JPH0722419A - アルミニウム配線の形成方法 - Google Patents
アルミニウム配線の形成方法Info
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- JPH0722419A JPH0722419A JP16367493A JP16367493A JPH0722419A JP H0722419 A JPH0722419 A JP H0722419A JP 16367493 A JP16367493 A JP 16367493A JP 16367493 A JP16367493 A JP 16367493A JP H0722419 A JPH0722419 A JP H0722419A
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- interlayer insulating
- insulating film
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高真空状態を形成することなく、Ａｌを選択
性良く埋め込むことにある。 【構成】 下層Ａｌ配線４上の層間絶縁膜６に、ドライ
エッチングを用いてヴィア孔６ａを形成する。次に、下
層Ａｌ配線４の露出表面に形成されている自然酸化膜４
ａ、層間絶縁膜６表面の変質層６ｂ及び汚染物８を、１
ｍＴｏｒｒ以下の真空雰囲気下において反応性イオンエ
ッチングにより除去する。この後、Ａｌ−ＣＶＤによっ
てヴィア孔６ａ内にＡｌを選択的に堆積させる。
性良く埋め込むことにある。 【構成】 下層Ａｌ配線４上の層間絶縁膜６に、ドライ
エッチングを用いてヴィア孔６ａを形成する。次に、下
層Ａｌ配線４の露出表面に形成されている自然酸化膜４
ａ、層間絶縁膜６表面の変質層６ｂ及び汚染物８を、１
ｍＴｏｒｒ以下の真空雰囲気下において反応性イオンエ
ッチングにより除去する。この後、Ａｌ−ＣＶＤによっ
てヴィア孔６ａ内にＡｌを選択的に堆積させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヴィア孔を埋め込むこ
とによって多層配線構造を形成するアルミニウム配線の
形成方法に関する。
とによって多層配線構造を形成するアルミニウム配線の
形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの微細化に伴い、ヴィア孔によっ
て層間のコンタクトをとるためのＡｌ配線を、化学気相
成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）によっ
て形成する技術が提案されている（特開平２−１７０４
１９）。この際、Ａｌ原料としては、ＤＭＡＨ，ＴＭ
Ａ，ＴＩＢＡなどのＡｌの有機化合物が用いられる。通
常、Ａｌは、酸素、窒素と化合しやすいため、成膜前の
反応容器内に存在する残留気体に、酸素（水等の酸素原
子を含有する分子も含む）、窒素、炭素などが多量に含
まれると、成膜時に酸化物や窒化物が形成され、膜質が
劣化することが知られている。そこで、この欠点を軽減
すべく、被成膜基板の表面やヴィア孔底部などの成膜部
に対し、成膜前にＲＩＥ等を施す清浄化工程を含む場合
が多い。
て層間のコンタクトをとるためのＡｌ配線を、化学気相
成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）によっ
て形成する技術が提案されている（特開平２−１７０４
１９）。この際、Ａｌ原料としては、ＤＭＡＨ，ＴＭ
Ａ，ＴＩＢＡなどのＡｌの有機化合物が用いられる。通
常、Ａｌは、酸素、窒素と化合しやすいため、成膜前の
反応容器内に存在する残留気体に、酸素（水等の酸素原
子を含有する分子も含む）、窒素、炭素などが多量に含
まれると、成膜時に酸化物や窒化物が形成され、膜質が
劣化することが知られている。そこで、この欠点を軽減
すべく、被成膜基板の表面やヴィア孔底部などの成膜部
に対し、成膜前にＲＩＥ等を施す清浄化工程を含む場合
