２を埋設して構成されている。このフェライト電極１
２の長手方向の両端面１２ａ，１２ｂはそれぞれ焼結体
５の左, 右端面５ａ，５ｂに露出して上記第１外部電極
６に接続されており、他の端面は焼結体５内に封入され
ている。
【００１６】そして上第１，第２半導体磁器２，３及び
磁性体磁器５には所定量のＢｉが添加されており、これ
により焼結時における各組成物の収縮率の差による層は
がれやデラミネーションの発生が回避されており、かつ
両者の成分反応による拡散が回避された複合機能素子１
が形成されている。
磁性体磁器５には所定量のＢｉが添加されており、これ
により焼結時における各組成物の収縮率の差による層は
がれやデラミネーションの発生が回避されており、かつ
両者の成分反応による拡散が回避された複合機能素子１
が形成されている。
【００１７】次に、本実施例の複合機能素子１の一製造
方法について説明する。まず、バリスタ機能を発現する
半導体磁器を作成する。純度９９％以上のＺｎＯを主成
分とし、これにＢｉ2 Ｏ3 ，ＣｏＣＯ3 ，ＭｎＯ2 ，及
びＳｂ2 Ｏ2 をそれぞれ９８mol ％，１．５mol ％，
０．５mol ％，０．５mol ％及び０．５mol ％の割合で
秤量し、これに純水を加えてボールミルで２４時間混合
してスラリーを形成する。このスラリーをろ過，乾燥さ
せて造粒した後、８００℃の温度で２時間仮焼成する。
方法について説明する。まず、バリスタ機能を発現する
半導体磁器を作成する。純度９９％以上のＺｎＯを主成
分とし、これにＢｉ2 Ｏ3 ，ＣｏＣＯ3 ，ＭｎＯ2 ，及
びＳｂ2 Ｏ2 をそれぞれ９８mol ％，１．５mol ％，
０．５mol ％，０．５mol ％及び０．５mol ％の割合で
秤量し、これに純水を加えてボールミルで２４時間混合
してスラリーを形成する。このスラリーをろ過，乾燥さ
せて造粒した後、８００℃の温度で２時間仮焼成する。
【００１８】次に、上記仮焼成体をパルベライザーによ
り粗粉砕した後、これに純水を加えてボールミルで微粉
砕する。次いで、この微粉末をろ過，乾燥させた後、有
機バインダーとともに溶媒中に分散させてスラリーを形
成する。この後、このスラリーからドクターブレード法
により厚さ５０μm のセラミックグリーンシートを形成
し、このグリーンシートを所定の大きさ，形状（矩形）
に打ち抜いて複数枚の第１，第２バリスタ層２ａ，３ａ
を形成する。
り粗粉砕した後、これに純水を加えてボールミルで微粉
砕する。次いで、この微粉末をろ過，乾燥させた後、有
機バインダーとともに溶媒中に分散させてスラリーを形
成する。この後、このスラリーからドクターブレード法
により厚さ５０μm のセラミックグリーンシートを形成
し、このグリーンシートを所定の大きさ，形状（矩形）
に打ち抜いて複数枚の第１，第２バリスタ層２ａ，３ａ
を形成する。
【００１９】また、磁性特性を発現する磁性体磁器を作
成する。これは純度９９％以上のＦｅ2 Ｏ3 ，ＮｉＯ，
ＺｎＯをそれぞれ４７mol ％，３０mol ％，２３mol ％
の割合で秤量し、これに純水を加えてボールミルで２４
時間混合してスラリーを形成する。このスラリーをろ
過，乾燥させて造粒した後、１２００℃の温度で２時間
仮焼成する。
成する。これは純度９９％以上のＦｅ2 Ｏ3 ，ＮｉＯ，
ＺｎＯをそれぞれ４７mol ％，３０mol ％，２３mol ％
の割合で秤量し、これに純水を加えてボールミルで２４
時間混合してスラリーを形成する。このスラリーをろ
過，乾燥させて造粒した後、１２００℃の温度で２時間
仮焼成する。
【００２０】次に、上記仮焼成体を粗粉砕した後、これ
にＢｉ2 Ｏ3 を５．０wt％添加し、さらに純水を加えて
ボールミルで２４時間混合粉砕する。次いで、これをを
ろ過，乾燥させた後、有機バインダーとともに溶媒中に
分散させてスラリーを形成する。この後、このスラリー
からドクターブレード法により厚さ５０μm のフェライ
トシートを形成し、このシートを所定の大きさ，形状
（矩形）に打ち抜いて複数枚の磁性体層４ａを形成す
る。
にＢｉ2 Ｏ3 を５．０wt％添加し、さらに純水を加えて
ボールミルで２４時間混合粉砕する。次いで、これをを
ろ過，乾燥させた後、有機バインダーとともに溶媒中に
分散させてスラリーを形成する。この後、このスラリー
からドクターブレード法により厚さ５０μm のフェライ
トシートを形成し、このシートを所定の大きさ，形状
（矩形）に打ち抜いて複数枚の磁性体層４ａを形成す
る。
【００２１】さらにＡｇ−Ｐｄ（７：３）合金を主体と
した導電性ペーストを作成する。このペーストを、図３
に示すように、上記第１，第２バリスタ層２ａ，３ａの
上面にスクリーン印刷して内部電極８，１０及びグラン
ド電極９，１１を形成する。また上記導電性ペーストを
磁性体層４ａの上面に同じくスクリーン印刷して電極１
２を形成する。
した導電性ペーストを作成する。このペーストを、図３
に示すように、上記第１，第２バリスタ層２ａ，３ａの
上面にスクリーン印刷して内部電極８，１０及びグラン
ド電極９，１１を形成する。また上記導電性ペーストを
磁性体層４ａの上面に同じくスクリーン印刷して電極１
２を形成する。
【００２２】そして、図３に示すように、内部電極８と
グランド電極９とが第１バリスタ層２ａを挟んで対向す
るよう重ね、これの上部に電極が印刷されていない第１
バリスタ層２ａを複数枚重ねて第１半導体磁器２を形成
する。同様に、内部電極１０とグランド電極１１とが第
２バリスタ層３ａを挟んで対向するよう重ね、これの上
部，下部に電極が印刷されていない第２バリスタ層３ａ
を複数枚重ねて第２半導体磁器３を形成する。また上記
電極１２が形成された磁性体層４ａの上面に電極が印刷
されていない磁性体層４ａを重ねて磁性体磁器４を形成
する。
