JPH0722391A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH0722391A JPH0722391A JP5148906A JP14890693A JPH0722391A JP H0722391 A JPH0722391 A JP H0722391A JP 5148906 A JP5148906 A JP 5148906A JP 14890693 A JP14890693 A JP 14890693A JP H0722391 A JPH0722391 A JP H0722391A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フッ素系ガスプラズマエッチング、フッ素以
外のハロゲンガスプラズマエッチングの順にエッチング
を行う多層膜エッチングの再現性、安定性向上を図る。 【構成】 チャンバーにフッ素を含むガスを導入しプラ
ズマ発生してタングステンシリサイド１３表面をエッチ
ングする第１の工程と、チャンバーにフッ素以外のハロ
ゲン元素を含むガスを導入し圧力を０．５ｍＴｏｒｒか
ら５ｍＴｏｒｒの範囲としてプラズマ発生して多結晶シ
リコン１２表面をエッチングする第２の工程とからなる
ドライエッチング方法である。 【効果】 フッ素元素による電子付着現象を抑制するこ
とにより、エッチング速度や選択比、形状等の再現性を
良好にできる。
外のハロゲンガスプラズマエッチングの順にエッチング
を行う多層膜エッチングの再現性、安定性向上を図る。 【構成】 チャンバーにフッ素を含むガスを導入しプラ
ズマ発生してタングステンシリサイド１３表面をエッチ
ングする第１の工程と、チャンバーにフッ素以外のハロ
ゲン元素を含むガスを導入し圧力を０．５ｍＴｏｒｒか
ら５ｍＴｏｒｒの範囲としてプラズマ発生して多結晶シ
リコン１２表面をエッチングする第２の工程とからなる
ドライエッチング方法である。 【効果】 フッ素元素による電子付着現象を抑制するこ
とにより、エッチング速度や選択比、形状等の再現性を
良好にできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマエッチングによ
る薄膜の微細加工技術に関するものである。
る薄膜の微細加工技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高密度半導体集積回路の進歩は産業革命
にも比較される変革をもたらしつつある。高密度化は素
子寸法の微細化、デバイスの改良、チップサイズの大面
積化等により実現されてきた。素子寸法の微細化は光の
波長程度まで進んで来ており、リソグラフィにはエキシ
マレーザや軟エックス線の使用が検討されている。微細
パターンの実現には、リソグラフィと並んでドライエッ
チングが重要な役割を果たしている。
にも比較される変革をもたらしつつある。高密度化は素
子寸法の微細化、デバイスの改良、チップサイズの大面
積化等により実現されてきた。素子寸法の微細化は光の
波長程度まで進んで来ており、リソグラフィにはエキシ
マレーザや軟エックス線の使用が検討されている。微細
パターンの実現には、リソグラフィと並んでドライエッ
チングが重要な役割を果たしている。
【０００３】ドライエッチングとは、プラズマ、ラジカ
ル、イオン等による気相ー固相表面に於ける化学的また
は物理的反応を利用し、薄膜または基板の不要な部分を
除去する加工方法である。ドライエッチング技術として
最も広く用いられている反応性イオンエッチング（RI
E）は、適当なガスの高周波放電プラズマ中に試料を曝
すとエッチング反応により試料表面の不要部分が除去さ
れるというものである。必要な部分は、通常、マスクと
して用いたフォトレジストパターンにより保護されてい
る。
ル、イオン等による気相ー固相表面に於ける化学的また
は物理的反応を利用し、薄膜または基板の不要な部分を
除去する加工方法である。ドライエッチング技術として
最も広く用いられている反応性イオンエッチング（RI
E）は、適当なガスの高周波放電プラズマ中に試料を曝
すとエッチング反応により試料表面の不要部分が除去さ
れるというものである。必要な部分は、通常、マスクと
して用いたフォトレジストパターンにより保護されてい
る。
【０００４】図５は平行平板電極を有する典型的な反応
性イオンエッチング装置を示す模式図である。金属性チ
ャンバー１中には、ガスコントローラ２を通して反応性
ガスが導入され、排気系３によって適切な圧力に制御さ
