JPH0722380A - 誘電体分離基板の製造装置 - Google Patents
誘電体分離基板の製造装置Info
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- JPH0722380A JPH0722380A JP16662693A JP16662693A JPH0722380A JP H0722380 A JPH0722380 A JP H0722380A JP 16662693 A JP16662693 A JP 16662693A JP 16662693 A JP16662693 A JP 16662693A JP H0722380 A JPH0722380 A JP H0722380A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】エッチング処理を連続枚葉式で行うことによ
り、エッチング処理工程の前後工程との連続性を確保
し、半導体ウェーハのエッチング処理品質と生産性を向
上させる。 【構成】エッチャント１１を収容するエッチング槽１３
と、半導体ウェーハを枚葉で収容するウェーハハンガ２
１と、ウェーハハンガを搬送するコンベア２２とを有
し、エッチング槽１３内に半導体ウェーハを連続して浸
漬させる。エッチング槽１３で行われるエッチング処理
の前処理槽２３，２４および／または後処理槽２５，２
６，２７を有し、これら前処理槽および／または後処理
槽に対してもウェーハハンガ２１を連続して浸漬させ
る。
り、エッチング処理工程の前後工程との連続性を確保
し、半導体ウェーハのエッチング処理品質と生産性を向
上させる。 【構成】エッチャント１１を収容するエッチング槽１３
と、半導体ウェーハを枚葉で収容するウェーハハンガ２
１と、ウェーハハンガを搬送するコンベア２２とを有
し、エッチング槽１３内に半導体ウェーハを連続して浸
漬させる。エッチング槽１３で行われるエッチング処理
の前処理槽２３，２４および／または後処理槽２５，２
６，２７を有し、これら前処理槽および／または後処理
槽に対してもウェーハハンガ２１を連続して浸漬させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
の誘電体分離素子用Ｖ溝を形成する際に用いられる誘電
体分離基板の製造装置に関し、特に半導体ウェーハを連
続枚葉式でエッチング処理することにより生産性を高め
うる誘電体分離基板の製造装置に関する。
の誘電体分離素子用Ｖ溝を形成する際に用いられる誘電
体分離基板の製造装置に関し、特に半導体ウェーハを連
続枚葉式でエッチング処理することにより生産性を高め
うる誘電体分離基板の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】素子間の絶縁耐圧が数１０Ｖ〜数１００
Ｖ程度の大きな高耐圧の集積回路装置では、集積化する
それぞれの素子を誘電体膜（例えば、酸化シリコン膜）
などの絶縁膜で完全に分離する方法が採用されている。
Ｖ程度の大きな高耐圧の集積回路装置では、集積化する
それぞれの素子を誘電体膜（例えば、酸化シリコン膜）
などの絶縁膜で完全に分離する方法が採用されている。
【０００３】この場合、半導体単結晶ウェーハを加工し
て作成した誘電体分離基板が用いられるが、単結晶の分
離島を形成するためのＶ溝は、単結晶の異方性を利用し
たエッチング処理により形成される。
て作成した誘電体分離基板が用いられるが、単結晶の分
離島を形成するためのＶ溝は、単結晶の異方性を利用し
たエッチング処理により形成される。
【０００４】例えば、図３に示すように、単結晶シリコ
ンウェーハ１の主表面を酸化して全面にＳｉＯ2 膜２を
形成し、ホトリソグラフ法でパターニングしたのち、エ
ッチングなどの方法で所定箇所のＳｉＯ2 膜２を開口す
る。次に、残されたＳｉＯ2膜２をマスクとして、イソ
プロピルアルコールＩＰＡと水酸化カリウムとの混液を
用いて、異方性エッチングによって、この開口部分にＶ
溝（分離溝）３を形成する。
ンウェーハ１の主表面を酸化して全面にＳｉＯ2 膜２を
形成し、ホトリソグラフ法でパターニングしたのち、エ
ッチングなどの方法で所定箇所のＳｉＯ2 膜２を開口す
る。次に、残されたＳｉＯ2膜２をマスクとして、イソ
プロピルアルコールＩＰＡと水酸化カリウムとの混液を
