JPH07226351A - Process control system for semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
Process control system for semiconductor manufacturing equipmentInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 使い勝手がよく、複合プロセス設定ができて
顧客毎の成膜仕様に簡単に対応でき、ガス爆発・漏れを
防止して安全性を確保する。
【構成】 成膜室でのウェーハの成膜処理を制御する下
位制御装置1と、ウェーハを成膜処理するための成膜パ
ターン等を入力する入力装置2と、該成膜パターン等を
表示する表示装置3と、予じめ設置した成膜パターン等
を記憶する記憶装置4と、前記入力装置2,表示装置3
及び記憶装置4を制御し,該記憶装置4に記憶された成
膜パターンを処理し,該成膜パターンデータを前記下位
制御装置に送信してこれを制御する制御装置5とよりな
り、前記成膜パターンを示す制御パラメータを前記表示
装置3に表示させるパラメータ設定及びその画面表示手
段8と、前記記憶装置4に記憶した2以上の成膜パター
ンを切替える成膜パターン切替及びその表示手段9と、
前記入力装置2からの入力の許可、不許可判定及びその
表示手段10とを前記制御装置5に有せしめてなる。
(57) [Abstract] [Purpose] It is easy to use, can set complex processes, can easily meet the film-forming specifications of each customer, and can prevent gas explosion / leakage and ensure safety. [Structure] A lower-level control device 1 for controlling a film forming process of a wafer in a film forming chamber, an input device 2 for inputting a film forming pattern or the like for forming a film on a wafer, and displaying the film forming pattern or the like. A display device 3, a storage device 4 for storing a previously set film forming pattern, the input device 2, a display device 3
And a control device 5 for controlling the storage device 4, processing the film formation pattern stored in the storage device 4, transmitting the film formation pattern data to the lower control device, and controlling the same. Parameter setting for displaying a control parameter indicating a film pattern on the display device 3 and its screen display means 8; film formation pattern switching for switching two or more film formation patterns stored in the storage device 4 and its display means 9;
The control device 5 is provided with permission / non-permission determination and display means 10 for the input from the input device 2.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハに成膜
する半導体製造装置を制御する制御システムに係り、特
に複合プロセス対応制御システムに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a control system for controlling a semiconductor manufacturing apparatus for forming a film on a semiconductor wafer, and more particularly to a control system for a composite process.
【0002】[0002]
【従来の技術】図7は従来のシステムの1例の構成を示
すブロック図である。半導体製造装置の成膜システム
は、成膜パターンの集まりであるレシピを作成、編集す
ることにより決定している。レシピとは具体的成膜パタ
ーン(成膜手順と制御データ)の集まりである。従来の
プロセス対応制御システムは、複数、例えば3つの成膜
室11A〜11Cでのウェーハの成膜処理を制御する下
位制御装置1と、ウェーハを成膜処理するための成膜パ
ターン等を入力する入力装置2と、該成膜パターン等を
表示する表示装置3と、予じめ設定した成膜パターン等
を記憶する記憶装置4と、前記入力装置2,表示装置3
及び記憶装置4を制御し、該記憶装置4に記憶された成
膜パターンを処理し、該成膜パターンデータを前記下位
制御装置1に送信してこれを制御する制御装置5とより
なり、前記下位制御装置1に送信される成膜パターンデ
ータを得る成膜パターンの集りであるレシピを作成、編
集するレシピ編集手段6と、レシピの進行を管理、表示
するレシピスケジュール表示手段7を前記制御装置5に
有せしめる。2. Description of the Related Art FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of an example of a conventional system. The film forming system of the semiconductor manufacturing apparatus determines by creating and editing a recipe which is a collection of film forming patterns. A recipe is a set of specific film formation patterns (film formation procedure and control data). A conventional process-compatible control system inputs a lower-level control device 1 that controls a film forming process of a wafer in a plurality of, for example, three film forming chambers 11A to 11C, a film forming pattern for performing a film forming process of a wafer, and the like. An input device 2, a display device 3 for displaying the film formation pattern and the like, a storage device 4 for storing a preset film formation pattern and the like, the input device 2 and the display device 3
And a control device 5 for controlling the storage device 4, processing the film formation pattern stored in the storage device 4, transmitting the film formation pattern data to the lower control device 1, and controlling the data. The control device includes a recipe editing unit 6 that creates and edits a recipe that is a collection of film formation patterns that obtains film formation pattern data that is transmitted to the lower-level control device 1, and a recipe schedule display unit 7 that manages and displays the progress of the recipe. Please give it to 5.
