JPH0722629A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0722629A JPH0722629A JP3153085A JP15308591A JPH0722629A JP H0722629 A JPH0722629 A JP H0722629A JP 3153085 A JP3153085 A JP 3153085A JP 15308591 A JP15308591 A JP 15308591A JP H0722629 A JPH0722629 A JP H0722629A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤフラムの厚さを幅広い範囲から選択で
き、かつそのダイヤフラム部が正確で高精度のものとな
る半導体圧力センサの製造方法を提供することを目的と
する。 【構成】 第１の単結晶シリコン基板１の裏面に、異方
性エッチングを施してダイアフラム厚さと同じ寸法の深
さのＶ溝４を形成し、少なくとも前記溝部４内に、研磨
ストッパ用及びエッチングストッパ用の絶縁膜５を形成
する工程と、第２の単結晶シリコン基板７を用意し、こ
の第２のシリコン基板７の平坦化された表面と第１の単
結晶シリコン基板１の上記絶縁膜５を形成した面とを貼
り合わせ、第１の単結晶シリコン基板１の表面側から研
磨を行ない、前記溝部４内の絶縁膜が露出して研磨が停
止する工程と、第２の単結晶シリコン基板７の接合して
いない面より異方性エッチングして、前記絶縁膜５が露
出してエッチングが停止する工程とからなるものであ
る。
き、かつそのダイヤフラム部が正確で高精度のものとな
る半導体圧力センサの製造方法を提供することを目的と
する。 【構成】 第１の単結晶シリコン基板１の裏面に、異方
性エッチングを施してダイアフラム厚さと同じ寸法の深
さのＶ溝４を形成し、少なくとも前記溝部４内に、研磨
ストッパ用及びエッチングストッパ用の絶縁膜５を形成
する工程と、第２の単結晶シリコン基板７を用意し、こ
の第２のシリコン基板７の平坦化された表面と第１の単
結晶シリコン基板１の上記絶縁膜５を形成した面とを貼
り合わせ、第１の単結晶シリコン基板１の表面側から研
磨を行ない、前記溝部４内の絶縁膜が露出して研磨が停
止する工程と、第２の単結晶シリコン基板７の接合して
いない面より異方性エッチングして、前記絶縁膜５が露
出してエッチングが停止する工程とからなるものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法に係り、特に、シリコンの薄膜部とこの薄膜部に延設
された支持部を有する半導体圧力センサの製造方法に関
するものである。
法に係り、特に、シリコンの薄膜部とこの薄膜部に延設
された支持部を有する半導体圧力センサの製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体圧力センサ装置としていろ
いろな構造が提案されているが、なかでも広く用いられ
ているものとして、図４に示す如く、感圧抵抗層として
の拡散層101aを備えた単結晶シリコンからなるダイヤフ
ラム101の支持部を台座102に接着固定したダイヤフラム
型の圧力センサがある。なお、103は接着層を示す。上
記圧力センサは、ダイヤフラムが圧力を受けて歪を生
じ、その歪により発生する抵抗値をピエゾ抵抗効果を利
用して検出している。従って、本センサでは、圧力に応
じた正しい歪を発生するような均等かつ所定の厚さｔを
有するダイヤフラムを形成する必要がある。
いろな構造が提案されているが、なかでも広く用いられ
ているものとして、図４に示す如く、感圧抵抗層として
の拡散層101aを備えた単結晶シリコンからなるダイヤフ
ラム101の支持部を台座102に接着固定したダイヤフラム
型の圧力センサがある。なお、103は接着層を示す。上
記圧力センサは、ダイヤフラムが圧力を受けて歪を生
じ、その歪により発生する抵抗値をピエゾ抵抗効果を利
用して検出している。従って、本センサでは、圧力に応
じた正しい歪を発生するような均等かつ所定の厚さｔを
有するダイヤフラムを形成する必要がある。
【０００３】図５ａ〜ｄは例えば特開昭６３−１５４２
２号公報に示された従来の半導体圧力センサの製造方法