用いて、異方性エッチングによって、この開口部分にＶ
溝（分離溝）３を形成する。
【０００５】シリコン単結晶の結晶構造においては、上
述したエッチャントを用いた場合、ウェーハの主表面と
なる（１００）面に対して５４．７°の角度を有する
（１１１）面のエッチング速度が相対的に遅いため、こ
のエッチング速度の相違を利用して図示するようなＶ溝
３を形成することができる。
述したエッチャントを用いた場合、ウェーハの主表面と
なる（１００）面に対して５４．７°の角度を有する
（１１１）面のエッチング速度が相対的に遅いため、こ
のエッチング速度の相違を利用して図示するようなＶ溝
３を形成することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のエッ
チング処理は、１枚あるいは複数枚の半導体ウェーハを
ウェーハキャリアなどに収容した状態でエッチング槽内
に所定の時間だけ浸漬する、いわゆるバッチ式の処理方
法が採用されていた。
チング処理は、１枚あるいは複数枚の半導体ウェーハを
ウェーハキャリアなどに収容した状態でエッチング槽内
に所定の時間だけ浸漬する、いわゆるバッチ式の処理方
法が採用されていた。
【０００７】図２は従来より用いられていたエッチング
処理装置を示す断面図であり、エッチング槽１０内には
エッチャント１１が収容されており、また蒸発したＩＰ
Ａを凝縮させて再びエッチング槽１０に戻すためのジム
ロート１２が設けられている。エッチング槽１０の底面
にはエッチャント１１を所定の温度に加温するためのヒ
ータ４と、エッチング槽１０内に投入された攪拌子５を
回転させる磁気回転器６が設けられている。そして、磁
気回転器６で攪拌子５を回転させてエッチャント１１を
攪拌しながら保持台７に載置された半導体ウェーハ８の
エッチング処理が行われる。なお、「９」は液温センサ
である。
処理装置を示す断面図であり、エッチング槽１０内には
エッチャント１１が収容されており、また蒸発したＩＰ
Ａを凝縮させて再びエッチング槽１０に戻すためのジム
ロート１２が設けられている。エッチング槽１０の底面
にはエッチャント１１を所定の温度に加温するためのヒ
ータ４と、エッチング槽１０内に投入された攪拌子５を
回転させる磁気回転器６が設けられている。そして、磁
気回転器６で攪拌子５を回転させてエッチャント１１を
攪拌しながら保持台７に載置された半導体ウェーハ８の
エッチング処理が行われる。なお、「９」は液温センサ
である。
【０００８】しかしながら、半導体ウェーハに形成され
る分離溝のエッチング時間は、エッチング処理の前工程
であるフッ酸やフッ化アンモニウムを用いた酸化膜窓開
けエッチ処理や、アンモニアと過酸化水素を用いた洗浄
処理および純水を用いたリンス処理、あるいは後工程で
あるフッ酸やフッ化アンモニウムを用いた酸化膜除去処
理や純水によるリンス処理などに比べ長い時間を要す
る。それゆえに、前後工程の時間的バランスに問題を有
していた。
る分離溝のエッチング時間は、エッチング処理の前工程
であるフッ酸やフッ化アンモニウムを用いた酸化膜窓開
けエッチ処理や、アンモニアと過酸化水素を用いた洗浄
処理および純水を用いたリンス処理、あるいは後工程で
あるフッ酸やフッ化アンモニウムを用いた酸化膜除去処
理や純水によるリンス処理などに比べ長い時間を要す
る。それゆえに、前後工程の時間的バランスに問題を有
していた。
【０００９】すなわち、エッチング処理の前工程におい
てはフッ酸やフッ化アンモニウムを用いた処理、アンモ
ニウムと過酸化水素を用いた洗浄処理および純水を用い
たリンス処理が施され、一方エッチング処理の後工程に
おいても同様にフッ酸処理と純水処理が行われるが、こ
れらエッチング処理の前後工程における処理は連続枚葉
処理が可能であり、一定時間間隔で半導体ウェーハの処
理が行われ、その時間間隔でエッチング槽に搬入した
り、あるいはエッチング槽から引き出したりすることが
可能である。
てはフッ酸やフッ化アンモニウムを用いた処理、アンモ
ニウムと過酸化水素を用いた洗浄処理および純水を用い
たリンス処理が施され、一方エッチング処理の後工程に
おいても同様にフッ酸処理と純水処理が行われるが、こ
れらエッチング処理の前後工程における処理は連続枚葉
処理が可能であり、一定時間間隔で半導体ウェーハの処
理が行われ、その時間間隔でエッチング槽に搬入した
