JPH07226351A - 半導体製造装置用プロセス対応制御システム - Google Patents
半導体製造装置用プロセス対応制御システムInfo
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- JPH07226351A JPH07226351A JP1624494A JP1624494A JPH07226351A JP H07226351 A JPH07226351 A JP H07226351A JP 1624494 A JP1624494 A JP 1624494A JP 1624494 A JP1624494 A JP 1624494A JP H07226351 A JPH07226351 A JP H07226351A
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- UOACKFBJUYNSLK-XRKIENNPSA-N Estradiol Cypionate Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H](C4=CC=C(O)C=C4CC3)CC[C@@]21C)C(=O)CCC1CCCC1 UOACKFBJUYNSLK-XRKIENNPSA-N 0.000 description 1
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 使い勝手がよく、複合プロセス設定ができて
顧客毎の成膜仕様に簡単に対応でき、ガス爆発・漏れを
防止して安全性を確保する。 【構成】 成膜室でのウェーハの成膜処理を制御する下
位制御装置１と、ウェーハを成膜処理するための成膜パ
ターン等を入力する入力装置２と、該成膜パターン等を
表示する表示装置３と、予じめ設置した成膜パターン等
を記憶する記憶装置４と、前記入力装置２，表示装置３
及び記憶装置４を制御し，該記憶装置４に記憶された成
膜パターンを処理し，該成膜パターンデータを前記下位
制御装置に送信してこれを制御する制御装置５とよりな
り、前記成膜パターンを示す制御パラメータを前記表示
装置３に表示させるパラメータ設定及びその画面表示手
段８と、前記記憶装置４に記憶した２以上の成膜パター
ンを切替える成膜パターン切替及びその表示手段９と、
前記入力装置２からの入力の許可、不許可判定及びその
表示手段１０とを前記制御装置５に有せしめてなる。
顧客毎の成膜仕様に簡単に対応でき、ガス爆発・漏れを
防止して安全性を確保する。 【構成】 成膜室でのウェーハの成膜処理を制御する下
位制御装置１と、ウェーハを成膜処理するための成膜パ
ターン等を入力する入力装置２と、該成膜パターン等を
表示する表示装置３と、予じめ設置した成膜パターン等
を記憶する記憶装置４と、前記入力装置２，表示装置３
及び記憶装置４を制御し，該記憶装置４に記憶された成
膜パターンを処理し，該成膜パターンデータを前記下位
制御装置に送信してこれを制御する制御装置５とよりな
り、前記成膜パターンを示す制御パラメータを前記表示
装置３に表示させるパラメータ設定及びその画面表示手
段８と、前記記憶装置４に記憶した２以上の成膜パター
ンを切替える成膜パターン切替及びその表示手段９と、
前記入力装置２からの入力の許可、不許可判定及びその
表示手段１０とを前記制御装置５に有せしめてなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハに成膜
する半導体製造装置を制御する制御システムに係り、特
に複合プロセス対応制御システムに関する。
する半導体製造装置を制御する制御システムに係り、特
に複合プロセス対応制御システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のシステムの１例の構成を示
すブロック図である。半導体製造装置の成膜システム
は、成膜パターンの集まりであるレシピを作成、編集す
ることにより決定している。レシピとは具体的成膜パタ
ーン（成膜手順と制御データ）の集まりである。従来の
プロセス対応制御システムは、複数、例えば３つの成膜
室１１Ａ〜１１Ｃでのウェーハの成膜処理を制御する下
位制御装置１と、ウェーハを成膜処理するための成膜パ
ターン等を入力する入力装置２と、該成膜パターン等を