を示す断面図である。まず、図５ａに示す如く、（１０
０）方向に配向性を有する厚さ300μｍのｎ型シリコン
基板７上に、膜厚0.5μｍの絶縁層５及び膜厚10μｍの
シリコン薄膜層17を形成する。なおこのシリコン薄膜層
17はシリコン基板７の一部をシーズとして固相エピタキ
シャル成長させたものである。次に、図５ｂに示す如く
熱酸化法により基板の両面に膜厚0.5μｍの酸化膜11ａ,
ｂを形成し、この後、シリコン薄膜層17側の酸化膜11a
をフォトリソエッチングして拡散用窓を開け、感圧抵抗
層となるＰ型拡散層９を形成する。続いて、ＣＶＤ法に
より基板の両面に窒化シリコン膜14a,bを堆積し、フォ
トリソエッチにより表面側の窒化シリコン膜14aにコン
タクトホールを開け、更に、電子ビーム蒸着法によりア
ルミニウム層16を形成し配線パターニングを行なう。次
に、図５ｃに示すように基板の裏面側の窒化シリコン膜
14b及び酸化膜11bをフォトリソエッチングによりパター
ニング除去する。最後に、図５ｄに示す如く、上記酸化
膜11bおよび窒化シリコン膜14bのパターンをマスクとし
て、水酸化カリウム液による異方性エッチングを行な
い、絶縁層５を露呈せしめ、厚さ10μｍのダイヤフラム
部30を形成する。
２号公報に示された従来の半導体圧力センサの製造方法
を示す断面図である。まず、図５ａに示す如く、（１０
０）方向に配向性を有する厚さ300μｍのｎ型シリコン
基板７上に、膜厚0.5μｍの絶縁層５及び膜厚10μｍの
シリコン薄膜層17を形成する。なおこのシリコン薄膜層
17はシリコン基板７の一部をシーズとして固相エピタキ
シャル成長させたものである。次に、図５ｂに示す如く
熱酸化法により基板の両面に膜厚0.5μｍの酸化膜11ａ,
ｂを形成し、この後、シリコン薄膜層17側の酸化膜11a
をフォトリソエッチングして拡散用窓を開け、感圧抵抗
層となるＰ型拡散層９を形成する。続いて、ＣＶＤ法に
より基板の両面に窒化シリコン膜14a,bを堆積し、フォ
トリソエッチにより表面側の窒化シリコン膜14aにコン
タクトホールを開け、更に、電子ビーム蒸着法によりア
ルミニウム層16を形成し配線パターニングを行なう。次
に、図５ｃに示すように基板の裏面側の窒化シリコン膜
14b及び酸化膜11bをフォトリソエッチングによりパター
ニング除去する。最後に、図５ｄに示す如く、上記酸化
膜11bおよび窒化シリコン膜14bのパターンをマスクとし
て、水酸化カリウム液による異方性エッチングを行な
い、絶縁層５を露呈せしめ、厚さ10μｍのダイヤフラム
部30を形成する。
【０００４】上記工程において、エッチング停止層とし
ての絶縁層５に窒化シリコン膜を使用すれば、窒化シリ
コン膜とｎ型シリコン基板７との水酸化カリウムに対す
るエッチング選択比が300倍以上あるので、エッチング
時間を厳密に制御することなく、一定厚さのダイヤフラ
ムを備えた半導体圧力センサを得ることができる。
ての絶縁層５に窒化シリコン膜を使用すれば、窒化シリ
コン膜とｎ型シリコン基板７との水酸化カリウムに対す
るエッチング選択比が300倍以上あるので、エッチング
時間を厳密に制御することなく、一定厚さのダイヤフラ
ムを備えた半導体圧力センサを得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体圧力セン
サの製造方法において、シリコン薄膜層17は単結晶シリ
コン基板７をシードとして絶縁層５上に堆積したシリコ
ンをアニールすることにより固相エピタキシャル成長さ
せているので、形成できる厚みは10μｍが限界となり、
ダイヤフラム厚が20μｍ以上の単結晶シリコン層を形成
することができなかった。また、そのシリコン薄膜層１
７はその形成工程が堆積法によるので表面は荒れてお
り、更に、ダイヤフラムの下面は酸化膜により制御可能
であるが、上面は制御するものがなく、通常、研磨によ
り上面の一部を除去してダイヤフラムの厚さを調整して
いるが、研磨時間がその制御要素となり、精度が悪くな
る問題点があった。
サの製造方法において、シリコン薄膜層17は単結晶シリ
コン基板７をシードとして絶縁層５上に堆積したシリコ
ンをアニールすることにより固相エピタキシャル成長さ
せているので、形成できる厚みは10μｍが限界となり、