れている。チャンバー１中の圧力は通常１００から１０
００ｍＴｏｒｒに設定される。チャンバー１の上部には
アノード（陽極）４が設けられ、下部にはカソード（陰
極）となる試料台５が設けられている。試料台５には、
インピーダンス整合回路６を介してＲＦ電源７が接続さ
れており、試料台５とアノード４との間で高周波放電を
起こすことができる。
性イオンエッチング装置を示す模式図である。金属性チ
ャンバー１中には、ガスコントローラ２を通して反応性
ガスが導入され、排気系３によって適切な圧力に制御さ
れている。チャンバー１中の圧力は通常１００から１０
００ｍＴｏｒｒに設定される。チャンバー１の上部には
アノード（陽極）４が設けられ、下部にはカソード（陰
極）となる試料台５が設けられている。試料台５には、
インピーダンス整合回路６を介してＲＦ電源７が接続さ
れており、試料台５とアノード４との間で高周波放電を
起こすことができる。
【０００５】半導体集積回路においてはさまざまな種類
の膜が使用され、それらは必要な寸法、形状に微細加工
される必要がある。高精度の寸法精度が要求される工程
の一つがゲート電極加工である。ゲート電極寸法は素子
の動作速度や回路の駆動力を決定する重要なパラメータ
であるので、設計寸法から１０％以下の寸法変化しか許
容されない。素子の動作速度を高めるため、通常最小の
寸法はゲート電極に適用されるため、最も微細で高精度
の寸法精度が必要とされる工程であるといえる。
の膜が使用され、それらは必要な寸法、形状に微細加工
される必要がある。高精度の寸法精度が要求される工程
の一つがゲート電極加工である。ゲート電極寸法は素子
の動作速度や回路の駆動力を決定する重要なパラメータ
であるので、設計寸法から１０％以下の寸法変化しか許
容されない。素子の動作速度を高めるため、通常最小の
寸法はゲート電極に適用されるため、最も微細で高精度
の寸法精度が必要とされる工程であるといえる。
【０００６】ゲート電極には電気抵抗を下げる目的で近
年上層がタングステンシリサイド膜に代表される高融点
金属シリサイド、下層がリンドープした多結晶シリコン
膜であるいわゆるポリサイド膜が使用されはじめてい
る。このような２層膜のエッチングにおいては、先に述
べたようなドライエッチング装置を用いて通常２つ以上
の異なるガスを用いてそれぞれの膜をエッチングする。
例えばタングステンシリサイド膜のエッチングにはＣＦ
4やＳＦ6等のフッ素を含むガスのプラズマが使用され、
多結晶シリコン膜のエッチングにはＣｌ2やＨＣｌ，Ｈ
Ｂｒ等のフッ素以外のハロゲンガスまたはハロゲン化合
物ガスのプラズマが用いられる。タングステンシリサイ
ド膜のエッチングではＳｉＦ4，ＷＦ6等の、多結晶シリ
コン膜のエッチングではＳｉＣｌx等の蒸気圧の高い反
応生成物ができ、それらが真空排気されることでエッチ
ングが進行する。圧力は１００ｍＴｏｒｒから１０００
ｍＴｏｒｒ、投入電力は２００から５００Ｗ程度が使用
され、エッチング速度は２００から３００ｎｍ／ｍｉｎ
程度が得られている。
年上層がタングステンシリサイド膜に代表される高融点
金属シリサイド、下層がリンドープした多結晶シリコン
膜であるいわゆるポリサイド膜が使用されはじめてい
る。このような２層膜のエッチングにおいては、先に述
べたようなドライエッチング装置を用いて通常２つ以上
の異なるガスを用いてそれぞれの膜をエッチングする。
例えばタングステンシリサイド膜のエッチングにはＣＦ
4やＳＦ6等のフッ素を含むガスのプラズマが使用され、
多結晶シリコン膜のエッチングにはＣｌ2やＨＣｌ，Ｈ
Ｂｒ等のフッ素以外のハロゲンガスまたはハロゲン化合
物ガスのプラズマが用いられる。タングステンシリサイ
ド膜のエッチングではＳｉＦ4，ＷＦ6等の、多結晶シリ
コン膜のエッチングではＳｉＣｌx等の蒸気圧の高い反
応生成物ができ、それらが真空排気されることでエッチ
ングが進行する。圧力は１００ｍＴｏｒｒから１０００
ｍＴｏｒｒ、投入電力は２００から５００Ｗ程度が使用
され、エッチング速度は２００から３００ｎｍ／ｍｉｎ
程度が得られている。
【０００７】この例以外にフッ素系ガスでのエッチング
に続けてフッ素以外のハロゲン系ガスでのエッチングを
行う場合が半導体素子製造プロセスではたびたび発生す
る。たとえばゲート電極上にシリコン酸化膜が載った構
造を形成することがあるが、この場合にはシリコン酸化
膜エッチングにはＣＦ4やＣＨＦ3の様なフッ素系ガスが
使用され、ゲート電極エッチングには塩素系ガスが使用
される等である。
に続けてフッ素以外のハロゲン系ガスでのエッチングを