表示する表示装置３と、予じめ設定した成膜パターン等
を記憶する記憶装置４と、前記入力装置２，表示装置３
及び記憶装置４を制御し、該記憶装置４に記憶された成
膜パターンを処理し、該成膜パターンデータを前記下位
制御装置１に送信してこれを制御する制御装置５とより
なり、前記下位制御装置１に送信される成膜パターンデ
ータを得る成膜パターンの集りであるレシピを作成、編
集するレシピ編集手段６と、レシピの進行を管理、表示
するレシピスケジュール表示手段７を前記制御装置５に
有せしめる。
すブロック図である。半導体製造装置の成膜システム
は、成膜パターンの集まりであるレシピを作成、編集す
ることにより決定している。レシピとは具体的成膜パタ
ーン（成膜手順と制御データ）の集まりである。従来の
プロセス対応制御システムは、複数、例えば３つの成膜
室１１Ａ〜１１Ｃでのウェーハの成膜処理を制御する下
位制御装置１と、ウェーハを成膜処理するための成膜パ
ターン等を入力する入力装置２と、該成膜パターン等を
表示する表示装置３と、予じめ設定した成膜パターン等
を記憶する記憶装置４と、前記入力装置２，表示装置３
及び記憶装置４を制御し、該記憶装置４に記憶された成
膜パターンを処理し、該成膜パターンデータを前記下位
制御装置１に送信してこれを制御する制御装置５とより
なり、前記下位制御装置１に送信される成膜パターンデ
ータを得る成膜パターンの集りであるレシピを作成、編
集するレシピ編集手段６と、レシピの進行を管理、表示
するレシピスケジュール表示手段７を前記制御装置５に
有せしめる。
【０００３】上記の構成において具体的使用手順を以下
に示す。半導体製造装置の成膜パターンであるレシピ
は、１つの成膜室に対し、１つ用意している。このレシ
ピは各成膜室１１Ａ〜１１Ｃに対し、それぞれあらかじ
めレシピ編集手段６により記憶装置４に図８に示すレシ
ピ編集正面を表示し、編集設定し、記憶装置４に記憶し
ておく。図８においてＲＥＡＣ（Ｓｉ（ｎ）），ＲＥＡ
Ｃ（ａ−Ｓｉ（ｉ））、ＲＥＡＣ（ａ−Ｓｉ（ｎ＋））
等は処理の種類を示し、加熱又は処理時間，加熱温度
（低）及び（高），圧力，高周波電力、使用ガス等を表
示している。制御装置５は、記憶装置４に記憶されたレ
シピを処理し、その内容に従って、下位制御装置１を制
御する。また、その制御の進行はレシピスケジュール表
示手段７によって表示装置３に表示されオペレータは、
装置の処理がどのくらい進行したかを知ることとなる。
このレシピは、同様の成膜を行なうとしても、オペレー
タごとに微妙な差が生ずる場合が多くある。また、同じ
ガスにより成膜する場合にも、その処理温度、経過時
間、雰囲気圧力の違いにより特性の異なる膜が造られ
る。この場合には同じガスを用いているため反応室の汚
染の心配は無い。従って、各オペレータ最善の処理方法
を求めてレシピを変更することが多くある。
に示す。半導体製造装置の成膜パターンであるレシピ
は、１つの成膜室に対し、１つ用意している。このレシ
ピは各成膜室１１Ａ〜１１Ｃに対し、それぞれあらかじ
めレシピ編集手段６により記憶装置４に図８に示すレシ
ピ編集正面を表示し、編集設定し、記憶装置４に記憶し
ておく。図８においてＲＥＡＣ（Ｓｉ（ｎ）），ＲＥＡ
Ｃ（ａ−Ｓｉ（ｉ））、ＲＥＡＣ（ａ−Ｓｉ（ｎ＋））
等は処理の種類を示し、加熱又は処理時間，加熱温度
（低）及び（高），圧力，高周波電力、使用ガス等を表
示している。制御装置５は、記憶装置４に記憶されたレ
シピを処理し、その内容に従って、下位制御装置１を制
御する。また、その制御の進行はレシピスケジュール表
示手段７によって表示装置３に表示されオペレータは、
装置の処理がどのくらい進行したかを知ることとなる。
このレシピは、同様の成膜を行なうとしても、オペレー
タごとに微妙な差が生ずる場合が多くある。また、同じ
ガスにより成膜する場合にも、その処理温度、経過時
間、雰囲気圧力の違いにより特性の異なる膜が造られ
る。この場合には同じガスを用いているため反応室の汚
染の心配は無い。従って、各オペレータ最善の処理方法
を求めてレシピを変更することが多くある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、変更は記憶装置内のレシピを書き換える必要があ
り、この書き換え作業によりこれまで使っていたレシピ