り、あるいはエッチング槽から引き出したりすることが
可能である。
【００１０】にも拘わらず、エッチング処理をバッチ式
で行うと、前処理工程で処理された枚葉の半導体ウェー
ハを一時的に保留しておく必要があるが、このような保
留は洗浄品質の面から好ましくなかった。また、連続枚
葉式の後処理工程へ半導体ウェーハを引き渡す場合につ
いても、バッチ単位でエッチング処理された半導体ウェ
ーハを枚葉で後処理工程へ搬送する必要が生じ、この場
合も前処理工程と同様に半導体ウェーハを一時的に保留
しておく必要が生じる。
で行うと、前処理工程で処理された枚葉の半導体ウェー
ハを一時的に保留しておく必要があるが、このような保
留は洗浄品質の面から好ましくなかった。また、連続枚
葉式の後処理工程へ半導体ウェーハを引き渡す場合につ
いても、バッチ単位でエッチング処理された半導体ウェ
ーハを枚葉で後処理工程へ搬送する必要が生じ、この場
合も前処理工程と同様に半導体ウェーハを一時的に保留
しておく必要が生じる。
【００１１】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、エッチング処理を連続枚葉
式で行うことにより、エッチング処理工程の前後工程と
の連続性を確保し、半導体ウェーハのエッチング処理品
質と生産性を向上させることを目的とする。
鑑みてなされたものであり、エッチング処理を連続枚葉
式で行うことにより、エッチング処理工程の前後工程と
の連続性を確保し、半導体ウェーハのエッチング処理品
質と生産性を向上させることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の誘電体分離基板の製造装置は、エッチャン
トを収容するエッチング槽と、半導体ウェーハを枚葉で
収容するウェーハハンガと、前記ウェーハハンガを搬送
するコンベアとを有し、前記エッチング槽内に前記半導
体ウェーハを連続して浸漬させることを特徴としてい
る。
に、本発明の誘電体分離基板の製造装置は、エッチャン
トを収容するエッチング槽と、半導体ウェーハを枚葉で
収容するウェーハハンガと、前記ウェーハハンガを搬送
するコンベアとを有し、前記エッチング槽内に前記半導
体ウェーハを連続して浸漬させることを特徴としてい
る。
【００１３】このとき、本発明の誘電体分離基板の製造
装置は、エッチング槽で行われるエッチング処理の前処
理槽および／または後処理槽を有し、これら前処理槽お
よび／または後処理槽に対して前記ウェーハハンガを連
続して浸漬させるように構成することが好ましい。
装置は、エッチング槽で行われるエッチング処理の前処
理槽および／または後処理槽を有し、これら前処理槽お
よび／または後処理槽に対して前記ウェーハハンガを連
続して浸漬させるように構成することが好ましい。
【００１４】
【作用】半導体ウェーハにエッチング処理を施す場合、
まずウェーハハンガに半導体ウェーハを枚葉で収容し、
コンベアを用いてウェーハハンガをエッチング槽に対し
て連続的に搬送する。
まずウェーハハンガに半導体ウェーハを枚葉で収容し、
コンベアを用いてウェーハハンガをエッチング槽に対し
て連続的に搬送する。
【００１５】エッチング処理時間が長い場合には搬送速
度を遅くし、逆にエッチング処理時間が短い場合には搬
送速度を速くする。これにより、エッチング処理を連続
枚葉式で行うことができ、前後処理工程に対して半導体
ウェーハを連続して搬送することが可能となる。その結
果、エッチング処理の前後で半導体ウェーハを保留する
必要がなくなり、エッチング処理品質が向上するだけで
なく、生産性の向上も期待できる。
度を遅くし、逆にエッチング処理時間が短い場合には搬
送速度を速くする。これにより、エッチング処理を連続
枚葉式で行うことができ、前後処理工程に対して半導体
ウェーハを連続して搬送することが可能となる。その結
果、エッチング処理の前後で半導体ウェーハを保留する
必要がなくなり、エッチング処理品質が向上するだけで
なく、生産性の向上も期待できる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は本発明の一実施例に係るエッチング処理
装置を示す縦断面図である。
明する。図１は本発明の一実施例に係るエッチング処理
装置を示す縦断面図である。
【００１７】本実施例のエッチング処理装置は、エッチ