が多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように、
酸素や水、窒素、或いはアルゴン等の不活性分子を多量
に含む残留気体は、被成膜基板の表面に吸着するため、
Ａｌ原子やその中間生成物の吸着サイトが閉じてしま
い、堆積するＡｌの選択性や、成膜面の平坦性が低下す
るなどの問題点があった。これを回避するためには、反
応容器内の残留気体を除去すべく、反応容器内を高真空
状態にしていた。例えば、特開平３−１１１５６６号に
は、成膜前の反応容器内の圧力を１×１０-8Ｔｏｒｒ以
下に設定することが開示されており、また、特開平４−
２２５２２３号には、１×１０-7ｍｂａｒｒに設定する
ことが開示されている。さらに、“Tungsten and Other
Advanced Metals for VLSI / ULSI Applications ”
（マテリアルズリサーチソサイアティ：１９９０）に
は、８×１０-9Ｔｏｒｒに設定することが開示されてい
る。
酸素や水、窒素、或いはアルゴン等の不活性分子を多量
に含む残留気体は、被成膜基板の表面に吸着するため、
Ａｌ原子やその中間生成物の吸着サイトが閉じてしま
い、堆積するＡｌの選択性や、成膜面の平坦性が低下す
るなどの問題点があった。これを回避するためには、反
応容器内の残留気体を除去すべく、反応容器内を高真空
状態にしていた。例えば、特開平３−１１１５６６号に
は、成膜前の反応容器内の圧力を１×１０-8Ｔｏｒｒ以
下に設定することが開示されており、また、特開平４−
２２５２２３号には、１×１０-7ｍｂａｒｒに設定する
ことが開示されている。さらに、“Tungsten and Other
Advanced Metals for VLSI / ULSI Applications ”
（マテリアルズリサーチソサイアティ：１９９０）に
は、８×１０-9Ｔｏｒｒに設定することが開示されてい
る。
【０００４】このような高真空状態を形成するには、反
応容器内の残留気体を十分に排気することが必要であ
り、このためには高価な排気装置が必要となるばかりで
なく、高真空状態を形成するまでに長時間を要し、生産
効率の低下を引き起こしていた。
応容器内の残留気体を十分に排気することが必要であ
り、このためには高価な排気装置が必要となるばかりで
なく、高真空状態を形成するまでに長時間を要し、生産
効率の低下を引き起こしていた。
【０００５】本発明はこのような課題を解決すべくなさ
れたものであり、その目的は、このような高真空状態を
形成することなく、Ａｌ−ＣＶＤによってヴィア孔の埋
め込みを実施した場合に、良好な選択性が得られるアル
ミニウム配線の形成方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、このような高真空状態を
形成することなく、Ａｌ−ＣＶＤによってヴィア孔の埋
め込みを実施した場合に、良好な選択性が得られるアル
ミニウム配線の形成方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるアルミニ
ウム配線の形成方法は、第１工程として、アルミニウム
配線上の層間絶縁膜にヴィア孔を形成し、このヴィア孔
の底部にアルミニウム配線を露出させる。次いで、第２
工程として、アルミニウム配線の露出表面に形成された
酸化アルミニウムと第１工程によって生じた層間絶縁膜
表面の変質層とを、１ｍＴｏｒｒ以下の真空雰囲気にお
いて反応性イオンエッチングにより除去する。そして、
第３工程として、化学気相成長によって、ヴィア孔内に
アルミニウムを含むプラグ材料を選択的に堆積させ、ヴ
ィア孔を埋め込む。
ウム配線の形成方法は、第１工程として、アルミニウム
配線上の層間絶縁膜にヴィア孔を形成し、このヴィア孔
の底部にアルミニウム配線を露出させる。次いで、第２
工程として、アルミニウム配線の露出表面に形成された
酸化アルミニウムと第１工程によって生じた層間絶縁膜
表面の変質層とを、１ｍＴｏｒｒ以下の真空雰囲気にお
いて反応性イオンエッチングにより除去する。そして、
第３工程として、化学気相成長によって、ヴィア孔内に