行う場合が半導体素子製造プロセスではたびたび発生す
る。たとえばゲート電極上にシリコン酸化膜が載った構
造を形成することがあるが、この場合にはシリコン酸化
膜エッチングにはＣＦ4やＣＨＦ3の様なフッ素系ガスが
使用され、ゲート電極エッチングには塩素系ガスが使用
される等である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この様な２ステップの
エッチングにより多層膜構造をエッチングできるが、実
際の試作ラインに適用するとエッチング速度や形状、選
択比等のエッチング特性が安定しないという問題が生じ
てきた。
エッチングにより多層膜構造をエッチングできるが、実
際の試作ラインに適用するとエッチング速度や形状、選
択比等のエッチング特性が安定しないという問題が生じ
てきた。
【０００９】図６はタングステンポリサイドのエッチン
グにおける多結晶シリコン膜のエッチング速度、対酸化
膜選択比の処理枚数依存性を示したものである。数枚の
ウエハをエッチングするとエッチング速度が２０から４
０％低下し、また対酸化膜選択比が５０％程度まで低下
することがわかる。この際のエッチング条件は次の通り
であった。第１ステップはＣＦ４ガスを用い、圧力２０
０ｍＴｏｒｒ,ＲＦ電力（１３．５６ＭＨｚ）４００Ｗ
にて行った。第２ステップはＨＢｒとＣｌ2ガスを用
い、圧力１５０ｍＴｏｒｒ，ＲＦ電力（１３．５６ＭＨ
ｚ）２５０Ｗで行った。いずれもステージ温度は２０℃
とした。この原因について検討した結果、チャンバー内
に残留するフッ素成分がプラズマに影響を及ぼしている
ためとの結論に至った。すなわち、フッ素はハロゲン元
素のなかでも最も電気陰性度が大きく、プラズマ中では
電子付着現象により容易に負イオンになる。電子付着に
より電子が消費されるためイオン発生率が低下し、これ
によりＣｌやＢｒのラジカル、イオン密度が低下するた
めである。同様の現象がヘムカーら（エレクトロケミカ
ルソサイエティ、スプリングミーティング、ホノルル、
アブストラクトｐ．３６０−３６１、１９９３）により
報告されている。
グにおける多結晶シリコン膜のエッチング速度、対酸化
膜選択比の処理枚数依存性を示したものである。数枚の
ウエハをエッチングするとエッチング速度が２０から４
０％低下し、また対酸化膜選択比が５０％程度まで低下
することがわかる。この際のエッチング条件は次の通り
であった。第１ステップはＣＦ４ガスを用い、圧力２０
０ｍＴｏｒｒ,ＲＦ電力（１３．５６ＭＨｚ）４００Ｗ
にて行った。第２ステップはＨＢｒとＣｌ2ガスを用
い、圧力１５０ｍＴｏｒｒ，ＲＦ電力（１３．５６ＭＨ
ｚ）２５０Ｗで行った。いずれもステージ温度は２０℃
とした。この原因について検討した結果、チャンバー内
に残留するフッ素成分がプラズマに影響を及ぼしている
ためとの結論に至った。すなわち、フッ素はハロゲン元
素のなかでも最も電気陰性度が大きく、プラズマ中では
電子付着現象により容易に負イオンになる。電子付着に
より電子が消費されるためイオン発生率が低下し、これ
によりＣｌやＢｒのラジカル、イオン密度が低下するた
めである。同様の現象がヘムカーら（エレクトロケミカ
ルソサイエティ、スプリングミーティング、ホノルル、
アブストラクトｐ．３６０−３６１、１９９３）により
報告されている。
【００１０】チャンバー内に残留するフッ素に起因する
現象であるので、２つのエッチングステップを別々のチ
ャンバーにて行うことによりこの様な不安定性は軽減で
きると考えられる。しかし、２つのチャンバーを用意す
ることは大幅なコスト上昇を招き、またそれらをいわゆ
るマルチチャンバーを有する１台の装置とする場合には
装置の稼働率の低下も懸念される。２台の装置として別
々に行う場合には装置コストの上昇に加え、ウエハの移
動に伴う無駄時間や無駄な労力を生じコストが極めて高
くなる。
現象であるので、２つのエッチングステップを別々のチ
ャンバーにて行うことによりこの様な不安定性は軽減で
きると考えられる。しかし、２つのチャンバーを用意す
ることは大幅なコスト上昇を招き、またそれらをいわゆ
るマルチチャンバーを有する１台の装置とする場合には
装置の稼働率の低下も懸念される。２台の装置として別
々に行う場合には装置コストの上昇に加え、ウエハの移
動に伴う無駄時間や無駄な労力を生じコストが極めて高
くなる。
【００１１】本発明は上記問題点に鑑み、フッ素系ガス
でのエッチングに続けてフッ素以外のハロゲン系ガスで
のエッチングを行う場合にエッチング速度等のパラメタ