【0003】上記の構成において具体的使用手順を以下
に示す。半導体製造装置の成膜パターンであるレシピ
は、1つの成膜室に対し、1つ用意している。このレシ
ピは各成膜室11A〜11Cに対し、それぞれあらかじ
めレシピ編集手段6により記憶装置4に図8に示すレシ
ピ編集正面を表示し、編集設定し、記憶装置4に記憶し
ておく。図8においてREAC(Si(n)),REA
C(a−Si(i))、REAC(a−Si(n+))
等は処理の種類を示し、加熱又は処理時間,加熱温度
(低)及び(高),圧力,高周波電力、使用ガス等を表
示している。制御装置5は、記憶装置4に記憶されたレ
シピを処理し、その内容に従って、下位制御装置1を制
御する。また、その制御の進行はレシピスケジュール表
示手段7によって表示装置3に表示されオペレータは、
装置の処理がどのくらい進行したかを知ることとなる。
このレシピは、同様の成膜を行なうとしても、オペレー
タごとに微妙な差が生ずる場合が多くある。また、同じ
ガスにより成膜する場合にも、その処理温度、経過時
間、雰囲気圧力の違いにより特性の異なる膜が造られ
る。この場合には同じガスを用いているため反応室の汚
染の心配は無い。従って、各オペレータ最善の処理方法
を求めてレシピを変更することが多くある。A specific procedure for using the above structure will be described below. One recipe which is a film forming pattern of the semiconductor manufacturing apparatus is prepared for one film forming chamber. This recipe is stored in the storage device 4 in advance by displaying the recipe editing front face shown in FIG. 8 in the storage device 4 by the recipe editing means 6 for each of the film forming chambers 11A to 11C. In FIG. 8, REAC (Si (n)), REA
C (a-Si (i)), REAC (a-Si (n +))
Indicates the type of treatment, and indicates heating or treatment time, heating temperature (low) and (high), pressure, high-frequency power, used gas, etc. The control device 5 processes the recipe stored in the storage device 4, and controls the lower-level control device 1 according to the contents of the recipe. The progress of the control is displayed on the display device 3 by the recipe schedule display means 7, and the operator
You will know how much the processing of the device has progressed.
In this recipe, even if the same film formation is performed, there are many cases where a slight difference occurs between operators. Further, even when a film is formed by using the same gas, a film having different characteristics is formed due to the difference in processing temperature, elapsed time, and atmospheric pressure. In this case, since the same gas is used, there is no risk of contamination of the reaction chamber. Therefore, the recipe is often changed in order to find the best processing method for each operator.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、変更は記憶装置内のレシピを書き換える必要があ
り、この書き換え作業によりこれまで使っていたレシピ
は記憶装置から抹消されることとなる。即ち、レシピ
(成膜パターン)が固定であるため、単一の成膜パター
ンしか設定することができず、顧客の仕様によっては、
プログラム変更を行う必要があり、作業工数を要すると
共に異なる成膜名称の画面を使用する場合は、ページを
複数用意する必要があり、オペレータの操作性を悪くす
るという、課題がある。又、成膜パターンを変更する場
合には、成膜パターンを構成するプログラムを変更し、
求める成膜パターンを作成する方法をとっている。成膜
に用いるガスには、単独でも条件によって爆発し易いも
の、毒性を有するもの、若しくは複数のガスが混合する
ことにより爆発し易いもの、毒性を有するもの等があ
る。通常成膜パターンに用いるガスは、安全性等十分に
検討をした結果のものであり、その使用には問題がない
が、急遽作成した成膜パターンは、これに用いるガスの
安全性を確認した後でなければ、本来実施すべきもので
はないが、上位の制御装置がこの状況を認識していない
ため、危険ガスの使用を阻止することができず、安全性
を損うばかりでなく、1つの成膜室で2重にレシピを設
定することができないという課題がある。In the above-mentioned conventional example, it is necessary to rewrite the recipe in the storage device for the change, and the recipe used so far is erased from the storage device by this rewriting work. . That is, since the recipe (film formation pattern) is fixed, only a single film formation pattern can be set, and depending on the customer's specifications,