アルミニウムを含むプラグ材料を選択的に堆積させ、ヴ
ィア孔を埋め込む。
【０００７】なお、第２工程の酸化アルミニウム除去と
変質層の除去とは同時に行ってもよいし、別々に（どち
らかを先に他方を後に）行ってもよい。
変質層の除去とは同時に行ってもよいし、別々に（どち
らかを先に他方を後に）行ってもよい。
【０００８】また、第２工程における真空雰囲気を、１
ｍＴｏｒｒ〜０．１ｍＴｏｒｒの範囲に設定した場合に
は、従来のような超高真空設備が不要となり、排気装置
としても、低真空雰囲気を形成する際に通常使用される
メカニカルブースターポンプでも適用可能となる。
ｍＴｏｒｒ〜０．１ｍＴｏｒｒの範囲に設定した場合に
は、従来のような超高真空設備が不要となり、排気装置
としても、低真空雰囲気を形成する際に通常使用される
メカニカルブースターポンプでも適用可能となる。
【０００９】
【作用】残留或いはリークしている気体中には、酸素、
窒素、水分などが多く含まれており、これらの成分がプ
ラズマ中で反応し、例えば、酸化物などの化合物を生成
するが、これらは、ＣＶＤによるＡｌ析出時に触媒とし
て作用する。そのため、層間絶縁膜上にＡｌが析出した
り、アルミニウム配線（下地配線金属）上に不均一に成
長する場合がある。また、残留或いはリークしている水
分等がプラズマ中で反応して、層間絶縁膜上にＯＨ基を
形成する。このＯＨ基は、分極しているため、Ａｌが析
出する中心（「核」）となり、選択ＣＶＤにおける選択
性が低下することなる。さらに、残留或いはリークして
いる酸素、窒素、水分等が、プラズマ中でエッチングガ
スと反応して、エッチング作用を低減させる。このた
め、層間絶縁膜上にＡｌが析出したり、アルミニウム配
線上に不均一に成長する場合がある。
窒素、水分などが多く含まれており、これらの成分がプ
ラズマ中で反応し、例えば、酸化物などの化合物を生成
するが、これらは、ＣＶＤによるＡｌ析出時に触媒とし
て作用する。そのため、層間絶縁膜上にＡｌが析出した
り、アルミニウム配線（下地配線金属）上に不均一に成
長する場合がある。また、残留或いはリークしている水
分等がプラズマ中で反応して、層間絶縁膜上にＯＨ基を
形成する。このＯＨ基は、分極しているため、Ａｌが析
出する中心（「核」）となり、選択ＣＶＤにおける選択
性が低下することなる。さらに、残留或いはリークして
いる酸素、窒素、水分等が、プラズマ中でエッチングガ
スと反応して、エッチング作用を低減させる。このた
め、層間絶縁膜上にＡｌが析出したり、アルミニウム配
線上に不均一に成長する場合がある。
【００１０】これに対し、清浄化処理におけるＲＩＥ時
の真空雰囲気（背圧）を変化させて実施した場合、この
背圧を１ｍＴｏｒｒ以下に設定することにより、残留酸
素、窒素、水分など影響が低減されることが明らかにな
った。なお、真空雰囲気はＲＩＥ中のものではなく、Ｒ
ＩＥ前の到達真空度である。
の真空雰囲気（背圧）を変化させて実施した場合、この
背圧を１ｍＴｏｒｒ以下に設定することにより、残留酸
素、窒素、水分など影響が低減されることが明らかにな
った。なお、真空雰囲気はＲＩＥ中のものではなく、Ｒ
ＩＥ前の到達真空度である。
【００１１】
＜実施例１＞以下、本発明の実施例を添付図面に基づい
て工程順に説明する。
て工程順に説明する。
【００１２】まず、半導体基板上には、ＦＥＴ等の各種
デバイスからなる下層デバイス層２が形成されており、
この下層デバイス層２上に、下層Ａｌ配線４を形成す
る。その後、この下層Ａｌ配線４上に、酸化シリコンな
どによる層間絶縁膜６を形成する（図１（ａ））。
デバイスからなる下層デバイス層２が形成されており、
この下層デバイス層２上に、下層Ａｌ配線４を形成す
る。その後、この下層Ａｌ配線４上に、酸化シリコンな
どによる層間絶縁膜６を形成する（図１（ａ））。
【００１３】次に、フォトリソグラフィーを用いてレジ
ストパターンを形成し、フッ素系の混合ガスを用いたド
ライエッチングにより、孔径０．５μｍのヴィア孔６ａ
を開孔し、この後レジストパターンを除去する（図１
（ｂ））。この際、ヴィア孔６ａの底に露出した下層Ａ