ーが安定して再現できる高精度なドライエッチング方法
を提供するものである。
でのエッチングに続けてフッ素以外のハロゲン系ガスで
のエッチングを行う場合にエッチング速度等のパラメタ
ーが安定して再現できる高精度なドライエッチング方法
を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のドライエッチング方法は、チャンバーにフ
ッ素を含むガスを導入しプラズマ発生して試料表面をエ
ッチングする第１の工程と、前記チャンバーにフッ素以
外のハロゲン元素を含むガスを導入し圧力を０．０５Ｐ
ａから５Ｐａの範囲としてプラズマ発生して試料表面を
エッチングする第２の工程とを含んでなる構成を備えた
ものである。
めに本発明のドライエッチング方法は、チャンバーにフ
ッ素を含むガスを導入しプラズマ発生して試料表面をエ
ッチングする第１の工程と、前記チャンバーにフッ素以
外のハロゲン元素を含むガスを導入し圧力を０．０５Ｐ
ａから５Ｐａの範囲としてプラズマ発生して試料表面を
エッチングする第２の工程とを含んでなる構成を備えた
ものである。
【００１３】
【作用】本発明は上記した第１の工程でチャンバー内に
フッ素が残留しても第２の工程の圧力では残留フッ素に
殆ど影響されずにエッチングパラメータを安定して再現
することができる。電子付着現象は数Ｐａ以下の圧力下
では圧力の減少に伴って少なくなることが一般的に知ら
れている。これは付着を起こすフッ素等のハロゲン元素
自身の密度が圧力と共に減少することと、電子温度が圧
力減少に伴い増加するので、電子付着に寄与する低エネ
ルギ−電子の全電子数に対する割合が減少するためであ
る。ＳＦ６プラズマでは圧力１００ｍＴｏｒｒ付近のプ
ラズマでは電子１に対し正イオン１００位のいわゆるエ
レクトロネガティブなプラズマであるが、１ｍＴｏｒｒ
あたり以下では電子１に対し正イオンほぼ１であり、電
子付着現象によるプラズマへの影響は生じない。
フッ素が残留しても第２の工程の圧力では残留フッ素に
殆ど影響されずにエッチングパラメータを安定して再現
することができる。電子付着現象は数Ｐａ以下の圧力下
では圧力の減少に伴って少なくなることが一般的に知ら
れている。これは付着を起こすフッ素等のハロゲン元素
自身の密度が圧力と共に減少することと、電子温度が圧
力減少に伴い増加するので、電子付着に寄与する低エネ
ルギ−電子の全電子数に対する割合が減少するためであ
る。ＳＦ６プラズマでは圧力１００ｍＴｏｒｒ付近のプ
ラズマでは電子１に対し正イオン１００位のいわゆるエ
レクトロネガティブなプラズマであるが、１ｍＴｏｒｒ
あたり以下では電子１に対し正イオンほぼ１であり、電
子付着現象によるプラズマへの影響は生じない。
【００１４】圧力を０．５ｍＴｏｒｒから３０ｍＴｏｒ
ｒの範囲とすることにより同時にイオンの指向性が向上
し、エッチング自身の異方性も向上する。このため、Ｈ
Ｂｒ等の側壁保護膜形成のためのガスを添加する必要も
なくなり、パーティクル発生の減少による歩留り向上が
期待できる。
ｒの範囲とすることにより同時にイオンの指向性が向上
し、エッチング自身の異方性も向上する。このため、Ｈ
Ｂｒ等の側壁保護膜形成のためのガスを添加する必要も
なくなり、パーティクル発生の減少による歩留り向上が
期待できる。
【００１５】
【実施例】以下本発明のドライエッチング方法につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１６】図１は本発明の第１の実施例におけるドラ
イエッチング方法を説明するための製造工程断面図を示
すものである。
イエッチング方法を説明するための製造工程断面図を示
すものである。
【００１７】まず、図１ａの様に、シリコン基板１０、
ゲート酸化膜１１、燐ドープした多結晶シリコン膜１２
とタングステンシリサイド膜１３からなる試料表面に、
ドライエッチングの際マスクとして機能するフォトレジ
ストパターン１４を形成する。
ゲート酸化膜１１、燐ドープした多結晶シリコン膜１２
とタングステンシリサイド膜１３からなる試料表面に、
ドライエッチングの際マスクとして機能するフォトレジ
ストパターン１４を形成する。
【００１８】図１ｂではこのようにして準備したシリコ
ン基板１０をリサジューエレクトロンプラズマ（ＬＥ
Ｐ）エッチャーでエッチングした。リサジューエレクト
ロンプラズマエッチング（オオクニ他、ＶＬＳＩテクノ
ロジーシンポジウム、ダイジェスト オブ テクニカル
ペーパーズ、ｐ．１５１、１９９３）と言うのは、チャ
ンバー中に回転電場を形成し発生したプラズマでエッチ