は記憶装置から抹消されることとなる。即ち、レシピ
（成膜パターン）が固定であるため、単一の成膜パター
ンしか設定することができず、顧客の仕様によっては、
プログラム変更を行う必要があり、作業工数を要すると
共に異なる成膜名称の画面を使用する場合は、ページを
複数用意する必要があり、オペレータの操作性を悪くす
るという、課題がある。又、成膜パターンを変更する場
合には、成膜パターンを構成するプログラムを変更し、
求める成膜パターンを作成する方法をとっている。成膜
に用いるガスには、単独でも条件によって爆発し易いも
の、毒性を有するもの、若しくは複数のガスが混合する
ことにより爆発し易いもの、毒性を有するもの等があ
る。通常成膜パターンに用いるガスは、安全性等十分に
検討をした結果のものであり、その使用には問題がない
が、急遽作成した成膜パターンは、これに用いるガスの
安全性を確認した後でなければ、本来実施すべきもので
はないが、上位の制御装置がこの状況を認識していない
ため、危険ガスの使用を阻止することができず、安全性
を損うばかりでなく、１つの成膜室で２重にレシピを設
定することができないという課題がある。
は、変更は記憶装置内のレシピを書き換える必要があ
り、この書き換え作業によりこれまで使っていたレシピ
は記憶装置から抹消されることとなる。即ち、レシピ
（成膜パターン）が固定であるため、単一の成膜パター
ンしか設定することができず、顧客の仕様によっては、
プログラム変更を行う必要があり、作業工数を要すると
共に異なる成膜名称の画面を使用する場合は、ページを
複数用意する必要があり、オペレータの操作性を悪くす
るという、課題がある。又、成膜パターンを変更する場
合には、成膜パターンを構成するプログラムを変更し、
求める成膜パターンを作成する方法をとっている。成膜
に用いるガスには、単独でも条件によって爆発し易いも
の、毒性を有するもの、若しくは複数のガスが混合する
ことにより爆発し易いもの、毒性を有するもの等があ
る。通常成膜パターンに用いるガスは、安全性等十分に
検討をした結果のものであり、その使用には問題がない
が、急遽作成した成膜パターンは、これに用いるガスの
安全性を確認した後でなければ、本来実施すべきもので
はないが、上位の制御装置がこの状況を認識していない
ため、危険ガスの使用を阻止することができず、安全性
を損うばかりでなく、１つの成膜室で２重にレシピを設
定することができないという課題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するためになされたものであって、１つの成膜室で
複数の成膜パターンを同時に設定でき、顧客毎の成膜仕
様に簡単に対応でき、又１枚のページで複数種類の成膜
名称及び成膜パターンの切替えを行うことができると共
に、ユーザーも成膜パターンを設定できる半導体製造装
置用プロセス対応制御システムを提供する。即ち、本発
明システムは、成膜室でのウェーハの成膜処理を制御す
る下位制御装置１と、ウェーハを成膜処理するための成
膜パターン等を入力する入力装置２と、該成膜パターン
等を表示する表示装置３と、予じめ設定した成膜パター
ン等を記憶する記憶装置４と、前記入力装置２，表示装
置３及び記憶装置４を制御し，該記憶装置４に記憶され
た成膜パターンを処理し，該成膜パターンデータを前記
下位制御装置１に送信してこれを制御する制御装置５と
よりなり、前記成膜パターンを示す制御パラメータを前
記表示装置３に表示させるパラメータ設定及びその画面
表示手段８と、前記記憶装置４に記憶した２以上の成膜
パターンを切替える成膜パターン切替及びその表示手段
９と、前記入力装置２からの入力の許可、不許可判定及
びその表示手段１０とを前記制御装置５に有せしめてな
る。
解決するためになされたものであって、１つの成膜室で
複数の成膜パターンを同時に設定でき、顧客毎の成膜仕
様に簡単に対応でき、又１枚のページで複数種類の成膜
名称及び成膜パターンの切替えを行うことができると共
に、ユーザーも成膜パターンを設定できる半導体製造装
置用プロセス対応制御システムを提供する。即ち、本発
明システムは、成膜室でのウェーハの成膜処理を制御す
る下位制御装置１と、ウェーハを成膜処理するための成
膜パターン等を入力する入力装置２と、該成膜パターン
等を表示する表示装置３と、予じめ設定した成膜パター