ャント１１を収容する船状のエッチング槽１３を有して
おり、石英ガラス、若しくはフッ素系樹脂、若しくはポ
リエチレン、若しくはポリプロピレン、若しくはクリー
ン塩化ビニルにより形成されている。フッ素系樹脂とし
ては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）やテト
ラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエー
テル共重合体（ＰＦＡ）などを例示することができる。
ャント１１を収容する船状のエッチング槽１３を有して
おり、石英ガラス、若しくはフッ素系樹脂、若しくはポ
リエチレン、若しくはポリプロピレン、若しくはクリー
ン塩化ビニルにより形成されている。フッ素系樹脂とし
ては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）やテト
ラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエー
テル共重合体（ＰＦＡ）などを例示することができる。
【００１８】このエッチング槽１３には、イソプロピル
アルコール（以下、ＩＰＡともいう）の補給管１４と純
水の補給管１５が設けられており、例えば、静電レベル
センサ１７により感知されるＩＰＡリッチ相の幅に応じ
て、ＩＰＡと純水を補充する。また、水酸化カリウムの
補給管１６も設けられており、ｐＨセンサ１８により検
知されたｐＨ値に応じて水酸化カリウムを補給する。ま
た、図示はしないが、エッチング槽１３の周囲には、必
要に応じてエッチャントを所定の温度に保つためのラン
プヒータなどが配備されている。これらの周辺機器は、
本発明のエッチング処理装置には必ずしも必須の要件で
はなく、エッチング条件等に応じて適宜選択すればよ
い。
アルコール（以下、ＩＰＡともいう）の補給管１４と純
水の補給管１５が設けられており、例えば、静電レベル
センサ１７により感知されるＩＰＡリッチ相の幅に応じ
て、ＩＰＡと純水を補充する。また、水酸化カリウムの
補給管１６も設けられており、ｐＨセンサ１８により検
知されたｐＨ値に応じて水酸化カリウムを補給する。ま
た、図示はしないが、エッチング槽１３の周囲には、必
要に応じてエッチャントを所定の温度に保つためのラン
プヒータなどが配備されている。これらの周辺機器は、
本発明のエッチング処理装置には必ずしも必須の要件で
はなく、エッチング条件等に応じて適宜選択すればよ
い。
【００１９】本実施例では、図３に示すように、シリコ
ン単結晶ウェーハに誘電体分離用Ｖ溝を形成するために
行うエッチング処理であることから、本実施例で用いら
れるエッチャント１１は、イソプロピルアルコールが約
１０体積％、水酸化カリウムが約２０体積％、純水が約
７０体積％の混液が用いられる。この混液ではＩＰＡの
比重が０．７８８と小さいので、図１に示すようにエッ
チャント１１の表面にＩＰＡのリッチ相が現れ、底面は
水酸化カリウムのリッチ相となる。
ン単結晶ウェーハに誘電体分離用Ｖ溝を形成するために
行うエッチング処理であることから、本実施例で用いら
れるエッチャント１１は、イソプロピルアルコールが約
１０体積％、水酸化カリウムが約２０体積％、純水が約
７０体積％の混液が用いられる。この混液ではＩＰＡの
比重が０．７８８と小さいので、図１に示すようにエッ
チャント１１の表面にＩＰＡのリッチ相が現れ、底面は
水酸化カリウムのリッチ相となる。
【００２０】本実施例のエッチング槽１３の底面には、
複数の磁気回転器１９が設けられており、エッチング槽
１３内に投入された攪拌子２０に回転方向の磁力を与
え、エッチャントを適切に攪拌する。これら磁気回転器
１９と攪拌子２０の数量については特に制限はない。
複数の磁気回転器１９が設けられており、エッチング槽
１３内に投入された攪拌子２０に回転方向の磁力を与
え、エッチャントを適切に攪拌する。これら磁気回転器
１９と攪拌子２０の数量については特に制限はない。
【００２１】半導体ウェーハを搭載するウェーハハンガ
２１は、連続してコンベア２２により搬送されるように
なっており、例えば一つのウェーハハンガ２１には１枚
の半導体ウェーハが載置される。このウェーハハンガ２
１を搬送するコンベア２２は、後述する前処理工程およ
び後処理工程まで連続して敷設されており、コンベアレ