ダイヤフラム厚が20μｍ以上の単結晶シリコン層を形成
することができなかった。また、そのシリコン薄膜層１
７はその形成工程が堆積法によるので表面は荒れてお
り、更に、ダイヤフラムの下面は酸化膜により制御可能
であるが、上面は制御するものがなく、通常、研磨によ
り上面の一部を除去してダイヤフラムの厚さを調整して
いるが、研磨時間がその制御要素となり、精度が悪くな
る問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、厚さが15μｍから500μｍ以内
の単結晶層からなるダイヤフラムを有する半導体圧力セ
ンサが形成でき、更に、そのダイヤフラム厚を正確かつ
高精度に形成制御できる半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
ためになされたもので、厚さが15μｍから500μｍ以内
の単結晶層からなるダイヤフラムを有する半導体圧力セ
ンサが形成でき、更に、そのダイヤフラム厚を正確かつ
高精度に形成制御できる半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、第１の単結晶シリコン基板の裏面に、
異方性エッチングを施してダイヤフラム厚さと同じ寸法
の深さのＶ溝を形成し、少なくとも前記溝部を含む第１
の単結晶シリコン基板面に、研磨ストッパ用及びエッチ
ングストッパ用の絶縁膜を形成する工程と、第２の単結
晶シリコン基板を用意し、この第２の単結晶シリコン基
板の平坦化された表面と第１の単結晶シリコン基板の上
記絶縁膜を形成した面とを貼り合わせ接合する工程と、
第１の単結晶シリコン基板の表面側から研磨を行ない、
前記溝部内の絶縁膜が露出して研磨が停止する工程と、
第２の単結晶シリコン基板の接合していない面より異方
性エッチングして、前記絶縁膜が露出してエッチングが
停止する工程とからなるものである。
置の製造方法は、第１の単結晶シリコン基板の裏面に、
異方性エッチングを施してダイヤフラム厚さと同じ寸法
の深さのＶ溝を形成し、少なくとも前記溝部を含む第１
の単結晶シリコン基板面に、研磨ストッパ用及びエッチ
ングストッパ用の絶縁膜を形成する工程と、第２の単結
晶シリコン基板を用意し、この第２の単結晶シリコン基
板の平坦化された表面と第１の単結晶シリコン基板の上
記絶縁膜を形成した面とを貼り合わせ接合する工程と、
第１の単結晶シリコン基板の表面側から研磨を行ない、
前記溝部内の絶縁膜が露出して研磨が停止する工程と、
第２の単結晶シリコン基板の接合していない面より異方
性エッチングして、前記絶縁膜が露出してエッチングが
停止する工程とからなるものである。
【０００８】
【作用】この発明の半導体装置の製造方法によれば、ま
ず第１の単結晶シリコン基板の裏面に、フォトリソエッ
チング技術を利用してダイヤフラム厚さと同じ寸法の高
精度のＶ溝を形成し、ダイヤフラム厚さを決定する。次
に、この溝部を含む第１の単結晶シリコン基板面上に絶
縁膜を形成して、第２の単結晶シリコン基板と貼り合わ
せる。この第２の単結晶シリコン基板はダイヤフラム部
の周囲の支持部となる。次に、第１の単結晶シリコン基
板の表面側から研磨を行なってダイヤフラムの表面側を
作成する。この時、前記絶縁膜は研磨ストッパとしての
役割を果たす。最後に、第２の単結晶シリコン基板の接
合していない面より異方性エッチングを行なう。この
時、前記絶縁膜は異方性エッチングに対するストッパの
役割を果たす。この様にして、膜厚２０μｍ以上２００
μｍ以下の単結晶シリコン層から成る、基板面内厚さ均
一のダイヤフラムを有する半導体圧力センサを形成す
る。
ず第１の単結晶シリコン基板の裏面に、フォトリソエッ
チング技術を利用してダイヤフラム厚さと同じ寸法の高
精度のＶ溝を形成し、ダイヤフラム厚さを決定する。次
に、この溝部を含む第１の単結晶シリコン基板面上に絶
縁膜を形成して、第２の単結晶シリコン基板と貼り合わ
せる。この第２の単結晶シリコン基板はダイヤフラム部
の周囲の支持部となる。次に、第１の単結晶シリコン基
板の表面側から研磨を行なってダイヤフラムの表面側を
作成する。この時、前記絶縁膜は研磨ストッパとしての
役割を果たす。最後に、第２の単結晶シリコン基板の接
合していない面より異方性エッチングを行なう。この