ングする技術で、平行平板ＲＩＥに比べて高真空でエッ
チングできることが特徴である。第１ステップのタング
ステンシリサイドのエッチング条件は、ＣＦ4 ガス５０
ｓｃｃｍ，圧力７．５ｍＴｏｒｒ,ＬＥＰ３電極への高
周波電力１００Ｗｘ３（５０ＭＨｚ）、ＲＦバイアス電
力５０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）とした。
ン基板１０をリサジューエレクトロンプラズマ（ＬＥ
Ｐ）エッチャーでエッチングした。リサジューエレクト
ロンプラズマエッチング（オオクニ他、ＶＬＳＩテクノ
ロジーシンポジウム、ダイジェスト オブ テクニカル
ペーパーズ、ｐ．１５１、１９９３）と言うのは、チャ
ンバー中に回転電場を形成し発生したプラズマでエッチ
ングする技術で、平行平板ＲＩＥに比べて高真空でエッ
チングできることが特徴である。第１ステップのタング
ステンシリサイドのエッチング条件は、ＣＦ4 ガス５０
ｓｃｃｍ，圧力７．５ｍＴｏｒｒ,ＬＥＰ３電極への高
周波電力１００Ｗｘ３（５０ＭＨｚ）、ＲＦバイアス電
力５０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）とした。
【００１９】続いて図１ｃでは第２ステップの多結晶シ
リコンのエッチング条件は、Ｃｌ2ガス４０ｓｃｃｍ，
圧力７．５ｍＴｏｒｒ,ＬＥＰ３電極への高周波電力８
０Ｗｘ３（５０ＭＨｚ）、ＲＦバイアス電力５０Ｗ（１
３．５６ＭＨｚ）とした。
リコンのエッチング条件は、Ｃｌ2ガス４０ｓｃｃｍ，
圧力７．５ｍＴｏｒｒ,ＬＥＰ３電極への高周波電力８
０Ｗｘ３（５０ＭＨｚ）、ＲＦバイアス電力５０Ｗ（１
３．５６ＭＨｚ）とした。
【００２０】多結晶シリコンのエッチ速度は約３１０ｎ
ｍ／ｍｉｎ、対酸化膜選択比約８０で図２に示すように
ウエハ処理枚数への依存は見られなかった。
ｍ／ｍｉｎ、対酸化膜選択比約８０で図２に示すように
ウエハ処理枚数への依存は見られなかった。
【００２１】次に本発明の第２の実施例におけるドライ
エッチング方法を説明する。図３は本発明の第１の実施
例におけるドライエッチング方法を説明するための製造
工程断面図である。
エッチング方法を説明する。図３は本発明の第１の実施
例におけるドライエッチング方法を説明するための製造
工程断面図である。
【００２２】まず、図３ａの様に、シリコン基板１０、
ゲート酸化膜１１、燐ドープした多結晶シリコン膜１２
と常圧ＣＶＤにより形成したシリコン酸化膜１５からな
る試料表面に、ドライエッチングの際マスクとして機能
するフォトレジストパターン１４を形成する。
ゲート酸化膜１１、燐ドープした多結晶シリコン膜１２
と常圧ＣＶＤにより形成したシリコン酸化膜１５からな
る試料表面に、ドライエッチングの際マスクとして機能
するフォトレジストパターン１４を形成する。
【００２３】図３ｂではこのようにして準備したシリコ
ン基板１０を電子サイクロトロン共鳴現象を用いたＥＣ
Ｒエッチャーでエッチングした。ＥＣＲエッチャーはや
はり平行平板ＲＩＥに比べて高真空でエッチングでき
る。第１ステップのシリコン酸化膜１５のエッチング条
件は、Ｃ4Ｆ8 ガス３０ｓｃｃｍ，圧力１ｍＴｏｒｒ,マ
イクロ波電力１．２ＫＷ（２．４５ＧＨｚ）、ＲＦバイ
アス電力２００Ｗ（２．５ＭＨｚ）とした。
ン基板１０を電子サイクロトロン共鳴現象を用いたＥＣ
Ｒエッチャーでエッチングした。ＥＣＲエッチャーはや
はり平行平板ＲＩＥに比べて高真空でエッチングでき
る。第１ステップのシリコン酸化膜１５のエッチング条
件は、Ｃ4Ｆ8 ガス３０ｓｃｃｍ，圧力１ｍＴｏｒｒ,マ
イクロ波電力１．２ＫＷ（２．４５ＧＨｚ）、ＲＦバイ
アス電力２００Ｗ（２．５ＭＨｚ）とした。
【００２４】続いて図３ｃでは第２ステップの多結晶シ
リコンのエッチング条件は、Ｃｌ2ガス３０ｓｃｃｍ，
ＨＢｒガス２ｓｃｃｍ，圧力２ｍＴｏｒｒ,マイクロ波
電力１．２ＫＷ（２．４５ＧＨｚ）、ＲＦバイアス電力
５０Ｗ（２．５ＭＨｚ）とした。多結晶シリコンのエッ
チ速度は約２００ｎｍ／ｍｉｎ、対酸化膜選択比約５０
で図４に示すようにウエハ処理枚数への依存は見られな
かった。
リコンのエッチング条件は、Ｃｌ2ガス３０ｓｃｃｍ，
ＨＢｒガス２ｓｃｃｍ，圧力２ｍＴｏｒｒ,マイクロ波
電力１．２ＫＷ（２．４５ＧＨｚ）、ＲＦバイアス電力
５０Ｗ（２．５ＭＨｚ）とした。多結晶シリコンのエッ
チ速度は約２００ｎｍ／ｍｉｎ、対酸化膜選択比約５０
で図４に示すようにウエハ処理枚数への依存は見られな
かった。