ン等を記憶する記憶装置４と、前記入力装置２，表示装
置３及び記憶装置４を制御し，該記憶装置４に記憶され
た成膜パターンを処理し，該成膜パターンデータを前記
下位制御装置１に送信してこれを制御する制御装置５と
よりなり、前記成膜パターンを示す制御パラメータを前
記表示装置３に表示させるパラメータ設定及びその画面
表示手段８と、前記記憶装置４に記憶した２以上の成膜
パターンを切替える成膜パターン切替及びその表示手段
９と、前記入力装置２からの入力の許可、不許可判定及
びその表示手段１０とを前記制御装置５に有せしめてな
る。
【０００６】
【作 用】記憶装置４に記憶されている成膜パターンが
制御装置５により処理され、該成膜パターンデータが制
御装置５により下位制御装置１に送信されて該下位制御
装置が制御され、該下位制御装置により制御される成膜
室１１Ａ〜１１Ｃでウェーハが成膜処理されると共にそ
の制御の進行が表示装置３に表示されることになる。成
膜パターンを示す制御パラメータ設定は、パラメータ設
定及びその画面表示手段８により表示装置３にパラメー
タ設定画面を表示させて入力装置２により行われ、記憶
装置４に記憶されている成膜パターンの切替えは、切替
及びその表示手段９により表示装置３に成膜パターンを
表示させて入力装置２により行われ、記憶装置４内のデ
ータの更新が行われる。入力装置２からの入力判定情報
は、許可、不許可判定表示機能１０により表示装置３に
表示されることになる。
制御装置５により処理され、該成膜パターンデータが制
御装置５により下位制御装置１に送信されて該下位制御
装置が制御され、該下位制御装置により制御される成膜
室１１Ａ〜１１Ｃでウェーハが成膜処理されると共にそ
の制御の進行が表示装置３に表示されることになる。成
膜パターンを示す制御パラメータ設定は、パラメータ設
定及びその画面表示手段８により表示装置３にパラメー
タ設定画面を表示させて入力装置２により行われ、記憶
装置４に記憶されている成膜パターンの切替えは、切替
及びその表示手段９により表示装置３に成膜パターンを
表示させて入力装置２により行われ、記憶装置４内のデ
ータの更新が行われる。入力装置２からの入力判定情報
は、許可、不許可判定表示機能１０により表示装置３に
表示されることになる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明システムの１実施例の構成を示
すブロック図である。図１において１は複数、例えば３
つの成膜室１１Ａ〜１１Ｃでのウェーハの成膜処理を制
御する下位制御装置で、コントロールユニット及び透明
真空用コントローラよりなる。２はウェーハを成膜処理
するための成膜パターン等を入力する入力装置で、キー
ボード、マウス等である。３は成膜パターン等を表示す
る表示装置で、ＣＲＴ，ＬＣＤ等である。４は予じめ設
定した成膜パターン等を記憶する記憶装置で、フロッピ
ーディスク装置、固定ディスク装置等である。５はマイ
クロコンピュータを中央演算装置とした制御装置で、入
力装置２，表示装置３及び記憶装置４を制御し、該記憶
装置４に記憶された成膜パターンを処理し、成膜パター
ンデータを下位制御装置１に送信してこれを制御する。
制御装置５は、成膜パターンを示す制御パラメータを表
示装置３に表示させるパラメータ設定及びその画面表示
手段８と、記憶装置４に記憶した２以上の成膜パターン
を切替える成膜パターン切替及びその表示手段９と、入
力装置２からの入力の許可、不許可判定及びその表示手
段１０を有している。
すブロック図である。図１において１は複数、例えば３
つの成膜室１１Ａ〜１１Ｃでのウェーハの成膜処理を制
御する下位制御装置で、コントロールユニット及び透明
真空用コントローラよりなる。２はウェーハを成膜処理
するための成膜パターン等を入力する入力装置で、キー
ボード、マウス等である。３は成膜パターン等を表示す
る表示装置で、ＣＲＴ，ＬＣＤ等である。４は予じめ設
定した成膜パターン等を記憶する記憶装置で、フロッピ
ーディスク装置、固定ディスク装置等である。５はマイ
クロコンピュータを中央演算装置とした制御装置で、入
力装置２，表示装置３及び記憶装置４を制御し、該記憶
装置４に記憶された成膜パターンを処理し、成膜パター
ンデータを下位制御装置１に送信してこれを制御する。
制御装置５は、成膜パターンを示す制御パラメータを表