There is a problem that it is necessary to prepare a plurality of pages when the screen needs to be changed and a screen having a different film formation name is used while requiring a lot of man-hours, which deteriorates the operability of the operator. When changing the film formation pattern, change the program that constitutes the film formation pattern,
The method of creating the desired film formation pattern is adopted. Gases used for film formation include those that are easy to explode or poisonous depending on the condition, or those that are easily explosive when a plurality of gases are mixed, those that are toxic, and the like. The gas used for the normal film formation pattern was the result of thorough examination of safety, etc., and there is no problem in its use, but the film formation pattern created suddenly confirmed the safety of the gas used for this. Although it should not be implemented unless it is done afterwards, since the higher-level control device does not recognize this situation, it is not possible to prevent the use of dangerous gas, which not only impairs safety but also There is a problem that the recipe cannot be set twice in the film forming chamber.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するためになされたものであって、1つの成膜室で
複数の成膜パターンを同時に設定でき、顧客毎の成膜仕
様に簡単に対応でき、又1枚のページで複数種類の成膜
名称及び成膜パターンの切替えを行うことができると共
に、ユーザーも成膜パターンを設定できる半導体製造装
置用プロセス対応制御システムを提供する。即ち、本発
明システムは、成膜室でのウェーハの成膜処理を制御す
る下位制御装置1と、ウェーハを成膜処理するための成
膜パターン等を入力する入力装置2と、該成膜パターン
等を表示する表示装置3と、予じめ設定した成膜パター
ン等を記憶する記憶装置4と、前記入力装置2,表示装
置3及び記憶装置4を制御し,該記憶装置4に記憶され
た成膜パターンを処理し,該成膜パターンデータを前記
下位制御装置1に送信してこれを制御する制御装置5と
よりなり、前記成膜パターンを示す制御パラメータを前
記表示装置3に表示させるパラメータ設定及びその画面
表示手段8と、前記記憶装置4に記憶した2以上の成膜
パターンを切替える成膜パターン切替及びその表示手段
9と、前記入力装置2からの入力の許可、不許可判定及
びその表示手段10とを前記制御装置5に有せしめてな
る。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and a plurality of film formation patterns can be simultaneously set in one film formation chamber, and film formation specifications for each customer. To provide a process-compatible control system for semiconductor manufacturing equipment, which enables the user to set multiple film formation names and film formation patterns on a single page and also allows the user to set film formation patterns. . That is, the system of the present invention includes a lower control device 1 for controlling a film forming process of a wafer in a film forming chamber, an input device 2 for inputting a film forming pattern for forming a film on a wafer, and the film forming pattern. And the like, a storage device 4 for storing a preset film formation pattern, etc., the input device 2, the display device 3 and the storage device 4 are controlled and stored in the storage device 4. A parameter for processing the film-forming pattern, transmitting the film-forming pattern data to the lower-level control device 1 and controlling the same, and displaying a control parameter indicating the film-forming pattern on the display device 3. Setting and screen display means 8 thereof, film formation pattern switching for switching two or more film formation patterns stored in the storage device 4 and display means 9 thereof, permission / non-permission determination of input from the input device 2, and its And shows means 10 comprising brought Yes to the control device 5.