【００２５】なお、実施例において、第２ステップで使
用されるガスはＣｌ2またはＣｌ2に他のガスを添加した
例を示したが、Ｃｌ2ではなくＨＣｌ，ＨＢｒ，Ｂｒ2，
ＨＩ等のガスかあるいはそれらに他のガスを添加したガ
スであっても本発明の効果が得られることは言うまでも
ない。またフッ素を含むガスがＣＦ４とＣ４Ｆ８の場合
を示したが、ＣとＦまたはＣ,Ｈ,Ｆの化合物を含むガス
であっても本発明の効果が得られることは言うまでもな
い。
用されるガスはＣｌ2またはＣｌ2に他のガスを添加した
例を示したが、Ｃｌ2ではなくＨＣｌ，ＨＢｒ，Ｂｒ2，
ＨＩ等のガスかあるいはそれらに他のガスを添加したガ
スであっても本発明の効果が得られることは言うまでも
ない。またフッ素を含むガスがＣＦ４とＣ４Ｆ８の場合
を示したが、ＣとＦまたはＣ,Ｈ,Ｆの化合物を含むガス
であっても本発明の効果が得られることは言うまでもな
い。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明のドライエッチング
方法は、チャンバーにフッ素を含むガスを導入しプラズ
マ発生して試料表面をエッチングする第１の工程と、チ
ャンバーにフッ素以外のハロゲン元素を含むガスを導入
し圧力を０．５ｍＴｏｒｒから５ｍＴｏｒｒの範囲とし
てプラズマ発生して試料表面をエッチングする第２の工
程とを備えた構成とすることにより、エッチング速度や
選択比、形状等の再現性を良好にできるものである。
方法は、チャンバーにフッ素を含むガスを導入しプラズ
マ発生して試料表面をエッチングする第１の工程と、チ
ャンバーにフッ素以外のハロゲン元素を含むガスを導入
し圧力を０．５ｍＴｏｒｒから５ｍＴｏｒｒの範囲とし
てプラズマ発生して試料表面をエッチングする第２の工
程とを備えた構成とすることにより、エッチング速度や
選択比、形状等の再現性を良好にできるものである。
【図１】本発明の第１の実施例におけるドライエッチン
グ方法を説明するための製造工程断面図
グ方法を説明するための製造工程断面図
【図２】本発明の第１の実施例のドライエッチング方法
におけるエッチ速度の経時変化を説明するための図
におけるエッチ速度の経時変化を説明するための図
【図３】本発明の第２の実施例であるドライエッチング
方法を説明するための製造工程断面図
方法を説明するための製造工程断面図
【図４】本発明の第２の実施例のドライエッチング方法
におけるエッチ速度の経時変化を説明するための図
におけるエッチ速度の経時変化を説明するための図
【図５】従来の平行平板ドライエッチング装置の構成図
【図６】従来の平行平板ドライエッチング方法における
エッチ速度の経時変化を説明するための図
エッチ速度の経時変化を説明するための図
１０ シリコン基板 １１ ゲート酸化膜 １２ 燐ドープした多結晶シリコン膜 １３ タングステンシリサイド膜 １４ フォトレジストパターン １５ シリコン酸化膜
Claims (5)
- 【請求項１】チャンバーにフッ素を含むガスを導入しプ
ラズマ発生して試料表面をエッチングする第１の工程
と、前記チャンバーにフッ素以外のハロゲン元素を含む
ガスを導入し圧力を０．５ｍＴｏｒｒから３０ｍＴｏｒ
ｒの範囲としてプラズマ発生して試料表面をエッチング
する第２の工程とを備えたドライエッチング方法。 - 【請求項２】フッ素以外のハロゲン元素を含むガスが、
Ｃｌ2、ＨＣｌ、ＨＢｒ，Ｂｒ2，ＨＩのいずれかのガス
を含むガスであることを特徴とする請求項１記載のドラ
イエッチング方法。 - 【請求項３】フッ素を含むガスが、Ｃ，ＦまたはＣ，
Ｈ，Ｆの化合物を含むガスであることを特徴とする請求
項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項４】チャンバー内に回転電場を用いてプラズマ
発生することを特徴とする請求項１記載のドライエッチ
ング方法。 - 【請求項５】エッチングされる試料が、タングステン膜
またはタングステンシリサイド膜と、シリコン膜とを含