示装置３に表示させるパラメータ設定及びその画面表示
手段８と、記憶装置４に記憶した２以上の成膜パターン
を切替える成膜パターン切替及びその表示手段９と、入
力装置２からの入力の許可、不許可判定及びその表示手
段１０を有している。
【０００８】下位制御装置１に成膜パターンデータを送
信する制御装置５のパラメータ設定及びその画面表示手
段８を利用して成膜パターンの切替え処理をパラメータ
設定画面にて行い、成膜条件（データ）の書き替えを行
う。処理フローを図２に、具体例を表１に示す。
信する制御装置５のパラメータ設定及びその画面表示手
段８を利用して成膜パターンの切替え処理をパラメータ
設定画面にて行い、成膜条件（データ）の書き替えを行
う。処理フローを図２に、具体例を表１に示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】オペレータがパラメータ設定画面モード３
２を設定し、処理膜種に応じて入力１〜９の中から選
び、入力された番号を判定及びその表示手段１０により
判定し、所望の番号の時は該番号を記憶装置４に保管す
る。そしてパラメータデータを下位制御装置１に送信
し、成膜条件の書き替えを行う。
２を設定し、処理膜種に応じて入力１〜９の中から選
び、入力された番号を判定及びその表示手段１０により
判定し、所望の番号の時は該番号を記憶装置４に保管す
る。そしてパラメータデータを下位制御装置１に送信
し、成膜条件の書き替えを行う。
【００１１】図３（Ａ）は本発明のパラメータ設定画面
における膜種と反応処理名の関係を示す図、図３（Ｂ）
は同じく時間とバルスの関係を示す図である。表２〜表
９はそれぞれ本発明における膜種１〜９に対するエディ
ット項目を示している。
における膜種と反応処理名の関係を示す図、図３（Ｂ）
は同じく時間とバルスの関係を示す図である。表２〜表
９はそれぞれ本発明における膜種１〜９に対するエディ
ット項目を示している。
【００１２】
【表２】
【００１３】
【表３】
【００１４】
【表４】
【００１５】
【表５】
【００１６】
【表６】
【００１７】成膜パターンは、パラメータ設定画面モー
ド３２の内容を変えることによってその成膜に必要な項
目をエディットできる。膜種Ｎｏ．６〜８は未使用に付
き、エディットできない。膜種Ｎｏ．９はスーパユーザ
用に付き、エディット項目フルオープンとなる。
ド３２の内容を変えることによってその成膜に必要な項
目をエディットできる。膜種Ｎｏ．６〜８は未使用に付
き、エディットできない。膜種Ｎｏ．９はスーパユーザ
用に付き、エディット項目フルオープンとなる。
【００１８】上記図２について説明したように成膜条件
を設定することによって１枚のレシピ画面で成膜条件と
対応したレシピ設定を行うことができる。処理フローを
図４に示す。成膜条件１〜９を設定するメモリ領域を確
保し、データをメモリ上の認識しない値を明確にするた
めに、記憶装置４内の必要なメモリ領域を一度全てクリ
アする。表示装置３の表示画面をパラメータ設定及びそ
の表示手段８により、例えば図５に示すパラメータ設定
画面（レシピ編集画面）とし、入力装置２により制御パ
ラメータ（成膜条件）の設定を行う。図５の例は膜種Ｎ
ｏ．１の場合である。制御パラメータは記憶装置４に書
き込む。成膜条件によって記憶装置４に格納されたデー
タは、パラメータ設定画面において記憶装置４内のフラ
グが１になっているものをエディット可能とし、０によ
っているものをマスクしてする。設定した成膜条件を外
部記憶装置に保管する。図５においてＲ１〜Ｒ３は下位
制御装置１によってウェーハの成膜処理が制御される第
１〜第３成膜室、Ｈは加熱室を表わしている。
を設定することによって１枚のレシピ画面で成膜条件と
対応したレシピ設定を行うことができる。処理フローを
図４に示す。成膜条件１〜９を設定するメモリ領域を確
保し、データをメモリ上の認識しない値を明確にするた
めに、記憶装置４内の必要なメモリ領域を一度全てクリ
アする。表示装置３の表示画面をパラメータ設定及びそ
の表示手段８により、例えば図５に示すパラメータ設定
画面（レシピ編集画面）とし、入力装置２により制御パ
ラメータ（成膜条件）の設定を行う。図５の例は膜種Ｎ
ｏ．１の場合である。制御パラメータは記憶装置４に書
き込む。成膜条件によって記憶装置４に格納されたデー