【0006】[0006]
【作 用】記憶装置4に記憶されている成膜パターンが
制御装置5により処理され、該成膜パターンデータが制
御装置5により下位制御装置1に送信されて該下位制御
装置が制御され、該下位制御装置により制御される成膜
室11A〜11Cでウェーハが成膜処理されると共にそ
の制御の進行が表示装置3に表示されることになる。成
膜パターンを示す制御パラメータ設定は、パラメータ設
定及びその画面表示手段8により表示装置3にパラメー
タ設定画面を表示させて入力装置2により行われ、記憶
装置4に記憶されている成膜パターンの切替えは、切替
及びその表示手段9により表示装置3に成膜パターンを
表示させて入力装置2により行われ、記憶装置4内のデ
ータの更新が行われる。入力装置2からの入力判定情報
は、許可、不許可判定表示機能10により表示装置3に
表示されることになる。[Operation] The film formation pattern stored in the storage device 4 is processed by the controller 5, and the film formation pattern data is transmitted to the lower controller 1 by the controller 5 to control the lower controller. The wafer is subjected to film formation processing in the film formation chambers 11A to 11C controlled by the lower-level control device, and the progress of the control is displayed on the display device 3. The control parameter setting indicating the film formation pattern is performed by the input device 2 by displaying the parameter setting screen on the display device 3 by the parameter setting and its screen display means 8, and switching of the film formation pattern stored in the storage device 4. Is performed by the input device 2 by switching and displaying the film formation pattern on the display device 3 by the display means 9 thereof, and the data in the storage device 4 is updated. The input determination information from the input device 2 is displayed on the display device 3 by the permission / non-permission determination display function 10.
【0007】[0007]
【実施例】図1は本発明システムの1実施例の構成を示
すブロック図である。図1において1は複数、例えば3
つの成膜室11A〜11Cでのウェーハの成膜処理を制
御する下位制御装置で、コントロールユニット及び透明
真空用コントローラよりなる。2はウェーハを成膜処理
するための成膜パターン等を入力する入力装置で、キー
ボード、マウス等である。3は成膜パターン等を表示す
る表示装置で、CRT,LCD等である。4は予じめ設
定した成膜パターン等を記憶する記憶装置で、フロッピ
ーディスク装置、固定ディスク装置等である。5はマイ
クロコンピュータを中央演算装置とした制御装置で、入
力装置2,表示装置3及び記憶装置4を制御し、該記憶
装置4に記憶された成膜パターンを処理し、成膜パター
ンデータを下位制御装置1に送信してこれを制御する。
制御装置5は、成膜パターンを示す制御パラメータを表
示装置3に表示させるパラメータ設定及びその画面表示
手段8と、記憶装置4に記憶した2以上の成膜パターン
を切替える成膜パターン切替及びその表示手段9と、入
力装置2からの入力の許可、不許可判定及びその表示手
段10を有している。1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of the system of the present invention. In FIG. 1, 1 is a plurality, for example, 3
A lower-level control device that controls a film forming process of a wafer in each of the film forming chambers 11A to 11C, and includes a control unit and a transparent vacuum controller. Reference numeral 2 denotes an input device for inputting a film forming pattern or the like for forming a film on a wafer, which is a keyboard, a mouse or the like. Reference numeral 3 is a display device for displaying a film formation pattern or the like, such as a CRT or LCD. Reference numeral 4 denotes a storage device for storing a preset film formation pattern or the like, such as a floppy disk device or a fixed disk device. Reference numeral 5 denotes a control device having a microcomputer as a central processing unit, which controls the input device 2, the display device 3 and the storage device 4, processes the film formation pattern stored in the storage device 4, and stores the film formation pattern data in a lower order. It is transmitted to the control device 1 to control it.
The control device 5 sets and displays the parameter setting for displaying the control parameter indicating the film forming pattern on the display device 3, and the film forming pattern switching for displaying two or more film forming patterns stored in the storage device 4 and the display thereof. It has means 9 and means for permitting / inhibiting the input from the input device 2 and displaying the means 10.
【0008】下位制御装置1に成膜パターンデータを送
信する制御装置5のパラメータ設定及びその画面表示手
段8を利用して成膜パターンの切替え処理をパラメータ
設定画面にて行い、成膜条件(データ)の書き替えを行
う。処理フローを図2に、具体例を表1に示す。The parameter setting of the control device 5 which transmits the film formation pattern data to the subordinate control device 1 and the film display pattern switching processing are performed by using the screen display means 8 on the parameter setting screen, and the film formation conditions (data ) Is rewritten. A processing flow is shown in FIG. 2 and a specific example is shown in Table 1.