時、前記絶縁膜は異方性エッチングに対するストッパの
役割を果たす。この様にして、膜厚２０μｍ以上２００
μｍ以下の単結晶シリコン層から成る、基板面内厚さ均
一のダイヤフラムを有する半導体圧力センサを形成す
る。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例による半導体装置
の製造方法を図１〜図３について説明する。図１ａにお
いて、面方位が（１００）で厚み500μｍのｎ型単結晶
シリコン基板１（以下、「第１のシリコン基板１」と呼
ぶ。）を用意し、かつその裏面（後述する「第２のシリ
コン基板７」と貼り合わせる面）を研磨し、この第１の
シリコン基板の両面にＣＶＤ法により0.1〜1.0μｍの窒
化シリコン膜２を形成する。次に、フォトリソエッチン
グにより第１のシリコン基板１の裏面側の窒化シリコン
膜２を除去し窓開け３を行なう（図１ｂ）。続いて水酸
化カリウム液（重量濃度20％）を用いてＶ溝４を形成す
る（図１ｃ）。この時Ｖ溝４の深さが３０±３μｍとな
る様に窓開け幅を計算して決定する。次に、窒化シリコ
ン膜２を除去した後、第１のシリコン基板１の両面ある
いはＶ溝形成面に酸化膜５を熱酸化法又はＣＶＤ法によ
り形成し（図１ｄ）、親水性処理してシラノール基を付
ける。
の製造方法を図１〜図３について説明する。図１ａにお
いて、面方位が（１００）で厚み500μｍのｎ型単結晶
シリコン基板１（以下、「第１のシリコン基板１」と呼
ぶ。）を用意し、かつその裏面（後述する「第２のシリ
コン基板７」と貼り合わせる面）を研磨し、この第１の
シリコン基板の両面にＣＶＤ法により0.1〜1.0μｍの窒
化シリコン膜２を形成する。次に、フォトリソエッチン
グにより第１のシリコン基板１の裏面側の窒化シリコン
膜２を除去し窓開け３を行なう（図１ｂ）。続いて水酸
化カリウム液（重量濃度20％）を用いてＶ溝４を形成す
る（図１ｃ）。この時Ｖ溝４の深さが３０±３μｍとな
る様に窓開け幅を計算して決定する。次に、窒化シリコ
ン膜２を除去した後、第１のシリコン基板１の両面ある
いはＶ溝形成面に酸化膜５を熱酸化法又はＣＶＤ法によ
り形成し（図１ｄ）、親水性処理してシラノール基を付
ける。
【００１０】次に、図２ａに示すように、その表面
（「第１のシリコン基板１」と貼り合わせる面）が研磨・
親水性処理された、面方位（１００）・厚み500μｍの
ｎ型単結晶シリコン基板７（以下、「第２のシリコン基
板７」と呼ぶ。）を用意し、第１のシリコン基板１と第
２のシリコン基板７とを真空中で重ね合わせ、この後、
熱処理［1100℃・２時間］を行なって、脱水反応及び酸
素拡散を２枚の基板の重ねた界面で行なわせ、接合強度
を高める。なおこの時Ｖ溝にできた空間８を埋めたりは
しない。その後、第１のシリコン基板１の表面側（貼り
合わせていない面側）から研削・研磨を行ない、Ｖ溝４
の頂点の酸化膜５が露出して研磨が止まるまで行ない、
平坦かつ制御された表面６を得る。この後、弗酸ライト
エッチして空間８に穴を開ける（図２ｂ）。次に、第１
のシリコン基板１の表面に、Ｐ型拡散層９、高濃度Ｐ型
拡散層10を形成し（図２ｃ）、更に、酸化膜11，ＰＳＧ
膜12，ガラスコート13を形成し、第２のシリコン膜７の
裏面には窒化シリコン膜14を形成する（図２ｄ）。そし
て、窒化シリコン膜14をフォトリソエッチングにより窓
開け40（図３ａ）した後、水酸化カリウム液（重量濃度
20％）で異方性エッチングする。この時当エッチングは
酸化膜５の位置で停止させ、ダイヤフラム部42を形成す
る。最後にスクライブライン41の位置にてスクライブし
半導体圧力センサを完成させる（図３ｂ）。
（「第１のシリコン基板１」と貼り合わせる面）が研磨・
親水性処理された、面方位（１００）・厚み500μｍの
ｎ型単結晶シリコン基板７（以下、「第２のシリコン基
板７」と呼ぶ。）を用意し、第１のシリコン基板１と第
２のシリコン基板７とを真空中で重ね合わせ、この後、
熱処理［1100℃・２時間］を行なって、脱水反応及び酸
素拡散を２枚の基板の重ねた界面で行なわせ、接合強度
を高める。なおこの時Ｖ溝にできた空間８を埋めたりは
しない。その後、第１のシリコン基板１の表面側（貼り
合わせていない面側）から研削・研磨を行ない、Ｖ溝４