ｌ配線４の表面には、ヴィア孔形成の工程等に伴って自
然酸化膜４ａが形成されている。また、層間絶縁膜６の
表面には、ヴィア孔形成工程などによって変質層６ｂが
形成されており、さらにその上にはレジスト残りなどの
汚染物８が付着している。
ストパターンを形成し、フッ素系の混合ガスを用いたド
ライエッチングにより、孔径０．５μｍのヴィア孔６ａ
を開孔し、この後レジストパターンを除去する（図１
（ｂ））。この際、ヴィア孔６ａの底に露出した下層Ａ
ｌ配線４の表面には、ヴィア孔形成の工程等に伴って自
然酸化膜４ａが形成されている。また、層間絶縁膜６の
表面には、ヴィア孔形成工程などによって変質層６ｂが
形成されており、さらにその上にはレジスト残りなどの
汚染物８が付着している。
【００１４】次に、この半導体基板を収容装置内に配置
し、自然酸化膜４ａや変質層６ｂなどを除去する清浄化
処理を実施する。
し、自然酸化膜４ａや変質層６ｂなどを除去する清浄化
処理を実施する。
【００１５】まず、この収容装置内をメカニカルブース
ターポンプを用いて、背圧を０．５ｍＴｏｒｒ以下に排
気する。次にＢＣｌ3 を８０ｓｃｃｍ、Ａｒを２０ｓｃ
ｃｍ、それぞれ導入して、全圧を０．１ｍＴｏｒｒとす
る。この雰囲気下において、この半導体基板にプラズマ
エッチングを施す。これによって、ヴィア孔６ａ底部の
自然酸化膜４ａは除去され、また、層間絶縁膜６の表面
側がエッチングされ、表面の変質層６ｂおよびその表面
上に残っている汚染物８が取り除かれる（図１
（ｃ））。
ターポンプを用いて、背圧を０．５ｍＴｏｒｒ以下に排
気する。次にＢＣｌ3 を８０ｓｃｃｍ、Ａｒを２０ｓｃ
ｃｍ、それぞれ導入して、全圧を０．１ｍＴｏｒｒとす
る。この雰囲気下において、この半導体基板にプラズマ
エッチングを施す。これによって、ヴィア孔６ａ底部の
自然酸化膜４ａは除去され、また、層間絶縁膜６の表面
側がエッチングされ、表面の変質層６ｂおよびその表面
上に残っている汚染物８が取り除かれる（図１
（ｃ））。
【００１６】次に、このように清浄化処理を施した半導
体基板に対し、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハイド
ライド）とＨ2 とを用いた選択ＣＶＤ法により、ヴィア
孔６ａ内へＡｌを堆積させ、Ａｌプラグ１２を形成する
（図１（ｄ））。この場合、ＤＭＡＨはＨ2 によってバ
ブリングさせて供給している。成膜条件は、基板温度を
２１０℃、収容装置内の全圧を２．０Ｔｏｒｒ、ＤＭＡ
Ｈ分圧を３４ｍＴｏｒｒ、キャリアＨ2 ガス流量を５０
０ｓｃｃｍとした。この際、層間絶縁膜６表面へのＡｌ
堆積は全く認められず、ヴィア孔６ａ内にのみ堆積して
おり、極めて良好な選択性が得られた。
体基板に対し、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハイド
ライド）とＨ2 とを用いた選択ＣＶＤ法により、ヴィア
孔６ａ内へＡｌを堆積させ、Ａｌプラグ１２を形成する
（図１（ｄ））。この場合、ＤＭＡＨはＨ2 によってバ
ブリングさせて供給している。成膜条件は、基板温度を
２１０℃、収容装置内の全圧を２．０Ｔｏｒｒ、ＤＭＡ
Ｈ分圧を３４ｍＴｏｒｒ、キャリアＨ2 ガス流量を５０
０ｓｃｃｍとした。この際、層間絶縁膜６表面へのＡｌ
堆積は全く認められず、ヴィア孔６ａ内にのみ堆積して
おり、極めて良好な選択性が得られた。
【００１７】＜実施例２＞また、実施例１において清浄
化処理のためのＲＩＥを施す際に、その背圧の設定値を
様々に変化させ、実施例１と同一の工程を実施した。ま
た、層間絶縁膜には、孔径０．８μｍと０．５μｍの２
種の大きさのヴィア孔を開孔し、各ヴィア孔内へＡｌを
ＣＶＤし、その埋め込み性を評価した。また、比較のた
め、種々変えて大気暴露させたＡｌスパッタ膜（ベタ
膜）に対しても、同様にＡｌをＣＶＤした。
化処理のためのＲＩＥを施す際に、その背圧の設定値を
様々に変化させ、実施例１と同一の工程を実施した。ま
た、層間絶縁膜には、孔径０．８μｍと０．５μｍの２
種の大きさのヴィア孔を開孔し、各ヴィア孔内へＡｌを