ールをアップダウン状に設けることにより、ウェーハハ
ンガ２１に搭載された半導体ウェーハは各処理槽に浸漬
されることになる。
２１は、連続してコンベア２２により搬送されるように
なっており、例えば一つのウェーハハンガ２１には１枚
の半導体ウェーハが載置される。このウェーハハンガ２
１を搬送するコンベア２２は、後述する前処理工程およ
び後処理工程まで連続して敷設されており、コンベアレ
ールをアップダウン状に設けることにより、ウェーハハ
ンガ２１に搭載された半導体ウェーハは各処理槽に浸漬
されることになる。
【００２２】なお、本実施例のエッチング処理装置で
は、エッチング槽１３内でもウェーハハンガ２１をアッ
プダウンさせるように構成しているが、これは半導体ウ
ェーハを槽内で移動させることによる攪拌効果を期待す
るものであり、またこれ以外にもエッチング槽１３内に
極力多くの半導体ウェーハを浸漬させるためでもある。
ただし、本発明では、かかるアップダウンの構成は必ず
しも必須ではなく、エッチング槽内を直線状に通過させ
てもよい。
は、エッチング槽１３内でもウェーハハンガ２１をアッ
プダウンさせるように構成しているが、これは半導体ウ
ェーハを槽内で移動させることによる攪拌効果を期待す
るものであり、またこれ以外にもエッチング槽１３内に
極力多くの半導体ウェーハを浸漬させるためでもある。
ただし、本発明では、かかるアップダウンの構成は必ず
しも必須ではなく、エッチング槽内を直線状に通過させ
てもよい。
【００２３】上述したエッチング槽１３の前工程には、
エッチング処理を施す前に半導体ウェーハを洗浄するた
めの前処理工程が設けられており、フッ酸溶液またはフ
ッ酸溶液およびフッ化アンモニウム溶液が満たされたフ
ッ酸槽２３と、イオン交換樹脂を用いて生成された純水
（ＤＩＷ）がオーバーフローする純水槽２４に半導体ウ
ェーハを浸漬するようになっている。
エッチング処理を施す前に半導体ウェーハを洗浄するた
めの前処理工程が設けられており、フッ酸溶液またはフ
ッ酸溶液およびフッ化アンモニウム溶液が満たされたフ
ッ酸槽２３と、イオン交換樹脂を用いて生成された純水
（ＤＩＷ）がオーバーフローする純水槽２４に半導体ウ
ェーハを浸漬するようになっている。
【００２４】また、エッチング処理を施したあとに、半
導体ウェーハの表面のマスク酸化膜を除去するために、
前処理工程と同じように、フッ酸溶液または、フッ酸溶
液およびフッ化アンモニウム溶液が満たされたフッ酸槽
２５と、イオン交換樹脂を用いて生成された純水がオー
バーフローする純水槽２６，２７に半導体ウェーハを浸
漬するようになっている。なお、本発明では、これら前
後処理工程の具体的構成には何ら限定されることはな
い。
導体ウェーハの表面のマスク酸化膜を除去するために、
前処理工程と同じように、フッ酸溶液または、フッ酸溶
液およびフッ化アンモニウム溶液が満たされたフッ酸槽
２５と、イオン交換樹脂を用いて生成された純水がオー
バーフローする純水槽２６，２７に半導体ウェーハを浸
漬するようになっている。なお、本発明では、これら前
後処理工程の具体的構成には何ら限定されることはな
い。
【００２５】さらに、後処理を終えた半導体ウェーハを
乾燥させるために、乾燥機２８が設けられており、この
乾燥は、水滴が付着した半導体ウェーハをＩＰＡ蒸気中
に晒すことにより、水をＩＰＡに置換したのち、これを
蒸発させることよりウェーハ表面を乾燥させるようにな
っている。
乾燥させるために、乾燥機２８が設けられており、この
乾燥は、水滴が付着した半導体ウェーハをＩＰＡ蒸気中
に晒すことにより、水をＩＰＡに置換したのち、これを
蒸発させることよりウェーハ表面を乾燥させるようにな
っている。
【００２６】次に作用を説明する。シリコン単結晶ウェ
ーハに誘電体分離用Ｖ溝を形成するため、ＩＰＡおよび
水酸化カリウムの水溶液（エッチャント）１１を用いて
エッチング処理を施す場合、まずウェーハハンガ２１に
半導体ウェーハを１枚づつ搭載し、コンベア２２を駆動
させてウェーハハンガ２１を前処理槽２３，２４、エッ
チング槽１３、および後処理槽２５，２６，２７に対し
て連続的に搬送する。また、後処理を終えた半導体ウェ
ーハを乾燥機２８に投入し、ＩＰＡ蒸気を用いてウェー
ハの表面を乾燥させる。
ーハに誘電体分離用Ｖ溝を形成するため、ＩＰＡおよび
水酸化カリウムの水溶液（エッチャント）１１を用いて