の頂点の酸化膜５が露出して研磨が止まるまで行ない、
平坦かつ制御された表面６を得る。この後、弗酸ライト
エッチして空間８に穴を開ける（図２ｂ）。次に、第１
のシリコン基板１の表面に、Ｐ型拡散層９、高濃度Ｐ型
拡散層10を形成し（図２ｃ）、更に、酸化膜11，ＰＳＧ
膜12，ガラスコート13を形成し、第２のシリコン膜７の
裏面には窒化シリコン膜14を形成する（図２ｄ）。そし
て、窒化シリコン膜14をフォトリソエッチングにより窓
開け40（図３ａ）した後、水酸化カリウム液（重量濃度
20％）で異方性エッチングする。この時当エッチングは
酸化膜５の位置で停止させ、ダイヤフラム部42を形成す
る。最後にスクライブライン41の位置にてスクライブし
半導体圧力センサを完成させる（図３ｂ）。
【００１１】次に動作について説明する。半導体圧力セ
ンサのダイヤフラムの厚みは、その性能に大きく影響
し、この厚みをいかに精度良く、かつ基板面内均一に歩
留り良く製作できるかが重要な点となる。更に、ダイヤ
フラムの厚さを幅広く選択できるかどうかにより様々な
圧力センサに対応できるかが決まる。本実施例では、ダ
イヤフラム厚さを正確に作成制御するために、以下の原
理・手法を用いる。即ち、まずダイヤフラム用の第１の
シリコン基板１を用意し、フォトリソエッチングによる
寸法の精度良さを利用して正確な窓開け３を行なった
後、水酸化カリウム液による単結晶シリコンの（１１
１）面が（１００）面のエッチングスピードより10分の
１以下であることを利用して、（１１１）面で囲まれた
Ｖ溝４を形成してエッチングを自動的に停止させる。即
ち、計算によって窓開け３の幅を決定すれば自動的にエ
ッチングされる深さが決まり、しかもその幅はフォトリ
ソグラフィー技術により精度良く作成されるので、その
深さは希望通りの値でかつ正確なものとなり、そして、
このエッチング深さがダイヤフラムの厚さを決定するの
である。また、上記Ｖ溝４内を含めて酸化膜５を0.3μ
ｍ形成し、酸化膜の研磨スピードが単結晶シリコンに対
する研磨スピードより20分の１以下に遅くなることを利
用して、第１のシリコン基板１の表面から研磨していけ
ば、研磨ストップ線６のところで研磨がストップし（図
２ａ）、ダイヤフラム厚さ（シリコン基板の表面６）を
正確に得ることができる。更に、上記酸化膜５に対する
水酸化カリウム液（重量濃度20％）の異方性エッチング
スピードは、単結晶シリコンの＜１００＞方向のエッチ
ングスピードより約350倍以上遅いので、図３ａ，ｂに
示すように第２のシリコン基板７の裏面側から異方性エ
ッチングを行なうと、ダイヤフラム部42の下面を正確に
製作することができる。こうして、上記酸化膜５は、表
面からの研磨に対するストッパーとしての役割と裏面か
らの異方性エッチングに対するストッパーとしての役割
を果たし、最終的にウエハ面内で±３μｍ以内の精度で
ダイヤフラムを加工することが可能となる。
ンサのダイヤフラムの厚みは、その性能に大きく影響
し、この厚みをいかに精度良く、かつ基板面内均一に歩
留り良く製作できるかが重要な点となる。更に、ダイヤ
フラムの厚さを幅広く選択できるかどうかにより様々な
圧力センサに対応できるかが決まる。本実施例では、ダ
イヤフラム厚さを正確に作成制御するために、以下の原
理・手法を用いる。即ち、まずダイヤフラム用の第１の
シリコン基板１を用意し、フォトリソエッチングによる
寸法の精度良さを利用して正確な窓開け３を行なった
後、水酸化カリウム液による単結晶シリコンの（１１
１）面が（１００）面のエッチングスピードより10分の
１以下であることを利用して、（１１１）面で囲まれた
Ｖ溝４を形成してエッチングを自動的に停止させる。即
ち、計算によって窓開け３の幅を決定すれば自動的にエ
ッチングされる深さが決まり、しかもその幅はフォトリ
ソグラフィー技術により精度良く作成されるので、その
深さは希望通りの値でかつ正確なものとなり、そして、
このエッチング深さがダイヤフラムの厚さを決定するの
である。また、上記Ｖ溝４内を含めて酸化膜５を0.3μ
ｍ形成し、酸化膜の研磨スピードが単結晶シリコンに対
する研磨スピードより20分の１以下に遅くなることを利
用して、第１のシリコン基板１の表面から研磨していけ
ば、研磨ストップ線６のところで研磨がストップし（図