【0009】[0009]
【表1】 [Table 1]
【0010】オペレータがパラメータ設定画面モード3
2を設定し、処理膜種に応じて入力1〜9の中から選
び、入力された番号を判定及びその表示手段10により
判定し、所望の番号の時は該番号を記憶装置4に保管す
る。そしてパラメータデータを下位制御装置1に送信
し、成膜条件の書き替えを行う。The operator sets the parameter setting screen mode 3
2 is set and selected from the inputs 1 to 9 according to the type of film to be processed, the entered number is judged and judged by the display means 10, and when the desired number is stored in the storage device 4. . Then, the parameter data is transmitted to the lower-level controller 1, and the film forming conditions are rewritten.
【0011】図3(A)は本発明のパラメータ設定画面
における膜種と反応処理名の関係を示す図、図3(B)
は同じく時間とバルスの関係を示す図である。表2〜表
9はそれぞれ本発明における膜種1〜9に対するエディ
ット項目を示している。FIG. 3 (A) is a diagram showing the relationship between the film type and the reaction treatment name on the parameter setting screen of the present invention, FIG. 3 (B).
Is a diagram showing the relationship between time and bals. Tables 2 to 9 show edit items for the film types 1 to 9 in the present invention, respectively.
【0012】[0012]
【表2】 [Table 2]
【0013】[0013]
【表3】 [Table 3]
【0014】[0014]
【表4】 [Table 4]
【0015】[0015]
【表5】 [Table 5]
【0016】[0016]
【表6】 [Table 6]
【0017】成膜パターンは、パラメータ設定画面モー
ド32の内容を変えることによってその成膜に必要な項
目をエディットできる。膜種No.6〜8は未使用に付
き、エディットできない。膜種No.9はスーパユーザ
用に付き、エディット項目フルオープンとなる。By changing the contents of the parameter setting screen mode 32, the film formation pattern can be edited with the items required for the film formation. Film type No. Items 6 to 8 are unused and cannot be edited. Film type No. 9 is for super users, and edit items are fully open.
【0018】上記図2について説明したように成膜条件
を設定することによって1枚のレシピ画面で成膜条件と
対応したレシピ設定を行うことができる。処理フローを
図4に示す。成膜条件1〜9を設定するメモリ領域を確
保し、データをメモリ上の認識しない値を明確にするた
めに、記憶装置4内の必要なメモリ領域を一度全てクリ
アする。表示装置3の表示画面をパラメータ設定及びそ
の表示手段8により、例えば図5に示すパラメータ設定
画面(レシピ編集画面)とし、入力装置2により制御パ
ラメータ(成膜条件)の設定を行う。図5の例は膜種N
o.1の場合である。制御パラメータは記憶装置4に書
き込む。成膜条件によって記憶装置4に格納されたデー
タは、パラメータ設定画面において記憶装置4内のフラ
グが1になっているものをエディット可能とし、0によ
っているものをマスクしてする。設定した成膜条件を外
部記憶装置に保管する。図5においてR1〜R3は下位
制御装置1によってウェーハの成膜処理が制御される第
1〜第3成膜室、Hは加熱室を表わしている。By setting the film forming conditions as described above with reference to FIG. 2, the recipe setting corresponding to the film forming conditions can be performed on one recipe screen. The processing flow is shown in FIG. All necessary memory areas in the storage device 4 are cleared once in order to secure a memory area for setting the film forming conditions 1 to 9 and to clarify a value that does not recognize data in the memory. The display screen of the display device 3 is set to a parameter setting screen (recipe edit screen) shown in FIG. 5 by the parameter setting and display means 8, and the input device 2 sets control parameters (film forming conditions). In the example of FIG. 5, the film type N
o. This is the case of 1. The control parameter is written in the storage device 4. The data stored in the storage device 4 depending on the film forming conditions can be edited if the flag in the storage device 4 is 1 in the parameter setting screen, and the data stored in the storage device 4 can be masked. The set film forming conditions are stored in an external storage device. In FIG. 5, R1 to R3 represent first to third film forming chambers in which the film forming process of the wafer is controlled by the lower controller 1, and H represents a heating chamber.