エッチング処理を施す場合、まずウェーハハンガ２１に
半導体ウェーハを１枚づつ搭載し、コンベア２２を駆動
させてウェーハハンガ２１を前処理槽２３，２４、エッ
チング槽１３、および後処理槽２５，２６，２７に対し
て連続的に搬送する。また、後処理を終えた半導体ウェ
ーハを乾燥機２８に投入し、ＩＰＡ蒸気を用いてウェー
ハの表面を乾燥させる。
【００２７】このように、本実施例のエッチング処理装
置では、エッチング処理を連続枚葉式で行うことがで
き、前後処理工程に対して半導体ウェーハを連続して搬
送することが可能となる。その結果、エッチング処理の
前後で半導体ウェーハを保留する必要がなくなり、エッ
チング処理品質が向上するだけでなく、生産性の向上も
期待できる。
置では、エッチング処理を連続枚葉式で行うことがで
き、前後処理工程に対して半導体ウェーハを連続して搬
送することが可能となる。その結果、エッチング処理の
前後で半導体ウェーハを保留する必要がなくなり、エッ
チング処理品質が向上するだけでなく、生産性の向上も
期待できる。
【００２８】また、誘電体分離用Ｖ溝の線幅が広くてエ
ッチング処理に長時間を要する場合には、ウェーハハン
ガの搬送速度を遅くし、エッチング槽内の浸漬時間を長
くする。逆に、Ｖ溝の線幅が狭くてエッチング処理時間
が短い場合には、ウェーハハンガの搬送速度を速くして
エッチング槽内の浸漬時間を短くすればよい。
ッチング処理に長時間を要する場合には、ウェーハハン
ガの搬送速度を遅くし、エッチング槽内の浸漬時間を長
くする。逆に、Ｖ溝の線幅が狭くてエッチング処理時間
が短い場合には、ウェーハハンガの搬送速度を速くして
エッチング槽内の浸漬時間を短くすればよい。
【００２９】なお、以上説明した実施例は、本発明の理
解を容易にするために記載されたものであって、本発明
を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上記の実施例に開示された各要素は、本発明の技術
的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨で
ある。
解を容易にするために記載されたものであって、本発明
を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上記の実施例に開示された各要素は、本発明の技術
的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨で
ある。
【００３０】例えば、エッチング槽内に浸漬されるウェ
ーハハンガの数量やウェーハハンガに搭載される半導体
ウェーハの数量、あるいはエッチング槽やウェーハハン
ガの形状等は、図示する実施例にのみ限定されることは
なく、適宜変更することができる。
ーハハンガの数量やウェーハハンガに搭載される半導体
ウェーハの数量、あるいはエッチング槽やウェーハハン
ガの形状等は、図示する実施例にのみ限定されることは
なく、適宜変更することができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の誘電体分離基板の製造装置は、
エッチャントを収容するエッチング槽と、半導体ウェー
ハを枚葉で収容するウェーハハンガと、前記ウェーハハ
ンガを搬送するコンベアとを有し、前記エッチング槽内
に前記半導体ウェーハを連続して浸漬させるように構成
しているので、エッチング処理を連続枚葉式で行うこと
ができ、前後処理工程に対して半導体ウェーハを連続し
て搬送することが可能となる。その結果、エッチング処
理の前後で半導体ウェーハを保留する必要がなくなり、
エッチング処理品質が向上するだけでなく、生産性の向
上も期待できる。
エッチャントを収容するエッチング槽と、半導体ウェー
ハを枚葉で収容するウェーハハンガと、前記ウェーハハ
ンガを搬送するコンベアとを有し、前記エッチング槽内
に前記半導体ウェーハを連続して浸漬させるように構成
しているので、エッチング処理を連続枚葉式で行うこと
ができ、前後処理工程に対して半導体ウェーハを連続し
て搬送することが可能となる。その結果、エッチング処
理の前後で半導体ウェーハを保留する必要がなくなり、
エッチング処理品質が向上するだけでなく、生産性の向
上も期待できる。