グランド電極９とが第１バリスタ層２ａを挟んで対向す
るよう重ね、これの上部に電極が印刷されていない第１
バリスタ層２ａを複数枚重ねて第１半導体磁器２を形成
する。同様に、内部電極１０とグランド電極１１とが第
２バリスタ層３ａを挟んで対向するよう重ね、これの上
部，下部に電極が印刷されていない第２バリスタ層３ａ
を複数枚重ねて第２半導体磁器３を形成する。また上記
電極１２が形成された磁性体層４ａの上面に電極が印刷
されていない磁性体層４ａを重ねて磁性体磁器４を形成
する。
【００２３】次いで、上記第１，第２半導体磁器２，３
の間に磁性体磁器４を配置して積層し、これの積層方向
に２ｔ／ｃｍ2 の圧力を加えて圧着し、積層体を形成す
る。この積層体を所定寸法にカットした後、これを１０
００℃で２時間焼成して焼結体５を得る。この場合、上
記半導体磁器２，３及び磁性体磁器４には所定量のＢｉ
が添加されていることから、上記焼結時における収縮率
の差による層はがれやデラミネーションの発生を回避で
き、かつ異種組成物の成分反応による拡散を抑制でき
る。しかも上記Ｂｉが各磁器の接着剤として働くことか
ら一体に接合した焼結体５を形成することができる。
の間に磁性体磁器４を配置して積層し、これの積層方向
に２ｔ／ｃｍ2 の圧力を加えて圧着し、積層体を形成す
る。この積層体を所定寸法にカットした後、これを１０
００℃で２時間焼成して焼結体５を得る。この場合、上
記半導体磁器２，３及び磁性体磁器４には所定量のＢｉ
が添加されていることから、上記焼結時における収縮率
の差による層はがれやデラミネーションの発生を回避で
き、かつ異種組成物の成分反応による拡散を抑制でき
る。しかも上記Ｂｉが各磁器の接着剤として働くことか
ら一体に接合した焼結体５を形成することができる。
【００２４】そして最後に、上記焼結体５の左, 右端面
５ａ，５ｂ及び前後側面５ｃ，５ｄの中央部にＡｇペー
ストを塗布し、これを８００℃で１０分間熱処理を施し
て第１，第２外部電極６，７を形成する。これにより本
実施例の複合機能素子１が製造される。
５ａ，５ｂ及び前後側面５ｃ，５ｄの中央部にＡｇペー
ストを塗布し、これを８００℃で１０分間熱処理を施し
て第１，第２外部電極６，７を形成する。これにより本
実施例の複合機能素子１が製造される。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１は、上記方法により製造された複合機
能素子１のバリスタ特性，容量特性，及びインダクタン
ス特性を評価した試験結果を示す。同表からも明らかな
ように、バリスタ電圧Ｖ1mA は２６．５Ｖ，非直線係数
は３５．８と満足できるバリスタ特性が得られている。
また絶縁抵抗値は８９５ＭΩ，静電容量は９８７ｐＦ，
誘電損失は２．２％，インダクタンス値は８５ｎＨ，さ
らに直流抵抗値は５２ｍΩと容量特性，インダクタンス
特性とも満足できる値が得られていることがわかる。ま
た上記複合素子１の外観を観察したところ、収縮率の差
による層はがれやデラミネーションは全く見られなかっ
た。また、図４は、上記複合機能素子１の挿入損失を測
定した特性図であり、同図からも所望の周波数特性が得
られていることがわかる。
能素子１のバリスタ特性，容量特性，及びインダクタン
ス特性を評価した試験結果を示す。同表からも明らかな
ように、バリスタ電圧Ｖ1mA は２６．５Ｖ，非直線係数
は３５．８と満足できるバリスタ特性が得られている。
また絶縁抵抗値は８９５ＭΩ，静電容量は９８７ｐＦ，
誘電損失は２．２％，インダクタンス値は８５ｎＨ，さ
らに直流抵抗値は５２ｍΩと容量特性，インダクタンス
特性とも満足できる値が得られていることがわかる。ま
た上記複合素子１の外観を観察したところ、収縮率の差
による層はがれやデラミネーションは全く見られなかっ
た。また、図４は、上記複合機能素子１の挿入損失を測
定した特性図であり、同図からも所望の周波数特性が得
られていることがわかる。
【００２７】このように本実施例によれば、第１，第２
半導体磁器２，３及び磁性体磁器４にＢｉを添加して一
体焼結したので、層はがれや電気的特性の悪化を回避し
ながら１つの素子でバリスタ特性，磁性特性，及びコン
デンサ特性を備えた複合機能を得ることができる。従っ
て、これをコンピュータ機器等に採用することによって
トランジェントノイズから機器を保護できるとともに、
ＥＭＣ対策にも対応でき、ひいては実装スペースの縮
小，部品コストの低減に貢献できる。
半導体磁器２，３及び磁性体磁器４にＢｉを添加して一
体焼結したので、層はがれや電気的特性の悪化を回避し
ながら１つの素子でバリスタ特性，磁性特性，及びコン
デンサ特性を備えた複合機能を得ることができる。従っ
て、これをコンピュータ機器等に採用することによって
トランジェントノイズから機器を保護できるとともに、
ＥＭＣ対策にも対応でき、ひいては実装スペースの縮
小，部品コストの低減に貢献できる。
【００２８】なお、上記実施例では、第１，第２半導体
磁器２，３で磁性体磁器４をサンドイッチ状に挟んで積
層体を形成した場合を例にとって説明したが、本発明は
これに限られるものではなく、複合機能素子の用途に応
じて積層数，組み合わせを適宜選定すればよい。
磁器２，３で磁性体磁器４をサンドイッチ状に挟んで積
層体を形成した場合を例にとって説明したが、本発明は
これに限られるものではなく、複合機能素子の用途に応
じて積層数，組み合わせを適宜選定すればよい。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る複合機能素
子によれば、バリスタ特性を有する半導体磁器と、磁性
特性を有する磁性体磁器との双方にＢｉを添加して一体
焼結したので、焼結時における層はがれや成分拡散によ