【0019】次に本発明の全体の運用フローを示すと図
6のようになる。オペレータが下位制御装置1よりパラ
メータ設定画面モード32を呼出し、表示装置3に図3
に示すパラメータ設定画面を表示させ、処理膜種に応じ
て入力1〜9の中から1つを選んで設定する。この際、
制御装置5より下位制御装置1へパラメータデータを送
信する。例えば入力1(Depo Name:BGES
M)を選んで、図5に示すレシピ設定画面に変え、記憶
装置4のファイルより成膜条件を呼出し、成膜条件の設
定を行う。そしてレシピの設定を行い、レシピデータを
ファイルに格納すると共に制御装置5より下位制御装置
1へレシピデータを送信してレシピを実行する。この例
の場合、膜種No.1の膜処理を行うことになる。成膜
パターンを変更する場合は、図3に示すパラメータ設定
画面を表示させ、変更を行えばよい。Next, the overall operation flow of the present invention is shown in FIG. The operator calls the parameter setting screen mode 32 from the subordinate control device 1, and the display device 3 displays the parameter setting screen mode 32.
The parameter setting screen shown in is displayed, and one of the inputs 1 to 9 is selected and set according to the type of the processed film. On this occasion,
Parameter data is transmitted from the control device 5 to the subordinate control device 1. For example, input 1 (Depo Name: BGES
M) is selected to change to the recipe setting screen shown in FIG. 5, and the film forming conditions are called from the file of the storage device 4 to set the film forming conditions. Then, the recipe is set, the recipe data is stored in a file, and the recipe data is transmitted from the control device 5 to the subordinate control device 1 to execute the recipe. In the case of this example, the film type No. The film treatment of No. 1 is performed. When changing the film formation pattern, the parameter setting screen shown in FIG. 3 may be displayed and changed.
【0020】[0020]
【発明の効果】上述のように本発明によれば、1つの
画面で異なる成膜パターンを使用でき、ページ切替え等
による操作性の改善や設定ミス防止を図ることができ、
使い勝手がよい。1つの成膜室で成膜処理する複数の
成膜パターンを同時に設定する複合プロセス設定がで
き、顧客毎の成膜仕様に簡単に対応できる。1枚のペ
ージで複数種類の成膜名称及び成膜パターンの切替えを
行うことができる。制御装置5と下位制御装置1A〜
1C間で成膜パターンデータをパラメータ設定画面で送
信することにより互いに成膜パターンを認識することが
でき、ガス爆発・漏れを防止でき、安全性を確保でき
る。画面フォーマットの変更により制御設定の増設や
変更を簡単にできる。仕様変更によるレシピ機能のプ
ログラム変更を省くことができる。As described above, according to the present invention, different film formation patterns can be used on one screen, operability can be improved by switching pages, and setting errors can be prevented.
Easy to use. A composite process setting that simultaneously sets a plurality of film forming patterns for film forming processing in one film forming chamber can be performed, and film forming specifications for each customer can be easily met. Multiple types of film formation names and film formation patterns can be switched on a single page. Controller 5 and lower controller 1A-
By transmitting the film formation pattern data between 1C on the parameter setting screen, the film formation patterns can be mutually recognized, gas explosion and leakage can be prevented, and safety can be secured. It is possible to easily add or change the control settings by changing the screen format. It is possible to omit the program change of the recipe function due to the specification change.
【図1】本発明システムの1実施例の構成を示すブロッ
ク図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of a system of the present invention.
【図2】本発明のパラメータ設定画面を用いてパラメー
タの設定と成膜条件の書き替えを行う場合の処理フロー
チャートである。FIG. 2 is a processing flowchart in the case of setting parameters and rewriting film forming conditions using the parameter setting screen of the present invention.