タは、パラメータ設定画面において記憶装置４内のフラ
グが１になっているものをエディット可能とし、０によ
っているものをマスクしてする。設定した成膜条件を外
部記憶装置に保管する。図５においてＲ１〜Ｒ３は下位
制御装置１によってウェーハの成膜処理が制御される第
１〜第３成膜室、Ｈは加熱室を表わしている。
【００１９】次に本発明の全体の運用フローを示すと図
６のようになる。オペレータが下位制御装置１よりパラ
メータ設定画面モード３２を呼出し、表示装置３に図３
に示すパラメータ設定画面を表示させ、処理膜種に応じ
て入力１〜９の中から１つを選んで設定する。この際、
制御装置５より下位制御装置１へパラメータデータを送
信する。例えば入力１（Ｄｅｐｏ Ｎａｍｅ：ＢＧＥＳ
Ｍ）を選んで、図５に示すレシピ設定画面に変え、記憶
装置４のファイルより成膜条件を呼出し、成膜条件の設
定を行う。そしてレシピの設定を行い、レシピデータを
ファイルに格納すると共に制御装置５より下位制御装置
１へレシピデータを送信してレシピを実行する。この例
の場合、膜種Ｎｏ．１の膜処理を行うことになる。成膜
パターンを変更する場合は、図３に示すパラメータ設定
画面を表示させ、変更を行えばよい。
６のようになる。オペレータが下位制御装置１よりパラ
メータ設定画面モード３２を呼出し、表示装置３に図３
に示すパラメータ設定画面を表示させ、処理膜種に応じ
て入力１〜９の中から１つを選んで設定する。この際、
制御装置５より下位制御装置１へパラメータデータを送
信する。例えば入力１（Ｄｅｐｏ Ｎａｍｅ：ＢＧＥＳ
Ｍ）を選んで、図５に示すレシピ設定画面に変え、記憶
装置４のファイルより成膜条件を呼出し、成膜条件の設
定を行う。そしてレシピの設定を行い、レシピデータを
ファイルに格納すると共に制御装置５より下位制御装置
１へレシピデータを送信してレシピを実行する。この例
の場合、膜種Ｎｏ．１の膜処理を行うことになる。成膜
パターンを変更する場合は、図３に示すパラメータ設定
画面を表示させ、変更を行えばよい。
【００２０】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、１つの
画面で異なる成膜パターンを使用でき、ページ切替え等
による操作性の改善や設定ミス防止を図ることができ、
使い勝手がよい。１つの成膜室で成膜処理する複数の
成膜パターンを同時に設定する複合プロセス設定がで
き、顧客毎の成膜仕様に簡単に対応できる。１枚のペ
ージで複数種類の成膜名称及び成膜パターンの切替えを
行うことができる。制御装置５と下位制御装置１Ａ〜
１Ｃ間で成膜パターンデータをパラメータ設定画面で送
信することにより互いに成膜パターンを認識することが
でき、ガス爆発・漏れを防止でき、安全性を確保でき
る。画面フォーマットの変更により制御設定の増設や
変更を簡単にできる。仕様変更によるレシピ機能のプ
ログラム変更を省くことができる。
画面で異なる成膜パターンを使用でき、ページ切替え等
による操作性の改善や設定ミス防止を図ることができ、
使い勝手がよい。１つの成膜室で成膜処理する複数の
成膜パターンを同時に設定する複合プロセス設定がで
き、顧客毎の成膜仕様に簡単に対応できる。１枚のペ
ージで複数種類の成膜名称及び成膜パターンの切替えを
行うことができる。制御装置５と下位制御装置１Ａ〜
１Ｃ間で成膜パターンデータをパラメータ設定画面で送
信することにより互いに成膜パターンを認識することが
でき、ガス爆発・漏れを防止でき、安全性を確保でき
る。画面フォーマットの変更により制御設定の増設や
変更を簡単にできる。仕様変更によるレシピ機能のプ
ログラム変更を省くことができる。
【図１】本発明システムの１実施例の構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】本発明のパラメータ設定画面を用いてパラメー
タの設定と成膜条件の書き替えを行う場合の処理フロー
チャートである。
タの設定と成膜条件の書き替えを行う場合の処理フロー
チャートである。
【図３】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明のパラメータ
設定画面における膜種と反応処理名の関係を示す図及び
同じく時間とパルスの関係を示す図である。
設定画面における膜種と反応処理名の関係を示す図及び