る電気的特性の悪化を回避しながら１つの素子でバリス
タ特性，コンデンサ特性，及び磁性特性を兼ね備えた複
合機能を得ることができ、ひいては部品点数を削減して
部品コストの低減，実装スペースの縮小に貢献できる効
果がある。
子によれば、バリスタ特性を有する半導体磁器と、磁性
特性を有する磁性体磁器との双方にＢｉを添加して一体
焼結したので、焼結時における層はがれや成分拡散によ
る電気的特性の悪化を回避しながら１つの素子でバリス
タ特性，コンデンサ特性，及び磁性特性を兼ね備えた複
合機能を得ることができ、ひいては部品点数を削減して
部品コストの低減，実装スペースの縮小に貢献できる効
果がある。
【図１】本発明の一実施例による複合機能素子を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
【図２】上記実施例の複合機能素子を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】上記実施例の複合機能素子の製造方法を説明す
るための分解斜視図である。
るための分解斜視図である。
【図４】上記実施例の複合機能素子の挿入損失を示す特
性図である。
性図である。
１ 複合機能素子 ２，３ 半導体磁器 ４ 磁性体磁器
Claims (2)
- 【請求項１】 バリスタ特性を有する半導体磁器と、磁
性特性を有する磁性体磁器とを積層し、該積層体を一体
焼結してなる複合機能素子であって、上記半導体磁器及
び磁性体磁器の双方にＢｉを含有させたことを特徴とす
る複合機能素子。 - 【請求項２】 請求項１において、上記半導体磁器がＺ
ｎＯ系材料を主成分し、上記磁性体磁器がＦｅ−Ｎｉ−
Ｚｎ系材料を主成分としていることを特徴とする複合機
能素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5165383A JPH0722210A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 複合機能素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5165383A JPH0722210A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 複合機能素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722210A true JPH0722210A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15811348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5165383A Pending JPH0722210A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 複合機能素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722210A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216636A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
| JP2006245258A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
| JP2007201143A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Tdk Corp | 接合中間層および複合積層型電子部品 |
| WO2018105912A1 (ko) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | 주식회사 모다이노칩 | 복합 보호 소자 및 이를 구비하는 전자기기 |
| US12330276B2 (en) | 2022-07-29 | 2025-06-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Extraction tool |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP5165383A patent/JPH0722210A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216636A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
| JP2006245258A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
| JP2007201143A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Tdk Corp | 接合中間層および複合積層型電子部品 |
| WO2018105912A1 (ko) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | 주식회사 모다이노칩 | 복합 보호 소자 및 이를 구비하는 전자기기 |
| US12330276B2 (en) | 2022-07-29 | 2025-06-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Extraction tool |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020702 |