２ａ）、ダイヤフラム厚さ（シリコン基板の表面６）を
正確に得ることができる。更に、上記酸化膜５に対する
水酸化カリウム液（重量濃度20％）の異方性エッチング
スピードは、単結晶シリコンの＜１００＞方向のエッチ
ングスピードより約350倍以上遅いので、図３ａ，ｂに
示すように第２のシリコン基板７の裏面側から異方性エ
ッチングを行なうと、ダイヤフラム部42の下面を正確に
製作することができる。こうして、上記酸化膜５は、表
面からの研磨に対するストッパーとしての役割と裏面か
らの異方性エッチングに対するストッパーとしての役割
を果たし、最終的にウエハ面内で±３μｍ以内の精度で
ダイヤフラムを加工することが可能となる。
【００１２】他の実施例として、酸化膜の代わりに、よ
り研磨ストッパ及び異方性エッチングストッパとしての
効果が高い窒化膜を使用しても良い。更に、異方性エッ
チングも、水酸化カリウム液に限ることなく、アルカリ
酸化物なら良く、またこれに低級アルコールを添加し
て、エッチングスピードを遅くして精度を上げても良
い。
り研磨ストッパ及び異方性エッチングストッパとしての
効果が高い窒化膜を使用しても良い。更に、異方性エッ
チングも、水酸化カリウム液に限ることなく、アルカリ
酸化物なら良く、またこれに低級アルコールを添加し
て、エッチングスピードを遅くして精度を上げても良
い。
【００１３】なお、Ｖ溝の空間８をシリコン化合物で埋
めても良く、Ｖ溝をスクライブラインとせず、スクライ
ブラインをＶ溝の内側又は外側に設けて、絶縁膜で素子
を囲った構造としても良い。更に、Ｖ溝の深さの違うも
のを複数個設けて、研磨の際、一番深いＶ溝の酸化膜又
は窒化膜に達して一旦遅くなってもそのまま研磨を続
け、厚みインジケーターとしてさらに正確な厚み制御を
実施しても良い。
めても良く、Ｖ溝をスクライブラインとせず、スクライ
ブラインをＶ溝の内側又は外側に設けて、絶縁膜で素子
を囲った構造としても良い。更に、Ｖ溝の深さの違うも
のを複数個設けて、研磨の際、一番深いＶ溝の酸化膜又
は窒化膜に達して一旦遅くなってもそのまま研磨を続
け、厚みインジケーターとしてさらに正確な厚み制御を
実施しても良い。
【００１４】
【発明の効果】以上のようにこの発明においては、第１
の単結晶シリコン基板にフォトリソエッチング技術を利
用してＶ溝を形成して、高精度のダイヤフラム厚さを決
定する。そして、単結晶シリコン基板より研磨スピード
と異方性エッチングスピードの遅い絶縁膜をストッパと
して、表面側から研磨を行ない、裏面側から異方性エッ
チングを行なう。以上のような工程により、高精度かつ
膜厚均一のダイヤフラムを有する半導体圧力センサが得
られる。
の単結晶シリコン基板にフォトリソエッチング技術を利
用してＶ溝を形成して、高精度のダイヤフラム厚さを決
定する。そして、単結晶シリコン基板より研磨スピード
と異方性エッチングスピードの遅い絶縁膜をストッパと
して、表面側から研磨を行ない、裏面側から異方性エッ
チングを行なう。以上のような工程により、高精度かつ
膜厚均一のダイヤフラムを有する半導体圧力センサが得
られる。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を示す工程断面図である。
法を示す工程断面図である。
【図２】この発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を示す工程断面図である。
法を示す工程断面図である。
【図３】この発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を示す工程断面図である。
法を示す工程断面図である。
【図４】半導体圧力センサを示す構成図である。
【図５】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図
である。
である。
１ 第１のシリコン基板 ２ 窒化シリコン膜 ３ 窓開け ４ Ｖ溝 ５ 酸化膜 ６ 表面 ７ 第２のシリコン基板 ９ 拡散層 10 高濃度拡散層 14 窒化シリコン膜 40 窓開け 41 ダイヤフラム部
フロントページの続き (72)発明者 日下部 兼治 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社北伊丹製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の単結晶シリコン基板の裏面一部