同じく時間とパルスの関係を示す図である。
【図４】本発明のパラメータ設定画面を用いて成膜条件
の設定を行う場合の処理フローチャートである。
の設定を行う場合の処理フローチャートである。
【図５】本発明の成膜条件入力時のレシピ編集画面の１
例を示す図である。
例を示す図である。
【図６】本発明の全体の運用フローチャートを示す。
【図７】従来のシステムの１例の構成を示すブロック図
である。
である。
【図８】従来のレシピ編集画面の１例を示す図である。
１ 下位制御装置 ２ 入力装置 ３ 表示装置 ４ 記憶装置 ５ 制御装置 ６ レシピ編集手段 ７ レシピスケジュール表示手段 ８ 制御パラメータ設定及びその画面表示手段 ９ 成膜パターン切替及びその表示手段 １０ 入力許可，不許可判定及びその表示手段 １１ａ〜１１Ｃ 第１〜第３成膜室
Claims (1)
- 【請求項１】 成膜室でのウェーハの成膜処理を制御す
る下位制御装置と、ウェーハを成膜処理するための成膜
パターン等を入力する入力装置と、該成膜パターン等を
表示する表示装置と、予め設定した成膜パターン等を記
憶する記憶装置と、前記入力装置，表示装置及び記憶装
置を制御し、該記憶装置に記憶された成膜パターンを処
理し、該成膜パターンデータを下位制御装置に送信して
これを制御する制御装置とよりなる半導体製造装置用プ
ロセス対応制御システムにおいて、成膜パターンを示す
制御パラメータを前記表示装置に表示させるパラメータ
設定及びその画面表示手段と、前記記憶装置に記憶した
２以上の成膜パターンを切替える成膜パターン切替え及
びその表示手段と、前記入力装置からの入力の許可、不
許可判定及びその表示手段とを前記制御装置に有せしめ
てなることを特徴とする半導体製造装置用プロセス対応
制御システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1624494A JPH07226351A (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 半導体製造装置用プロセス対応制御システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1624494A JPH07226351A (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 半導体製造装置用プロセス対応制御システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226351A true JPH07226351A (ja) | 1995-08-22 |
Family
ID=11911149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1624494A Pending JPH07226351A (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 半導体製造装置用プロセス対応制御システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07226351A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195809A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2005263573A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 成膜装置 |
-
1994
- 1994-02-10 JP JP1624494A patent/JPH07226351A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195809A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2005263573A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 成膜装置 |
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