ＣＶＤし、その埋め込み性を評価した。また、比較のた
め、種々変えて大気暴露させたＡｌスパッタ膜（ベタ
膜）に対しても、同様にＡｌをＣＶＤした。
【００１８】この結果を、図２に示す。なお、この表で
右端欄の層間絶縁膜上へのＡｌ堆積の有無は、層間絶縁
膜上に析出したＡｌ粒子を走査電子顕微鏡観察で数え、
０．１個／μｍ2 以下の場合を「堆積しない」と評価
し、これよりも多い場合を「堆積する」として評価し
た。
右端欄の層間絶縁膜上へのＡｌ堆積の有無は、層間絶縁
膜上に析出したＡｌ粒子を走査電子顕微鏡観察で数え、
０．１個／μｍ2 以下の場合を「堆積しない」と評価
し、これよりも多い場合を「堆積する」として評価し
た。
【００１９】図２より、ベタＡｌ膜及びヴィア孔径０．
８μｍに対しては、ＲＩＥ時の背圧が、２ｍＴｏｒｒ以
下の場合には、この後のＣＶＤにおいてＡｌが均一に堆
積し、或いは埋め込まれることが確認できた。一方、さ
らに細径の０．５μｍ孔径のヴィア孔に対しては、ＲＩ
Ｅ時の背圧が１ｍＴｏｒｒ以下の場合に埋め込み性を示
し、層間絶縁膜上にもＡｌが堆積しない、即ち、ヴィア
孔に対する選択性が良好であることが確認できた。した
がって、この結果を総合すると、ＲＩＥ時の背圧が１ｍ
Ｔｏｒｒ以下の場合には、ヴィア孔に対して良好な埋め
込み性を示し、かつ、選択性も良好となることが明らか
になった。
８μｍに対しては、ＲＩＥ時の背圧が、２ｍＴｏｒｒ以
下の場合には、この後のＣＶＤにおいてＡｌが均一に堆
積し、或いは埋め込まれることが確認できた。一方、さ
らに細径の０．５μｍ孔径のヴィア孔に対しては、ＲＩ
Ｅ時の背圧が１ｍＴｏｒｒ以下の場合に埋め込み性を示
し、層間絶縁膜上にもＡｌが堆積しない、即ち、ヴィア
孔に対する選択性が良好であることが確認できた。した
がって、この結果を総合すると、ＲＩＥ時の背圧が１ｍ
Ｔｏｒｒ以下の場合には、ヴィア孔に対して良好な埋め
込み性を示し、かつ、選択性も良好となることが明らか
になった。
【００２０】また、この結果より、清浄化処理時の真空
雰囲気を、１ｍＴｏｒｒ〜０．１ｍＴｏｒｒの範囲に設
定することもでき、この場合には、従来のような超高真
空設備が不要となる。そして、この際に使用する排気装
置としても、低真空雰囲気を形成するメカニカルブース
ターポンプでも、十分に適用が可能となる。
雰囲気を、１ｍＴｏｒｒ〜０．１ｍＴｏｒｒの範囲に設
定することもでき、この場合には、従来のような超高真
空設備が不要となる。そして、この際に使用する排気装
置としても、低真空雰囲気を形成するメカニカルブース
ターポンプでも、十分に適用が可能となる。
【００２１】以上説明した各実施例において、Ａｌの再
酸化や層間絶縁膜の汚染を防止するため、ＲＩＥによる
清浄化処理からＡｌ−ＣＶＤまでの工程は、大気に晒す
ことがないように、同一の収容装置内で実施するか、或
いは、ＲＩＥ−搬送−ＣＶＤを所定の真空雰囲気下で一
貫して実施することが望ましい。
酸化や層間絶縁膜の汚染を防止するため、ＲＩＥによる
清浄化処理からＡｌ−ＣＶＤまでの工程は、大気に晒す
ことがないように、同一の収容装置内で実施するか、或
いは、ＲＩＥ−搬送−ＣＶＤを所定の真空雰囲気下で一
貫して実施することが望ましい。
【００２２】また、選択ＣＶＤ法で使用する有機金属ガ
スとしてＤＭＡＨを例示したが、この他にも、ＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム），ＴＩＢＡ（トリイソブチ
ルアルミニウム）などを使用することも可能である。
スとしてＤＭＡＨを例示したが、この他にも、ＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム），ＴＩＢＡ（トリイソブチ
ルアルミニウム）などを使用することも可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかるア
ルミニウム配線の形成方法によれば、反応性イオンエッ
チングによる清浄化処理を、１ｍＴｏｒｒ以下の真空雰
囲気下で実施することにより、この後に施すＡｌ−ＣＶ
Ｄにおいて、ヴィア孔に対する埋め込み性が良好であ