に、異方性エッチングを施してダイヤフラムの厚さと同
じ寸法の深さの溝部を形成する工程と、 少なくとも前記溝部を含む第１の単結晶シリコン基板面
に、ストッパ用絶縁膜を形成する工程と、 第２の単結晶シリコン基板を用意し、この第２の単結晶
シリコン基板の平坦化された表面と第１の単結晶シリコ
ン基板の前記絶縁膜を形成した一面とを貼り合わせ接合
する工程と、 第１の単結晶シリコン基板の表面側から研磨を行ない、
前記溝部内のストッパ用絶縁膜が露出して研磨が停止す
る工程と、 第２の単結晶シリコン基板の接合していない面より異方
性エッチングして、前記ストッパ用絶縁膜が露出してエ
ッチングが停止する工程とからなる半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3153085A JPH0722629A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3153085A JPH0722629A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722629A true JPH0722629A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15554651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3153085A Pending JPH0722629A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722629A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6653702B2 (en) | 2000-06-13 | 2003-11-25 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor having strain gauge and circuit portion on semiconductor substrate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162345A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-06 | Jido Keisoku Gijutsu Kenkiyuukumiai | Manufacture of insulation isolating substrate |
| JPS61239675A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Toshiba Corp | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-06-25 JP JP3153085A patent/JPH0722629A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162345A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-06 | Jido Keisoku Gijutsu Kenkiyuukumiai | Manufacture of insulation isolating substrate |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6653702B2 (en) | 2000-06-13 | 2003-11-25 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor having strain gauge and circuit portion on semiconductor substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980106 |