【図１】本発明の一実施例に係るエッチング処理装置を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図２】従来のエッチング処理装置を示す断面図であ
る。
る。
【図３】誘電体分離基板の構造を説明するための断面図
である。
である。
１１…エッチャント １３…エッチング槽 １９…磁気回転器 ２０…攪拌子 ２１…ウェーハハンガ ２２…コンベア ２３，２４…前処理槽 ２５，２６，２７…後処理槽 ２８…乾燥機
Claims (2)
- 【請求項１】エッチャントを収容するエッチング槽と、
半導体ウェーハを枚葉で収容するウェーハハンガと、前
記ウェーハハンガを搬送するコンベアとを有し、前記エ
ッチング槽内に前記半導体ウェーハを連続して浸漬させ
ることを特徴とする誘電体分離基板の製造装置。 - 【請求項２】前記エッチング槽で行われるエッチング処
理の前処理槽および／または後処理槽を有し、これら前
処理槽および／または後処理槽に対して前記ウェーハハ
ンガを連続して浸漬させることを特徴とする請求項１に
記載の誘電体分離基板の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5166626A JP2898848B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 誘電体分離基板の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5166626A JP2898848B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 誘電体分離基板の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722380A true JPH0722380A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2898848B2 JP2898848B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=15834782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5166626A Expired - Lifetime JP2898848B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 誘電体分離基板の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2898848B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005079382A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | エッチング装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02219228A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-08-31 | Tsurumi Kogyo Kk | 洗浄装置 |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP5166626A patent/JP2898848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02219228A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-08-31 | Tsurumi Kogyo Kk | 洗浄装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005079382A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | エッチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2898848B2 (ja) | 1999-06-02 |
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