り、また、選択性も良好となるので、従来のような超高
真空設備が不要となるばかりでなく、生産効率の向上に
も寄与するものである。
ルミニウム配線の形成方法によれば、反応性イオンエッ
チングによる清浄化処理を、１ｍＴｏｒｒ以下の真空雰
囲気下で実施することにより、この後に施すＡｌ−ＣＶ
Ｄにおいて、ヴィア孔に対する埋め込み性が良好であ
り、また、選択性も良好となるので、従来のような超高
真空設備が不要となるばかりでなく、生産効率の向上に
も寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、実施例１にかかるアルミニ
ウム配線の形成方法を順に示す工程図である。
ウム配線の形成方法を順に示す工程図である。
【図２】実施例２の測定結果を示す図表である。
【符号の説明】 ２…下層デバイス層、４…下層Ａｌ配線、４ａ…自然酸
化膜、６…層間絶縁膜、６ａ…ヴィア孔、６ｂ…変質
層、８…汚染物、１２…Ａｌプラグ。
化膜、６…層間絶縁膜、６ａ…ヴィア孔、６ｂ…変質
層、８…汚染物、１２…Ａｌプラグ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/768 8826−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/90 Ａ (72)発明者 河野 有美子 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内 (72)発明者 太田 与洋 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム配線上の層間絶縁膜にヴィ
ア孔を形成し、このヴィア孔の底部に前記アルミニウム
配線を露出させる第１工程と、 前記アルミニウム配線の露出表面に形成された酸化アル
ミニウムと第１工程によって生じた前記層間絶縁膜表面
の変質層とを、同時に或いは前後して、１ｍＴｏｒｒ以
下の真空雰囲気下において反応性イオンエッチングによ
り除去する第２工程と、 化学気相成長によって、前記ヴィア孔内にアルミニウム
を含むプラグ材料を選択的に堆積させる第３工程と、 を備えるアルミニウム配線の形成方法。 - 【請求項２】 前記第２工程における真空雰囲気を、１
ｍＴｏｒｒ〜０．１ｍＴｏｒｒの範囲に設定することを
特徴とする請求項１記載のアルミニウム配線の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16367493A JPH0722419A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | アルミニウム配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16367493A JPH0722419A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | アルミニウム配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722419A true JPH0722419A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15778447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16367493A Pending JPH0722419A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | アルミニウム配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722419A (ja) |
-
1993
- 1993-07-01 JP JP16367493A patent/JPH0722419A/ja active Pending
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