【図3】(A),(B)はそれぞれ本発明のパラメータ
設定画面における膜種と反応処理名の関係を示す図及び
同じく時間とパルスの関係を示す図である。3A and 3B are diagrams showing a relationship between a film type and a reaction treatment name on a parameter setting screen of the present invention, and a view showing a relationship between time and pulse, respectively.
【図4】本発明のパラメータ設定画面を用いて成膜条件
の設定を行う場合の処理フローチャートである。FIG. 4 is a processing flowchart for setting film forming conditions using the parameter setting screen of the present invention.
【図5】本発明の成膜条件入力時のレシピ編集画面の1
例を示す図である。FIG. 5: Recipe edit screen 1 when inputting film forming conditions of the present invention
It is a figure which shows an example.
【図6】本発明の全体の運用フローチャートを示す。FIG. 6 shows an overall operational flowchart of the present invention.
【図7】従来のシステムの1例の構成を示すブロック図
である。FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of an example of a conventional system.
【図8】従来のレシピ編集画面の1例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an example of a conventional recipe edit screen.
1 下位制御装置 2 入力装置 3 表示装置 4 記憶装置 5 制御装置 6 レシピ編集手段 7 レシピスケジュール表示手段 8 制御パラメータ設定及びその画面表示手段 9 成膜パターン切替及びその表示手段 10 入力許可,不許可判定及びその表示手段 11a〜11C 第1〜第3成膜室 1 Lower Control Device 2 Input Device 3 Display Device 4 Storage Device 5 Control Device 6 Recipe Editing Means 7 Recipe Schedule Displaying Means 8 Control Parameter Setting and Its Screen Displaying Means 9 Film Forming Pattern Switching and Its Displaying Means 10 Input Permission / Denyment Determination And its display means 11a to 11C First to third film forming chambers
Claims (1)
る下位制御装置と、ウェーハを成膜処理するための成膜
パターン等を入力する入力装置と、該成膜パターン等を
表示する表示装置と、予め設定した成膜パターン等を記
憶する記憶装置と、前記入力装置,表示装置及び記憶装
置を制御し、該記憶装置に記憶された成膜パターンを処
理し、該成膜パターンデータを下位制御装置に送信して
これを制御する制御装置とよりなる半導体製造装置用プ
ロセス対応制御システムにおいて、成膜パターンを示す
制御パラメータを前記表示装置に表示させるパラメータ
設定及びその画面表示手段と、前記記憶装置に記憶した
2以上の成膜パターンを切替える成膜パターン切替え及
びその表示手段と、前記入力装置からの入力の許可、不
許可判定及びその表示手段とを前記制御装置に有せしめ
てなることを特徴とする半導体製造装置用プロセス対応
制御システム。1. A lower control device for controlling a film forming process of a wafer in a film forming chamber, an input device for inputting a film forming pattern and the like for forming a film on a wafer, and displaying the film forming pattern and the like. A display device, a storage device that stores a preset film formation pattern, and the like, controlling the input device, the display device, and the storage device, processing the film formation pattern stored in the storage device, and forming the film formation pattern data. In a process-compatible control system for a semiconductor manufacturing apparatus, which comprises a control device for controlling the control device by transmitting it to a lower-level control device, and a parameter setting and its screen display means for displaying a control parameter indicating a film formation pattern on the display device, Film formation pattern switching for switching between two or more film formation patterns stored in the storage device and display means therefor, determination of permission / non-permission of input from the input device, and a table thereof A process-corresponding control system for a semiconductor manufacturing device, characterized in that the control device is provided with indicating means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1624494A JPH07226351A (en) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | Process control system for semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1624494A JPH07226351A (en) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | Process control system for semiconductor manufacturing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226351A true JPH07226351A (en) | 1995-08-22 |
Family
ID=11911149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1624494A Pending JPH07226351A (en) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | Process control system for semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07226351A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195809A (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Kokusai Electric Co Ltd | Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2005263573A (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Nikon Corp | Film formation apparatus |
-
1994
- 1994-02-10 JP JP1624494A patent/JPH07226351A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195809A (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Kokusai Electric Co Ltd | Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2005263573A (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Nikon Corp | Film formation apparatus |
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