んでいることを特徴とする請求項１記載のドライエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14890693A JP3271373B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14890693A JP3271373B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722391A true JPH0722391A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3271373B2 JP3271373B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=15463315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14890693A Expired - Fee Related JP3271373B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3271373B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6399515B1 (en) * | 1999-06-21 | 2002-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Plasma etch method for forming patterned chlorine containing plasma etchable silicon containing layer with enhanced sidewall profile uniformity |
| US6583065B1 (en) * | 1999-08-03 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Sidewall polymer forming gas additives for etching processes |
| US7302934B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-12-04 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Saddle-straddling type motor vehicle |
| US7985271B2 (en) | 2007-08-20 | 2011-07-26 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Engine unit and straddle-type vehicle |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP14890693A patent/JP3271373B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6399515B1 (en) * | 1999-06-21 | 2002-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Plasma etch method for forming patterned chlorine containing plasma etchable silicon containing layer with enhanced sidewall profile uniformity |
| US6583065B1 (en) * | 1999-08-03 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Sidewall polymer forming gas additives for etching processes |
| US7302934B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-12-04 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Saddle-straddling type motor vehicle |
| US7985271B2 (en) | 2007-08-20 | 2011-07-26 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Engine unit and straddle-type vehicle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3271373B2 (ja) | 2002-04-02 |
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